KR101131547B1 - Boat and semiconductor deposition apparatus and method including the same - Google Patents

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Abstract

반도체 증착 장치에 사용되는 보트가 제공된다. 보트는 서로 이격하여 적층되는 복수개의 지지 및 분사플레이트들을 구비한다. 각각의 상기 지지 및 분사플레이트는 그 상면으로부터 상부로 돌출되어 기판을 지지하는 지지핀을 다수 포함하고, 그 하면에는 외부로부터 공급받은 가스를 아래방향으로 분사하는 분사홀이 형성된다.A boat for use in a semiconductor deposition apparatus is provided. The boat has a plurality of support and spray plates that are stacked spaced apart from each other. Each of the support and the injection plate includes a plurality of support pins protruding upward from the upper surface to support the substrate, and the lower surface is formed with injection holes for injecting the gas supplied from the outside downward.

기판, 보트, 지지 및 분사 플레이트, 증착 Substrate, Boat, Support & Spray Plate, Deposition

Description

보트 및 그 보트를 포함하는 반도체 증착 장치 및 방법{BOAT AND SEMICONDUCTOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD INCLUDING THE SAME}BOAT AND SEMICONDUCTOR DEVICE DEVICE AND METHOD CONTAINING THE BOTT {BOAT AND SEMICONDUCTOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD INCLUDING THE SAME}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판상에 박막을 증착하기 위한 반도체 증착 장치 및 방법 그리고 이에 사용되는 보트에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a semiconductor deposition apparatus and method for depositing a thin film on a substrate and a boat used therein.

반도체 기판의 제조공정은 여러가지 전기적, 광학적 및 화학적 특성들을 갖는 얇은 폴리실리콘막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 여러 층의 박막을 기판상에 순차적으로 형성시키는 과정으로 증착공정, 사진 식각 공정, 확산공정, 이온주입공정, 확산공정 및 열처리 공정등으로 이루어진다.The semiconductor substrate manufacturing process is a process of sequentially forming a thin film of various layers such as a thin polysilicon film, an oxide film, a nitride film and a metal film having various electrical, optical and chemical properties on the substrate. Process, ion implantation process, diffusion process and heat treatment process.

상기 제조공정 중, 증착공정, 확산공정 및 열처리 공정은 필요에 따라 수평형(Horizontal) 또는 수직형(Vertical)의 확산로를 사용하고 있다. 최근에는 수평형 확산로에 비하여 파티클(PARTICLE)이 적게 발생되는 이점이 있는 수직형 확산로를 갖는 반도체 증착 장치가 많이 사용되고 있다.Among the manufacturing processes, the deposition process, the diffusion process, and the heat treatment process use horizontal or vertical diffusion furnaces as necessary. Recently, many semiconductor deposition apparatuses having a vertical diffusion path having an advantage of generating fewer particles than the horizontal diffusion path are used.

도 1은 종래기술에 따른 수직형 확산로를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a vertical diffusion path according to the prior art.

도 1을 참조하면, 수직형 확산로는 돔(DOME) 형태로서 반응공간을 형성하는 외측 튜브와 그 내부에 설치되는 원통형의 내측 튜브를 포함하며, 확산로의 하부에는 복수의 웨이퍼가 수직으로 적재되는 보트가 설치되어 있다. 반응가스는 플랜지(12)에 설치된 노즐(12b)을 통해 내측 튜브로 공급된 후 보트(12)측으로 분사됨으로써 확산이 이루어지게 된다. 이때 확산된 반응 가스는 보트(12)의 내측에 안착된 웨이퍼들의 표면에 막질을 증착시키게 되고, 잔류 가스는 내측 튜브(11b)의 상단에서 외측 튜브(11a)의 내측과 내측 튜브(11b)의 외측과의 사이 통로를 통하여 이동된 후 배기포트(12a)를 통하여 배출이 이루어지게 된다.Referring to FIG. 1, a vertical diffusion furnace includes an outer tube forming a reaction space in the form of a dome and a cylindrical inner tube installed therein, and a plurality of wafers are vertically loaded in the lower portion of the diffusion furnace. There is a boat to be installed. The reaction gas is supplied to the inner tube through the nozzle 12b installed on the flange 12 and then sprayed to the boat 12 side to diffuse. At this time, the diffused reaction gas deposits a film on the surfaces of the wafers seated inside the boat 12, and the remaining gas is formed on the inner tube 11b and the inner tube 11b at the upper end of the inner tube 11b. After being moved through the passage between the outside and the discharge is made through the exhaust port (12a).

그러나, 이와 같은 수직형 확산로는 노즐로부터 방출되는 반응가스가 웨이퍼 전체면에 균일하게 분사되지 못하므로, 균일한 막질의 형성이 어렵고, 웨이퍼의 가장자리 부분과 중심부분의 두께편차가 크게 발생한다. 또한, 웨이퍼의 두께 편차를 줄이고, 균일한 박막을 생성하기 위하여 보트를 회전시키는 장치를 별도로 설치해야하며, 분사되는 반응가스의 종류마다 별개의 노즐을 설치해야하므로 구조가 복잡해진다. 그리고, 수직 확산로의 하부 측면으로 반응가스가 공급되므로, 공정 튜브내에 잔류하는 미세먼지가 비산되는 문제점이 발생한다.However, such a vertical diffusion path does not allow the reaction gas emitted from the nozzle to be uniformly sprayed on the entire surface of the wafer, which makes it difficult to form a uniform film quality and causes a large thickness deviation between the edge portion and the center portion of the wafer. In addition, in order to reduce the thickness variation of the wafer and to generate a uniform thin film, an apparatus for rotating the boat must be separately installed, and a structure is complicated because a separate nozzle must be provided for each type of reaction gas to be injected. In addition, since the reaction gas is supplied to the lower side of the vertical diffusion path, fine dust remaining in the process tube is scattered.

본 발명의 목적은 웨이퍼상에 증착되는 막의 두께와 막질의 균일성을 향상시킬 수 있는 보트 및 이를 포함하는 반도체 증착 장치 및 방법을 제공한다.An object of the present invention is to provide a boat and a semiconductor deposition apparatus and method comprising the same that can improve the thickness and uniformity of the film deposited on the wafer.

본 발명의 다른 목적은 별도의 노즐 설치없이, 상이한 종류의 반응가스를 분사할 수 있는 보트 및 이를 포함하는 반도체 증착 장치 및 방법을 제공한다.Another object of the present invention is to provide a boat and a semiconductor deposition apparatus and method including the same that can inject different kinds of reaction gases, without installing a separate nozzle.

본 발명의 다른 목적은 반응 가스 공급시 공정튜브내 미세 먼지의 비산을 억제시킬 수 있는 보트 및 이를 포함하는 반도체 증착 장치 및 방법을 제공한다.Another object of the present invention is to provide a boat and a semiconductor deposition apparatus and method including the same capable of suppressing scattering of fine dust in a process tube when a reaction gas is supplied.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 보트는 서로 이격하여 적층된 복수개의 지지 및 분사 플레이트들을 포함하되, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트는 그 상면으로부터 상부로 돌출되어 기판을 지지하는 지지핀을 다수 포함하고, 상기 지지 및 분사 플레이트의 하면에는 외부로부터 공급받은 가스를 아래방향으로 분사하는 분사홀이 형성한다. 각각의 상기 지지 및 분사플레이트의 내부에는 상기 가스가 머무르고, 상기 분사홀과 통하는 버퍼공간이 형성되고, 그 측면에 상기 가스가 유입되는 유입홀이 형성된다.The boat of the present invention for achieving the above object includes a plurality of support and injection plates stacked spaced apart from each other, each of the support and the injection plate has a plurality of support pins protruding upward from the top surface to support the substrate It includes, and the lower surface of the support and the injection plate is formed with an injection hole for injecting the gas supplied from the outside in the downward direction. The gas stays inside each of the supporting and injection plates, and a buffer space communicating with the injection hole is formed, and an inlet hole through which the gas is introduced is formed at a side thereof.

보트는 상기 지지 및 분사 플레이트들을 지지하는 지지부재를 더 포함하되, 상기 지지부재는 상기 지지 및 분사 플레이트의 측면을 따라 서로 이격하여 복수개 구비된다. 상기 지지부재는 그 길이 방향이 상기 지지 및 분사플레이트들의 적층방향과 나란하게 제공되는 지지로드; 및 상기 지지로드로부터 분기되며, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트의 측면에 결합하는 분기로드를 포함한다.The boat further includes a support member for supporting the support and injection plates, wherein the support members are provided in plurality, spaced apart from each other along side surfaces of the support and injection plates. The support member may include a support rod whose length direction is provided in parallel with a stacking direction of the support and the spray plates; And a branch rod branched from the support rod, the branch rod coupled to a side of each of the support and spray plates.

보트는 그 길이 방향이 상기 지지 및 분사 플레이트들의 적층방향과 나란하게 제공되며, 상기 지지 및 분사 플레이트들을 지지하는 지지로드; 및 상기 지지로드로부터 분기되며, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트의 측면에 결합하는 분기로드를 더 포함하되, 상기 지지로드의 내부에는 상기 가스가 흐르는 공급통로가 그 길이방향으로 형성되고, 상기 분기로드의 내부에는 상기 공급통로로부터 연결되어 상기 유입홀과 연결되는 분기통로가 형성된다.The boat is provided with its longitudinal direction parallel to the stacking direction of the support and the injection plate, the support rod for supporting the support and the injection plate; And a branch rod branched from the support rod and coupled to side surfaces of each of the support and injection plates, wherein a supply passage through which the gas flows is formed in the length of the support rod. The branch passage is connected to the inlet hole is formed in the interior of the supply passage.

각각의 상기 지지 및 분사 플레이트는 상기 버퍼 공간을 제1영역과 상기 제1영역의 상부에 위치하는 제2영역으로 구획하는 구획판을 포함하며, 상기 구획판에는 상기 제1영역에서 상기 제2영역까지 연장되는 다수의 홀이 형성된다.Each of the support and injection plates includes a partition plate partitioning the buffer space into a first region and a second region located above the first region, wherein the partition plate includes the second region in the first region. A plurality of holes is formed extending to.

상기 지지부재는 상기 제1영역으로 가스를 공급하는 제1지지부재와 상기 제2영역으로 가스를 공급하는 제2지지부재를 포함한다.The support member includes a first support member for supplying gas to the first region and a second support member for supplying gas to the second region.

보트는 최상단에 위치한 상기 지지 및 분사 플레이트의 상부에 위치하며, 하면에 아래방향으로 상기 가스를 분사하는 분사홀이 형성된 분사 플레이트를 더 포함하되, 상기 분사 플레이트의 상면에는 기판을 지지하는 지지핀이 제공되지 않는다. The boat is located at the top of the support and the injection plate located at the top, and further comprises an injection plate formed with an injection hole for injecting the gas downward on the lower surface, the support pin for supporting the substrate on the upper surface of the injection plate Not provided.

보트는 최하단에 위치한 상기 지지 및 분사 플레이트의 하부에 위치하며, 상면에 기판을 지지하는 지지핀을 구비하는 지지 플레이트를 더 포함하되, 상기 지지 플레이트의 하면에는 분사홀이 형성되지 않는다.The boat is located at the lower end of the support and the injection plate further comprises a support plate having a support pin for supporting the substrate on the upper surface, the lower surface of the support plate is not formed with a spray hole.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 증착 장치는 공정이 수행되 는 공간을 제공하는 공정 튜브; 공정진행시 상기 공간 내부에 위치하며 기판을 지지하는 보트; 및 상기 공정 튜브의 외부에 위치하며 상기 공정튜브에 열을 제공하는 히터를 포함하되, 상기 보트는 서로 이격하여 적층되는 복수개의 지지 및 분사플레이트들을 구비하며, 각각의 상기 지지 및 분사플레이트는 그 상면으로부터 상부로 돌출되어 기판을 지지하는 지지핀을 다수 포함하고, 각각의 상기 지지 및 분사플레이트의 하면에는 외부로부터 공급받은 가스를 아래방향으로 분사하는 분사홀이 형성된다.The semiconductor deposition apparatus of the present invention for achieving the above object is a process tube for providing a space in which the process is performed; A boat positioned inside the space and supporting the substrate during the process; And a heater positioned outside the process tube and providing heat to the process tube, wherein the boat has a plurality of support and spray plates stacked apart from each other, each support and spray plate having a top surface thereof. It includes a plurality of support pins protruding upward from the support for supporting the substrate, the lower surface of each of the support and the injection plate is formed with an injection hole for injecting the gas supplied from the outside in the downward direction.

각각의 상기 지지 및 분사플레이트의 내부에는 상기 가스가 머무르고, 상기 분사홀과 통하는 버퍼공간이 형성되고, 그 측면에는 상기 버퍼공간으로 상기 가스가 유입되는 유입홀이 형성된다.The gas stays inside each of the supporting and injection plates, and a buffer space communicating with the injection hole is formed, and an inlet hole through which the gas flows into the buffer space is formed at a side thereof.

반도체 증착 장치는 상기 지지 및 분사 플레이트들의 측면을 따라 서로 이격하여 복수개 구비되며, 상기 지지 및 분사 플레이트들을 지지하는 지지부재를 더 포함하되, 각각의 상기 지지부재는 그 길이 방향이 상기 지지 및 분사플레이트들의 적층방향과 나란하게 제공되는 지지로드와, 상기 지지로드으로부터 분기되며, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트들의 측면에 결합하는 분기로드를 포함한다. 상기 지지로드의 내부에는 상기 가스가 흐르는 공급통로가 그 길이방향으로 형성되고, 상기 분기로드의 내부에는 상기 공급통로로부터 상기 유입홀까지 연결되는 분기통로가 형성된다.The semiconductor deposition apparatus is provided with a plurality of spaced apart from each other along the sides of the support and the injection plate, further comprising a support member for supporting the support and the injection plate, each of the support member is the support and the injection plate in the longitudinal direction A support rod provided in parallel with the stacking direction of the plurality of branches, and a branch rod branched from the support rod and coupled to the sides of the respective support and spray plates. A supply passage through which the gas flows is formed in the longitudinal direction of the support rod, and a branch passage connected to the inflow hole from the supply passage is formed in the branch rod.

각각의 상기 지지 및 분사 플레이트는 상기 버퍼 공간을 제1영역과 상기 제1영역의 상부에 위치하는 제2영역으로 구획하며, 상기 제1영역과 상기 제2영역을 통 하는 다수의 홀을 형성하는 구획판을 포함하며, 상기 지지부재는 상기 제1영역으로 제1가스를 공급하는 제1지지부재와 상기 제2영역으로 상기 제1가스와 상이한 제2가스를 공급하는 제2지지부재를 포함한다.Each of the support and injection plates divides the buffer space into a first region and a second region located above the first region, and forms a plurality of holes through the first region and the second region. And a partition plate, wherein the support member includes a first support member for supplying a first gas to the first region and a second support member for supplying a second gas different from the first gas to the second region. .

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 증착 방법은 지지 및 분사 플레이트들이 서로 이격하여 적층된 보트에서, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트의 상면으로 기판을 로딩하고, 각각의 기판으로 가스를 공급하여 증착공정을 수행하되, 상기 각각의 기판으로 가스의 분사는 상기 기판과 인접하여 그 상부에 위치하는 상기 지지 및 분사 플레이트의 내부에서 아래방향으로 분사된다. 상기 가스는 상기 지지 및 분사 플레이트의 내부에서 분사되기 전에, 상기 지지 및 분사 플레이트의 내부에 형성된 버퍼공간에 일시적으로 머무른다.The semiconductor deposition method of the present invention for achieving the above object is to load a substrate to the upper surface of each of the support and the injection plate in a boat in which the support and the injection plate is spaced apart from each other, and to supply gas to each substrate A deposition process is performed, wherein the gas is sprayed downward into each of the supporting and spraying plates positioned adjacent to the substrate and positioned above the substrate. The gas temporarily stays in a buffer space formed inside the support and injection plate before being injected inside the support and injection plate.

상기 지지 및 분사 플레이트의 내부의 가스는 그 길이 방향이 상기 지지 및 분사플레이트들의 적층방향과 나란하게 제공되는 지지로드 및, 상기 지지로드로부터 분기되며, 상기 지지 및 분사 플레이트의 측면에 결합하는 분기로드를 통해서 공급된다.Gas inside the support and injection plate is a support rod whose longitudinal direction is provided in parallel with the stacking direction of the support and injection plates, and branched rods branched from the support rod and coupled to the sides of the support and injection plate. It is supplied through.

상기 지지로드는 상기 지지 및 분사 플레이트들의 측면을 따라 서로 이격하여 복수개 제공되며, 각각의 지지로드에 공급되는 가스는 그 종류가 서로 상이하다.The support rods are provided in plural and spaced apart from each other along the sides of the support and injection plates, and the gas supplied to each of the support rods is different in kind.

상기 버퍼 공간은 제1영역과 상기 제1영역의 상부에 위치하는 제2영역으로 구획되며, 상기 제1영역에는 제1지지로드로부터 제1가스가 공급되며, 상기 제2영역에는 제2지지로드로부터 제2가스가 공급된다. 상기 제2가스는 상기 제2영역을 통하 여 상기 제1영역으로 공급되며, 상기 제1영역에서 상기 제1가스와 혼합되어 분사된다.The buffer space is partitioned into a first region and a second region located above the first region, the first gas is supplied from the first support rod to the first region, and the second support rod is supplied to the second region. From the second gas is supplied. The second gas is supplied to the first region through the second region, and is mixed with the first gas in the first region to be injected.

본 발명에 의하면, 웨이퍼들간에 증착분포도를 향상시킨다.According to the present invention, the deposition distribution between wafers is improved.

본 발명에 의하면, 단일 웨이퍼에서 각 영역의 증착 분포도를 향상시킨다.According to the present invention, the deposition distribution of each region in a single wafer is improved.

본 발명에 의하면, 별도의 노즐 설치 없이 다양한 종류의 반응가스를 웨이퍼상에 분사할 수 있다.According to the present invention, various kinds of reaction gases can be injected onto the wafer without installing a separate nozzle.

본 발명에 의하면, 공정튜브내 미세 먼지의 비산이 억제된다.According to the present invention, scattering of fine dust in the process tube is suppressed.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면, 도 2 내지 도 10 을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings, FIGS. 2 to 10. Embodiments of the invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the following embodiments. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 증착 장비를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 반도체 증착 장치(100)는 공정 튜브(110), 플랜지(130), 캡 플랜지(140), 구동부(150), 히터(160), 반응가스 공급라인(170), 반응가스 저장부(180), 그리고 보트(200)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the semiconductor deposition apparatus 100 includes a process tube 110, a flange 130, a cap flange 140, a driver 150, a heater 160, a reaction gas supply line 170, and a reaction gas. Storage unit 180, and boat 200 is included.

공정 튜브(110)는 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 공정튜브(110)는 내부 공간을 밀폐시키도록 밀폐된 돔형상의 원통으로 제공된다. 공정튜브(110)는 플랜지(130)의 상단의 받침단에 지지된다. 증착공정에 제공되기 위하여 공정 튜브(110) 내부로 보트(200)가 로딩되며, 증착공정이 완료되면 보트(200)가 공정 튜브(110) 내부로부터 언로딩된다. Process tube 110 provides a space in which the process is performed. Process tube 110 is provided in a sealed dome-shaped cylinder to seal the internal space. Process tube 110 is supported on the support end of the top of the flange (130). The boat 200 is loaded into the process tube 110 to be provided to the deposition process, and when the deposition process is completed, the boat 200 is unloaded from the process tube 110.

히터(160)는 공정 튜브(110)의 외부에 위치한다. 히터(160)는 공정 튜브(100)로부터 소정의 간격으로 이격되어 공정튜브(110)를 에워싸도록 제공된다. 히터(160)는 공정 튜브(110) 외부에서 공정 튜브(110)에 소정의 열을 제공하여, 공정 튜브(110) 내부 온도를 유지시킨다. 이를 위해 히터(160)는 제어부(미도시됨)를 구비하며, 상기 제어부는 공정 튜브(110)의 온도를 감지한 후 공정 튜브(110)의 온도가 공정상 요구되는 온도 이하로 떨어지면 히터(160)가 공정 튜브(110)를 가열하도록 제어한다. The heater 160 is located outside of the process tube 110. The heater 160 is provided to surround the process tube 110 spaced apart from the process tube 100 at predetermined intervals. The heater 160 provides a predetermined heat to the process tube 110 outside the process tube 110 to maintain the temperature inside the process tube 110. To this end, the heater 160 includes a control unit (not shown), and the control unit senses the temperature of the process tube 110 and then, when the temperature of the process tube 110 falls below a temperature required for the process, the heater 160. ) Controls to heat the process tube 110.

플랜지(130)는 공정 튜브(110)의 하측에 설치되어 공정 튜브(110)를 지지하고, 이와 동시에 공정 가스들이 공정 튜브(110)와 플랜지(130) 사이에서 새어나가지 않도록 공정튜브 내부를 외부와 밀폐하는 기능을 한다. 플랜지(130)는 일측에 공정 튜브(110) 내부를 감압시키기 위해 내부 공기를 배기하기 위한 배기부(126)가 마련된다. The flange 130 is installed on the lower side of the process tube 110 to support the process tube 110, and at the same time the process tube inside and outside so that the process gas does not leak between the process tube 110 and the flange 130 It functions to seal. The flange 130 is provided with an exhaust unit 126 for exhausting the internal air to reduce the pressure inside the process tube 110 on one side.

캡 플랜지(140)는 보트(200)를 결합하여 지지한다. 또한, 캡 플랜지(140)는 구동부(150)에 의해 플랜지(130) 하부에 밀착 지지되어, 공정에 사용되는 공정 가스가 외부로 새어나가지 않도록 플랜지(130) 하단을 밀폐한다. 캡 플랜지(140)의 일측은 구동부(150)와 결합되어 구동부(150)에 의해 상하로 이동하게 된다. The cap flange 140 couples and supports the boat 200. In addition, the cap flange 140 is tightly supported by the drive unit 150 to the lower portion of the flange 130, and seals the lower end of the flange 130 so that the process gas used in the process does not leak to the outside. One side of the cap flange 140 is coupled to the driving unit 150 to be moved up and down by the driving unit 150.

구동부(150)는 리드 스크류 및 모터 또는 에어 실린터 등을 포함하는 어셈블리이며, 공정 튜브(110)로/로부터 보트(200)를 입출시키기 위해 캡 플랜지(140)를 상하로 이송시킨다. 구동부의 구동에 의하여, 보트(200)는 공정튜브(110)의 내부로 로딩/언로딩 된다.The driving unit 150 is an assembly including a lead screw and a motor or an air cylinder, and moves the cap flange 140 up and down to enter and exit the boat 200 into and out of the process tube 110. By the driving of the driving unit, the boat 200 is loaded / unloaded into the process tube 110.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 보트의 사시도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 지지 및 분사 플레이트의 평면도이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 지지 및 분사플레이트의 하면을 도시한 사시도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 지지 및 분사플레이트의 단면도이다.3 is a perspective view of a boat according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a plan view of the support and the injection plate according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a bottom view of the support and the injection plate according to an embodiment of the present invention Figure 6 is a perspective view, Figure 6 is a cross-sectional view of the support and the injection plate according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 보트(200)는 기판(w)이 서로 이격하여 상하방향으로 적층되도록 수납한다. 기판(w)이 수납된 보트(200)는 구동부(150)의 구동에 의해 승강하여 공정 튜브(110)로 로딩되며, 공정에 제공되는 기판(w)을 고정 및 지지하는 역할을 한다. 보트(200)는 예컨대, 고열에 강하며, 화학적으로 변화가 적은 석영 재질로 제작된다. Referring to FIGS. 3 to 6, the boat 200 accommodates the substrates w to be stacked in the vertical direction spaced apart from each other. The boat 200 in which the substrate w is accommodated is lifted and driven by the driving unit 150 to be loaded into the process tube 110, and serves to fix and support the substrate w provided to the process. The boat 200 is made of, for example, a quartz material which is resistant to high heat and has little chemical change.

보트(200)는 복수개의 지지 및 분사 플레이트(220)들, 지지 부재(230), 분사 플레이트(250), 그리고 지지 플레이트(260)를 포함한다.The boat 200 includes a plurality of support and spray plates 220, a support member 230, a spray plate 250, and a support plate 260.

각각의 지지 및 분사 플레이트(220)는 판형상으로, 상부에 놓이는 기판의 크기보다 약간 크게 제공된다. 각각의 지지 및 분사 플레이트(220)는 버퍼공간(224), 유입홀(225), 지지핀(228), 그리고 분사홀(229)을 갖는다. Each support and spray plate 220 is plate-shaped, provided slightly larger than the size of the substrate overlying it. Each support and injection plate 220 has a buffer space 224, an inlet hole 225, a support pin 228, and an injection hole 229.

지지핀(228)은 지지 및 분사 플레이트(200)의 상면으로부터 상부로 돌출되어 기판(w)을 지지한다. 지지핀(228)은 핀형상으로 기판(w)과 접촉하는 상부가 뾰족하 게 형성된다. 지지핀(228)은 서로간에 소정의 간격을 두고 이격하여 복수개 제공된다.The support pin 228 protrudes upward from the upper surface of the support and spray plate 200 to support the substrate w. The support pin 228 is formed in a pointed upper portion in contact with the substrate (w) in the shape of a pin. The support pins 228 are provided in plurality apart from each other at a predetermined interval.

분사홀(229)은 지지 및 분사 플레이트(220)의 하면 전체에 균일하게 서로 이격하여 형성된다. 지지 및 분사 플레이트(220)의 하면 전체에 균일하게 형성된 분사홀을 통해 기판(w)의 각 영역으로 가스가 균일하게 공급되므로 증착되는 막의 두께가 일정하고 막질의 균일성이 향상된다. 분사홀(229)은 버퍼공간(224)과 지지 및 분사 플레이트(220)의 하부공간을 연결한다. 분사홀(229)은 지지 및 분사 플레이트(220)의 외부로부터 공급받은 가스를 지지 및 분사 플레이트(220)의 아래방향으로 분사한다. 예컨대, 제 1 지지 및 분사 플레이트(220a)는 제 2 지지 및 분사 플레이트(220b)의 상부에 위치하며, 제 2 지지 및 분사 플레이트(220b)는 제 3 지지 및 분사 플레이트(220c)의 상부에 위치한다. 각각의 지지 및 분사 플레이트(220a, 220b, 220c)의 상부에는 기판(w)이 놓인다. 각각의 지지 및 분사 플레이트(220a, 220b, 220c)의 하면에는 복수개의 분사홀(229)이 형성되어 있다. 제 1 지지 및 분사 플레이트(220a)의 분사홀(229)을 통하여 분사된 가스는 제 2 지지 및 분사 플레이트(220b)의 상면에 놓인 기판(w)으로 공급되며, 제 2 지지 및 분사 플레이트(220b)의 분사홀(229)을 통하여 분사된 가스는 제 3 지지 및 분사 플레이트(220c)의 하부에 위치한 기판(w)으로 공급된다. 기판의 상부에 위치한 지지 및 분사 플레이트로부터 아래방향으로 가스가 분사되므로, 수직 확산로의 하부 측면에서 가스 공급으로 인한 공정 튜브내에 미세먼지의 비산을 억제할 수 있다.The injection holes 229 are formed to be uniformly spaced apart from each other on the entire lower surface of the support and the injection plate 220. Since the gas is uniformly supplied to the respective regions of the substrate w through the spray holes formed uniformly on the entire lower surface of the support and the spray plate 220, the thickness of the deposited film is uniform and the film quality is improved. The injection hole 229 connects the buffer space 224 and the lower space of the support and the injection plate 220. The injection hole 229 injects the gas supplied from the outside of the support and the injection plate 220 downwardly of the support and the injection plate 220. For example, the first support and spray plate 220a is positioned above the second support and spray plate 220b, and the second support and spray plate 220b is positioned above the third support and spray plate 220c. do. The substrate w is placed on top of each support and spray plate 220a, 220b, 220c. A plurality of injection holes 229 are formed on the lower surfaces of the support and injection plates 220a, 220b, and 220c. Gas injected through the injection holes 229 of the first support and injection plate 220a is supplied to the substrate w disposed on the upper surface of the second support and injection plate 220b, and the second support and injection plate 220b is provided. Gas injected through the injection hole 229 of the () is supplied to the substrate (w) located under the third support and the injection plate (220c). Since the gas is injected downward from the support and the spray plate located on the upper portion of the substrate, it is possible to suppress the scattering of fine dust in the process tube due to the gas supply at the lower side of the vertical diffusion path.

버퍼공간(224)은 지지 및 분사 플레이트(220)의 내부에 형성되며, 분사 홀(225)을 통하여 분사되는 가스가 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼공간(224)은 유입홀(225)과 분사홀(229)을 연결하는 통로를 제공한다. 분기통로(236)를 거쳐 유입홀(225)로 유입된 가스는 버퍼공간(224)에 머무른 뒤, 분사홀(229)을 통하여 기판(w)상에 분사된다.The buffer space 224 is formed in the support and the injection plate 220, and provides a space in which the gas injected through the injection hole 225 stays. The buffer space 224 provides a passage connecting the inlet hole 225 and the injection hole 229. The gas introduced into the inlet hole 225 through the branch passage 236 stays in the buffer space 224 and is then injected onto the substrate w through the injection hole 229.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 지지 및 분사플레이트의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of the support and the injection plate according to the embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 지지 및 분사 플레이트(220)는 버퍼공간(224)은 다수의 영역으로 구획하는 구획판(227)을 포함한다. 구획판(227)은 인접하는 영역간에 서로 통하도록 다수의 홀(hole)을 형성한다. 구획판(227)은 버퍼공간(224)을 제 1 영역(224a)과 제 2 영역(224b)으로 구획한다. 제 2 영역(224b)은 제 1 영역(224a)의 상부에 위치한다. 제 2 영역(224b)은 구획판(227)에 형성된 다수의 홀(hole)을 통하여 제 1 영역(224a)과 통한다. 각각의 영역(224a, 224b)에는 유입홀(225)이 형성되며, 유입홀(225)은 서로 상이한 공급통로(232a, 232b)부터 연결되는 분기 통로(236a, 236b)와 연결된다. 제 1 영역(224a)에 형성된 유입홀(225)은 제 1 지지부재(230a)에 형성된 분기 통로(236a)와 연결되며, 제 2 영역(224b)에 형성된 유입홀(225)은 제 2 지지부재(230b)에 형성된 분기통로(236b)와 연결된다.Referring to FIG. 7, the support and injection plate 220 includes a partition plate 227 that divides the buffer space 224 into a plurality of regions. The partition plate 227 forms a plurality of holes to communicate with each other between adjacent areas. The partition plate 227 divides the buffer space 224 into a first region 224a and a second region 224b. The second region 224b is located above the first region 224a. The second region 224b communicates with the first region 224a through a plurality of holes formed in the partition plate 227. Inflow holes 225 are formed in each of the regions 224a and 224b, and the inflow holes 225 are connected to branch passages 236a and 236b connected from different supply passages 232a and 232b. The inflow hole 225 formed in the first region 224a is connected to the branch passage 236a formed in the first support member 230a, and the inflow hole 225 formed in the second region 224b is the second support member. It is connected to the branch passage 236b formed in (230b).

다시 도 3 내지 도 7을 참조하면, 지지부재(230)는 복수개의 지지 및 분사 플레이트(220)들을 지지한다. 지지부재(230)는 지지 및 분사 플레이트(220)의 측면을 따라 서로 이격하여 복수개 구비된다. 일 실시예에 의하면, 지지부재(230)는 지지 및 분사 플레이트(220)의 지름을 기준으로 일방향 측면을 따라 서로 이격하여 결합한다. 지지 및 분사 플레이트(220)의 지름을 기준으로 타방향 측면에는 지지부 재(230)가 결합하지 않는다. 기판(w)는 적층된 지지 및 분사 플레이트(220)간의 타방향 공간을 통하여 로딩/언로딩된다.3 to 7, the support member 230 supports the plurality of support and injection plates 220. Support member 230 is provided with a plurality of spaced apart from each other along the side of the support and the injection plate 220. According to one embodiment, the support member 230 is coupled to be spaced apart from each other along one side surface based on the diameter of the support and the injection plate 220. The support member 230 is not coupled to the side in the other direction based on the diameter of the support and the injection plate 220. The substrate w is loaded / unloaded through the other space between the stacked support and the spray plate 220.

본 발명의 실시예에 의하면, 지지부재(230)는 제 1 지지부재(230a), 제 2 지지부재(230b), 그리고 제 3 지지부재(230c)가 제공된다. 제 1 지지부재(230a), 제 2 지지부재(230b), 그리고 제 3 지지부재(230c)는 지지 및 공급 플레이트(220)의 원주 방향을 따라 지지 및 분사 플레이트(220)의 측면과 결합한다. 제 1 지지부재(230a)는 지지 및 분사 플레이트(220)의 지름 선상에 제 2 지지부재(230b)와 서로 마주보며 위치하고, 제 3 지지부재(230c)는 제 1 지지부재(230a) 및 제 2 지지부재(230b)와 이격하여 지지 및 분사 플레이트(220)의 일방향 측면과 결합한다. 기판(w)은 제 3 지지부재(230c)가 결합하지 않는 타방향으로 지지 및 분사 플레이트(220)간의 공간을 통하여 로딩/언로딩 된다. According to the embodiment of the present invention, the support member 230 is provided with a first support member 230a, a second support member 230b, and a third support member 230c. The first support member 230a, the second support member 230b, and the third support member 230c are coupled to the side surfaces of the support and injection plate 220 along the circumferential direction of the support and supply plate 220. The first support member 230a is positioned to face the second support member 230b on the diameter line of the support and the injection plate 220, and the third support member 230c is the first support member 230a and the second. The support member 230b is spaced apart from and coupled to one side of the support and injection plate 220. The substrate w is loaded / unloaded through the space between the support and the spray plate 220 in the other direction in which the third support member 230c is not coupled.

각각의 지지부재(230)는 지지로드(231)와 분기로드(235)를 포함한다. 지지로드(231)는 봉형상으로 그 길이 방향이 지지 및 분사플레이트(220)들의 적층방향과 나란하게 제공된다. 지지로드(231)의 일 측단부는 지지 플레이트(260)와 결합한다. 분기로드(235)는 지지로드(231)로부터 분기되어, 분사 플레이트(250)의 측면 및 각각의 지지 및 분사 플레이트(220)의 측면과 결합한다.Each support member 230 includes a support rod 231 and a branch rod 235. The support rod 231 has a rod shape, and its length direction is provided in parallel with the stacking direction of the support and injection plates 220. One side end of the support rod 231 is coupled to the support plate 260. The branch rod 235 branches from the support rod 231 and engages with the side of the spray plate 250 and the side of each support and spray plate 220.

지지로드(231)의 내부에는 공급통로(232)가 지지로드(231)의 길이방향으로 형성된다. 분기로드(235)의 내부에는 분기통로(236)가 형성된다. 공급통로(232)는 가스 공급라인(170)과 분기통로(236)를 연결하며, 분기통로(236)는 공급통로(232)와 유입홀(225)을 연결을 연결한다. 공급통로(232)에 공급된 가스는 분기통로(236) 를 거쳐 유입홀(225)에 유입된다.The supply passage 232 is formed in the support rod 231 in the longitudinal direction of the support rod 231. The branch passage 236 is formed inside the branch rod 235. The supply passage 232 connects the gas supply line 170 and the branch passage 236, and the branch passage 236 connects the supply passage 232 and the inlet hole 225. The gas supplied to the supply passage 232 flows into the inlet hole 225 through the branch passage 236.

각각의 지지부재(230)에 공급되는 가스는 그 종류가 상이하다. 따라서, 별도의 노즐 설치 없이 상이한 종류의 가스를 분사할 수 있다. 상이한 종류의 가스는 각각의 공급통로(232)에 공급되어 분기통로(236)와 유입홀(225)을 거쳐 버퍼공간(224)으로 공급된다. 상이한 종류의 가스는 버퍼공간(224)에서 서로 혼합되어 일시적으로 머무르며, 분사홀(229)을 통하여 분사된다. 본 발명의 실시예에 의하면, 버퍼공간(224)의 제 1 영역(224a)은 제 1 지지부재(230a)로부터 제1가스를 공급받고, 제 2 영역(224b)은 제 2 지지부재(230b)로부터 제2가스를 공급받는다. 제 2 영역(224b)에 공급된 제2가스는 구획판(227)에 형성된 홀을 통하여 제 1 영역(224a)으로 공급되어 제1가스와 혼합된다. 제1가스와 제2가스는 서로 혼합되어, 분사홀(229)을 통하여 기판으로 분사된다.The gas supplied to each support member 230 is different in kind. Therefore, different kinds of gases can be injected without installing a separate nozzle. Different kinds of gases are supplied to the respective supply passages 232 and supplied to the buffer space 224 through the branch passages 236 and the inlet hole 225. Different kinds of gases are temporarily mixed with each other in the buffer space 224 and are injected through the injection holes 229. According to an embodiment of the present invention, the first region 224a of the buffer space 224 receives the first gas from the first support member 230a, and the second region 224b is the second support member 230b. The second gas is supplied from. The second gas supplied to the second region 224b is supplied to the first region 224a through a hole formed in the partition plate 227 and mixed with the first gas. The first gas and the second gas are mixed with each other and injected into the substrate through the injection hole 229.

분사 플레이트(250)는 서로 이격하여 적층된 지지 및 분사 플레이트(220)들 중에서 최상단에 위치한 지지 및 분사 플레이트(220a)의 상부에 위치한다. 분사 플레이트(250)는 최상단에 위치한 지지 및 분사 플레이트(220a)에 놓인 웨이퍼(w)로 가스를 분사한다. 분사 플레이트(250)는 그 상면에 기판(w)을 지지하는 지지핀(228)을 갖지 않는 점을 제외하고는, 지지 및 분사 플레이트(220)와 동일한 구조로 제공되며, 지지 및 분사 플레이트(220)가 지지부재(260)와 결합하는 구성과 동일하게 지지부재(260)와 결합한다. 따라서, 분사 플레이트(250)에 대한 자세한 설명은 지지 및 분사 플레이트(220)의 설명으로 대신한다.The spray plate 250 is positioned above the support and spray plate 220a positioned at the top of the stacked support and spray plates 220 spaced apart from each other. The injection plate 250 injects gas to the wafer w placed on the support and the injection plate 220a positioned at the top. The spray plate 250 is provided in the same structure as the support and spray plate 220, except that the spray plate 250 does not have a support pin 228 for supporting the substrate w on its upper surface. ) Is coupled to the support member 260 in the same configuration as the support member 260. Thus, the detailed description of the spray plate 250 is replaced by the description of the support and spray plate 220.

지지 플레이트(260)는 서로 이격하여 적층된 지지 및 분사 플레이트(220)들 중에서 최하단에 위치한 지지 및 분사 플레이트(220)의 하부에 위치한다. 지지 플레이트는 최하단에 위치한 지지 및 분사 플레이트(220)가 분사되는 가스에 의하여 공정이 수행되는 기판(w)을 지지한다. 지지 플레이트(260)는 그 상면으로부터 상부로 돌출되어 기판(w)을 지지하는 지지핀(228)을 다수 포함한다.The support plate 260 is positioned below the support and spray plate 220 positioned at the bottom of the stacked support and spray plates 220 spaced apart from each other. The support plate supports the substrate w on which the process is performed by the gas to which the support and the spray plate 220 positioned at the bottom are injected. The support plate 260 includes a plurality of support pins 228 protruding upward from an upper surface thereof to support the substrate w.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 보트 및 반도체 증착 장치를 이용하여 반도체 기판을 증착하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.Referring to the method of depositing a semiconductor substrate using the boat and the semiconductor deposition apparatus according to the present invention having the configuration as described above are as follows.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른, 반도체 증착 방법을 나타내는 도면이다.8 to 10 are diagrams illustrating a semiconductor deposition method according to an embodiment of the present invention.

도 8 을 참조하면, 반도체 기판을 증착하는 방법은 먼저, 서로 이격하여 적층된 보트(200)상의 각각의 지지 및 분사플레이트(220)로 기판(w)을 로딩한다. 지지 및 분사 플레이트(220)로 로딩된 각각의 기판(w)으로 가스를 분사하여 증착공정을 수행한다. 가스는 기판(w)이 놓이는 지지 및 분사 플레이트(220)에 인접하여 상부에 위치하는 지지 및 분사 플레이트(220)의 내부에서 아래방향으로 분사된다. 기판(w)상으로 분사되는 가스는 지지 및 분사플레이트(220)의 내부에 형성된 버퍼공간(224)에 일시적을 머무른 후, 분사홀(229)을 통하여 분사된다. 버퍼공간(224)에 머무르는 가스는 지지로드(231) 및 분기로드(235)를 통해서 버퍼공간(224)으로 공급된다. 지지로드(231)는 봉형상으로 그 길이 방향이 지지 및 분사플레이트(220)들의 적층방향과 나란하게 제공되며, 그 내부에 공급통로(232)를 지지로드(231)의 길이방향으로 형성한다. 지지로드(231)는 지지 및 분사플레이트(220)들의 측면을 따 라 서로 이격하여 복수개 제공된다. 분기로드(235)는 지지로드(231)로부터 분기되어, 분사 플레이트(250)의 측면 및 각각의 지지 및 분사 플레이트(220)의 측면과 결합하며, 그 내부에 공급통로(232)와 유입홀(225)을 연결하는 분기통로(236)를 형성한다. 따라서, 공급통로(232)에 공급된 가스는 공급통로(232)와 분기통로(236)를 거쳐 유입홀(225)을 통하여 버퍼영역(224)으로 공급된다.Referring to FIG. 8, in the method of depositing a semiconductor substrate, first, a substrate w is loaded into each support and spray plate 220 on a boat 200 stacked apart from each other. The deposition process is performed by spraying gas onto each of the substrates w loaded into the support and spray plates 220. The gas is injected downward from the inside of the support and spray plate 220 positioned adjacent to the support and spray plate 220 on which the substrate w is placed. The gas injected onto the substrate w stays in the buffer space 224 formed inside the support and injection plate 220 and then is injected through the injection hole 229. The gas remaining in the buffer space 224 is supplied to the buffer space 224 through the support rod 231 and the branch rod 235. The support rod 231 is provided in the shape of a rod in parallel with the stacking direction of the support and injection plates 220, and forms a supply passage 232 therein in the longitudinal direction of the support rod 231. The support rod 231 is provided a plurality of spaced apart from each other along the sides of the support and the injection plate 220. The branch rod 235 is branched from the support rod 231, and is coupled to the side of the spray plate 250 and the side of each support and spray plate 220, and has a supply passage 232 and an inlet hole therein. A branch passage 236 connecting the 225 is formed. Therefore, the gas supplied to the supply passage 232 is supplied to the buffer region 224 through the inlet hole 225 through the supply passage 232 and the branch passage 236.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 보트(200)는 제 2 지지 및 분사 플레이트(220b), 제 2 지지 및 분사 플레이트(220b)의 상부에 위치하는 제 1 지지 및 분사 플레이트(220a), 그리고 제 1 지지 및 분사 플레이트(220a)의 상부에 위치하는 분사 플레이트(250)를 포함한다. 분사 플레이트(250)와 각각의 지지 및 분사 플레이트(220a, 220b)의 내부에는 분사되는 가스가 일시적으로 머무르는 버퍼공간(224)이 형성된다. 제 1 지지 및 분사 플레이트(220a)와 제 2 지지 및 분사 플레이트(220b)의 상부에는 기판(w)이 놓인다. 분사 플레이트(250) 및 각각의 지지 및 공급 플레이트(220a, 220b)의 측면에는 원주 방향을 따라 제 1 지지부재(230a), 제 2 지지부재(230b), 그리고 제 3 지지부재(230c)가 결합한다. 제 1 지지부재(230a)는 지지 및 분사 플레이트(220)의 지름 선상에 제 2 지지부재(230b)와 서로 마주보며 위치하고, 제 3 지지부재(230c)는 제 1 지지부재(230a) 및 제 2 지지부재(230b)와 이격하여 지지 및 분사 플레이트(220)의 일방향 측면과 결합한다. 제 1 내지 제 3 지지부재(230a, 230b, 230c)는 지지로드(231)와 분기로드(235)를 포함한다. 지지로드(231)는 봉형상으로 그 길이 방향이 지지 및 분사플레이트(220)들의 적층방향과 나란하게 제공되며, 그 내부에 공급통로를 지지로드(231)의 길이방향으로 형성한 다. 분기로드(235)는 지지로드(231)로부터 분기되어, 분사 플레이트(250)의 측면 및 각각의 지지 및 분사 플레이트(220)의 측면과 결합하며, 그 내부에 공급통로(232)와 유입홀(225)을 연결하는 분기통로(236)를 형성한다. 제 1 내지 제 3 지지부재(230a, 230b, 230c)에는 가스 공급라인(170)을 통하여 가스 저장부(180)로부터 가스가 공급된다. 각각의 지지부재(230a, 230b, 230c)에 공급된 가스는 공급통로(232)와 분기통로(236)를 거쳐 분사 플레이트(250)와 각각의 지지 및 분사 플레이트(220)의 내부에 형성된 버퍼공간(224)으로 유입되어 아래방향으로 분사된다.According to an embodiment of the present invention, the boat 200 includes a second support and injection plate 220b, a first support and injection plate 220a positioned above the second support and injection plate 220b, and a first support and injection plate 220a. 1 includes a spray plate 250 located above the support and spray plate 220a. In the spray plate 250 and the respective supporting and spray plates 220a and 220b, a buffer space 224 is formed to temporarily hold the gas to be injected. The substrate w is disposed on the first support and spray plate 220a and the second support and spray plate 220b. The first support member 230a, the second support member 230b, and the third support member 230c are coupled to the injection plate 250 and the side surfaces of the respective support and supply plates 220a and 220b along the circumferential direction. do. The first support member 230a is positioned to face the second support member 230b on the diameter line of the support and the injection plate 220, and the third support member 230c is the first support member 230a and the second. The support member 230b is spaced apart from and coupled to one side of the support and injection plate 220. The first to third support members 230a, 230b, and 230c include a support rod 231 and a branch rod 235. The support rod 231 is provided in a rod shape, and its length direction is provided in parallel with the stacking direction of the support and injection plates 220, and a supply passage is formed therein in the longitudinal direction of the support rod 231. The branch rod 235 is branched from the support rod 231, and is coupled to the side of the spray plate 250 and the side of each support and spray plate 220, and has a supply passage 232 and an inlet hole therein. A branch passage 236 connecting the 225 is formed. Gas is supplied to the first to third support members 230a, 230b, and 230c from the gas storage unit 180 through the gas supply line 170. The gas supplied to each of the supporting members 230a, 230b, and 230c is formed in the buffer plate formed in the spray plate 250 and the respective support and spray plate 220 via the supply passage 232 and the branch passage 236. Injected to 224 is injected downward.

도 9을 참조하면, 제 1 지지부재(230a)와 제 2 지지부재(230b)에 공급되는 가스는 그 종류가 서로 상이하다. 제 1 지지부재(230a)에는 제1가스가 공급되며, 제 2 지지부재(230b)에는 제1가스와 종류가 상이한 제2가스가 공급된다. 제1가스는 제 1 지지부재(230a)에 형성된 공급통로(232a)와 분기통로(236a)를 거쳐 분사 플레이트(250)와 각각의 지지 및 분사 플레이트(220)의 내부에 형성된 버퍼공간(224)으로 유입되며, 제2가스는 제 2 지지부재(230b)에 형성된 공급통로(232b)와 분기통로(236b)를 거쳐 분사 플레이트(250)와 각각의 지지 및 분사 플레이트(220)의 내부에 형성된 버퍼공간(224)으로 유입된다. 제1가스와 제2가스는 버퍼공간(224)에서 혼합되어 아래방향으로 분사된다.9, the types of gases supplied to the first and second support members 230a and 230b are different from each other. The first gas is supplied to the first support member 230a, and the second gas different from the first gas is supplied to the second support member 230b. The first gas passes through the supply passage 232a and the branch passage 236a formed in the first support member 230a and the buffer space 224 formed in the injection plate 250 and the respective support and injection plate 220. The second gas flows through the supply passage 232b and the branch passage 236b formed in the second support member 230b and the buffer formed inside the support plate and the respective injection and injection plate 220. Flows into space 224. The first gas and the second gas are mixed in the buffer space 224 and injected downward.

도 10를 참조하면, 버퍼공간(224)은 구획판(227)에 의하여 다수의 영역으로 구획되며, 인접하는 영역은 구획판(227)에 형성된 다수의 홀을 통하여 서로 통한다. 구획판(227)은 버퍼공간(224)을 제 1 영역(224a)과 제 2 영역(224b)으로 구획한다. 제 2 영역(224b)은 제 1 영역(224a)의 상부에 위치한다. 제 2 영역(224b)은 구획판(227)에 형성된 다수의 홀을 통하여 제 1 영역(224a)과 통한다. 각각의 영역에는 유입홀(225)이 형성되며, 유입홀(225)은 서로 상이한 공급통로(232)부터 연결되는 분기 통로(236)와 연결된다. 제 1 영역(224a)에 형성된 유입홀(225)은 제 1 지지부재(230a)에 형성된 분기 통로(236a)와 연결되며, 제 2 영역(224b)에 형성된 유입홀(225)은 제 2 지지부재(230b)에 형성된 분기통로(236b)와 연결된다. 제 1 영역(224a)에는 제 1 지지부재(230a)를 통하여 공급된 제1가스가 공급되고, 제 2 영역(224b)에는 제 2 지지부재(230b)를 통하여 공급된 제2가스가 공급된다. 제 2 영역(224b)에 공급된 제2가스는 제 2 영역(224b)에서 일시적으로 머무른 후, 구획판(227)에 형성된 다수의 홀을 통하여 제 1 영역(224a)으로 공급된다. 제 2 영역(224b)을 통하여 제 1 영역(224a)으로 공급된 제2가스는 제 1 영역(224a)에 일시적으로 머무르는 제1 가스와 혼합되어 아래방향으로 분사된다.Referring to FIG. 10, the buffer space 224 is partitioned into a plurality of areas by the partition plate 227, and adjacent areas communicate with each other through a plurality of holes formed in the partition plate 227. The partition plate 227 divides the buffer space 224 into a first region 224a and a second region 224b. The second region 224b is located above the first region 224a. The second region 224b communicates with the first region 224a through a plurality of holes formed in the partition plate 227. Inflow holes 225 are formed in each region, and the inflow holes 225 are connected to branch passages 236 connected from different supply passages 232. The inflow hole 225 formed in the first region 224a is connected to the branch passage 236a formed in the first support member 230a, and the inflow hole 225 formed in the second region 224b is the second support member. It is connected to the branch passage 236b formed in (230b). The first gas supplied through the first support member 230a is supplied to the first region 224a, and the second gas supplied through the second support member 230b is supplied to the second region 224b. The second gas supplied to the second region 224b temporarily stays in the second region 224b and then is supplied to the first region 224a through a plurality of holes formed in the partition plate 227. The second gas supplied to the first region 224a through the second region 224b is mixed with the first gas temporarily staying in the first region 224a and injected downward.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나태 내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당 업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. Furthermore, the foregoing is intended to illustrate and describe the preferred embodiments of the invention, and the invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

도 1은 종래기술에 따른 수직형 확산로를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a vertical diffusion path according to the prior art.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 증착 장비를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 보트의 사시도이다.3 is a perspective view of a boat according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 지지 및 분사 플레이트의 평면도이다.4 is a plan view of a support and spray plate according to an embodiment of the invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 지지 및 분사플레이트의 하면을 도시한 사시도이다.5 is a perspective view showing a lower surface of the support and the injection plate according to the embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 지지 및 분사플레이트의 단면도이다.6 and 7 are cross-sectional views of the support and the injection plate according to the embodiment of the present invention.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른, 반도체 증착 방법을 나타내는 도면이다.8 to 10 are diagrams illustrating a semiconductor deposition method according to an embodiment of the present invention.

Claims (21)

삭제delete 서로 이격하여 적층된 지지 및 분사 플레이트들; 및Support and spray plates stacked spaced apart from each other; And 상기 지지 및 분사 플레이트들을 지지하는 그리고 가스가 흐르는 공급통로가 길이방향으로 형성된 지지로드들을 갖는 지지부재를 포함하되,A support member for supporting the support and injection plates and having support rods formed in the longitudinal direction of the supply passage through which gas flows, 상기 지지 및 분사 플레이트는 The support and spray plate 내부에는 가스가 머무르는 버퍼 공간을 갖고, 상면에 상부로 돌출되어 기판을 지지하는 지지핀들과, 하면에 상기 버퍼 공간에 머무르는 가스가 아래방향으로 분사되도록 분사홀들이 형성되며, 상기 버퍼 공간에는 상기 분사홀들과 통하는 제1영역과 상기 제1영역의 상부에 위치하는 제2영역으로 구획하는 구획판이 설치되며, 상기 구획판에는 상기 제2영역과 상기 제1영역이 연통되도록 다수의 홀이 형성되고; The inside has a buffer space in which the gas stays, the support pins protruding upward on the upper surface to support the substrate, and the injection holes are formed in the buffer space so that the gas remaining in the buffer space is sprayed downward on the lower surface. Partition plates are formed to partition the first area communicating with the holes and the second area located above the first area, and the partition plate has a plurality of holes formed to communicate the second area and the first area. ; 상기 지지로드들 중 어느 하나는 상기 제1영역으로 가스를 공급하고, 상기 지지로드들 중 또 다른 하나는 상기 제1영역으로 공급되는 가스와는 상이한 가스를상기 제2영역으로 공급하는 것을 특징으로 하는 보트.Any one of the support rods supplies gas to the first region, and another one of the support rods supplies a gas different from the gas supplied to the first region to the second region. Boat. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 각각의 상기 지지 및 분사플레이트는 그 측면에 가스가 유입되는 유입홀이 형성된 것을 특징으로 하는 보트.Each of the support and the injection plate is a boat, characterized in that the inlet hole is formed in which gas is introduced. 삭제delete 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 지지부재는 The support member 상기 지지로드로부터 분기되며, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트의 측면에 결합하는 분기로드를 포함하되;A branch rod branching from the support rod, the branch rod coupling to the sides of each of the support and spray plates; 상기 지지로드의 내부에는 가스가 흐르는 공급통로가 그 길이방향으로 형성되고, 상기 분기로드의 내부에는 상기 공급통로로부터 연결되어 상기 유입홀과 연결되는 분기통로가 형성되는 것을 특징으로 하는 보트.The boat, characterized in that the supply passage in which the gas flows in the longitudinal direction of the support rod, the branch passage is connected to the inlet hole is connected to the supply passage in the branch rod. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보트는The boat is 최상단에 위치한 상기 지지 및 분사 플레이트의 상부에 위치하며, 하면에 아래방향으로 상기 가스를 분사하는 분사홀이 형성된 분사 플레이트를 더 포함하되,Located on the top of the support and the injection plate located at the top end, further comprising a spray plate formed on the lower surface of the injection hole for injecting the gas downward, 상기 분사 플레이트의 상면에는 기판을 지지하는 지지핀이 제공되지 않는 것을 특징으로 하는 보트.The boat, characterized in that the support pin for supporting the substrate is not provided on the upper surface of the jet plate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보트는 The boat is 최하단에 위치한 상기 지지 및 분사 플레이트의 하부에 위치하며, 상면에 기판을 지지하는 지지핀을 구비하는 지지 플레이트를 더 포함하되, Located at the lower end of the support and the injection plate further comprises a support plate having a support pin for supporting the substrate on the upper surface, 상기 지지 플레이트의 하면에는 분사홀이 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 보트. The boat, characterized in that the injection hole is not formed on the lower surface of the support plate. 삭제delete 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 튜브;A process tube providing a space in which the process is performed; 공정진행시 상기 공간 내부에 위치하며 기판을 지지하는 보트; 및A boat positioned inside the space and supporting the substrate during the process; And 상기 공정 튜브의 외부에 위치하며 상기 공정튜브에 열을 제공하는 히터를 포함하되,Is located outside the process tube and includes a heater for providing heat to the process tube, 상기 보트는 The boat is 서로 이격하여 적층된 지지 및 분사 플레이트들; 및Support and spray plates stacked spaced apart from each other; And 상기 지지 및 분사 플레이트들을 지지하는 그리고 가스가 흐르는 공급통로가 길이방향으로 형성된 지지로드들을 갖는 지지부재를 포함하며,A support member for supporting the support and injection plates and having support rods formed in a longitudinal direction of a supply passage through which gas flows, 상기 지지 및 분사 플레이트는 The support and spray plate 내부에는 가스가 머무르는 버퍼 공간을 갖고, 상면에 상부로 돌출되어 기판을 지지하는 지지핀들과, 하면에 상기 버퍼 공간에 머무르는 가스가 아래방향으로 분사되도록 분사홀들이 형성되며, 상기 버퍼 공간에는 상기 분사홀들과 통하는 제1영역과 상기 제1영역의 상부에 위치하는 제2영역으로 구획하는 구획판이 설치되며, 상기 구획판에는 상기 제2영역과 상기 제1영역이 연통되도록 다수의 홀이 형성되고; The inside has a buffer space in which the gas stays, the support pins protruding upward on the upper surface to support the substrate, and the injection holes are formed in the buffer space so that the gas remaining in the buffer space is sprayed downward on the lower surface. Partition plates are formed to partition the first area communicating with the holes and the second area located above the first area, and the partition plate has a plurality of holes formed to communicate the second area and the first area. ; 상기 지지로드들 중 어느 하나는 상기 제1영역으로 가스를 공급하고, 상기 지지로드들 중 또 다른 하나는 상기 제1영역으로 공급되는 가스와는 상이한 가스를 상기 제2영역으로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 증착 장치.One of the support rods supplies gas to the first region, and another one of the support rods supplies a gas different from the gas supplied to the first region to the second region. A semiconductor vapor deposition apparatus. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 각각의 상기 지지 및 분사플레이트는 그 측면에 가스가 유입되는 유입홀이 형성되며, Each of the support and the injection plate is formed with an inlet hole through which gas is introduced, 상기 지지부재는 상기 지지로드로부터 분기되며, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트들의 측면에 결합하는 분기로드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 증착 장치.And the support member is branched from the support rod and includes a branch rod coupled to side surfaces of each of the support and spray plates. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 지지로드의 내부에는 가스가 흐르는 공급통로가 그 길이방향으로 형성되고, 상기 분기로드의 내부에는 상기 공급통로로부터 상기 유입홀까지 연결되는 분기통로가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 증착 장치. And a supply passage through which gas flows in the longitudinal direction of the support rod, and a branch passage connected to the inflow hole from the supply passage in the branch rod. 삭제delete 제1지지로드와 제2지지로드에 지지 및 분사 플레이트들이 서로 이격되어 적층된 보트에서, 각각의 상기 지지 및 분사 플레이트의 상면으로 기판을 로딩하고, 각각의 기판으로 제1,2가스를 공급하여 증착공정을 수행하되;In a boat in which support and injection plates are spaced apart from each other on the first support rod and the second support rod, the substrate is loaded onto the upper surface of each of the support and injection plates, and the first and second gases are supplied to each substrate. Performing a deposition process; 기판으로의 가스 분사는 상기 기판과 인접하여 그 상부에 위치하는 상기 지지 및 분사 플레이트의 내부에 형성된 버퍼공간에 가스가 일시적으로 머무른 후 아래방향으로 분사되며;The gas injection to the substrate is injected downward after the gas temporarily stays in a buffer space formed inside the support and the injection plate adjacent to the substrate and positioned above the substrate; 상기 버퍼 공간은 구획판에 의해 제1영역과 상기 제1영역의 상부에 위치하는 제2영역으로 구획되고, 상기 제1영역에는 상기 제1지지로드로부터 제1가스가 공급되며, 상기 제2영역에는 상기 제2지지로드로부터 제2가스가 공급되고, 상기 제2영역의 상기 제2가스는 상기 구획판에 형성된 다수의 홀을 통해 상기 제1영역으로 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 증착 방법.The buffer space is partitioned into a first region and a second region located above the first region by a partition plate, and the first region is supplied with a first gas from the first support rod, and the second region. And a second gas supplied from the second support rod, and the second gas of the second region is provided to the first region through a plurality of holes formed in the partition plate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 16 항에 있어서, The method of claim 16, 상기 제2가스는 상기 제1영역에서 상기 제1가스와 혼합되어 기판으로 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체 증착 방법.And the second gas is mixed with the first gas in the first region and injected into the substrate.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07176490A (en) * 1993-12-21 1995-07-14 Seiko Epson Corp Cvd apparatus
JP2002353208A (en) 2001-05-28 2002-12-06 Fujitsu Ltd Method and equipment for fabricating semiconductor device
KR20040023963A (en) * 2002-09-12 2004-03-20 주식회사 테라세미콘 Wafer holder for ultra-high temperature process, wafer loading boat and ultra-high temperature furnace having the wafer holder
JP2004162114A (en) 2002-11-13 2004-06-10 Mitsubishi Electric Corp Thin film formation device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07176490A (en) * 1993-12-21 1995-07-14 Seiko Epson Corp Cvd apparatus
JP2002353208A (en) 2001-05-28 2002-12-06 Fujitsu Ltd Method and equipment for fabricating semiconductor device
KR20040023963A (en) * 2002-09-12 2004-03-20 주식회사 테라세미콘 Wafer holder for ultra-high temperature process, wafer loading boat and ultra-high temperature furnace having the wafer holder
JP2004162114A (en) 2002-11-13 2004-06-10 Mitsubishi Electric Corp Thin film formation device

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