KR100496134B1 - Wafer holder for ultra-high temperature process, wafer loading boat and ultra-high temperature furnace having the wafer holder - Google Patents
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Abstract
본 발명은 초고온용 기판 홀더와 반도체 기판 로딩용 보트 및 이를 포함하는 초고온 열처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 초고온용 기판 홀더는 슬롯에 가장자리부가 수용되며 반도체 기판을 표면에 올려놓을 수 있는 판 상의 기판 지지본체와, 기판 지지본체에 적어도 부분적으로 반도체 기판을 지지하는 기판 지지부를 포함하되, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면으로부터 소정 높이 돌출 형성된 환상의 링형으로 형성되거나, 또는 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면상에 돌출 형성된 복수의 지지돌기로 구성되고, 상기 지지돌기는 상부로 갈수록 첨예화되어 단부는 라운딩(rounding) 처리되어 있다. 이렇게 슬롯에 판 상의 기판 홀더를 마련하여 그 위에 반도체 기판을 올려놓으면, 12인치 이상의 직경을 가진 대형 반도체 기판이 고온의 열처리 공정 도중에 발생하는 휨현상(warping)을 예방할 수 있고, 이로 인한 반도체 기판 손실을 방지할 수 있다. The present invention relates to an ultra high temperature substrate holder, a boat for loading a semiconductor substrate, and an ultra high temperature heat treatment apparatus including the same. The substrate holder for ultra-high temperature of the present invention includes a substrate support main body on a plate, the edge of which is accommodated in a slot, on which the semiconductor substrate can be placed on the surface, and a substrate support part supporting the semiconductor substrate at least partially on the substrate support main body, wherein the substrate The support portion is formed in an annular ring shape protruding a predetermined height from the plate surface of the substrate support body, or the substrate support portion is composed of a plurality of support protrusions protruding on the plate surface of the substrate support body, the support protrusion is upward It is increasingly sharpened so that the end is rounded. Thus, by placing a plate-shaped substrate holder in the slot and placing the semiconductor substrate thereon, a large semiconductor substrate having a diameter of 12 inches or more can prevent warping that occurs during a high temperature heat treatment process, thereby reducing the semiconductor substrate loss. You can prevent it.
Description
본 발명은 반도체 기판을 올려놓는 초고온용 기판 홀더와 이를 수용하는 반도체 기판 로딩용 보트 및 초고온 열처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an ultra high temperature substrate holder for placing a semiconductor substrate, a semiconductor substrate loading boat and an ultra high temperature heat treatment apparatus for accommodating the semiconductor substrate.
소자가 극도로 고집적화 되면서 소자밀도가 높아지면서 반도체 칩 하나가 차지하는 면적이 커지면서 기존의 8인치 이하의 반도체 기판에서는 기판 하나당 생성되는 반도체 칩의 수가 급격히 감소하였다. 이러한 생산성 감소를 해결하기 위해서, 여러 가지 연구가 진행되고 있다. 그 중에 가장 좋은 방법은 반도체 기판을 대형화하여 단위 기판 당 반도체 칩의 수를 증가시키는 것이다. 그리하여, 최근에는 직경이 12인치로 대형화된 반도체 기판이 양산에 도입되었고, 소량이지만 실제 반도체 칩 제품생산에 적용되고있다. As the device density becomes extremely high and the device density increases, the area occupied by one semiconductor chip increases, and the number of semiconductor chips generated per substrate rapidly decreases in the existing semiconductor substrate of 8 inches or less. In order to solve this decrease in productivity, various studies have been conducted. The best method is to increase the number of semiconductor chips per unit substrate by increasing the size of the semiconductor substrate. Thus, in recent years, semiconductor substrates having been enlarged to 12 inches in diameter have been introduced to mass production, and have been applied to production of semiconductor chips in small quantities.
그런데, 이러한 12인치 반도체 기판의 도입은, 반도체 기판의 면적이 기존의 반도체 기판보다 2.5배 이상 증가하면서 반도체 제조공정에 여러 가지 문제를 야기시키고 있다. 특히, 반도체 기판의 면적이 커지면서 기본적으로 반도체 제조장치의 크기가 커져야되고 이에 따라 공정환경이 크게 변화하여 공정의 균일도가 현저히 저하시키는 현상을 보이고 있다. 특히, 열처리 공정을 진행하는 반도체 제조장치에서는 공정 중에 고온의 공정분위기를 조성하기 때문에 반도체 기판에 미치는 영향은 대단히 크다. However, the introduction of such a 12-inch semiconductor substrate, causing an increase in the area of the semiconductor substrate more than 2.5 times than the conventional semiconductor substrate, causing various problems in the semiconductor manufacturing process. In particular, as the area of the semiconductor substrate increases, the size of the semiconductor manufacturing apparatus should basically increase, and accordingly, the process environment changes significantly, and thus, the uniformity of the process is significantly reduced. In particular, in the semiconductor manufacturing apparatus which performs the heat treatment process, since the high temperature process atmosphere is formed during the process, the influence on the semiconductor substrate is very large.
도 10a는 기존의 초고온 열처리 장치에 사용되는 기판 로딩용 보트를 나타낸 개략 단면도이다. 기존의 기판 로딩용 보트(1110)는, 지지기둥에 복수의 슬롯들(1110a)이 형성되어, 슬롯(1110a)에 반도체 기판(100)의 가장자리부분이 걸쳐져서 로딩(loading)된다. 즉, 슬롯(1110a)에 로딩된 반도체 기판(100)은 대부분의 지지력을 반도체 기판(100)이 슬롯과 접하는 가장자리 영역에서 감당을 하게된다. 그리하여, 실리콘 산화막 형성 공정이나 고온 어닐링 열처리 공정이 진행되어 기판 로딩용 보트(1110)가 고온의 분위기에 놓이게 되면, 필연적으로 가열된 반도체 기판은 열팽창을 하게되고 팽창한 면적만큼 만곡현상이 일어난다. 도 10b에 도시된 바와 같이, 슬롯(1110a)에 의해서 지지되는 반도체 기판(100)의 가장자리 부분과 지지되지 못하는 중앙부분 사이에는 중력에 의해서 반도체 기판(100)의 가장자리 부분에 대하여 중앙부분이 아래로 휘는 만곡현상(warping)이 발생한다. 그리하여, 이러한 반도체 기판(100)의 휨현상(warpage)에 의해서 기판 평탄도에 심각한 문제가 발생하여 반도체 장치의 제조시 불량이 발생할 확률이 높은 단점이 있다. 10A is a schematic cross-sectional view showing a substrate loading boat used in a conventional ultra high temperature heat treatment apparatus. In the conventional substrate loading boat 1110, a plurality of slots 1110a are formed in the support pillar, and the edge portion of the semiconductor substrate 100 is loaded in the slot 1110a. That is, the semiconductor substrate 100 loaded in the slot 1110a can handle most of the supporting force in the edge region where the semiconductor substrate 100 is in contact with the slot. Thus, when the silicon oxide film forming process or the high temperature annealing heat treatment process is performed so that the substrate loading boat 1110 is placed in a high temperature atmosphere, the heated semiconductor substrate inevitably undergoes thermal expansion and curvature occurs as much as the expanded area. As shown in FIG. 10B, the center portion of the semiconductor substrate 100 is lowered by the gravity between the edge portion of the semiconductor substrate 100 supported by the slot 1110a and the unsupported center portion. Warping occurs. Therefore, a serious problem occurs in the flatness of the substrate due to such warpage of the semiconductor substrate 100, and thus, a defect in manufacturing a semiconductor device may be high.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 기판의 크기가 12 인치 이상으로 증가하여 반도체 기판의 단면적이 수배이상 넓어진다 하더라도, 고온 열처리 공정 중에 반도체 기판의 만곡 현상을 방지할 수 있는 초고온용 기판 홀더와 기판 로딩용 보트 및 고온 열처리 장치를 제공하는 것이다. Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is an ultra-high temperature substrate holder which can prevent the phenomenon of bending of the semiconductor substrate during the high temperature heat treatment process even if the size of the semiconductor substrate is increased to 12 inches or more, thereby increasing the cross-sectional area of the semiconductor substrate by several times or more. And a substrate loading boat and a high temperature heat treatment apparatus.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 초고온용 기판 홀더는, 수직 관상형 반응관을 가진 고온 열처리 장치에 반도체 기판을 로딩(loading)하기 위한 기판 로딩용 보트에 장착된다. 상기 기판 홀더는 반도체 기판을 표면에 올려놓을 수 있는 판 상의 기판 지지본체와, 기판 지지본체에 적어도 부분적으로 반도체 기판을 지지하는 기판 지지부를 포함하되, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면으로부터 소정 높이 돌출 형성된 환상의 링형으로 형성되거나, 또는 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면상에 돌출 형성된 복수의 지지돌기로 구성되고, 상기 지지돌기는 상부로 갈수록 첨예화되어 단부는 라운딩(rounding) 처리되어 있다. In order to achieve the above technical problem, the ultra-high temperature substrate holder of the present invention is mounted on a substrate loading boat for loading a semiconductor substrate in a high temperature heat treatment apparatus having a vertical tubular reaction tube. The substrate holder includes a substrate support body on a plate on which the semiconductor substrate can be placed on a surface, and a substrate support portion supporting the semiconductor substrate at least partially on the substrate support body, wherein the substrate support portion is formed from a plate surface of the substrate support body. It is formed in an annular ring shape protruding a predetermined height, or the substrate support portion is composed of a plurality of support protrusions protruding on the plate surface of the substrate support body, the support projections are sharpened toward the top, the end is rounded It is.
여기서, 기판 지지본체는 실리콘 카바이드(SiC)로 형성되는 것이 1000 ℃ 이상 1400 ℃까지의 초고온에서 초고온 열처리 공정용으로서 바람직하다. 그리고, 기판 지지부를 구성하는 지지돌기는 기판 지지본체 판 면상에 환상으로 배치된 적어도 세 개의 지지돌기를 포함하고 있어 반도체 기판을 균형 있게 지지할 수 있다. 이때, 기판 지지돌기를 상술한 바와 같이 상부로 갈수록 첨예화되어 단부는 라운딩(rounding)처리할 경우 반도체 기판과의 접촉면적을 감소시킬 수 있어 바람직하다. Here, it is preferable that the substrate support body is made of silicon carbide (SiC) for an ultra high temperature heat treatment process at an ultra high temperature from 1000 ° C to 1400 ° C. The support protrusions constituting the substrate support portion include at least three support protrusions annularly disposed on the surface of the substrate support body plate to support the semiconductor substrate in a balanced manner. In this case, the substrate support protrusion is sharpened toward the upper portion as described above, and thus, the rounded end portion may reduce the contact area with the semiconductor substrate when rounding.
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기판 지지본체는, 중앙에 소정 크기의 관통공이 형성되어 있고, 관통공의 주변으로 상기 기판 지지부가 마련되며, 이 관통공의 가장자리를 따라 함몰 형성된 플랜지부를 갖는다, 그리고, 이 플랜지부에 안착되어 관통공을 폐쇄하는 판 상의 기판 리프팅 부재를 더 포함하는 것이 반도체 기판을 로딩 및 언로딩할 때 편리하다. 이때, 기판 리프팅 부재는, 중앙부분에 하향 돌출된 판 상의 리프팅 지지부와, 리프팅 지지부의 가장자리를 따라서 연접 형성되어 기판 지지본체와 접하는 하부 플랜지부를 포함하고 있어 리프팅 지지부가 관통공의 가장자리에 안정적으로 지지될 수 있다. The substrate supporting body has a through hole of a predetermined size formed at the center thereof, the substrate supporting part is provided around the through hole, and has a flange portion recessed along the edge of the through hole. It is convenient to further include a substrate lifting member on the plate for closing the through hole when loading and unloading the semiconductor substrate. At this time, the substrate lifting member includes a lifting support on the plate protruding downward in the center portion and a lower flange portion which is formed along the edge of the lifting support to contact the substrate support body, so that the lifting support is stably at the edge of the through hole. Can be supported.
한편, 기판 홀더는, 중앙에 상부가 넓고 하부가 좁은 테이퍼형의 관통공이 형성되어 이 관통공의 주변으로 기판 지지부가 마련되고, 관통공과 결합되어 관통공을 폐쇄하도록 단면이 상부는 넓고 하부는 좁은 테이퍼 형태로 형성된 판 상의 기판 리프팅 부재를 갖는 형태로 구성될 수도 있다. On the other hand, the substrate holder has a tapered through hole having a wide upper portion and a narrow lower portion at the center thereof, and a substrate supporting portion is provided around the through hole, and the upper portion is wide and the lower portion is narrow so as to be coupled to the through hole to close the through hole. It may also be configured to have a substrate lifting member on a plate formed in a tapered shape.
기판 지지부의 형태는 기판 지지본체의 판 면으로부터 돌출 형성된 복수의 지지돌출부의 형태가 될 수도 있다. The substrate support may be in the form of a plurality of support protrusions protruding from the plate surface of the substrate support body.
또 다른 기판 홀더의 실시예는, 기판 지지본체에, 판 면을 관통하여 형성된 복수의 지지관통공을 포함하는 것이다. 여기서, 지지 관통공은 반도체 기판이 위치하는 하부에 소정 간격으로 이격하여 환형으로 배치되어 있어, 추후 반도체 기판을 로딩 및 언로딩할 때, 소정의 기판 지지핀을 하부로부터 관통하여 반도체 기판을 용이하게 취급(handling)할 수 있다. Another embodiment of the substrate holder includes a plurality of support through holes formed in the substrate support body through the plate surface. Here, the support through-holes are annularly spaced apart from the lower portion where the semiconductor substrate is located at a predetermined interval, so that when loading and unloading the semiconductor substrate later, the support substrate penetrates from the lower portion to facilitate the semiconductor substrate. It can be handled.
한편, 지지 관통공에는 기판 지지핀이 더 포함될 수 있는데, 이때, 기판 지지핀은, 기판 지지본체 상부로 돌출되어 관통공의 가장자리부에 지지되는 접시형 헤드 및 기판 지지본체의 하부로 소정 돌출되는 막대형의 핀 몸체를 포함한다. 그리하여, 기판 홀더를 평평한 판 면상에 올려놓으면 기판 지지핀이 기판 지지본체의 판 면 상부로 소정 높이 돌출되면서 반도체 기판을 들어올릴 수 있어, 이후 반도체 기판 로딩 및 언로딩이 용이하게 이루어질 수 있다. Meanwhile, the support through hole may further include a substrate support pin, wherein the substrate support pin protrudes upward from the substrate support body to be protruded downward from the plate head and the substrate support body supported by the edge of the through hole. It includes a rod-shaped pin body. Thus, when the substrate holder is placed on a flat plate surface, the substrate support pins may be lifted up a predetermined height by protruding a predetermined height above the plate surface of the substrate support body, and thus the semiconductor substrate loading and unloading can be easily performed.
기판 지지본체는, 판 면에 반도체 기판 형태로 함몰 형성된 기판 포켓이 더 포함될 수 있어 반도체 기판이 기판 홀더에 안착될 수 있다. The substrate support body may further include a substrate pocket recessed in the form of a semiconductor substrate on the plate surface, so that the semiconductor substrate may be seated on the substrate holder.
이러한 본 발명의 기판 홀더를 수용할 수 있는 본 발명의 기판 로딩용 보트는, 다음곽 같이 구성된다. 즉, 본 발명은 수직 관상형 반응관을 갖는 고온 열처리 장치에 반도체 기판을 로딩(loading)하기 위해 마련된 기판 로딩용 보트에 있어서, 원기둥형으로 배치된 복수의 지지기둥과, 이 지지기둥들의 일측 단부를 하부에서 동일 판 면에 고정 지지하는 판 상의 지지판과, 지지기둥의 타측 단부를 상부에서 동일 판 면에 고정 지지하는 판 상의 상부판과, 지지기둥들에는 길이방향을 따라 일정간격으로 형성된 복수의 슬롯, 및 이 슬롯에 수용되고 반도체 기판을 수평으로 올려놓을 수 있는 판 상의 기판 홀더를 포함한다.여기서, 상기 기판 홀더는, 상기 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 공간을 제공하는 판 상의 기판 지지본체와, 상기 기판 지지본체 상에 상기 반도체 기판의 하부를 적어도 부분적으로 접촉 지지할 수 있는 기판 지지부를 포함하되, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면으로부터 소정 높이 돌출 형성된 환상의 링형으로 형성되거나, 또는 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면상에 돌출 형성된 복수의 지지돌기로 구성되고, 상기 지지돌기는 상부로 갈수록 첨예화되어 단부는 라운딩(rounding) 처리되어 있다. 상기 지지기둥들은 상부판과 하부판 상에 내측이 비어있는 원통형이 형성되도록 환상으로 배치되어 있고, 지지기둥의 내측으로는 요(凹)형의 수용홈들이 지지기둥의 길이방향을 따라 슬롯을 형성하는 것이 다량의 반도체 기판을 상하로 적층하여 로딩할 수 있어 바람직하다. The board | substrate loading boat of this invention which can accommodate the board | substrate holder of this invention is comprised as follows. That is, the present invention is a boat for loading a substrate provided for loading a semiconductor substrate in a high temperature heat treatment apparatus having a vertical tubular reaction tube, a plurality of support columns arranged in a cylindrical shape, and one end of the support columns A support plate on a plate for fixing and supporting the lower side to the same plate surface; A slot, and a substrate holder on a plate accommodated in the slot and on which the semiconductor substrate can be placed horizontally. Here, the substrate holder includes: a substrate supporting body on a plate that provides a space for placing the semiconductor substrate; And a substrate support part capable of at least partially contacting and supporting a lower portion of the semiconductor substrate on the substrate support body. The support portion is formed in an annular ring shape protruding a predetermined height from the plate surface of the substrate support body, or the substrate support portion is composed of a plurality of support protrusions protruding on the plate surface of the substrate support body, the support protrusion is upward It is increasingly sharpened so that the end is rounded. The support pillars are annularly arranged to form a hollow cylinder on the upper plate and the lower plate, and the inner side of the support pillar has a groove-shaped receiving groove forming a slot along the longitudinal direction of the support pillar. It is preferable that a large amount of semiconductor substrates can be stacked up and down for loading.
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그리고, 상기 기판 홀더는, 상기 기판 지지본체 및 기판 지지부를 포함하고 있는 것이, 반도체 기판의 하부면이 지지본체 판 면으로부터 소정 높이 공간을 확보할 수 있어 반도체 기판을 로딩 또는 언로딩 할 때 기판 이동용 장치(예를 들어, 블레이드(blade))가 용이하게 반도체 기판을 취급할 수 있고, 공정 중에 공정 반응기체의 흐름을 원활하게 조절하여 공정 균일도를 높일 수 있어 바람직하다. The substrate holder includes the substrate support body and the substrate support portion, so that the lower surface of the semiconductor substrate can secure a predetermined height space from the support body plate surface so as to move the substrate when loading or unloading the semiconductor substrate. An apparatus (e.g., a blade) is preferred because it can easily handle a semiconductor substrate and smoothly control the flow of the process reactor during the process to increase process uniformity.
기판 홀더는 기본적으로 1000 ℃ 이상 1400 ℃까지의 고온에서도 변형이나 열팽창률이 적은 실리콘 카바이드로 형성된 것이 바람직하다.It is preferable that the substrate holder is basically formed of silicon carbide having a low strain and thermal expansion rate even at a high temperature of 1000 ° C to 1400 ° C.
상기 기판 지지부를 환상의 링형으로 형성된 것은 적은 접촉면적에 반도체 기판의 무게중심에 영향을 주지 않고 효과적으로 지지할 수 있다. 상기 기판 지지부는 기판 지지본체의 판 면상에 돌출 형성된 복수의 지지돌기일 수도 있어 반도체 기판의 하부면과의 접촉 면적이 더욱 적어져서 공정의 균일도를 더욱 향상시킬 수 있다. 이때, 기판 지지부는 기판 지지본체 판 면상에 환상으로 배치된 적어도 세 개의 지지돌기를 포함하는 것이 최소 지지면적으로 반도체 기판을 가장 효과적으로 지지할 수 있다. 그리고, 기판 지지돌기를 상부로 갈수록 첨예화되어 단부는 라운딩(rounding)처리되어 있으면 반도체 기판에 스크래치(scratch)나 덴트(dent) 등의 물리적 손상을 적게 주어 효과적이다. The annular ring-shaped substrate supporting portion can effectively support a small contact area without affecting the center of gravity of the semiconductor substrate. The substrate support portion may be a plurality of support protrusions protruding from the plate surface of the substrate support body so that the contact area with the lower surface of the semiconductor substrate is further reduced, thereby further improving the uniformity of the process. In this case, the substrate support part may include at least three support protrusions annularly disposed on the substrate support body plate surface to support the semiconductor substrate most effectively with the minimum support area. In addition, if the substrate supporting protrusion is sharpened toward the upper portion and the end is rounded, the semiconductor substrate is effectively scratched or dented, thereby reducing physical damage such as scratches and dents.
한편, 기판 홀더의 다른 실시예는, 중앙에 소정 크기의 관통공 및 관통공의 가장자리를 따라 함몰 형성된 플랜지부를 가진 판 상의 기판 지지본체와, 기판 지지본체 상에 돌출 형성된 기판 지지부와, 플랜지부에 안착되어 관통공을 폐쇄하는 판 상의 기판 리프팅 부재를 포함한다. 여기서, 기판 지지부는 기판 지지본체의 판 면으로부터 소정 높이 돌출되어 환상으로 형성되거나, 기판 지지본체의 판 면으로부터 돌출 형성된 복수의 지지돌출부를 갖고 있다. 이때, 지지돌출부들은, 관통공의 외측을 따라 환상으로 배치되어 있다. On the other hand, another embodiment of the substrate holder, the substrate support body on the plate having a through hole of a predetermined size in the center and the flange portion formed along the edge of the through hole, the substrate support portion protruding on the substrate support body, the flange portion And a substrate lifting member on the plate seated in the closing hole to close the through hole. Here, the board | substrate support part protrudes a predetermined height from the board surface of a board | substrate support body, and is formed in annular form, or has a some support protrusion part protruded from the board surface of a board | substrate support body. At this time, the support protrusions are annularly arranged along the outside of the through hole.
기판 리프팅 부재는, 중앙부분에 하향 돌출된 판 상의 리프팅 지지부와, 리프팅 지지부의 하부에 가장자리와 연접 형성되어 기판 지지본체의 플랜지부와 접하는 하부 플랜지부를 포함한다. 여기서, 리프팅 지지부는 평판 면인 것이 공정용 반응가스의 흐름을 원활하게 유지하고, 추후 기판 이동용 장치가 그 하부를 받쳐 용이하게 들어올릴 수 있어 바람직하다.The substrate lifting member includes a lifting support on a plate projecting downward in the center portion, and a lower flange portion in contact with an edge portion of the lower portion of the lifting support portion to be in contact with the flange portion of the substrate support body. Here, it is preferable that the lifting support is a flat plate surface to smoothly maintain the flow of the reaction gas for the process, and the apparatus for moving the substrate can be easily lifted by supporting the lower portion thereof.
또한, 기판 홀더의 다른 실시예는, 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 공간을 제공하는 판 상의 기판 지지본체와, 기판 지지본체 상에 판 상을 관통하여 형성된 복수의 지지관통공을 포함한다. 여기서, 지지관통공은 반도체 기판이 위치하는 하부에 일정간격을 두고 환형으로 배치되어 있고, 기판 지지본체의 판 면에는, 반도체 기판 형태로 함몰 형성된 기판 포켓이 더 포함되어 있어 반도체 기판이 안착될 수 있도록 하여 공정 중에 공정가스의 흐름에 의한 반도체 기판의 이탈을 효과적으로 방지할 수 있다.Further, another embodiment of the substrate holder includes a substrate support body on a plate that provides a space on which the semiconductor substrate can be placed, and a plurality of support through holes formed through the plate on the substrate support body. Here, the support through-holes are arranged in an annular shape with a predetermined interval below the semiconductor substrate is located, the substrate support body further includes a substrate pocket recessed in the form of a semiconductor substrate, the semiconductor substrate can be seated It is possible to effectively prevent the separation of the semiconductor substrate by the flow of the process gas during the process.
이때, 기판 홀더는 공정온도가 900 ℃ 내지 1400 ℃의 열공정에서 사용할 수 있는 것이 특징이며, 특히, 공정온도는 1300 ℃ 내지 1350 ℃의 열공정에서 사용되는 것이 바람직하다. At this time, the substrate holder is characterized in that the process temperature can be used in the thermal process of 900 ℃ to 1400 ℃, in particular, the process temperature is preferably used in the thermal process of 1300 ℃ to 1350 ℃.
이와 같은 구성을 가진 본 발명의 기판 로딩용 보트는, 반도체 기판을 지지하는 기판 홀더가, 반도체 기판의 가장자리 부분이 아닌 반도체 기판의 중심과 가까운 중앙 영역에 지지점을 형성할 수 있어, 반도체 기판의 직경 크기가 12 인치 이상으로 커진다 할지라도, 반도체 기판의 무게를 골고루 분산시켜 반도체 기판의 만곡현상(warping)을 효과적으로 방지할 수 있다. In the substrate loading boat of the present invention having such a configuration, the substrate holder for supporting the semiconductor substrate can form a support point in a central region close to the center of the semiconductor substrate instead of the edge portion of the semiconductor substrate, and thus the diameter of the semiconductor substrate. Even if the size is increased to 12 inches or more, the weight of the semiconductor substrate can be evenly distributed to effectively prevent warping of the semiconductor substrate.
본 발명에 의한 고온 열처리 장치는, 상부는 폐쇄되고 하부는 개방된 개구부를 가진 실리더형의 반응관과, 이 반응관의 외부를 둘러싸고 반응관을 가열할 수 있도록 설치된 가열체를 포함하는 히터본체와, 반응관 내로 상하 상승 및 하강하면서 출입 가능하도록 설치되어 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 기판 홀더와 이 기판 홀더를 수용할 수 있는 복수개의 슬롯을 갖는 기판 로딩용 보트와, 기판 로딩용 보트의 하부에 배치되어 하부에서 지지하며 반응관의 개구부를 개방 및 폐쇄하도록 작동하는 도어부를 포함한다. The high temperature heat treatment apparatus according to the present invention includes a heater body including a cylinder-type reaction tube having an opening at an upper part thereof and an opening at a lower part thereof, and a heating body installed to surround the outside of the reaction tube to heat the reaction tube. A substrate loading boat having a substrate holder mounted on the reaction tube so that the semiconductor substrate can be placed thereon while being moved up and down and having a plurality of slots for accommodating the substrate holder, and a lower portion of the substrate loading boat. And a door portion disposed at and supporting the lower portion and operative to open and close the opening of the reaction tube.
여기서, 상기 기판 홀더는, 상기 반도체 기판을 올려놓을 수 있는 공간을 제공하는 판 상의 기판 지지본체와, 상기 기판 지지본체 상에 상기 반도체 기판의 하부를 적어도 부분적으로 접촉 지지할 수 있는 기판 지지부를 포함하되, 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면으로부터 소정 높이 돌출 형성된 환상의 링형으로 형성되거나, 또는 상기 기판 지지부는 상기 기판 지지본체의 판 면상에 돌출 형성된 복수의 지지돌기로 구성되고, 상기 지지돌기는 상부로 갈수록 첨예화되어 단부는 라운딩(rounding) 처리되어 있다. 이러한 기판 홀더는 고온에서 열팽창률이 적고 변형이 잘 일어나지 않는 실리콘 카바이드 등으로 형성되어 있다. The substrate holder may include a substrate support body on a plate that provides a space in which the semiconductor substrate can be placed, and a substrate support part capable of at least partially contacting and supporting a lower portion of the semiconductor substrate on the substrate support body. However, the substrate support portion is formed in an annular ring shape protruding a predetermined height from the plate surface of the substrate support body, or the substrate support portion is composed of a plurality of support protrusions protruding on the plate surface of the substrate support body, The projections are sharpened toward the top, and the ends are rounded. Such a substrate holder is formed of silicon carbide or the like having low thermal expansion coefficient at high temperature and hardly deforming.
한편, 기판 로딩용 보트의 하부와 도어부의 내측 판 면 사이에는 버퍼블록이 개재되어 있다. 이러한 버퍼블록은 도어부와 기판 로딩용 보트 사이에 충분히 이격되도록 원기둥형으로 형성되어 있는 것이, 효과적으로 기판 로딩용 보트를 지지할 수 있다. 버퍼블록은 석영(quartz)과 실리콘 카바이드(silicon carbide) 중 어느 하나로 형성되어 있다.On the other hand, a buffer block is interposed between the lower part of the board | substrate loading boat and the inner side surface of the door part. Such a buffer block is formed in a cylindrical shape so as to be sufficiently spaced between the door portion and the substrate loading boat, and can effectively support the substrate loading boat. The buffer block is formed of one of quartz and silicon carbide.
한편, 버퍼블록은 기판 로딩용 보트와 접하는 단부 영역에 계단형으로 스텝형 결합부가 형성되어 있어 버퍼블록 상에 기판 로딩용 보트를 설치할 때 정렬과 결합이 용이하여 바람직하다. 그리고, 버퍼블록과 기판 로딩용 보트 사이의 스텝형 결합부에는, 불활성 가스를 불어넣어 주는 실링수단이 더 포함되어 있어 고온 열처리 장치의 내부 및 외부 사이의 밀봉을 완벽하게 할 수 있다. On the other hand, the buffer block is preferably formed in a stepped coupling stepped in the end region in contact with the substrate loading boat is easy to align and combine when installing the substrate loading boat on the buffer block. In addition, the stepped coupling portion between the buffer block and the substrate loading boat further includes a sealing means for blowing an inert gas, so that the sealing between the inside and the outside of the high temperature heat treatment apparatus can be completed.
이러한 구성을 가진 본 발명의 고온 열처리 장치는, 수직 관상형의 고온 열처리 반응로 내에 반도체 기판을 로딩하는 기판 로딩용 보트의 슬롯에 직접 반도체 기판을 로딩하지 않고 기판을 올려놓을 수 있는 별도의 기판 지지체를 마련하였다. 그리하여, 반도체 기판을 지지하는 포인트가 반도체 기판의 하부 무게 중심점에 균일하게 분산시킴으로써, 고온의 공정 분위기에서도 반도체 기판이 중력방향으로 휘는 휨현상을 방지할 수 있어 공정 에러를 현저히 감소시킬 수 있다. In the high temperature heat treatment apparatus of the present invention having such a configuration, a separate substrate support capable of placing a substrate without directly loading the semiconductor substrate into a slot of the substrate loading boat for loading the semiconductor substrate into a vertical tubular high temperature heat treatment reactor. Prepared. Thus, by uniformly dispersing the points supporting the semiconductor substrate at the lower center of gravity of the semiconductor substrate, the warpage of the semiconductor substrate in the gravity direction can be prevented even in a high temperature processing atmosphere, and the process error can be significantly reduced.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.
도 1a 본 발명에 따른 기판 로딩용 보트를 상세히 설명하기 위해서, 고온 열처리 장치에 장착된 기판 로딩용 보트를 도시한 단면도이고, 도 1b는 기판 로딩용 보트에 로딩된 기판 지지체를 확대 도시한 단면도이며, 도 1c는 본 발명의 기판 로딩용 보트가 고온 열처리 장치로부터 분리되어 기판 지지체를 제외한 형태를 나타낸 사시도이다. 1A is a cross-sectional view illustrating a substrate loading boat mounted on a high temperature heat treatment apparatus in order to explain a substrate loading boat according to the present invention, and FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view illustrating a substrate support loaded on a substrate loading boat. 1C is a perspective view illustrating a board in which the substrate loading boat of the present invention is separated from the high temperature heat treatment apparatus and excludes the substrate support.
이들을 참조하면, 본 발명의 기판 로딩용 보트(10)는, 원통형의 내부 공간을 정의할 수 있도록, 기둥형의 복수의 지지기둥(14)과, 이 지지기둥들(14)의 하부 단부를 동일 판 면상에 원형으로 배치되어 고정되도록 하부에 형성된 원형 판 상의 하부판(12)과, 지지기둥들(14)의 상부 단부가 역시 동일 판 면상에 고정 지지되도록 지지기둥들의 상부에 형성된 원형 판 상의 상부판(13)을 포함한다. 그리고, 지지기둥들(14)의 몸체에는 반도체 기판(100)을 수평으로 로딩(loading)할 수 있도록 지지기둥(14)의 길이방향으로 일정간격을 유지하면서 복수의 슬롯들(10a)이 형성되어 있다. 이들 슬롯(10a)에는 착탈이 가능하도록 반도체 기판(100)을 올려놓을 수 있고, 실질적으로 원형 판 상으로 형성된 기판 홀더(11)를 포함하고 있다. 이러한 기판 홀더(11)에는 반도체 기판(100)을 지지하는 판 상의 기판 지지본체(111) 상에 기판 지지부(113)가 더 형성되어 있다. 그리하여, 실질적으로 슬롯(10a) 내에는 반도체 기판(100)이 올려진 기판 홀더(11)가 로딩되도록 하여, 반도체 기판(100)이 지지되는 부분이 무게 중심이 비정상적으로 치우친 가장자리 부분이 아니고 상대적으로 무게 균형이 치우치지 않는 반도체 기판(100)의 중심 쪽에 가까운 영역이 된다. 그리하여, 고온의 열처리 공정을 진행한다 할지라도 반도체 기판(100)이 열팽창에 의해서 무게 중심 불균형으로 휘어지는 현상을 근본적으로 방지할 수 있다. Referring to these, the substrate loading boat 10 of the present invention, the plurality of columnar support pillars 14 and the lower end of the support pillars 14 are the same so as to define a cylindrical inner space. The lower plate 12 on the circular plate formed at the bottom to be circularly disposed on the plate surface and the upper plate on the circular plate formed on the top of the support pillars so that the upper ends of the support pillars 14 are also fixedly supported on the same plate surface. (13). In addition, a plurality of slots 10a are formed in a body of the support pillars 14 while maintaining a predetermined interval in the longitudinal direction of the support pillar 14 so as to horizontally load the semiconductor substrate 100. have. The semiconductor substrate 100 can be mounted on these slots 10a so that attachment and detachment are possible, and the board | substrate holder 11 formed in the substantially circular plate shape is included. The substrate holder 11 further includes a substrate support part 113 formed on a substrate support body 111 on a plate supporting the semiconductor substrate 100. Thus, the substrate holder 11 on which the semiconductor substrate 100 is mounted is loaded in the slot 10a so that the portion on which the semiconductor substrate 100 is supported is not the edge portion of which the center of gravity is abnormally biased but relatively It becomes an area near the center side of the semiconductor substrate 100 in which the weight balance is not biased. Therefore, even if the high temperature heat treatment process is performed, the phenomenon in which the semiconductor substrate 100 is bent due to the center of gravity imbalance due to thermal expansion can be prevented.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 기판 로딩용 보트에 장착되는 기판 홀더의 제1실시예를 나타낸 사시도, 평면도 및 단면도다. 2 to 4 are a perspective view, a plan view and a cross-sectional view showing a first embodiment of a substrate holder mounted to a boat for loading a substrate according to the present invention.
이들을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 홀더(11)는, 원형 판 상의 기판 지지본체(111)와, 이 기판 지지본체(111) 상에 반도체 기판(100)을 하부에서 지지하면서 기판 지지본체(111) 판 면으로부터 소정 높이 이격하여 띄울 수 있도록 기판 지지부(113)가 소정 높이로 돌출 형성되어 있다. Referring to these, the substrate holder 11 according to the first embodiment of the present invention supports the substrate support body 111 on the circular plate and the semiconductor substrate 100 on the substrate support body 111 from below. The substrate support part 113 protrudes to a predetermined height so that the substrate support body 111 can be spaced apart from the plate surface by a predetermined height.
이때, 기판 지지본체(111)는 반도체 기판(100)을 판 면에 전체적으로 수용할 수 있도록 반도체 기판(100)보다 직경이 더 크게 형성되어 있다. 그리고, 기판 지지부(113)는 판 면상에 환형으로 형성되어 소정의 링 형상을 이루고 있다. 그리고, 기판 지지부(113)의 단면 형태는 단부로 갈수록 좁아지는 형상을 하고 있다. 기판 지지부(113)가 형성된 위치는 반도체 기판(100)이 올려질 때 반도체 기판(100)의 무게 중심에 거의 가까운 위치에 형성되거나 혹은 반도체 기판(100)의 무게를 균일하게 지지할 수 있는 위치에 형성된다. At this time, the substrate support body 111 is formed to have a larger diameter than the semiconductor substrate 100 to accommodate the semiconductor substrate 100 as a whole on the plate surface. And the board | substrate support part 113 is formed annularly on the board surface, and has comprised the predetermined ring shape. In addition, the cross-sectional form of the board | substrate support part 113 has a shape narrowing toward an edge part. The position at which the substrate support part 113 is formed is formed at a position close to the center of gravity of the semiconductor substrate 100 when the semiconductor substrate 100 is raised or at a position capable of uniformly supporting the weight of the semiconductor substrate 100. Is formed.
이러한 기판 홀더(11)는 기본적으로 반도체 기판(100)을 지지하면서 1000℃이상 1400 ℃의 고온에서도 변형되지 않고 판 면의 평탄도를 건전하게 유지해야 하기 때문에, 고온 강도와 열팽창률이 높은 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 그리하여, 기판 홀더(11)를 이루고 있는 재료로는 실리콘 카바이드(SiC)를 사용하는 것이 바람직하다. Since the substrate holder 11 must basically maintain the flatness of the plate surface without deforming even at a high temperature of 1000 ° C. or more and 1400 ° C. while supporting the semiconductor substrate 100, the substrate holder 11 is made of a material having high high temperature strength and thermal expansion coefficient. It is preferably formed. Therefore, it is preferable to use silicon carbide (SiC) as the material forming the substrate holder 11.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 기판 로딩용 보트에 장착되는 기판 홀더의 제2실시예를 나타낸 사시도와 단면도이다. 5A to 5B are a perspective view and a cross-sectional view showing a second embodiment of a substrate holder mounted on the substrate loading boat of the present invention.
이를 참조하면, 제2실시예에 의한 기판 홀더(11)는, 반도체 기판(100)보다 넓은 면적을 갖는 원형 판 상의 기판 지지본체(111)와, 이 기판 지지본체(111) 상에 반도체 기판(100)의 하부를 지지할 수 있도록 기판 지지부(113)로서 소정 간격 이격하여 돌출 형성된 복수의 지지돌출부(113a)를 포함한다. 이때, 지지돌출부(113a)는, 판 면상에 일정 높이로 돌출 형성된 돌기로서, 통상 원기둥형이나 원뿔형 및 삼각뿔형 등 다양한 형태로 형성될 수 있다. 적어도 3개의 지지돌출부(113a)가 형성되어 있다. 이들 지지돌출부(113a)은 반도체 기판(100)의 형상에 따라 반도체 기판(100)을 하부에서 적정한 위치에서 지지할 수 있도록 환형으로 배치되어 있다. 그리고, 반도체 기판의 하부 판 면에 접촉되면서 손상을 주지 않도록 지지돌출부(113a)는 그 단부가 라운딩 처리가 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 형태의 기판 지지부(113)는 반도체 기판(100)과 접촉되는 영역을 최소화할 수 있고, 반도체 기판(100)의 하부로도 균일하게 공정가스를 공급할 수 있어 공정 균일도(process uniformity)를 향상시킬 수 있다. Referring to this, the substrate holder 11 according to the second embodiment includes a substrate support body 111 on a circular plate having a larger area than the semiconductor substrate 100, and a semiconductor substrate (on the substrate support body 111). The substrate support 113 includes a plurality of support protrusions 113a protruding at a predetermined interval so as to support the lower portion of the substrate 100. In this case, the support protrusion 113a is a protrusion formed at a predetermined height on the plate surface, and may be formed in various shapes such as a cylinder, a cone, and a triangular pyramid. At least three support protrusions 113a are formed. These support protrusions 113a are arranged in an annular shape so as to support the semiconductor substrate 100 at an appropriate position from the bottom according to the shape of the semiconductor substrate 100. In addition, it is preferable that the end of the support protrusion 113a is rounded to prevent damage while contacting the lower plate surface of the semiconductor substrate. The substrate support 113 of this type can minimize the area in contact with the semiconductor substrate 100 and can evenly supply the process gas to the lower portion of the semiconductor substrate 100 to improve process uniformity. Can be.
도 6a 내지 도 6b는, 본 발명의 기판 홀더의 제3실시예를 나타낸 사시도 및 단면도이다. 6A to 6B are a perspective view and a sectional view showing a third embodiment of the substrate holder of the present invention.
이들을 참조하면, 제3실시예에 따른 기판 홀더(11)는, 중앙에 소정 크기를 가진 원형의 관통공(111a)이 형성되어 있고 원형 판 상 형태를 가진 기판 지지본체(111)와, 이 기판 지지본체(111)의 관통공(111a)을 둘러싸고 판 면으로부터 돌출 형성되어 반도체 기판(100)의 하부면을 지지하는 기판 지지부(113)와, 관통공(111a)을 착탈 가능하게 폐쇄하며 동시에 반도체 기판(100)을 하부에서 지지하면서 상부로 들어올리거나 내릴 수 있는 판 상의 기판 리프팅 부재(112)를 포함한다. Referring to these, the substrate holder 11 according to the third embodiment includes a substrate supporting body 111 having a circular through hole 111a having a predetermined size at the center thereof and having a circular plate-like shape, and the substrate. The substrate support part 113 which surrounds the through-hole 111a of the support body 111 and protrudes from the plate surface, supports the lower surface of the semiconductor substrate 100, and detachably closes the through-hole 111a, and simultaneously the semiconductor And a substrate lifting member 112 on a plate capable of lifting or lowering the substrate 100 while supporting it from the bottom.
기판 지지본체(111)에는 관통공(111a) 주변으로 소정 깊이 함몰되어 플랜지부(1131)가 형성되어 있다. A flange portion 1131 is formed in the substrate support body 111 by being recessed a predetermined depth around the through hole 111a.
기판 리프팅 부재(112)는 중앙부분에 하향 돌출된 판 상의 리프팅 지지부(1121)와 이 리프팅 지지부(1121)의 가장자리를 따라서 형성된 하부 플래지부(1123)를 포함한다. 그리하여, 기판 리프팅 부재(112)가 지지본체(111)의 관통공(111a)에 결합될 때, 하부 플랜지부(1123)가 지지본체(111)의 플랜지부(1131)상에 올려져서 기판 리프팅 부재(112)가 밑으로 빠지지 않도록 지지본체(111)에 지지되면서 관통공(111a)을 막는다. The substrate lifting member 112 includes a lifting support 1121 on a plate projecting downward in the center portion and a lower flange 1123 formed along the edge of the lifting support 1121. Thus, when the substrate lifting member 112 is coupled to the through hole 111a of the support body 111, the lower flange portion 1123 is raised on the flange portion 1131 of the support body 111 so that the substrate lifting member While being supported by the support body 111 so that the 112 does not fall down, it blocks the through hole 111a.
기판 지지부(113)는 관통공(111a)과 인접하여 판 면으로부터 돌출 형성된 링형(도 2와 같이)으로 형성될 수도 있고, 관통공(111a) 주변으로 소정 간격 이격되어 환형으로 배치된 지지돌기형(도 5a의 113a와 같이)으로 형성될 수도 있다. The substrate support part 113 may be formed in a ring shape (as shown in FIG. 2) protruding from the plate surface adjacent to the through hole 111 a, and the support protrusion shape disposed in an annular shape with a predetermined interval spaced around the through hole 111 a. (As in 113a of FIG. 5A).
이와 같은 구성의 기판 홀더(11)는, 낱개의 반도체 기판(100)을 기판 홀더(11)에 로딩(loading)할 때, 하부에서 기판 리프팅 부재(112)를 밀어 올려 지지본체(111)보다 높은 위치에 놓고, 소정의 기판 이동기(미도시)를 이용하여 반도체 기판(100)을 올려놓을 수 있다. 그리고, 다시 기판 리프팅 부재(112)를 내려 기판 지지본체(111)와 결합시키면 손쉽게 반도체 기판(100)을 기판 홀더(11)에 로딩(loading)할 수 있다. 반도체 기판(100)을 기판 지지체(11)로부터 언로딩(unloading) 시에는 전술한 로딩 순서와 역순으로 진행하면 된다. 그리하여, 이와 같이, 기판 지지체(11)에 기판 리프팅 부재(112)를 더 포함하면, 반도체 기판(100)을 취급하기 용이한 지점까지 이동시켜 취급하기 때문에 반도체 기판(100)을 보다 안전하게 취급할 수 있는 장점이 있다.The substrate holder 11 having such a configuration pushes up the substrate lifting member 112 from the lower side when the individual semiconductor substrates 100 are loaded onto the substrate holder 11, and is higher than the support body 111. In this position, the semiconductor substrate 100 may be mounted using a predetermined substrate mover (not shown). When the substrate lifting member 112 is lowered and coupled to the substrate support body 111, the semiconductor substrate 100 may be easily loaded onto the substrate holder 11. When unloading the semiconductor substrate 100 from the substrate support 11, the semiconductor substrate 100 may proceed in the reverse order to the above loading order. Thus, if the substrate support member 11 further includes the substrate lifting member 112, the semiconductor substrate 100 can be handled more safely because the semiconductor substrate 100 is handled by moving to an easy-to-handle point. There is an advantage.
도 6c 내지 도 6d는 도 6a에 도시된 기판 홀더의 제3실시예를 변형한 실시예들이다. 6C to 6D are modified embodiments of the third embodiment of the substrate holder shown in FIG. 6A.
도 6c를 참조하면, 도 6a의 기판 홀더의 제3실시예에서 기판 지지본체(111)의 판 면상에 기판 지지부(113)가 없이 편평한 평면을 형성하고 있다. 그리하여, 반도체 기판(100)이 기판 지지본체(111) 상에 로딩(loading)되면, 기판 지지본체(111)의 두께 이상으로 슬롯(도 1b의 10a)의 너비를 넓히지 않아도 되므로 도 6a의 기판 지지부(113)의 높이 만큼 슬롯(도 1b의 10a)와 이들 슬롯들(10a) 간의 간격을 좁게 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6C, in the third embodiment of the substrate holder of FIG. 6A, a flat plane is formed on the plate surface of the substrate support body 111 without the substrate support portion 113. Thus, when the semiconductor substrate 100 is loaded on the substrate support body 111, the width of the slot (10a in FIG. 1B) does not have to be widened beyond the thickness of the substrate support body 111. The distance between the slots 10a of FIG. 1B and these slots 10a may be narrowed by the height of the support 113.
도 6d를 참조하면, 기판 지지본체(111)의 형태는, 도 6c의 변형 실시예와 동일하고, 다만, 기판 리프팅 부재(112)의 형상이 상부는 넓고 하부로 갈수록 좁아지는 테이퍼 형태를 이루고 있으며, 이와 대응되어 기판 지지체(111)에 형성된 관통공(111a)의 형태도 테이퍼 형태로 형성되어 기판 리프팅 부재(112)가 관통공(111a)으로부터 빠지지 않고 지지되도록 형성되어 있다. 이러한 형태의 변형 실시예는 가공이 비교적 간편하고 형태가 단순하여 제조단가가 적게 소요되고, 반도체 기판 홀더(11)의 두께를 비교적 얇게 형성할 수 있는 장점이 있다. Referring to FIG. 6D, the shape of the substrate support body 111 is the same as that of the modified embodiment of FIG. 6C, except that the shape of the substrate lifting member 112 has a tapered shape in which the upper portion is wider and narrower toward the lower portion. Correspondingly, the through hole 111a formed in the substrate support 111 is also formed in a tapered shape so that the substrate lifting member 112 is supported without being pulled out from the through hole 111a. Modified embodiments of this type have the advantage that the processing is relatively simple and the form is simple, requires less manufacturing cost, and can form a relatively thin thickness of the semiconductor substrate holder (11).
도 7a 내지 도 7b는 본 발명의 기판 홀더의 제4실시예를 나타낸 평면도 및 단면도이다. 7A to 7B are a plan view and a sectional view showing a fourth embodiment of the substrate holder of the present invention.
이들을 참조하면, 제4실시예에 따른 기판 홀더(11)는, 반도체 기판(100)을 올려놓을 수 있는 원형 판 상의 지지본체(111)와, 지지본체(111) 판 면을 관통하여 형성된 복수의 지지관통공(113b)을 포함하고 있다. 이때, 지지관통공(113b)은 지지본체(111) 상에 반도체 기판(100)이 올려졌을 때, 반도체 기판(100)의 하부의 적정한 위치에 환형으로 배치되어 있다. 그리고, 이러한 지지관통공(113b)은 추후 설명되는 기판 지지핀(115)의 수에 맞게 반도체 기판(100)을 무게 균형이 잡히도록 평평하게 들어올릴 수 있게 적어도 3개가 형성되어 있다. Referring to these, the substrate holder 11 according to the fourth embodiment includes a plurality of support bodies 111 formed on a circular plate on which the semiconductor substrate 100 can be placed, and a plurality of penetrating penetrating surfaces of the support body 111. The support through-hole 113b is included. At this time, when the semiconductor substrate 100 is placed on the support body 111, the support through hole 113b is annularly disposed at an appropriate position of the lower portion of the semiconductor substrate 100. In addition, at least three of the support through holes 113b are formed so that the semiconductor substrate 100 may be lifted flat to balance the weight of the support pins 115, which will be described later.
지지본체(111) 판 면상에는 반도체 기판(100)의 형상에 맞게 판 면으로부터 소정 깊이 함몰형성된 기판 포켓(미도시)을 더 포함하고 있어, 반도체 기판(100)이 지지본체(111) 판 면상에 직접 올려진다. The support body 111 further includes a substrate pocket (not shown) recessed in a predetermined depth from the plate surface in accordance with the shape of the semiconductor substrate 100 so that the semiconductor substrate 100 is formed on the plate surface of the support body 111. It is directly raised.
도 7b는 기판 지지체(111)에 반도체 기판(100)을 로딩(loading)하거나 언로딩(unloading)할 때, 기판 지지체(111)와 별도의 기판 이동장치(미도시)에 마련된 기판 지지핀(115)을 나타낸 단면도이다. 이를 참조하면, 반도체 기판(100)을 로딩(loading)하거나 언로딩(unloading)할 때는 기판 지지체(111)의 하부에 위치한 기판 지지핀(115)을 지지 관통공(113b)을 통해서 상향 이동시키면, 기판 지지핀(115)이 지지관통공(113b)을 통하여 지지본체(111) 판 면상으로 돌출된다. 그리하여, 반도체 기판(100)을 로딩시에는, 외부로부터 들어오는 반도체 기판(100)의 하부면을 지지하여 받은 후, 기판 지지핀(115)을 하강시켜 지지본체(111)의 기판 포켓(미도시)상에 로딩(loading)한다. 이와는 반대로 반도체 기판(100)을 기판 지지체(11)로부터 언로딩(unloading) 시키려면, 기판 지지핀(115)을 지지관통공(113b)을 통하여 들어올리면, 기판 지지체(11) 상에 놓여진 반도체 기판(100)이 지지본체(111)의 판면으로부터 소정 높이 들어올려진다. 그러면, 반도체 기판(100)을 들어 올릴 수 있는 블레이드(Blade,미도시)가 장착된 기판 이동장치를 이용하여 반도체 기판(100) 하부로 블레이드를 넣어 들어올려 언로딩(unloading)하면 된다. 이러한 구성의 기판 지지체(11)는 판 면상에 기판 포켓과 지지관통공(113b)만 형성하면 되므로 제조단가가 절감되고, 취급이 간편하여 효과적이다. FIG. 7B illustrates a substrate support pin 115 provided in a substrate moving device (not shown) separate from the substrate support 111 when loading or unloading the semiconductor substrate 100 onto the substrate support 111. ) Is a cross-sectional view. Referring to this, when loading or unloading the semiconductor substrate 100, if the substrate support pin 115 positioned below the substrate support 111 is moved upward through the support through hole 113b, The substrate support pin 115 protrudes onto the surface of the support body 111 through the support through hole 113b. Thus, when loading the semiconductor substrate 100, after receiving and receiving the lower surface of the semiconductor substrate 100 coming from the outside, the substrate support pin 115 is lowered to the substrate pocket (not shown) of the support body 111 Loading onto the bed. On the contrary, in order to unload the semiconductor substrate 100 from the substrate support 11, the substrate support pin 115 is lifted through the support through hole 113b, and the semiconductor substrate placed on the substrate support 11 is disposed. The 100 is lifted a predetermined height from the plate surface of the support body 111. Then, using a substrate transfer device equipped with a blade (not shown) capable of lifting the semiconductor substrate 100, the blade may be lifted up and unloaded under the semiconductor substrate 100. Since the substrate support 11 of such a configuration only needs to form the substrate pocket and the support through-hole 113b on the plate surface, the manufacturing cost is reduced and the handling is simple and effective.
도 7c는 도 7a의 제4실시예의 변형 실시예를 나타낸 단면도이다. FIG. 7C is a cross-sectional view illustrating a modified embodiment of the fourth embodiment of FIG. 7A.
이를 참조하면, 도 7a와 동일하게 기판 지지본체(111)의 판면에 적어도 3개의 지지 관통공(113b)이 형성되어 있고, 이 지지 관통공(113b)의 상면에 'T'자형의 헤드를 가진 기판 지지핀(115)을 더 포함한다. 이때, 슬롯(도 1b의 10a)에 장착되어 되었을 때, 기판 지지핀(115)은 지지 관통공(113b)에 관통 삽입되어 있고, 기판 지지체(111) 판 면의 상부에는 판 면으로부터 상향 돌출되며 지지 관통공(113b) 주변에 인접한 기판 지지체(111) 판면의 상부에서 지지되도록 접시형의 헤드(115a)가 형성되어 있고, 하부에는 긴 막대형의 핀 몸체(115b)를 갖고 있어 기판 지지체(111)의 하부 판 면에 대해서 소정 길이('d' 만큼) 돌출되도록 형성되어 있다. 그리하여, 반도체 기판(100)을 로딩(loading)이나 언로딩(unloading)할 때, 평평한 판 면상에 올려놓기만 해도, 반도체 기판(100)을 지지하고 있는 기판 지지핀(115)이 기판 지지체(111)의 판면 상부로 'd'의 높이 만큼 이격되도록 지지함으로써, 반도체 기판(100)의 하부에 소정의 공간이 형성된다. 그러면, 이 하부공간을 통하여 기판 이동기(미도시)의 블레이드를 용이하게 삽입하여 반도체 기판(100)을 로딩 및 언로딩 시킬 수 있다. 즉, 비교적 단순한 구성의 기판 이동기로서도 쉽게 반도체 기판(100)을 기판 홀더(10)에 로딩 및 언로딩할 수 있다.Referring to FIG. 7A, at least three support through holes 113b are formed on the plate surface of the substrate support body 111, and have a 'T' shaped head on the upper surface of the support through holes 113b. The substrate support pin 115 further includes. At this time, when mounted in the slot (10a of FIG. 1B), the substrate support pin 115 is inserted through the support through hole 113b, and protrudes upward from the plate surface on the substrate support 111 plate surface. The plate-shaped head 115a is formed so as to be supported on the upper surface of the substrate support 111 adjacent to the support through-hole 113b, and has a long rod-shaped pin body 115b at the bottom thereof. It is formed so as to protrude a predetermined length (by 'd') with respect to the lower plate surface. Thus, when loading or unloading the semiconductor substrate 100, the substrate support pin 115 supporting the semiconductor substrate 100 is the substrate support 111 only by placing it on a flat plate surface. The predetermined space is formed in the lower portion of the semiconductor substrate 100 by supporting the plate to be spaced apart by a height of 'd'. Then, the blade of the substrate mover (not shown) can be easily inserted through the lower space to load and unload the semiconductor substrate 100. That is, the semiconductor substrate 100 can be easily loaded and unloaded into the substrate holder 10 even as a substrate mover having a relatively simple configuration.
한편, 본 발명에 따른 기판 홀더(11)의 실시예들은, 기판 지지본체(111)의 판 면상에 반도체 기판과 동일한 형태로 소정 깊이 함몰된 기판 포켓을 더 마련할 수 있다. 그리하여, 반도체 기판을 기판 홀더에 올려놓을 때, 반도체 기판이 기판 포켓에 안착함으로써, 공정이 진행되는 동안에 공정가스의 흐름에 의한 기판 이동이나 틸트(tilt)현상이 발생하지 않는다. 그리고, 반도체 기판 취급시에 보다 안전하고 신뢰성 있는 로딩(loading) 및 언로딩(unloading) 작업을 할 수 있다. Meanwhile, embodiments of the substrate holder 11 according to the present invention may further provide a substrate pocket recessed to a predetermined depth in the same form as the semiconductor substrate on the plate surface of the substrate support body 111. Thus, when the semiconductor substrate is placed on the substrate holder, the semiconductor substrate is seated in the substrate pocket, so that no substrate movement or tilt due to the flow of the process gas occurs during the process. In addition, safer and more reliable loading and unloading operations can be performed when handling a semiconductor substrate.
도 8은 본 발명에 의한 고온 열처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다. 8 is a schematic cross-sectional view showing a high temperature heat treatment apparatus according to the present invention.
이를 참조하면, 본 발명의 고온 열처리 장치는, 일측 단부가 개방된 실린더형의 반응관(40)과, 이 반응관(40)의 외부를 둘러싸고 반응관(40) 내부를 소정온도로 가열시킬 수 있는 가열체(미도시)를 포함하는 히터본체(50)와, 반응관(40)의 개구부를 통하여 상하로 출입 가능하도록 설치되어 반도체 기판(100)을 올려놓을 수 있는 기판 지지체(11)와 이 기판 지지체(11)를 수용할 수 있는 복수의 슬롯(10a)을 포함하는 기판 로딩용 보트(10)와, 기판 로딩용 보트(10)를 하부에서 지지하면서 반응관(40)의 개구부를 개방 및 폐쇄하도록 작동하는 도어부(20)를 포함한다. 그리고, 반응관(40) 내부로 공정에 필요한 공정가스를 가스 분사부(gas injector,61)를 통하여 공급하는 가스공급장치(60)와, 반응관(40) 내부에서 공정이 완료된 공정가스를 배기관(71)을 통하여 외부로 배출시키는 가스배출장치(70)를 포함한다. Referring to this, in the high temperature heat treatment apparatus of the present invention, a cylindrical reaction tube 40 of which one end is opened, and the inside of the reaction tube 40 can be heated to a predetermined temperature by surrounding the outside of the reaction tube 40. Heater body 50 including a heating element (not shown), and a substrate support 11 which can be installed up and down through the opening of the reaction tube 40 to place the semiconductor substrate 100 and this Opening the opening of the reaction tube 40 while supporting the substrate loading boat 10 including the plurality of slots 10a capable of accommodating the substrate support 11 and the substrate loading boat 10 from below. And a door portion 20 operative to close. In addition, a gas supply device 60 for supplying the process gas required for the process into the reaction tube 40 through a gas injector 61, and a process gas in which the process is completed in the reaction tube 40. It includes a gas discharge device 70 for discharging to the outside through the (71).
여기서, 기판 지지체(11)는 도 2에 도시된 바와 같이, 가장자리 부분이 슬롯(10a)에 끼워지도록 형성된 판 상의 지지본체(111)와, 이 지지본체(111)의 판 면에 반도체 기판(100)을 하부에서 지지하는 기판 지지부(113)를 포함한다. 이때, 기판 지지부(113)는 전술한 바와 같이, 판 면으로부터 돌출 형성되어 환형의 기판 지지부(도 2 및 도 6a에 도시)와 지지돌기형 지지부(도 5a에 도시) 및 기판 포켓형(도 7a에 도시) 등으로 형성될 수 있다.Here, as shown in FIG. 2, the substrate support 11 includes a plate-shaped support body 111 formed such that an edge portion is fitted into the slot 10a, and the semiconductor substrate 100 on the plate surface of the support body 111. ) Includes a substrate support 113 for supporting the bottom. At this time, as described above, the substrate support portion 113 protrudes from the plate surface to form an annular substrate support portion (shown in FIGS. 2 and 6A), a support projection support portion (shown in FIG. 5A), and a substrate pocket type (see FIG. 7A). And the like).
도 9a는, 본 발명에 의한 고온 열처리 장치의 다른 실시예이다. 9A is another embodiment of the high temperature heat treatment apparatus according to the present invention.
이를 참조하면, 다른 구성요소는 도 8의 고온 열처리 장치와 동일하고, 도어부(20)와 기판 로딩용 보트(10) 사이를 상세히 표현하여, 도어부(20)와 인접하여 배치된 매니폴더(80) 부분을 상세히 도시하였다. 여기서, 기판 로딩용 보트(10)와 도어부(20) 사이에는 순차적으로 실리콘 카바이드(SiC)로 형성된 보트 캡(23)과 버퍼 블록(25)이 개재되어 있다. 한편, 히터 본체(50)를 상세히 도시하여, 히터본체(50)의 일부로서 도면부호 51은 히터베이스(heater base)이고, 53은 가열체 즉 저항 코일이다.Referring to this, other components are the same as those of the high temperature heat treatment apparatus of FIG. 8, expressing in detail between the door part 20 and the substrate loading boat 10, and the manifold disposed adjacent to the door part 20 ( 80) is shown in detail. Here, the boat cap 23 and the buffer block 25 which are sequentially formed of silicon carbide (SiC) are interposed between the substrate loading boat 10 and the door part 20. On the other hand, the heater body 50 is shown in detail, and as a part of the heater body 50, reference numeral 51 denotes a heater base, and 53 denotes a heater, that is, a resistance coil.
버퍼 블록(25)은, 상부에 배치된 반응관(40)와 도어부(20) 사이에 개재되어 매니폴더(80)를 포함하면서 배치되어 있다. 이러한 버퍼 블록(25)은 도어부(20)와 고온의 방으관(40) 사이의 간격을 충분히 이격시킬 수 있고, 상부에 배치된 기판 로딩용 보트(10)를 구조적으로 안정하게 지지할 수 있도록 원기둥형으로 형성되어 있다. 이러한 버퍼 블록(25)은 석영(quartz)으로 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 반응관(40)의 개구부와 인접하여 배치된 매니폴더(80)는 외부와 인접하여 접촉되어 있기 때문에 상대적으로 낮은 온도이고, 내부의 반응관(40)은 가열원인 히터본체(50)와 가깝게 배치되어 매우 높은 고온을 유지하고 있다. 그리하여, 매니폴더(80)와 SiC로 형성된 보트캡(23)이 직접 접촉되면 상대적으로 높은 열충격을 받기 때문에 반응관이 쉽게 손상 및 파손되는 이류로, 보트캡(23)과 도어부(20) 사이에 버퍼 블록(25)이 개재되면 석영으로 형성된 버퍼 블록(25)이 온도차의 버퍼 역할을 하여 열충격에 의한 반응관(40)의 손상이나 파손을 효과적으로 방지할 수 있다.The buffer block 25 is interposed between the reaction tube 40 and the door part 20 disposed above, and includes the manifold 80. The buffer block 25 may sufficiently space the gap between the door part 20 and the high temperature discharge pipe 40 and may structurally and stably support the substrate loading boat 10 disposed above. It is formed in a cylindrical shape. The buffer block 25 is preferably formed of quartz. This is a relatively low temperature because the manifold 80 disposed adjacent to the opening of the reaction tube 40 is in contact with the outside, and the reaction tube 40 inside the heater body 50 is a heating source. They are placed close together and maintain very high temperatures. Thus, when the manifold 80 and the boat cap 23 formed of SiC are in direct contact with each other, the reaction tube is easily damaged and broken due to relatively high thermal shock, and thus, between the boat cap 23 and the door part 20. When the buffer block 25 is interposed therebetween, the buffer block 25 formed of quartz serves as a buffer for the temperature difference, thereby effectively preventing damage or breakage of the reaction tube 40 due to thermal shock.
도 9b는 도 9a의 본 발명에 의한 고온 열처리 장치의 버퍼블록(25)과 반응관(40) 사이에 연결된 형태를 나타낸 확대 단면도이다.FIG. 9B is an enlarged cross-sectional view illustrating a form connected between the buffer block 25 and the reaction tube 40 of the high temperature heat treatment apparatus of FIG. 9A.
이를 참조하면, 버퍼블록(25)은 반응관(40)과 접촉되는 단부에는 계단형의 단차가 형성된 스텝형 결합부(25a)가 형성되어 있다. 그리하여, 버퍼블록(25) 상에 반응관(40)를 설치할 때, 버퍼블록(25)에 형성된 스텝형 결합부(25a)에 반응관(40)의 단부가 안착되어 안정적으로 지지될 수 있다. 이때, 스텝형 결합부(25a)는 기판 로딩용 보트의 원기둥형 단부의 외측으로 둘러싸고 지지하도록 외측으로 단차 스텝이 형성되어 있는 것이 바람직하다, 이는, 실리콘 카바이드(SiC)로 형성된 반응관(40)는 석영(quartz)으로 형성된 버퍼블록(25)보다 열팽창률이 낮기 때문에, 열팽창에 의해서 반응관(40) 및 버퍼블록(25)이 부피 팽창하면 결합부분이 느슨해지거나, 결합이 어긋나는 것을 방지할 수 있기 때문이다.Referring to this, the buffer block 25 is formed at the end contacting the reaction tube 40, stepped coupling portion 25a is formed with a stepped step. Thus, when installing the reaction tube 40 on the buffer block 25, the end of the reaction tube 40 is seated on the stepped coupling portion 25a formed in the buffer block 25 can be stably supported. At this time, it is preferable that the stepped coupling portion 25a is formed with a stepped step outward so as to surround and support the outer side of the cylindrical end of the boat for loading the substrate, which is the reaction tube 40 formed of silicon carbide (SiC). Since the thermal expansion coefficient is lower than that of the buffer block 25 formed of quartz, the expansion of the reaction tube 40 and the buffer block 25 due to thermal expansion can prevent the coupling portion from loosening, or the coupling is shifted. Because there is.
도 9c는 도 9b의 'B'부분을 확대하여 도시한 단면도이다. FIG. 9C is an enlarged cross-sectional view of part 'B' of FIG. 9B.
이를 참조하면, 반응관(40)의 단부와 접하는 버퍼블록(25)에는 내부의 반응가스가 외부로 누출되는 것을 방지하기 위한 밀봉수단으로서 실링수단(251)이 더 포함될 수 있다. 이러한 실링수단(251)은, 일반적으로 오링(O-ring)을 사용할 수 있다. 그리고, 또 다른 예로서, 실링수단(251)은 버퍼블록(25)의 몸체에 유체를 통과시킬 수 있도록 버퍼블록(25)의 외측벽으로부터 반응관(40)와 버퍼블록(25)이 접하는 영역과 연결되도록 형성된 유체 공급로(2512)와, 외부에서 이 유체 공급로(2512)를 통해서 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스공급부(2511)를 포함한다. 이때, 불활성 가스로서는 질소(N2)와 헬륨(He) 및 아르곤(Ar) 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 그리하여, 고온 열처리 공정 도중에 유체 공급로(2512)에 불활성 가스공급부(2511)를 이용하여 불활성 가스를 소정 유량 공급하면, 이 가스가 스텝형 결합부(25a)로 흐르면서 일부는 반응관(40) 내로 일부는 반응관(40) 외부로 유동하여 효과적으로 반응관(40) 내외부를 격리하면서 실링(sealing)할 수 있다.Referring to this, the buffer block 25 in contact with the end of the reaction tube 40 may further include a sealing means 251 as a sealing means for preventing the reaction gas from leaking to the outside. The sealing means 251 may generally use an O-ring. And, as another example, the sealing means 251 and the area in which the reaction tube 40 and the buffer block 25 abuts from the outer wall of the buffer block 25 to allow the fluid to pass through the body of the buffer block 25 And a fluid supply path 2512 formed to be connected, and an inert gas supply part 2511 that supplies an inert gas through the fluid supply path 2512 from the outside. At this time, any one of nitrogen (N 2), helium (He), and argon (Ar) can be used as the inert gas. Thus, when the inert gas is supplied to the fluid supply passage 2512 using the inert gas supply portion 2511 during the high temperature heat treatment process, the gas flows through the stepped coupling portion 25a while a part of the gas flows into the reaction tube 40. Some may flow outside the reaction tube 40 to effectively seal the inside and outside of the reaction tube 40.
한편, 매니폴더(80)는 도시된 바와 같이, 버퍼블록(25)과 일체로 하여 하부나 측부에 형성될 수도 있고, 버퍼 블록(25)과는 별도로 마련되어 버퍼블록(25)의 하부나 측부에 장착될 수도 있다. On the other hand, as shown, the manifold 80 may be integrally formed with the buffer block 25 to be formed at the bottom or side, or provided separately from the buffer block 25 to the bottom or side of the buffer block 25. It may be mounted.
상술한 바와 같이 본 발명의 기판 로딩용 보트는, 반도체 기판을 하부에서 지지하도록 각 슬롯에 별도의 기판 지지체를 마련함으로써, 고온의 공정 중에 반도체 기판이 휘어지는 것을 방지할 수 있다. 그리하여, 반도체 기판의 공정 손실을 방지할 수 있다. As mentioned above, the board | substrate loading boat of this invention can prevent a semiconductor substrate from bending during a high temperature process by providing a separate board | substrate support body in each slot so that a semiconductor substrate may be supported from the bottom. Thus, process loss of the semiconductor substrate can be prevented.
그리고, 본 발명의 고온 열처리 장치는, 반응관의 하부에 버퍼 블록이 마련되어 있어, 열충격(Thermal impact)으로 인한 내부 반응관의 파손을 방지할 수 있다. 그리하여, 고온 열처리 장치의 가동율 및 공정 생산성을 향상시킬 수 있다. In addition, in the high temperature heat treatment apparatus of the present invention, a buffer block is provided at the lower portion of the reaction tube, thereby preventing damage to the internal reaction tube due to thermal impact. Therefore, the operation rate and process productivity of a high temperature heat processing apparatus can be improved.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 의한 반도체 기판 로딩용 보트가 초고온 열처리 장치에 장착된 개략 단면도와 확대 단면도 및 본 발명에 의한 반도체 기판 로딩용 보트의 사시도이다. 1A to 1C are schematic cross-sectional views and enlarged cross-sectional views in which the semiconductor substrate loading boat according to the present invention is mounted on an ultra-high temperature heat treatment apparatus, and a perspective view of the semiconductor substrate loading boat according to the present invention.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 기판 로딩용 보트의 슬롯에 수용되는 기판 홀더의 제1실시예를 나타낸 사시도이다. 2 is a perspective view showing a first embodiment of a substrate holder accommodated in a slot of a boat for loading a semiconductor substrate according to the present invention.
도 3은 도 2의 본 발명에 의한 기판 홀더의 평면도이다. 3 is a plan view of the substrate holder according to the present invention of FIG.
도 4는 도 2의 기판 홀더에 반도체 기판이 올려진 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of a semiconductor substrate mounted on the substrate holder of FIG. 2.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명에 의한 기판 홀더의 제2실시예를 나타낸 평면도와 단면도이다. 5A to 5B are a plan view and a sectional view showing a second embodiment of a substrate holder according to the present invention.
도 6a 내지 도 6b는 본 발명에 의한 기판 홀더의 제3실시예를 나타낸 평면도 및 단면도이다.6A to 6B are plan and cross-sectional views showing a third embodiment of a substrate holder according to the present invention.
도 6c 내지 도 6d는 본 발명의 기판 홀더의 제3실시예를 변형한 실시예들이다. 6C to 6D are modified embodiments of the third embodiment of the substrate holder of the present invention.
도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 의한 기판 홀더의 제4실시예를 나타낸 평면도 및 단면도이다.7A to 7B are a plan view and a sectional view showing a fourth embodiment of a substrate holder according to the present invention.
도 7c는 본 발명의 기판 홀더의 제4실시예를 변형한 실시예이다. 7C is a modified embodiment of the fourth embodiment of the substrate holder of the present invention.
도 8은 본 발명에 의한 초고온 열처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다. 8 is a schematic cross-sectional view showing the ultra-high temperature heat treatment apparatus according to the present invention.
도 9a는 본 발명에 의한 초고온 열처리 장치의 다른 실시예를 나타낸 개략 단면도이다. Figure 9a is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of an ultra high temperature heat treatment apparatus according to the present invention.
도 9b는 도 9a의 'A' 부분을 확대한 단면도이다.FIG. 9B is an enlarged cross-sectional view of part 'A' of FIG. 9A.
도 9c는 도 9b의 'B' 부분을 확대한 단면도이다. FIG. 9C is an enlarged cross-sectional view of part 'B' of FIG. 9B.
도 10a는 종래의 기판 로딩용 보트를 나타낸 단면도이고,Figure 10a is a cross-sectional view showing a conventional substrate loading boat,
도 10b는 종래의 기판 로딩용 보트의 슬롯부분을 확대한 단면도이다. Figure 10b is an enlarged cross-sectional view of the slot portion of the conventional substrate loading boat.
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