KR100492533B1 - Fabrication method of multi-step structure using anisotropic etching and multi-step structure - Google Patents

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Abstract

본 발명은 종래의 다단계 구조물 제작방법 및 다단계 구조물에 있어서, 실리콘기판 상에 간격이 변동하는 다수개의 슬릿을 마스크하는 마스크도포단계와; 상기 마스크도포단계에서 마스크된 상기 기판을 이방성 플라즈마 식각 방법으로 식각하는 식각단계와; 상기 식각단계에서 식각된 상기 기판상의 마스크를 세정하는 마스크세정단계와; 상기 마스크세정단계에서 세정된 상기 기판을 등방성 식각을 통해서 상기 슬릿간의 격벽을 제거하는 격벽제거단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법 및 이에 의해 제조된 다단계 구조물을 제공함으로써, 공정을 줄임으로서 제작비를 절감함과 아울러, 제작 오차를 줄여준다.The present invention provides a method for manufacturing a multi-stage structure and a multi-stage structure, comprising: a mask applying step of masking a plurality of slits having a gap on a silicon substrate; Etching the substrate masked in the mask applying step by an anisotropic plasma etching method; A mask cleaning step of cleaning the mask on the substrate etched in the etching step; A barrier rib removing step of removing barrier ribs between the slits by isotropic etching of the substrate cleaned in the mask cleaning step; By providing a multi-stage structure manufacturing method using the anisotropic etching, and the multi-stage structure manufactured thereby, comprising a configuration, including, to reduce the manufacturing cost and reduce the manufacturing error by reducing the process.

Description

이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제조방법 및 다단계 구조물{FABRICATION METHOD OF MULTI-STEP STRUCTURE USING ANISOTROPIC ETCHING AND MULTI-STEP STRUCTURE}Multi-Stage Structure Manufacturing Method Using Anisotropic Etching and Multi-Stage Structure {FABRICATION METHOD OF MULTI-STEP STRUCTURE USING ANISOTROPIC ETCHING AND MULTI-STEP STRUCTURE}

본 발명은 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법 및 상기 방법에 의해 제작된 다단계 구조물에 관한 것으로서, 상세하게는 이방성 식각의 로딩효과(Loading effect)를 이용하여 다단계 구조물을 제작하는 방법과 이에 의해 제작된 다단계 구조물에 관한 것이다.The present invention relates to a multi-stage structure manufacturing method using anisotropic etching and to a multi-stage structure manufactured by the above method, and in particular, a method for manufacturing a multi-stage structure using the loading effect of the anisotropic etching and produced by Relates to a multilevel structure.

다단계 구조물이란 슬라이더, 실리콘 2진 광학 마이크로 렌즈, 마이크로 렌즈 등과 같이 다수개의 단이나 경사면을 가지는 구조물 등을 말한다. The multi-level structure refers to a structure having a plurality of stages or inclined surfaces, such as a slider, a silicon binary optical micro lens, a micro lens, and the like.

슬라이더란 하드디스크 드라이브를 포함한 여러 종류의 정보저장장치의 핵심 부품으로서, 헤드(head)나 픽업(pick-up)이 빠른 속도로 회전하는 디스크 형태의 기록 매체 위에 안정적으로 일정한 높이로 부상하여 정보의 입출력을 수행할 수 있도록 도와주는 역할을 하는 것이다. 슬라이더는 기록 매체 디스크가 정지했을 때에는 디스크 표면에 착륙(landing)해 있다가 디스크가 회전을 시작하면 그 회전에 의해서 생기는 공기의 흐름을 타고 부상을 하게 된다. 따라서, 디스크가 회전을 시작할 때 슬라이더가 초기 부상력을 얻기 위해서는 슬라이더의 리딩에지(leading edge) 측에 수 밀리 라디안(radian) 정도의 작은 각을 가지는 경사진 테이퍼가 필요하며, 이후 안정적으로 부상하기 위해서 기록 매체와 마주보는 면에 에어베어링표면(air-bearing surface) 필요로 한다. Sliders are the core components of many types of information storage devices, including hard disk drives, which allow the head or pick-up to rise stably at a constant height on a disc-shaped recording medium that rotates at a high speed. It helps to perform I / O. The slider lands on the surface of the disk when the recording medium disk is stopped, and when the disk starts to rotate, the slider is injured by the flow of air generated by the rotation. Therefore, in order for the slider to obtain an initial flotation force when the disc starts to rotate, an inclined taper with a small angle of several milli radians is needed on the leading edge side of the slider. This requires an air-bearing surface on the side facing the recording medium.

종래에는 이러한 테이퍼와 에어베어링표면을 형성하기 위해서, 개별 슬라이더 표면을 연마하는 등의 기계가공 방식이 이용되고 있는데, 이러한 방식은 재현성이 떨어진다는 문제점이 있을 뿐만 아니라, 슬라이더의 개별 가공과 단위 공정 수의 증가로 인한 제작비 상승, 양산성 저하 등의 단점을 가지고 있다.Conventionally, in order to form such a taper and air bearing surface, machining methods such as polishing individual slider surfaces have been used. This method not only has a problem of poor reproducibility, but also individual processing of the slider and the number of unit processes. Due to the increase in manufacturing costs, there are disadvantages such as a decrease in mass production.

실리콘 2진 광학 마이크로 렌즈(binary optic micro lens)는 적외선 센서나 적외선 영상기등의 성능을 향상시키기 위해 많이 이용되는 것으로서, 여러 개의 단으로 이루어진 형태를 가지고 있다. 상기 실리콘 2진 광학 마이크로 렌즈는 그 단의 개수가 많아 질수록 우수한 광학적 성능을 가지게 되는데, 종래의 제작방법은 개의 단을 형성하기 위해서는 m개의 포토마스크를 이용하여 m-1번의 정렬을 하였다. 따라서, 여러 개의 포토마스크를 형성하고 식각하게 되므로 공정기간이 장시간 소요될 뿐만 아니라, 정렬과정의 오차의 누적으로 인하여 광학 성능의 손실이 발생한다는 문제점이 있다.Silicon binary optical microlenses (binary optic microlenses) are widely used to improve the performance of infrared sensors or infrared imagers, and have a multi-stage configuration. The silicon binary optical microlenses have excellent optical performance as the number of stages increases. In order to form four stages, m-1 alignments were performed using m photomasks. Therefore, since a plurality of photomasks are formed and etched, not only the process takes a long time but also a loss of optical performance occurs due to accumulation of errors in the alignment process.

종래의 마이크로 렌즈의 제작방법은 표면장력에 의해 형성되는 구면을 렌즈로 이용하거나, 등방성 식각 등의 방법으로 몰드를 형성하여 렌즈를 찍어내는 방법이다. 그러나, 이러한 방법은 제작방법의 특성상 구면렌즈의 제작만이 가능하다는 문제점이 있다.A conventional method of manufacturing a micro lens is a method of using a spherical surface formed by surface tension as a lens, or forming a mold by isotropic etching or the like to take out a lens. However, this method has a problem that only the production of spherical lenses is possible due to the characteristics of the manufacturing method.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 한 장의 포토마스크만을 사용하여 다단계 구조물을 제작하여, 공정을 줄임으로서 제작비를 절감함과 아울러, 제작 오차를 줄여주는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법과 상기 방법에 의해 제작된 다단계 구조물을 제공함을 그 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, to produce a multi-stage structure using only one photomask, to reduce the manufacturing cost by reducing the process, and to produce a multi-stage structure using anisotropic etching to reduce the manufacturing error It is an object of the present invention to provide a method and a multilevel structure manufactured by the method.

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 실리콘기판 상에 간격이 변동하는 다수개의 슬릿을 마스크하는 마스크도포단계와; 상기 마스크도포단계에서 마스크된 상기 기판을 이방성 플라즈마 식각 방법으로 식각하는 식각단계와; 상기 식각단계에서 식각된 상기 기판상의 마스크를 세정하는 마스크세정단계와; 상기 마스크세정단계에서 세정된 상기 기판을 등방성 식각을 통해서 상기 슬릿간의 격벽을 제거하는 격벽제거단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법을 제공한다.The present invention provides a mask coating step of masking a plurality of slits of varying spacing on a silicon substrate in order to achieve the above object; Etching the substrate masked in the mask applying step by an anisotropic plasma etching method; A mask cleaning step of cleaning the mask on the substrate etched in the etching step; A barrier rib removing step of removing barrier ribs between the slits by isotropic etching of the substrate cleaned in the mask cleaning step; It provides a multi-step structure manufacturing method using anisotropic etching, characterized in that configured to include.

또한, 상기 기판은 실리콘기판을 사용하며, 상기 식각단계에서 이방성 식각 방법은 이방성 플라즈마 식각방법을 사용하며, 상기 격벽제거단계에서 등방성 식각은 등방성 플라즈마 식각방법을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the substrate is a silicon substrate, the anisotropic etching method in the etching step uses an anisotropic plasma etching method, the isotropic etching in the barrier rib removing step is preferably used an isotropic plasma etching method.

또한, 상기 마스크도포단계는 테이퍼와, 에어베어링표면을 구비하는 공기 부상형 슬라이더를 제작하기 위해, 상기 공기 부상형 슬라이더의 상향경사진 테이퍼가 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 점점 좁아지도록 마스크 도포를 하고, 에어베어링표면중 상단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 일정하며 좁게 마스크를 도포하며, 에어베어링표면중 하단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 일정하며 넓게 마스크를 도포하는 것이 바람직하다.In addition, in the mask coating step, in order to manufacture an air-floating slider having a taper and an air bearing surface, a mask is applied on the silicon substrate on which the upwardly inclined taper of the air-floating slider is formed so that the interval between slits becomes narrower. On the silicon substrate on which the upper end of the air bearing surface is formed, the interval of the slit is constant and the mask is applied narrowly, and on the silicon substrate on which the lower end of the air bearing surface is formed, the interval of the slit is preferable and the mask is applied widely. Do.

한편, 상기 마스크도포단계는 다수개의 단으로 구성된 실리콘 이진 광학 마이크로렌즈를 제작하기 위해, 아래에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 넓게 마스크 도포를 하고, 위에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 좁게 마스크 도포하도록 구현할 수 있다.On the other hand, in the mask coating step, in order to fabricate a silicon binary optical microlens composed of a plurality of stages, a mask is applied on a silicon substrate on which a stage located below is formed with a wide interval of slit, and a silicon substrate on which a stage located above is formed. It can be implemented to mask-coating the interval between the slits on the narrow.

한편, 상기 마스크도포단계는 다수개의 단으로 구성된 비구면 렌즈형상의 마이크로 렌즈 몰드를 형성하기 위해, 아래에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 넓게 마스크 도포를 하고, 위에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 좁게 마스크 도포하도록 구현될 수 있다.On the other hand, the mask coating step is to form a microlens mold having an aspherical lens shape consisting of a plurality of stages, the mask is applied to a wider interval between the slits on the silicon substrate on which the lower stage is formed, the upper stage is formed On the silicon substrate, it can be implemented to apply a mask to narrow the gap between the slits.

또한, 본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 실리콘기판상에 간격이 변동하는 다수개의 슬릿을 마스크하는 마스크도포단계와; 상기 마스크도포단계에서 마스크된 상기 실리콘기판을 이방성 플라즈마 식각 방법으로 식각하는 식각단계와; 상기 식각단계에서 식각된 상기 실리콘기판의 마스크를 세정하는 마스크세정단계와; 상기 마스크세정단계에서 세정된 상기 실리콘기판을 산소 분위기의 가열로에서 가열하여 상기 실리콘기판의 표면에 실리콘 산화막()을 형성하는 실리콘 산화막 형성단계와; 상기 실리콘 산화막 형성단계에서 실리콘 산화막이 형성된 실리콘기판을 실리콘 산화막 식각액에서 식각하여, 상기 슬릿간의 격벽을 제거하는 격벽제거단계를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a mask coating step of masking a plurality of slits of varying intervals on a silicon substrate in order to achieve the above object; Etching the silicon substrate masked in the mask applying step by an anisotropic plasma etching method; A mask cleaning step of cleaning the mask of the silicon substrate etched in the etching step; The silicon substrate cleaned in the mask cleaning step is heated in a heating furnace in an oxygen atmosphere to form a silicon oxide film on the surface of the silicon substrate ( Forming a silicon oxide film; A barrier rib removing step of removing the barrier rib between the slits by etching the silicon substrate on which the silicon oxide layer is formed in the silicon oxide layer etchant in the silicon oxide layer forming step; It provides a multi-step structure manufacturing method using anisotropic etching, characterized in that configured to include.

또한, 본 발명은 상기 다단계 구조물 제작방법에 의해서 제작된 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물을 제공한다.In addition, the present invention provides a multi-level structure using anisotropic etching produced by the multi-step structure manufacturing method.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 하기 위하여 생략하기로 한다.However, in describing the present invention, a detailed description of known functions or configurations will be omitted in order not to disturb the gist of the present invention.

도1a 내지 도1d는 본 발명의 일실시예의 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법을 제작단계에 따라 도시한 것으로서, 도1a는 기판 상에 마스크가 도포된 상태의 단면도, 도1b는 기판이 식각된 상태의 단면도, 도1c는 기판 표면에 산화막이 형성된 상태의 단면도, 도1d는 격벽이 제거된 후 구조물이 완성된 상태의 단면도이다.1A to 1D illustrate a method of fabricating a multi-step structure using anisotropic etching according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a cross-sectional view of a mask coated on a substrate, and FIG. 1B is a substrate etched. 1C is a cross-sectional view of an oxide film formed on the surface of the substrate, and FIG. 1D is a cross-sectional view of a completed structure after the partition wall is removed.

도1a는 기판 상에 마스크가 도포된 상태의 단면도이다.1A is a cross-sectional view of a state where a mask is applied onto a substrate.

도시된 바와 같이, 기판(11)표면 상에 식각 마스크가 되는 물질(15)을 도포한 후 사진 식각 공정에 의해 슬릿(16A-C)이 형성되도록 패터닝한다. 상기 슬릿(16A-C)은 넓은 간격을 가지는 슬릿(16A)과 좁은 간격을 가지는 슬릿(16C)등 형성되는 단의 모양에 따라 다양하게 패터닝된다. 상기 기판(11)은 실리콘기판을 사용하는 것이 바람직하다. 다만, 이외에도 유리나, 갈륨비소등 다양한 물질을 사용할 수 있으며, 광학렌즈 등을 생산하는 경우에는 우수한 광학적 성질을 가지는 재료를 사용할 수 있다. 상기 마스크 물질(15)은 포터레지스터(photo resistor)등과 같은 다양한 물질이 사용 가능하다.As shown, the material 15 to be an etch mask is applied on the surface of the substrate 11 and then patterned to form the slits 16A-C by a photolithography process. The slits 16A-C are variously patterned according to the shape of the stages formed such as the slits 16A having a wide interval and the slits 16C having a narrow interval. The substrate 11 is preferably a silicon substrate. However, various materials such as glass, gallium arsenide, etc. may be used, and in the case of producing an optical lens, a material having excellent optical properties may be used. The mask material 15 may be formed of various materials such as a photo resistor.

도1b는 기판이 식각된 상태의 단면도이다.1B is a cross-sectional view of the substrate being etched.

도1a와 같이 기판(11)에 마스크(15)를 도포한 후에 이방성 식각방법으로 기판의 노출된 부분을 식각하면 도1b와 같은 형상이 형성된다. 상기 기판(11)을 실리콘기판을 사용하는 경우 상기 이방성 식각방법은 이방성 플라즈마 식각 방법이 바람직하다. After the mask 15 is applied to the substrate 11 as shown in FIG. 1A, the exposed portion of the substrate is etched by the anisotropic etching method to form a shape as illustrated in FIG. 1B. When the silicon substrate is used as the substrate 11, the anisotropic etching method is preferably an anisotropic plasma etching method.

실리콘기판(11)을 이방성 플라즈마 식각방법으로 식각을 하면, 로딩효과(Loading effect)로 인해서 넓은 간격을 가지는 슬릿(16A)에서 좀 더 깊게 식각이 진행되며, 좁은 간격을 가지는 슬릿(16C)에서는 얕게 식각이 진행된다. 도1B에서 살펴보면, 간격이 가장 좁은 슬릿(16C)이 일정하게 형성된 부분에서는 식각이 진행되어 최상단(12C)이 형성되고, 간격이 중간정도인 슬릿(16B)이 일정하게 형성된 부분에서는 식각이 진행되어 중간단(12B)이 형성되고, 간격이 가장 넓은 슬릿(16A)이 일정하게 형성된 부분에서는 식각이 진행되어 최하단(12A)이 형성된다. 또한, 마스크(15)가 도포된 부분의 하면에 위치하는 기판(11)은 식각되지 아니하고 격판(14)이 형성된다.When the silicon substrate 11 is etched by the anisotropic plasma etching method, the etching proceeds more deeply in the slit 16A having a wider gap due to the loading effect, and shallower in the slit 16C having a narrower gap. Etching proceeds. 1B, the etching proceeds at the portion where the narrowest slit 16C is constantly formed, and the top end 12C is formed, and the etching proceeds at the portion where the slit 16B having a medium interval is constant. The intermediate end 12B is formed, and in the part where the slit 16A with the largest space | interval is formed uniformly, etching progresses and the lowest end 12A is formed. In addition, the substrate 11 positioned on the lower surface of the portion to which the mask 15 is applied is not etched, and a diaphragm 14 is formed.

식각이 완료된 후에는 상기 마스크(15)를 세정한다.After the etching is completed, the mask 15 is cleaned.

도1c는 기판 표면에 산화막이 형성된 상태의 단면도이다.1C is a cross-sectional view of an oxide film formed on a substrate surface.

식각된 상기 실리콘기판(11)을 산소분위기의 가열로(furnace)에서 가열하면 기판(11)의 표면에 실리콘산화막()(13)이 형성된다.When the etched silicon substrate 11 is heated in a furnace of an oxygen atmosphere, a silicon oxide film ( 13 is formed.

상기 실리콘기판(11)의 표면에 형성된 실리콘산화막(13)을 산화막 식각액을 사용하여 식각함으로서, 기판(11)상에 형성되어 있던 격벽(14)을 제거한다. 상기 산화막 식각액은 BOE(buffered oxide etch)등과 같은 물질이 일반적으로 알려져 있다.The silicon oxide film 13 formed on the surface of the silicon substrate 11 is etched using an oxide film etchant to remove the partition 14 formed on the substrate 11. The oxide etching solution is generally known as a material such as a buffered oxide etch (BOE).

상기에서는 실리콘산화막(13)을 형성한 후 상기 격벽(14)을 제거하는 방법을 사용하였으나, 이외에도 등방성 식각을 이용해서 상기 격벽을 제거할 수도 있다.In the above method, the barrier rib 14 is removed after the silicon oxide layer 13 is formed. In addition, the barrier rib may be removed by isotropic etching.

도1d는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물의 단면도이다.1D is a cross sectional view of a multi-level structure using anisotropic etching.

도시된 바와 같이, 단차를 가지는 3개의 단(12A-C)을 구비하는 실리콘 기판이 형성된다.As shown, a silicon substrate having three steps 12A-C having steps is formed.

상기와 같이 본 발명은 한장의 포토마스크를 이용하여 다단계 구조물을 형성함으로서, 공정을 현저히 줄일 수 있으며, 공정 오차를 감소시킬 수 있다.As described above, the present invention can form a multi-level structure using a single photomask, thereby significantly reducing the process and reducing the process error.

도2 내지 도4는 본 발명의 제조방법에 의해 제조되는 슬라이드의 구조를 도시한 것으로서, 도2는 슬라이더의 사시도, 도3a는 식각된 상태의 슬라이드의 측면도, 도3b는 격벽이 제거된 상태의 슬라이드의 측면도, 도4는 도2의 슬라이드가 실리콘 기판상에 형성된 것을 도시한 사시도이다.Figures 2 to 4 show the structure of the slide manufactured by the manufacturing method of the present invention, Figure 2 is a perspective view of the slider, Figure 3a is a side view of the slide in an etched state, Figure 3b is a state in which the partition is removed 4 is a perspective view showing that the slide of FIG. 2 is formed on a silicon substrate.

슬라이더란 하드디스크 드라이브를 포함한 여러 종류의 정보저장장치의 핵심 부품으로서, 헤드(head)나 픽업(pick-up)이 빠른 속도로 회전하는 디스크 형태의 기록 매체 위에 안정적으로 일정한 높이로 부상하여 정보의 입출력을 수행할 수 있도록 도와주는 역할을 하는 것이다. 슬라이더는 기록 매체 디스크가 정지했을 때에는 디스크 표면에 착륙(landing)해 있다가 디스크가 회전을 시작하면 그 회전에 의해서 생기는 공기의 흐름을 타고 부상을 하게 된다. 따라서, 디스크가 회전을 시작할 때 슬라이더가 초기 부상력을 얻기 위해서는 슬라이더의 리딩에지(leading edge) 측에 수 밀리 라디안(radian) 정도의 작은 각을 가지는 경사진 테이퍼가 필요하며, 이후 안정적으로 부상하기 위해서 기록 매체와 마주보는 면에 에어베어링표면(air-bearing surface) 필요로 한다. Sliders are the core components of many types of information storage devices, including hard disk drives, which allow the head or pick-up to rise stably at a constant height on a disc-shaped recording medium that rotates at a high speed. It helps to perform I / O. The slider lands on the surface of the disk when the recording medium disk is stopped, and when the disk starts to rotate, the slider is injured by the flow of air generated by the rotation. Therefore, in order for the slider to obtain an initial flotation force when the disc starts to rotate, an inclined taper with a small angle of several milli radians is needed on the leading edge side of the slider. This requires an air-bearing surface on the side facing the recording medium.

도2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예로서의 슬라이더(20)는 리딩에지(leading edge:30)와 사이딩에지(siding edge:31)와 테일링에지(tailing edge:32)를 구비하는 사각판상의 슬라이더 본체와, 상기 본체의 상면(29)에 상기 슬라이더(20)의 부상을 위해 일정한 경사면이 형성된 테이퍼(27)와, 안정적 부상을 위해 상기 본체의 상면(29)에 돌출 되어 형성된 돌출부(28)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2, the slider 20 according to an embodiment of the present invention has a rectangular plate shape having a leading edge 30, a siding edge 31, and a tailing edge 32. A slider main body, a taper 27 having a constant inclined surface formed on the upper surface 29 of the main body 29 for the floating of the slider 20, and a protrusion 28 protruding from the upper surface 29 of the main body for stable floating. It is configured to include.

에어베어링표면은 상기 테이퍼(27)와 상기 돌출부(28)와 상기 상면(29)으로 구성된다. 이러한 에어베어링표면은 슬라이더의 요구되는 성능에 따라 다양하게 구성이 가능하다. 또한, 도시된 슬라이더(20)는 일실시예에 불과하며, 다양한 형태의 슬라이더가 알려져 있다. 본 발명은 도시된 슬라이더의 생산방법에만 적용되는 것은 아니며, 경사면과 단차를 가지는 모든 형상의 슬라이더 제작에 사용될 수 있다. The air bearing surface is composed of the taper 27, the protrusion 28 and the upper surface 29. These air bearing surfaces can be configured in various ways depending on the required performance of the slider. In addition, the slider 20 shown is only one embodiment, and various types of sliders are known. The present invention is not only applied to the production method of the slider shown, it can be used for the manufacture of sliders of all shapes having a slope and a step.

이하 도2에 도시된 슬라이더의 제작방법에 대해서 기술하겠다.Hereinafter, a method of manufacturing the slider shown in FIG. 2 will be described.

슬라이더의 제작방법은 도1에 도시된 다단계 구조물의 제작방법과 동일하다. 다만, 그 형상에 따라 마스크 되는 슬릿의 간격을 다르게 조정함으로서 원하는 형상을 제조할 수 있다.The manufacturing method of the slider is the same as the manufacturing method of the multi-stage structure shown in FIG. However, it is possible to manufacture the desired shape by adjusting the interval of the slit masked differently according to the shape.

도3a에 도시된 바와 같이, 테이퍼(27)의 상향경사면(22A)을 형성하기 위해서, 순차적으로 슬릿의 간격(26A-26B)이 좁아지도록 마스크를 도포하며, 상단을 형성하는 상기 테이퍼(27)의 평면(22B)과 상기 돌출부(28)는 슬릿의 간격이(26C)이 일정하며 좁게 형성되도록 마스크를 도포하며, 하단이 형성되는 상기 본체의 상면(29)은 슬릿의 간격(26D)이 일정하며 넓게 형성되도록 마스크를 도포한다.As shown in Fig. 3A, in order to form the upwardly inclined surface 22A of the taper 27, the mask is sequentially applied so that the gaps 26A to 26B of the slit are narrowed, and the taper 27 forming the upper end is formed. The plane 22B and the protrusions 28 apply a mask so that the gap between the slits is constant and the gap 26C is formed, and the upper surface 29 of the main body on which the lower end is formed has a constant gap between the slits 26D. Apply a mask to form a wide.

상기의 마스크도포단계를 제외한 식각단계와, 마스크 세정단계와, 산화막 형성단계와, 격벽제거 단계는 도1에 도시된 다단계 구조물 제작방법과 동일하다. The etching step except for the mask coating step, the mask cleaning step, the oxide film forming step, and the barrier rib removing step are the same as the method of manufacturing the multi-step structure shown in FIG.

도3b는 격벽제거 단계를 거친 후 제작이 완성된 슬라이더의 측면도이다. 도시된 바와 같이 기판(21)상에 테이퍼(27)와 상면(29)으로 구성된 슬라이더가 형성된다.Figure 3b is a side view of the slider is manufactured after the partition removal step. As shown, a slider composed of a taper 27 and an upper surface 29 is formed on the substrate 21.

도4는 도2의 슬라이드가 실리콘기판상에 형성된 것을 도시한 사시도이다.4 is a perspective view showing that the slide of FIG. 2 is formed on a silicon substrate.

도시된 바와 같이 한장의 실리콘웨이퍼(1)상에 다수개의 슬라이더(20)를 형성한 후 일반 반도체 집적회로 소자를 칩 단위로 분리하는 다이싱(dicing)의 방법을 이용하거나, 절단 부위를 이방성 플라즈마 식각의 방법으로 관통식각 하는 방법을 사용하여 개별 슬라이더(20)로 분리한다.As shown in the drawing, a plurality of sliders 20 are formed on a single silicon wafer 1, and then a dicing method of dividing a general semiconductor integrated circuit device into chip units is used. Using the etching method through the etching method to separate the individual slider (20).

상기와 같이 본 발명은 한 번의 마스크도포로 슬라이더의 테이퍼와 에어베어링표면을 형성할 수 있어 공정을 줄이고, 공정 오차를 감소시킬 수 있다.As described above, the present invention can form the taper of the slider and the air bearing surface with one mask coating, thereby reducing the process and reducing the process error.

또한, 한장의 실리콘 웨이퍼상에 다수개의 슬라이더를 동시에 생산할 수 있으므로, 종래의 기계가공 방식에 비해서, 동일한 형상의 슬라이더를 균일하게 다수 생산 할 수 있다는 장점이 있다.In addition, since a plurality of sliders can be produced simultaneously on a single silicon wafer, there is an advantage that a plurality of sliders having the same shape can be produced uniformly as compared to the conventional machining method.

도5a 및 도5b는 본 발명의 다단계 구조물 제조방법을 이용하여 제작된 실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈를 도시한 것으로서, 도5a는 식각된 상태의 실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈의 단면도, 도5b는 제작 완료된 실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈의 단면도이다.5A and 5B illustrate a silicon binary optical microlens manufactured by using the method of manufacturing a multi-stage structure of the present invention, FIG. 5A is a cross-sectional view of a silicon binary optical microlens in an etched state, and FIG. 5B is a manufactured silicon binary. Sectional view of an optical micro lens.

실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈는 다수개의 단이 적층되어 형성된다.Silicon binary optical microlenses are formed by stacking a plurality of stages.

도시된 바와 같이, 아래에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상(41)에는 슬릿의 간격(46A)이 넓게 마스크가 도포되고, 위에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격(46B)이 좁게 마스크가 도포된다.As shown in the figure, a mask is applied to the silicon substrate 41 on which the steps located below are formed to have a wider gap 46A, and a gap 46B on the silicon substrate on which the steps are formed to be narrowed on a silicon substrate. Is applied.

즉, 최상단에 위치한 단(42C)의 슬릿 간격(46C)이 가장 좁게 형성되며, 최하단에 위치한 단(42A)의 슬릿 간격(46A)의 간격이 가장 넓게 형성된다. That is, the slit gap 46C of the step 42C located at the top end is formed the narrowest, and the slit gap 46A of the step 42A located at the bottom is formed the widest.

전술한 바와 같이 마스크도포단계에서 마스크를 도포한 후 식각단계와, 마스크세정단계와 격벽제거단계를 거쳐 도시된 실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈가 형성된다.As described above, after the mask is applied in the mask coating step, the silicon binary optical microlens is formed through an etching step, a mask cleaning step, and a barrier rib removing step.

상기와 같이 본 발명은 한 번의 마스크도포로 여러 단으로 구성된 실리콘 이진 광학 마이크로렌즈를 형성함으로서, 각 단을 형성할 때마다 마스크를 도포하고 식각을 해야하는 종래의 방법에 비해 공정의 수를 줄여 공정 기간을 단축할 뿐만 아니라, 다수의 마스크를 도포함으로서 발생할 수 있는 정렬오차를 방지할 수 있다.As described above, the present invention forms a silicon binary optical microlens composed of several stages by applying a single mask, thereby reducing the number of processes compared to the conventional method of applying and etching a mask for each stage. In addition to shortening, it is possible to prevent misalignment that may occur by applying a plurality of masks.

도6a 내지 도6d는 본 발명의 다단계 구조물 제작방법에 의해서 제작되는 비구면 렌즈형상의 마이크로 렌즈 몰드의 구조를 도시한 것으로서, 도6a는 식각된 상태의 마이크로 렌즈 몰드의 측단면도, 도6b는 격벽이 제거된 상태의 몰드의 측단면도, 도6c는 렌즈 구성물질이 도6b의 몰드에 채워진 상태의 측단면도, 도6c는 도6b의 몰드를 제거한 후 완성된 렌즈의 측단면도이다.6A to 6D illustrate a structure of an aspheric lens-shaped micro lens mold manufactured by the method of manufacturing a multi-stage structure of the present invention. FIG. 6A is a side cross-sectional view of the micro lens mold in an etched state, and FIG. 6B is a partition wall. Figure 6c is a side cross-sectional view of the mold in the removed state, Figure 6c is a side cross-sectional view of the lens material filled in the mold of Figure 6b, Figure 6c is a side cross-sectional view of the completed lens after removing the mold of Figure 6b.

비구면 마이크로 렌즈의 경우도 다수개의 단이 적층되어 형성된다. 도시된 바와 같이 아래에 위치한 단(52A)이 형성되는 실리콘기판(51)상에는 슬릿의 간격(56A)이 넓게 마스크(55) 도포를 하고, 위에 위치한 단(52C)이 형성되는 실리콘기판상(51)상에는 슬릿의 간격(56C)이 좁게 마스크(55)를 도포한다.Aspherical microlenses are also formed by stacking a plurality of stages. As shown, the mask 55 is coated on the silicon substrate 51 having the slit 52A positioned below, and the silicon substrate 51 having the slit 52C disposed thereon is formed thereon. The mask 55 is apply | coated so that the space | interval 56C of a slit may narrow.

전술한 바와 같이 마스크도포단계에서 마스크를 도포한 후 식각단계와, 마스크세정단계와 격벽제거단계를 거쳐 도시된 마이크로 렌즈 몰드(51)가 형성된다. 몰드(51)를 형성한 후, 렌즈(60)를 구성하는 물질을 채워 넣은 후, 마이크로 렌즈 몰드(51)를 제거하면 비구면 마이크로 렌즈(60)가 형성된다.As described above, after applying the mask in the mask coating step, the micro lens mold 51 is formed through an etching step, a mask cleaning step, and a barrier rib removing step. After the mold 51 is formed, the material constituting the lens 60 is filled, and then the microlens mold 51 is removed to form the aspherical microlens 60.

상기에 열거한 슬라이더, 실리콘 이진 광학 마이크로렌즈, 및 마이크로 렌즈몰드 이외에도 본 발명의 다단계 구조물 제작방법은 경사면이나, 단차를 가지는 구조물의 제작에 다양하게 적용이 가능하다.In addition to the sliders, silicon binary optical microlenses, and microlens molds enumerated above, the multi-step structure fabrication method of the present invention can be variously applied to fabrication of an inclined surface or a structure having a step.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described above by way of example, the scope of the present invention is not limited to these specific embodiments, and may be appropriately changed within the scope described in the claims.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.According to the present invention as described above it can be expected the following effects.

먼저, 한장의 포토마스크를 이용하여 다단계 구조물을 형성함으로서, 공정을 현저히 줄일 수 있으며, 공정 오차를 감소시킬 수 있다.First, by forming a multi-level structure using a single photomask, the process can be significantly reduced, and the process error can be reduced.

또한, 한장의 실리콘 웨이퍼상에 다수개의 구조물을 동시에 생산할 수 있으므로, 동일한 형상의 구조물을 균일하게 다수 생산 할 수 있다는 장점이 있다.In addition, since a plurality of structures can be produced simultaneously on a single silicon wafer, there is an advantage that a plurality of structures having the same shape can be produced uniformly.

도1a 내지 도1d는 본 발명의 일실시예의 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법을 제작단계에 따라 도시한 것으로서,1A to 1D illustrate a method for manufacturing a multi-step structure using anisotropic etching according to an embodiment of the present invention, according to a manufacturing step,

도1a는 기판 상에 마스크가 도포된 상태의 단면도1A is a cross-sectional view of a state where a mask is applied on a substrate

도1b는 기판이 식각된 상태의 단면도1B is a cross-sectional view of the substrate being etched

도1c는 기판 표면에 산화막이 형성된 상태의 단면도1C is a cross-sectional view of an oxide film formed on a substrate surface

도1d는 격벽이 제거된 후 구조물이 완성된 상태의 단면도Figure 1d is a cross-sectional view of the completed structure after the partition is removed

도2 내지 도4는 본 발명의 제조방법에 의해 제조되는 슬라이드의 구조를 도시한 것으로서,2 to 4 show the structure of the slide produced by the manufacturing method of the present invention,

도2는 슬라이더의 사시도2 is a perspective view of a slider

도3a는 식각된 상태의 슬라이드의 측면도3A is a side view of the slide in an etched state

도3b는 격벽이 제거된 상태의 슬라이드의 측면도Figure 3b is a side view of the slide with the partition removed

도4는 도2의 슬라이드가 실리콘 기판 상에 형성된 것을 도시한 사시도4 is a perspective view showing that the slide of FIG. 2 is formed on a silicon substrate;

도5a 및 도5b는 본 발명의 다단계 구조물 제조방법을 이용하여 제작된 실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈를 도시한 것으로서,5A and 5B illustrate a silicon binary optical microlens manufactured by using the method of manufacturing a multilevel structure according to the present invention.

도5a는 식각된 상태의 실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈의 단면도Fig. 5A is a cross sectional view of a silicon binary optical micro lens in an etched state;

도5b는 제작 완료된 실리콘 이진 광학 마이크로 렌즈의 단면도Figure 5b is a cross-sectional view of the finished silicon binary optical micro lens

도6a 내지 도6d는 본 발명의 다단계 구조물 제작방법에 의해서 제작되는 비구면 렌즈형상의 마이크로 렌즈 몰드의 구조를 도시한 것으로서,6A to 6D illustrate the structure of an aspherical lens-shaped micro lens mold manufactured by the method of manufacturing a multi-stage structure according to the present invention.

도6a는 식각된 상태의 마이크로 렌즈 몰드의 측단면도Fig. 6A is a side cross-sectional view of the micro lens mold in the etched state.

도6b는 격벽이 제거된 상태의 몰드의 측단면도Fig. 6B is a side cross-sectional view of the mold with the partition removed.

도6c는 렌즈 구성물질이 도6b의 몰드에 채워진 상태의 측단면도FIG. 6C is a side cross-sectional view with the lens material filled in the mold of FIG. 6B

도6d는 도6b의 몰드를 제거한 후 완성된 렌즈의 측단면도FIG. 6D is a side cross-sectional view of the completed lens after removing the mold of FIG. 6B

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

11, 21, 41, 51, 61: 기판, 실리콘 기판11, 21, 41, 51, 61: substrate, silicon substrate

14, 24, 44, 54: 격벽 15: 마스크14, 24, 44, 54: bulkhead 15: mask

20: 슬라이더 27: 테이퍼20: Slider 27: Taper

40: 이진 광학 마이크로렌즈 50: 마이크로 렌즈 몰드40: binary optical microlens 50: microlens mold

60: 마이크로 렌즈60: microlens

Claims (10)

실리콘기판 상에 간격이 변동하는 다수개의 슬릿을 마스크하는 마스크도포단계와;A mask application step of masking a plurality of slits having a gap on the silicon substrate; 상기 마스크도포단계에서 마스크된 상기 기판을 이방성 플라즈마 식각 방법으로 식각하는 식각단계와;Etching the substrate masked in the mask applying step by an anisotropic plasma etching method; 상기 식각단계에서 식각된 상기 기판상의 마스크를 세정하는 마스크세정단계와;A mask cleaning step of cleaning the mask on the substrate etched in the etching step; 상기 마스크세정단계에서 세정된 상기 기판을 등방성 식각을 통해서 상기 슬릿간의 격벽을 제거하는 격벽제거단계를;A barrier rib removing step of removing barrier ribs between the slits by isotropic etching of the substrate cleaned in the mask cleaning step; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.Multi-step structure manufacturing method using anisotropic etching, characterized in that configured to include. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 격벽제거단계에서 등방성 식각은 등방성 플라즈마 식각방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.The isotropic etching of the barrier rib removing step is an isotropic plasma etching method, characterized in that for using anisotropic etching method. 제2항에 있어서, 상기 마스크도포단계는The method of claim 2, wherein the mask applying step 테이퍼와, 에어베어링표면을 구비하는 공기 부상형 슬라이더를 제작하기 위해,In order to manufacture an air floating slider having a taper and an air bearing surface, 상기 공기 부상형 슬라이더의 상향경사진 테이퍼가 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 점점 좁아지도록 마스크 도포를 하고, On the silicon substrate on which the upwardly inclined taper of the air floating slider is formed, a mask is applied so that the interval between the slits becomes narrower, 에어베어링표면중 상단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 일정하며 좁게 마스크를 도포하며,On the silicon substrate on which the upper end of the air bearing surface is formed, the slit spacing is constant and a mask is applied narrowly. 에어베어링표면중 하단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 일정하며 넓게 마스크를 도포하는 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.The method of manufacturing a multi-stage structure using anisotropic etching, characterized in that the interval between the slits is uniformly applied to the silicon substrate on which the lower end of the air bearing surface is formed. 제2항에 있어서, 상기 마스크도포단계는The method of claim 2, wherein the mask applying step 다수개의 단으로 구성된 실리콘 이진 광학 마이크로렌즈를 제작하기 위해,To fabricate a silicon binary optical microlens consisting of multiple stages, 아래에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 넓게 마스크 도포를 하고,On the silicon substrate where the lower stage is formed, apply a mask to widen the slit gap, 위에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 좁게 마스크 도포하는 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.Method of manufacturing a multi-step structure using anisotropic etching, characterized in that the mask is applied to the narrow gap between the slits on the silicon substrate is formed on the end. 제2항에 있어서, 상기 마스크도포단계는The method of claim 2, wherein the mask applying step 다수개의 단으로 구성된 비구면 렌즈형상의 마이크로 렌즈 몰드를 형성하기 위해,To form an aspherical lens-shaped micro lens mold composed of a plurality of stages, 아래에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 넓게 마스크 도포를 하고,On the silicon substrate where the lower stage is formed, apply a mask to widen the slit gap, 위에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 좁게 마스크 도포하는 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.Method of manufacturing a multi-step structure using anisotropic etching, characterized in that the mask is applied to the narrow gap between the slits on the silicon substrate is formed on the end. 실리콘기판상에 간격이 변동하는 다수개의 슬릿을 마스크하는 마스크도포단계와;A mask application step of masking a plurality of slits having a gap on the silicon substrate; 상기 마스크도포단계에서 마스크된 상기 실리콘기판을 이방성 플라즈마 식각 방법으로 식각하는 식각단계와;Etching the silicon substrate masked in the mask applying step by an anisotropic plasma etching method; 상기 식각단계에서 식각된 상기 실리콘기판의 마스크를 세정하는 마스크세정단계와;A mask cleaning step of cleaning the mask of the silicon substrate etched in the etching step; 상기 마스크세정단계에서 세정된 상기 실리콘기판을 산소 분위기의 가열로에서 가열하여 상기 실리콘기판의 표면에 실리콘 산화막()을 형성하는 실리콘 산화막 형성단계와;The silicon substrate cleaned in the mask cleaning step is heated in a heating furnace in an oxygen atmosphere to form a silicon oxide film on the surface of the silicon substrate ( Forming a silicon oxide film; 상기 실리콘 산화막 형성단계에서 실리콘 산화막이 형성된 실리콘기판을 실리콘 산화막 식각액에서 식각하여, 상기 슬릿간의 격벽을 제거하는 격벽제거단계를;A barrier rib removing step of removing the barrier rib between the slits by etching the silicon substrate on which the silicon oxide layer is formed in the silicon oxide layer etchant in the silicon oxide layer forming step; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.Multi-step structure manufacturing method using anisotropic etching, characterized in that configured to include. 제6항에 있어서, 상기 마스크도포단계는The method of claim 6, wherein the mask applying step 테이퍼와, 에어베어링표면을 구비하는 공기 부상형 슬라이더를 제작하기 위해,In order to manufacture an air floating slider having a taper and an air bearing surface, 상기 공기 부상형 슬라이더의 상향경사진 테이퍼가 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 점점 좁아지도록 마스크 도포를 하고, On the silicon substrate on which the upwardly inclined taper of the air floating slider is formed, a mask is applied so that the interval between the slits becomes narrower, 에어베어링표면중 상단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 일정하며 좁게 마스크를 도포하며,On the silicon substrate on which the upper end of the air bearing surface is formed, the slit spacing is constant and a mask is applied narrowly. 에어베어링표면중 하단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격이 일정하며 넓게 마스크를 도포하는 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.The method of manufacturing a multi-stage structure using anisotropic etching, characterized in that the interval between the slits is uniformly applied to the silicon substrate on which the lower end of the air bearing surface is formed. 제6항에 있어서, 상기 마스크도포단계는The method of claim 6, wherein the mask applying step 다수개의 단으로 구성된 실리콘 이진 광학 마이크로렌즈를 제작하기 위해,To fabricate a silicon binary optical microlens consisting of multiple stages, 아래에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 넓게 마스크 도포를 하고,On the silicon substrate where the lower stage is formed, apply a mask to widen the slit gap, 위에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 좁게 마스크도포하는 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.Method for manufacturing a multi-level structure using anisotropic etching, characterized in that the mask is applied to the narrow gap between the slits on the silicon substrate on which the end is formed. 제6항에 있어서, 상기 마스크도포단계는The method of claim 6, wherein the mask applying step 다수개의 단으로 구성된 비구면 렌즈형상의 마이크로 렌즈 몰드를 형성하기 위해,To form an aspherical lens-shaped micro lens mold composed of a plurality of stages, 아래에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 넓게 마스크 도포를 하고,On the silicon substrate where the lower stage is formed, apply a mask to widen the slit gap, 위에 위치한 단이 형성되는 실리콘기판상에는 슬릿의 간격을 좁게 마스크 도포하는 것을 특징으로 하는 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물 제작방법.Method of manufacturing a multi-step structure using anisotropic etching, characterized in that the mask is applied to the narrow gap between the slits on the silicon substrate is formed on the end. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 다단계 구조물 제작방법에 의해서 제작된 이방성 식각을 이용한 다단계 구조물.10. A multistage structure using anisotropic etching produced by the multistage structure manufacturing method of any one of claims 1 to 9.
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