JP6242619B2

JP6242619B2 - Processing equipment

Info

Publication number: JP6242619B2
Application number: JP2013152596A
Authority: JP
Inventors: 秀夫岩田; 浩吉湊; 陽平山脇
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2013-07-23
Filing date: 2013-07-23
Publication date: 2017-12-06
Anticipated expiration: 2033-07-23
Also published as: JP2015023239A

Description

本発明は、表面から裏面に至る面取り部が外周に形成されたウェーハを加工する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing apparatus for processing a wafer in which a chamfered portion from the front surface to the back surface is formed on the outer periphery.

ウェーハの外周部には、加工や搬送の過程で欠け等が生じるのを防ぐために、表面から裏面にかけて面取りが施されている。このように外周が面取りされたウェーハの裏面を研削する前においては、裏面研削により外周がシャープエッジ状となることによって研削後のウェーハが欠けたり破損したりすることを防止するために、あらかじめウェーハの外周部に形成された面取り部に切削ブレードを所定の深さまで切り込ませて環状の溝を形成する加工（エッジトリミング）を施している。 Chamfering is performed on the outer peripheral portion of the wafer from the front surface to the back surface in order to prevent chipping and the like from occurring during processing and transport. Before grinding the back surface of the wafer whose outer periphery is chamfered in this way, in order to prevent the ground wafer from being chipped or damaged due to the outer periphery becoming a sharp edge shape by back surface grinding, The chamfered portion formed on the outer peripheral portion of the steel plate is subjected to processing (edge trimming) for cutting a cutting blade to a predetermined depth to form an annular groove.

この環状溝は、ウェーハの研削後の仕上がり厚さに対応した深さに形成される。従来は、ウェーハの外周部に形成された面取り部の一部を除去して環状溝を形成した後、作業者が環状溝の深さをハイトゲージで測定し、その測定値が許容範囲内に入っているか否かを検査している。 This annular groove is formed to a depth corresponding to the finished thickness of the wafer after grinding. Conventionally, after removing a part of the chamfered part formed on the outer periphery of the wafer to form an annular groove, the operator measures the depth of the annular groove with a height gauge, and the measured value falls within the allowable range. It is inspected whether or not.

特開２０００−１７３９６１号公報JP 2000-173961 A

しかしながら、作業者がウェーハ毎にハイトゲージによって環状溝の深さを測定すると非常に手間がかかるため、製品の生産性が悪いという問題がある。また、環状溝の深さ測定時にハイトゲージがウェーハに接触して異物がウェーハに付着したり、ウェーハが破損したりするおそれがあるという問題もある。 However, when the operator measures the depth of the annular groove with a height gauge for each wafer, it takes much time and there is a problem that product productivity is poor. There is also a problem that the height gauge may come into contact with the wafer when the depth of the annular groove is measured, and foreign matter may adhere to the wafer or the wafer may be damaged.

本発明は、上記の事情にかんがみてなされたものであり、ウェーハの外周部に形成された環状溝を検査する際に、ウェーハに異物が付着するおそれやウェーハが破損するおそれを低減するとともに、製品の生産性を向上させることに発明の解決すべき課題を有している。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and when inspecting the annular groove formed on the outer peripheral portion of the wafer, the risk of foreign matter adhering to the wafer and the risk of damage to the wafer are reduced. There is a problem to be solved by the invention in improving product productivity.

本発明は、表面から裏面に至る面取り部が外周に形成されたウェーハを加工する加工装置であって、ウェーハを保持する保持手段と、該保持手段で保持されたウェーハの外周を円形に切削して環状溝を形成し該面取り部の一部を除去する切削ブレードと該切削ブレードを回転させるスピンドルとを有した切削手段と、該環状溝の幅方向に伸長する帯状レーザービームを該環状溝の底と該環状溝に隣接したウェーハの上面とに照射しウェーハの上面と該環状溝の底とにおいて反射された反射光に基づいて該環状溝の少なくとも深さを検出するするとともに、該環状溝の溝底形状を検出することによって該切削ブレードの先端端面形状を検出する環状溝検出手段と、を備えている。 The present invention is a processing apparatus for processing a wafer having a chamfered portion from the front surface to the back surface formed on the outer periphery, the holding means for holding the wafer, and the outer periphery of the wafer held by the holding means being cut into a circle. A cutting means having a cutting blade for forming an annular groove and removing a part of the chamfered portion and a spindle for rotating the cutting blade, and a belt-like laser beam extending in the width direction of the annular groove. Detecting at least the depth of the annular groove based on the reflected light reflected on the top surface of the wafer and the bottom of the annular groove by irradiating the bottom and the upper surface of the wafer adjacent to the annular groove, and the annular groove Annular groove detecting means for detecting the shape of the end face of the cutting blade by detecting the shape of the bottom of the groove .

また、上記加工装置は、ウェーハ外周の上面を撮像して該環状溝の幅を含む撮像画像を形成する撮像手段を備え、該撮像手段で形成された該撮像画像に基づいて該環状溝の幅を検出することができる。 The processing apparatus includes an imaging unit that images the upper surface of the outer periphery of the wafer to form a captured image including the width of the annular groove, and the width of the annular groove based on the captured image formed by the imaging unit. Can be detected.

本発明にかかる加工装置は、ウェーハの上面とウェーハの外周に形成された環状溝とに環状溝の幅方向に伸長する帯状レーザービームを照射し、ウェーハの上面と環状溝の溝底とにおいて反射した反射光に基づいて環状溝の溝深さや溝底形状を検出する環状溝検出手段を備えるため、ウェーハに形成された環状溝を検査するときに測定機器がウェーハに接触することがなく、ウェーハに異物が付着するおそれやウェーハが破損するおそれを低減することができ、製品の生産性が向上する。 The processing apparatus according to the present invention irradiates the upper surface of the wafer and the annular groove formed on the outer periphery of the wafer with a belt-like laser beam extending in the width direction of the annular groove, and reflects on the upper surface of the wafer and the groove bottom of the annular groove. Since the annular groove detecting means for detecting the groove depth and groove bottom shape of the annular groove based on the reflected light is provided, the measuring instrument does not come into contact with the wafer when inspecting the annular groove formed on the wafer. The possibility of foreign matter adhering to the wafer and the possibility of damage to the wafer can be reduced, and the productivity of the product is improved.

上記環状溝検出手段では、環状溝の溝底の形状を検出することにより切削ブレードに偏磨耗が生じているかどうかを検出できるため、適切なタイミングで切削ブレードのフラットドレスを実施したり、適切なタイミングで新品の切削ブレードに交換したりすることができる。これにより、所望の溝深さを有する環状溝を確実に形成することができる。また、切削ブレードが先細り状態で偏磨耗して先端部分が折れるという問題もなくなる。 The annular groove detecting means can detect whether or not the cutting blade is unevenly worn by detecting the shape of the groove bottom of the annular groove. It can be replaced with a new cutting blade at the timing. Thereby, an annular groove having a desired groove depth can be reliably formed. Further, there is no problem that the cutting blade is unevenly worn in a tapered state and the tip portion is broken.

また、本発明にかかる加工装置は、ウェーハの外周側の上面を撮像して環状溝を含んだ撮像画像を形成する撮像手段を備えているため、撮像画像に基づいて環状溝の溝幅を検出することができる。これにより、ウェーハ毎に環状溝の溝幅の大きさが許容範囲内であるかどうかを判断してウェーハが不良であるかどうかを検出し、製品の生産性をより向上させることができる。 In addition, since the processing apparatus according to the present invention includes an imaging unit that images the upper surface of the outer peripheral side of the wafer to form a captured image including the annular groove, the groove width of the annular groove is detected based on the captured image. can do. Thereby, it is judged whether the size of the groove width of the annular groove is within an allowable range for each wafer, and it is detected whether the wafer is defective or not, so that the productivity of the product can be further improved.

加工装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of a processing apparatus. 保持手段を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a holding means. 環状溝検出手段の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of an annular groove detection means. 環状溝形成ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows an annular groove formation step. 洗浄ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a washing | cleaning step. 検査ステップを開始する状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which starts an inspection step. 撮像ステップを示す断面図及びその撮像画像である。It is sectional drawing which shows an imaging step, and its captured image. 深さ測定ステップを示す正面図である。It is a front view which shows a depth measurement step. 深さ測定ステップにより測定された環状溝の深さを示す波形データである。It is waveform data which shows the depth of the annular groove measured by the depth measurement step. 偏磨耗検出ステップを示す拡大断面図及び波形データである。It is an expanded sectional view and waveform data which show a partial wear detection step.

図１に示す加工装置１は、装置ベース２を有し、その上面２ａには、カセット載置台３を備えている。カセット載置台３には、被加工物であるウェーハを複数収容することができるカセット４を載置することが可能となっている。カセット載置台３は、昇降可能となっている。 A processing apparatus 1 shown in FIG. 1 has an apparatus base 2 and has a cassette mounting table 3 on an upper surface 2a thereof. A cassette 4 that can accommodate a plurality of wafers as workpieces can be placed on the cassette mounting table 3. The cassette mounting table 3 can be moved up and down.

装置ベース２のＸ軸方向前部には、カセット３に対してウェーハの搬出及び搬入を行う搬送ロボット６が配設されている。搬送ロボット６は、ウェーハを保持するロボットハンド６ａと、ロボットハンド６ａを所望の位置に移動させるアーム部６ｂとを備えている。搬送ロボット６は、図示しない搬送機構によりＹ軸方向に移動可能となっている。 A transfer robot 6 for carrying out and carrying in wafers to and from the cassette 3 is disposed at the front of the apparatus base 2 in the X-axis direction. The transfer robot 6 includes a robot hand 6a that holds a wafer and an arm unit 6b that moves the robot hand 6a to a desired position. The transfer robot 6 can be moved in the Y-axis direction by a transfer mechanism (not shown).

装置ベース２の上面２ａのＸ軸方向後部には、Ｘ軸方向に移動可能な移動基台７が配設されており、移動基台７の経路を跨ぐようにして門型のコラム５が立設されている。移動基台７には、加工具（例えば切削ブレード）の先端形状をフラットにドレスするためのドレスボードを保持するドレスボード保持手段８と、ウェーハを保持し自転可能な保持手段１０とが配設されている。図２に示す保持手段１０は、その周縁部においてウェーハの外周側を保持するリング状の保持面１１を有しており、保持面１１の内周側の領域がウェーハと接触しない凹状の空間１２となっている。図１に示すように、保持手段１０の外周には、少なくとも３つの切り欠き部１３が形成されている。図２に示すように、保持手段１０には、保持面１１において開口した吸引口１４が形成されており、この吸引口１４がバルブ１５を介して吸引源１６に接続されている。 A movable base 7 that is movable in the X-axis direction is disposed at the rear of the upper surface 2a of the apparatus base 2 in the X-axis direction, and a gate-shaped column 5 stands up across the path of the movable base 7. It is installed. The movable base 7 is provided with a dressboard holding means 8 for holding a dressboard for dressing the tip shape of a processing tool (for example, a cutting blade) flat, and a holding means 10 for holding a wafer and capable of rotating. Has been. The holding means 10 shown in FIG. 2 has a ring-shaped holding surface 11 that holds the outer peripheral side of the wafer at its peripheral edge, and a concave space 12 in which the inner peripheral side region of the holding surface 11 does not contact the wafer. It has become. As shown in FIG. 1, at least three notches 13 are formed on the outer periphery of the holding means 10. As shown in FIG. 2, the holding means 10 is formed with a suction port 14 opened in the holding surface 11, and this suction port 14 is connected to a suction source 16 via a valve 15.

図１に示す加工装置１には、保持手段１０に保持されたウェーハの外周側を切削する切削手段１７ａと、切削手段１７ａと対面して配置され保持手段１０に保持されたウェーハの外周側を切削する切削手段１７ｂとが配設されている。切削手段１７ａは、ウェーハの外周側をその周縁に沿って切削して面取り部の一部を除去する切削ブレード１８と、Ｙ軸方向の軸心を有し切削ブレード１８を回転させるスピンドル１９とを少なくとも有している。切削手段１７ｂも切削手段１７ａと同様の構成となっている。なお、ウェーハを切削する際に２つの切削手段を同時に稼働させなくてもよいが、同時に稼働させることもできる。 The processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a cutting unit 17a that cuts the outer peripheral side of the wafer held by the holding unit 10, and an outer peripheral side of the wafer that is arranged facing the cutting unit 17a and is held by the holding unit 10. Cutting means 17b for cutting is disposed. The cutting means 17a includes a cutting blade 18 that cuts the outer peripheral side of the wafer along the peripheral edge to remove a part of the chamfered portion, and a spindle 19 that has an axis in the Y-axis direction and rotates the cutting blade 18. Have at least. The cutting means 17b has the same configuration as the cutting means 17a. In addition, when cutting a wafer, it is not necessary to operate two cutting means simultaneously, but it is also possible to operate them simultaneously.

コラム５のＸ軸方向前方には、切削手段１７ａをＺ軸方向に加工送りする加工送り手段２０ａと、切削手段１７ａをＹ軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段２５ａと、切削手段１７ｂをＺ軸方向に加工送りする加工送り手段２０ｂと、切削手段１７ｂをＹ軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段２５ｂと、が配設されている。加工送り手段２０ａは、Ｚ軸方向にのびるボールネジ２１と、ボールネジ２１の一端に接続されたモータ２２と、ボールネジ２１と平行にのびる一対のガイドレール２３と、切削手段１７ａに連結された昇降板２４とを備えている。昇降板２４の一方の面には一対のガイドレール２３が摺接し、昇降板２４の中央部に形成された図示しないナットにボールネジ２１が螺合している。そして、モータ２２がボールネジ２１を回動させることにより、昇降板２４とともに切削手段１７ａを所定の送り速度でＺ軸方向に昇降させることができる。なお、加工送り手段２０ｂも加工送り手段２０ａと同様の構成となっているため、加工送り手段２０ｂを構成する各部位には加工送り手段２０ａと同一の符号を付し、その説明を省略する。 In front of the column 5 in the X-axis direction, a machining feed means 20a for machining and feeding the cutting means 17a in the Z-axis direction, an index feeding means 25a for indexing and feeding the cutting means 17a in the Y-axis direction, and a cutting means 17b for the Z-axis Processing feed means 20b for processing and feeding in the direction and index feeding means 25b for indexing and feeding cutting means 17b in the Y-axis direction are provided. The processing feed means 20a includes a ball screw 21 extending in the Z-axis direction, a motor 22 connected to one end of the ball screw 21, a pair of guide rails 23 extending in parallel with the ball screw 21, and a lifting plate 24 connected to the cutting means 17a. And. A pair of guide rails 23 is in sliding contact with one surface of the elevating plate 24, and a ball screw 21 is screwed to a nut (not shown) formed at the center of the elevating plate 24. Then, by rotating the ball screw 21 by the motor 22, the cutting means 17a can be moved up and down in the Z-axis direction at a predetermined feed speed together with the lifting plate 24. Since the machining feed means 20b has the same configuration as the machining feed means 20a, each part constituting the machining feed means 20b is assigned the same reference numeral as the machining feed means 20a, and the description thereof is omitted.

割り出し送り手段２５ａ及び割り出し送り手段２５ｂは、それぞれＹ軸方向にのびるボールネジ２６と、それぞれのボールネジ２６に接続されたモータ２７と、ボールネジ２６と平行にのびるガイドレール２８と、一方の面に加工送り手段２０ａと加工送り手段２０ｂとが連結されるとともに切削手段１７ａ及び切削手段１７ｂをそれぞれＹ軸方向に移動させる移動板２９と、を備えている。移動板２９の他方の面には一対のガイドレール２８が摺接し、移動板２９の中央部に形成された図示しないナットにボールネジ２６が螺合している。モータ２７によって駆動されボールネジ２６が回動すると、移動板２９とともに切削手段１７ａ及び切削手段１７ｂをＹ軸方向に割り出し送りすることができる。 The index feeding means 25a and the index feeding means 25b are each provided with a ball screw 26 extending in the Y-axis direction, a motor 27 connected to each ball screw 26, a guide rail 28 extending parallel to the ball screw 26, and a work feed on one surface. The means 20a and the processing feed means 20b are connected, and a cutting plate 17a and a moving plate 29 for moving the cutting means 17b in the Y-axis direction are provided. A pair of guide rails 28 are in sliding contact with the other surface of the moving plate 29, and a ball screw 26 is screwed to a nut (not shown) formed at the center of the moving plate 29. When the ball screw 26 is rotated by being driven by the motor 27, the cutting means 17a and the cutting means 17b together with the moving plate 29 can be indexed and fed in the Y-axis direction.

加工装置１には、加工後のウェーハを洗浄する洗浄手段３０と、保持手段１０から洗浄手段３０へ加工後のウェーハを搬送する搬送パッド９とが配設されている。洗浄手段３０は、ウェーハを保持し自転するとともに昇降可能なスピンナーテーブル３１と、洗浄水をスピンナーテーブル３１に保持されたウェーハに供給する洗浄水ノズル３２とを少なくとも備えている。 In the processing apparatus 1, a cleaning unit 30 that cleans the processed wafer and a transport pad 9 that transports the processed wafer from the holding unit 10 to the cleaning unit 30 are disposed. The cleaning means 30 includes at least a spinner table 31 that holds and rotates the wafer and can move up and down, and a cleaning water nozzle 32 that supplies cleaning water to the wafer held on the spinner table 31.

装置ベース２の上面２ａの中央部は、ウェーハの外周部に形成された環状溝の深さ、溝幅、溝底の形状を検査する検査領域Ｐとなっている。この検査領域Ｐには、ウェーハの外周部をクランプする複数（少なくとも３つ）のエッジクランプ４０と、ウェーハの上面を撮像する撮像手段５０と、加工後のウェーハの外周に形成された環状溝の少なくとも深さを検出する環状溝検出手段６０とを備えている。各エッジクランプ４０は、ウェーハの径方向に移動可能となっており、ウェーハの外周側を押圧しながらウェーハをクランプすることができる。また、エッジクランプ４０は、回転可能となっており、ウェーハをクランプしながら回転させることができる。 The central portion of the upper surface 2a of the apparatus base 2 is an inspection region P for inspecting the depth, groove width, and groove bottom shape of the annular groove formed on the outer peripheral portion of the wafer. In this inspection region P, a plurality (at least three) of edge clamps 40 for clamping the outer peripheral portion of the wafer, imaging means 50 for imaging the upper surface of the wafer, and annular grooves formed on the outer periphery of the processed wafer An annular groove detecting means 60 for detecting at least the depth is provided. Each edge clamp 40 is movable in the radial direction of the wafer, and can clamp the wafer while pressing the outer peripheral side of the wafer. The edge clamp 40 is rotatable and can be rotated while clamping the wafer.

撮像手段５０は、光源５１を有し、例えば光学系のＣＣＤイメージセンサ又はＣＭＯＳイメージセンサが内蔵されている。撮像手段５０は、ウェーハの外周部を撮像して撮像画像を取得することができる。この撮像画像に基づいて少なくとも環状溝の幅の大きさを算出することが可能となっている。 The imaging means 50 has a light source 51 and incorporates, for example, an optical CCD image sensor or CMOS image sensor. The imaging means 50 can acquire the captured image by imaging the outer peripheral portion of the wafer. Based on this captured image, at least the width of the annular groove can be calculated.

環状溝検出手段６０は、レーザ変位センサであり、図３に示すように、レーザービームを投光する投光素子６１と、投光素子６１から投光されたレーザービームから帯状レーザービームを形成する帯状レーザービーム形成手段６２と、帯状レーザービーム形成手段６２によって形成され出射された帯状レーザービームの反射光を所定の位置に集光させる受光レンズ６３と、反射光を受光する受光素子６４とを少なくとも有する。 The annular groove detecting means 60 is a laser displacement sensor, and forms a belt-like laser beam from a light projecting element 61 that projects a laser beam and a laser beam projected from the light projecting element 61 as shown in FIG. At least a belt-shaped laser beam forming unit 62, a light-receiving lens 63 that collects reflected light of the belt-shaped laser beam formed and emitted by the belt-shaped laser beam forming unit 62, and a light receiving element 64 that receives the reflected light. Have.

投光素子６１としては、例えば半導体レーザを用いることができる。帯状レーザービーム形成手段６２としては、例えばシリンドリカルレンズを用いることができる。シリンドリカルレンズは、投光素子６１から投光されたレーザービームをウェーハの環状溝の幅方向に伸長させて帯状のレーザービームを形成することができる。受光レンズ６３としては、例えば２次元エルノスターレンズを用いることができ、ウェーハの上面と環状溝の底部とで反射された帯状のレーザービームの反射光を受光素子６４の所定位置に集光させることができる。 As the light projecting element 61, for example, a semiconductor laser can be used. As the belt-shaped laser beam forming means 62, for example, a cylindrical lens can be used. The cylindrical lens can form a belt-like laser beam by extending the laser beam projected from the light projecting element 61 in the width direction of the annular groove of the wafer. As the light receiving lens 63, for example, a two-dimensional Ernostar lens can be used, and the reflected light of the belt-shaped laser beam reflected by the upper surface of the wafer and the bottom of the annular groove is condensed at a predetermined position of the light receiving element 64. Can do.

以下では、加工装置１の動作例について説明する。図１に示すウェーハＷは、被加工物の一例であって特に限定されるものではない。ウェーハＷの上面Ｗａには、複数のデバイスＤが形成されており、ウェーハＷの上面Ｗａと反対側にある裏面が保持手段１０に保持される下面Ｗｂとなっている。また、図２に示すように、ウェーハＷの周縁において上面Ｗａから下面Ｗｂに至る面取り部が形成された部分が外周部Ｗｃとなっている。さらに、図１に示すように、ウェーハＷの外周部Ｗｃには、結晶方位の識別マークであるノッチＮが形成されている。そして、加工前のウェーハＷが複数収容されたカセット４をカセット載置台３に載置する。 Below, the operation example of the processing apparatus 1 is demonstrated. The wafer W shown in FIG. 1 is an example of a workpiece and is not particularly limited. A plurality of devices D are formed on the upper surface Wa of the wafer W, and the back surface opposite to the upper surface Wa of the wafer W is a lower surface Wb held by the holding means 10. Further, as shown in FIG. 2, a portion where a chamfered portion from the upper surface Wa to the lower surface Wb is formed on the periphery of the wafer W is an outer peripheral portion Wc. Further, as shown in FIG. 1, a notch N which is a crystal orientation identification mark is formed on the outer peripheral portion Wc of the wafer W. Then, the cassette 4 containing a plurality of unprocessed wafers W is placed on the cassette placing table 3.

（１）保持ステップ
搬送ロボット６は、ロボットハンド６ａによってカセット４から加工前のウェーハＷを取り出し、Ｙ軸方向に移動しつつ、アーム部４ｂが旋回することによりロボットハンド６ａを保持手段１０の近傍に移動させ、保持手段１０の保持面１１にウェーハＷの下面Ｗｂを載置する。次いで、図２に示すバルブ１５を開くとともに吸引源１６の吸引力を保持面１１に作用させ、保持面１１でウェーハＷを吸引保持する。このとき、空間１２に面したウェーハＷの下面Ｗｂは非接触のため、ゴミ等が付着することがない。 (1) Holding Step The transfer robot 6 takes out the unprocessed wafer W from the cassette 4 by the robot hand 6a and moves the arm part 4b while moving in the Y-axis direction, thereby holding the robot hand 6a in the vicinity of the holding means 10. And the lower surface Wb of the wafer W is placed on the holding surface 11 of the holding means 10. Next, the valve 15 shown in FIG. 2 is opened and the suction force of the suction source 16 is applied to the holding surface 11 to suck and hold the wafer W by the holding surface 11. At this time, since the lower surface Wb of the wafer W facing the space 12 is not in contact, dust or the like does not adhere.

（２）環状溝形成ステップ
保持ステップを実施した後、図１に示した移動基台７がＸ軸方向に移動し、保持手段１０を切削手段１７ａ及び切削手段１７ｂの下方に移動させ、ウェーハＷの外周部Ｗｃに環状溝を形成する。本実施形態では、切削手段１７ａのみで環状溝を形成する場合について説明する。 (2) Annular groove forming step After carrying out the holding step, the moving base 7 shown in FIG. 1 moves in the X-axis direction, and the holding means 10 is moved below the cutting means 17a and the cutting means 17b, and the wafer W An annular groove is formed in the outer peripheral portion Wc. In this embodiment, the case where an annular groove is formed only by the cutting means 17a will be described.

図４に示すように、切削手段１７ａの下方に移動してきた保持手段１０を例えば矢印Ａ方向に回転させる。切削手段１７ａは、スピンドル１９を回転させることにより、切削ブレード１８を例えば矢印Ｅ方向に所定の回転速度で回転させながら、図１に示した加工送り手段２０ａによって、切削手段１７ａをＺ軸方向に下降させ、保持手段１０に保持されたウェーハＷの外周部Ｗｃに回転する切削ブレード１８を切り込ませる。こうして切削ブレード１８によってウェーハＷの外周部Ｗｃにおける面取り部の一部を除去して所望の深さの環状溝７０を形成する。なお、回転する切削ブレード１８の刃先を所定高さに位置づけ、保持手段１０をＸ軸方向に移動させてウェーハＷの外周部Ｗｃに切削ブレード１８を切り込ませた後、保持手段１０を例えば矢印Ａ方向に回転させることにより、外周部Ｗｃにおける面取り部の一部を除去して所望の深さの環状溝７０を形成するようにしてもよい。 As shown in FIG. 4, the holding means 10 that has moved below the cutting means 17a is rotated in the direction of arrow A, for example. The cutting means 17a rotates the spindle 19 to rotate the cutting blade 18 at a predetermined rotational speed, for example, in the direction of arrow E, while the cutting means 17a is moved in the Z-axis direction by the processing feed means 20a shown in FIG. The rotating cutting blade 18 is cut into the outer peripheral portion Wc of the wafer W held by the holding means 10. In this way, a part of the chamfered portion of the outer peripheral portion Wc of the wafer W is removed by the cutting blade 18 to form the annular groove 70 having a desired depth. Note that the cutting edge of the rotating cutting blade 18 is positioned at a predetermined height, and the holding means 10 is moved in the X-axis direction to cut the cutting blade 18 into the outer peripheral portion Wc of the wafer W. By rotating in the A direction, a part of the chamfered portion of the outer peripheral portion Wc may be removed to form the annular groove 70 having a desired depth.

（３）洗浄ステップ
環状溝形成ステップを実施した後、搬送パッド９は、保持手段１０から加工後のウェーハＷを洗浄手段３０のスピンナーテーブル３１に搬送する。図５に示すように、スピンナーテーブル３１にウェーハＷを載置したら、バルブ１５ａを開き、吸引源１６ａの吸引力によってウェーハＷをスピンナーテーブル３１の保持面３１ａにおいて吸引保持する。その後、スピンナーテーブル３１を所定の回転速度（例えば８００ｒｐｍ）で、例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、スピンナーテーブル３１に保持されたウェーハＷに向けて洗浄水ノズル３２から洗浄水３３を供給し、ウェーハＷの洗浄を行う。洗浄終了後は、スピンナーテーブル３１を洗浄時より高速（例えば２０００ｒｐｍ）で回転させ、高圧エアーを噴出するなどして、ウェーハＷを乾燥させる。 (3) Cleaning Step After performing the annular groove forming step, the transfer pad 9 transfers the processed wafer W from the holding unit 10 to the spinner table 31 of the cleaning unit 30. As shown in FIG. 5, when the wafer W is placed on the spinner table 31, the valve 15a is opened, and the wafer W is sucked and held on the holding surface 31a of the spinner table 31 by the suction force of the suction source 16a. Thereafter, the cleaning water 33 is supplied from the cleaning water nozzle 32 toward the wafer W held on the spinner table 31 while rotating the spinner table 31 at a predetermined rotational speed (for example, 800 rpm) in the direction of arrow B, for example. Wash W. After the cleaning, the wafer W is dried by rotating the spinner table 31 at a higher speed (for example, 2000 rpm) than at the time of cleaning and blowing high-pressure air.

（４）検査ステップ
洗浄ステップを実施したら、環状溝７０が所望の溝幅、溝深さ及び溝底形状となっているかどうかを検査するために、図１に示した搬送ロボット６によってスピンナーテーブル３１から洗浄後のウェーハＷを搬出し、検査領域ＰにウェーハＷを搬送する。
（４−１）ウェーハ保持ステップ
ウェーハＷが検査領域Ｐに搬送された後、図６に示すように、各エッジクランプ４０が径方向に移動し、ウェーハＷの外周部Ｗｃをクランプして固定する。さらに、エッジクランプ４０がそれぞれ回転し、ウェーハＷを例えば矢印Ｃ方向に回転させる。 (4) Inspection Step After performing the cleaning step, the spinner table 31 is used by the transfer robot 6 shown in FIG. 1 to inspect whether the annular groove 70 has a desired groove width, groove depth, and groove bottom shape. Then, the cleaned wafer W is unloaded, and the wafer W is transferred to the inspection area P.
(4-1) Wafer Holding Step After the wafer W is transferred to the inspection region P, as shown in FIG. 6, each edge clamp 40 moves in the radial direction, and clamps and fixes the outer peripheral portion Wc of the wafer W. . Further, the edge clamps 40 are rotated to rotate the wafer W in the direction of arrow C, for example.

このとき、ウェーハＷの外周部Ｗｃを撮像手段５０が撮像してノッチＮをあらかじめ検出する。ノッチＮを検出したら、ノッチＮが形成された位置を図１に示した加工装置１の内部に備えるメモリに記憶させておく。なお、ノッチＮの検出は、撮像手段５０によって実施することに限定されるものではなく、例えば透過式のセンサを使用することもできる。 At this time, the imaging means 50 images the outer peripheral portion Wc of the wafer W to detect the notch N in advance. When the notch N is detected, the position where the notch N is formed is stored in a memory provided in the processing apparatus 1 shown in FIG. The detection of the notch N is not limited to being performed by the imaging unit 50, and for example, a transmissive sensor can be used.

（４−２）撮像ステップ図７（ａ）に示すように、撮像手段５０によってウェーハＷの外周部Ｗｃを撮像し、環状溝７０の溝幅を検出する。具体的には、エッジクランプ４０によってウェーハＷを回転させつつ、撮像手段５０は、ウェーハＷの上方から光源５１を発光させ外周部Ｗｃを撮像して図７（ｂ）に示す撮像画像１００を取得する。なお、光源５１に加えて光源５２をウェーハＷの下方に配設して、撮像時にウェーハＷの下方から発光させてもよい。 (4-2) Imaging Step As shown in FIG. 7A, the imaging means 50 images the outer peripheral portion Wc of the wafer W and detects the groove width of the annular groove 70. Specifically, while rotating the wafer W by the edge clamp 40, the imaging unit 50 emits the light source 51 from above the wafer W to capture the outer peripheral portion Wc and obtain the captured image 100 shown in FIG. 7B. To do. In addition to the light source 51, a light source 52 may be disposed below the wafer W, and light may be emitted from below the wafer W during imaging.

撮像画像１００は、一箇所で撮像された撮像画像の一例であり、撮像手段５０は複数箇所（例えば、３２箇所）で複数の撮像画像を形成することが望ましい。それぞれの撮像画像１００を取得した位置を上記ノッチＮが形成された位置を基準に加工装置１のメモリに記憶させる。 The captured image 100 is an example of a captured image captured at one location, and the imaging means 50 desirably forms a plurality of captured images at a plurality of locations (for example, 32 locations). The position where each captured image 100 is acquired is stored in the memory of the processing apparatus 1 with the position where the notch N is formed as a reference.

次いで、それぞれの位置で取得した撮像画像１００に基づいて環状溝７０の溝幅Ｌを算出し、この溝幅Ｌの大きさが許容範囲内であるかどうかを判断する。環状溝７０の溝幅Ｌとは、図７（ｂ）に示すように、環状溝７０の溝内周エッジ７２とウェーハＷの外周縁７３との間の径方向の長さを指す。 Next, the groove width L of the annular groove 70 is calculated based on the captured images 100 acquired at the respective positions, and it is determined whether or not the size of the groove width L is within an allowable range. The groove width L of the annular groove 70 indicates the length in the radial direction between the groove inner peripheral edge 72 of the annular groove 70 and the outer peripheral edge 73 of the wafer W, as shown in FIG.

（４−３）深さ測定ステップ
環状溝検出手段６０によって、環状溝７０の溝深さを測定する。ここで、加工装置１には、あらかじめ投光素子６１が投光するレーザービームの波長の受光レンズ６３に対する焦点距離と測定対象の上面高さとの関係を設定しておく。これにより、環状溝検出手段６０の受光素子６４が受光した反射光の受光量の分布を示す受光信号を波形データに変換することにより、環状溝７０の溝深さを検出することができる。なお、焦点距離は、受光レンズ６３の主点から受光素子６４上の焦点までの距離を指す。 (4-3) Depth Measurement Step The groove depth of the annular groove 70 is measured by the annular groove detection means 60. Here, in the processing apparatus 1, the relationship between the focal length of the wavelength of the laser beam projected by the light projecting element 61 with respect to the light receiving lens 63 and the height of the upper surface of the measurement target is set in advance. Thereby, the groove depth of the annular groove 70 can be detected by converting the received light signal indicating the distribution of the received light amount of the reflected light received by the light receiving element 64 of the annular groove detecting means 60 into the waveform data. The focal distance refers to the distance from the principal point of the light receiving lens 63 to the focal point on the light receiving element 64.

図８（ａ）に示すように、環状溝検出手段６０は、投光素子６１からレーザービームをウェーハＷの上面Ｗａと環状溝７０とに向けて照射する。レーザービームが帯状レーザービーム形成手段６２を通過する際、レーザービームは環状溝７０の幅方向に拡がった帯状レーザービーム６５に形成される。すなわち、図８（ｂ）の部分拡大図に示すように、帯状レーザービーム６５は、その照射範囲が拡がりウェーハＷの上面Ｗａと環状溝７０の溝底７１とにわたって照射される。 As shown in FIG. 8A, the annular groove detecting unit 60 irradiates the laser beam from the light projecting element 61 toward the upper surface Wa of the wafer W and the annular groove 70. When the laser beam passes through the belt-shaped laser beam forming means 62, the laser beam is formed into a belt-shaped laser beam 65 extending in the width direction of the annular groove 70. That is, as shown in the partially enlarged view of FIG. 8B, the irradiation range of the belt-like laser beam 65 is widened and is irradiated over the upper surface Wa of the wafer W and the groove bottom 71 of the annular groove 70.

帯状レーザービーム６５は、ウェーハＷの上面Ｗａと環状溝７０の溝底７１とにおいて反射すると、図８（ａ）に示す反射光６６となって、受光レンズ６３を介して所定の位置に集光されて受光素子６４で受光される。こうして複数の箇所において反射した反射光６６が受光素子６４で受光されることによって、受光量の分布を示す受光信号を図９に示す波形データに変換し、環状溝７０の溝深さを検出する。 When the belt-like laser beam 65 is reflected by the upper surface Wa of the wafer W and the groove bottom 71 of the annular groove 70, it becomes reflected light 66 shown in FIG. 8A and is condensed at a predetermined position via the light receiving lens 63. And is received by the light receiving element 64. In this way, the reflected light 66 reflected at a plurality of locations is received by the light receiving element 64, so that the received light signal indicating the distribution of the received light amount is converted into the waveform data shown in FIG. .

図９に示す波形データは、受光量が最も大きい部分がウェーハＷの上面Ｗａの高さ位置となっており、この位置から中間部分まで下がった位置が環状溝７０の溝底７１の高さ位置となっている。これにより、上面Ｗａの高さ位置と溝底７１の高さ位置との差を環状溝７０の溝深さＨ１として検出することができ、溝深さＨ１が所望の深さであるかどうかを判断することができる。 In the waveform data shown in FIG. 9, the portion where the amount of received light is the largest is the height position of the upper surface Wa of the wafer W, and the position lowered from this position to the middle portion is the height position of the groove bottom 71 of the annular groove 70. It has become. Thereby, the difference between the height position of the upper surface Wa and the height position of the groove bottom 71 can be detected as the groove depth H1 of the annular groove 70, and whether or not the groove depth H1 is a desired depth. Judgment can be made.

また、環状溝７０の溝深さＨ１に基づき、図４に示した切削ブレード１８の磨耗量を検出し、磨耗量に応じて切削ブレード１８の切り込み深さを調整するようにしてもよい。例えば、加工したウェーハＷの環状溝の深さが別に加工したウェーハＷの環状溝の深さと比べて５μｍ浅くなっていた場合、切削ブレード１８が５μｍ磨耗したとして判断し、次の新たなウェーハＷの加工時に切り込み深さを５μｍ深くするように調整する。 Further, the wear amount of the cutting blade 18 shown in FIG. 4 may be detected based on the groove depth H1 of the annular groove 70, and the cutting depth of the cutting blade 18 may be adjusted according to the wear amount. For example, when the depth of the annular groove of the processed wafer W is 5 μm shallower than the depth of the annular groove of the separately processed wafer W, it is determined that the cutting blade 18 is worn by 5 μm, and the next new wafer W The depth of cut is adjusted to be deeper by 5 μm during the processing.

（４−４）偏磨耗検出ステップ切削ブレード１８で切削されることにより形成された環状溝７０には切削ブレード１８の先端形状が転写されるため、ウェーハＷを複数加工することにより、切削ブレード１８の先端形状が偏磨耗すると、例えば、図１０（ａ）に示す環状溝７０ａのように、溝底７４において盛り上がった凸部７５が発生してしまい、溝底７４において高低差が生じることがある。特に、ウェーハＷの外周部Ｗｃに形成された面取りを除去するには、例えば厚みが０．５ｍｍ以上と厚い切削ブレードを用いることが多いため、偏磨耗が生じやすく、先端が先細りした形状に偏磨耗した場合は、先端部分が折れてしまうという問題が生じる。そのため、環状溝７０ａの溝底７４の形状を検出して切削ブレードの先端形状の磨耗量を検出する。 (4-4) Uneven Wear Detection Step Since the tip shape of the cutting blade 18 is transferred to the annular groove 70 formed by cutting with the cutting blade 18, the cutting blade 18 is processed by processing a plurality of wafers W. When the tip shape of the groove is unevenly worn, for example, a raised portion 75 that rises in the groove bottom 74 is generated like the annular groove 70a shown in FIG. . In particular, in order to remove the chamfer formed on the outer peripheral portion Wc of the wafer W, for example, a thick cutting blade having a thickness of 0.5 mm or more is often used, so uneven wear tends to occur, and the tip has a tapered shape. When worn, there arises a problem that the tip portion breaks. Therefore, the amount of wear at the tip shape of the cutting blade is detected by detecting the shape of the groove bottom 74 of the annular groove 70a.

ここで、図１０（ａ）に示す環状溝７０ａの溝底７４の形状を検出する方法としては、深さ測定ステップと同様の方法を用いることができる。すなわち、図８に示した環状溝検出手段６０によって帯状レーザービーム６５をウェーハＷの上面Ｗａと環状溝７０ａの溝底７４とに照射し、反射された反射光６６が受光レンズ６３を介して受光素子６４で受光されることにより、受光量の分布を示す受光信号を図１０（ｂ）に示す波形データに変換する。 Here, as a method of detecting the shape of the groove bottom 74 of the annular groove 70a shown in FIG. 10 (a), the same method as the depth measurement step can be used. That is, the belt-shaped laser beam 65 is irradiated on the upper surface Wa of the wafer W and the groove bottom 74 of the annular groove 70a by the annular groove detecting means 60 shown in FIG. 8, and the reflected reflected light 66 is received through the light receiving lens 63. By receiving the light at the element 64, the received light signal indicating the distribution of the received light amount is converted into the waveform data shown in FIG.

図１０（ｂ）に示す波形データでは、受光量の分布が示す溝底７４において盛り上がって凸部７５が生じているため、溝底７４と凸部７５との間の差を高低差Ｈ２として検出する。このように波形データに基づいて高低差Ｈ２を含んだ環状溝７０ａの溝底７４の形状を検出することにより、当該形状を図４に示す切削ブレード１８の先端形状として検出する。検出した高低差Ｈ２が、あらかじめ設定された高低差の許容範囲外である場合には、切削ブレード１８の先端形状に偏磨耗が発生していると判断し、図１に示したドレスボード保持手段８に保持されたドレスボードに回転する切削ブレード１８を切り込ませてフラットドレスを行う。また、切削ブレード１８の偏磨耗の程度によっては、新品の切削ブレードに交換してもよい。 In the waveform data shown in FIG. 10B, the convex portion 75 is raised at the groove bottom 74 indicated by the distribution of the amount of received light, so that the difference between the groove bottom 74 and the convex portion 75 is detected as the height difference H2. To do. Thus, by detecting the shape of the groove bottom 74 of the annular groove 70a including the height difference H2 based on the waveform data, the shape is detected as the tip shape of the cutting blade 18 shown in FIG. When the detected height difference H2 is outside the preset height difference allowable range, it is determined that uneven wear has occurred in the tip shape of the cutting blade 18, and the dressboard holding means shown in FIG. A flat dressing is performed by cutting the rotating cutting blade 18 into the dressboard held by 8. Further, depending on the degree of uneven wear of the cutting blade 18, it may be replaced with a new cutting blade.

検査ステップを実施した後、搬送ロボット６によって検査領域ＰからウェーハＷを搬出するとともにカセット４にウェーハＷを収容する。なお、検査ステップを実施して環状溝の溝幅、溝深さ及び溝底形状が許容範囲内に入らなかったウェーハＷは、不良のウェーハとしてカセット４の何段目に収容されたかを加工装置１のメモリに記憶させておく。あわせてノッチＮを基準にどの位置の溝幅、溝深さ及び溝底形状が許容範囲内に入らなかったのかについても記憶させることができる。 After performing the inspection step, the wafer W is unloaded from the inspection region P by the transfer robot 6 and is stored in the cassette 4. It should be noted that the processing device is used to determine the number of stages in the cassette 4 in which the wafer W in which the groove width, groove depth, and groove bottom shape of the annular groove are not within the allowable ranges after performing the inspection step is stored as a defective wafer. 1 is stored in the memory. In addition, it is possible to memorize at which position the groove width, groove depth and groove bottom shape did not fall within the allowable range with reference to the notch N.

以上のように、加工装置１は、ウェーハＷの上面ＷａとウェーハＷの外周部Ｗｃに形成された環状溝７０，７０ａとに幅方向に伸長する帯状レーザービーム６５を照射し、ウェーハＷの上面Ｗａと環状溝７０の溝底７１とにおいて反射された反射光６６に基づいて環状溝７０，７０ａの溝深さや溝底形状を検出する環状溝検出手段６０を備えているため、ウェーハＷに形成された環状溝７０，７０ａを検査するときにハイトゲージなどの測定機器がウェーハに接触することがなく、ウェーハＷに異物が付着するおそれやウェーハＷが破損するおそれを低減することができ、製品の生産性が向上する。 As described above, the processing apparatus 1 irradiates the upper surface Wa of the wafer W and the annular grooves 70 and 70a formed on the outer peripheral portion Wc of the wafer W with the belt-like laser beam 65 extending in the width direction, and the upper surface of the wafer W is irradiated. Since the annular groove detecting means 60 for detecting the groove depth and groove shape of the annular grooves 70 and 70a based on the reflected light 66 reflected by Wa and the groove bottom 71 of the annular groove 70 is provided, it is formed on the wafer W. When inspecting the formed annular grooves 70 and 70a, a measuring instrument such as a height gauge does not come into contact with the wafer, so that the possibility of foreign matter adhering to the wafer W or the damage of the wafer W can be reduced. Productivity is improved.

環状溝検出手段６０では、環状溝７０，７０ａの溝底の形状を検出することにより切削ブレードに偏磨耗が生じているかを検出できるため、適切なタイミングで切削ブレード１８のフラットドレスを実施したり、適切なタイミングで新品の切削ブレードに交換することができる。これにより、ウェーハＷの外周部Ｗｃに所望の溝深さを有する環状溝を確実に形成することができる。また、切削ブレードの先端部分が折れるという問題もなくなる。 Since the annular groove detecting means 60 can detect whether the cutting blade is unevenly worn by detecting the shape of the groove bottom of the annular grooves 70, 70a, the dressing of the cutting blade 18 is performed at an appropriate timing. It can be replaced with a new cutting blade at an appropriate timing. Thereby, an annular groove having a desired groove depth can be reliably formed in the outer peripheral portion Wc of the wafer W. Further, the problem that the tip portion of the cutting blade is broken is eliminated.

加工装置１は、ウェーハＷの外周部Ｗｃ側の上面Ｗａを撮像して環状溝７０を含んだ撮像画像１００を形成する撮像手段５０を備えているため、撮像画像１００に基づいて環状溝７０の溝幅Ｌを検出することができる。これにより、ウェーハＷ毎に環状溝７０の溝幅Ｌの大きさが許容範囲内であるかどうかを判断してウェーハＷが不良であるかどうかを検出し、製品の生産性をより向上させることができる。 Since the processing apparatus 1 includes the imaging unit 50 that images the upper surface Wa on the outer peripheral portion Wc side of the wafer W and forms the captured image 100 including the annular groove 70, the processing apparatus 1 includes the annular groove 70 based on the captured image 100. The groove width L can be detected. Thereby, for each wafer W, it is determined whether or not the size of the groove width L of the annular groove 70 is within an allowable range, and whether or not the wafer W is defective is detected, thereby improving the product productivity. Can do.

１：加工装置２：装置ベース２ａ：上面３：コラム４：カセット載置台
５：カセット６：搬送ロボット６ａ：ロボットハンド６ｂ：アーム部
７：移動基台８：ドレスボード保持手段９：搬送パッド
１０：保持手段１１：保持面１２：空間１３：切り欠き部１４：吸引口
１５，１５ａ：バルブ１６，１６ａ：吸引源１７ａ，１７ｂ：切削手段
１８：切削ブレード１９：スピンドル
２０ａ，２０ｂ：加工送り手段２１：ボールネジ２２：モータ２３：ガイドレール
２４：昇降板２５ａ，２５ｂ：割り出し送り手段２６：ボールネジ２７：モータ
２８：ガイドレール２９：移動板
３０：洗浄手段３１：スピンナーテーブル３２：洗浄水ノズル３３：洗浄水
４０：エッジクランプ５０：撮像手段５１：光源５２：光源
６０：環状溝検出手段６１：投光素子６２：帯状レーザービーム形成手段
６３：受光レンズ６４：受光素子６５：帯状レーザービーム６６：反射光
７０，７０ａ：環状溝７１：溝底７２：溝内周エッジ７３：外周縁
７４：溝底７５：凸部１００：撮像画像
Ｗ：ウェーハＷａ：上面Ｗｂ：下面Ｗｃ：外周部Ｄ：デバイスＮ：ノッチ 1: Processing device 2: Device base 2a: Upper surface 3: Column 4: Cassette mounting table 5: Cassette 6: Transfer robot 6a: Robot hand 6b: Arm unit 7: Moving base 8: Dressboard holding means 9: Transfer pad 10 : Holding means 11: Holding surface 12: Space 13: Notch part 14: Suction port 15, 15a: Valve 16, 16a: Suction source 17a, 17b: Cutting means 18: Cutting blade 19: Spindle 20a, 20b: Work feeding means 21: Ball screw 22: Motor 23: Guide rail 24: Lift plate 25a, 25b: Indexing feeding means 26: Ball screw 27: Motor 28: Guide rail 29: Moving plate 30: Cleaning means 31: Spinner table 32: Washing water nozzle 33: Washing water 40: edge clamp 50: imaging means 51: light source 52: light source 60: annular Detection means 61: Light projecting element 62: Band-shaped laser beam forming means 63: Light receiving lens 64: Light receiving element 65: Band-shaped laser beam 66: Reflected light 70, 70a: annular groove 71: groove bottom 72: groove inner peripheral edge 73: outside Periphery 74: Groove bottom 75: Convex portion 100: Captured image W: Wafer Wa: Upper surface Wb: Lower surface Wc: Outer peripheral portion D: Device N: Notch

Claims

A processing apparatus for processing a wafer having a chamfered portion from the front surface to the back surface formed on the outer periphery,
Holding means for holding the wafer;
A cutting means having a cutting blade that cuts the outer periphery of the wafer held by the holding means into a circular shape to form an annular groove and remove a part of the chamfered portion, and a spindle that rotates the cutting blade;
A belt-like laser beam extending in the width direction of the annular groove is irradiated on the bottom of the annular groove and the upper surface of the wafer adjacent to the annular groove, and based on the reflected light reflected on the upper surface of the wafer and the bottom of the annular groove. A processing apparatus comprising: an annular groove detecting unit that detects at least a depth of the annular groove and detects a shape of a tip end face of the cutting blade by detecting a groove bottom shape of the annular groove.

2. An imaging unit that images an upper surface of a wafer outer periphery to form a captured image including a width of the annular groove, and detects the width of the annular groove based on the captured image formed by the imaging unit. The processing apparatus as described in.