KR102388724B1 - Method of manufacturing mask for deposition - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 기판의 외면에 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 제1 포토마스크를 제1 포토레지스트층에 배치하고, 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크 사이의 거리를 조절하면서 제1 포토레지스트층의 일 부분을 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 현상하여 제1 포토레지스트층에 제1 마스크 패턴공을 형성하는 단계와, 제1 마스크 패턴공에 제1 금속층을 도금하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 증착용 마스크 제조 방법을 개시한다.One embodiment of the present invention comprises the steps of applying a first photoresist layer to the outer surface of a substrate, placing a first photomask on the first photoresist layer, and measuring the distance between the first photoresist layer and the first photomask Exposing a portion of the first photoresist layer while controlling, developing the first photoresist layer to form a first mask pattern hole in the first photoresist layer, and a first metal layer in the first mask pattern hole Disclosed is a method of manufacturing a mask for deposition, which includes plating the layer and removing the first photoresist layer.

Description

증착용 마스크 제조 방법{Method of manufacturing mask for deposition}Method of manufacturing mask for deposition

본 발명의 실시예들은 증착용 마스크 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a method of manufacturing a mask for deposition.

일반적으로 평판 디스크플레이 중의 하나인 유기 발광 표시 장치는 능동 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 저전압으로 구동이 가능하며, 경량의 박형이면서 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시 소자로서 주목을 받고 있다.In general, an organic light emitting diode display, which is one of flat panel disk plays, is an active light emitting display device that has a wide viewing angle, excellent contrast, can be driven at a low voltage, and has the advantages of being lightweight, thin and fast in response. It is attracting attention as a small child.

이러한 발광 소자는 발광층을 형성하는 물질에 따라 무기 발광 소자와 유기 발광 소자로 구분되는데, 유기 발광 소자는 무기 발광 소자에 비해 휘도, 응답속도 등의 특성이 우수하고, 컬러 디스플레이가 가능하다는 장점을 가지고 있어 최근 그 개발이 활발하게 진행되고 있다.These light emitting devices are divided into inorganic light emitting devices and organic light emitting devices according to the material forming the light emitting layer, and organic light emitting devices have superior characteristics such as luminance and response speed compared to inorganic light emitting devices and have the advantage of enabling color display. Its development has been actively carried out recently.

유기 발광 표시 장치는 유기막 및/또는 전극을 진공 증착법에 의해 형성한다. 그러나 유기 발광 표시 장치가 점차 고해상도화 함에 따라 증착 공정시 사용되는 마스크의 오픈슬릿(open slit)의 폭이 점점 좁아지고 있으며 그 산포 또한 점점 더 감소될 것이 요구되어지고 있다. In an organic light emitting display device, an organic layer and/or an electrode is formed by a vacuum deposition method. However, as the organic light emitting diode display gradually increases in resolution, the width of the open slit of the mask used in the deposition process becomes narrower and the dispersion thereof is also required to be further reduced.

또한, 고해상도 유기 발광 표시 장치를 제작하기 위해서는 쉐도우 현상(shadow effect)을 줄이거나 없애는 것이 필요하다. 그에 따라, 기판과 마스크를 밀착시킨 상태에서 증착 공정을 진행하고 있으며, 기판과 마스크의 밀착도를 향상시키기 위한 기술의 개발이 대두되고 있다.In addition, in order to manufacture a high-resolution organic light emitting diode display, it is necessary to reduce or eliminate a shadow effect. Accordingly, the deposition process is performed in a state in which the substrate and the mask are in close contact, and the development of a technique for improving the adhesion between the substrate and the mask is emerging.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 실시예들의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 실시예들의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.The above-mentioned background art is technical information that the inventor possessed for the derivation of the embodiments of the present invention or acquired in the process of derivation, and it cannot be said that it is necessarily known technology disclosed to the general public prior to the filing of the embodiments of the present invention. does not exist.

본 발명의 실시예들은 증착용 마스크 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a method of manufacturing a mask for deposition.

본 발명의 일 실시예는 기판의 외면에 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 제1 포토마스크를 제1 포토레지스트층에 배치하고, 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크 사이의 거리를 조절하면서 제1 포토레지스트층의 일 부분을 노광하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 현상하여 제1 포토레지스트층에 제1 마스크 패턴공을 형성하는 단계와, 제1 마스크 패턴공에 제1 금속층을 도금하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 증착용 마스크 제조 방법을 개시한다.One embodiment of the present invention comprises the steps of applying a first photoresist layer to the outer surface of a substrate, placing a first photomask on the first photoresist layer, and measuring the distance between the first photoresist layer and the first photomask Exposing a portion of the first photoresist layer while controlling, developing the first photoresist layer to form a first mask pattern hole in the first photoresist layer, and a first metal layer in the first mask pattern hole Disclosed is a method of manufacturing a mask for deposition, which includes plating the layer and removing the first photoresist layer.

본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층의 일 부분을 노광하는 단계에서, 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크 사이의 거리는 점진적으로 멀어지는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, in the step of exposing a portion of the first photoresist layer, the distance between the first photoresist layer and the first photomask may be gradually increased.

본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층의 노광 영역이 점진적으로 확대되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, it may be characterized in that the exposure area of the first photoresist layer is gradually enlarged.

본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크 사이의 거리를 조절하는 방법으로, 기판 및 제1 포토마스크 중 적어도 하나를 이동시키는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, as a method of adjusting the distance between the first photoresist layer and the first photomask, at least one of the substrate and the first photomask may be moved.

본 실시예에 있어서, 기판 또는 제1 포토마스크는 다른 하나에 대해 등속 운동하는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the substrate or the first photomask may be characterized in that it moves at a constant velocity relative to the other.

본 실시예에 있어서, 기판 또는 제1 포토마스크는 다른 하나에 대해 가속 운동하는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the substrate or the first photomask may be characterized in accelerated motion relative to the other.

본 실시예에 있어서, 제1 마스크 패턴공의 내면은 테이퍼(taper)진 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the inner surface of the first mask pattern hole may be characterized in that it has a tapered shape.

본 실시예에 있어서, 테이퍼(taper)진 상기 제1 마스크 패턴공의 내면 형상의 기울기는 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크가 서로 이격될 때 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크의 속도 차이에 반비례하는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the slope of the inner surface shape of the tapered first mask pattern hole is the speed of the first photoresist layer and the first photomask when the first photoresist layer and the first photomask are spaced apart from each other. It can be characterized in that it is inversely proportional to the difference.

본 실시예에 있어서, 제1 마스크 패턴공의 내면은 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the inner surface of the first mask pattern hole may be characterized in that it has a curved shape.

본 실시예에 있어서, 제1 마스크 패턴공에 제1 금속층을 도금하는 방법으로, 전기주조(Electro-forming) 방식으로 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, as a method of plating the first metal layer on the first mask pattern hole, it may be characterized in that it is performed by an electro-forming method.

본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층을 현상하는 단계는, 노광된 제1 포토레지스트층의 일 부분을 제외한 나머지 제1 포토레지스트층의 다른 부분이 제거되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the step of developing the first photoresist layer may be characterized in that other portions of the first photoresist layer other than the exposed portion of the first photoresist layer are removed.

본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층을 현상하는 단계는, 노광된 제1 포토레지스트층의 일 부분이 제거되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the step of developing the first photoresist layer may be characterized in that a portion of the exposed first photoresist layer is removed.

본 실시예에 있어서, 제1 금속층과 제1 포토레지스트층에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 제2 포토마스크를 제2 포토레지스트층에 배치하고, 제2 포토레지스트층의 일 부분을 노광하는 단계와, 제2 포토레지스트층을 현상하여 제2 포토레지스트층에 제2 마스크 패턴공을 형성하는 단계와, 제2 마스크 패턴공에 제2 금속층을 도금하는 단계와, 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.In this embodiment, applying a second photoresist layer to the first metal layer and the first photoresist layer, placing a second photomask on the second photoresist layer, and removing a portion of the second photoresist layer Exposing, developing the second photoresist layer to form second mask pattern holes in the second photoresist layer, plating the second metal layer on the second mask pattern holes, and the second photoresist layer It may further include the step of removing

본 실시예에 있어서, 제2 마스크 패턴공은 제2 포토레지스트층의 양 단부에 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the second mask pattern holes may be formed at both ends of the second photoresist layer.

본 실시예에 있어서, 제2 금속층은 제1 금속층의 양 단부에 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the second metal layer may be formed at both ends of the first metal layer.

본 실시예에 있어서, 제2 마스크 패턴공에 제2 금속층을 도금하는 방법으로, 전기주조(Electro-forming) 방식으로 수행되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, as a method of plating the second metal layer on the second mask pattern hole, it may be characterized in that it is performed by an electro-forming method.

본 실시예에 있어서, 제2 포토레지스트층을 현상하는 단계는, 노광된 제2 포토레지스트층의 일 부분을 제외한 나머지 제2 포토레지스트층의 다른 부분이 제거되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the step of developing the second photoresist layer may be characterized in that other portions of the second photoresist layer other than the exposed portion of the second photoresist layer are removed.

본 실시예에 있어서, 제2 포토레지스트층을 현상하는 단계는, 노광된 제2 포토레지스트층의 일 부분이 제거되는 것을 특징으로 할 수 있다.In this embodiment, the step of developing the second photoresist layer may be characterized in that a portion of the exposed second photoresist layer is removed.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 실시예들에 따르면, 노광 공정에 필요한 포토마스크의 개수를 줄임으로써, 증착용 마스크의 제조 공정 소요시간을 단축시킬 수 있으며, 동시에 증착용 마스크에 테이퍼(taper) 형상의 단면을 갖는 패턴홀을 형성할 수 있다.According to the embodiments of the present invention made as described above, by reducing the number of photomasks required for the exposure process, the time required for the manufacturing process of the deposition mask can be shortened, and at the same time, the deposition mask has a tapered shape. A pattern hole having a cross-section of can be formed.

물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 관한 증착용 마스크 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 14 내지 도 17은 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크가 서로 등속도로 이격되는 경우를 나타내는 단면도이다.
도 18은 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크가 서로 가속되며 이격되는 경우를 나타내는 단면도이다.
도 19는 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크가 서로 감속되며 이격되는 경우를 나타내는 단면도이다.1 to 13 are cross-sectional views schematically illustrating a method of manufacturing a deposition mask according to an embodiment of the present invention.
14 to 17 are cross-sectional views illustrating a case in which a first photoresist layer and a first photomask are spaced apart from each other at a constant velocity.
18 is a cross-sectional view illustrating a case in which a first photoresist layer and a first photomask are accelerated and spaced apart from each other.
19 is a cross-sectional view illustrating a case in which a first photoresist layer and a first photomask are decelerated and spaced apart from each other.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense. Also, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the terms include or have means that the features or elements described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or elements will be added is not excluded in advance.

또한, 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.In addition, in the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar. In addition, when certain embodiments may be implemented differently, a specific process sequence may be performed differently from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the order described.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .

도 1 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 관한 증착용 마스크 제조 방법을 단계적으로 나타내는 단면도이다.1 to 13 are cross-sectional views illustrating in stages a method of manufacturing a deposition mask according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 1을 참조하면, 증착용 마스크의 제조 방법은 후술할 여러가지 구조물들을 적층할 수 있는 기판(100)을 마련하고, 기판(100)의 외면에 제1 포토레지스트층(110)을 도포함으로써 시작된다. 이러한 제1 포토레지스트층(110)은 포지티브(Positive) 및 네거티브(Negative)형 중 어느 하나로 선택되어 기판(100)에 도포될 수 있다.First, referring to FIG. 1 , a method of manufacturing a deposition mask starts by preparing a substrate 100 on which various structures to be described later are stacked, and applying a first photoresist layer 110 to the outer surface of the substrate 100 . do. The first photoresist layer 110 may be applied to the substrate 100 by selecting one of a positive type and a negative type.

상세히, 포지티브형의 제1 포토레지스트층(110)은 노광(Light exposure)된 영역이 이후 현상(Developing) 과정에서 식각되며(도 6 참조), 반대로 네거티브형의 제1 포토레지스트층(110)은 노광된 영역을 제외한 나머지 영역이 식각되는 특성이 있다(도 5 참조). 이러한 포지티브형 및 네거티브형의 제1 포토레지스트층(110)을 이용하여 현상 및 식각 공정을 수행하는 것은 이후에 도 5와 도 6을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.In detail, the positive-type first photoresist layer 110 is etched in the development process after the light-exposed area (refer to FIG. 6 ). Conversely, the negative-type first photoresist layer 110 is There is a characteristic that the remaining area except for the exposed area is etched (refer to FIG. 5 ). The development and etching process using the positive and negative first photoresist layer 110 will be described in detail later with reference to FIGS. 5 and 6 .

한편, 제1 포토레지스트층(110)은 포토레지스트액(미도시)을 기판(100)에 스핀 코팅(Spin-coaring) , 스프레이 또는 담금 등의 다양한 방법으로 도포함으로써 형성될 수 있으나, 바람직하게는 대형 기판에 대해서도 포토레지스트액을 고르게 도포할 수 잇는 스핀 코팅 방법이 사용될 수있다.Meanwhile, the first photoresist layer 110 may be formed by applying a photoresist solution (not shown) to the substrate 100 by various methods such as spin-coating, spraying, or immersion, but preferably A spin coating method that can evenly apply a photoresist solution to a large substrate can also be used.

또한, 제1 포토레지스트층(110)을 기판(100)의 외면에 도포하기 이전에, 제1 포토레지스트층(110)이 도포될 기판(100)의 외면을 연마(Polishing)하는 공정을 추가적으로 실시할 수 있다. 이를 통해, 기판(100)의 외면이 매끄럽게 가공되어 제1 포토레지스트층(110)을 기판(100)에 고르게 도포할 수 있을 뿐만 아니라, 이후 제작되는 증착용 마스크와 증착 물질이 증착되는 디스플레이 기판(미도시)과의 밀착도를 향상시킬 수 있다.In addition, before applying the first photoresist layer 110 to the outer surface of the substrate 100, a process of polishing the outer surface of the substrate 100 on which the first photoresist layer 110 is to be applied is additionally performed can do. Through this, the outer surface of the substrate 100 is processed smoothly, so that the first photoresist layer 110 can be evenly applied to the substrate 100, as well as a mask for deposition and a display substrate on which deposition materials are deposited ( (not shown) can improve adhesion.

다음으로, 도 2를 참조하면, 복수개의 제1 개구부(121)가 형성된 제1 포토마스크(120)를 제1 포토레지스트층(110)에 배치하여, 개구부에 의해 노출되는 제1 포토레지스트층(110)의 일 부분을 노광할 수 있다. 이렇게 노광된 제1 포토레지스트층(110)의 일 부분에는 제1 노광 영역(111)이 형성될 수 있다. 여기서, 제1 노광 영역(111)은 각각 참조부호 d1의 폭을 가지도록 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 2 , a first photomask 120 having a plurality of first openings 121 formed thereon is disposed on the first photoresist layer 110 , and the first photoresist layer exposed by the openings ( 110) can be exposed. A first exposure region 111 may be formed on a portion of the first photoresist layer 110 exposed in this way. Here, the first exposure area 111 may be formed to have a width of d 1 , respectively.

도 3을 참조하면, 제1 포토레지스트층(110)에 제1 노광 영역(111)을 형성하는 과정은 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120) 사이의 거리를 조절하면서 수행될 수 있다. 도 3은 제1 포토마스크(120)가 제1 포토레지스트층(110)에 대해 참조부호 h만큼의 높이를 갖도록 상측으로 이동한 모습을 나타낸다.Referring to FIG. 3 , the process of forming the first exposure region 111 on the first photoresist layer 110 is performed while adjusting the distance between the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 . can be FIG. 3 shows a state in which the first photomask 120 is moved upward to have a height as high as h with respect to the first photoresist layer 110 .

이렇게 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)의 사이의 거리를 조절하는 방법으로, 기판(100)과 제1 포토마스크(120) 중 적어도 하나를 다른 하나에 대해 이동시킬 수 있다. 기판(100)과 제1 포토마스크(120) 중 적어도 하나가 다른 하나에 대해 이동함으로써, 기판(100)의 외면에 도포된 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)의 거리는 점진적으로 멀어질 수 있으며, 노광되는 제1 포토레지스트층(110)의 일 부분의 제1 노광 영역(111) 또한 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)의 거리가 점진적으로 멀어짐에 따라 점진적으로 확대될 수 있다.In this way, by adjusting the distance between the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 , at least one of the substrate 100 and the first photomask 120 can be moved relative to the other. there is. When at least one of the substrate 100 and the first photomask 120 moves with respect to the other, the distance between the first photoresist layer 110 applied to the outer surface of the substrate 100 and the first photomask 120 is The distance between the first exposure region 111 and the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 of a portion of the first photoresist layer 110 to be exposed may be gradually increased. It can be progressively enlarged with distance.

상세히, 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)은 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120) 사이의 거리가 점진적으로 멀어지는 과정 중에 지속적으로 형성될 수 있다. 그리고, 도 3에 나타난 바와 같이 제1 포토마스크(120)가 제1 포토레지스트층(110)에 대해 참조부호 h만큼의 높이를 갖도록 위치할 경우,제1 포토레지스트층(110)의 참조부호 d2의 폭을 갖는 영역이 노광될 수 있다.In detail, the first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 may be continuously formed while the distance between the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 is gradually increased. . And, as shown in FIG. 3 , when the first photomask 120 is positioned to have a height corresponding to the reference symbol h with respect to the first photoresist layer 110 , the reference symbol d of the first photoresist layer 110 . An area with a width of 2 may be exposed.

따라서, 참조부호 d1의 폭에 해당하는 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)은 노광 공정 중에 지속적으로 빛에 노출되므로 기판(100)에 인접하는 영역까지 노광될 수 있으나, 참조부호 d2의 폭에 해당하는 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)은 상대적으로 빛에 노출되는 시간이 짧아 기판(100)에 인접하는 영역까지 노광되지 않는다.Therefore, since the first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 corresponding to the width of reference numeral d1 is continuously exposed to light during the exposure process, it can be exposed up to the region adjacent to the substrate 100, The first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 corresponding to the width of reference numeral d 2 is not exposed to the region adjacent to the substrate 100 because the exposure time to light is relatively short.

이러한 방법으로 노광 공정이 진행될 경우, 도 4에 나타난 바와 같이 서로 다른 음영으로 표시된 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)은 평행사변형 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)의 단면은 테이퍼(taper)진 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 노광 영역(111)의 형상에 따라, 후술할 제1 포토레지스트층(110)의 현상 공정 후 형성되는 제1 마스크 패턴공(112)의 형상이 결정될 수 있다.When the exposure process is performed in this way, as shown in FIG. 4 , the first exposure area 111 of the first photoresist layer 110 indicated by different shades may be formed in a parallelogram shape. That is, the cross-section of the first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 may be formed in a tapered shape. According to the shape of the first exposure area 111 , the shape of the first mask pattern hole 112 formed after the developing process of the first photoresist layer 110 to be described later may be determined.

도 5 및 도 6은 제1 포토레지스트층(110)을 현상한 모습을 나타내는 도면이다. 전술한 바와 같이, 도 5에 나타난 제1 포토레지스트층(110)은 네거티브형의 포토레지스트액을 이용한 것으로써, 현상 공정을 거치며 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)을 제외한 나머지 제1 포토레지스트층(110)의 다른 부분이 제거된 모습을 나타낸다.5 and 6 are views showing a state in which the first photoresist layer 110 is developed. As described above, the first photoresist layer 110 shown in FIG. 5 uses a negative photoresist solution, and the first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 is developed through a development process. A state in which other portions of the remaining first photoresist layer 110 have been removed is shown.

반면, 도 6에 나타난 제2 포토레지스트층(110)은 포지티브형의 포토레지스트액을 이용한 것으로써, 현상 공정을 거치며 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)이 제거된 모습을 나타낸다. 이렇게 현상 공정을 통해 제거된 제1 포토레지스트층(110)의 다른 부분(도 5)이나, 제거된 제1 노광 영역(111)에는 제1 마스크 패턴공(112)이 형성될 수 있다.On the other hand, the second photoresist layer 110 shown in FIG. 6 uses a positive photoresist solution, and the first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 is removed through a development process. indicates A first mask pattern hole 112 may be formed in another portion of the first photoresist layer 110 removed through the developing process ( FIG. 5 ) or in the removed first exposure region 111 .

다음으로, 도 7은 현상 공정을 통해 제1 포토레지스트층(110)에 형성된 제1 마스크 패턴공(112)에 제1 금속층(130)을 도금한 모습을 나타낸다. 제1 마스크 패턴공(112)은 제1 포토레지스트층(110)에 의해 덮여진 기판(100)의 일부를 제외한 나머지 부분을 노출시키며, 이렇게 노출된 기판(100)의 일부에 제1 금속층(130)이 도금될 수 있다. 여기서, 제1 마스크 패턴공(112)에 제1 금속층(130)을 도금하는 방법으로 전기주조(Electro-forming) 방식이 이용될 수 있다.Next, FIG. 7 shows a state in which the first metal layer 130 is plated on the first mask pattern hole 112 formed in the first photoresist layer 110 through the developing process. The first mask pattern hole 112 exposes the remaining portion except for a portion of the substrate 100 covered by the first photoresist layer 110 , and the first metal layer 130 is formed on the exposed portion of the substrate 100 . ) can be plated. Here, as a method of plating the first metal layer 130 on the first mask pattern hole 112 , an electro-forming method may be used.

한편, 도면에는 나타나지 않았으나, 도 7에 나타난 제1 금속층(130)을 제외한 노광 후 잔존하는 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)을 제거하고, 제1 금속층(130)을 기판(100)으로부터 분리함으로써 제1 금속층(130)으로 이루어지는 증착용 마스크(미도시)를 제조할 수도 있다.Meanwhile, although not shown in the drawings, the first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 remaining after exposure except for the first metal layer 130 shown in FIG. 7 is removed, and the first metal layer 130 is removed. By separating from the substrate 100 , a deposition mask (not shown) made of the first metal layer 130 may be manufactured.

즉, 전술한 과정을 거쳐 증착용 마스크를 제조하게 되면, 증착용 마스크의 패턴홀을 형성하기 위한 포토리소그라피(Photolithography) 방법을 이용한 포토레지스트층의 노광 및 현상 공정이 단 한번으로 간소화될 수 있다. 따라서, 종래의 방식에 따라 2회 이상 수행되었던 노광 및 현상 공정이 1회로 간소화됨으로써, 증착용 마스크의 제조 공정 소요시간을 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라, 쉐도우 현상을 획기적으로 저감할 수 있는 테이퍼 형상의 패턴홀을 가공할 수 있게된다.That is, when the deposition mask is manufactured through the above-described process, the exposure and development process of the photoresist layer using the photolithography method for forming the pattern hole of the deposition mask can be simplified once. Accordingly, by simplifying the exposure and development process performed twice or more according to the conventional method to one, it is possible to shorten the time required for the manufacturing process of the deposition mask as well as to reduce the shadow phenomenon dramatically. Pattern holes can be machined.

한편, 도 8 내지 도 13을 참조하여, 제조되는 증착용 마스크의 강성을 높이기 위한 추가적인 공정에 대해 설명하기로 한다.Meanwhile, an additional process for increasing the rigidity of the deposition mask to be manufactured will be described with reference to FIGS. 8 to 13 .

도 8은 제1 금속층(130)과 제1 포토레지스트층(110) 상에 제2 포토레지스트층(140)을 도포한 모습을 나타낸다. 제2 포토레지스트층(140)은 제1 포토레지스트층(110)과 실질적으로 동일한 물질로 구성되며, 제1 포토레지스트층(110)과 같이 바람직하게는 스핀 코팅 방법으로 제1 포토레지스트층(110)과 제1 금속층(130) 상에 도포될 수 있다.8 shows a state in which the second photoresist layer 140 is coated on the first metal layer 130 and the first photoresist layer 110 . The second photoresist layer 140 is made of substantially the same material as the first photoresist layer 110 , and like the first photoresist layer 110 , the first photoresist layer 110 is preferably formed by a spin coating method. ) and the first metal layer 130 .

다음으로, 도 9를 참조하면, 제2 포토레지스트층(140)의 양 단부를 제외한 나머지 부분은 제2 포토마스크(150)에 의해 덮여진 상태로, 제2 포토레지스트층(140)의 양 단부가 노광될 수 있다. 이렇게 노광된 제2 포토레지스트층(140)의 양 단부에는 제2 노광 영역(141)이 형성될 수 있다. 여기서, 제2 노광 영역(141)은 제1 금속층(130)과 접촉하는 제2 포토레지스트층(140)의 하부 영역까지 노광될 수 있도록 충분한 시간동안 노광될 수 있다.Next, referring to FIG. 9 , the remaining portions except for both ends of the second photoresist layer 140 are covered by the second photomask 150 , and both ends of the second photoresist layer 140 . can be exposed. Second exposure regions 141 may be formed at both ends of the second photoresist layer 140 exposed in this way. Here, the second exposure region 141 may be exposed for a sufficient time to be exposed to the lower region of the second photoresist layer 140 in contact with the first metal layer 130 .

다음으로, 도 10은 노광된 제2 포토레지스트층(140)의 양 단부 영역이 현상되어 제거된 모습을 나타난다. 이러한 경우, 전술한 바와 같이 노광된 제2 포토레지스트층(140)이 제거되었으므로, 도 10에 나타난 제2 포토레지스트층(140)은 포지티브형 포토레지스트액을 사용한 것을 의미한다. 이렇게 제거된 제2 포토레지스트층(140)의 일부에는 제2 마스크 패턴공(142)이 형성될 수 있으며, 제2 마스크 패턴공(142)은 제1 금속층(130)의 양 단부를 노출시킬 수 있다.Next, FIG. 10 shows a state in which both end regions of the exposed second photoresist layer 140 are developed and removed. In this case, since the exposed second photoresist layer 140 is removed as described above, the second photoresist layer 140 shown in FIG. 10 means that a positive photoresist solution is used. A second mask pattern hole 142 may be formed in a portion of the second photoresist layer 140 removed in this way, and the second mask pattern hole 142 may expose both ends of the first metal layer 130 . there is.

도 11은 제2 포토레지스트층(140)에 형성된 제2 마스크 패턴공(142)에 제2 금속층(160)을 도금한 모습을 나타낸다. 제2 마스크 패턴공(142)은 제2 포토레지스트층(140)에 의해 덮여진 제1 포토레지스트층(110)과 제1 금속층(130)의 일 부분을 제외한 나머지 부분을 노출시키며, 이렇게 노출된 제1 금속층(130) 의 일부, 즉 제1 금속층(130)의 양 단부에는 제2 금속층(160)이 도금될 수 있다. 제2 금속층(160)은 전술한 바와 같이 제1 금속층(130)의 양 단부에 도금될 수 있는데, 이는 제조되는 증착용 마스크의 강성을 보강하기 위함이다. 한편, 제1 금속층(130)과 마찬가지로, 제2 마스크 패턴공(142)에 제2 금속층(160)을 도금하는 방법으로 전기주조 방식이 이용될 수 있다. 11 illustrates a state in which the second metal layer 160 is plated on the second mask pattern hole 142 formed in the second photoresist layer 140 . The second mask pattern hole 142 exposes the remaining portions except for a portion of the first photoresist layer 110 and the first metal layer 130 covered by the second photoresist layer 140 , and thus exposed A portion of the first metal layer 130 , that is, both ends of the first metal layer 130 may be plated with the second metal layer 160 . The second metal layer 160 may be plated on both ends of the first metal layer 130 as described above, in order to reinforce the rigidity of the deposition mask to be manufactured. Meanwhile, like the first metal layer 130 , an electroforming method may be used as a method of plating the second metal layer 160 on the second mask pattern holes 142 .

여기서, 제2 금속층(160)을 제1 금속층(130)에 형성하지 않고도, 제1 금속층(130)에서 기판(100)과 제1 포토레지스트층(110)을 제거함으로써 증착용 마스크를 완성할 수도 있다. 이러한 경우에는 도 8 내지 도 12에 나타나는 바와 같이 제2 금속층(160)을 제1 금속층(130)의 양 단부에 도금하기 위해 제2 포토레지스트층(140)을 도포하는 단계와 제2 포토마스크(150)를 이용하여 제2 포토레지스트층(140)에 형성된 제2 노광 영역(141)을 노광하고, 후술할 제2 포토레지스트층(140)을 현상하는 단계들을 생략할 수 있다.Here, the deposition mask may be completed by removing the substrate 100 and the first photoresist layer 110 from the first metal layer 130 without forming the second metal layer 160 on the first metal layer 130 . there is. In this case, as shown in FIGS. 8 to 12 , the step of applying the second photoresist layer 140 and the second photomask ( 150), the steps of exposing the second exposure region 141 formed on the second photoresist layer 140 to light and developing the second photoresist layer 140, which will be described later, may be omitted.

한편, 도 12는 제1 금속층(130)의 양 단부에 제2 금속층(160)이 도금된 이후, 제1 포토레지스트층(110)과 제2 포토레지스트층(140)을 제거한 모습을 나타낸다. 그리고 도 13은 제1 포토레지스트층(110)과 제2 포토레지스트층(140)을 각각 제거한 이후, 기판(100)으로부터 제1 금속층(130) 및 제2 금속층(160)을 분리한 모습을 나타낸다. 이렇게 제1 포토레지스트층(110), 제2 포토레지스트층(140) 및 기판(100)을 제1 금속층(130)과 제2 금속층(160)으로부터 제거하고 나면, 최종적으로 증착용 마스크(10)를 얻을 수 있다.Meanwhile, FIG. 12 shows a state in which the first photoresist layer 110 and the second photoresist layer 140 are removed after the second metal layer 160 is plated on both ends of the first metal layer 130 . 13 shows a state in which the first metal layer 130 and the second metal layer 160 are separated from the substrate 100 after the first photoresist layer 110 and the second photoresist layer 140 are respectively removed. . After removing the first photoresist layer 110 , the second photoresist layer 140 , and the substrate 100 from the first metal layer 130 and the second metal layer 160 , finally the deposition mask 10 . can get

다음으로, 도 14 내지 도 19를 참조하여 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 이격되는 속도에 따라 제1 마스크 패턴공(112)의 내면의 형상, 즉 제1 금속층(130)에 형성되는 패턴홀(131)의 내면의 형상이 상이하게 형성될 수 있음을 설명하도록 한다. Next, with reference to FIGS. 14 to 19 , the shape of the inner surface of the first mask pattern hole 112 , that is, the first metal layer, according to the speed at which the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart. It will be described that the shape of the inner surface of the pattern hole 131 formed in the 130 may be different.

도 14 내지 도 17은 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크가 서로 등속도로 이격되는 경우를 나타내는 단면도로써, 도 2에 나타난 제1 포토레지스트층(110)의 노광 공정에서, 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)를 확대하여 나타낸 단면도이다.14 to 17 are cross-sectional views illustrating a case in which a first photoresist layer and a first photomask are spaced apart from each other at a constant velocity. In the exposure process of the first photoresist layer 110 shown in FIG. 2, the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are enlarged cross-sectional views.

도 14를 참조하면, 제1 포토마스크(120)는 제1 포토레지스트층(110)에 접촉하도록 배치되며, 제1 포토마스크(120)의 제1 개구부(121)를 통해 노출된 제1 포토레지스트층(110)의 일 부분이 노광되어 참조부호 d1a의 폭을 갖는 제1 노광 영역(111)이 형성되는 모습을 나타낸다. Referring to FIG. 14 , the first photomask 120 is disposed to contact the first photoresist layer 110 , and the first photoresist exposed through the first opening 121 of the first photomask 120 . A state in which a portion of the layer 110 is exposed to form a first exposure region 111 having a width of d 1a is formed.

다음으로, 도 15는 제1 포토마스크(120)가 제1 포토레지스트층(110)으로부터 참조부호 V1의 속도로 이격되는 모습을 나타낸다. 여기서, 제1 포토마스크(120)는 제1 포토레지스트층(110)으로부터 참조부호 h2a의 거리만큼 이격되어 있다. 이렇게 제1 포토마스크(120)가 제1 포토레지스트층(110)으로부터 참조부호 h2a의 거리만큼 이격되면, 제1 개구부(121)를 통과하여 제1 포토레지스트층(110)으로 향하는 빛은 제1 포토레지스트층(110)의 더 넓은 영역을 노광시키게 된다. 따라서, 도 15에 나타난 제1 포토레지스트층(110)의 제1 노광 영역(111)의 폭은 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 접촉한 경우의 d1a보다 더 넓은 폭의 d2a가 될 수 있다.Next, FIG. 15 shows a state in which the first photomask 120 is spaced apart from the first photoresist layer 110 at a speed of reference numeral V 1 . Here, the first photomask 120 is spaced apart from the first photoresist layer 110 by a distance of h 2a . When the first photomask 120 is spaced apart from the first photoresist layer 110 by a distance of h 2a , the light passing through the first opening 121 and directed to the first photoresist layer 110 is 1 A larger area of the photoresist layer 110 is exposed. Accordingly, the width of the first exposure region 111 of the first photoresist layer 110 shown in FIG. 15 is greater than d 1a when the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are in contact. It can be a wide d 2a .

도 14와 도 15에 나타난 바와 같이, 제1 포토레지스트층(110)에 대한 노광 공정은 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 서로 이격되는 중에 지속적으로 수행된다. 따라서, d1a에 해당하는 제1 노광 영역(111)은 기판(100)에 인접하는 영역으로 서서히 확장되며, d2a에 해당하는 제1 노광 영역(111)은 제1 포토마스크(120) 측에서부터 먼저 노광되어 서서히 기판(100)에 인접하는 방향으로 확장될 수 있다. 이러한 원리에 의해, 제1 노광 영역(111)은 그 단면이 테이퍼(taper)진 형상으로 형성될 수 있다.14 and 15 , the exposure process for the first photoresist layer 110 is continuously performed while the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart from each other. Accordingly, the first exposure area 111 corresponding to d 1a gradually extends to an area adjacent to the substrate 100 , and the first exposure area 111 corresponding to d 2a is formed from the first photomask 120 side. It may be exposed first and gradually expand in a direction adjacent to the substrate 100 . According to this principle, the first exposure area 111 may be formed to have a tapered cross-section.

다음으로, 도 16은 제1 포토마스크(120)가 제1 포토레지스트층(110)으로부터 일정한 속도인 참조부호 V1의 속도로 이격되어, 도 15에 나타난 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)의 이격 거리인 h2a보다 더 멀리 떨어진 참조부호 h3a의 거리만큼 이격된 모습을 나타낸다. 이때, 제1 개구부(121)를 통과하여 제1 포토레지스트층(110)으로 향하는 빛은 도 15에 나타난 제1 노광 영역(111)보다 더 넓은 영역, 즉 참조부호 d3a의 폭을 갖는 영역을 노광시키게 된다.Next, FIG. 16 shows that the first photomask 120 is spaced apart from the first photoresist layer 110 at a constant speed of reference symbol V 1 , and the first photoresist layer 110 and the second photoresist layer 110 shown in FIG. 1 shows a state in which the photomask 120 is spaced apart by a distance of the reference symbol h 3a that is further away than the distance h 2a of the photomask 120 . At this time, the light passing through the first opening 121 and directed to the first photoresist layer 110 passes through an area wider than the first exposure area 111 shown in FIG . to be exposed

상세히, 도 16은 제1 포토레지스트층(110)에 대한 노광 공정이 마무리된 모습을 나타낸다. 즉, 제1 포토레지스트층(110)에 형성된 제1 노광 영역(111)은 제1 포토레지스트층(110)을 관통하는 평생사변형의 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 기판(100)에 인접하는 제1 노광 영역(111)은 d1a의 폭을 가지며, 제1 포토마스크(120) 측에 인접하는 제1 노광 영역(111)은 d3a의 폭을 갖도록 형성될 수 있다.In detail, FIG. 16 shows a state in which the exposure process for the first photoresist layer 110 is finished. That is, the first exposure region 111 formed in the first photoresist layer 110 may be formed in the shape of a lifetime quadrilateral penetrating the first photoresist layer 110 . That is, the first exposure region 111 adjacent to the substrate 100 has a width of d 1a , and the first exposure region 111 adjacent to the first photomask 120 is formed to have a width of d 3a . can be

도 16은 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 제1 속도(V1)의 일정한 속도로 이격된 경우, 제1 포토레지스트층(110)에 형성되는 제1 노광 영역(111)을 나타낸다. 한편, 도 17은 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 제2 속도(V2)의 일정한 속도로 이격되는 경우, 제1 포토레지스트층(110)에 형성되는 제1 노광 영역(111’)을 나타낸다.16 illustrates a first exposure region formed in the first photoresist layer 110 when the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart at a constant speed of the first speed V 1 . (111) is shown. Meanwhile, FIG. 17 shows a first photoresist layer 110 formed on the first photoresist layer 110 when the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart at a constant speed of the second speed V 2 . An exposure area 111' is shown.

한편, 도 16에 나타난 제1 노광 영역(111)의 내면은 제1 기울기(αa)를 가질 수 있으며, 도 17에 나타난 제1 노광 영역(111’)의 내면은 제2 기울기(βa)를 가질 수 있다. 여기서, 제2 기울기(βa)는 제1 기울기(αa)보다 크게 형성된다. 이는, 도 16에 나타난 제1 노광 영역(111)을 형성할 때 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 이격된 속도인 제1 속도(V1)가, 도 17에 나타난 제1 노광 영역(111’)을 형성할 때 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 이격된 속도인 제2 속도(V2)보다 더 큰 것을 의미한다.Meanwhile, the inner surface of the first exposure area 111 shown in FIG. 16 may have a first slope α a , and the inner surface of the first exposure area 111 ′ shown in FIG. 17 has a second slope β a . can have Here, the second slope (β a ) is formed to be greater than the first slope (α a ). This is the first speed (V 1 ), which is the speed at which the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart when forming the first exposure region 111 shown in FIG. 16 , is shown in FIG. 17 . This means that the speed at which the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart is higher than the second speed V 2 when forming the first exposed area 111 ′.

상세히, 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 서로 이격되는 속도가 다르더라도, 제1 노광 영역(111) 중 제1 포토마스크(120)에 인접하는 방향에 해당하는 영역, 즉 직접적으로 빛에 노출되는 영역의 폭은 노광 공정이 마무리되는 시점의 제1 포토마스크(120)의 위치에 따라 동일하게 결정된다. 예를 들어, 도 16에 나타난 바와 같이, 제1 노광 영역(111)은 최대 d3a의 폭을 갖도록 형성될 수 있는데, 이는 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 서로 이격되는 속도가 다르더라도 제1 노광 영역(111)의 최대 폭이 된다. 즉, 도 17에 나타난 제1 노광 영역(111’)의 최대폭 d3a ’는 도 16에 나타난 제1 노광 영역(111)의 최대 폭 d3a에 대응할 수 있다.In detail, even if the speed at which the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart from each other at different speeds, the region corresponding to the direction adjacent to the first photomask 120 among the first exposure regions 111 . That is, the width of the region directly exposed to light is equally determined according to the position of the first photomask 120 at the time when the exposure process is finished. For example, as shown in FIG. 16 , the first exposure region 111 may be formed to have a maximum width of d 3a , which means that the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are connected to each other. Even if the separation speed is different, the maximum width of the first exposure area 111 is obtained. That is, the maximum width d 3a ′ of the first exposure area 111 ′ illustrated in FIG. 17 may correspond to the maximum width d 3a of the first exposure area 111 illustrated in FIG. 16 .

반면, 제1 포토레지스트층(110)과 제1 포토마스크(120)가 서로 이격되는 속도가 달라지게 되면, 기판(100)에 인접하는 방향 측에 형성되는 제1 노광 영역(111)의 폭이 좁아지게 된다. 즉, 도 16에 나타난 제1 노광 영역(111)의 최소 폭 d1a와 도 17에 나타난 제1 노광 영역(111’)의 최소 폭인 d1a ’는 다르게 형성될 수 있다. 여기서는, 도 16의 제1 노광 영역(111)의 최소 폭 d1a는 도 17의 제1 노광 영역(111’)의 최소 폭 d1a ’보다 작게 형성된다. 이는, 도 17에 나타난 제1 노광 영역(111’)보다 도 16에 나타난 노광 영역(111)이 빛에 노출된 시간이 더 적으므로, 빛에 노출되는 제1 포토레지스트층(110)의 표면에서 기판(100)에 인접하는 방향 측으로 확장되는 시간이 더 적고, 이에 따라 노광되는 영역 또한 더 적어지기 때문이다.On the other hand, when the speed at which the first photoresist layer 110 and the first photomask 120 are spaced apart from each other is changed, the width of the first exposure region 111 formed on the side in the direction adjacent to the substrate 100 decreases. becomes narrower. That is, the minimum width d 1a of the first exposure area 111 shown in FIG. 16 and the minimum width d 1a ′ of the first exposure area 111 ′ shown in FIG. 17 may be formed differently. Here, the minimum width d 1a of the first exposure area 111 of FIG. 16 is formed to be smaller than the minimum width d 1a ′ of the first exposure area 111 ′ of FIG. 17 . This is because the exposure region 111 shown in FIG. 16 is exposed to light for a shorter time than the first exposure region 111 ′ shown in FIG. 17 , so that on the surface of the first photoresist layer 110 exposed to light This is because the extension time in the direction adjacent to the substrate 100 is shorter, and thus the exposed area is also smaller.

전술한 바와 같이, 이러한 제1 노광 영역(111)은 이후 제1 포토레지스트층(110)의 현상 공정에서 제거되거나, 제1 노광 영역(111)을 제외한 나머지 제1 포토레지스트층(110)이 제거될 수 있다. 설명의 편의상, 여기서는 제1 노광 영역(111)이 제거된 경우를 참조하면, 제1 노광 영역(111)이 제거된 제1 포토레지스트층(110)에는 제1 마스크 패턴공(112)이 형성될 수 있으며, 바로 이 제1 마스크 패턴공(112)에 제1 금속층(130)이 도금되어 증착용 마스크(10)를 형성하게 된다.As described above, the first exposure region 111 is removed in a subsequent developing process of the first photoresist layer 110 , or the remaining first photoresist layer 110 excluding the first exposure region 111 is removed. can be For convenience of description, here, referring to the case in which the first exposure region 111 is removed, the first mask pattern hole 112 may be formed in the first photoresist layer 110 from which the first exposure region 111 is removed. In this case, the first metal layer 130 is plated on the first mask pattern hole 112 to form the deposition mask 10 .

즉, 각 제1 마스크 패턴공(112) 사이에 해당하는 영역은 이후 제1 포토레지스트층(110)을 제거하는 공정을 거치게 되면 증착 물질을 통과시키는 패턴홀(131)이 될 수 있다. 따라서, 제1 마스크 패턴공(112)의 내면이 테이퍼진 형상으로 형성됨에 따라, 증착용 마스크(10)에 형성되는 패턴홀(131)의 내면 또한 테이퍼진 형상으로 형성될 수 있다.That is, the region corresponding to each of the first mask pattern holes 112 may become a pattern hole 131 through which the deposition material passes when the first photoresist layer 110 is removed after the process is performed. Accordingly, as the inner surface of the first mask pattern hole 112 is formed in a tapered shape, the inner surface of the pattern hole 131 formed in the deposition mask 10 may also be formed in a tapered shape.

도 18은 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크가 서로 가속되며 이격되는 경우를 나타내는 단면도이다.18 is a cross-sectional view illustrating a case in which a first photoresist layer and a first photomask are accelerated and spaced apart from each other.

도 18을 참조하면, 제1 포토레지스트층(1110)에 형성된 제1 노광 영역(1111)의 단면은 굴곡진 형상으로 형성될 수 있다. 특히 도 18은, 상측으로 볼록한 형상을 갖는 제1 노광 영역(1111)의 단면을 나타내고 있다. 이러한 형상은, 제1 포토레지스트층(1110)과 제1 포토마스크(1120)가 서로 이격되는 속도에 따라 변화할 수 있다.Referring to FIG. 18 , a cross-section of the first exposure area 1111 formed in the first photoresist layer 1110 may be formed in a curved shape. In particular, FIG. 18 has shown the cross section of the 1st exposure area|region 1111 which has an upward convex shape. This shape may change according to the speed at which the first photoresist layer 1110 and the first photomask 1120 are spaced apart from each other.

상세히, 도 18은 제1 포토레지스트층(1110)과 제1 포토마스크(1120)가 서로 이격되는 속도가 0에서 V1으로, 그리고 V2까지 증가하는 경우 제1 노광 영역(1111)이 상측으로 볼록한 형상으로 형성될 수 있음을 나타낸다. 즉, 전술한 바와 같이 제1 포토레지스트층(1110)과 제1 포토마스크(1120)가 상대적으로 느린 속도로 이격되는 경우에는, 제1 노광 영역(1111)의 단면의 기울기는 크게 형성된다. 이는, 상대적으로 느린 속도로 노광된 제1 노광 영역(1111)의 하측, 즉 기판(1100)에 인접하는 영역에서는 그 기울기가 αb로 형성되고, 상대적으로 빠른 속도로 노광된 제1 노광 영역(1111)의 상측에서는 αb보다 작은 기울기를 갖는 βb로 단면이 형성되는 것을 통해 확인할 수 있다.In detail, FIG. 18 shows that when the speed at which the first photoresist layer 1110 and the first photomask 1120 are spaced apart from each other increases from 0 to V 1 and from V 2 to V 2 , the first exposure area 1111 moves upward. It indicates that it can be formed in a convex shape. That is, as described above, when the first photoresist layer 1110 and the first photomask 1120 are spaced apart at a relatively slow speed, the slope of the cross section of the first exposure area 1111 is large. This is because the slope of the lower side of the first exposure area 1111 exposed at a relatively slow speed, that is, in the area adjacent to the substrate 1100, is formed as α b , and the first exposure area exposed at a relatively high speed ( 1111), it can be seen from the fact that the cross section is formed with β b having a smaller slope than α b .

이러한 제1 노광 영역(1111)은 전술한 바와 같이 제1 포토레지스트층(1110)의 현상 공정에서 제거되거나, 제1 노광 영역(1111)을 제외한 나머지 제1 포토레지스트층(1110)이 제거될 수 있다. 그리고, 그렇게 제거된 제1 노광 영역(1111)에는 제1 마스크 패턴공(1112)이 형성되므로, 제1 노광 영역(1111)의 단면이 굴곡지게 형성될 수 있음은 곧 제1 마스크 패턴공(1112) 또한 그 측면이 굴곡지도록 형성될 수 있음을 의미한다.The first exposure region 1111 may be removed in the developing process of the first photoresist layer 1110 as described above, or the remaining first photoresist layer 1110 excluding the first exposure region 1111 may be removed. there is. Also, since the first mask pattern hole 1112 is formed in the first exposure area 1111 removed in this way, the fact that the cross-section of the first exposure area 1111 can be formed to be curved means that the first mask pattern hole 1112 is ) also means that the side can be formed to be curved.

도 19는 제1 포토레지스트층과 제1 포토마스크가 서로 감속되며 이격되는 경우를 나타내는 단면도이다.19 is a cross-sectional view illustrating a case in which a first photoresist layer and a first photomask are decelerated and spaced apart from each other.

도 19 또한, 제1 포토레지스트층(2110)에 형성된 제1 노광 영역(2111)의 단면이 굴곡진 형상으로 형성될 수 있음을 나타낸다. 특히 도 19는, 하측으로 볼록한 형상을 갖는 제1 노광 영역(2111)의 단면을 나타내고 있다. 이러한 형상은, 제1 포토레지스트층(2110)과 제1 포토마스크(2120)가 서로 이격되는 속도에 따라 변화할 수 있다.19 also shows that the cross-section of the first exposure region 2111 formed in the first photoresist layer 2110 may be formed in a curved shape. In particular, FIG. 19 has shown the cross section of the 1st exposure area|region 2111 which has a downward convex shape. Such a shape may change according to the speed at which the first photoresist layer 2110 and the first photomask 2120 are spaced apart from each other.

상세히, 도 18은 제1 포토레지스트층(2110)과 제1 포토마스크(2120)가 서로 이격되는 속도가 V0에서 V1으로, 그리고 V2까지 감소하는 경우 제1 노광 영역(2111)이 하측으로 볼록한 형상으로 형성될 수 있음을 나타낸다. 즉, 전술한 바와 같이 제1 포토레지스트층(2110)과 제1 포토마스크(2120)가 상대적으로 빠른 속도로 이격되는 경우에는, 제1 노광 영역(2111)의 단면의 기울기는 작게 형성된다. 이는, 상대적으로 빠른 속도로 노광된 제1 노광 영역(2111)의 하측, 즉 기판(2100)에 인접하는 영역에서는 그 기울기가 αc로 형성되고, 상대적으로 느린 속도로 노광된 제1 노광 영역(2111)의 상측에서는 αc보다 큰 기울기를 갖는 βc로 단면이 형성되는 것을 통해 확인할 수 있다.In detail, FIG. 18 shows that when the speed at which the first photoresist layer 2110 and the first photomask 2120 are spaced apart from each other decreases from V 0 to V 1 and from V 2 to V 2 , the first exposure region 2111 is lowered. indicates that it can be formed into a convex shape. That is, when the first photoresist layer 2110 and the first photomask 2120 are spaced apart at a relatively high speed as described above, the slope of the cross section of the first exposure area 2111 is formed to be small. This is because the slope of the lower side of the first exposure area 2111 exposed at a relatively high speed, that is, in the area adjacent to the substrate 2100, is formed as α c , and the first exposure area exposed at a relatively slow speed ( 2111), it can be seen from the fact that the cross section is formed with β c having a larger slope than α c .

이러한 제1 노광 영역(2111)은 전술한 바와 같이 제1 포토레지스트층(2110)의 현상 공정에서 제거되거나, 제1 노광 영역(2111)을 제외한 나머지 제1 포토레지스트층(2110)이 제거될 수 있다. 그리고, 그렇게 제거된 제1 노광 영역(2111)에는 제1 마스크 패턴공(2112)이 형성되므로, 제1 노광 영역(2111)의 단면이 굴곡지게 형성될 수 있음은 곧 제1 마스크 패턴공(2112) 또한 그 측면이 굴곡지도록 형성될 수 있음을 의미한다.The first exposure region 2111 may be removed in the developing process of the first photoresist layer 2110 as described above, or the remaining first photoresist layer 2110 excluding the first exposure region 2111 may be removed. there is. And, since the first mask pattern hole 2112 is formed in the first exposure area 2111 removed in this way, the cross section of the first exposure area 2111 can be formed to be curved. ) also means that the side can be formed to be curved.

본 발명의 실시예들은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the embodiments shown in the drawings, it will be understood that these are merely exemplary, and that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom by those skilled in the art. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

10: 증착용 마스크 130: 제1 금속층
100: 기판 131: 패턴홀
110: 제1 포토레지스트층 140: 제2 포토레지스트층
111: 제1 노광 영역 141: 제2 노광 영역
112: 제1 마스크 패턴공 142: 제2 마스크 패턴공
120: 제1 포토마스크 150: 제2 포토마스크
121: 제1 개구부 160: 제2 금속층10: mask for deposition 130: first metal layer
100: substrate 131: pattern hole
110: first photoresist layer 140: second photoresist layer
111: first exposure area 141: second exposure area
112: first mask pattern hole 142: second mask pattern hole
120: first photomask 150: second photomask
121: first opening 160: second metal layer

Claims (18)

기판의 외면에 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계;
제1 포토마스크를 상기 제1 포토레지스트층에 배치하고, 상기 제1 포토레지스트층과 상기 제1 포토마스크 사이의 거리를 조절하면서 상기 제1 포토레지스트층의 일 부분을 노광하는 단계;
상기 제1 포토레지스트층을 현상하여 상기 제1 포토레지스트층에 제1 마스크 패턴공을 형성하는 단계;
상기 제1 마스크 패턴공에 제1 금속층을 도금하는 단계; 및
상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하되,
상기 제1 마스크 패턴공의 내면은 테이퍼진 형상을 가지며,
테이퍼진 상기 제1 마스크 패턴공의 내면 형상의 기울기는 상기 제1 포토레지스트층과 상기 제1 포토마스크가 서로 이격될 때 상기 제1 포토레지스트층과 상기 제1 포토마스크의 속도 차이에 반비례하는 증착용 마스크 제조 방법.applying a first photoresist layer to the outer surface of the substrate;
disposing a first photomask on the first photoresist layer and exposing a portion of the first photoresist layer to light while adjusting a distance between the first photoresist layer and the first photomask;
forming a first mask pattern hole in the first photoresist layer by developing the first photoresist layer;
plating a first metal layer on the first mask pattern hole; and
removing the first photoresist layer;
The inner surface of the first mask pattern hole has a tapered shape,
The slope of the inner surface shape of the tapered first mask pattern hole is inversely proportional to the speed difference between the first photoresist layer and the first photomask when the first photoresist layer and the first photomask are spaced apart from each other. How to make a wearable mask. 제1 항에 있어서,
상기 제1 포토레지스트층의 일 부분을 노광하는 단계에서,
상기 제1 포토레지스트층과 상기 제1 포토마스크 사이의 거리는 점진적으로 멀어지는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
In the step of exposing a portion of the first photoresist layer,
A method of manufacturing a mask for deposition, characterized in that the distance between the first photoresist layer and the first photomask gradually increases. 제1 항에 있어서,
상기 제1 포토레지스트층의 노광 영역이 점진적으로 확대되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
The method for manufacturing a mask for deposition, characterized in that the exposure area of the first photoresist layer is gradually enlarged. 제1 항에 있어서,
상기 제1 포토레지스트층과 상기 제1 포토마스크 사이의 거리를 조절하는 방법으로,
상기 기판 및 상기 제1 포토마스크 중 적어도 하나를 이동시키는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
A method of adjusting the distance between the first photoresist layer and the first photomask,
A method of manufacturing a deposition mask, characterized in that moving at least one of the substrate and the first photomask. 제4 항에 있어서,
상기 기판 또는 상기 제1 포토마스크는 다른 하나에 대해 등속 운동하는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.5. The method of claim 4,
The method for manufacturing a deposition mask, characterized in that the substrate or the first photomask moves at a constant velocity with respect to the other. 제4 항에 있어서,
상기 기판 또는 상기 제1 포토마스크는 다른 하나에 대해 가속 운동하는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.5. The method of claim 4,
The method for manufacturing a deposition mask, characterized in that the substrate or the first photomask accelerates with respect to the other. 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제1 마스크 패턴공의 내면은 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
An inner surface of the first mask pattern hole has a curved shape, the deposition mask manufacturing method. 제1 항에 있어서,
상기 제1 마스크 패턴공에 제1 금속층을 도금하는 방법으로,
전기주조(Electro-forming) 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
A method of plating a first metal layer on the first mask pattern hole,
A method of manufacturing a mask for deposition, characterized in that it is performed by an electro-forming method. 제1 항에 있어서,
상기 제1 포토레지스트층을 현상하는 단계는,
노광된 상기 제1 포토레지스트층의 상기 일 부분을 제외한 나머지 상기 제1 포토레지스트층의 다른 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
The step of developing the first photoresist layer,
The method for manufacturing a mask for deposition, characterized in that other portions of the first photoresist layer other than the exposed portion of the first photoresist layer are removed. 제1 항에 있어서,
상기 제1 포토레지스트층을 현상하는 단계는,
노광된 상기 제1 포토레지스트층의 상기 일 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
The step of developing the first photoresist layer,
The method for manufacturing a mask for deposition, characterized in that the exposed portion of the first photoresist layer is removed. 제1 항에 있어서,
상기 제1 금속층과 상기 제1 포토레지스트층에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계와,
제2 포토마스크를 상기 제2 포토레지스트층에 배치하고, 상기 제2 포토레지스트층의 일 부분을 노광하는 단계와,
상기 제2 포토레지스트층을 현상하여 상기 제2 포토레지스트층에 제2 마스크 패턴공을 형성하는 단계와,
상기 제2 마스크 패턴공에 제2 금속층을 도금하는 단계와,
상기 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.According to claim 1,
applying a second photoresist layer to the first metal layer and the first photoresist layer;
disposing a second photomask on the second photoresist layer and exposing a portion of the second photoresist layer;
forming a second mask pattern hole in the second photoresist layer by developing the second photoresist layer;
plating a second metal layer on the second mask pattern hole;
The method of claim 1 , further comprising removing the second photoresist layer. 제13 항에 있어서,
상기 제2 마스크 패턴공은 상기 제2 포토레지스트층의 양 단부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.14. The method of claim 13,
The second mask pattern hole is formed at both ends of the second photoresist layer, the deposition mask manufacturing method. 제13 항에 있어서,
상기 제2 금속층은 상기 제1 금속층의 양 단부에 형성되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.14. The method of claim 13,
The second metal layer is a method of manufacturing a mask for deposition, characterized in that formed on both ends of the first metal layer. 제13 항에 있어서,
상기 제2 마스크 패턴공에 제2 금속층을 도금하는 방법으로,
전기주조(Electro-forming) 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.14. The method of claim 13,
A method of plating a second metal layer on the second mask pattern hole,
A method of manufacturing a mask for deposition, characterized in that it is performed by an electro-forming method. 제13 항에 있어서,
상기 제2 포토레지스트층을 현상하는 단계는,
노광된 상기 제2 포토레지스트층의 상기 일 부분을 제외한 나머지 상기 제2 포토레지스트층의 다른 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.14. The method of claim 13,
The step of developing the second photoresist layer,
The method for manufacturing a mask for deposition, characterized in that the other portion of the second photoresist layer other than the exposed portion of the second photoresist layer is removed. 제13 항에 있어서,
상기 제2 포토레지스트층을 현상하는 단계는,
노광된 상기 제2 포토레지스트층의 상기 일 부분이 제거되는 것을 특징으로 하는, 증착용 마스크 제조 방법.14. The method of claim 13,
The step of developing the second photoresist layer,
The method for manufacturing a mask for deposition, characterized in that the exposed portion of the second photoresist layer is removed.
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