JP4249813B2 - Identifier marking apparatus and marking method for semiconductor wafer - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デバイス工程(半導体ウェハ製造工程より後工程、例えばパターンの焼付け工程、チップボンディング工程等)における半導体ウェハの品質管理のために、半導体ウェハの製造工程においてウェハの表面にレーザ光により識別子を刻印する半導体ウェハへの識別子刻印装置およびその刻印方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体ウェハは次の工程を経て製造される。
(1)インゴットを切断しスライスドウェハを得た後、洗浄する。
(2)スライスドウェハをラッピング後、洗浄する。
(3)ラップドウェハをエッチング後、洗浄する。
(4)エッチドウェハを鏡面研磨及び洗浄する。
(5)洗浄されたウェハを乾燥する。
【0003】
さらに、半導体ウェハの種類を識別するための文字やバーコード等からなる識別子をウェハ表面にレーザ光を用いて刻印する工程、並びにその刻印された識別子を検査する工程が適宜追加されることもある。これは、刻印された識別子をデバイス工程において読み取り、各デバイス工程に適した半導体ウェハを確認できるようにするためである。
【0004】
ところで、この識別子はデバイス工程における読み取りを確実にするために、例えば70±20μmといった深さの規格を満たさなければならず、半導体ウェハ製造工程の仕上がりにおける深さをー定にしなければならない。そこで、この識別子の刻印を鏡面研磨工程の後に行なったのでは、その刻印屑がパーティクル発生の原因となることから、エッチングの前、またはラッピングの前に行なうのが望ましい。
【0005】
ところが、ラップドウェハにこの識別子を刻印した場合、その後のエッチングで使用されるエッチング液によっては、識別子の刻印で発生する刻印屑により染みができてしまうという不具合がある。また、取代が大きいラッピング工程の前に識別子を刻印したのでは、鏡面研磨の仕上がりにおける識別子の深さをー定にすることが困難であり、デバイス工程から要求される規格を守れないだけでなく、識別子自体が消えてしまうことさえある。
【0006】
これらの不具合を解決する方法としては、ラッピング後の厚さをー定にするという別の目的で従来から測定されているスライスドウェハの中心部の厚さ測定値に基づいて、スライスドウェハを複数のグループに分類し、そのグループごとにラッピングの取代を考慮した深さの識別子の刻印をするものがある。この方法によると、識別子の刻印で発生する刻印屑はラッピング後の洗浄で除去されるため、エッチングでの染みもできない。
【0007】
一方、刻印された識別子の検査もデバイス工程における識別子の読み取りを確実に行なえるようにするために重要となる。そこで、刻印された識別子の位置ずれ、歪み、文字の曲がり等といった不具合の検出は、例えば、刻印装置により識別子を刻印した後にオペレータがウェハを抽出し、抽出したウェハにおける識別子の刻印部分をモニタに拡大表示し、識別子の文字やバーコードを目視により検査することにより行なわれていた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
まず従来の刻印工程においては、スライスドウェハをその厚さに応じて分類するといっても分類のグループ数には限界があり、同一グループ内に分類されているスライスドウェハであっても厚さのバラツキが大きい場合、デバイス工程から要求された規格を満たす識別子を刻印することができないという問題点があった。
【0009】
また、刻印工程の前工程に分類工程を必ず設けなければならないことから、この分類する工程が増える上、スライス順にスライスドウェハを加工することができず、非効率的であった。
【0010】
一方、識別子の検査工程において、識別子を刻印した後にモニタに表示された画像を目視する検査では、オペレータの検査誤差が発生し、正確な検査を行なうことが困難であった。また、製造効率の理由から、その抽出頻度を半導体ウェハの製造枚数100枚に対し1枚程度でしか行なえず、製造された半導体ウェハ全部をこの方法で検査するのは困難であるという問題があった。
【0011】
本発明は、鏡面仕上げ後における識別子の深さをー定にすることで、デバイス工程における識別子の読み取りを確実に行なえるようにするとともに、スライスされた順番にスライスドウェハに対して効率よく刻印作業が行なえる、半導体ウェハへの識別子刻印装置およびその刻印方法を提供することを目的とする。
【0012】
また本発明は、半導体ウェハに刻印された識別子を正確に、しかもすべての識別子を容易に検査することができるようにし、これにより不良な識別子の刻印された半導体ウェハが市場へ流通してしまうのを防止できるとともに、結果としてデバイス工程における識別子の読み取りを確実に行なうことのできる、半導体ウェハへの識別子刻印装置およびその刻印方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、厚さ測定器で半導体ウェハの厚さを測定し、その測定値に基づいてレーザヘッドによる刻印を制御するようにしたものであり、より具体的には、制御装置が、厚さ測定器により測定された値に基づいて、レーザヘッドから照射レーザ光のパルス数を制御するようにしてものである。
【0014】
また本発明は、レーザヘッドにより半導体ウェハに刻印された識別子の画像をカメラで取り込み、この取り込んだ画像を処理して得られた識別子の読取情報を刻印情報と照合し、照合結果に基づいてレーザヘッドによる刻印を制御するようにしたものである。
【0015】
さらに本発明は、厚さ測定器で半導体ウェハの厚さを測定し、測定値と刻印情報から識別子の加工条件を求め、その条件で識別子をレーザ光を用いて半導体ウェハに刻印後、刻印された識別子の画像をカメラで取り込み、この取り込んだ画像を処理して得られた識別子の読取情報を刻印情報と照合し、照合結果に基づいてレーザ光による刻印を制御するようにしたものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0017】
図1は本発明の第1の実施の形態で製造される半導体ウェハの拡大側面断面図、図2は本発明の第1の実施の形態の刻印装置を示す模式図である。
【0018】
本実施の形態での刻印工程は、すでに従来技術のところで説明した半導体ウェハの製造工程では、(1)に相当するインゴットを切断しスライスドウェハを得るという工程の次に位置付けられる。
【0019】
まず、刻印装置について図2を用いて説明する。図2(a)に示すように、この刻印装置10は、スライスされたスライスドウェハ2の底面を保持し、水平方向に回転させるターンテーブル5と、スライスドウェハ2の厚さを測定する例えば反射型の厚さ測定器3と、レーザ光により識別子をスライスドウェハ2に刻印するレーザヘッド4を有する。なお厚さ測定器3は、スライスドウェハ2における識別子の刻印(予定)位置または刻印位置に近接する位置の厚さを測定することが好ましく、また通常、識別子はウェハ周辺部に刻印されるので、本実施の形態ではターンテーブル5に保持されたスライスドウェハ2の周縁部の任意の点の厚さを測定できるようになっている。また、厚さ測定器3により測定された値は制御装置7に出力され、制御装置7では厚さ測定器3より出力された測定信号に基づいてレーザ発振器6からレーザヘッド4を介してからスライスドウェハ2に向けて照射されるレーザ光のパルス数を制御し、刻印深さをコントロールするようになっている。
【0020】
この刻印装置10による刻印作業は、次のようにして行われる。
【0021】
まず、インゴットから切断されたスライスドウェハ2をターンテーブル5に一定向きで載せて保持させ、次に刻印位置11が厚さ測定器3の下にくるようにターンテーブル5を回転させる。ここで厚さ測定器3は、スライスドウェハ2における刻印位置11の厚さを測定し、測定信号を制御装置7へ出力する。
【0022】
次に図2(b)に示すように、スライスドウェハ2の刻印位置11が刻印装置10のレーザヘッド4の下に位置するようにターンテーブル5を回転させる。レーザヘッド4からは、レーザ発振器6よりレーザ光がスライスドウェハ2の刻印位置に向けて照射され、刻印される。この時、制御装置7は、厚さ測定器3からの測定信号に基づき、レーザヘッド4を介して照射されるレーザ光のパルス数を次のようにして制御する。
【0023】
図1(a)に示すように、厚さ測定器3により測定された値を刻印位置11の厚さT1とすると、鏡面仕上げ後の厚さT2は予めわかっており、鏡面仕上げまでの取代T3が算出される。また、デバイス工程から要求されている規格である仕上げ刻印深さD1が既に制御装置7に入力されており、これに取代T3を加えることにより、このスライスドウェハ2に刻印すべき識別子1の加工刻印深さD2が得られる。ところで、照射するレーザ光のパルス数と加工刻印深さとの対応関係は、実験等で予め求めておくことができる。従って、制御装置7においては、上述のようにして求めた加工刻印深さD2に基づき、上述の対応関係からこの深さD2に相当するレーザ光のパルス数を選定してレーザ発振器6を制御する。
【0024】
このようにして識別子1の刻印されたスライスドウェハ2は、その後図1(b)に示すように、鏡面仕上げに至るまでの加工が施されることにより、取代T3が取り除かれた半導体ウェハ2aとされ、その識別子1の仕上げ刻印深さD1は常にー定な値となる。
【0025】
この実施の形態によれば、鏡面仕上げ後における識別子1の深さをー定にすることができ、これにより、デバイス工程における識別子1の読み取りを確実に行なえるようにすることができる。
【0026】
また、スライスされた順番にスライスドウェハ2に対して刻印作業が行なえるので、従来のような厚さごとに分類するといった前工程を設ける必要がなく、その分、工程が短縮できて作業効率を上げることができ、またスライスした順番に加工して出荷することができる。
【0027】
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
【0028】
図3は本発明の第2の実施の形態の刻印装置を示す概略構成図、図4は図3の刻印装置を用いた刻印手順を示すフローチャートである。
【0029】
なお、本実施の形態での刻印工程も、第1の実施の形態と同様に、従来技術のところで説明した半導体ウェハの製造工程では、(1)に相当するインゴットを切断しスライスドウェハを得るという工程の次に位置付けられる。
【0030】
まず、本実施の態様の刻印装置について説明する。
【0031】
図3に示すように、刻印装置20は、スライスされたスライスドウェハ21の底面を保持し、水平方向に回転するターンテーブル22と、スライスドウェハ21に識別子を刻印するレーザヘッド23が接続された刻印装置本体24と、刻印された識別子を読み取る読取用カメラ25が接続された読取装置本体26と、刻印装置本体24と読取装置本体26が接続され制御装置を構成する情報処理装置27により構成されている。
【0032】
刻印装置本体24へは、キーボード24aやマウス(図示せず)等により刻印する識別子の刻印情報が入力されるようになっており、また入力された刻印情報は画面24b上で確認できるようにされるとともに、情報処理装置27へも送られる。この刻印装置本体24に接続されたレーザヘッド23は、スライスドウェハ21の刻印位置に対向するようにその上方に配置されている。また、読取用カメラ25もスライスドウェハ21に対向するようにその上方に配置され、スライスドウェハ21に後述のようにして刻印された識別子がその下に位置付けられたとき、その識別子の画像を取り込むようになっている。この読取用カメラ25が取り込んだ識別子の画像は、読取装置本体26に入力される。そして読取用カメラ25の取り込んだ画像は、読取装置本体26の画面26aに映し出されるとともに、読取装置本体26にて画像処理されて識別子の読み取りが行われ、この読取情報が情報処理装置27へ送られるようになっている。
【0033】
この刻印装置20による刻印作業は、図4に示すフローに従ったシーケンスにより行われる。
(1)スライスドウェハの厚さを測定し、厚さ情報を刻印装置本体24に入力する(S1)。なお、この厚さは、第1の実施の形態で説明した厚さ測定器3を図3にも設置して自動で測定されるようにしても良く、また別途測定して入力するものであっても良い。
(2)刻印する識別子である文字やバーコードなどの刻印情報を刻印装置本体24に入力する(S2)。
(3)刻印装置本体24では、入力された厚さ情報と識別子の刻印情報により識別子の加工条件、例えば形状(大きさや位置)と刻印深さを決定し、識別子を刻印する(S3)。これは、ターンテーブル22を回転させて、このターンテーブル22に保持されたスライスドウェハ21の刻印位置をレーザヘッド23に対向させ、この状態でレーザヘッド23よりレーザ光をスライスドウェハ21に照射することで識別子が刻印される。
(4)刻印された識別子を読取装置本体26により読み取る(S4)。これは、ターンテーブル22を回転させて、このターンテーブル22に保持されたスライスドウェハ21の刻印された識別子を読取用カメラ25の下に位置付けることで行われる。読取用カメラ25の取り込んだ画像は画面26aに表示されるとともに、読取装置本体26にて画像処理されて識別子の形状等の読み取りが行われ、この読取情報が情報処理装置27へ送られる。
(5)読取装置本体26からの読取情報と刻印装置本体24からの刻印情報を情報処理装置27にて照合する(S5)。
(6)情報処理装置27においては、照合結果が予め定められた許容値内であったなら、ラッピング工程送りの指示を出す(S6)とともに、誤差を求めて刻印修正のための誤差情報として刻印装置本体24に入力する(S7)。この誤差情報は、例えば次のスライスドウェハ21への刻印作業時におけるレーザ強度等の補正に用いられる。
(7)照合結果が予め定められた許容値外であった場合には、ラッピング工程送りを停止させる(S8)とともに、刻印作業を停止させる(S9)。
【0034】
このように第2の実施の形態によれば、レーザ照射によってスライスドウェハ21に刻印された識別子は、その後のターンテーブル22の回転によって読取用カメラ25との対向位置に位置付けられ、この読取用カメラ25によって取り込まれた画像情報に基づく読取情報が刻印情報と比較されることで刻印された識別子の検査、つまりその良否が判定される。このため、刻印された識別子の検査をオペレータの手を介すことなく正確に行なうことができる。また、識別子は、レーザ光によって刻印されるごとに検査されるので、識別子のすべてを容易に検査することができる。つまり本実施の形態によれば、不良の識別子の刻印された半導体ウェハが市場へ流通してしまうのが防止できるとともに、結果として、デバイス工程における識別子の読み取りを確実に行なえるようにすることができる。
【0035】
さらに本実施の形態では、識別子の刻印工程と検査工程をラッピング工程前のスライスドウェハに対して行なっている。これは、検査工程を例えばエッチング工程後または最終製造工程終了後においた場合に、もし不良が発見されたとして、その不良原因が識別子の刻印装置側にあった場合は、大量の不良品を出すことになり、エッチング工程終了または最終製造工程終了までにかかった時間と費用が無駄になってしまうという問題点が生じる。しかし本実施の形態では、刻印とほぼ同時に検査が行なわれ、さらに不良検出時にはラッピング工程送りを停止させるとともに、刻印作業を停止させるようにしているので、不良品の発生を極力防止することができる。
【0036】
なお、上記第2の実施の形態において、インゴットを切断しスライスドウェハを得るという工程の次に刻印工程と検査工程をおいたことで、不良品の発生を極力防止できるという効果が得られるが、半導体ウェハに刻印された識別子を正確に、しかもすべての識別子を容易に検査することができるいう効果に関していえば、この検査工程を他の工程間においても得られることである。
【0037】
また、上述した2つの実施の形態において、テーブル5、22を水平面内にて回転動させるようにしたが、例えば垂直面内にて回転動させるようにし、この垂直配置されるウェハに対して厚さ測定、刻印、識別子の画像取り込みが行なわれるようにしても良い。また回転ではなく、平行移動でも構わない。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、鏡面仕上げ後における識別子の深さをー定にすることができることから、デバイス工程における識別子の読み取りを確実に行なえるようにすることができ、またスライスされた順番にスライスドウェハに対して効率よく刻印作業が行なえる。
【0039】
また本発明によれば、半導体ウェハに刻印された識別子を正確に、しかもすべての識別子を容易に検査することができることから、不良な識別子の刻印された半導体ウェハが市場へ流通してしまうのを防止できるとともに、結果として、デバイス工程における識別子の読み取りを確実に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態で製造される半導体ウェハの拡大側面断面図。
【図2】本発明の第1の実施の形態の刻印装置を示す模式図。
【図3】本発明の第2の実施の形態の刻印装置を示す概略構成図。
【図4】図3の刻印装置を用いた刻印手順を示すフローチャート。
【符号の説明】
1 識別子
2 スライスドウェハ
2a 半導体ウェハ
3 厚さ測定器
4 レーザヘッド
5 ターンテーブル
6 レーザ発振器
7 制御装置
10 刻印装置
11 刻印位置
20 刻印装置
21 スライスドウェハ
22 ターンテーブル
23 レーザヘッド
24 刻印装置本体
24a キーボード
24b 画面
25 読取用カメラ
26 読取装置本体
26a 画面
27 情報処理装置
D1 仕上げ刻印深さ
D2 加工刻印深さ
T1 厚さ
T2 仕上げ厚さ
T3 取代[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention provides a laser beam identifier on a wafer surface in a semiconductor wafer manufacturing process for quality control of a semiconductor wafer in a device process (a process subsequent to the semiconductor wafer manufacturing process, for example, a pattern baking process, a chip bonding process, etc.). The present invention relates to an identifier marking apparatus for marking a semiconductor wafer and a marking method thereof.
[0002]
[Prior art]
Generally, a semiconductor wafer is manufactured through the following steps.
(1) The ingot is cut to obtain a sliced wafer, and then washed.
(2) The sliced wafer is cleaned after lapping.
(3) Clean the wrapped wafer after etching.
(4) Mirror polishing and cleaning the etched wafer.
(5) Dry the cleaned wafer.
[0003]
Furthermore, a step of marking an identifier made of a character or a barcode for identifying the type of the semiconductor wafer on the wafer surface using laser light, and a step of inspecting the stamped identifier may be added as appropriate. . This is because the stamped identifier is read in the device process so that a semiconductor wafer suitable for each device process can be confirmed.
[0004]
By the way, in order to ensure reading in the device process, this identifier must satisfy a depth standard of, for example, 70 ± 20 μm, and the depth in the finish of the semiconductor wafer manufacturing process must be fixed. Therefore, if the marking of the identifier is performed after the mirror polishing process, it is desirable to perform the marking before etching or lapping because the marking dust causes generation of particles.
[0005]
However, when this identifier is engraved on the wrapped wafer, there is a problem that depending on the etching solution used in the subsequent etching, the marking waste generated by the marking of the identifier can cause a stain. In addition, if the identifier is engraved before the lapping process with a large machining allowance, it is difficult to set the depth of the identifier in the mirror polishing finish, and not only the standards required from the device process cannot be observed. The identifier itself may even disappear.
[0006]
As a method for solving these problems, a sliced wafer is formed on the basis of a thickness measurement value at the center of a sliced wafer that has been conventionally measured for another purpose of making the thickness after lapping constant. Some are classified into a plurality of groups, and each group is stamped with an identifier having a depth in consideration of a lapping allowance. According to this method, the marking debris generated by the marking of the identifier is removed by cleaning after lapping, so that it cannot be stained by etching.
[0007]
On the other hand, the inspection of the stamped identifier is also important in order to ensure reading of the identifier in the device process. Therefore, detection of defects such as misalignment, distortion, bent characters, etc. of the stamped identifier is performed by, for example, extracting the wafer after the identifier is stamped by the stamping device, and monitoring the stamped portion of the identifier on the extracted wafer. This was done by enlarging and visually inspecting the characters and barcodes of the identifiers.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
First, in the conventional engraving process, even if sliced wafers are classified according to their thicknesses, there is a limit to the number of classification groups, and even sliced wafers classified in the same group have a thickness. When there is a large variation, there is a problem that an identifier satisfying the standard required from the device process cannot be engraved.
[0009]
In addition, since the classification process must be provided in the process before the marking process, the number of classification processes increases, and the sliced wafers cannot be processed in the slice order, which is inefficient.
[0010]
On the other hand, in the inspection process of the identifier, in the inspection in which the image displayed on the monitor is visually checked after the identifier is engraved, an inspection error of the operator occurs, and it is difficult to perform an accurate inspection. Moreover, for the reason of manufacturing efficiency, the extraction frequency can be performed only about one for every 100 semiconductor wafers manufactured, and it is difficult to inspect all manufactured semiconductor wafers by this method. It was.
[0011]
The present invention makes it possible to reliably read the identifiers in the device process by setting the depth of the identifiers after the mirror finish, and to efficiently mark the sliced wafers in the sliced order. An object of the present invention is to provide an identifier marking apparatus and a marking method for a semiconductor wafer, which can be performed.
[0012]
In addition, the present invention makes it possible to accurately inspect the identifiers imprinted on the semiconductor wafer and easily inspect all the identifiers, whereby the semiconductor wafer imprinted with the defective identifier is distributed to the market. It is an object of the present invention to provide an identifier marking apparatus for a semiconductor wafer and a marking method thereof, which can prevent the occurrence of the problem and, as a result, reliably read the identifier in the device process.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The present invention, the thickness of the semiconductor wafer was measured with a thickness meter, its all SANYO was based on the measured value to control the marking by the laser head, and more specifically, the control device, thickness The number of pulses of the irradiation laser light from the laser head is controlled based on the value measured by the measuring instrument.
[0014]
Further, the present invention captures an identifier image imprinted on a semiconductor wafer by a laser head with a camera, collates the read information of the identifier obtained by processing the captured image with the imprint information, and lasers based on the collation result The marking by the head is controlled.
[0015]
Furthermore, the present invention measures the thickness of the semiconductor wafer with a thickness measuring instrument, determines the processing conditions of the identifier from the measured value and the stamp information, and the identifier is stamped on the semiconductor wafer using the laser light under the conditions. An identifier image is captured by a camera, and the identifier read information obtained by processing the captured image is collated with the marking information, and the marking by the laser beam is controlled based on the collation result.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0017]
FIG. 1 is an enlarged side sectional view of a semiconductor wafer manufactured according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view showing a marking device according to the first embodiment of the present invention.
[0018]
The marking step in the present embodiment is positioned next to the step of cutting the ingot corresponding to (1) to obtain a sliced wafer in the semiconductor wafer manufacturing step already described in the prior art.
[0019]
First, the marking device will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2A, the marking
[0020]
The marking operation by the marking
[0021]
First, the sliced
[0022]
Next, as shown in FIG. 2B, the
[0023]
As shown in FIG. 1A, if the value measured by the
[0024]
As shown in FIG. 1B, the sliced
[0025]
According to this embodiment, the depth of the
[0026]
In addition, since the sliced
[0027]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
[0028]
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a marking device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a flowchart showing a marking procedure using the marking device of FIG.
[0029]
As in the first embodiment, the marking process in the present embodiment is a semiconductor wafer manufacturing process described in the prior art, and the ingot corresponding to (1) is cut to obtain a sliced wafer. It is positioned next to the process.
[0030]
First, the marking device according to this embodiment will be described.
[0031]
As shown in FIG. 3, the marking
[0032]
The marking device
[0033]
The marking work by the marking
(1) The thickness of the sliced wafer is measured, and the thickness information is input to the marking device main body 24 (S1). The thickness may be automatically measured by installing the
(2) Marking information such as characters and barcodes that are identifiers to be stamped is input to the stamping device main body 24 (S2).
(3) The marking device
(4) The stamped identifier is read by the reader main body 26 (S4). This is done by rotating the
(5) The
(6) In the
(7) If the collation result is outside the predetermined allowable value, the lapping process feed is stopped (S8) and the marking operation is stopped (S9).
[0034]
As described above, according to the second embodiment, the identifier engraved on the sliced
[0035]
Furthermore, in this embodiment, the identifier marking process and the inspection process are performed on the sliced wafer before the lapping process. This is because, if the inspection process is performed after the etching process or after the final manufacturing process, if a defect is found and the cause of the defect is on the identifier marking device side, a large number of defective products are produced. As a result, there arises a problem that the time and cost required to complete the etching process or the final manufacturing process are wasted. However, in this embodiment, the inspection is performed almost simultaneously with the engraving, and when the defect is detected, the lapping process feeding is stopped and the engraving operation is stopped, so that the generation of defective products can be prevented as much as possible. .
[0036]
In the second embodiment, the engraving process and the inspection process are performed after the process of cutting the ingot to obtain a sliced wafer, so that it is possible to prevent the generation of defective products as much as possible. In terms of the effect that the identifiers imprinted on the semiconductor wafer can be accurately inspected and all the identifiers can be inspected easily, this inspection step can be obtained even between other steps.
[0037]
In the two embodiments described above, the tables 5 and 22 are rotated in a horizontal plane. For example, the tables 5 and 22 are rotated in a vertical plane, and the thickness of the vertically arranged wafer is increased. Measurement, engraving, and image capture of identifiers may be performed. Further, instead of rotation, translation may be performed.
[0038]
【The invention's effect】
According to the present invention, the depth of the identifier after the mirror finish can be set constant, so that the identifier can be reliably read in the device process, and sliced in the sliced order. The marking work can be efficiently performed on the wafer.
[0039]
Further, according to the present invention, since the identifier imprinted on the semiconductor wafer can be accurately inspected and all the identifiers can be easily inspected, the semiconductor wafer imprinted with the defective identifier can be distributed to the market. As a result, it is possible to reliably read the identifier in the device process.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an enlarged side sectional view of a semiconductor wafer manufactured according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a marking device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a marking device according to a second embodiment of the present invention.
4 is a flowchart showing a marking procedure using the marking device of FIG. 3;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記半導体ウェハの厚さを測定する厚さ測定器と、
前記半導体ウェハにレーザ光を用いて識別子を刻印するレーザヘッドと、
前記厚さ測定器により測定された値に基づいて前記レーザヘッドによる刻印を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置は、前記厚さ測定器により測定された値に基づいて、前記レーザヘッドから照射レーザ光のパルス数を制御することを特徴とする半導体ウェハへの識別子刻印装置。A table for supporting and moving the semiconductor wafer;
A thickness measuring instrument for measuring the thickness of the semiconductor wafer;
A laser head for imprinting an identifier on the semiconductor wafer using a laser beam;
Have a, a control device for controlling the marking by the laser head based on the measured value by the thickness measuring device,
The control device controls the number of pulses of laser light emitted from the laser head based on the value measured by the thickness measuring device, and is an identifier marking device on a semiconductor wafer.
識別子の刻印情報が入力される刻印装置本体と、
前記半導体ウェハにレーザ光を用いて識別子を刻印するレーザヘッドと、
このレーザヘッドにより前記半導体ウェハに刻印された識別子の画像を取り込むカメラと、
このカメラの取り込んだ画像を処理して前記半導体ウェハに刻印された前記識別子を読み取る読取装置と、
この読取装置による識別子の読取情報と前記刻印情報とを照合し、照合結果に基づいて前記レーザヘッドによる刻印を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする半導体ウェハへの識別子刻印装置。A table for supporting and moving the semiconductor wafer;
A stamping device body into which the stamping information of the identifier is input;
A laser head for imprinting an identifier on the semiconductor wafer using a laser beam;
A camera for capturing an image of an identifier engraved on the semiconductor wafer by the laser head;
A reader for processing the image captured by the camera and reading the identifier engraved on the semiconductor wafer;
A control device for checking the reading information of the identifier by the reading device and the marking information, and controlling the marking by the laser head based on the checking result
An apparatus for marking an identifier on a semiconductor wafer, comprising:
前記半導体ウェハの厚さを測定する工程と、
測定された前記半導体ウェハの厚さと予め定められた刻印深さと前記半導体ウェハの上記厚さ測定工程以降、最終製造工程までの取代厚さを考慮して識別子の必要な加工深さを求める工程と、
求めた加工深さを有する識別子をレーザ光を用いて前記半導体ウェハに刻印する工程と、
を有することを特徴とする半導体ウェハへの識別子刻印方法。In the method for marking an identifier on a semiconductor wafer, the laser wafer is used to mark the identifier on the semiconductor wafer.
Measuring the thickness of the semiconductor wafer;
A step of obtaining a required processing depth of the identifier in consideration of the measured thickness of the semiconductor wafer, a predetermined marking depth, and a thickness of the semiconductor wafer after the thickness measurement step to a final manufacturing step; ,
A step of marking the semiconductor wafer with an identifier having the determined processing depth using a laser beam;
A method of marking an identifier on a semiconductor wafer, comprising:
半導体ウェハにレーザ光を用いて識別子を刻印する工程と、
刻印された識別子の画像をカメラで取り込み、この取り込んだ画像より刻印された前記識別子を読み取る工程と、
この読取情報と予め設定された刻印情報を照合し、照合結果に基づいてレーザ光による刻印を制御する工程と、
を有することを特徴とする半導体ウェハへの識別子刻印方法。In the method for marking an identifier on a semiconductor wafer, the laser wafer is used to mark the identifier on the semiconductor wafer.
Marking the identifier on the semiconductor wafer using laser light;
Capturing an image of the stamped identifier with a camera, and reading the identifier stamped from the captured image;
Collating this read information with preset marking information, and controlling the marking by laser light based on the matching result;
A method of marking an identifier on a semiconductor wafer, comprising:
前記半導体ウェハの厚さを測定する工程と、
測定された前記半導体ウェハの厚さと予め設定された刻印情報を用いて識別子の加工条件を求める工程と、
求めた加工条件にて識別子をレーザ光を用いて前記半導体ウェハに刻印する工程と、
刻印された識別子の画像をカメラで取り込み、この取り込んだ画像より刻印された前記識別子を読み取る工程と、
この読取情報と前記刻印情報を照合し、照合結果に基づいてレーザ光による刻印を制御する工程と、
を有することを特徴とする半導体ウェハへの識別子刻印方法。In the method for marking an identifier on a semiconductor wafer, the laser wafer is used to mark the identifier on the semiconductor wafer.
Measuring the thickness of the semiconductor wafer;
Determining the processing conditions of the identifier using the measured thickness of the semiconductor wafer and preset marking information;
A step of marking an identifier on the semiconductor wafer using a laser beam under the obtained processing conditions;
Capturing an image of the stamped identifier with a camera, and reading the identifier stamped from the captured image;
Collating this reading information and the marking information, and controlling the marking by the laser beam based on the matching result;
A method of marking an identifier on a semiconductor wafer, comprising:
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