JP6950224B2 - Imprint mold and imprint mold manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、インプリントモールド及び当該インプリントモールドを製造する方法に関する。 The present invention relates to an imprint mold and a method for manufacturing the imprint mold.

近年、半導体デバイス、光学部材等の製造工程において、基板の表面に微細凹凸パターンを形成した型部材(インプリントモールド)を用い、微細凹凸パターンを基板等の被加工物に等倍転写するパターン形成技術であるナノインプリント技術が利用されている。 In recent years, in the manufacturing process of semiconductor devices, optical members, etc., a pattern forming in which a fine uneven pattern is transferred to a workpiece such as a substrate at the same magnification by using a mold member (imprint mold) in which a fine uneven pattern is formed on the surface of the substrate. Nanoimprint technology, which is a technology, is used.

ナノインプリント技術に用いられるインプリントモールドに形成されている微細凹凸パターンの多くは、断面矩形状のラインアンドスペースパターン、ピラーパターン、ホールパターン等の1段の凹凸構造により構成される。 Most of the fine concavo-convex patterns formed on the imprint mold used in the nanoimprint technology are composed of a one-step concavo-convex structure such as a line-and-space pattern having a rectangular cross section, a pillar pattern, and a hole pattern.

その一方で、半導体デバイス等の製造のみならず、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、細胞培養用チップ、マイクロ流路等の製造過程において、複数段構造を形成することがある。このような複数段構造を、ナノインプリント技術を利用して形成するために、従来、複数の段部を有する階段状凹凸構造部を備えるインプリントモールドが用いられている(特許文献1参照)。 On the other hand, a multi-stage structure may be formed not only in the manufacture of semiconductor devices and the like, but also in the manufacturing process of optical elements, wiring circuits, recording devices, display panels, cell culture chips, microchannels and the like. In order to form such a multi-stage structure by using nanoimprint technology, an imprint mold having a stepped concavo-convex structure portion having a plurality of step portions has been conventionally used (see Patent Document 1).

特開2010−171109号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-171109

上記階段状凹凸構造部を備えるインプリントモールドを用いて、被転写材料としての紫外線硬化性樹脂等に当該階段状凹凸構造部を転写すると、紫外線硬化性樹脂の硬化収縮により、紫外線硬化性樹脂に形成される階段状凹凸構造の形状が変化してしまう、具体的には各段部の角部の形状が丸みを帯びてしまうという問題が生じる。特に、インプリントモールドの階段状凹凸構造部の段数が多くなると、上記問題が顕著に生じ得る。 When the stepped uneven structure is transferred to an ultraviolet curable resin or the like as a material to be transferred using the imprint mold provided with the stepped uneven structure, the stepped uneven structure is cured and shrunk to become an ultraviolet curable resin. There arises a problem that the shape of the stepped concave-convex structure to be formed changes, specifically, the shape of the corners of each step is rounded. In particular, when the number of steps of the stepped uneven structure portion of the imprint mold is increased, the above problem may occur remarkably.

上記インプリントモールドを用いて、所定の基板上の紫外線硬化性樹脂等に階段状凹凸構造部を転写し、当該紫外線硬化性樹脂をマスクとして基板をエッチングすることで、基板に階段状凹凸構造部を転写する場合、丸みを帯びてしまった各段部の角部の形状が、長時間エッチング環境下に曝されることでさらに丸みを帯びてしまい、基板に転写される階段状凹凸構造部を設計通りに形成することができないという問題が生じる。 By using the above-mentioned imprint mold to transfer the stepped uneven structure portion to an ultraviolet curable resin or the like on a predetermined substrate and etching the substrate using the ultraviolet curable resin as a mask, the stepped uneven structure portion is transferred to the substrate. When transferring, the shape of the corners of each step that has been rounded becomes more rounded by being exposed to the etching environment for a long time, and the stepped uneven structure that is transferred to the substrate is The problem arises that it cannot be formed as designed.

上記のように紫外線硬化性樹脂に形成される階段状凹凸構造の形状変化が生じてしまうと、上記インプリントモールドを用いたインプリント処理を経て製造される製品において不具合が生じるという問題を発生させてしまう。 If the shape of the stepped uneven structure formed on the ultraviolet curable resin is changed as described above, a problem occurs in the product manufactured through the imprint process using the imprint mold. I will end up.

上記課題に鑑みて、本発明は、インプリント処理により被転写材料に階段状凹凸構造部を高精度で転写することのできるインプリントモールド及びその製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide an imprint mold capable of transferring a stepped uneven structure portion to a material to be transferred with high accuracy by an imprint process and a method for manufacturing the imprint mold.

上記課題を解決するために、本発明は、基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交る第2面とを有し、前記第1面は、第1端部と、前記第1端部に対向して位置する第2端部とを含み、前記第2面は、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びており、前記基部の前記一方面に対する垂直方向において、少なくとも前記複数の段部のそれぞれは、前記第1面の第1端部が前記第2端部の近傍よりも前記基部から遠位に位置するように構成され、前記第1面の前記第1端部側に前記第1端部を含む凸部が設けられ、前記第1面の前記第2端部の近傍に凹部が設けられていることで、前記第1面は、前記第1端部から前記第2端部に向かって3段以上の下り階段状に構成されており、前記各段部の前記第1面に設けられている前記凸部の高さの関係は、前記基部の前記一方面の最も近くに位置する前記凸部の高さが最も高く、前記凸部が前記基部の一方面から遠ざかるに従って前記凸部の高さが低くなる関係であることを特徴とするインプリントモールドを提供する。 In order to solve the above problems, the present invention includes a base portion and a stepped concave-convex structure portion formed on one surface side of the base portion and having a plurality of step portions, and each step portion is provided with the base portion. has a first surface substantially parallel, and a second surface you substantially perpendicular to the one surface of the base portion on one surface of said first surface, a first end, opposite to the first end The second surface extends from the first end of the first surface toward the base side, and includes at least the said second surface in a direction perpendicular to the one surface of the base. each of the plurality of stepped portions than said vicinity of the first end portion of the first face and the second end is configured to be positioned distally from the base portion, the first end of the first surface A convex portion including the first end portion is provided on the side, and a concave portion is provided in the vicinity of the second end portion of the first surface, so that the first surface is formed from the first end portion to the said portion. It is configured in a downward step shape of three or more steps toward the second end portion, and the relationship between the heights of the convex portions provided on the first surface of each step portion is related to the one surface of the base portion. Provided is an imprint mold characterized in that the height of the convex portion located closest to the above is the highest, and the height of the convex portion decreases as the convex portion moves away from one surface of the base portion. do.

上記発明において、側面視における前記凸部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であるのが好ましく、前記凸部を構成する材料は、前記基部を構成する材料と異なる材料であるのが好ましく、前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍に凹部が設けられているのが好ましい。 Oite above onset Ming, the width of the convex portion in the side view, the 1/2 or less and even rather preferably the first side of the width, the material constituting the convex portion constituting the base materials and and even rather preferable different materials, have the preferred of the recess near the second end portion opposite the first end portion of the first surface is provided.

上記発明において、側面視における前記凹部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であるのが好ましい。 Oite above onset Ming, the width of the recess in the side view, the 1/2 or less and even preferred arbitrariness of the first face width.

上記発明において、前記第1面は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって傾斜する傾斜部を含んでいてもよく、前記傾斜部は、前記第1端部側から当該第1端部に対向する第2端部側に向かって湾曲して傾斜するのが好ましい。 Oite above onset bright, the first surface, rather it may also include an inclined portion inclined toward the second end side opposed to the first end portion from said first end portion side, the inclination parts are not the preferred to the inclined curved toward the second end side opposite from the first end portion to the first end.

上記発明において、前記インプリントモールドは、インプリントリソグラフィーに用いられるインプリントモールドであるのが好ましい。 Oite above onset bright, the imprint mold, and even not preferable imprint mold for use in imprint lithography.

さらにまた、本発明は、上記発明に係るインプリントモールドを製造する方法であって、基部の一方面側に複数の段部を有する階段状凹凸構造部を形成する工程と、前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上に第1ハードマスク層を形成する工程と、前記第1ハードマスク層が形成された前記基部に第1エッチング処理を施すことで前記凸部を形成する工程と、前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上に第2ハードマスク層を形成する工程と、前記第2ハードマスク層が形成された前記基部に第2エッチング処理を施すことで前記凹部を形成する工程とを含み、前記第1ハードマスク層を形成する工程において、前記各段部の前記第1面のうち、前記第1端部近傍に前記凸部に対応する前記第1ハードマスク層を形成し、前記第2ハードマスク層を形成する工程において、前記凹部に対応する開口を有する前記第2ハードマスク層を形成することを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する。 Furthermore, the present invention provides a method of manufacturing the imprint mold according to the onset bright, forming a step-like uneven structure having a plurality of stepped portions on one side of the base portion, the stepped unevenness A step of forming a first hard mask layer on the stepped uneven structure portion so as to expose a part on the structural portion, and a first etching process are performed on the base portion on which the first hard mask layer is formed. As a result, a step of forming the convex portion, a step of forming a second hard mask layer on the stepped uneven structure portion by exposing a part on the stepped concave-convex structure portion, and a step of forming the second hard mask layer on the stepped concave-convex structure portion, and the second hard In the step of forming the first hard mask layer, which includes a step of forming the recess by subjecting the base portion on which the mask layer is formed to a second etching process , among the first surfaces of the step portions. In the step of forming the first hard mask layer corresponding to the convex portion in the vicinity of the first end portion and forming the second hard mask layer, the second hard mask layer having an opening corresponding to the concave portion. forming a that provides a method for manufacturing an imprint mold according to claim.

本発明によれば、インプリント処理により被転写材料に階段状凹凸構造部を高精度で転写することのできるインプリントモールド及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide an imprint mold capable of transferring a stepped uneven structure portion to a material to be transferred with high accuracy by an imprint process, and a method for manufacturing the imprint mold.

図1は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断断面図である。FIG. 1 is a cut sectional view showing a schematic configuration of an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 2 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of a stepped concave-convex structure portion of an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図3は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの段部の一例の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 3 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of an example of a stepped portion of an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図4は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの段部の他の例の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 4 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of another example of the step portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図5は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの段部の第1面の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 5 is a partially enlarged cut end view showing a schematic configuration of a first surface of a step portion of an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図6は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の変形例を示す部分拡大切断端面図である。FIG. 6 is a partially enlarged cut end view showing a modified example of the stepped concave-convex structure portion of the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図7は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その1)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 7 is a process flow chart showing a manufacturing process (No. 1) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図8は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その2)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 8 is a process flow chart showing a manufacturing process (No. 2) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図9は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その3)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 9 is a process flow chart showing a manufacturing process (No. 3) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図10は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その4)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 10 is a process flow chart showing a manufacturing process (No. 4) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図11は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その5)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 11 is a process flow chart showing a manufacturing process (No. 5) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図12は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その6)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 12 is a process flow chart showing a manufacturing process (No. 6) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図13は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程(その7)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 13 is a process flow chart showing a manufacturing process (No. 7) of the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図14は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程の他の例(その1)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 14 is a process flow chart showing another example (No. 1) of the imprint mold manufacturing process according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図15は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程の他の例(その2)を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 15 is a process flow chart showing another example (No. 2) of the imprint mold manufacturing process according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図16は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造工程の他の例(その2)を切断端面にて示す、図15に続く工程フロー図である。FIG. 16 is a process flow chart following FIG. 15 showing another example (No. 2) of the imprint mold manufacturing process according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図17は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 17 is a process flow chart showing each step of the imprint method using the imprint mold according to the embodiment of the present invention on the cut end face. 図18は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法における作用を説明するための切断端面図(その1)である。FIG. 18 is a cut end view (No. 1) for explaining the operation in the imprint method using the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図19は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法における作用を説明するための切断端面図(その2)である。FIG. 19 is a cut end view (No. 2) for explaining the operation in the imprint method using the imprint mold according to the embodiment of the present invention. 図20は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドを用いたインプリント方法により製造される階段状凹凸パターンの概略構成を示す切断端面図である。FIG. 20 is a cut end view showing a schematic configuration of a stepped uneven pattern manufactured by an imprint method using an imprint mold according to an embodiment of the present invention. 図21は、図20に示す階段状凹凸パターンを用いたエッチング処理により被転写基材に転写される階段状凹凸構造体の概略構成を示す切断端面図である。FIG. 21 is a cut end view showing a schematic configuration of a stepped concavo-convex structure transferred to a substrate to be transferred by an etching process using the stepped concavo-convex pattern shown in FIG. 図22は、本発明の他の実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す切断端面図(その1)である。FIG. 22 is a cut end view (No. 1) showing a schematic configuration of a stepped concave-convex structure portion of an imprint mold according to another embodiment of the present invention. 図23は、本発明の他の実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す切断端面図(その2)である。FIG. 23 is a cut end view (No. 2) showing a schematic configuration of a stepped concave-convex structure portion of an imprint mold according to another embodiment of the present invention. 図24は、図22に示すインプリントモールドの製造工程を切断端面にて示す工程フロー図である。FIG. 24 is a process flow chart showing the manufacturing process of the imprint mold shown in FIG. 22 on the cut end face.

本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図であり、図2は、本実施形態に係るインプリントモールドの階段状凹凸構造部の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cut end face view showing a schematic configuration of an imprint mold according to the present embodiment, and FIG. 2 is a partially enlarged cut end face showing a schematic configuration of a stepped concave-convex structure portion of the imprint mold according to the present embodiment. It is a figure.

[インプリントモールド]
図1に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド1は、一方面2A及び当該一方面2Aに対向する他方面2Bを有する基部2と、基部2の一方面2A側に形成されている階段状凹凸構造部3とを備える。
[Imprint mold]
As shown in FIG. 1, the imprint mold 1 according to the present embodiment is formed on the one side 2A side of the base 2 and the base 2 having the one side 2A and the other side 2B facing the one side 2A. It is provided with a stepped concave-convex structure portion 3.

基部2としては、インプリントモールド用基材として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された2以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、基部2を介して照射された光により光硬化性樹脂を硬化させ得る程度であればよく、例えば、波長300〜450nmの光線の透過率が70%以上であるのが好ましく、より好ましくは90%以上である。 The base 2 is generally used as a base material for imprint molding, for example, quartz glass substrate, soda glass substrate, fluorite substrate, calcium fluoride substrate, magnesium fluoride substrate, barium borosilicate glass, aminoborosilicate glass. , Glass substrates such as non-alkali glass substrates such as aluminosilicate glass, polycarbonate substrates, polypropylene substrates, polyethylene substrates, polymethylmethacrylate substrates, resin substrates such as polyethylene terephthalate substrates, and two or more substrates arbitrarily selected from these. A transparent substrate such as a laminated substrate obtained by laminating the above can be used. In the present embodiment, "transparent" means that the photocurable resin can be cured by the light irradiated through the base 2, and for example, the transmittance of light having a wavelength of 300 to 450 nm is 70%. It is preferably 90% or more, and more preferably 90% or more.

基部2の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状、略円形状等が挙げられる。基部2が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基部2の平面視形状は略矩形状である。 The plan view shape of the base portion 2 is not particularly limited, and examples thereof include a substantially rectangular shape and a substantially circular shape. When the base 2 is made of a quartz glass substrate generally used for optical imprinting, the plan view shape of the base 2 is usually substantially rectangular.

基部2の大きさも特に限定されるものではないが、基部2が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基部2の大きさは152mm×152mm程度である。また、基部2の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、300μm〜10mm程度の範囲で適宜設定され得る。 The size of the base 2 is not particularly limited, but when the base 2 is made of the quartz glass substrate, for example, the size of the base 2 is about 152 mm × 152 mm. Further, the thickness of the base 2 can be appropriately set in the range of, for example, about 300 μm to 10 mm in consideration of strength, handling suitability, and the like.

本実施形態において、階段状凹凸構造部3は、複数の段部30を有する。なお、本実施形態においては、階段状凹凸構造部3が基部2の一方面2A側から順に第1〜第4段部31〜34の4個の段部30を有する態様を例に挙げて説明するが、この態様に限定されるものではない。階段状凹凸構造部3は、少なくとも2段の段部30を有していればよいが、階段状凹凸構造部3の段部30の数が多いほど、本実施形態における効果が顕著に現われ得る。第1〜第4段部31〜34の平面視における形状は、特に限定されるものではないが、例えば略円形状、略方形状等が挙げられる。 In the present embodiment, the stepped concave-convex structure portion 3 has a plurality of stepped portions 30. In this embodiment, an embodiment in which the stepped concave-convex structure portion 3 has four stepped portions 30 of the first to fourth stepped portions 31 to 34 in order from the one side 2A side of the base portion 2 will be described as an example. However, the present invention is not limited to this aspect. The stepped concavo-convex structure portion 3 may have at least two stepped portions 30, but the larger the number of stepped portions 30 of the stepped concavo-convex structure portion 3, the more remarkable the effect in the present embodiment can be exhibited. .. The shapes of the first to fourth step portions 31 to 34 in a plan view are not particularly limited, and examples thereof include a substantially circular shape and a substantially rectangular shape.

図2及び図3に示すように、第1〜第4段部31〜34は、それぞれ、基部2の一方面2Aに略平行な第1面301と、基部2の一方面2Aに略直交し、第1面301の第1端部E1から基部2側に向かって延びる第2面302とを有する。基部2の一方面2Aに対する垂直方向において、第1面301の第1端部E1は、第1端部E1に対向する第2端部E2の近傍よりも、基部2から遠位に位置する。すなわち、インプリントモールド1の側面視において、第2端部E2は、第1端部E1よりも基部2側に位置している。 As shown in FIGS. 2 and 3, the first to fourth step portions 31 to 34 are substantially orthogonal to the first surface 301 substantially parallel to one surface 2A of the base 2 and the one surface 2A of the base 2, respectively. , A second surface 302 extending from the first end E1 of the first surface 301 toward the base 2 side. In the direction perpendicular to one side surface 2A of the base portion 2, the first end portion E1 of the first surface 301 is located distal to the base portion 2 with respect to the vicinity of the second end portion E2 facing the first end portion E1. That is, in the side view of the imprint mold 1, the second end portion E2 is located closer to the base portion 2 than the first end portion E1.

第1〜第4段部31〜34の第1面301の幅W301(図3参照)は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて製造される製品において要求される寸法に従う限りにおいて特に制限されるものではなく、例えば、100nm〜5μm程度、より好ましくは、300nm〜1μ程度に設定され得る。 The width W 301 (see FIG. 3) of the first surface 301 of the first to fourth steps 31 to 34 is as long as it complies with the dimensions required for the product manufactured by using the imprint mold 1 according to the present embodiment. It is not particularly limited, and can be set to, for example, about 100 nm to 5 μm, more preferably about 300 nm to 1 μm.

本実施形態において、第1〜第3段部31〜33の第1面301は、第1端部E1側に位置する凸部35と、第2端部E2側に位置し、基部2の一方面2Aと略平行な底面を含む凹部36と、当該第1面301における凸部35及び凹部36の間に位置する、少なくとも1つの段差部37とを有するのが好ましい。凸部35は、第1端部E1を含むが、凹部36は、隣接する段部30の第2面302の一部を側面とするものであってもよいし(図3参照)、当該第2面302よりも第1端部E1側に位置していてもよい(図4参照)。 In the present embodiment, the first surface 301 of the first to third step portions 31 to 33 is located on the convex portion 35 located on the first end portion E1 side and on the second end portion E2 side, and is one of the base portions 2. It is preferable to have a concave portion 36 including a bottom surface substantially parallel to the direction 2A, and at least one stepped portion 37 located between the convex portion 35 and the concave portion 36 on the first surface 301. The convex portion 35 includes the first end portion E1, but the concave portion 36 may have a part of the second surface 302 of the adjacent step portion 30 as a side surface (see FIG. 3). It may be located on the first end E1 side of the two surfaces 302 (see FIG. 4).

なお、凹部36の底面は、丸みを帯びた形状を有していてもよいし、スパイク形状やくさび型形状を有していてもよい。凹部36の底面の形状は、凹部36を形成する際のエッチング条件によって変わり得る。凹部36の底面が、基部2の一方面2Aと略平行であると、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理によりインプリント樹脂等に形成される転写形状を容易に制御可能である点で好適である。 The bottom surface of the recess 36 may have a rounded shape, or may have a spike shape or a wedge shape. The shape of the bottom surface of the recess 36 may change depending on the etching conditions when the recess 36 is formed. When the bottom surface of the recess 36 is substantially parallel to one surface 2A of the base portion 2, the transfer shape formed on the imprint resin or the like by the imprint process using the imprint mold 1 according to the present embodiment can be easily controlled. It is preferable in that it is.

第4段部34の第1面301は、第1端部E1側に位置する凸部35を有するが、凹部36を有していなくてもよい。当然に、第4段部34の第1面301には、第2端部E2側に位置する凹部36又は切欠部が設けられていてもよい。段差部37は、1段以上の下り階段状であってもよい。このように、本実施形態における第1〜第4段部31〜34の第1面301は、それぞれ、第1端部E1側から第2端部E2側に向かって下り階段状に構成される。 The first surface 301 of the fourth step portion 34 has a convex portion 35 located on the first end portion E1 side, but does not have to have a concave portion 36. As a matter of course, the first surface 301 of the fourth step portion 34 may be provided with a recess 36 or a notch portion located on the second end portion E2 side. The step portion 37 may have one or more steps down the stairs. As described above, the first surfaces 301 of the first to fourth step portions 31 to 34 in the present embodiment are configured in a downward step shape from the first end portion E1 side to the second end portion E2 side, respectively. ..

本実施形態において、第1面301の第1端部E1側に位置する凸部35とは、図5に示すように、基準面BSに対し基部2から離れる方向に突出した部分であって、第1面301の幅W301の1/2以下の幅W35を有するものを意味し、好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/2の幅W35を有するもの、より好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/3の幅W35を有するものを意味する。また、第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36も同様に、基準面BSに対し基部2に向かう方向に凹む部分であって、第1面301の幅W301の1/2以下の幅W36を有するものを意味し、好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/2の幅W36を有するもの、より好ましくは第1面301の幅W301の1/5〜1/3の幅W36を有するものを意味する。なお、基準面BSは、第1面301の最上部(基部2の一方面2Aから最も離れた部分)と第1面301の最下部(基部2の一方面2Aに最も近い部分)との中間点(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における中間点)を通る、基部2の一方面2Aに平行な平面として定義される。 In the present embodiment, the convex portion 35 located on the first end portion E1 side of the first surface 301 is a portion that protrudes from the reference surface BS in a direction away from the base portion 2, as shown in FIG. means having less than half of the width W 35 of the width W 301 of the first surface 301, preferably having a 1 / 5-1 / 2 of the width W 35 of the width W 301 of the first surface 301, More preferably, it means one having a width W 35 of 1/5 to 1/3 of the width W 301 of the first surface 301. Similarly, the recess 36 located on the second end E2 side of the first surface 301 is also a portion recessed in the direction toward the base 2 with respect to the reference surface BS, and is 1 / of the width W 301 of the first surface 301. It means those having 2 or less of the width W 36, preferably having 1 / 5-1 / 2 of the width W 36 of the width W 301 of the first surface 301, and more preferably the width W 301 of the first surface 301 It means that it has a width W 36 of 1/5 to 1/3 of the above. The reference plane BS is intermediate between the uppermost portion of the first surface 301 (the portion farthest from the one surface 2A of the base portion 2) and the lowermost portion of the first surface 301 (the portion closest to the one surface 2A of the base portion 2). It is defined as a plane that passes through a point (an intermediate point in the direction perpendicular to the one surface 2A of the base 2) and is parallel to the one surface 2A of the base 2.

第1〜第4段部31〜34における第1面301の第1端部E1側に位置する凸部35の高さT35(図2参照)は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理にて使用されるインプリント樹脂の硬化収縮率等に応じて適宜設定され得るが、例えば、10nm〜1μm、より好ましくは20nm〜100nm程度に設定され得る。なお、凸部35の高さT35とは、基準面BSと凸部35の頂部との間の長さ(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における長さ)を意味する。 The height T 35 (see FIG. 2) of the convex portion 35 located on the first end portion E1 side of the first surface 301 in the first to fourth step portions 31 to 34 is the imprint mold 1 according to the present embodiment. It can be appropriately set according to the curing shrinkage rate of the imprint resin used in the imprint treatment used, and can be set to, for example, 10 nm to 1 μm, more preferably about 20 nm to 100 nm. The height T 35 of the convex portion 35 means the length between the reference surface BS and the top of the convex portion 35 (the length in the direction perpendicular to one surface 2A of the base portion 2).

第1〜第4段部31〜34における第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36の深さD36(図3参照)、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント処理にて使用されるインプリント樹脂の硬化収縮率等に応じて適宜設定され得るが、例えば、10nm〜1μm、より好ましくは20nm〜100nm程度に設定され得る。なお、凹部36の深さD36とは、基準面BSと凹部36の底面との間の長さ(基部2の一方面2Aに対する垂直方向における長さ)を意味する。 The imprint mold 1 according to the present embodiment was used at a depth D 36 (see FIG. 3) of a recess 36 located on the second end E2 side of the first surface 301 in the first to fourth step portions 31 to 34. It can be appropriately set according to the curing shrinkage rate of the imprint resin used in the imprint treatment, and can be set to, for example, 10 nm to 1 μm, more preferably about 20 nm to 100 nm. The depth D 36 of the recess 36 means the length between the reference surface BS and the bottom surface of the recess 36 (the length in the direction perpendicular to one surface 2A of the base portion 2).

本実施形態における階段状凹凸構造部3において、第1〜第4段部31〜34の第1面301の第1端部E2側に位置する凸部35は、いずれも同一の高さT35を有していてもよいが、基部2の一方面2Aに最も近い凸部35(第1段部31の第1面301の凸部35)の高さT35が最も高く、基部2の一方面2Aから遠ざかるに従って、凸部35の高さT35が漸減するのが好ましい。また、第1〜第3段部31〜33の第1面301の第2端部E2側に位置する凹部36は、いずれも同一の深さD36を有していてもよいが、基部2の一方面2Aの最も近い凹部36の深さD36が最も深く、基部2の一方面2Aから遠ざかるに従って、凹部36の深さD36が漸減するのが好ましい。 In the stepped concave-convex structure portion 3 of the present embodiment, the convex portions 35 located on the first end portion E2 side of the first surface 301 of the first to fourth step portions 31 to 34 have the same height T 35. However, the height T 35 of the convex portion 35 (the convex portion 35 of the first surface 301 of the first step portion 31) closest to the one surface 2A of the base portion 2 is the highest, and one of the base portions 2. It is preferable that the height T 35 of the convex portion 35 gradually decreases as the distance from the direction 2A increases. Further, the recesses 36 located on the second end E2 side of the first surface 301 of the first to third step portions 31 to 33 may all have the same depth D 36 , but the base portion 2 deepest depth D 36 of the nearest recess 36 in one surface 2A of, as the distance from one surface 2A of the base 2, preferably the depth D 36 of the recess 36 is gradually reduced.

一般に、インプリントモールドを用いたインプリント処理により光硬化性樹脂に凹凸パターンを賦型した後、当該光硬化性樹脂をマスクとしたエッチング処理により下地層(光硬化性樹脂の下地層)を加工する際、エッチング処理に、より長時間晒されることになる光硬化性樹脂の凹凸パターンの頂部に近い方の角部の形状が丸みを帯びやすい。したがって、本実施形態に係るインプリントモールド1においては基部2の一方面2Aに近い側に位置する凸部35の高さT35や凹部36の深さD36を相対的に大きくすることで、階段状凹凸構造部3を高精度で転写することができる。 Generally, after imprinting a photocurable resin with an imprint process using an imprint mold, an uneven pattern is formed on the photocurable resin, and then the base layer (base layer of the photocurable resin) is processed by an etching process using the photocurable resin as a mask. At that time, the shape of the corner portion closer to the top of the uneven pattern of the photocurable resin, which is exposed to the etching process for a longer period of time, tends to be rounded. Therefore, in the imprint mold 1 according to the present embodiment, the height T 35 of the convex portion 35 and the depth D 36 of the concave portion 36 located on the side closer to one surface 2A of the base portion 2 are relatively increased. The stepped uneven structure portion 3 can be transferred with high accuracy.

なお、図6に示すように、本実施形態における凸部35は、基部2を構成する材料と異なる材料により構成されていてもよい。例えば、基部2が石英ガラスにより構成され、凸部35が金属クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物により構成されていてもよい。 As shown in FIG. 6, the convex portion 35 in the present embodiment may be made of a material different from the material constituting the base portion 2. For example, the base 2 may be made of quartz glass, and the convex portion 35 may be made of a chromium-based compound such as metallic chromium, chromium oxide, chromium nitride, or chromium oxynitride.

上記構成を有するインプリントモールド1によれば、階段状凹凸構造部3の各段部30(第1〜第4段部31〜34)の第1面301の第1端部E1側に凸部35を有し、第2端部E2側に凹部36を有することで、後述するように、インプリント処理を通じて、インプリント樹脂に階段状凹凸パターンを高い精度で形成することができる。 According to the imprint mold 1 having the above configuration, a convex portion on the first end portion E1 side of the first surface 301 of each step portion 30 (first to fourth step portions 31 to 34) of the stepped concave-convex structure portion 3. By having 35 and having the recess 36 on the second end E2 side, as will be described later, a stepped uneven pattern can be formed on the imprint resin with high accuracy through the imprint process.

[インプリントモールドの製造方法]
次に、上記構成を有するインプリントモールド1の製造方法の一例を説明する。図7〜13は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。
[Manufacturing method of imprint mold]
Next, an example of a method for manufacturing the imprint mold 1 having the above configuration will be described. 7 to 13 are process flow charts showing each process of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on the cut end face.

まず、一方面21及びそれに対向する他方面22を有する透明基材20を準備し、当該透明基材20の一方面21上にハードマスク層40を形成し、その上にレジスト膜60を形成する(図7(A)参照)。 First, a transparent base material 20 having one side surface 21 and the other side surface 22 facing the same side surface 21 is prepared, a hard mask layer 40 is formed on one side surface 21 of the transparent base material 20, and a resist film 60 is formed on the hard mask layer 40. (See FIG. 7 (A)).

ハードマスク層40は、例えば、クロム、窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系材料;タンタル、窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル系材料等を単独で、又は任意に選択した2種以上を用い、スパッタリング、PVD、CVD等の公知の成膜法により形成され得る。なお、ハードマスク層40の厚さは、透明基材20を構成する材料とのエッチング選択比や、インプリントモールド1における階段状凹凸構造部3の高さ等に応じ適宜設定され得る。 The hard mask layer 40 is, for example, a chromium-based material such as chromium, chromium nitride, chromium oxide, chromium oxynitride; tantalum, tantalum nitride, tantalum oxide, tantalum oxynitride, tantalum oxide, tantalum nitride, and the like. It can be formed by a known film forming method such as sputtering, PVD, or CVD by using a system material or the like alone or by using two or more kinds arbitrarily selected. The thickness of the hard mask layer 40 can be appropriately set according to the etching selectivity with the material constituting the transparent base material 20, the height of the stepped uneven structure portion 3 in the imprint mold 1, and the like.

レジスト膜60を構成する樹脂材料(レジスト材料)としては、特に限定されるものではなく、電子線リソグラフィー処理、フォトリソグラフィー処理等において一般的に用いられるネガ型又はポジ型の電子線反応性レジスト材料、紫外線反応性レジスト材料等が挙げられる。 The resin material (resist material) constituting the resist film 60 is not particularly limited, and is a negative type or positive type electron beam reactive resist material generally used in electron beam lithography processing, photolithography processing and the like. , Ultraviolet reactive resist material and the like.

レジスト膜60の厚みは、特に制限されるものではない。後述する工程(図7(B)参照)において、レジスト膜60をパターニングして形成されたレジストパターンが、ハードマスク層40をエッチングする際のマスクとして用いられる。したがって、レジスト膜60の厚みは、ハードマスク層40を構成する材料や厚さ等を考慮し、ハードマスク層40のエッチング処理後にレジストパターンが残存する程度に適宜設定される。 The thickness of the resist film 60 is not particularly limited. In the step described later (see FIG. 7B), the resist pattern formed by patterning the resist film 60 is used as a mask when etching the hard mask layer 40. Therefore, the thickness of the resist film 60 is appropriately set so that the resist pattern remains after the etching treatment of the hard mask layer 40 in consideration of the material and thickness constituting the hard mask layer 40.

ハードマスク層40上にレジスト膜60を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ハードマスク層40上にレジスト材料を、スピンコーター、スプレーコーター等の塗工機を用いて塗布し又はハードマスク層40上に上記樹脂成分を含有するドライフィルムレジストを積層し、所望により所定の温度で加熱(プリベーク)する方法等が挙げられる。 The method of forming the resist film 60 on the hard mask layer 40 is not particularly limited, and a conventionally known method, for example, coating a resist material on the hard mask layer 40 with a spin coater, a spray coater, or the like. Examples thereof include a method of applying using a machine or laminating a dry film resist containing the above resin component on the hard mask layer 40 and heating (prebaking) at a predetermined temperature as desired.

次に、図7(B)に示すように、ハードマスク層40上の所望の位置に所定の第1開口部51を有する第1レジストパターン61を形成する。第1レジストパターン61は、例えば、電子線描画装置を用いた電子線リソグラフィー、所定の開口部及び遮光部を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー等により形成され得る。 Next, as shown in FIG. 7B, a first resist pattern 61 having a predetermined first opening 51 at a desired position on the hard mask layer 40 is formed. The first resist pattern 61 can be formed by, for example, electron beam lithography using an electron beam drawing apparatus, photolithography using a photomask having a predetermined opening and a light-shielding portion, and the like.

第1レジストパターン61における第1開口部51の形状は、本実施形態に係るインプリントモールド1の設計に応じて適宜設定されるものであって、特に制限されるものではなく、例えば、平面視略円環状、平面視略方形状、平面視略方形枠状等である。 The shape of the first opening 51 in the first resist pattern 61 is appropriately set according to the design of the imprint mold 1 according to the present embodiment, and is not particularly limited. For example, in a plan view. It has a substantially annular shape, a substantially square shape in a plan view, a substantially square frame shape in a plan view, and the like.

第1開口部51の寸法は、上記形状と同様に、本実施形態において製造されるインプリントモールド1の設計寸法に応じて適宜設定されるものであって、特に制限されるものではないが、例えば、300nm〜100μm程度である。なお、第1開口部51の寸法とは、第1開口部51の短手方向における幅を意味する。 Similar to the above shape, the dimensions of the first opening 51 are appropriately set according to the design dimensions of the imprint mold 1 manufactured in the present embodiment, and are not particularly limited. For example, it is about 300 nm to 100 μm. The dimension of the first opening 51 means the width of the first opening 51 in the lateral direction.

上記のようにして形成された第1レジストパターン61をマスクとして用いてハードマスク層40をエッチングして第1ハードマスクパターン41を形成し(図7(B)参照)、当該第1ハードマスクパターン41をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図7(C)参照)。 The hard mask layer 40 is etched using the first resist pattern 61 formed as described above as a mask to form the first hard mask pattern 41 (see FIG. 7B), and the first hard mask pattern is formed. Using 41 as a mask, one side 21 side of the transparent base material 20 is etched (see FIG. 7C).

次に、残存する第1ハードマスクパターン41上の所望の位置に所定の第2開口部52を有する第2レジストパターン62を形成した上で、第1ハードマスクパターン41をエッチングして第2ハードマスクパターン42を形成する。そして、当該第2ハードマスクパターン42をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図7(D)参照)。 Next, after forming a second resist pattern 62 having a predetermined second opening 52 at a desired position on the remaining first hard mask pattern 41, the first hard mask pattern 41 is etched to perform a second hard. The mask pattern 42 is formed. Then, the second hard mask pattern 42 is used as a mask to etch one side 21 side of the transparent base material 20 (see FIG. 7D).

続いて、第2ハードマスクパターン42上の所望の位置に所定の第3開口部53を有する第3レジストパターン63を形成した上で、第2ハードマスクパターン42をエッチングして第3ハードマスクパターン43を形成する(図8(B)参照)。そして、当該第3ハードマスクパターン43をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図8(C)参照)。 Subsequently, after forming a third resist pattern 63 having a predetermined third opening 53 at a desired position on the second hard mask pattern 42, the second hard mask pattern 42 is etched to form a third hard mask pattern. Form 43 (see FIG. 8B). Then, the third hard mask pattern 43 is used as a mask to etch one side 21 side of the transparent base material 20 (see FIG. 8C).

そして、第3ハードマスクパターン43上の所望の位置に所定の第4開口部54を有する第4レジストパターン64を形成した上で、第3ハードマスクパターン43をエッチングして第4ハードマスクパターン44を形成する(図9(A)参照)。そして、当該第4ハードマスクパターン44をマスクとして用いて透明基材20の一方面21側をエッチングする(図9(B)参照)。最後に、第4ハードマスクパターン44を除去することで、凸部35及び凹部36を有しない、階段状凹凸構造3’が透明基材20の一方面21側に形成される(図9(C)参照) Then, after forming a fourth resist pattern 64 having a predetermined fourth opening 54 at a desired position on the third hard mask pattern 43, the third hard mask pattern 43 is etched to form the fourth hard mask pattern 44. (See FIG. 9 (A)). Then, the fourth hard mask pattern 44 is used as a mask to etch one side 21 side of the transparent base material 20 (see FIG. 9B). Finally, by removing the fourth hard mask pattern 44, a stepped uneven structure 3'having no convex portion 35 and concave portion 36 is formed on one surface 21 side of the transparent base material 20 (FIG. 9 (C). )reference)

このようにして、透明基材20の一方面21側に階段状凹凸構造3’が形成された後、当該階段状凹凸構造3’の第1面301’上に凸部35及び凹部36を形成する。まずは、透明基材20の一方面21側にハードマスク層70をスパッタリング等により形成する(図10(A)参照)。 In this way, after the stepped concave-convex structure 3'is formed on the one side 21 side of the transparent base material 20, the convex portion 35 and the concave portion 36 are formed on the first surface 301'of the stepped concave-convex structure 3'. do. First, the hard mask layer 70 is formed on one side 21 side of the transparent base material 20 by sputtering or the like (see FIG. 10A).

次に、当該ハードマスク層70を被覆するように、電子線反応性レジスト等をスピンコート法等により塗布してレジスト層80を形成し(図10(B)参照)、電子線等を照射して露光し、その後現像処理を行うことで、レジストパターン81を形成する(図11(A),(B)参照)。 Next, an electron beam-reactive resist or the like is applied by a spin coating method or the like so as to cover the hard mask layer 70 to form a resist layer 80 (see FIG. 10B), and an electron beam or the like is irradiated. The resist pattern 81 is formed by subjecting the cells to exposure and then developing the resist pattern 81 (see FIGS. 11A and 11B).

レジストパターン81をマスクとしてハードマスク層70をエッチングし、ハードマスクパターン71を形成する(図12(A)参照)。そして、当該ハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35を形成する(図12(B)参照)。同様にして、凹部36に対応する開口を有するハードマスクパターン72を形成し(図13(A)参照)、当該ハードマスクパターン72をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凹部36を形成する(図13(B)参照)。このようにして、本実施形態に係るインプリントモールド1(図1参照)を製造することができる。なお、ハードマスクパターン71を形成した後(図12(A)参照)、当該ハードマスクパターン71を残しつつレジストパターン81を除去することで、図6に示すインプリントモールド1を製造することも可能である。 The hard mask layer 70 is etched using the resist pattern 81 as a mask to form the hard mask pattern 71 (see FIG. 12A). Then, by etching one surface 21 side of the transparent base material 20 using the hard mask pattern 71 as a mask, a convex portion 35 is formed on the first surface 301'of the stepped concave-convex structure 3'(FIG. 12B). reference). Similarly, a hard mask pattern 72 having an opening corresponding to the recess 36 is formed (see FIG. 13A), and one side 21 side of the transparent base material 20 is etched using the hard mask pattern 72 as a mask. , A recess 36 is formed on the first surface 301'of the stepped concave-convex structure 3'(see FIG. 13B). In this way, the imprint mold 1 (see FIG. 1) according to the present embodiment can be manufactured. After forming the hard mask pattern 71 (see FIG. 12A), the imprint mold 1 shown in FIG. 6 can be manufactured by removing the resist pattern 81 while leaving the hard mask pattern 71. Is.

続いて、本実施形態に係るインプリントモールド1の製造方法の他の例を説明する。図14は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、図14に示す製造方法は、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程が図7〜13に示す製造方法と異なる。そのため、以下においては、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程を説明する。 Subsequently, another example of the method for manufacturing the imprint mold 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 14 is a process flow chart showing each process of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on the cut end face. The manufacturing method shown in FIG. 14 is different from the manufacturing methods shown in FIGS. 7 to 13 in that the steps of forming the convex portion 35 and the concave portion 36 on the first surface 301 of the stepped concave-convex structure portion 3 are different. Therefore, in the following, the step of forming the convex portion 35 and the concave portion 36 on the first surface 301 of the stepped concave-convex structure portion 3 will be described.

まず、図14(A)に示すように、透明基材20の一方面21に対し所定の角度で傾斜する方向にスパッタリングする。このとき、階段状凹凸構造3’の第1面301’における第1端部E1を結ぶ線分の方向(図14(A)において矢印で示す方向)に、ターゲット原子(ハードマスク90を構成する原子)を透明基材20の一方面21に入射させる。これにより、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にのみハードマスク90が形成される。ハードマスク90の幅(凸部35の幅W35)は、ターゲット原子の入射角度を調整することにより制御可能である。 First, as shown in FIG. 14A, sputtering is performed in a direction in which the transparent base material 20 is inclined at a predetermined angle with respect to one surface 21 of the transparent base material 20. At this time, the target atom (hard mask 90 is formed) in the direction of the line segment connecting the first end portion E1 on the first surface 301'of the stepped concave-convex structure 3'(the direction indicated by the arrow in FIG. 14A). Atom) is incident on one side 21 of the transparent base material 20. As a result, the hard mask 90 is formed only on the first end portion E1 side of the first surface 301'of the stepped uneven structure 3'. The width of the hard mask 90 (the width W 35 of the projections 35) can be controlled by adjusting the incident angle of the target atoms.

そして、図14(B)に示すように、当該ハードマスク90をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングし、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35が形成される。その後、凹部36を形成することで、本実施形態に係るインプリントモールド1(図1参照)を製造することができる。なお、ハードマスク90を形成した後のエッチングを行わなければ、図6に示すインプリントモールド1を製造することも可能である。 Then, as shown in FIG. 14B, the hard mask 90 is used as a mask to etch one side 21 side of the transparent base material 20, and a convex portion 35 is formed on the first surface 301'of the stepped uneven structure 3'. Will be done. After that, by forming the recess 36, the imprint mold 1 (see FIG. 1) according to the present embodiment can be manufactured. It is also possible to manufacture the imprint mold 1 shown in FIG. 6 without etching after forming the hard mask 90.

さらに、本実施形態に係るインプリントモールド1の製造方法の他の例を説明する。図15及び図16は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、図15及び図16に示す製造方法においても、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程が図7〜13に示す製造方法と異なる。そのため、以下においては、階段状凹凸構造部3の第1面301に凸部35及び凹部36を形成する工程を説明する。 Further, another example of the method for manufacturing the imprint mold 1 according to the present embodiment will be described. 15 and 16 are process flow charts showing each process of the imprint mold manufacturing method according to the present embodiment on the cut end face. Also in the manufacturing methods shown in FIGS. 15 and 16, the steps of forming the convex portion 35 and the concave portion 36 on the first surface 301 of the stepped concave-convex structure portion 3 are different from the manufacturing methods shown in FIGS. 7 to 13. Therefore, in the following, the step of forming the convex portion 35 and the concave portion 36 on the first surface 301 of the stepped concave-convex structure portion 3 will be described.

まず、図15(A)に示すように、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にハードマスクパターン71を形成する。ハードマスクパターン71を形成する方法は、図10(A)〜図12(A)に示す方法と同様の方法を採用することができるため、ここでは詳細な説明を省略するものとする。 First, as shown in FIG. 15A, the hard mask pattern 71 is formed on the first end portion E1 side of the first surface 301'of the stepped uneven structure 3'. As a method for forming the hard mask pattern 71, the same method as that shown in FIGS. 10 (A) to 12 (A) can be adopted, and therefore detailed description thereof will be omitted here.

次に、図15(B)に示すように、ハードマスクパターン71の少なくとも一部及び第1面301’の一部を被覆するが、凹部36に相当する部分に開口を有するレジストパターン82を形成する。レジストパターン82を形成する方法は、図10(B)〜図11(B)に示す方法と同様の方法を採用することができる。 Next, as shown in FIG. 15B, at least a part of the hard mask pattern 71 and a part of the first surface 301'are covered, but a resist pattern 82 having an opening is formed in the portion corresponding to the recess 36. do. As a method for forming the resist pattern 82, the same method as that shown in FIGS. 10 (B) to 11 (B) can be adopted.

そして、図15(C)に示すように、レジストパターン82及びハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングすることで、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凹部36を形成する。続いて、レジストパターン82をエッチング又はアッシングにより除去した後(図16(A)参照)、ハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をエッチングする。これにより、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35を形成することができる(図16(B)参照)。図15〜16に示す製造方法によれば、階段状凹凸構造3’の第1面301’に凸部35及び凹部36を形成するに際して行われるリソグラフィー工程の回数を、図10〜13に示す製造方法よりも減らすことができる。 Then, as shown in FIG. 15C, by etching one side 21 side of the transparent base material 20 using the resist pattern 82 and the hard mask pattern 71 as masks, the first surface 301'of the stepped uneven structure 3'is formed. A recess 36 is formed in the recess 36. Subsequently, after removing the resist pattern 82 by etching or ashing (see FIG. 16A), one side 21 side of the transparent base material 20 is etched using the hard mask pattern 71 as a mask. As a result, the convex portion 35 can be formed on the first surface 301'of the stepped concave-convex structure 3'(see FIG. 16B). According to the manufacturing methods shown in FIGS. 15 to 16, the number of lithography steps performed when forming the convex portion 35 and the concave portion 36 on the first surface 301'of the stepped concave-convex structure 3'is shown in FIGS. 10 to 13. Can be reduced than the method.

[インプリント方法]
上述した構成を有するインプリントモールド1を用いたインプリント方法について説明する。図17は、本実施形態に係るインプリントモールド1を用いたインプリント方法の各工程を切断端面にて示す工程フロー図である。なお、本実施形態におけるインプリント方法を通じて製造される凹凸構造体100としては、例えば、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、医療検査用チップ、マイクロ流路等が挙げられ、それらに求められる階段状凹凸構造体103に対応する階段状凹凸構造部3がインプリントモールド1に備えられている。
[Imprint method]
An imprint method using the imprint mold 1 having the above-described configuration will be described. FIG. 17 is a process flow chart showing each step of the imprint method using the imprint mold 1 according to the present embodiment on the cut end face. Examples of the concave-convex structure 100 manufactured through the imprint method in the present embodiment include optical elements, wiring circuits, recording devices, display panels, medical examination chips, microchannels, and the like. The imprint mold 1 is provided with a stepped concave-convex structure portion 3 corresponding to the stepped concave-convex structure 103.

まず、シリコンウェハ、石英ガラスウエハ、無アルカリガラス等のガラス基板等の被転写基板110と、本実施形態に係るインプリントモールド1とを準備する。そして、被転写基板110上にインプリント樹脂120を塗布し、インプリントモールド1をインプリント樹脂120に押し当てる(図17(A)参照)。インプリント樹脂120としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等が挙げられるが、紫外線の照射により硬化する紫外線硬化性樹脂を用いるのが好ましい。 First, a transfer substrate 110 such as a silicon wafer, a quartz glass wafer, or a glass substrate such as non-alkali glass, and an imprint mold 1 according to the present embodiment are prepared. Then, the imprint resin 120 is applied onto the transfer substrate 110, and the imprint mold 1 is pressed against the imprint resin 120 (see FIG. 17 (A)). Examples of the imprint resin 120 include epoxy-based resin, phenol-based resin, polyimide-based resin, polysulfone-based resin, polyester-based resin, polycarbonate-based resin, and the like, and an ultraviolet curable resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays is used. Is preferable.

被転写基板110上のインプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態で、インプリント樹脂120を硬化させる(図17(B)参照)。インプリント樹脂120を硬化させる方法としては、インプリント樹脂120を構成する樹脂材料の硬化特性に応じて適宜選択すればよく、例えば、インプリント樹脂120が紫外線硬化性樹脂により構成される場合、インプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態で紫外線を照射することで、当該インプリント樹脂120を硬化させることができる。 The imprint resin 120 is cured while the imprint mold 1 is pressed against the imprint resin 120 on the substrate 110 to be transferred (see FIG. 17B). The method for curing the imprint resin 120 may be appropriately selected according to the curing characteristics of the resin material constituting the imprint resin 120. For example, when the imprint resin 120 is composed of an ultraviolet curable resin, the imprint resin 120 may be cured. The imprint resin 120 can be cured by irradiating the print resin 120 with ultraviolet rays while the imprint mold 1 is pressed against the print resin 120.

硬化したインプリント樹脂120からインプリントモールド1を剥離する。これにより、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3に対応する階段状凹凸パターン123が形成される(図17(C)参照)。本実施形態に係るインプリントモールド1は、階段状凹凸構造部3の第1面301上に凸部35及び凹部36を有する。そのため、インプリント樹脂120にインプリントモールド1を押し当てた状態においては、図18に示すように、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3の形状に沿ってインプリント樹脂120が賦形される。この状態でインプリント樹脂120を硬化させると、インプリント樹脂120が硬化収縮により変形する。このとき、階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分は、硬化収縮の影響を受けやすいため、角が丸みを帯びながら他の部分に比して大きく収縮する。一方、階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凸部35に対応して凹む部分は、角が丸みを帯びながら当該凹む部分を埋めるようにして変形する。これにより、図19に示すように、インプリントモールド1の階段状凹凸構造部3がインプリント樹脂120に高精度で転写されることになる。 The imprint mold 1 is peeled off from the cured imprint resin 120. As a result, the step-like unevenness pattern 123 corresponding to the step-like unevenness structure portion 3 of the imprint mold 1 is formed (see FIG. 17C). The imprint mold 1 according to the present embodiment has a convex portion 35 and a concave portion 36 on the first surface 301 of the stepped concave-convex structure portion 3. Therefore, when the imprint mold 1 is pressed against the imprint resin 120, the imprint resin 120 is shaped along the shape of the stepped uneven structure portion 3 of the imprint mold 1 as shown in FIG. NS. When the imprint resin 120 is cured in this state, the imprint resin 120 is deformed due to curing shrinkage. At this time, of the stepped uneven pattern 123, the portion protruding corresponding to the concave portion 36 of the imprint mold 1 is easily affected by curing shrinkage, so that the corners are rounded and larger than the other portions. Shrink. On the other hand, in the stepped uneven pattern 123, the portion that is recessed corresponding to the convex portion 35 of the imprint mold 1 is deformed so as to fill the concave portion while having rounded corners. As a result, as shown in FIG. 19, the stepped uneven structure portion 3 of the imprint mold 1 is transferred to the imprint resin 120 with high accuracy.

本実施形態に係るインプリントモールド1を用いて、被転写基板110に階段状凹凸構造部3を転写する場合、すなわち、本実施形態に係るインプリントモールド1がインプリントリソグラフィーに用いられるものである場合、階段状凹凸パターン123をマスクとして用いて被転写基板110をエッチングする。これにより、階段状凹凸構造体103を備える凹凸構造体100が製造される。なお、本実施形態に係るインプリントモールド1がインプリントリソグラフィーに用いられるものである場合、被転写基板110をエッチングするためのマスクとして用いられるインプリント樹脂120が、被転写基板110のエッチング中に膜減りすることも考慮し、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36を適宜設定すればよい。 When the stepped concavo-convex structure portion 3 is transferred to the substrate 110 to be transferred using the imprint mold 1 according to the present embodiment, that is, the imprint mold 1 according to the present embodiment is used for imprint lithography. In this case, the transferred substrate 110 is etched using the stepped uneven pattern 123 as a mask. As a result, the concavo-convex structure 100 including the stepped concavo-convex structure 103 is manufactured. When the imprint mold 1 according to the present embodiment is used for imprint lithography, the imprint resin 120 used as a mask for etching the transfer substrate 110 is being etched during the transfer substrate 110. Considering the reduction of the film, the height T 35 of the convex portion 35 and the depth D 36 of the concave portion 36 of the imprint mold 1 may be appropriately set.

より具体的には、インプリントモールド1を用いたインプリント処理によりインプリント樹脂120に形成される階段状凹凸パターン123のうち、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分と凸部35に対応して凹む部分とが、インプリントモールド1を剥離した後であっても、突起部及び溝部として存在し得るように(図20参照)、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36を設定するのが好ましい。このような階段状凹凸パターン123をマスクとして被転写基板110をエッチングすることで、被転写基板110に階段状凹凸構造体103を高い精度で形成することができる(図21参照)。 More specifically, of the stepped uneven pattern 123 formed on the imprint resin 120 by the imprint process using the imprint mold 1, the protruding portion and the convex portion corresponding to the concave portion 36 of the imprint mold 1. The height of the convex portion 35 of the imprint mold 1 so that the recessed portion corresponding to 35 can exist as a protrusion and a groove even after the imprint mold 1 is peeled off (see FIG. 20). preferably set the depth D 36 of the T 35 and the recess 36. By etching the transfer substrate 110 using such a stepped uneven pattern 123 as a mask, the stepped uneven structure 103 can be formed on the transferred substrate 110 with high accuracy (see FIG. 21).

階段状凹凸パターン123をマスクとして被転写基板110をエッチングする際、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E120の角は、エッチングが進行しやすいことで丸みを帯びやすい。これに対応するように、被転写基板110に形成される階段状凹凸構造体103の第1面101の端部E110の角も丸みを帯びやすくなる。一方で、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E121の角においては、エッチングが進行し難い。そのため、本実施形態のように、階段状凹凸パターン123の各段部の第1面121の端部E120に、インプリントモールド1の凹部36に対応して突出する部分が存在し、端部E121に凸部35に対応して凹む部分が存在することで、階段状凹凸構造体103を高い精度で形成することができる。また、階段状凹凸パターン123の上方の段部の方が、下方の段部よりもエッチングに長時間曝されるため、上方の段部ほど、凹部36に対応して突出する部分の高さや凸部に対応して凹む部分の深さが大きく、下方の段部ほど、当該突出する部分の高さや凹む部分の深さが小さくなるように、インプリントモールド1の凸部35の高さT35及び凹部36の深さD36が設定されるのが好ましい。 When the substrate 110 to be transferred is etched using the stepped uneven pattern 123 as a mask, the corners of the end E120 of the first surface 121 of each step of the stepped uneven pattern 123 are likely to be rounded due to the easy progress of etching. .. Corresponding to this, the corners of the end portion E110 of the first surface 101 of the stepped concave-convex structure 103 formed on the transfer substrate 110 are also likely to be rounded. On the other hand, it is difficult for etching to proceed at the corner of the end portion E121 of the first surface 121 of each step portion of the stepped uneven pattern 123. Therefore, as in the present embodiment, the end E120 of the first surface 121 of each step of the stepped uneven pattern 123 has a protruding portion corresponding to the recess 36 of the imprint mold 1, and the end E121. Since there is a recessed portion corresponding to the convex portion 35, the stepped concave-convex structure 103 can be formed with high accuracy. Further, since the upper step portion of the stepped uneven pattern 123 is exposed to etching for a longer time than the lower step portion, the height and convexity of the protruding portion corresponding to the concave portion 36 are higher in the upper step portion. The height of the convex portion 35 of the imprint mold 1 is T 35 so that the depth of the recessed portion is large corresponding to the portion and the height of the protruding portion and the depth of the recessed portion are smaller toward the lower step portion. and preferably the depth D 36 of the recess 36 is set.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiments described above are described for facilitating the understanding of the present invention, and are not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

上記実施形態において、インプリントモールド1の各段部31〜34の第1面301に凸部35及び凹部36を有し、凸部35及び凹部36の間の段差部37が基部2の一方面2Aに略平行な平面を有する態様を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、図22に示すように、凸部35と凹部36との間の段差部37が、凸部35から凹部36に向けて下るように傾斜する傾斜部により構成されていてもよいし、図23に示すように、当該傾斜部により構成される段差部37が、湾曲していてもよい。 In the above embodiment, the first surface 301 of each step portion 31 to 34 of the imprint mold 1 has a convex portion 35 and a concave portion 36, and the step portion 37 between the convex portion 35 and the concave portion 36 is one surface of the base portion 2. Although the embodiment having a plane substantially parallel to 2A has been described as an example, the present invention is not limited to this embodiment. For example, as shown in FIG. 22, the step portion 37 between the convex portion 35 and the concave portion 36 may be composed of an inclined portion that is inclined so as to descend from the convex portion 35 toward the concave portion 36. As shown in 23, the stepped portion 37 formed by the inclined portion may be curved.

図22に示す構成を有するインプリントモールド1は、以下のようにして製造され得る。まず、階段状凹凸構造3’の第1面301’の第1端部E1側にハードマスクパターン71を形成し、ハードマスクパターン71の少なくとも一部及び第1面301’の一部を被覆するが、凹部36に相当する部分に開口を有するレジストパターン82を形成する(図24(A)参照)。そして、レジストパターン82及びハードマスクパターン71をマスクとして透明基材20の一方面21側をドライエッチングする。このドライエッチング時に、レジストパターン82がエッチングされやすくなるように、エッチングガス中の酸素の量(分圧)を調整する。これにより、レジストパターン82が除去され露出した部分(階段状凹凸構造3’の第1面301’)がエッチングに曝されることになる。その結果、階段状凹凸構造3’の第1面301’に、傾斜部により構成される段差部37及び凹部36を形成することができる(図24(B)参照)。 The imprint mold 1 having the configuration shown in FIG. 22 can be manufactured as follows. First, a hard mask pattern 71 is formed on the first end E1 side of the first surface 301'of the stepped uneven structure 3', and at least a part of the hard mask pattern 71 and a part of the first surface 301' are covered. Form a resist pattern 82 having an opening in a portion corresponding to the recess 36 (see FIG. 24 (A)). Then, using the resist pattern 82 and the hard mask pattern 71 as masks, the one side 21 side of the transparent base material 20 is dry-etched. During this dry etching, the amount (partial pressure) of oxygen in the etching gas is adjusted so that the resist pattern 82 is easily etched. As a result, the exposed portion (first surface 301'of the stepped uneven structure 3') from which the resist pattern 82 has been removed is exposed to etching. As a result, the stepped portion 37 and the recessed portion 36 formed by the inclined portion can be formed on the first surface 301'of the stepped uneven structure 3'(see FIG. 24 (B)).

1…インプリントモールド
2…透明基材
2A…一方面
2B…他方面
3…階段状凹凸構造部
31…第1段部
32…第2段部
33…第3段部
34…第4段部
35…凸部
37…凹部
1 ... Imprint mold 2 ... Transparent base material 2A ... One side 2B ... The other side 3 ... Step-like uneven structure 31 ... First step 32 ... Second step 33 ... Third step 34 ... Fourth step 35 … Convex 37… Concave

Claims (9)

基部と、前記基部の一方面側に形成されてなり、複数の段部を有する階段状凹凸構造部とを備え、
前記各段部は、前記基部の一方面に略平行な第1面と、前記基部の一方面に略直交る第2面とを有し、
前記第1面は、第1端部と、前記第1端部に対向して位置する第2端部とを含み、
前記第2面は、前記第1面の第1端部から前記基部側に向かって延びており、
前記基部の前記一方面に対する垂直方向において、少なくとも前記複数の段部のそれぞれは、前記第1面の第1端部が前記第2端部の近傍よりも前記基部から遠位に位置するように構成され
前記第1面の前記第1端部側に前記第1端部を含む凸部が設けられ、前記第1面の前記第2端部の近傍に凹部が設けられていることで、前記第1面は、前記第1端部から前記第2端部に向かって3段以上の下り階段状に構成されており、
前記各段部の前記第1面に設けられている前記凸部の高さの関係は、前記基部の前記一方面の最も近くに位置する前記凸部の高さが最も高く、前記凸部が前記基部の一方面から遠ざかるに従って前記凸部の高さが低くなる関係である
ことを特徴とするインプリントモールド。
It is provided with a base portion and a stepped concave-convex structure portion formed on one surface side of the base portion and having a plurality of step portions.
Wherein the step portions has a first surface substantially parallel to one surface of the base and a second surface you substantially perpendicular to the one surface of the base,
The first surface includes a first end portion and a second end portion located opposite to the first end portion.
The second surface extends from the first end portion of the first surface toward the base side.
In the direction perpendicular to the one surface of the base, each of the at least the plurality of stepped portions, so that the first end portion of said first surface is located distally from said base portion than in the vicinity of the second end is composed,
A convex portion including the first end portion is provided on the first end portion side of the first surface, and a concave portion is provided in the vicinity of the second end portion of the first surface, whereby the first surface is provided. The surface is formed in a downward step shape of three or more steps from the first end portion to the second end portion.
Regarding the relationship between the heights of the convex portions provided on the first surface of each step portion, the height of the convex portions located closest to the one surface of the base portion is the highest, and the convex portions have the highest height. An imprint mold characterized in that the height of the convex portion decreases as the distance from one surface of the base portion increases.
側面視において、前記凸部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であることを特徴とする請求項に記載のインプリントモールド。 In a side view, a width of the convex portion, the imprint mold according to claim 1, wherein the at half or less of the first surface width. 前記凸部を構成する材料は、前記基部を構成する材料と異なる材料であることを特徴とする請求項又はに記載のインプリントモールド。 The imprint mold according to claim 1 or 2 , wherein the material constituting the convex portion is a material different from the material constituting the base portion. 前記第1面の第1端部に対向する第2端部の近傍に凹部が設けられていることを特徴とする請求項のいずれかに記載のインプリントモールド。 The imprint mold according to any one of claims 1 to 3 , wherein a recess is provided in the vicinity of the second end portion facing the first end portion of the first surface. 側面視において、前記凹部の幅は、前記第1面の幅の1/2以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のインプリントモールド。 The imprint mold according to any one of claims 1 to 4, wherein the width of the recess is ½ or less of the width of the first surface in a side view. 前記第1面は、前記第1端部側から前記第2端部側に向かって傾斜する傾斜部を含むことを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載のインプリントモールド。 Said first surface, the imprint mold according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it comprises an inclined portion inclined toward the second end side from the first end portion side. 前記傾斜部は、前記第1端部側から前記第2端部側に向かって湾曲して傾斜することを特徴とする請求項に記載のインプリントモールド。 The inclined portion, the imprint mold according to claim 6, wherein the inclined curved toward the second end side from the first end portion side. 前記インプリントモールドは、インプリントリソグラフィーに用いられるインプリントモールドであることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載のインプリントモールド。 The imprint mold according to any one of claims 1 to 7 , wherein the imprint mold is an imprint mold used for imprint lithography. 請求項1〜のいずれかに記載のインプリントモールドを製造する方法であって、
基部の一方面側に複数の段部を有する階段状凹凸構造部を形成する工程と、
前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上に第1ハードマスク層を形成する工程と、
前記第1ハードマスク層が形成された前記基部に第1エッチング処理を施すことで前記凸部を形成する工程と、
前記階段状凹凸構造部上の一部を露出させるようにして当該階段状凹凸構造部上に第2ハードマスク層を形成する工程と、
前記第2ハードマスク層が形成された前記基部に第2エッチング処理を施すことで前記凹部を形成する工程と
を含み、
前記第1ハードマスク層を形成する工程において、前記各段部の前記第1面のうち、前記第1端部近傍に前記凸部に対応する前記第1ハードマスク層を形成し
前記第2ハードマスク層を形成する工程において、前記凹部に対応する開口を有する前記第2ハードマスク層を形成することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
The method for manufacturing an imprint mold according to any one of claims 1 to 8.
A step of forming a stepped concave-convex structure having a plurality of steps on one side of the base, and
A step of forming a first hard mask layer on the stepped concavo-convex structure portion by exposing a part on the stepped concavo-convex structure portion, and
A step of forming the convex portion by performing a first etching process on the base portion on which the first hard mask layer is formed, and a step of forming the convex portion.
A step of forming a second hard mask layer on the stepped concavo-convex structure portion by exposing a part on the stepped concavo-convex structure portion, and
A step of forming the recess by subjecting the base portion on which the second hard mask layer is formed to a second etching process is included.
In the step of forming the first hard mask layer, of the first surface of the respective stepped portions to form a first hard mask layer corresponding to the convex portion to the first end portion,
A method for manufacturing an imprint mold, which comprises forming the second hard mask layer having an opening corresponding to the recess in the step of forming the second hard mask layer.
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CN110333643B (en) * 2019-08-06 2023-05-12 广纳四维(广东)光电科技有限公司 Nanometer imprinting template, preparation method thereof and nanometer imprinting method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5119579B2 (en) * 2005-08-01 2013-01-16 凸版印刷株式会社 Imprint mold and manufacturing method thereof
JP5531463B2 (en) * 2009-06-26 2014-06-25 大日本印刷株式会社 Master plate used for manufacturing micro contact print stamps and manufacturing method thereof, micro contact printing stamp and manufacturing method thereof, and pattern forming method using micro contact printing stamp
JP2011199136A (en) * 2010-03-23 2011-10-06 Toppan Printing Co Ltd Mold for imprint, method of fabricating the same, and pattern transferred body
JP5555025B2 (en) * 2010-03-25 2014-07-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ Stamper for fine pattern transfer and manufacturing method thereof
JP5731893B2 (en) * 2011-04-28 2015-06-10 株式会社フジクラ Imprint mold
JP6167609B2 (en) * 2013-03-28 2017-07-26 大日本印刷株式会社 Nanoimprint template, pattern formation method using nanoimprint template, and method for producing nanoimprint template
JP6232731B2 (en) * 2013-04-16 2017-11-22 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of imprint mold
JP6221795B2 (en) * 2014-02-07 2017-11-01 大日本印刷株式会社 Imprint mold, imprint method using the same, and master mold for producing the imprint mold
JP5954644B2 (en) * 2014-10-01 2016-07-20 大日本印刷株式会社 Imprint apparatus, imprint method, and control method of imprint apparatus
KR101937441B1 (en) * 2016-11-14 2019-04-09 주식회사 세명테크 Integrated hub and hybrid brake device including the same
JP6685886B2 (en) * 2016-12-08 2020-04-22 キオクシア株式会社 Template and method for manufacturing semiconductor device

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