KR100493990B1 - Identification equipment of semiconductor wafer and method - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
반도체 웨이퍼의 식별자 각인장치 및 그 각인방법Identifier stamping device for semiconductor wafer and its stamping method
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제2. The technical problem to be solved by the invention
슬라이스된 웨이퍼의 거울면마무리한 후에 있어서의 식별자의 깊이를 일정하게 하는 것To make the depth of the identifier constant after the mirror finish of the sliced wafer
3. 발명의 해결방법의 요지3. Summary of Solution to Invention
반도체 웨이퍼(2a)를 지지하여 이동시키는 테이블(5)과, 상기 반도체 웨이퍼(2a)의 두께를 측정하는 두께 측정기(3)와, 상기 반도체 웨이퍼(2a)에 레이저광을 사용하여 식별자를 각인하는 레이저헤드(4), 및 상기 두께측정기(3)에 의해 측정된 값에 따라서 상기 레이저헤드(4)에 의한 각인을 제어하는 제어장치(7)를 갖게되는 반도체 웨이퍼(2a)로의 식별자 각인장치(10).The table 5 for supporting and moving the semiconductor wafer 2a, the thickness measuring device 3 for measuring the thickness of the semiconductor wafer 2a, and the semiconductor wafer 2a using laser light to imprint an identifier An identifier stamping device to a semiconductor wafer 2a having a laser head 4 and a control device 7 for controlling the stamping by the laser head 4 in accordance with the value measured by the thickness gauge 3 ( 10).
4. 발명의 중요한 용도4. Important uses of the invention
디바이스공정등에 있어서의 반도체 웨이퍼의 품질관리에 사용됨.Used for quality control of semiconductor wafers in device process.
Description
본 발명은 디바이스공정(반도체 웨이퍼 제조공정보다 후의 공정, 예를 들면 패턴의 인화공정, 칩본딩공정 등)에 있어서의 반도체 웨이퍼의 품질관리를 위하여, 반도체 웨이퍼의 제조공정에 있어서 웨이퍼의 표면에 레이저광에 의해 식별자(識別子)를 각인하는 반도체 웨이퍼 식별자의 각인장치 및 그 각인방법에 관한 것이다.The present invention provides a laser on the surface of a wafer in a semiconductor wafer manufacturing process for quality control of the semiconductor wafer in a device process (a process subsequent to a semiconductor wafer manufacturing process, for example, a pattern printing process, a chip bonding process, and the like). A marking apparatus for a semiconductor wafer identifier for marking an identifier with light and a marking method thereof.
일반적으로, 반도체 웨이퍼는 다음 공정을 거쳐서 제조된다.Generally, a semiconductor wafer is manufactured by the following process.
① 인곳을 절단하여 슬라이스 웨이퍼를 얻은 후, 세정한다.① After cutting the ingot to obtain a sliced wafer, it is cleaned.
② 슬라이스 웨이퍼의 래핑 후, 세정한다.(2) After lapping the slice wafer, it is cleaned.
③ 래핑된 웨이퍼의 에칭 후, 세정한다.(3) After etching the wrapped wafer, it is cleaned.
④ 에칭된 웨이퍼를 거울면연마 및 세정한다.(4) Mirror and etch the etched wafer.
⑤ 세정된 웨이퍼를 건조한다.⑤ Dry the cleaned wafers.
또한, 반도체 웨이퍼의 종류를 식별하기 위한 문자나 바코드등으로 이루어지는 식별자를 웨이퍼 표면에 레이저광을 사용하여 각인하는 공정, 및 그 각인된 식별자를 검사하는 공정이 적절히 추가될 수도 있다. 이는, 각인된 식별자를 디바이스공정에서 판독하고, 각 디바이스공정에 적합한 반도체 웨이퍼를 확인하기 위해서이다.Further, a step of imprinting an identifier consisting of a character, a barcode or the like for identifying the type of semiconductor wafer using a laser beam on the wafer surface, and a step of inspecting the imprinted identifier may be appropriately added. This is to read the engraved identifier in the device process and to confirm the semiconductor wafer suitable for each device process.
그런데, 이 식별자는 디바이스공정에 있어서의 판독을 확실히 하기 위해서, 예를 들면 70± 20 ㎛인 깊이의 규격을 만족하지 않으면 안되고, 반도체 웨이퍼 제조공정의 마무리에 있어서의 깊이를 일정하게 하지 않으면 안된다. 그래서, 이 식별자의 각인을 거울면연마 공정 후에 하였다면, 그 각인가루가 파티클 발생의 원인이 되므로, 에칭 전, 또는 래핑 전에 행하는 것이 바람직하다.By the way, in order to ensure reading in a device process, this identifier must satisfy | fill the specification of the depth of 70 +/- 20micrometer, for example, and must make constant the depth in finishing of a semiconductor wafer manufacturing process. Therefore, if the imprinting of this identifier is performed after the mirror surface polishing process, since the stamping cause causes particle generation, it is preferable to carry out before etching or lapping.
그런데, 래핑된 웨이퍼에 이 식별자를 각인한 경우, 그 후의 에칭에서 사용되는 에칭액에 의해서, 식별자의 각인으로 발생하는 각인가루에 의해 얼룩지는 불량이 생길 수 있다. 또한, 절삭치가 큰 래핑공정 전에 식별자를 각인하였다면, 거울면연마의 마무리에 있어서의 식별자의 깊이를 일정하게 하는 것이 곤란하고, 디바이스공정으로부터 요구되는 규격을 지킬 수 없는 뿐만 아니라, 식별자자체가 없어져 버리고 만다.By the way, when this identifier is imprinted on the wrapped wafer, the defect which may be stained by the imprinting edge which generate | occur | produces by the imprinting of an identifier may arise with the etching liquid used for the subsequent etching. In addition, if the identifier is engraved before the lapping process with a large cutting value, it is difficult to make the depth of the identifier constant at the finish of the mirror polishing, not only to comply with the standard required by the device process, but also the identifier itself disappears. Make.
이러한 불량을 해결하는 방법으로서는, 래핑한 후의 두께를 일정하게 하는 별도의 목적으로 종래부터 측정되고 있는 슬라이스 웨이퍼의 중심부의 두께 측정치에 따라서, 슬라이스 웨이퍼를 복수의 그룹으로 분류하고, 그 그룹마다 래핑의 절삭치를 고려한 깊이로 식별자를 각인하는 것이 있다. 이 방법에 의하면, 식별자의 각인으로 발생하는 각인가루는 래핑한 후의 세정으로 제거되므로, 에칭에서 얼룩이 생기지 않는다.As a method for resolving such defects, slice wafers are classified into a plurality of groups according to the thickness measurement values of the centers of slice wafers conventionally measured for the purpose of making the thickness after wrapping constant. There is an engraving of the identifier to a depth in consideration of the cutting value. According to this method, the stamping column generated by the stamping of the identifier is removed by washing after lapping, so that staining does not occur in etching.
한편, 각인된 식별자의 검사도 디바이스공정에 있어서의 식별자의 판독을 확실히 행할 수 있도록 하기 위해서 중요하게 된다. 그래서, 각인된 식별자의 위치 어긋남, 비뚤어짐, 문자의 굽음 등이라는 불량의 검출은, 예컨대, 각인장치에 의해 식별자를 각인한 후에 작업자가 웨이퍼를 추출하여, 추출한 웨이퍼에 있어서의 식별자의 각인부분을 모니터에 확대표시하여, 식별자의 문자나 바코드를 작업자의 눈에 의해 검사하고 있다.On the other hand, the inspection of the imprinted identifier is also important for ensuring that the identifier can be read in the device process. Therefore, the detection of a defect such as the positional shift, the skewness, the bending of the character, etc. of the imprinted identifier is performed by the operator, after imprinting the identifier by the imprinter, for example, the worker extracts the wafer and extracts the imprinted portion of the identifier in the extracted wafer. The monitor is magnified and the characters and barcodes of the identifier are examined by the operator's eyes.
우선 종래의 각인공정에서는, 슬라이스 웨이퍼를 그 두께에 따라서 분류한다고 하더라도 분류 그룹 수에는 한계가 있어, 동일 그룹 내에 분류되어 있는 슬라이스 웨이퍼이더라도 두께의 불균형이 큰 경우, 디바이스공정으로부터 요구된 규격을 만족하는 식별자를 각인할 수 없다는 문제점이 있다. 또한, 각인공정의 전공정에 분류공정을 반드시 마련하지 않으면 안되는 것으로부터, 이 분류하는 공정이 증가되는 이외에도, 슬라이스 차례로 슬라이스된 웨이퍼를 가공할 수 없고, 비효율적이었다.First, in the conventional stamping process, even if the slice wafers are classified according to their thickness, the number of classification groups is limited, and even if the slice wafers classified in the same group have a large thickness imbalance, they satisfy the specifications required by the device process. There is a problem that an identifier cannot be imprinted. In addition, since the sorting step must be provided at all the steps of the stamping step, the wafers sliced in slices cannot be processed in addition to increasing the sorting step, which is inefficient.
한편, 식별자의 검사공정에서, 식별자를 각인한 후에 모니터에 표시된 화상을 작업자의 눈으로 식별하는 검사로서는, 작업자의 검사오차가 발생하여, 정확한 검사를 하는 것이 곤란하였다. 또한, 제조효율의 이유에서, 그 추출빈도를 반도체 웨이퍼의 제조매수 100장에 대하여 1장 정도로만 행할 수 있으므로, 제조된 반도체 웨이퍼 전부를 이 방법으로 검사하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다.On the other hand, in the inspection step of the identifier, as the inspection for identifying the image displayed on the monitor with the operator's eyes after the identifier is imprinted, the inspection error of the operator occurs, and it is difficult to carry out an accurate inspection. In addition, for the reason of the production efficiency, since the extraction frequency can be performed only about one sheet per 100 sheets of semiconductor wafers, there is a problem that it is difficult to inspect all the manufactured semiconductor wafers by this method.
본 발명은, 거울면마무리한 후에 있어서의 식별자의 깊이를 일정하게 하는 것으로, 디바이스공정에 있어서의 식별자의 판독을 확실히 행할 수 있도록 함과 동시에, 슬라이스된 순서로 슬라이스된 웨이퍼에 대하여 효율적으로 각인작업이 행할 수 있다. 반도체 웨이퍼로의 식별자 각인장치 및 그 각인방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.According to the present invention, the depth of the identifier after the mirror finish is made constant so that the identification of the identifier in the device process can be reliably read and the stamping process is efficiently performed on the wafers sliced in the sliced order. This can be done. An object of the present invention is to provide a device for imprinting an identifier on a semiconductor wafer and a method of stamping the same.
또한, 본 발명은, 반도체 웨이퍼에 각인된 식별자를 정확히, 더구나 모든 식별자를 용이하게 검사할 수가 있도록하여, 이에 따라 불량인 식별자의 각인된 반도체 웨이퍼가 시장으로 유통되는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 결과적으로, 디바이스공정에 있어서의 식별자의 판독을 확실히 할 수 있으며, 반도체 웨이퍼로의 식별자 각인장치 및 그 각인방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention makes it possible to easily inspect the identifiers imprinted on the semiconductor wafer, and moreover, all the identifiers, thereby preventing the imprinted semiconductor wafer of the defective identifiers from being distributed to the market. As a result, an object of the present invention is to ensure reading of an identifier in a device process, and to provide an identifier marking device and a method of marking the same on a semiconductor wafer.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
제 1 도는 본 발명의 실시예 1에 의해 제조되는 반도체 웨이퍼의 확대측면단면도, 제 2 도는 본 발명의 실시예 1의 각인장치를 나타내는 모식도이다.1 is an enlarged side cross-sectional view of a semiconductor wafer manufactured by Example 1 of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a stamping apparatus of Example 1 of the present invention.
본 실시예에서의 각인공정은, 이미 종래 기술에서 설명한 반도체 웨이퍼의 제조공정으로서는, ① 에 해당하는 인곳을 절단하여 슬라이스 웨이퍼를 얻는 공정의 다음에 위치가 부여된다.The stamping step in the present embodiment is provided after the step of cutting the ingot corresponding to 1 to obtain a slice wafer as the manufacturing step of the semiconductor wafer already described in the prior art.
우선, 각인장치에 관해서 제 2 도를 사용하여 설명한다. 제 2(a) 도에 도시한 바와 같이, 이 각인장치(10)는, 슬라이스된 웨이퍼(2)의 저면을 유지하여, 수평방향으로 회전시키는 턴테이블(5)과, 슬라이스된 웨이퍼(2)의 두께를 측정하는 예컨대 반사형의 두께 측정기(3), 및 레이저광에 의해 식별자를 슬라이스 웨이퍼(2)에 각인하는 레이저헤드(4)를 갖는다. 또 두께 측정기(3)는, 슬라이스된 웨이퍼(2)에 있어서의 식별자의 각인(예정)위치 또는 각인위치에 근접하는 위치의 두께를 측정하는 것이 바람직하고, 또한, 통상 식별자는 웨이퍼 주변부에 각인되므로, 본 실시예로서는 턴테이블(5)에 유지된 슬라이스된 웨이퍼(2)의 둘레가장자리부의 임의의 점의 두께를 측정할 수 있도록 되어 있다. 또한, 두께 측정기(3)에 의해 측정된 값은 제어장치(7)로 출력할 수 있어, 제어장치(7)에서는 두께 측정기(3)로부터 출력된 측정신호에 따라서 레이저발진기(6)로부터 레이저헤드(4)를 사이에 두고 나서 슬라이스된 웨이퍼(2)에 향하여 조사되는 레이저광의 펄스 수를 제어하여, 각인깊이를 콘트롤하도록 되어 있다.First, the marking device will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2 (a), the
이 각인장치(10)에 의한 각인작업은, 다음과 같이 행하여진다. 우선, 인곳으로부터 절단된 슬라이스된 웨이퍼(2)를 턴테이블(5)에 실어 유지시켜, 다음에 각인위치(11)가 두께 측정기(3)의 밑으로 오도록 턴테이블(5)을 회전시킨다. 여기서 두께 측정기(3)는, 슬라이스 웨이퍼(2)에 있어서의 각인위치(11)의 두께를 측정하여, 측정신호를 제어장치(7)에 출력한다.The stamping operation by this
다음에 제 2(b) 도에 나타낸 바와 같이, 슬라이스된 웨이퍼(2)의 각인위치(11)가 각인장치(10)의 레이저헤드(4)의 밑으로 위치하도록 턴테이블(5)을 회전시킨다. 레이저헤드(4)로부터는, 레이저발진기(6)보다 레이저광이 슬라이스 웨이퍼(2)의 각인위치로 향하여 조사되어, 각인된다. 이 때, 제어장치(7)는, 두께 측정기(3)로부터의 측정신호에 근거하여, 레이저헤드(4)를 통해 조사되는 레이저광의 펄스 수를 다음과 같이 제어한다.Next, as shown in FIG. 2 (b), the
제 1(a) 도에 나타낸 바와 같이, 두께 측정기(3)에 의해 측정된 값을 각인위치(11)의 두께 T1 으로 하면, 거울면마무리한 후의 두께 T2는 미리 알고 있고, 거울면마무리하기까지의 절삭치 T3가 산출된다. 또한, 디바이스공정으로부터 요구되는 규격으로 마무리하여 각인깊이 D1가 이미 제어장치(7)에 입력되어 있고, 여기에 절삭치를 더하는 것에 의해, 이 슬라이스된 웨이퍼(2)에 각인해야 할 식별자(1)의 가공 각인깊이 D2를 얻을 수 있다. 그런데, 조사하는 레이저광의 펄스 수와 가공각인깊이와의 대응관계는, 실험 등으로 미리 구하여 놓을 수 있다. 따라서, 제어장치(7)에 있어서는, 상술한 바와 같이 구한 가공각인깊이 D2에 근거하여, 미리 정한 대응관계로부터 이 깊이 D2에 해당하는 레이저광의 펄스 수를 선정하여 레이저발진기(6)를 제어한다.As shown in FIG. 1 (a), when the value measured by the thickness measuring device 3 is set to the thickness T1 of the
이렇게하여 식별자(1)가 각인된 슬라이스된 웨이퍼(2)는, 그 후 제 1(b) 도에 도시한 바와 같이, 거울면마무리에 달하기까지의 가공이 행해지는 것에 의해, 절삭치 T3 가 제거된 반도체 웨이퍼(2a)로 되어, 그 식별자(1)의 마무리한 각인깊이 D1는 항상 일정한 값이 된다.In this way, the
이 실시예에 의하면, 거울면마무리한 후에 있어서의 식별자(1)의 깊이를 일정하게 할 수 있고, 이에 따라, 디바이스공정에 있어서의 식별자(1)의 판독을 확실히 행할 수가 있다.According to this embodiment, the depth of the
또한, 슬라이스된 순서로 슬라이스 웨이퍼(2)에 대하여 각인작업이 행할 수 있으므로, 종래와 같이 두께마다 분류하는 전공정을 마련할 필요가 없고, 그 만큼, 공정이 단축가능하여 작업효율을 증가시킬 수 있으며, 또한 슬라이스된 순서로 가공하여 출하할 수가 있다.In addition, since the engraving work can be performed on the
다음에, 본 발명의 실시예 2에 관해서 설명한다.Next, Example 2 of the present invention will be described.
제 3 도는 본 발명의 실시예 2의 각인장치를 나타내는 개략구성도이며, 제 4 도는 본 발명의 실시예 2에 관하여 각인방법을 나타내는 플로우 챠트이다.3 is a schematic block diagram showing a marking device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a flowchart showing a marking method according to the second embodiment of the present invention.
또, 본 실시예에서의 각인공정도, 실시예 1과 같이, 종래 기술에서 설명한 반도체 웨이퍼의 제조공정으로서는, ① 에 해당하는 인곳을 절단하여 슬라이스 웨이퍼를 얻는 공정의 다음에 위치를 부여된다.In addition, the stamping process in this embodiment is also provided with the position following the process of cut | disconnecting the ingot corresponding to (1) and obtaining a slice wafer as a manufacturing process of the semiconductor wafer demonstrated by the prior art like Example 1.
우선, 본 실시예의 형태의 각인장치에 관해서 설명한다.First, the marking device of this embodiment will be described.
제 3 도에 도시한 바와 같이, 각인장치(20)는, 슬라이스된 슬라이스 웨이퍼(21)의 저면을 유지하여, 수평방향으로 회전하는 턴테이블(22)와, 슬라이스 웨이퍼(21)에 식별자를 각인하는 레이저헤드(23)가 접속된 각인장치본체(24)와, 각인된 식별자를 읽어내는 판독용 카메라(25)가 접속된 읽어내기장치본체(26), 및 각인장치본체(24)와 읽어내기장치본체(26)가 접속되어 제어장치를 구성하는 정보처리장치(27)에 의해 구성되어 있다.As shown in FIG. 3, the
각인장치본체(24)에는, 키보드(24a)나 마우스(도시하지 않음) 등에 의해 각인하는 식별자의 각인정보가 입력되게 되어 있고, 또한 입력된 각인정보는 화면(24b) 상에서 확인할 수 있도록 됨과 동시에, 정보처리장치(27)로도 보내진다. 이 각인장치본체(24)에 접속된 레이저헤드(23)는, 슬라이스 웨이퍼(21)의 각인위치에 대향하도록 그 상부에 배치되어 있다. 또한, 판독용 카메라(25)도 슬라이스된 웨이퍼(21)에 대향하도록 그 상부에 배치되어, 슬라이스된 웨이퍼(21)에 다음에 설명한 바와 같이 하여 각인된 식별자가 그 밑으로 위치할 때, 그 식별자의 화상을 입력하게 된다. 이 판독용 카메라(25)가 입력한 식별자의 화상은, 판독장치본체(26)에 입력된다. 그리고 판독용 카메라(25)가 입력한 화상은, 읽어내기장치본체(26)의 화면(26a)에 투영해 냄과 동시에, 읽어내기장치본체(26)로써 화상처리되어 식별자의 판독이 행하여져, 이 읽어낸 정보가 정보처리장치(27)로(에) 보내지게 되어 있다.The imprinting information of the identifier to be imprinted by the
이 각인장치(20)에 의한 각인작업은, 제 4 도에 나타낸 플로우에 따른 수순에 의해 행하여진다.The marking operation by this marking
① 슬라이스 웨이퍼의 두께를 측정하여, 두께 정보를 각인장치본체(24)에 입력한다(S1). 또, 이 두께는, 실시예 1에서 설명한 두께 측정기(3)를 제 3 도에도 설치하여 자동으로 측정되도록 하더라도 양호하게, 또한 별도 측정하여 입력하는 것이라도 좋다.(1) The thickness of the slice wafer is measured and the thickness information is input to the marking device main body 24 (S1). In addition, this thickness is good also if it installs the thickness measuring device 3 demonstrated in Example 1 also in FIG. 3, and may measure it automatically, and you may input separately by measuring separately.
② 각인하는 식별자인 문자나 바코드 등의 각인정보를 각인장치본체(24)에 입력한다(S2).(2) Input engraving information such as a character or a barcode which is an identifier to be imprinted into the marking device main body 24 (S2).
③ 각인장치본체(24)에서는, 입력된 두께 정보 및 식별자의 각인정보에 의해 식별자의 형상(크기나 위치)으로 각인깊이를 결정하여, 식별자를 각인한다(S3). 이것은, 턴테이블(22)를 회전시켜, 이 턴테이블(22)에 유지된 슬라이스된 웨이퍼(21)의 각인위치를 레이저헤드(23)에 대향시켜, 이 상태로 레이저헤드(23)보다 레이저광을 슬라이스된 웨이퍼(21)에 조사하는 것으로 식별자가 각인된다.(3) In the marking device
④ 각인된 식별자를 읽어내기장치본체(26)에 의해 읽어낸다(S4). 이것은, 턴테이블(22)을 회전시켜, 이 턴테이블(22)에 유지된 슬라이스 웨이퍼(21)의 각인된 식별자를 판독용 카메라(25)의 밑으로 위치결정을 행한다. 판독용 카메라(25)가 입력한 화상은 화면(26a)에 표시됨과 동시에, 읽어내기장치본체(26)로써 화상처리되어 식별자의 읽기가 행하여져, 이 읽어낸 정보가 정보처리장치(27)로 보내진다.(4) The imprinted identifier is read by the reading device main body 26 (S4). This rotates the
⑤ 읽어내기장치본체(26)로부터 읽어낸 정보 및 각인장치본체(24)로부터의 각인정보를 정보처리장치(27)로 대조한다(S5).(5) The information read from the reading device
⑥ 정보처리장치(27)에 있어서는, 대조결과가 미리 정해진 허용치 내였으면, 래핑공정이송지시를 보냄(S6)과 동시에, 오차를 구하여 각인수정을 위한 오차정보를 각인장치본체(24)에 입력한다(S7). 이 오차정보는, 예컨대 다음 슬라이스된 웨이퍼(21)로의 각인작업 시에 놓을 수 있는 레이저 강도 등의 보정에 쓰인다.(6) In the
⑦ 대조결과가 미리 정해진 허용치 외인 경우에는, 래핑공정으로의 이송을 정지시킴(S8)과 동시에, 각인작업을 정지시킨다(S9).(7) When the collation result is outside the predetermined allowable value, the transfer to the wrapping process is stopped (S8) and the stamping operation is stopped (S9).
이와 같이 실시예 2에 의하면, 레이저 조사에 의해서 슬라이스된 웨이퍼(21)에 각인된 식별자는, 그 후의 턴테이블(22)의 회전에 있어서 판독용 카메라(25)와의 대향위치에 위치가 부여되고, 이 판독용 카메라(25)에 의해서 받아들인 화상정보에 근거하는 판독정보가 각인정보와 비교됨으로써 각인된 식별자의 검사, 요컨대 그 좋고 나쁨이 판정된다. 이 때문에, 각인된 식별자의 검사를 작업자의 손을 거치지 않고 정확히 할 수 있다. 또한, 식별자는, 레이저광에 의해서 각인될 때마다 검사되기 때문에, 식별자의 전부를 용이하게 검사할 수가 있다. 요컨대 본 실시예에 의하면, 불량의 식별자를 각인한 반도체 웨이퍼가 시장으로 유통되는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 결과적으로, 디바이스공정에 있어서의 식별자의 읽어내기를 확실히 행할 수 있도록 할 수가 있다.As described above, according to the second embodiment, the identifier stamped on the
또한 본 실시예로서는, 식별자의 각인공정과 검사공정을 래핑공정 전의 슬라이스된 웨이퍼에 대하여 하고 있다. 이것은, 검사공정을 예컨대 에칭공정 후 또는 최종 제조공정 종료 후의 경우에, 혹시 불량이 발견되었다고해서, 그 불량원인이 식별자의 각인장치 측에 있는 경우는, 대량의 불량품을 내는 것으로 되고, 에칭공정 종료 또는 최종 제조공정 종료까지 걸린 시간과 비용이 낭비로 되어 버리는 문제점이 생긴다. 그러나 본 실시예에서는, 각인과 거의 동시에 검사가 행하여지며, 더욱 불량검출시에는 래핑공정이송을 정지시킴과 동시에, 각인작업을 정지시키도록 하고 있기 때문에, 불량품의 발생을 극히 방지할 수가 있다.In this embodiment, the stamping process and the inspection process of the identifier are performed on the sliced wafer before the lapping process. This means that if a defect is found in the inspection process, for example, after the etching process or after the end of the final manufacturing process, if the cause of the defect is on the side of the stamping device of the identifier, a large quantity of defective products will be produced. Or there is a problem that the time and cost to the end of the final manufacturing process is wasted. In this embodiment, however, the inspection is performed almost simultaneously with the stamping. When the defect is detected further, the lapping process transfer is stopped and the stamping operation is stopped. Therefore, the occurrence of defective products can be extremely prevented.
또, 상기 실시예 2에 있어서, 인곳을 절단하여 슬라이스 웨이퍼를 얻는 공정의 다음에 각인공정과 검사공정을 행하여, 이에 따라 불량품의 발생을 극히 방지할 수가 있는 효과를 얻었지만, 반도체 웨이퍼에 각인된 식별자를 정확히, 더구나 모든 식별자를 용이하게 검사할 수가 있는 효과에 관해서 말하면, 이 검사공정을 다른 공정 사이에 있더라도 이 효과를 얻을 수 있다.In Example 2, the stamping step and the inspection step were performed following the step of cutting the ingot to obtain the slice wafer, thereby achieving the effect of extremely preventing the occurrence of defective products. As for the effect that the identifier can be inspected precisely, and all the identifiers can be easily examined, this effect can be obtained even if the inspection process is between different processes.
또한, 상술한 2개의 실시예에 있어서, 테이블(5, 22)을 수평면 내에서 회전 이동시키도록 하였지만, 예컨대 수직면 내에서 회전 이동시키도록 하여, 수직배치되는 웨이퍼에 대하여 두께 측정, 각인, 식별자의 화상혼잡이 행하여지도록 하더라도 좋다. 또한 회전이 아니라, 평행이동이라도 상관없다.Further, in the above two embodiments, the tables 5 and 22 are rotated in the horizontal plane, but, for example, are rotated in the vertical plane, so that the thickness measurement, engraving, and identifier of the wafers arranged vertically. Image congestion may be performed. In addition, it may be parallel movement instead of rotation.
본 발명에서는, 거울면마무리한 후에 있어서의 식별자의 깊이를 일정하게 할 수 있으므로, 디바이스공정에 있어서의 식별자의 읽기를 확실히 행할 수 있도록 할 수가 있고, 또한 슬라이스 순서로 슬라이스된 웨이퍼에 대하여 효율적으로 각인작업이 행할 수 있다.In the present invention, since the depth of the identifier after the mirror finish can be made constant, it is possible to ensure reading of the identifier in the device process, and also to stamp the wafer sliced efficiently in the slice order. Work can be done.
또한 본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼에 각인된 식별자를 정확히, 더구나 모든 식별자를 용이하게 검사할 수가 있으므로, 불량인 식별자의 각인된 반도체 웨이퍼가 시장으로 유통되는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 결과적으로, 디바이스공정에 있어서의 식별자의 읽기를 확실히 할 수 있다.In addition, according to the present invention, since the identifiers imprinted on the semiconductor wafer can be inspected accurately and moreover, all the identifiers can be easily inspected, thereby preventing the imprinted semiconductor wafer of the defective identifiers from being distributed to the market, and consequently, Reading of the identifier in the device process can be assured.
제 1 도는 본 발명의 실시예 1에서 제조되는 반도체 웨이퍼의 확대측면단면이다.1 is an enlarged side cross-sectional view of a semiconductor wafer manufactured in Example 1 of the present invention.
제 2 도는 본 발명의 실시예 1의 각인장치를 나타내는 모식도이다.2 is a schematic diagram showing a stamping device of
제 3 도는 본 발명의 실시예 2의 각인장치를 나타내는 개략구성도이다.3 is a schematic block diagram showing a marking device according to a second embodiment of the present invention.
제 4 도는 본 발명의 실시예 2에 관하여 각인방법을 나타내는 플로우챠트이다.4 is a flowchart showing a stamping method according to the second embodiment of the present invention.
《도면의 주요부분에 대한 부호의 설명》`` Explanation of symbols for main parts of drawings ''
1 : 식별자 2 : 슬라이스된 웨이퍼1: identifier 2: sliced wafer
2a : 반도체 웨이퍼 3 : 두께 측정기2a: semiconductor wafer 3: thickness meter
4 : 레이저헤드 5 : 턴테이블4
6 : 레이저발진기 7 : 제어장치6 laser oscillator 7 control device
10 : 각인장치 11 : 각인위치10: stamping device 11: stamping position
20 : 각인장치 21 : 슬라이스 웨이퍼20: engraving device 21: slice wafer
22 : 턴테이블 23 : 레이저헤드22
24 : 각인장치본체 24a : 키보드24: imprinting
24b : 화면 25 : 카메라24b: screen 25: camera
26 : 읽어내기장치 26a : 화면26: reading
27 : 정보처리장치 D1 : 마무리각인 깊이27: information processing device D1: depth stamping finish
D2 : 가공각인깊이 T1 : 두께D2: engraving depth T1: thickness
T2 : 마무리두께 T3 : 취대T2: Finishing thickness T3: Mounting
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