JP2018163942A - Imprint mold and method of manufacturing imprint mold - Google Patents
Imprint mold and method of manufacturing imprint mold Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018163942A JP2018163942A JP2017059411A JP2017059411A JP2018163942A JP 2018163942 A JP2018163942 A JP 2018163942A JP 2017059411 A JP2017059411 A JP 2017059411A JP 2017059411 A JP2017059411 A JP 2017059411A JP 2018163942 A JP2018163942 A JP 2018163942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imprint mold
- base
- imprint
- stepped
- convex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、インプリントモールド及び当該インプリントモールドを製造する方法に関する。 The present invention relates to an imprint mold and a method for manufacturing the imprint mold.
近年、半導体デバイス、光学部材等の製造工程において、基板の表面に微細凹凸パターンを形成した型部材(インプリントモールド)を用い、微細凹凸パターンを基板等の被加工物に等倍転写するパターン形成技術であるナノインプリント技術が利用されている。 In recent years, in the manufacturing process of semiconductor devices, optical members, etc., pattern formation that uses a mold member (imprint mold) with a fine uneven pattern formed on the surface of the substrate and transfers the fine uneven pattern onto a workpiece such as a substrate at the same magnification. Nanoimprint technology is used.
ナノインプリント技術に用いられるインプリントモールドに形成されている微細凹凸パターンの多くは、断面矩形状のラインアンドスペースパターン、ピラーパターン、ホールパターン等の1段の凹凸構造により構成される。 Many of the fine concavo-convex patterns formed in the imprint mold used in the nanoimprint technology are configured by a one-step concavo-convex structure such as a line-and-space pattern having a rectangular cross section, a pillar pattern, and a hole pattern.
その一方で、半導体デバイス等の製造のみならず、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、細胞培養用チップ、マイクロ流路等の製造過程において、複数段構造を形成することがある。このような複数段構造を、ナノインプリント技術を利用して形成するために、従来、複数の段部を有する階段状凹凸構造部を備えるインプリントモールドが用いられている(特許文献1参照)。 On the other hand, a multi-stage structure may be formed not only in the manufacture of semiconductor devices, but also in the manufacturing process of optical elements, wiring circuits, recording devices, display panels, cell culture chips, microchannels, and the like. In order to form such a multi-step structure using nanoimprint technology, an imprint mold including a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions has been conventionally used (see Patent Document 1).
上記階段状凹凸構造部を備えるインプリントモールドを用いて、被転写材料としての紫外線硬化性樹脂等に当該階段状凹凸構造部を転写すると、紫外線硬化性樹脂の硬化収縮により、紫外線硬化性樹脂に形成される階段状凹凸構造の形状が変化してしまう、具体的には各段部の角部の形状が丸みを帯びてしまうという問題が生じる。特に、インプリントモールドの階段状凹凸構造部の段数が多くなると、上記問題が顕著に生じ得る。 Using the imprint mold having the stepped concavo-convex structure part, when the stepped concavo-convex structure part is transferred to an ultraviolet curable resin or the like as a material to be transferred, the ultraviolet curable resin is transformed into an ultraviolet curable resin by curing shrinkage. There arises a problem that the shape of the stepped concavo-convex structure to be formed is changed, specifically, the shape of the corner of each step is rounded. In particular, when the number of steps of the stepped concavo-convex structure portion of the imprint mold is increased, the above problem can be remarkably generated.
上記インプリントモールドを用いて、所定の基板上の紫外線硬化性樹脂等に階段状凹凸構造部を転写し、当該紫外線硬化性樹脂をマスクとして基板をエッチングすることで、基板に階段状凹凸構造部を転写する場合、丸みを帯びてしまった各段部の角部の形状が、長時間エッチング環境下に曝されることでさらに丸みを帯びてしまい、基板に転写される階段状凹凸構造部を設計通りに形成することができないという問題が生じる。 Using the imprint mold, the stepped concavo-convex structure portion is transferred to an ultraviolet curable resin or the like on a predetermined substrate, and the substrate is etched using the ultraviolet curable resin as a mask, whereby the stepped concavo-convex structure portion is formed on the substrate. When transferring the shape, the corners of each stepped portion that has been rounded are further rounded by being exposed to the etching environment for a long time, and the stepped concavo-convex structure portion transferred to the substrate is removed. There arises a problem that it cannot be formed as designed.
上記のように紫外線硬化性樹脂に形成される階段状凹凸構造の形状変化が生じてしまうと、上記インプリントモールドを用いたインプリント処理を経て製造される製品において不具合が生じるという問題を発生させてしまう。 When the shape change of the stepped concavo-convex structure formed in the ultraviolet curable resin as described above occurs, there is a problem that a defect occurs in a product manufactured through the imprint process using the imprint mold. End up.
上記課題に鑑みて、本発明は、インプリント処理により被転写材料に階段状凹凸構造部を高精度で転写することのできるインプリントモールド及びその製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an imprint mold that can transfer a stepped concavo-convex structure portion to a material to be transferred with high accuracy by an imprint process and a method for manufacturing the imprint mold.
上記課題を解決するために、本発明は、基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記基部の前記一方面に対する垂直方向において、少なくとも前記複数の段部のそれぞれは、前記第1面の第1端部が当該第1端部に対向する第2端部の近傍よりも前記基部から遠位に位置するように構成されることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明1)。 In order to solve the above-mentioned problem, the present invention includes a base and a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions formed on one surface side of the base portion, and each step portion includes the base portion. A first surface substantially parallel to one surface of the base portion and a second surface substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extending from the first end portion of the first surface toward the base portion, In the direction perpendicular to the one surface, at least each of the plurality of step portions is more distant from the base portion than the vicinity of the second end portion where the first end portion of the first surface opposes the first end portion. An imprint mold is provided that is configured to be positioned (Invention 1).
また、本発明は、基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記第1面の第1端部側には、前記第1端部を含む凸部が設けられていることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明2)。 The present invention also includes a base and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base, and each step is substantially parallel to one surface of the base. A first surface of the first surface, and a first surface of the first surface extending from the first end of the first surface toward the base. Provided on the side is an imprint mold characterized in that a convex portion including the first end portion is provided (invention 2).
上記発明(発明2)において、側面視における前記凸部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であるのが好ましく(発明3)、前記凸部を構成する材料は、前記基部を構成する材料と異なる材料であるのが好ましく(発明4)、前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍に凹部が設けられているのが好ましい(発明5)。 In the said invention (invention 2), it is preferable that the width | variety of the said convex part in side view is 1/2 or less of the width | variety of the said 1st surface (invention 3), and the material which comprises the said convex part is the said base. It is preferable that the material is different from the material constituting the material (invention 4), and it is preferable that a recess is provided in the vicinity of the second end facing the first end of the first surface (invention 5).
さらに、本発明は、基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍には凹部が設けられていることを特徴とするインプリントモールドを提供する(発明6)。 The present invention further includes a base and a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions formed on one surface side of the base portion, and each step portion is substantially parallel to one surface of the base portion. A first surface of the first surface, and a first surface of the first surface extending from the first end of the first surface toward the base. An imprint mold is provided in which a concave portion is provided in the vicinity of the second end portion facing to (Invention 6).
上記発明(発明6)において、側面視における前記凹部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であるのが好ましく(発明7)、前記第1面の第1端部側には、前記第1端部を含む凸部が設けられているのが好ましい(発明8)。 In the said invention (invention 6), it is preferable that the width | variety of the said recessed part in a side view is 1/2 or less of the width | variety of the said 1st surface (invention 7), on the 1st edge part side of the said 1st surface. It is preferable that a convex portion including the first end portion is provided (invention 8).
上記発明(発明1〜8)において、前記第1面は、前記第1端部から当該第1端部に対向する第2端部に向かって下り階段状に構成されていてもよく(発明9)、前記第1端部から当該第1端部に対向する第2端部に向かって3段以上の下り階段状に構成されていてもよい(発明10)。 In the said invention (invention 1-8), the said 1st surface may be comprised from the said 1st edge part toward the 2nd edge part which opposes the said 1st edge part in the descent | falling step shape (invention 9). ), And may be configured in three or more descending steps from the first end toward the second end facing the first end (Invention 10).
上記発明(発明1〜8)において、前記第1面は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって傾斜する傾斜部を含んでいてもよく(発明11)、前記傾斜部は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって湾曲して傾斜するのが好ましい(発明12)。 In the above inventions (Inventions 1 to 8), the first surface may include an inclined portion inclined from the first end portion side toward the second end portion side facing the first end portion ( Invention 11) Preferably, the inclined portion is curved and inclined from the first end side toward the second end side facing the first end portion (Invention 12).
上記発明(発明1〜12)において、前記インプリントモールドは、インプリントリソグラフィーに用いられるインプリントモールドであるのが好ましい(発明13)。 In the said invention (invention 1-12), it is preferable that the said imprint mold is an imprint mold used for imprint lithography (invention 13).
さらにまた、本発明は、上記発明(発明1〜13)に係るインプリントモールドを製造する方法であって、基部の一方面側に複数の段部を有する階段状凹凸構造部を形成する工程と、前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層が形成された前記基部にエッチング処理を施す工程とを含み、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、前記ハードマスク層を形成する工程において、前記各段部の前記第1面のうち、前記第1端部近傍に前記ハードマスク層を形成し、前記第1端部に対向する第2端部近傍に前記ハードマスク層を形成しないことを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する(発明14)。 Furthermore, the present invention is a method for producing an imprint mold according to the above inventions (Inventions 1 to 13), wherein a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions on one side of the base portion is formed. , A step of forming a hard mask layer on the stepped concavo-convex structure portion so as to expose a part on the stepped concavo-convex structure portion, and a step of etching the base portion on which the hard mask layer is formed Each of the step portions is substantially parallel to one surface of the base portion, and substantially perpendicular to one surface of the base portion, from the first end portion of the first surface toward the base side. In the step of forming the hard mask layer, the hard mask layer is formed in the vicinity of the first end of the first surface of each step, and the first end The hard mask layer is formed in the vicinity of the second end facing the portion To provide a method of manufacturing an imprint mold, characterized in that no (invention 14).
本発明によれば、インプリント処理により被転写材料に階段状凹凸構造部を高精度で転写することのできるインプリントモールド及びその製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imprint mold which can transcribe | transfer a stair-like uneven structure part to a material to be transferred with high precision by imprint processing, and its manufacturing method can be provided.
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図であり、図2は、本実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cut end view showing a schematic configuration of an imprint mold according to the present embodiment, and FIG. 2 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of a stepped uneven structure portion of the imprint mold according to the present embodiment. FIG.
[インプリントモールド]
図1に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド1は、一方面2A及び当該一方面2Aに対向する他方面2Bを有する基部2と、基部2の一方面2A側に形成されている階段状凹凸構造部3とを備える。
[Imprint mold]
As shown in FIG. 1, the imprint mold 1 according to the present embodiment is formed on a
基部2としては、インプリントモールド用基材として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された2以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、基部2を介して照射された光により光硬化性樹脂を硬化させ得る程度であればよく、例えば、波長300〜450nmの光線の透過率が70%以上であるのが好ましく、より好ましくは90%以上である。
As the
基部2の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。基部2が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基部2の平面視形状は略矩形状である。
The shape of the
基部2の大きさも特に限定されるものではないが、基部2が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基部2の大きさは152mm×152mm程度である。また、基部2の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、300μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。
The size of the
本実施形態において、階段状凹凸構造部3は、複数の段部30を有する。なお、本実施形態においては、階段状凹凸構造部3が基部2の一方面2A側から順に第1〜第4段部31〜34の4個の段部30を有する態様を例に挙げて説明するが、この態様に限定されるものではない。階段状凹凸構造部3は、少なくとも2段の段部30を有していればよいが、階段状凹凸構造部3の段部30の数が多いほど、本実施形態における効果が顕著に現われ得る。第1〜第4段部31〜34の平面視における形状は、特に限定されるものではないが、例えば略円形状、略方形状等が挙げられる。
In the present embodiment, the stepped
図2及び図3に示すように、第1〜第4段部31〜34は、それぞれ、基部2の一方面2Aに略平行な第1面301と、基部2の一方面2Aに略直交し、第1面301の第1端部E1から基部2側に向かって延びる第2面302とを有する。基部2の一方面2Aに対する垂直方向において、第1面301の第1端部E1は、第1端部E1に対向する第2端部E2の近傍よりも、基部2から遠位に位置する。すなわち、インプリントモールド1の側面視において、第2端部E2は、第1端部E1よりも基部2側に位置している。
As shown in FIGS. 2 and 3, the first to
第1〜第4段部31〜34の第1面301の幅W301(図3参照)は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて製造される製品において要求される寸法に従う限りにおいて特に制限されるものではなく、例えば、100nm〜5μm程度、より好ましくは、300nm〜1μ程度に設定され得る。
As long as the width W 301 (see FIG. 3) of the
本実施形態において、第1〜第3段部31〜33の第1面301は、第1端部E1側に位置する凸部35と、第2端部E2側に位置し、基部2の一方面2Aと略平行な底面を含む凹部36と、当該第1面301における凸部35及び凹部36の間に位置する、少なくとも1つの段差部37とを有するのが好ましい。凸部35は、第1端部E1を含むが、凹部36は、隣接する段部30の第2面302の一部を側面とするものであってもよいし(図3参照)、当該第2面302よりも第1端部E1側に位置していてもよい(図4参照)。
In the present embodiment, the
なお、凹部36の底面は、丸みを帯びた形状を有していてもよいし、スパイク形状やくさび型形状を有していてもよい。凹部36の底面の形状は、凹部36を形成する際のエッチング条件によって変わり得る。凹部36の底面が、基部2の一方面2Aと略平行であると、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理によりインプリント樹脂等に形成される転写形状を容易に制御可能である点で好適である。
Note that the bottom surface of the
第4段部34の第1面301は、第1端部E1側に位置する凸部35を有するが、凹部36を有していなくてもよい。当然に、第4段部34の第1面301には、第2端部E2側に位置する凹部36又は切欠部が設けられていてもよい。段差部37は、1段以上の下り階段状であってもよい。このように、本実施形態における第1〜第4段部31〜34の第1面301は、それぞれ、第1端部E1側から第2端部E2側に向かって下り階段状に構成される。
The
本実施形態において、第1面301の第1端部E1側に位置する凸部35とは、図5に示すように、基準面BSに対し基部2から離れる方向に突出した部分であって、第1面301の幅W301の1/2以下の幅W35を有するものを意味し、好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/2の幅W35を有するもの、より好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/3の幅W35を有するものを意味する。また、第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36も同様に、基準面BSに対し基部2に向かう方向に凹む部分であって、第1面301の幅W301の1/2以下の幅W36を有するものを意味し、好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/2の幅W36を有するもの、より好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/3の幅W36を有するものを意味する。なお、基準面BSは、第1面301の最上部(基部2の一方面2Aから最も離れた部分)と第1面301の最下部(基部2の一方面2Aに最も近い部分)との中間点(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における中間点)を通る、基部2の一方面2Aに平行な平面として定義される。
In the present embodiment, the
第1〜第4段部31〜34における第1面301の第1端部E1側に位置する凸部35の高さT35(図2参照)は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理にて使用されるインプリント樹脂の硬化収縮率等に応じて適宜設定され得るが、例えば、10nm〜1μm、より好ましくは20nm〜100nm程度に設定され得る。なお、凸部35の高さT35とは、基準面BSと凸部35の頂部との間の長さ(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における長さ)を意味する。
The height T 35 (see FIG. 2) of the
第1〜第4段部31〜34における第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36の深さD36(図3参照)、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理にて使用されるインプリント樹脂の硬化収縮率等に応じて適宜設定され得るが、例えば、10nm〜1μm、より好ましくは20nm〜100nm程度に設定され得る。なお、凹部36の深さD36とは、基準面BSと凹部36の底面との間の長さ(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における長さ)を意味する。
The depth D 36 (see FIG. 3) of the
本実施形態における階段状凹凸構造部3において、第1〜第4段部31〜34の第1面301の第1端部E2側に位置する凸部35は、いずれも同一の高さT35を有していてもよいが、基部2の一方面2Aに最も近い凸部35(第1段部31の第1面301の凸部35)の高さT35が最も高く、基部2の一方面2Aから遠ざかるに従って、凸部35の高さT35が漸減するのが好ましい。また、第1〜第3段部31〜33の第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36は、いずれも同一の深さD36を有していてもよいが、基部2の一方面2Aの最も近い凹部36の深さD36が最も深く、基部2の一方面2Aから遠ざかるに従って、凹部36の深さD36が漸減するのが好ましい。
In the stepped concavo-
一般に、インプリントモールドを用いたインプリント処理により光硬化性樹脂に凹凸パターンを賦型した後、当該光硬化性樹脂をマスクとしたエッチング処理により下地層(光硬化性樹脂の下地層)を加工する際、エッチング処理に、より長時間晒されることになる光硬化性樹脂の凹凸パターンの頂部に近い方の角部の形状が丸みを帯びやすい。したがって、本実施形態に係るインプリントモールド1においては基部2の一方面2Aに近い側に位置する凸部35の高さT35や凹部36の深さD36を相対的に大きくすることで、階段状凹凸構造部3を高精度で転写することができる。
In general, after forming an uneven pattern on a photocurable resin by imprinting using an imprint mold, the underlying layer (underlying layer of photocurable resin) is processed by etching using the photocurable resin as a mask. In this case, the shape of the corner closer to the top of the concavo-convex pattern of the photocurable resin that is exposed to the etching process for a longer time tends to be rounded. Therefore, in the imprint mold 1 according to the present embodiment, by relatively increasing the height T 35 of the convex portion 35 and the depth D 36 of the
なお、図6に示すように、本実施形態における凸部35は、基部2を構成する材料と異なる材料により構成されていてもよい。例えば、基部2が石英ガラスにより構成され、凸部35が金属クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物により構成されていてもよい。
In addition, as shown in FIG. 6, the
上記構成を有するインプリントモールド1によれば、階段状凹凸構造部3の各段部30(第1〜第4段部31〜34)の第1面301の第1端部E1側に凸部35を有し、第2端部E2側に凹部36を有することで、後述するように、インプリント処理を通じて、インプリント樹脂に階段状凹凸パターンを高い精度で形成することができる。
According to the imprint mold 1 having the above configuration, a convex portion on the first end portion E1 side of the
[インプリントモールドの製造方法]
次に、上記構成を有するインプリントモールド1の製造方法の一例を説明する。図7〜13は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
[Imprint Mold Manufacturing Method]
Next, an example of the manufacturing method of the imprint mold 1 having the above configuration will be described. 7 to 13 are process flow diagrams showing the respective steps of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on a cut end surface.
まず、一方面21及びそれに対向する他方面22を有する透明基材20を準備し、当該透明基材20の一方面21上にハードマスク層40を形成し、その上にレジスト膜60を形成する(図7(A)参照)。
First, the
ハードマスク層40は、例えば、クロム、窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料;タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル系材料等を単独で、又は任意に選択した2種以上を用い、スパッタリング、PVD、CVD等の公知の成膜法により形成され得る。なお、ハードマスク層40の厚さは、透明基材20を構成する材料とのエッチング選択比や、インプリントモールド1における階段状凹凸構造部3の高さ等に応じ適宜設定され得る。
The
レジスト膜60を構成する樹脂材料(レジスト材料)としては、特に限定されるものではなく、電子線リソグラフィー処理、フォトリソグラフィー処理等において一般的に用いられるネガ型又はポジ型の電子線反応性レジスト材料、紫外線反応性レジスト材料等が挙げられる。
The resin material (resist material) constituting the resist
レジスト膜60の厚みは、特に制限されるものではない。後述する工程(図7(B)参照)において、レジスト膜60をパターニングして形成されたレジストパターンが、ハードマスク層40をエッチングする際のマスクとして用いられる。したがって、レジスト膜60の厚みは、ハードマスク層40を構成する材料や厚さ等を考慮し、ハードマスク層40のエッチング処理後にレジストパターンが残存する程度に適宜設定される。
The thickness of the resist
ハードマスク層40上にレジスト膜60を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ハードマスク層40上にレジスト材料を、スピンコーター、スプレーコーター等の塗工機を用いて塗布し又はハードマスク層40上に上記樹脂成分を含有するドライフィルムレジストを積層し、所望により所定の温度で加熱(プリベーク)する方法等が挙げられる。
The method for forming the resist
次に、図7(B)に示すように、ハードマスク層40上の所望の位置に所定の第1開口部51を有する第1レジストパターン61を形成する。第1レジストパターン61は、例えば、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィー、所定の開口部及び遮光部を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー等により形成され得る。
Next, as shown in FIG. 7B, a first resist
第1レジストパターン61における第1開口部51の形状は、本実施形態に係るインプリントモールド1の設計に応じて適宜設定されるものであって、特に制限されるものではなく、例えば、平面視略円環状、平面視略方形状、平面視略方形枠状等である。
The shape of the
第1開口部51の寸法は、上記形状と同様に、本実施形態において製造されるインプリントモールド1の設計寸法に応じて適宜設定されるものであって、特に制限されるものではないが、例えば、300nm〜100μm程度である。なお、第1開口部51の寸法とは、第1開口部51の短手方向における幅を意味する。
The dimension of the
上記のようにして形成された第1レジストパターン61をマスクとして用いてハードマスク層40をエッチングして第1ハードマスクパターン41を形成し(図7(B)参照)、当該第1ハードマスクパターン41をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図7(C)参照)。
The
次に、残存する第1ハードマスクパターン41上の所望の位置に所定の第2開口部52を有する第2レジストパターン62を形成した上で、第1ハードマスクパターン41をエッチングして第2ハードマスクパターン42を形成する。そして、当該第2ハードマスクパターン42をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図7(D)参照)。
Next, a second resist
続いて、第2ハードマスクパターン42上の所望の位置に所定の第3開口部53を有する第3レジストパターン63を形成した上で、第2ハードマスクパターン42をエッチングして第3ハードマスクパターン43を形成する(図8(B)参照)。そして、当該第3ハードマスクパターン43をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図8(C)参照)。
Subsequently, after forming a third resist
そして、第3ハードマスクパターン43上の所望の位置に所定の第4開口部54を有する第4レジストパターン64を形成した上で、第3ハードマスクパターン43をエッチングして第4ハードマスクパターン44を形成する(図9(A)参照)。そして、当該第4ハードマスクパターン44をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図9(B)参照)。最後に、第4ハードマスクパターン44を除去することで、凸部35及び凹部36を有しない、階段状凹凸構造3’が透明基材20の一方面21側に形成される(図9(C)参照)
Then, after forming a fourth resist
このようにして、透明基材20の一方面21側に階段状凹凸構造3’が形成された後、当該階段状凹凸構造3’の第1面301’上に凸部35及び凹部36を形成する。まずは、透明基材20の一方面21側にハードマスク層70をスパッタリング等により形成する(図10(A)参照)。
In this way, after the stepped concavo-
次に、当該ハードマスク層70を被覆するように、電子線反応性レジスト等をスピンコート法等により塗布してレジスト層80を形成し(図10(B)参照)、電子線等を照射して露光し、その後現像処理を行うことで、レジストパターン81を形成する(図11(A),(B)参照)。
Next, an electron beam reactive resist or the like is applied by spin coating or the like so as to cover the
レジストパターン81をマスクとしてハードマスク層70をエッチングし、ハードマスクパターン71を形成する(図12(A)参照)。そして、当該ハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35を形成する(図12(B)参照)。同様にして、凹部36に対応する開口を有するハードマスクパターン72を形成し(図13(A)参照)、当該ハードマスクパターン72をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凹部36を形成する(図13(B)参照)。このようにして、本実施形態に係るインプリントモールド1(図1参照)を製造することができる。なお、ハードマスクパターン71を形成した後(図12(A)参照)、当該ハードマスクパターン71を残しつつレジストパターン81を除去することで、図6に示すインプリントモールド1を製造することも可能である。
The
続いて、本実施形態に係るインプリントモールド1の製造方法の他の例を説明する。図14は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、図14に示す製造方法は、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程が図7〜13に示す製造方法と異なる。そのため、以下においては、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程を説明する。
Then, the other example of the manufacturing method of the imprint mold 1 which concerns on this embodiment is demonstrated. FIG. 14 is a process flow diagram showing each process of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on a cut end surface. The manufacturing method shown in FIG. 14 is different from the manufacturing method shown in FIGS. 7 to 13 in the step of forming the
まず、図14(A)に示すように、透明基材20の一方面21に対し所定の角度で傾斜する方向にスパッタリングする。このとき、階段状凹凸構造3’の第1面301’における第1端部E1を結ぶ線分の方向(図14(A)において矢印で示す方向)に、ターゲット原子(ハードマスク90を構成する原子)を透明基材20の一方面21に入射させる。これにより、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にのみハードマスク90が形成される。ハードマスク90の幅(凸部35の幅W35)は、ターゲット原子の入射角度を調整することにより制御可能である。
First, as shown in FIG. 14A, sputtering is performed in a direction inclined at a predetermined angle with respect to the one
そして、図14(B)に示すように、当該ハードマスク90をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングし、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35が形成される。その後、凹部36を形成することで、本実施形態に係るインプリントモールド1(図1参照)を製造することができる。なお、ハードマスク90を形成した後のエッチングを行わなければ、図6に示すインプリントモールド1を製造することも可能である。
And as shown in FIG.14 (B), the one
さらに、本実施形態に係るインプリントモールド1の製造方法の他の例を説明する。図15及び図16は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、図15及び図16に示す製造方法においても、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程が図7〜13に示す製造方法と異なる。そのため、以下においては、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程を説明する。
Furthermore, the other example of the manufacturing method of the imprint mold 1 which concerns on this embodiment is demonstrated. FIG.15 and FIG.16 is a process flowchart which shows each process of the manufacturing method of the imprint mold which concerns on this embodiment in a cut end surface. 15 and FIG. 16 also differs from the manufacturing method shown in FIGS. Therefore, below, the process of forming the
まず、図15(A)に示すように、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にハードマスクパターン71を形成する。ハードマスクパターン71を形成する方法は、図10(A)〜図12(A)に示す方法と同様の方法を採用することができるため、ここでは詳細な説明を省略するものとする。
First, as shown in FIG. 15A, a
次に、図15(B)に示すように、ハードマスクパターン71の少なくとも一部及び第1面301’の一部を被覆するが、凹部36に相当する部分に開口を有するレジストパターン82を形成する。レジストパターン82を形成する方法は、図10(B)〜図11(B)に示す方法と同様の方法を採用することができる。
Next, as shown in FIG. 15B, a resist
そして、図15(C)に示すように、レジストパターン82及びハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凹部36を形成する。続いて、レジストパターン82をエッチング又はアッシングにより除去した後(図16(A)参照)、ハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングする。これにより、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35を形成することができる(図16(B)参照)。図15〜16に示す製造方法によれば、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35及び凹部36を形成するに際して行われるリソグラフィー工程の回数を、図10〜13に示す製造方法よりも減らすことができる。
Then, as shown in FIG. 15C, the
[インプリント方法]
上述した構成を有するインプリントモールド1を用いたインプリント方法について説明する。図17は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、本実施形態におけるインプリント方法を通じて製造される凹凸構造体100としては、例えば、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、医療検査用チップ、マイクロ流路等が挙げられ、それらに求められる階段状凹凸構造体103に対応する階段状凹凸構造部3がインプリントモールド1に備えられている。
[Imprint method]
An imprint method using the imprint mold 1 having the above-described configuration will be described. FIG. 17 is a process flow diagram showing each process of the imprint method using the imprint mold 1 according to the present embodiment on a cut end surface. Examples of the concavo-convex structure 100 manufactured through the imprint method in the present embodiment include an optical element, a wiring circuit, a recording device, a display panel, a medical test chip, a microchannel, and the like. A stepped
まず、シリコンウェハ、石英ガラスウエハ、無アルカリガラス等のガラス基板等の被転写基板110と、本実施形態に係るインプリントモールド1とを準備する。そして、被転写基板110上にインプリント樹脂120を塗布し、インプリントモールド1をインプリント樹脂120に押し当てる(図17(A)参照)。インプリント樹脂120としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等が挙げられるが、紫外線の照射により硬化する紫外線硬化性樹脂を用いるのが好ましい。
First, a
被転写基板110上のインプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態で、インプリント樹脂120を硬化させる(図17(B)参照)。インプリント樹脂120を硬化させる方法としては、インプリント樹脂120を構成する樹脂材料の硬化特性に応じて適宜選択すればよく、例えば、インプリント樹脂120が紫外線硬化性樹脂により構成される場合、インプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態で紫外線を照射することで、当該インプリント樹脂120を硬化させることができる。
The
硬化したインプリント樹脂120からインプリントモールド1を剥離する。これにより、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3に対応する階段状凹凸パターン123が形成される(図17(C)参照)。本実施形態に係るインプリントモールド1は、階段状凹凸構造部3の第1面301上に凸部35及び凹部36を有する。そのため、インプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態においては、図18に示すように、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3の形状に沿ってインプリント樹脂120が賦形される。この状態でインプリント樹脂120を硬化させると、インプリント樹脂120が硬化収縮により変形する。このとき、階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分は、硬化収縮の影響を受けやすいため、角が丸みを帯びながら他の部分に比して大きく収縮する。一方、階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凸部35に対応して凹む部分は、角が丸みを帯びながら当該凹む部分を埋めるようにして変形する。これにより、図19に示すように、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3がインプリント樹脂120に高精度で転写されることになる。
The imprint mold 1 is peeled from the cured
本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて、被転写基板110に階段状凹凸構造部3を転写する場合、すなわち、本実施形態に係るインプリントモールド1がインプリントリソグラフィーに用いられるものである場合、階段状凹凸パターン123をマスクとして用いて被転写基板110をエッチングする。これにより、階段状凹凸構造体103を備える凹凸構造体100が製造される。なお、本実施形態に係るインプリントモールド1がインプリントリソグラフィーに用いられるものである場合、被転写基板110をエッチングするためのマスクとして用いられるインプリント樹脂120が、被転写基板110のエッチング中に膜減りすることも考慮し、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36を適宜設定すればよい。
When transferring the stepped concavo-
より具体的には、インプリントモールド1を用いたインプリント処理によりインプリント樹脂120に形成される階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分と凸部35に対応して凹む部分とが、インプリントモールド1を剥離した後であっても、突起部及び溝部として存在し得るように(図20参照)、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36を設定するのが好ましい。このような階段状凹凸パターン123をマスクとして被転写基板110をエッチングすることで、被転写基板110に階段状凹凸構造体103を高い精度で形成することができる(図21参照)。
More specifically, of the stepped
階段状凹凸パターン123をマスクとして被転写基板110をエッチングする際、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E120の角は、エッチングが進行しやすいことで丸みを帯びやすい。これに対応するように、被転写基板110に形成される階段状凹凸構造体103の第1面101の端部E110の角も丸みを帯びやすくなる。一方で、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E121の角においては、エッチングが進行し難い。そのため、本実施形態のように、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E120に、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分が存在し、端部E121に凸部35に対応して凹む部分が存在することで、階段状凹凸構造体103を高い精度で形成することができる。また、階段状凹凸パターン123の上方の段部の方が、下方の段部よりもエッチングに長時間曝されるため、上方の段部ほど、凹部36に対応して突出する部分の高さや凸部に対応して凹む部分の深さが大きく、下方の段部ほど、当該突出する部分の高さや凹む部分の深さが小さくなるように、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36が設定されるのが好ましい。
When the transferred
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.
上記実施形態において、インプリントモールド1の各段部31〜34の第1面301に凸部35及び凹部36を有し、凸部35及び凹部36の間の段差部37が基部2の一方面2Aに略平行な平面を有する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、図22に示すように、凸部35と凹部36との間の段差部37が、凸部35から凹部36に向けて下るように傾斜する傾斜部により構成されていてもよいし、図23に示すように、当該傾斜部により構成される段差部37が、湾曲していてもよい。
In the above embodiment, the
図22に示す構成を有するインプリントモールド1は、以下のようにして製造され得る。まず、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にハードマスクパターン71を形成し、ハードマスクパターン71の少なくとも一部及び第1面301’の一部を被覆するが、凹部36に相当する部分に開口を有するレジストパターン82を形成する(図24(A)参照)。そして、レジストパターン82及びハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をドライエッチングする。このドライエッチング時に、レジストパターン82がエッチングされやすくなるように、エッチングガス中の酸素の量(分圧)を調整する。これにより、レジストパターン82が除去され露出した部分(階段状凹凸構造3’の第1面301’)がエッチングに曝されることになる。その結果、階段状凹凸構造3’の第1面301’に、傾斜部により構成される段差部37及び凹部36を形成することができる(図24(B)参照)。
The imprint mold 1 having the configuration shown in FIG. 22 can be manufactured as follows. First, the
1…インプリントモールド
2…透明基材
2A…一方面
2B…他方面
3…階段状凹凸構造部
31…第1段部
32…第2段部
33…第3段部
34…第4段部
35…凸部
37…凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (14)
前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、
前記基部の前記一方面に対する垂直方向において、少なくとも前記複数の段部のそれぞれは、前記第1面の第1端部が当該第1端部に対向する第2端部の近傍よりも前記基部から遠位に位置するように構成される
ことを特徴とするインプリントモールド。 A base, and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base,
Each of the step portions includes a first surface that is substantially parallel to one surface of the base portion, and a second surface that is substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extends from the first end of the first surface toward the base portion. And
In the direction perpendicular to the one surface of the base, at least each of the plurality of stepped portions is more distant from the base than the vicinity of the second end where the first end of the first surface faces the first end. An imprint mold, wherein the imprint mold is configured to be located distally.
前記各段部は、前記基部に略平行な第1面と、前記基部に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に延びる第2面とを有し、
前記第1面の第1端部側には、前記第1端部を含む凸部が設けられている
ことを特徴とするインプリントモールド。 A base, and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base,
Each of the step portions has a first surface substantially parallel to the base portion, and a second surface substantially orthogonal to the base portion and extending from the first end portion of the first surface to the base side,
An imprint mold, wherein a convex portion including the first end portion is provided on the first end portion side of the first surface.
前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に延びる第2面とを有し、
前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍には凹部が設けられている
ことを特徴とするインプリントモールド。 A base, and a stepped concavo-convex structure having a plurality of steps formed on one side of the base,
Each of the step portions includes a first surface substantially parallel to one surface of the base portion, and a second surface substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extending from the first end portion of the first surface to the base side. Have
An imprint mold, wherein a concave portion is provided in the vicinity of a second end portion facing the first end portion of the first surface.
基部の一方面側に複数の段部を有する階段状凹凸構造部を形成する工程と、
前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上にハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層が形成された前記基部にエッチング処理を施す工程と
を含み、
前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交し、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びる第2面とを有し、
前記ハードマスク層を形成する工程において、前記各段部の前記第1面のうち、前記第1端部近傍に前記ハードマスク層を形成し、前記第1端部に対向する第2端部近傍に前記ハードマスク層を形成しないことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 A method for producing an imprint mold according to claim 1,
Forming a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions on one side of the base portion;
Forming a hard mask layer on the stepped concavo-convex structure portion so as to expose a part of the stepped concavo-convex structure portion;
Etching the base portion on which the hard mask layer is formed,
Each of the step portions includes a first surface that is substantially parallel to one surface of the base portion, and a second surface that is substantially orthogonal to the one surface of the base portion and extends from the first end of the first surface toward the base portion. And
In the step of forming the hard mask layer, in the first surface of each step portion, the hard mask layer is formed in the vicinity of the first end portion, and in the vicinity of the second end portion facing the first end portion. The method of manufacturing an imprint mold is characterized in that the hard mask layer is not formed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017059411A JP6950224B2 (en) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | Imprint mold and imprint mold manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017059411A JP6950224B2 (en) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | Imprint mold and imprint mold manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018163942A true JP2018163942A (en) | 2018-10-18 |
JP6950224B2 JP6950224B2 (en) | 2021-10-13 |
Family
ID=63860257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017059411A Active JP6950224B2 (en) | 2017-03-24 | 2017-03-24 | Imprint mold and imprint mold manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6950224B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110333643A (en) * | 2019-08-06 | 2019-10-15 | 国家纳米科学中心 | A kind of nano-imprint stamp, preparation method and nano-imprinting method |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007042715A (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | Imprinting mold and its manufacturing method |
JP2011005768A (en) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Master plate used for manufacturing of stamp for micro contact print, method of manufacturing the same, stamp for micro contact print, method of manufacturing of the same and pattern forming method using stamp for micro contact print |
JP2011199136A (en) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | Mold for imprint, method of fabricating the same, and pattern transferred body |
JP2012232456A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Fujikura Ltd | Imprint mold |
JP5555025B2 (en) * | 2010-03-25 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Stamper for fine pattern transfer and manufacturing method thereof |
JP2014194960A (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Template for nano imprint, pattern forming method using template for nano imprint, and method of manufacturing template for nano imprint |
JP2014209509A (en) * | 2013-04-16 | 2014-11-06 | 大日本印刷株式会社 | Method of manufacturing imprint mold |
JP2015147360A (en) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 大日本印刷株式会社 | Imprint mold, imprint method using the same, and master mold for producing imprint mold |
JP2016174183A (en) * | 2014-10-01 | 2016-09-29 | 大日本印刷株式会社 | Imprint device, imprint method, and control method for imprint device |
KR20180053818A (en) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 주식회사 세명테크 | Integrated hub and hybrid brake device including the same |
US20180164680A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Toshiba Memory Corporation | Template and method of manufacturing semiconductor device |
-
2017
- 2017-03-24 JP JP2017059411A patent/JP6950224B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007042715A (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Toppan Printing Co Ltd | Imprinting mold and its manufacturing method |
JP2011005768A (en) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Master plate used for manufacturing of stamp for micro contact print, method of manufacturing the same, stamp for micro contact print, method of manufacturing of the same and pattern forming method using stamp for micro contact print |
JP2011199136A (en) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | Mold for imprint, method of fabricating the same, and pattern transferred body |
JP5555025B2 (en) * | 2010-03-25 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Stamper for fine pattern transfer and manufacturing method thereof |
JP2012232456A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Fujikura Ltd | Imprint mold |
JP2014194960A (en) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Template for nano imprint, pattern forming method using template for nano imprint, and method of manufacturing template for nano imprint |
JP2014209509A (en) * | 2013-04-16 | 2014-11-06 | 大日本印刷株式会社 | Method of manufacturing imprint mold |
JP2015147360A (en) * | 2014-02-07 | 2015-08-20 | 大日本印刷株式会社 | Imprint mold, imprint method using the same, and master mold for producing imprint mold |
JP2016174183A (en) * | 2014-10-01 | 2016-09-29 | 大日本印刷株式会社 | Imprint device, imprint method, and control method for imprint device |
KR20180053818A (en) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 주식회사 세명테크 | Integrated hub and hybrid brake device including the same |
US20180164680A1 (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-14 | Toshiba Memory Corporation | Template and method of manufacturing semiconductor device |
JP2018098274A (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 東芝メモリ株式会社 | Template and method for manufacturing semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110333643A (en) * | 2019-08-06 | 2019-10-15 | 国家纳米科学中心 | A kind of nano-imprint stamp, preparation method and nano-imprinting method |
CN110333643B (en) * | 2019-08-06 | 2023-05-12 | 广纳四维(广东)光电科技有限公司 | Nanometer imprinting template, preparation method thereof and nanometer imprinting method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6950224B2 (en) | 2021-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102336560B1 (en) | Template and template blank, manufacturing method of template substrate for imprint, manufacturing method and template of template for imprint | |
JP5257225B2 (en) | Nanoimprint mold and manufacturing method thereof | |
JP6232731B2 (en) | Manufacturing method of imprint mold | |
JP6167609B2 (en) | Nanoimprint template, pattern formation method using nanoimprint template, and method for producing nanoimprint template | |
WO2016021223A1 (en) | Imprint method and imprint mold manufacturing method | |
JP6981064B2 (en) | Imprint mold and manufacturing method of convex structure using it | |
JP7060836B2 (en) | Imprint mold manufacturing method | |
JP2015138928A (en) | Manufacturing method of mold for imprinting | |
JP2019087678A (en) | Functional substrate and method of manufacturing the same, and imprint mold | |
JP6326916B2 (en) | Imprint mold and imprint method | |
JP2018163942A (en) | Imprint mold and method of manufacturing imprint mold | |
JP7139751B2 (en) | Imprint mold manufacturing method | |
JP6394114B2 (en) | Template manufacturing method and template | |
JP6361238B2 (en) | Imprint mold and imprint method | |
JP7500588B2 (en) | Method for manufacturing imprint mold, imprint mold, mold blank, and method for manufacturing optical element | |
JP7124585B2 (en) | Manufacturing method of replica mold | |
JP2018046223A (en) | Production method of uneven structure, base material for imprint mold production, and production method of imprint mold | |
JP6972581B2 (en) | Imprint mold and imprint mold manufacturing method | |
JP2019145578A (en) | Blank backing material, imprint mold, manufacturing method of imprint mold and imprint method | |
JP7302347B2 (en) | Substrate for imprint mold, imprint mold, and manufacturing method thereof | |
JP6394112B2 (en) | Template manufacturing method and template | |
JP6019966B2 (en) | Pattern formation method | |
JP7338308B2 (en) | Substrate for imprint mold, imprint mold, and manufacturing method thereof | |
JP6579217B2 (en) | Template manufacturing method and template | |
JP6638493B2 (en) | Method of manufacturing template having multi-stage structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210406 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210824 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210906 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6950224 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |