JP2018163942A - Imprint mold and method of manufacturing imprint mold - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprint mold capable of highly accurately transferring a stepped uneven structure part to a transfer target material through imprint processing, and a method of manufacturing the same.SOLUTION: An imprint mold comprises a base part and a stepped uneven structure part formed on one surface side of the base part and having a plurality of step parts, and is so constituted that the respective step parts each have a first surface substantially parallel with the one surface of the base part and a second surface, extending substantially orthogonally to the one surface of the base part, from a first end part of the first surface toward the base part, and at least the plurality of step parts each have a first end part of a first surface located to be more distal from the base part than from a neighbor of a second end part opposed thereto in a direction perpendicular to the one surface of the base part.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、インプリントモールド及び当該インプリントモールドを製造する方法に関する。   The present invention relates to an imprint mold and a method for manufacturing the imprint mold.

近年、半導体デバイス、光学部材等の製造工程において、基板の表面に微細凹凸パターンを形成した型部材(インプリントモールド)を用い、微細凹凸パターンを基板等の被加工物に等倍転写するパターン形成技術であるナノインプリント技術が利用されている。   In recent years, in the manufacturing process of semiconductor devices, optical members, etc., pattern formation that uses a mold member (imprint mold) with a fine uneven pattern formed on the surface of the substrate and transfers the fine uneven pattern onto a workpiece such as a substrate at the same magnification. Nanoimprint technology is used.

ナノインプリント技術に用いられるインプリントモールドに形成されている微細凹凸パターンの多くは、断面矩形状のラインアンドスペースパターン、ピラーパターン、ホールパターン等の1段の凹凸構造により構成される。   Many of the fine concavo-convex patterns formed in the imprint mold used in the nanoimprint technology are configured by a one-step concavo-convex structure such as a line-and-space pattern having a rectangular cross section, a pillar pattern, and a hole pattern.

その一方で、半導体デバイス等の製造のみならず、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、細胞培養用チップ、マイクロ流路等の製造過程において、複数段構造を形成することがある。このような複数段構造を、ナノインプリント技術を利用して形成するために、従来、複数の段部を有する階段状凹凸構造部を備えるインプリントモールドが用いられている(特許文献1参照)。   On the other hand, a multi-stage structure may be formed not only in the manufacture of semiconductor devices, but also in the manufacturing process of optical elements, wiring circuits, recording devices, display panels, cell culture chips, microchannels, and the like. In order to form such a multi-step structure using nanoimprint technology, an imprint mold including a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions has been conventionally used (see Patent Document 1).

特開2010−171109号公報JP 2010-171109 A

上記階段状凹凸構造部を備えるインプリントモールドを用いて、被転写材料としての紫外線硬化性樹脂等に当該階段状凹凸構造部を転写すると、紫外線硬化性樹脂の硬化収縮により、紫外線硬化性樹脂に形成される階段状凹凸構造の形状が変化してしまう、具体的には各段部の角部の形状が丸みを帯びてしまうという問題が生じる。特に、インプリントモールドの階段状凹凸構造部の段数が多くなると、上記問題が顕著に生じ得る。   Using the imprint mold having the stepped concavo-convex structure part, when the stepped concavo-convex structure part is transferred to an ultraviolet curable resin or the like as a material to be transferred, the ultraviolet curable resin is transformed into an ultraviolet curable resin by curing shrinkage. There arises a problem that the shape of the stepped concavo-convex structure to be formed is changed, specifically, the shape of the corner of each step is rounded. In particular, when the number of steps of the stepped concavo-convex structure portion of the imprint mold is increased, the above problem can be remarkably generated.

上記インプリントモールドを用いて、所定の基板上の紫外線硬化性樹脂等に階段状凹凸構造部を転写し、当該紫外線硬化性樹脂をマスクとして基板をエッチングすることで、基板に階段状凹凸構造部を転写する場合、丸みを帯びてしまった各段部の角部の形状が、長時間エッチング環境下に曝されることでさらに丸みを帯びてしまい、基板に転写される階段状凹凸構造部を設計通りに形成することができないという問題が生じる。   Using the imprint mold, the stepped concavo-convex structure portion is transferred to an ultraviolet curable resin or the like on a predetermined substrate, and the substrate is etched using the ultraviolet curable resin as a mask, whereby the stepped concavo-convex structure portion is formed on the substrate. When transferring the shape, the corners of each stepped portion that has been rounded are further rounded by being exposed to the etching environment for a long time, and the stepped concavo-convex structure portion transferred to the substrate is removed. There arises a problem that it cannot be formed as designed.

上記のように紫外線硬化性樹脂に形成される階段状凹凸構造の形状変化が生じてしまうと、上記インプリントモールドを用いたインプリント処理を経て製造される製品において不具合が生じるという問題を発生させてしまう。   When the shape change of the stepped concavo-convex structure formed in the ultraviolet curable resin as described above occurs, there is a problem that a defect occurs in a product manufactured through the imprint process using the imprint mold. End up.

上記課題に鑑みて、本発明は、インプリント処理により被転写材料に階段状凹凸構造部を高精度で転写することのできるインプリントモールド及びその製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an imprint mold that can transfer a stepped concavo-convex structure portion to a material to be transferred with high accuracy by an imprint process and a method for manufacturing the imprint mold.

上記課題を解決するために、本発明は、基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記基部の前記一方面に対する垂直方向において、少なくとも前記複数の段部のそれぞれは、前記第1面の第1端部が当該第1端部に対向する第2端部の近傍よりも前記基部から遠位に位置するように構成されることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明1)。   In order to solve the above-mentioned problem, the present invention includes a base and a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions formed on one surface side of the base portion, and each step portion includes the base portion. A first surface substantially parallel to one surface of the base portion and a second surface substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extending from the first end portion of the first surface toward the base portion, In the direction perpendicular to the one surface, at least each of the plurality of step portions is more distant from the base portion than the vicinity of the second end portion where the first end portion of the first surface opposes the first end portion. An imprint mold is provided that is configured to be positioned (Invention 1).

また、本発明は、基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記第1面の第1端部側には、前記第1端部を含む凸部が設けられていることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明2)。   The present invention also includes a base and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base, and each step is substantially parallel to one surface of the base. A first surface of the first surface, and a first surface of the first surface extending from the first end of the first surface toward the base. Provided on the side is an imprint mold characterized in that a convex portion including the first end portion is provided (invention 2).

上記発明(発明2)において、側面視における前記凸部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であるのが好ましく(発明3)、前記凸部を構成する材料は、前記基部を構成する材料と異なる材料であるのが好ましく(発明4)、前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍に凹部が設けられているのが好ましい(発明5)。   In the said invention (invention 2), it is preferable that the width | variety of the said convex part in side view is 1/2 or less of the width | variety of the said 1st surface (invention 3), and the material which comprises the said convex part is the said base. It is preferable that the material is different from the material constituting the material (invention 4), and it is preferable that a recess is provided in the vicinity of the second end facing the first end of the first surface (invention 5).

さらに、本発明は、基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍には凹部が設けられていることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明6)。   The present invention further includes a base and a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions formed on one surface side of the base portion, and each step portion is substantially parallel to one surface of the base portion. A first surface of the first surface, and a first surface of the first surface extending from the first end of the first surface toward the base. An imprint mold is provided in which a concave portion is provided in the vicinity of the second end portion facing to (Invention 6).

上記発明(発明6)において、側面視における前記凹部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であるのが好ましく(発明7)、前記第1面の第1端部側には、前記第1端部を含む凸部が設けられているのが好ましい(発明8)。   In the said invention (invention 6), it is preferable that the width | variety of the said recessed part in a side view is 1/2 or less of the width | variety of the said 1st surface (invention 7), on the 1st edge part side of the said 1st surface. It is preferable that a convex portion including the first end portion is provided (invention 8).

上記発明(発明1〜8)において、前記第1面は、前記第1端部から当該第1端部に対向する第2端部に向かって下り階段状に構成されていてもよく(発明9)、前記第1端部から当該第1端部に対向する第2端部に向かって3段以上の下り階段状に構成されていてもよい(発明10)。   In the said invention (invention 1-8), the said 1st surface may be comprised from the said 1st edge part toward the 2nd edge part which opposes the said 1st edge part in the descent | falling step shape (invention 9). ), And may be configured in three or more descending steps from the first end toward the second end facing the first end (Invention 10).

上記発明(発明1〜8)において、前記第1面は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって傾斜する傾斜部を含んでいてもよく(発明11)、前記傾斜部は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって湾曲して傾斜するのが好ましい(発明12)。   In the above inventions (Inventions 1 to 8), the first surface may include an inclined portion inclined from the first end portion side toward the second end portion side facing the first end portion ( Invention 11) Preferably, the inclined portion is curved and inclined from the first end side toward the second end side facing the first end portion (Invention 12).

上記発明(発明1〜12)において、前記インプリントモールドは、インプリントリソグラフィーに用いられるインプリントモールドであるのが好ましい(発明13)。   In the said invention (invention 1-12), it is preferable that the said imprint mold is an imprint mold used for imprint lithography (invention 13).

さらにまた、本発明は、上記発明(発明1〜13)に係るインプリントモールドを製造する方法であって、基部の一方面側に複数の段部を有する階段状凹凸構造部を形成する工程と、前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層が形成された前記基部にエッチング処理を施す工程とを含み、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記ハードマスク層を形成する工程において、前記各段部の前記第1面のうち、前記第1端部近傍に前記ハードマスク層を形成し、前記第1端部に対向する第2端部近傍に前記ハードマスク層を形成しないことを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する(発明14)。   Furthermore, the present invention is a method for producing an imprint mold according to the above inventions (Inventions 1 to 13), wherein a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions on one side of the base portion is formed. , A step of forming a hard mask layer on the stepped concavo-convex structure portion so as to expose a part on the stepped concavo-convex structure portion, and a step of etching the base portion on which the hard mask layer is formed Each of the step portions is substantially parallel to one surface of the base portion, and substantially perpendicular to one surface of the base portion, from the first end portion of the first surface toward the base side. In the step of forming the hard mask layer, the hard mask layer is formed in the vicinity of the first end of the first surface of each step, and the first end The hard mask layer is formed in the vicinity of the second end facing the portion To provide a method of manufacturing an imprint mold, characterized in that no (invention 14).

本発明によれば、インプリント処理により被転写材料に階段状凹凸構造部を高精度で転写することのできるインプリントモールド及びその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imprint mold which can transcribe | transfer a stair-like uneven structure part to a material to be transferred with high precision by imprint processing, and its manufacturing method can be provided.

図1は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 2 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of the stepped concavo-convex structure portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図3は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの段部の一例の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 3 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of an example of a step portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図4は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの段部の他の例の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 4 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of another example of a step portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図5は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの段部の第1面の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 5 is a partial enlarged cut end view showing a schematic configuration of the first surface of the step portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図6は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の変形例を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 6 is a partially enlarged cut end view showing a modification of the stepped concavo-convex structure portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図7は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その1)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 7 is a process flow diagram showing a manufacturing process (part 1) of an imprint mold according to an embodiment of the present invention at a cut end surface. 図8は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その2)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 8 is a process flow diagram showing a manufacturing process (No. 2) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention at a cut end face. 図9は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その3)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 9 is a process flow diagram showing a manufacturing process (No. 3) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on a cut end surface. 図10は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その4)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 10 is a process flow diagram showing a manufacturing process (No. 4) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention at a cut end face. 図11は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その5)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 11 is a process flow diagram showing a manufacturing process (No. 5) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention at a cut end face. 図12は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その6)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 12 is a process flow diagram showing a manufacturing process (No. 6) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on a cut end surface. 図13は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その7)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 13: is a process flowchart which shows the manufacturing process (the 7) of the imprint mold which concerns on one Embodiment of this invention in a cut end surface. 図14は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程の他の例(その1)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 14 is a process flow diagram showing another example (No. 1) of the imprint mold manufacturing process according to the embodiment of the present invention on a cut end surface. 図15は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程の他の例(その2)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 15 is a process flow diagram showing another example (part 2) of the imprint mold manufacturing process according to the embodiment of the present invention on a cut end surface. 図16は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程の他の例(その2)を切断端面にて示す、図15に続く工程フロー図である。FIG. 16 is a process flowchart subsequent to FIG. 15, showing another example (part 2) of the imprint mold manufacturing process according to the embodiment of the present invention by a cut end surface. 図17は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 17 is a process flow diagram showing each process of the imprint method using the imprint mold according to the embodiment of the present invention on a cut end surface. 図18は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法における作用を説明するための切断端面図(その1)である。FIG. 18 is a cut end view (part 1) for explaining the operation in the imprint method using the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図19は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法における作用を説明するための切断端面図(その2)である。FIG. 19 is a cut end view (part 2) for explaining the operation in the imprint method using the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図20は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法により製造される階段状凹凸パターンの概略構成を示す切断端面図である。FIG. 20 is a cut end view showing a schematic configuration of a stepped uneven pattern manufactured by an imprint method using an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図21は、図20に示す階段状凹凸パターンを用いたエッチング処理により被転写基材に転写される階段状凹凸構造体の概略構成を示す切断端面図である。FIG. 21 is a cut end view showing a schematic configuration of a stepped concavo-convex structure transferred to a transfer substrate by an etching process using the stepped concavo-convex pattern shown in FIG. 図22は、本発明の他の実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す切断端面図(その1)である。FIG. 22 is a cut end view (No. 1) showing a schematic configuration of a stepped uneven structure portion of an imprint mold according to another embodiment of the present invention. 図23は、本発明の他の実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す切断端面図(その2)である。FIG. 23 is a cut end view (No. 2) showing a schematic configuration of a stepped uneven structure portion of an imprint mold according to another embodiment of the present invention. 図24は、図22に示すインプリントモールドの製造工程を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 24 is a process flow diagram showing a manufacturing process of the imprint mold shown in FIG. 22 at a cut end face.

本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図であり、図2は、本実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold according to the present embodiment, and FIG. 2 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of a stepped uneven structure portion of the imprint mold according to the present embodiment. FIG.

[インプリントモールド]
図1に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド1は、一方面2A及び当該一方面2Aに対向する他方面2Bを有する基部2と、基部2の一方面2A側に形成されている階段状凹凸構造部3とを備える。
[Imprint mold]
As shown in FIG. 1, the imprint mold 1 according to the present embodiment is formed on a base 2 having a first surface 2A and the other surface 2B facing the first surface 2A, and on the first surface 2A side of the base 2. And a stepped concavo-convex structure portion 3.

基部2としては、インプリントモールド用基材として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された2以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、基部2を介して照射された光により光硬化性樹脂を硬化させ得る程度であればよく、例えば、波長300〜450nmの光線の透過率が70%以上であるのが好ましく、より好ましくは90%以上である。   As the base 2, a general substrate for imprint molding, for example, a quartz glass substrate, a soda glass substrate, a fluorite substrate, a calcium fluoride substrate, a magnesium fluoride substrate, a barium borosilicate glass, an aminoborosilicate glass Glass substrates such as non-alkali glass substrates such as aluminosilicate glass, polycarbonate substrates, polypropylene substrates, polyethylene substrates, polymethylmethacrylate substrates, resin substrates such as polyethylene terephthalate substrates, two or more substrates arbitrarily selected from these A transparent substrate such as a laminated substrate formed by laminating layers can be used. In the present embodiment, “transparent” may be of a level that can cure the photo-curable resin with the light irradiated through the base 2. For example, the transmittance of light having a wavelength of 300 to 450 nm is 70%. It is preferable that the ratio be 90% or more.

基部2の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。基部2が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基部2の平面視形状は略矩形状である。   The shape of the base 2 in plan view is not particularly limited, and examples thereof include a substantially rectangular shape and a substantially circular shape. When the base 2 is made of a quartz glass substrate that is generally used for optical imprinting, the shape of the base 2 in a plan view is usually a substantially rectangular shape.

基部2の大きさも特に限定されるものではないが、基部2が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基部2の大きさは152mm×152mm程度である。また、基部2の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、300μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。   The size of the base 2 is not particularly limited, but when the base 2 is made of the quartz glass substrate, for example, the size of the base 2 is about 152 mm × 152 mm. In addition, the thickness of the base portion 2 can be set as appropriate within a range of, for example, about 300 μm to 10 mm in consideration of strength, handling suitability and the like.

本実施形態において、階段状凹凸構造部3は、複数の段部30を有する。なお、本実施形態においては、階段状凹凸構造部3が基部2の一方面2A側から順に第1〜第4段部31〜34の4個の段部30を有する態様を例に挙げて説明するが、この態様に限定されるものではない。階段状凹凸構造部3は、少なくとも2段の段部30を有していればよいが、階段状凹凸構造部3の段部30の数が多いほど、本実施形態における効果が顕著に現われ得る。第1〜第4段部31〜34の平面視における形状は、特に限定されるものではないが、例えば略円形状、略方形状等が挙げられる。   In the present embodiment, the stepped uneven structure portion 3 has a plurality of step portions 30. In the present embodiment, the stepped concavo-convex structure portion 3 is described by taking an example in which the four step portions 30 of the first to fourth step portions 31 to 34 are sequentially provided from the one surface 2A side of the base portion 2. However, the present invention is not limited to this mode. The stepped concavo-convex structure portion 3 only needs to have at least two stepped portions 30, but as the number of stepped portions 30 of the stepped concavo-convex structure portion 3 is larger, the effect in the present embodiment can be remarkably exhibited. . Although the shape in planar view of the 1st-4th step parts 31-34 is not specifically limited, For example, a substantially circular shape, a substantially rectangular shape, etc. are mentioned.

図2及び図3に示すように、第1〜第4段部31〜34は、それぞれ、基部2の一方面2Aに略平行な第1面301と、基部2の一方面2Aに略直交し、第1面301の第1端部E1から基部2側に向かって延びる第2面302とを有する。基部2の一方面2Aに対する垂直方向において、第1面301の第1端部E1は、第1端部E1に対向する第2端部E2の近傍よりも、基部2から遠位に位置する。すなわち、インプリントモールド1の側面視において、第2端部E2は、第1端部E1よりも基部2側に位置している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the first to fourth step portions 31 to 34 are respectively substantially orthogonal to the first surface 301 substantially parallel to the one surface 2 </ b> A of the base 2 and the one surface 2 </ b> A of the base 2. The second surface 302 extends from the first end E1 of the first surface 301 toward the base 2 side. In a direction perpendicular to the one surface 2A of the base portion 2, the first end E1 of the first surface 301 is located farther from the base portion 2 than the vicinity of the second end portion E2 facing the first end portion E1. That is, in the side view of the imprint mold 1, the second end portion E2 is located closer to the base portion 2 than the first end portion E1.

第1〜第4段部31〜34の第1面301の幅W301(図3参照)は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて製造される製品において要求される寸法に従う限りにおいて特に制限されるものではなく、例えば、100nm〜5μm程度、より好ましくは、300nm〜1μ程度に設定され得る。 As long as the width W 301 (see FIG. 3) of the first surface 301 of the first to fourth step portions 31 to 34 conforms to the dimensions required for a product manufactured using the imprint mold 1 according to this embodiment. It is not particularly limited, and can be set to, for example, about 100 nm to 5 μm, more preferably about 300 nm to 1 μm.

本実施形態において、第1〜第3段部31〜33の第1面301は、第1端部E1側に位置する凸部35と、第2端部E2側に位置し、基部2の一方面2Aと略平行な底面を含む凹部36と、当該第1面301における凸部35及び凹部36の間に位置する、少なくとも1つの段差部37とを有するのが好ましい。凸部35は、第1端部E1を含むが、凹部36は、隣接する段部30の第2面302の一部を側面とするものであってもよいし(図3参照)、当該第2面302よりも第1端部E1側に位置していてもよい(図4参照)。   In the present embodiment, the first surfaces 301 of the first to third step portions 31 to 33 are located on the first end E1 side and the second end E2 side, and are located on one side of the base 2. It is preferable to have a recess 36 including a bottom surface substantially parallel to the direction 2 </ b> A and at least one stepped portion 37 positioned between the protrusion 35 and the recess 36 on the first surface 301. The convex portion 35 includes the first end E1, but the concave portion 36 may have a part of the second surface 302 of the adjacent step portion 30 as a side surface (see FIG. 3). You may be located in the 1st edge part E1 side rather than the 2nd surface 302 (refer FIG. 4).

なお、凹部36の底面は、丸みを帯びた形状を有していてもよいし、スパイク形状やくさび型形状を有していてもよい。凹部36の底面の形状は、凹部36を形成する際のエッチング条件によって変わり得る。凹部36の底面が、基部2の一方面2Aと略平行であると、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理によりインプリント樹脂等に形成される転写形状を容易に制御可能である点で好適である。   Note that the bottom surface of the recess 36 may have a rounded shape, or may have a spike shape or a wedge shape. The shape of the bottom surface of the recess 36 may vary depending on the etching conditions when forming the recess 36. When the bottom surface of the recess 36 is substantially parallel to the one surface 2A of the base 2, the transfer shape formed on the imprint resin or the like by the imprint process using the imprint mold 1 according to the present embodiment can be easily controlled. It is preferable at this point.

第4段部34の第1面301は、第1端部E1側に位置する凸部35を有するが、凹部36を有していなくてもよい。当然に、第4段部34の第1面301には、第2端部E2側に位置する凹部36又は切欠部が設けられていてもよい。段差部37は、1段以上の下り階段状であってもよい。このように、本実施形態における第1〜第4段部31〜34の第1面301は、それぞれ、第1端部E1側から第2端部E2側に向かって下り階段状に構成される。   The first surface 301 of the fourth step portion 34 has the convex portion 35 located on the first end E1 side, but may not have the concave portion 36. Naturally, the first surface 301 of the fourth step portion 34 may be provided with a recess 36 or a notch located on the second end E2 side. The stepped portion 37 may be one or more steps down. As described above, the first surfaces 301 of the first to fourth step portions 31 to 34 in the present embodiment are each configured in a descending step shape from the first end E1 side to the second end E2 side. .

本実施形態において、第1面301の第1端部E1側に位置する凸部35とは、図5に示すように、基準面BSに対し基部2から離れる方向に突出した部分であって、第1面301の幅W301の1/2以下の幅W35を有するものを意味し、好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/2の幅W35を有するもの、より好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/3の幅W35を有するものを意味する。また、第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36も同様に、基準面BSに対し基部2に向かう方向に凹む部分であって、第1面301の幅W301の1/2以下の幅W36を有するものを意味し、好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/2の幅W36を有するもの、より好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/3の幅W36を有するものを意味する。なお、基準面BSは、第1面301の最上部(基部2の一方面2Aから最も離れた部分)と第1面301の最下部(基部2の一方面2Aに最も近い部分)との中間点(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における中間点)を通る、基部2の一方面2Aに平行な平面として定義される。 In the present embodiment, the convex portion 35 located on the first end E1 side of the first surface 301 is a portion protruding in a direction away from the base portion 2 with respect to the reference surface BS, as shown in FIG. It means having less than half of the width W 35 of the width W 301 of the first surface 301, preferably having a 1 / 5-1 / 2 of the width W 35 of the width W 301 of the first surface 301, More preferably, the first surface 301 has a width W 35 that is 1/5 to 1/3 of the width W 301 of the first surface 301. Similarly, the recess 36 located on the second end E2 side of the first surface 301 is a portion that is recessed in the direction toward the base 2 with respect to the reference surface BS, and is 1 / of the width W 301 of the first surface 301. It means those having 2 or less of the width W 36, preferably having 1 / 5-1 / 2 of the width W 36 of the width W 301 of the first surface 301, and more preferably the width W 301 of the first surface 301 And having a width W 36 of 1/5 to 1/3. The reference surface BS is an intermediate point between the uppermost portion of the first surface 301 (the portion farthest from the one surface 2A of the base 2) and the lowermost portion of the first surface 301 (the portion closest to the one surface 2A of the base 2). It is defined as a plane that passes through a point (an intermediate point in the direction perpendicular to the one surface 2A of the base 2) and is parallel to the one surface 2A of the base 2.

第1〜第4段部31〜34における第1面301の第1端部E1側に位置する凸部35の高さT35(図2参照)は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理にて使用されるインプリント樹脂の硬化収縮率等に応じて適宜設定され得るが、例えば、10nm〜1μm、より好ましくは20nm〜100nm程度に設定され得る。なお、凸部35の高さT35とは、基準面BSと凸部35の頂部との間の長さ(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における長さ)を意味する。 The height T 35 (see FIG. 2) of the convex portion 35 located on the first end E1 side of the first surface 301 in the first to fourth step portions 31 to 34 is the same as that of the imprint mold 1 according to this embodiment. Although it can set suitably according to the cure shrinkage rate etc. of the imprint resin used by the used imprint process, for example, it can set to about 10 nm-1 micrometer, More preferably, about 20 nm-100 nm. The height T 35 of the convex portion 35 means the length between the reference surface BS and the top of the convex portion 35 (the length in the direction perpendicular to the one surface 2A of the base portion 2).

第1〜第4段部31〜34における第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36の深さD36(図3参照)、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理にて使用されるインプリント樹脂の硬化収縮率等に応じて適宜設定され得るが、例えば、10nm〜1μm、より好ましくは20nm〜100nm程度に設定され得る。なお、凹部36の深さD36とは、基準面BSと凹部36の底面との間の長さ(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における長さ)を意味する。 The depth D 36 (see FIG. 3) of the concave portion 36 located on the second end E2 side of the first surface 301 in the first to fourth step portions 31 to 34, and the imprint mold 1 according to the present embodiment was used. Although it can set suitably according to the cure shrinkage rate etc. of the imprint resin used in the imprint process, for example, it can be set to about 10 nm to 1 μm, more preferably about 20 nm to 100 nm. The depth D 36 of the recess 36 means the length between the reference surface BS and the bottom surface of the recess 36 (the length in the direction perpendicular to the one surface 2A of the base 2).

本実施形態における階段状凹凸構造部3において、第1〜第4段部31〜34の第1面301の第1端部E2側に位置する凸部35は、いずれも同一の高さT35を有していてもよいが、基部2の一方面2Aに最も近い凸部35(第1段部31の第1面301の凸部35)の高さT35が最も高く、基部2の一方面2Aから遠ざかるに従って、凸部35の高さT35が漸減するのが好ましい。また、第1〜第3段部31〜33の第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36は、いずれも同一の深さD36を有していてもよいが、基部2の一方面2Aの最も近い凹部36の深さD36が最も深く、基部2の一方面2Aから遠ざかるに従って、凹部36の深さD36が漸減するのが好ましい。 In the stepped concavo-convex structure portion 3 in the present embodiment, the convex portions 35 located on the first end portion E2 side of the first surface 301 of the first to fourth step portions 31 to 34 all have the same height T35. However, the height T 35 of the convex portion 35 (the convex portion 35 of the first surface 301 of the first step portion 31) closest to the one surface 2A of the base portion 2 is the highest, and It is preferable that the height T 35 of the convex portion 35 gradually decreases as the distance from the direction 2A increases. The recess 36 located in the second end E2 side of the first surface 301 of the first to third step portions 31 to 33 are all may have the same depth D 36, but the base 2 deepest depth D 36 of the nearest recess 36 in one surface 2A of, as the distance from one surface 2A of the base 2, preferably the depth D 36 of the recess 36 is gradually reduced.

一般に、インプリントモールドを用いたインプリント処理により光硬化性樹脂に凹凸パターンを賦型した後、当該光硬化性樹脂をマスクとしたエッチング処理により下地層(光硬化性樹脂の下地層)を加工する際、エッチング処理に、より長時間晒されることになる光硬化性樹脂の凹凸パターンの頂部に近い方の角部の形状が丸みを帯びやすい。したがって、本実施形態に係るインプリントモールド1においては基部2の一方面2Aに近い側に位置する凸部35の高さT35や凹部36の深さD36を相対的に大きくすることで、階段状凹凸構造部3を高精度で転写することができる。 In general, after forming an uneven pattern on a photocurable resin by imprinting using an imprint mold, the underlying layer (underlying layer of photocurable resin) is processed by etching using the photocurable resin as a mask. In this case, the shape of the corner closer to the top of the concavo-convex pattern of the photocurable resin that is exposed to the etching process for a longer time tends to be rounded. Therefore, in the imprint mold 1 according to the present embodiment, by relatively increasing the height T 35 of the convex portion 35 and the depth D 36 of the concave portion 36 located on the side close to the one surface 2A of the base portion 2, The stepped concavo-convex structure portion 3 can be transferred with high accuracy.

なお、図6に示すように、本実施形態における凸部35は、基部2を構成する材料と異なる材料により構成されていてもよい。例えば、基部2が石英ガラスにより構成され、凸部35が金属クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物により構成されていてもよい。   In addition, as shown in FIG. 6, the convex part 35 in this embodiment may be comprised with the material different from the material which comprises the base part 2. As shown in FIG. For example, the base 2 may be made of quartz glass, and the convex portion 35 may be made of a chromium-based compound such as metal chromium, chromium oxide, chromium nitride, or chromium oxynitride.

上記構成を有するインプリントモールド1によれば、階段状凹凸構造部3の各段部30(第1〜第4段部31〜34)の第1面301の第1端部E1側に凸部35を有し、第2端部E2側に凹部36を有することで、後述するように、インプリント処理を通じて、インプリント樹脂に階段状凹凸パターンを高い精度で形成することができる。   According to the imprint mold 1 having the above configuration, a convex portion on the first end portion E1 side of the first surface 301 of each step portion 30 (first to fourth step portions 31 to 34) of the stepped uneven structure portion 3. 35, and having the recess 36 on the second end E2 side, a stepped concavo-convex pattern can be formed on the imprint resin with high accuracy through imprint processing, as will be described later.

[インプリントモールドの製造方法]
次に、上記構成を有するインプリントモールド1の製造方法の一例を説明する。図7〜13は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
[Imprint Mold Manufacturing Method]
Next, an example of the manufacturing method of the imprint mold 1 having the above configuration will be described. 7 to 13 are process flow diagrams showing the respective steps of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on a cut end surface.

まず、一方面21及びそれに対向する他方面22を有する透明基材20を準備し、当該透明基材20の一方面21上にハードマスク層40を形成し、その上にレジスト膜60を形成する(図7(A)参照)。   First, the transparent base material 20 having the one surface 21 and the other surface 22 opposite thereto is prepared, the hard mask layer 40 is formed on the one surface 21 of the transparent base material 20, and the resist film 60 is formed thereon. (See FIG. 7A).

ハードマスク層40は、例えば、クロム、窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料;タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル系材料等を単独で、又は任意に選択した2種以上を用い、スパッタリング、PVD、CVD等の公知の成膜法により形成され得る。なお、ハードマスク層40の厚さは、透明基材20を構成する材料とのエッチング選択比や、インプリントモールド1における階段状凹凸構造部3の高さ等に応じ適宜設定され得る。   The hard mask layer 40 is made of, for example, a chromium-based material such as chromium, chromium nitride, chromium oxide, or chromium oxynitride; It can be formed by a known film formation method such as sputtering, PVD, or CVD, using a single system material or the like, or two or more kinds selected arbitrarily. The thickness of the hard mask layer 40 can be set as appropriate according to the etching selection ratio with the material constituting the transparent substrate 20, the height of the stepped concavo-convex structure portion 3 in the imprint mold 1, and the like.

レジスト膜60を構成する樹脂材料(レジスト材料)としては、特に限定されるものではなく、電子線リソグラフィー処理、フォトリソグラフィー処理等において一般的に用いられるネガ型又はポジ型の電子線反応性レジスト材料、紫外線反応性レジスト材料等が挙げられる。   The resin material (resist material) constituting the resist film 60 is not particularly limited, and is a negative or positive electron beam reactive resist material generally used in electron beam lithography processing, photolithography processing and the like. And ultraviolet reactive resist materials.

レジスト膜60の厚みは、特に制限されるものではない。後述する工程(図7(B)参照)において、レジスト膜60をパターニングして形成されたレジストパターンが、ハードマスク層40をエッチングする際のマスクとして用いられる。したがって、レジスト膜60の厚みは、ハードマスク層40を構成する材料や厚さ等を考慮し、ハードマスク層40のエッチング処理後にレジストパターンが残存する程度に適宜設定される。   The thickness of the resist film 60 is not particularly limited. In a process described later (see FIG. 7B), a resist pattern formed by patterning the resist film 60 is used as a mask when the hard mask layer 40 is etched. Therefore, the thickness of the resist film 60 is appropriately set so that the resist pattern remains after the etching process of the hard mask layer 40 in consideration of the material, thickness, and the like constituting the hard mask layer 40.

ハードマスク層40上にレジスト膜60を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ハードマスク層40上にレジスト材料を、スピンコーター、スプレーコーター等の塗工機を用いて塗布し又はハードマスク層40上に上記樹脂成分を含有するドライフィルムレジストを積層し、所望により所定の温度で加熱(プリベーク)する方法等が挙げられる。   The method for forming the resist film 60 on the hard mask layer 40 is not particularly limited, and a conventionally known method, for example, a resist material is applied on the hard mask layer 40 by spin coater, spray coater or the like. Examples include a method of applying using a machine or laminating a dry film resist containing the resin component on the hard mask layer 40 and heating (pre-baking) at a predetermined temperature if desired.

次に、図7(B)に示すように、ハードマスク層40上の所望の位置に所定の第1開口部51を有する第1レジストパターン61を形成する。第1レジストパターン61は、例えば、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィー、所定の開口部及び遮光部を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー等により形成され得る。   Next, as shown in FIG. 7B, a first resist pattern 61 having a predetermined first opening 51 at a desired position on the hard mask layer 40 is formed. The first resist pattern 61 can be formed by, for example, electron beam lithography using an electron beam drawing apparatus, photolithography using a photomask having a predetermined opening and a light shielding portion, and the like.

第1レジストパターン61における第1開口部51の形状は、本実施形態に係るインプリントモールド1の設計に応じて適宜設定されるものであって、特に制限されるものではなく、例えば、平面視略円環状、平面視略方形状、平面視略方形枠状等である。   The shape of the first opening 51 in the first resist pattern 61 is appropriately set according to the design of the imprint mold 1 according to the present embodiment, and is not particularly limited. They are a substantially annular shape, a substantially square shape in plan view, a substantially rectangular frame shape in plan view, and the like.

第1開口部51の寸法は、上記形状と同様に、本実施形態において製造されるインプリントモールド1の設計寸法に応じて適宜設定されるものであって、特に制限されるものではないが、例えば、300nm〜100μm程度である。なお、第1開口部51の寸法とは、第1開口部51の短手方向における幅を意味する。   The dimension of the first opening 51 is appropriately set according to the design dimension of the imprint mold 1 manufactured in the present embodiment, as in the above shape, and is not particularly limited. For example, it is about 300 nm to 100 μm. In addition, the dimension of the 1st opening part 51 means the width | variety in the transversal direction of the 1st opening part 51. FIG.

上記のようにして形成された第1レジストパターン61をマスクとして用いてハードマスク層40をエッチングして第1ハードマスクパターン41を形成し(図7(B)参照)、当該第1ハードマスクパターン41をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図7(C)参照)。   The hard mask layer 40 is etched using the first resist pattern 61 formed as described above as a mask to form a first hard mask pattern 41 (see FIG. 7B), and the first hard mask pattern The one surface 21 side of the transparent substrate 20 is etched using 41 as a mask (see FIG. 7C).

次に、残存する第1ハードマスクパターン41上の所望の位置に所定の第2開口部52を有する第2レジストパターン62を形成した上で、第1ハードマスクパターン41をエッチングして第2ハードマスクパターン42を形成する。そして、当該第2ハードマスクパターン42をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図7(D)参照)。   Next, a second resist pattern 62 having a predetermined second opening 52 is formed at a desired position on the remaining first hard mask pattern 41, and then the first hard mask pattern 41 is etched to form a second hard mask. A mask pattern 42 is formed. And the one surface 21 side of the transparent base material 20 is etched using the said 2nd hard mask pattern 42 as a mask (refer FIG.7 (D)).

続いて、第2ハードマスクパターン42上の所望の位置に所定の第3開口部53を有する第3レジストパターン63を形成した上で、第2ハードマスクパターン42をエッチングして第3ハードマスクパターン43を形成する(図8(B)参照)。そして、当該第3ハードマスクパターン43をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図8(C)参照)。   Subsequently, after forming a third resist pattern 63 having a predetermined third opening 53 at a desired position on the second hard mask pattern 42, the second hard mask pattern 42 is etched to form a third hard mask pattern. 43 is formed (see FIG. 8B). And the one surface 21 side of the transparent base material 20 is etched using the said 3rd hard mask pattern 43 as a mask (refer FIG.8 (C)).

そして、第3ハードマスクパターン43上の所望の位置に所定の第4開口部54を有する第4レジストパターン64を形成した上で、第3ハードマスクパターン43をエッチングして第4ハードマスクパターン44を形成する(図9(A)参照)。そして、当該第4ハードマスクパターン44をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図9(B)参照)。最後に、第4ハードマスクパターン44を除去することで、凸部35及び凹部36を有しない、階段状凹凸構造3’が透明基材20の一方面21側に形成される(図9(C)参照)   Then, after forming a fourth resist pattern 64 having a predetermined fourth opening 54 at a desired position on the third hard mask pattern 43, the third hard mask pattern 43 is etched to form a fourth hard mask pattern 44. (See FIG. 9A). And the one surface 21 side of the transparent base material 20 is etched using the said 4th hard mask pattern 44 as a mask (refer FIG.9 (B)). Finally, by removing the fourth hard mask pattern 44, the stepped concavo-convex structure 3 ′ having no convex portions 35 and concave portions 36 is formed on the one surface 21 side of the transparent substrate 20 (FIG. 9C )reference)

このようにして、透明基材20の一方面21側に階段状凹凸構造3’が形成された後、当該階段状凹凸構造3’の第1面301’上に凸部35及び凹部36を形成する。まずは、透明基材20の一方面21側にハードマスク層70をスパッタリング等により形成する(図10(A)参照)。   In this way, after the stepped concavo-convex structure 3 ′ is formed on the one surface 21 side of the transparent substrate 20, the convex portion 35 and the concave portion 36 are formed on the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′. To do. First, the hard mask layer 70 is formed on the one surface 21 side of the transparent substrate 20 by sputtering or the like (see FIG. 10A).

次に、当該ハードマスク層70を被覆するように、電子線反応性レジスト等をスピンコート法等により塗布してレジスト層80を形成し(図10(B)参照)、電子線等を照射して露光し、その後現像処理を行うことで、レジストパターン81を形成する(図11(A),(B)参照)。   Next, an electron beam reactive resist or the like is applied by spin coating or the like so as to cover the hard mask layer 70 to form a resist layer 80 (see FIG. 10B), and then irradiated with an electron beam or the like. Then, a resist pattern 81 is formed by performing a development process thereafter (see FIGS. 11A and 11B).

レジストパターン81をマスクとしてハードマスク層70をエッチングし、ハードマスクパターン71を形成する(図12(A)参照)。そして、当該ハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35を形成する(図12(B)参照)。同様にして、凹部36に対応する開口を有するハードマスクパターン72を形成し(図13(A)参照)、当該ハードマスクパターン72をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凹部36を形成する(図13(B)参照)。このようにして、本実施形態に係るインプリントモールド1(図1参照)を製造することができる。なお、ハードマスクパターン71を形成した後(図12(A)参照)、当該ハードマスクパターン71を残しつつレジストパターン81を除去することで、図6に示すインプリントモールド1を製造することも可能である。   The hard mask layer 70 is etched using the resist pattern 81 as a mask to form a hard mask pattern 71 (see FIG. 12A). And the convex part 35 is formed in 1st surface 301 'of stair-like uneven structure 3' by etching the one surface 21 side of the transparent base material 20 by using the said hard mask pattern 71 as a mask (FIG.12 (B)). reference). Similarly, a hard mask pattern 72 having an opening corresponding to the recess 36 is formed (see FIG. 13A), and the one surface 21 side of the transparent substrate 20 is etched using the hard mask pattern 72 as a mask. Then, the recess 36 is formed on the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′ (see FIG. 13B). Thus, the imprint mold 1 (refer FIG. 1) which concerns on this embodiment can be manufactured. After forming the hard mask pattern 71 (see FIG. 12A), the imprint mold 1 shown in FIG. 6 can be manufactured by removing the resist pattern 81 while leaving the hard mask pattern 71. It is.

続いて、本実施形態に係るインプリントモールド1の製造方法の他の例を説明する。図14は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、図14に示す製造方法は、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程が図7〜13に示す製造方法と異なる。そのため、以下においては、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程を説明する。   Then, the other example of the manufacturing method of the imprint mold 1 which concerns on this embodiment is demonstrated. FIG. 14 is a process flow diagram showing each process of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on a cut end surface. The manufacturing method shown in FIG. 14 is different from the manufacturing method shown in FIGS. 7 to 13 in the step of forming the convex portions 35 and the concave portions 36 on the first surface 301 of the stepped concavo-convex structure portion 3. Therefore, below, the process of forming the convex part 35 and the recessed part 36 in the 1st surface 301 of the step-shaped uneven structure part 3 is demonstrated.

まず、図14(A)に示すように、透明基材20の一方面21に対し所定の角度で傾斜する方向にスパッタリングする。このとき、階段状凹凸構造3’の第1面301’における第1端部E1を結ぶ線分の方向(図14(A)において矢印で示す方向)に、ターゲット原子(ハードマスク90を構成する原子)を透明基材20の一方面21に入射させる。これにより、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にのみハードマスク90が形成される。ハードマスク90の幅(凸部35の幅W35)は、ターゲット原子の入射角度を調整することにより制御可能である。 First, as shown in FIG. 14A, sputtering is performed in a direction inclined at a predetermined angle with respect to the one surface 21 of the transparent substrate 20. At this time, the target atoms (hard mask 90) are configured in the direction of the line segment (the direction indicated by the arrow in FIG. 14A) connecting the first end E1 of the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′. Atoms) enter one surface 21 of the transparent substrate 20. Thereby, the hard mask 90 is formed only on the first end E1 side of the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′. The width of the hard mask 90 (the width W 35 of the projections 35) can be controlled by adjusting the incident angle of the target atoms.

そして、図14(B)に示すように、当該ハードマスク90をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングし、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35が形成される。その後、凹部36を形成することで、本実施形態に係るインプリントモールド1(図1参照)を製造することができる。なお、ハードマスク90を形成した後のエッチングを行わなければ、図6に示すインプリントモールド1を製造することも可能である。   And as shown in FIG.14 (B), the one surface 21 side of the transparent base material 20 is etched using the said hard mask 90 as a mask, and the convex part 35 is formed in 1st surface 301 'of stair-like uneven structure 3'. Is done. Then, the imprint mold 1 (refer FIG. 1) which concerns on this embodiment can be manufactured by forming the recessed part 36. FIG. If the etching after forming the hard mask 90 is not performed, the imprint mold 1 shown in FIG. 6 can be manufactured.

さらに、本実施形態に係るインプリントモールド1の製造方法の他の例を説明する。図15及び図16は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、図15及び図16に示す製造方法においても、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程が図7〜13に示す製造方法と異なる。そのため、以下においては、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程を説明する。   Furthermore, the other example of the manufacturing method of the imprint mold 1 which concerns on this embodiment is demonstrated. FIG.15 and FIG.16 is a process flowchart which shows each process of the manufacturing method of the imprint mold which concerns on this embodiment in a cut end surface. 15 and FIG. 16 also differs from the manufacturing method shown in FIGS. Therefore, below, the process of forming the convex part 35 and the recessed part 36 in the 1st surface 301 of the step-shaped uneven structure part 3 is demonstrated.

まず、図15(A)に示すように、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にハードマスクパターン71を形成する。ハードマスクパターン71を形成する方法は、図10(A)〜図12(A)に示す方法と同様の方法を採用することができるため、ここでは詳細な説明を省略するものとする。   First, as shown in FIG. 15A, a hard mask pattern 71 is formed on the first end E1 side of the first surface 301 'of the stepped concavo-convex structure 3'. As a method of forming the hard mask pattern 71, a method similar to the method shown in FIGS. 10A to 12A can be adopted, and detailed description thereof is omitted here.

次に、図15(B)に示すように、ハードマスクパターン71の少なくとも一部及び第1面301’の一部を被覆するが、凹部36に相当する部分に開口を有するレジストパターン82を形成する。レジストパターン82を形成する方法は、図10(B)〜図11(B)に示す方法と同様の方法を採用することができる。   Next, as shown in FIG. 15B, a resist pattern 82 that covers at least a part of the hard mask pattern 71 and a part of the first surface 301 ′ but has an opening corresponding to the recess 36 is formed. To do. As a method of forming the resist pattern 82, a method similar to the method shown in FIGS. 10B to 11B can be employed.

そして、図15(C)に示すように、レジストパターン82及びハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凹部36を形成する。続いて、レジストパターン82をエッチング又はアッシングにより除去した後(図16(A)参照)、ハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングする。これにより、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35を形成することができる(図16(B)参照)。図15〜16に示す製造方法によれば、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35及び凹部36を形成するに際して行われるリソグラフィー工程の回数を、図10〜13に示す製造方法よりも減らすことができる。   Then, as shown in FIG. 15C, the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′ is etched by etching the one surface 21 side of the transparent substrate 20 using the resist pattern 82 and the hard mask pattern 71 as a mask. A recess 36 is formed in the substrate. Subsequently, after removing the resist pattern 82 by etching or ashing (see FIG. 16A), the one surface 21 side of the transparent substrate 20 is etched using the hard mask pattern 71 as a mask. Thereby, the convex part 35 can be formed in 1st surface 301 'of stair-like uneven structure 3' (refer FIG.16 (B)). According to the manufacturing method shown in FIGS. 15 to 16, the number of lithography steps performed when forming the convex portions 35 and the concave portions 36 on the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′ is shown in FIGS. Can be reduced than the method.

[インプリント方法]
上述した構成を有するインプリントモールド1を用いたインプリント方法について説明する。図17は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、本実施形態におけるインプリント方法を通じて製造される凹凸構造体100としては、例えば、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、医療検査用チップ、マイクロ流路等が挙げられ、それらに求められる階段状凹凸構造体103に対応する階段状凹凸構造部3がインプリントモールド1に備えられている。
[Imprint method]
An imprint method using the imprint mold 1 having the above-described configuration will be described. FIG. 17 is a process flow diagram showing each process of the imprint method using the imprint mold 1 according to the present embodiment on a cut end surface. Examples of the concavo-convex structure 100 manufactured through the imprint method in the present embodiment include an optical element, a wiring circuit, a recording device, a display panel, a medical test chip, a microchannel, and the like. A stepped uneven structure portion 3 corresponding to the stepped uneven structure 103 is provided in the imprint mold 1.

まず、シリコンウェハ、石英ガラスウエハ、無アルカリガラス等のガラス基板等の被転写基板110と、本実施形態に係るインプリントモールド1とを準備する。そして、被転写基板110上にインプリント樹脂120を塗布し、インプリントモールド1をインプリント樹脂120に押し当てる(図17(A)参照)。インプリント樹脂120としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等が挙げられるが、紫外線の照射により硬化する紫外線硬化性樹脂を用いるのが好ましい。   First, a transfer substrate 110 such as a glass substrate such as a silicon wafer, a quartz glass wafer, or an alkali-free glass, and the imprint mold 1 according to the present embodiment are prepared. Then, the imprint resin 120 is applied onto the transfer substrate 110, and the imprint mold 1 is pressed against the imprint resin 120 (see FIG. 17A). Examples of the imprint resin 120 include an epoxy resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polysulfone resin, a polyester resin, and a polycarbonate resin, and an ultraviolet curable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is used. Is preferred.

被転写基板110上のインプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態で、インプリント樹脂120を硬化させる(図17(B)参照)。インプリント樹脂120を硬化させる方法としては、インプリント樹脂120を構成する樹脂材料の硬化特性に応じて適宜選択すればよく、例えば、インプリント樹脂120が紫外線硬化性樹脂により構成される場合、インプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態で紫外線を照射することで、当該インプリント樹脂120を硬化させることができる。   The imprint resin 120 is cured in a state where the imprint mold 1 is pressed against the imprint resin 120 on the transfer substrate 110 (see FIG. 17B). The method for curing the imprint resin 120 may be selected as appropriate according to the curing characteristics of the resin material constituting the imprint resin 120. For example, when the imprint resin 120 is composed of an ultraviolet curable resin, The imprint resin 120 can be cured by irradiating ultraviolet light with the imprint mold 1 pressed against the print resin 120.

硬化したインプリント樹脂120からインプリントモールド1を剥離する。これにより、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3に対応する階段状凹凸パターン123が形成される(図17(C)参照)。本実施形態に係るインプリントモールド1は、階段状凹凸構造部3の第1面301上に凸部35及び凹部36を有する。そのため、インプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態においては、図18に示すように、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3の形状に沿ってインプリント樹脂120が賦形される。この状態でインプリント樹脂120を硬化させると、インプリント樹脂120が硬化収縮により変形する。このとき、階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分は、硬化収縮の影響を受けやすいため、角が丸みを帯びながら他の部分に比して大きく収縮する。一方、階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凸部35に対応して凹む部分は、角が丸みを帯びながら当該凹む部分を埋めるようにして変形する。これにより、図19に示すように、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3がインプリント樹脂120に高精度で転写されることになる。   The imprint mold 1 is peeled from the cured imprint resin 120. Thereby, the step-like uneven | corrugated pattern 123 corresponding to the step-like uneven | corrugated structure part 3 of the imprint mold 1 is formed (refer FIG.17 (C)). The imprint mold 1 according to the present embodiment has a convex portion 35 and a concave portion 36 on the first surface 301 of the stepped concavo-convex structure portion 3. Therefore, in a state where the imprint mold 1 is pressed against the imprint resin 120, the imprint resin 120 is shaped along the shape of the stepped concavo-convex structure portion 3 of the imprint mold 1 as shown in FIG. The When the imprint resin 120 is cured in this state, the imprint resin 120 is deformed by curing shrinkage. At this time, a portion of the stepped concavo-convex pattern 123 that protrudes corresponding to the concave portion 36 of the imprint mold 1 is easily affected by curing shrinkage, so that the corners are rounded and larger than the other portions. Shrink. On the other hand, a portion of the stepped concavo-convex pattern 123 that is recessed corresponding to the protrusion 35 of the imprint mold 1 is deformed so as to fill the recessed portion with rounded corners. Thereby, as shown in FIG. 19, the stepped concavo-convex structure portion 3 of the imprint mold 1 is transferred to the imprint resin 120 with high accuracy.

本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて、被転写基板110に階段状凹凸構造部3を転写する場合、すなわち、本実施形態に係るインプリントモールド1がインプリントリソグラフィーに用いられるものである場合、階段状凹凸パターン123をマスクとして用いて被転写基板110をエッチングする。これにより、階段状凹凸構造体103を備える凹凸構造体100が製造される。なお、本実施形態に係るインプリントモールド1がインプリントリソグラフィーに用いられるものである場合、被転写基板110をエッチングするためのマスクとして用いられるインプリント樹脂120が、被転写基板110のエッチング中に膜減りすることも考慮し、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36を適宜設定すればよい。 When transferring the stepped concavo-convex structure portion 3 to the transfer substrate 110 using the imprint mold 1 according to the present embodiment, that is, the imprint mold 1 according to the present embodiment is used for imprint lithography. In this case, the transferred substrate 110 is etched using the stepped uneven pattern 123 as a mask. Thereby, the concavo-convex structure 100 including the stepped concavo-convex structure 103 is manufactured. When the imprint mold 1 according to this embodiment is used for imprint lithography, the imprint resin 120 used as a mask for etching the transfer substrate 110 is being etched during the etching of the transfer substrate 110. In consideration of the reduction of the film, the height T 35 of the convex portion 35 and the depth D 36 of the concave portion 36 of the imprint mold 1 may be set as appropriate.

より具体的には、インプリントモールド1を用いたインプリント処理によりインプリント樹脂120に形成される階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分と凸部35に対応して凹む部分とが、インプリントモールド1を剥離した後であっても、突起部及び溝部として存在し得るように(図20参照)、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36を設定するのが好ましい。このような階段状凹凸パターン123をマスクとして被転写基板110をエッチングすることで、被転写基板110に階段状凹凸構造体103を高い精度で形成することができる(図21参照)。 More specifically, of the stepped uneven pattern 123 formed on the imprint resin 120 by the imprint process using the imprint mold 1, a portion and a protrusion that protrude corresponding to the recessed portion 36 of the imprint mold 1. The height of the convex portion 35 of the imprint mold 1 so that the concave portion corresponding to 35 can exist as a protrusion and a groove even after the imprint mold 1 is peeled off (see FIG. 20). It is preferable to set T 35 and the depth D 36 of the recess 36. By etching the transferred substrate 110 using the stepped uneven pattern 123 as a mask, the stepped uneven structure 103 can be formed on the transferred substrate 110 with high accuracy (see FIG. 21).

階段状凹凸パターン123をマスクとして被転写基板110をエッチングする際、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E120の角は、エッチングが進行しやすいことで丸みを帯びやすい。これに対応するように、被転写基板110に形成される階段状凹凸構造体103の第1面101の端部E110の角も丸みを帯びやすくなる。一方で、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E121の角においては、エッチングが進行し難い。そのため、本実施形態のように、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E120に、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分が存在し、端部E121に凸部35に対応して凹む部分が存在することで、階段状凹凸構造体103を高い精度で形成することができる。また、階段状凹凸パターン123の上方の段部の方が、下方の段部よりもエッチングに長時間曝されるため、上方の段部ほど、凹部36に対応して突出する部分の高さや凸部に対応して凹む部分の深さが大きく、下方の段部ほど、当該突出する部分の高さや凹む部分の深さが小さくなるように、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36が設定されるのが好ましい。 When the transferred substrate 110 is etched using the stepped uneven pattern 123 as a mask, the corner of the end portion E120 of the first surface 121 of each stepped portion of the stepped uneven pattern 123 tends to be rounded because the etching easily proceeds. . Corresponding to this, the corners of the end E110 of the first surface 101 of the stepped concavo-convex structure 103 formed on the transfer substrate 110 are also easily rounded. On the other hand, etching hardly proceeds at the corners of the end E121 of the first surface 121 of each stepped portion of the stepped uneven pattern 123. Therefore, as in the present embodiment, the end portion E120 of the first surface 121 of each stepped portion of the stepped uneven pattern 123 has a portion protruding corresponding to the recess 36 of the imprint mold 1, and the end portion E121. Therefore, the stepped concavo-convex structure 103 can be formed with high accuracy. Further, the upper stepped portion of the stepped uneven pattern 123 is exposed to etching for a longer time than the lower stepped portion, so that the upper stepped portion has a height or convexity that protrudes corresponding to the recess 36. The height T 35 of the convex portion 35 of the imprint mold 1 is such that the depth of the concave portion corresponding to the portion is large, and the height of the protruding portion and the depth of the concave portion are smaller in the lower step portion. and preferably the depth D 36 of the recess 36 is set.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

上記実施形態において、インプリントモールド1の各段部31〜34の第1面301に凸部35及び凹部36を有し、凸部35及び凹部36の間の段差部37が基部2の一方面2Aに略平行な平面を有する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、図22に示すように、凸部35と凹部36との間の段差部37が、凸部35から凹部36に向けて下るように傾斜する傾斜部により構成されていてもよいし、図23に示すように、当該傾斜部により構成される段差部37が、湾曲していてもよい。   In the above embodiment, the first surface 301 of each step portion 31 to 34 of the imprint mold 1 has the convex portion 35 and the concave portion 36, and the step portion 37 between the convex portion 35 and the concave portion 36 is one surface of the base portion 2. Although the aspect which has a plane substantially parallel to 2A was mentioned as an example and demonstrated, it is not limited to this aspect. For example, as shown in FIG. 22, the stepped portion 37 between the convex portion 35 and the concave portion 36 may be configured by an inclined portion that inclines so as to descend from the convex portion 35 toward the concave portion 36. As shown in FIG. 23, the step part 37 constituted by the inclined part may be curved.

図22に示す構成を有するインプリントモールド1は、以下のようにして製造され得る。まず、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にハードマスクパターン71を形成し、ハードマスクパターン71の少なくとも一部及び第1面301’の一部を被覆するが、凹部36に相当する部分に開口を有するレジストパターン82を形成する(図24(A)参照)。そして、レジストパターン82及びハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をドライエッチングする。このドライエッチング時に、レジストパターン82がエッチングされやすくなるように、エッチングガス中の酸素の量(分圧)を調整する。これにより、レジストパターン82が除去され露出した部分(階段状凹凸構造3’の第1面301’)がエッチングに曝されることになる。その結果、階段状凹凸構造3’の第1面301’に、傾斜部により構成される段差部37及び凹部36を形成することができる(図24(B)参照)。   The imprint mold 1 having the configuration shown in FIG. 22 can be manufactured as follows. First, the hard mask pattern 71 is formed on the first end E1 side of the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′, and covers at least a part of the hard mask pattern 71 and a part of the first surface 301 ′. However, a resist pattern 82 having an opening in a portion corresponding to the recess 36 is formed (see FIG. 24A). Then, the one surface 21 side of the transparent substrate 20 is dry-etched using the resist pattern 82 and the hard mask pattern 71 as a mask. During this dry etching, the amount (partial pressure) of oxygen in the etching gas is adjusted so that the resist pattern 82 is easily etched. As a result, the exposed portion (the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′) from which the resist pattern 82 has been removed is exposed to etching. As a result, it is possible to form the stepped portion 37 and the recessed portion 36 constituted by the inclined portions on the first surface 301 ′ of the stepped concavo-convex structure 3 ′ (see FIG. 24B).

1…インプリントモールド
2…透明基材
2A…一方面
2B…他方面
3…階段状凹凸構造部
31…第1段部
32…第2段部
33…第3段部
34…第4段部
35…凸部
37…凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Imprint mold 2 ... Transparent base material 2A ... One side 2B ... The other side 3 ... Stair-like uneven structure part 31 ... 1st step part 32 ... 2nd step part 33 ... 3rd step part 34 ... 4th step part 35 ... convex part 37 ... concave part

Claims (14)

基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、
前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、
前記基部の前記一方面に対する垂直方向において、少なくとも前記複数の段部のそれぞれは、前記第1面の第1端部が当該第1端部に対向する第2端部の近傍よりも前記基部から遠位に位置するように構成される
ことを特徴とするインプリントモールド。
A base, and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base,
Each of the step portions includes a first surface that is substantially parallel to one surface of the base portion, and a second surface that is substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extends from the first end of the first surface toward the base portion. And
In the direction perpendicular to the one surface of the base, at least each of the plurality of stepped portions is more distant from the base than the vicinity of the second end where the first end of the first surface faces the first end. An imprint mold, wherein the imprint mold is configured to be located distally.
基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、
前記各段部は、前記基部に略平行な第1面と、前記基部に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に延びる第2面とを有し、
前記第1面の第1端部側には、前記第1端部を含む凸部が設けられている
ことを特徴とするインプリントモールド。
A base, and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base,
Each of the step portions has a first surface substantially parallel to the base portion, and a second surface substantially orthogonal to the base portion and extending from the first end portion of the first surface to the base side,
An imprint mold, wherein a convex portion including the first end portion is provided on the first end portion side of the first surface.
側面視において、前記凸部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であることを特徴とする請求項2に記載のインプリントモールド。   3. The imprint mold according to claim 2, wherein, in a side view, the width of the convex portion is ½ or less of the width of the first surface. 前記凸部を構成する材料は、前記基部を構成する材料と異なる材料であることを特徴とする請求項2又は3に記載のインプリントモールド。   4. The imprint mold according to claim 2, wherein a material constituting the convex portion is a material different from a material constituting the base portion. 5. 前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍に凹部が設けられていることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載のインプリントモールド。   The imprint mold according to claim 2, wherein a concave portion is provided in the vicinity of the second end portion facing the first end portion of the first surface. 基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、
前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に延びる第2面とを有し、
前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍には凹部が設けられている
ことを特徴とするインプリントモールド。
A base, and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base,
Each of the step portions includes a first surface substantially parallel to one surface of the base portion, and a second surface substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extending from the first end portion of the first surface to the base side. Have
An imprint mold, wherein a concave portion is provided in the vicinity of a second end portion facing the first end portion of the first surface.
側面視において、前記凹部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であることを特徴とする請求項6に記載のインプリントモールド。   The imprint mold according to claim 6, wherein, in a side view, the width of the concave portion is ½ or less of the width of the first surface. 前記第1面の第1端部側には、前記第1端部を含む凸部が設けられていることを特徴とする請求項6又は7に記載のインプリントモールド。   The imprint mold according to claim 6, wherein a convex portion including the first end portion is provided on the first end portion side of the first surface. 前記第1面は、前記第1端部から当該第1端部に対向する第2端部に向かって下り階段状に構成されることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のインプリントモールド。   The said 1st surface is comprised in the downward staircase shape toward the 2nd end part which opposes the said 1st end part from the said 1st end part, The Claim 1 characterized by the above-mentioned. Imprint mold. 前記第1面は、前記第1端部から当該第1端部に対向する第2端部に向かって3段以上の下り階段状に構成されることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のインプリントモールド。   The said 1st surface is comprised in the descending step shape of 3 steps or more toward the 2nd end part which opposes the said 1st end part from the said 1st end part, The any one of Claims 1-9 characterized by the above-mentioned. Imprint mold according to crab. 前記第1面は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって傾斜する傾斜部を含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のインプリントモールド。   The said 1st surface contains the inclination part which inclines toward the 2nd edge part side which opposes the said 1st edge part from the said 1st edge part side. Imprint mold. 前記傾斜部は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって湾曲して傾斜することを特徴とする請求項11に記載のインプリントモールド。   The imprint mold according to claim 11, wherein the inclined portion is curved and inclined from the first end portion side toward the second end portion side facing the first end portion. 前記インプリントモールドは、インプリントリソグラフィーに用いられるインプリントモールドであることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載のインプリントモールド。   The imprint mold according to any one of claims 1 to 12, wherein the imprint mold is an imprint mold used for imprint lithography. 請求項1〜13のいずれかに記載のインプリントモールドを製造する方法であって、
基部の一方面側に複数の段部を有する階段状凹凸構造部を形成する工程と、
前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上にハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層が形成された前記基部にエッチング処理を施す工程と
を含み、
前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、
前記ハードマスク層を形成する工程において、前記各段部の前記第1面のうち、前記第1端部近傍に前記ハードマスク層を形成し、前記第1端部に対向する第2端部近傍に前記ハードマスク層を形成しないことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
A method for producing an imprint mold according to claim 1,
Forming a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions on one side of the base portion;
Forming a hard mask layer on the stepped concavo-convex structure portion so as to expose a part of the stepped concavo-convex structure portion;
Etching the base portion on which the hard mask layer is formed,
Each of the step portions includes a first surface that is substantially parallel to one surface of the base portion, and a second surface that is substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extends from the first end of the first surface toward the base portion. And
In the step of forming the hard mask layer, in the first surface of each step portion, the hard mask layer is formed in the vicinity of the first end portion, and in the vicinity of the second end portion facing the first end portion. The method of manufacturing an imprint mold is characterized in that the hard mask layer is not formed.
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