KR100490118B1 - 유기발광소자 - Google Patents

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KR100490118B1
KR100490118B1 KR10-2003-0020459A KR20030020459A KR100490118B1 KR 100490118 B1 KR100490118 B1 KR 100490118B1 KR 20030020459 A KR20030020459 A KR 20030020459A KR 100490118 B1 KR100490118 B1 KR 100490118B1
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Abstract

본 발명은 산소와 수분의 침투를 억제하는 보호막(passivation layer)이 형성된 유기발광소자(OLED; Organic Light-Emitting Device)에 관한 것이다.
본 발명은 화학기상증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)으로 유기발광소자 위에 금속박막과, 상기 금속박막 위에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 다층 무기박막, 및 상기 다층 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 유전체 박막을 순차적으로 증착하여 다층 보호막구조를 제조하도록 되어 있으며, 이러한 다층 보호막구조는 무기물층과 유기물층 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄이면서 낮은 투산소율과 투습율을 나타낸다.

Description

유기발광소자 {Organic light-emitting device}
본 발명은 유기발광소자(OLED; Organic Light-Emitting Device)에 관한 것이며, 보다 상세히는 화학기상증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)에 의해 낮은 투산소율과 투습율을 나타내도록 제조된 보호막구조를 가지는 유기발광소자에 관한 것이다.
공지의 유기발광소자는 직접발광, 높은 효율, 넓은 시야각 등의 여러가지 장점에도 불구하고 대기중의 수분, 산소와 반응하여 소자의 열화와 전극의 산화가 진행되면서 수명이 짧아진다는 단점이 있으며, 이에 따라서 최근에는 수분과 산소에 대한 유기발광소자의 낮은 안정성을 개선하기 위하여 여러가지 연구가 진행되고 있다.
이와 같은 유기발광소자의 낮은 안정성을 개선하기 위하여 연구 개발된 방법으로는, 진공 증착법에 따라 유기물 혹은 무기물을 유기발광소자 위에 증착해 캡슐화하는 방법, 고분자를 유기발광소자 위에 스핀 코팅법 혹은 몰딩법에 의해 캡슐화하는 방법, 산소나 수분의 투과율이 낮은 고분자 박막을 복합화시켜 유기발광소자 주위를 캡슐화하는 방법, 유기발광소자를 쉴드 글라스로 덮어씌운 후 유기발광소자와 쉴드 글라스 사이에 실리콘 오일을 채워 수분과 산소 등을 차단하는 방법 등이 있다.
특히, 상기와 같은 유기발광소자의 낮은 안정성 개선 방법 중에서 가장 널리 알려진 방법은 진공 증착 장비를 이용하여 건식 공정으로 유기발광소자를 캡슐화하는 것으로서, 액상 혹은 고상의 모노머를 증착 후 중합해 고분자 박막을 유기발광소자 위에 증착하는 방법과, 무기물을 증착하여 형성한 무기 박막을 유기발광소자 위에 증착하는 방법, 유기물 및 무기물을 함께 유기발광소자 위에 다층으로 쌓는 방법 등이 발표되었다. 예를 들면, 미국특허 제6268695호(특허등록일; 2001년 07월 31일)에서는 진공 증착에 의해 형성된 유기/무기 복합층을 발광소자의 인캡슐레이션 박막으로 제안되었다.
그러나, 일반적으로 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물과 같은 무기물들은 유기물보다 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)가 약 10배에서 100 가량 작기 때문에, 플라스틱 기판과 같은 유기물 위에 무기물 박막을 증착하거나 무기물 위에 유기물을 증착하여 인캡슐레이션 박막을 만들 경우, 증착 과정 혹은 증착 후에 유기물과 무기물 계면에서 열적, 기계적 응력을 발생하게 된다. 이러한 응력들은 플라스틱 소자의 휨(curl) 현상을 발생시키고, 무기박막 내에 크랙(crack)이나 결함(defect)을 유발시켜 보호막의 성능을 저하시키므로, 유기물의 약 1배에서 10배 사이의 열팽창계수를 나타내는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti)과 같은 금속 버퍼층을 유기물층과 무기물층 사이에 적절히 사용할 필요가 있다.
따라서, 본 출원인은 무기물층과 유기물층 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄이면서 낮은 투산소율과 투습율을 나타내는 보호막구조를 가지는 유기발광소자를 개발하게 되었으며, 본 발명의 목적은 화학기상증착법(CVD)에 의해 금속박막과, 상기 금속박막 위에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 다층 무기박막, 및 상기 다층 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 유전체 박막을 발광층 위에 순차적으로 증착하여 무기물층과 유기물층 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄이면서 낮은 투산소율과 투습율을 나타내도록 제조된 유기발광소자를 제공하는데 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 유기발광소자는, 기판의 발광영역을 포함하는 중앙부 위에 양극용 투명산화물 전극층과, 유기물 발광층, 및 음극용 금속전극층이 순차적으로 적층된 다층구조를 가지는 발광층과; 상기 발광층 위에 증착되는 고분자 유기물 평탄층; 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 제1 금속박막과; 상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 제1 다층 무기박막; 및 상기 제1 다층 무기박막 위에 증착되는 유전체 박막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 유기발광소자는, 상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 제2 다층 무기박막과; 상기 제2 다층 무기박막 위에 증착되는 제2 금속박막; 및 상기 제2 금속박막 위에 증착되는 유기물 박막을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광소자는 다층구조를 가지는 발광층(10) 위에 순차적으로 적층되는 유기물 평탄층(15)과, 제1 금속박막(16), 제1 다층 무기박막(17), 및 유전체 박막(18)으로 구성되며, 그 제조과정은 다음과 같이 수행된다.
도 2를 참조하면, 먼저 상기 발광층(10)은 투명 유리 혹은 투명 플라스틱으로 된 기판(11)의 발광영역을 포함하는 중앙부 위에 ITO 소재의 양극용 투명산화물 전극층(12)을 코팅한 후, 이 투명산화물 전극층(12) 위에 NPD 소재의 정공주입/수송층(13a)과 알루미늄 트리(Alq3) 소재의 발광/전자수송층(13b)을 차례로 적층하여 유기물 발광층(13)을 형성한 다음, 상기 발광/전자수송층(13b) 위에 알루미늄(Al) 소재의 음극용 금속전극층(14)을 증착함에 따라서 제조된다.
이와 같이 발광층(10)이 제조되고 나면, 상기 발광층(10) 위에 건식 혹은 습식공정으로 상기 고분자 유기물 평탄층(15)을 진공 증착하여 발광층(10)을 평탄화시키며(S10), 이때 상기 고분자 유기물 평탄층(15)은 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막으로 수 마이크로미터(㎛) 이상의 두께로 증착된다.
이어서, 상기 제1 금속박막(16)과 제1 다층 무기박막(17), 및 유전체 박막(18)이 C-CVD(Cold-wall CVD), IBI-CVD(Ion-beam induced CVD), PECVD(Plasma Enchanced CVD), ECR-CVD(Electron Cyclotron Resonance CVD), ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma CVD), Cat-CVD(Catalytic CVD), HW-CVD(Hot Wire CVD) 중 어느 하나의 화학기상증착법(CVD)으로 상기 고분자 유기물 평탄층(15) 위에 순차적으로 적층된다.
이때, 상기 제1 금속박막(16)은 유기물 평탄층(15) 위에서 발광층(10)으로 침투하는 수분과 산소를 막고 유기물과 무기물 계면에서 열적, 기계적 응력을 줄이기 위한 버퍼층으로 증착된다(S11).
일예로, 상기 유기물 평탄층(15) 위에 제1 금속박막(16)을 증착할 때는 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 이동용 가스(carrier gas)로 첨가하고, 상기 제1 금속박막(16)이 알루미늄(Al) 박막인 경우는 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄(DMAH)과 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 하나 이상을 선구물질(precursor)로 사용하고, 티타늄(Ti) 박막인 경우는 사염화티탄(TiCl4)을 선구물질로 사용하며, 반도체인 실리콘(Si) 박막인 경우는 모노실란(SiH4)을 선구물질로 사용하여 증착한다.
다음으로, 상기 제1 금속박막(16) 위에 제1 금속박막(16)과 유전체 박막(18) 사이에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 제1 다층 무기박막(17)과 유전체 박막(18)을 순차적으로 증착할 때는, 상기 제1 다층 무기박막(17)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy, SixOy인 경우는 반응용 가스로 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스를, 금속 질화물 AlxNy, TixNy, SixNy인 경우는 질소(N 2)와 암모니아(NH3) 가스를, 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy인 경우는 메탄(CH 4)과 아세틸렌(C2H2) 가스를 각각 첨가하여 제1 다층 무기박막(17)을 만든다(S12).
특히, 상기 제1 다층 무기박막(17)을 만들 때에는 가장 먼저, 제1 금속박막(16)을 증착하기 위하여 사용한 선구물질 위에 미량의 상기 반응용 가스를 사용하면 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 각각에 대한 성분비를 나타내는 x값은 1에 가깝고 y 값은 1보다 매우 작은 무기박막, 즉 상기 제1 금속박막(16)과 성분이 거의 같은 무기박막을 만들 수 있으며, 이렇게 처음 만들어진 최하위 무기박막 위에 상기 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 한층 이상의 무기박막들을 적층하여 제1 다층 무기박막(17)을 만든다.
일예로, 상기 제1 다층 무기박막(17)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy , SixOy인 경우와 금속 질화물 AlxNy, TixNy, SixNy인 경우, 및 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy 인 경우, 상기와 같이 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 한층 이상의 무기박막들을 적층하게 되면, 상기 제1 다층 무기박막(17)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지 점차적으로 증가하는 성분비 변화를 갖는 알루미늄(Al) 다층 무기박막 AlxOy, AlxNy, Alx Cy 중 어느 하나로 만들어지거나, 티타늄(Ti) 다층 무기박막 TixOy, TixNy, TixC y 중 어느 하나로 만들어지거나, 실리콘(Si) 다층 무기박막 SixOy, SixNy, SixCy 중 어느 하나로 만들어진다.
또한, 상기와 같이 적층된 제1 다층 무기박막(17)의 최상위 마지막 무기박막 위에는 상기 마지막 무기박막에 비해 수분과 산소를 막는 성분비가 완전한 금속 산화물 AlO1.5, TiO2, SiO2, 금속 질화물 AlN, TiN, SiN, 금속 탄화물 AlC, TiC, SiC 층과 같은 유전체 박막(18)이 증착된다(S13).
이와 같이 상기 유기물 평탄층(15) 위에 상기 제1 금속박막(16)과 제1 다층 무기박막(17), 및 유전체 박막(18)을 순차적으로 증착하면, 증착 도중에 발생할 수 있는 유기물층과 무기물층 사이의 열적, 기계적 응력을 감소시킬 수 있으며, 이와 동시에 유전체 박막(18)이 갖는 보호 특성이 투산소율과 투습율을 낮추도록 유지된다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광소자는 도 1에 도시된 유기발광소자 위에 순차적으로 적층되는 제2 다층 무기박막(27b)과, 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)을 더 포함하여 유기물층과 무기물층의 다층구조를 갖도록 구성되된다.
실제로, 도 3에 도시된 유기발광소자는 다층구조를 가지는 발광층(20) 위에 순차적으로 적층되는 유기물 평탄층(25)과, 제1 금속박막(26a), 제1 다층 무기박막(27a), 유전체 박막(28), 제2 다층 무기박막(27b)과, 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)으로 구성되며,그 제조과정은 다음과 같이 수행된다.
도 4를 참조하면, 도 3의 발광층(20)과, 유기물 평탄층(25), 제1 금속박막(26a), 제1 다층 무기박막(27a), 및 유전체 박막(28)을 각각 제조하는 과정(S20∼S23)은, 도 2에 있어서 도 1의 발광층(10)과, 유기물 평탄층(15), 제1 금속박막(16), 제1 다층 무기박막(17), 및 유전체 박막(18)을 각각 제조하는 과정(S10∼S23)과 동일하게 수행되며, 이하에서는 상기 제2 다층 무기박막(27b)과, 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)을 제조과정을 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같이 도 2에 도시된 제조과정과 동일한 방법으로 상기 발광층(20) 위에 유기물 평탄층(25)과 제1 금속박막(26a), 제1 다층 무기박막(27a), 및 유전체 박막(28)이 순차적으로 증착되고 나면, 상기 유전체 박막(28) 위에는 유전체 박막(28)과 상기 제2 금속박막(26b) 사이에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 제2 다층 무기박막(27b)이 증착된다(S24).
이때, 상기 제2 다층 무기박막(27b)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy, SixOy인 경우는 반응용 가스로 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스를, 금속 질화물 AlxN y, TixNy, SixNy인 경우는 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스를, 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy인 경우는 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스를 각각 첨가하여 제2 다층 무기박막(27b)을 만든다.
특히, 상기 제2 다층 무기박막(27b)을 만들 때에는 가장 먼저, 상기 제1 금속박막(26a)을 증착하기 위하여 사용한 선구물질 위에 미량의 상기 반응용 가스를 사용하면 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 각각에 대한 성분비를 나타내는 x값은 1보다 매우 작고 y값은 1에 가까운 무기박막, 즉 상기 유전체 박막(28)과 성분이 거의 같은 무기박막을 만들 수 있으며, 이렇게 처음 만들어진 최하위 무기박막 위에 상기 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 상기 유전체 박막(28)을 기준으로 제1 다층 무기박막(27a)과 대칭 구조를 갖는 한층 이상의 무기박막들을 적층하여 제2 다층 무기박막(27b)을 만든다.
일예로, 상기 제2 다층 무기박막(27b)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy , SixOy인 경우와 금속 질화물 AlxNy, TixNy, SixNy인 경우, 및 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy인 경우, 상기와 같이 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 한층 이상의 무기박막들을 적층하게 되면, 상기 제2 다층 무기박막(27b)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지 점차적으로 감소하는 성분비 변화를 갖는 알루미늄(Al) 다층 무기박막 AlxOy, AlxNy, AlxC y 중 어느 하나로 만들어지거나, 티타늄(Ti) 다층 무기박막 TixOy, TixNy, TixC y 중 어느 하나로 만들어지거나, 실리콘(Si) 다층 무기박막 SixOy, SixNy, SixCy 중 어느 하나로 만들어진다.
이어서, 상기 제2 다층 무기박막(27b) 위에 제2 금속박막(26b)을 증착할 때는 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 이동용 가스(carrier gas)로 첨가하고, 상기 제1 금속박막(26a)이 알루미늄(Al) 박막인 경우는 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄(DMAH)과 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 하나 이상을 선구물질로 사용하고, 티타늄(Ti) 박막인 경우는 사염화티탄(TiCl4)을 선구물질로 사용하며, 반도체인 실리콘(Si) 박막인 경우는 모노실란(SiH4)을 선구물질로 사용하여 증착한다(S25).
상기 제2 금속박막(26b)이 제2 다층 무기박막(27b) 위에 증착되고 나면, 마지막으로 상기 제2 금속박막(26b) 위에 건식 혹은 습식공정으로 상기 고분자 유기물 박막(29)을 진공 증착하여(S26) 유기물층과 무기물층의 다층구조를 갖는 보호막구조를 완성한다. 이때, 상기 고분자 유기물 박막(29)은 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막으로 수 마이크로미터(㎛) 이상의 두께로 증착된다.
상기한 바와 같이 유기물 평탄층(25) 위에 상기 제1 금속박막(26a)과 제1 다층 무기박막(27a), 유전체 박막(28), 제2 다층 무기박막(27b), 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)을 순차적으로 증착하면, 증착 도중에 발생할 수 있는 유기물층과 무기물층 사이의 열적, 기계적 응력을 감소시킬 수 있으며, 이와 동시에 유전체 박막(28)과 유기물 박막(29)이 갖는 보호 특성이 투산소율과 투습율을 낮추도록 유지된다.
한편, 본 발명에 따른 실시예에 있어서 상기 제1 금속박막(26a)과 제1 다층 무기박막(27a), 유전체 박막(28), 제2 다층 무기박막(27b), 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)으로 된 유기물층과 무기물층의 순차적 적층구조를 한 번 이상 반복하여 적층하면 다중 보호막구조를 제조할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 유기발광소자는 화학기상증착법(CVD)에 의해 금속박막과, 상기 금속박막 위에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 다층 무기박막, 및 상기 다층 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 유전체 박막을 유기발광소자 위에 순차적으로 적층하여 제조되므로, 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물과 같은 유전체 박막을 사용하므로 낮은 투산소율과 투습율 확보가 용이하다.
둘째, 유기발광소자의 유기물 평탄층과 다층 무기박막 사이에 유기물의 약 1배에서 10배 사이의 열팽창계수를 나타내는 금속박막을 버퍼층으로 사용하고 이 금속박막과 유전체 박막 사이에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 다층 무기박막이 중간층으로 사용되므로 무기물층과 유기물층 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄일 수 있다.
셋째, 다층 보호막 형성 시, 하나의 화학기상증착 장비에서 여러 이동용 가스 또는 반응용 가스들의 혼합비만 바꾸어 사용하여 단계적으로 금속박막부터 유전체박막까지 증착하므로 생산성 및 공정성 확보가 용이하다.
넷째, 이와 같이 제조된 다층 보호막 소자 위에 습식 또는 건식공정을 통한 유기물 소재의 박막을 캡슐화시켜 형성할 경우, 유기물을 증착하기 전에 단계적으로 유전체 박막에서 금속박막까지 다층 무기박막을 형성하여 유기물층/무기물층 계면 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄일 수 있다.
다섯째, 이와 같이 형성된 유기물/무기물의 다층 보호막구조를 유기물 전계효과 트랜지스터와 같은 유기물 반도체 소자에 캡슐화시켜 유기물 반도체 소자의 수명 증대를 기대할 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 유기발광소자를 제조하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자를 도시한 제1단면도.
도 2는 도 1에 도시된 유기발광소자의 제조과정을 도시한 순서도.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광소자를 도시한 제2단면도.
도 4는 도 3에 도시된 유기발광소자의 제조과정을 도시한 순서도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10,20 : 발광층 11,21 : 기판
12,22 : 투명산화물 전극층 13,23 : 유기물 발광층
14,24 : 금속 전극층 15,25 : 유기물 평탄층
16,26a,26b : 금속박막 17,27a,27b : 다층 무기박막
18,28 : 유전체 박막 29 : 유기물 박막

Claims (29)

  1. 기판의 발광영역을 포함하는 중앙부 위에 양극용 투명산화물 전극층과, 유기물 발광층, 및 음극용 금속전극층이 순차적으로 적층된 다층구조를 가지는 발광층과;
    상기 발광층 위에 증착되는 고분자 유기물 평탄층;
    상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 제1 금속박막과;
    상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 제1 다층 무기박막; 및
    상기 제1 다층 무기박막 위에 증착되는 유전체 박막
    으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유기발광소자는
    상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 제2 다층 무기박막과;
    상기 제2 다층 무기박막 위에 증착되는 제2 금속박막; 및
    상기 제2 금속박막 위에 증착되는 유기물 박막
    을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 고분자 유기물 평탄층은
    발광층 위에 건식 혹은 습식공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 고분자 유기물 평탄층은
    폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은
    특정 선구물질에 특정 이동용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은
    트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 알루미늄(Al) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은
    사염화티탄(TiCl4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 티타늄(Ti) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은
    모노실란(SiH4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 실리콘(Si) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은
    상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스의 비율을 점진적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은
    트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 알루미늄(Al)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 알루미늄 산화물 AlxOy, 알루미늄 질화물 AlxNy, 알루미늄 탄화물 Al xCy 중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은
    사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 티타늄(Ti)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 티타늄 산화물 TixOy, 티타늄 질화물 TixNy, 티타늄 탄화물 TixCy 중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  12. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은
    모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 실리콘 산화물 SixOy, 실리콘 질화물 SixNy, 실리콘 탄화물 SixCy 중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체 박막은
    상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제1 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은
    트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 알루미늄 산화물 AlO1.5, 알루미늄 질화물 AlN, 알루미늄 탄화물 AlC 중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은
    사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 티타늄 산화물 TiO2, 티타늄 질화물 TiN, 티타늄 탄화물 TiC 중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은
    모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 실리콘 산화물 SiO2, 실리콘 질화물 SiN, 실리콘 탄화물 SiC 중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  17. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은
    상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스의 비율을 점진적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은
    트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 알루미늄(Al)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 알루미늄 산화물 AlxOy, 알루미늄 질화물 AlxNy, 알루미늄 탄화물 Al xCy 중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은
    사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 티타늄(Ti)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 티타늄 산화물 TixOy, 티타늄 질화물 TixNy, 티타늄 탄화물 TixCy 중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은
    모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 실리콘 산화물 SixOy, 실리콘 질화물 SixNy, 실리콘 탄화물 SixCy 중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  21. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은
    특정 선구물질에 특정 이동용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은
    트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 알루미늄(Al) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  23. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은
    사염화티탄(TiCl4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 티타늄(Ti) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  24. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은
    모노실란(SiH4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 실리콘(Si) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  25. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막의 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지의 순차적 적층구조는 상기 유전체 박막을 기준으로 상기 제1 다층 무기박막의 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지의 순차적 적층구조와 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  26. 제 2 항에 있어서, 상기 유기물 박막은
    상기 제2 금속박막 위에 건식 혹은 습식공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 유기물 박막은
    폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  28. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 금속박막과 제1 다층 무기박막, 유전체 박막, 제2 다층 무기 박막, 및 제2 금속박막은,
    C-CVD, IBI-CVD, PECVD, ECR-CVD, ICP-CVD, Cat-CVD, HW-CVD 중 어느 하나의 화학기상증착법(CVD)으로 제조되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  29. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기발광소자는
    상기 제1 금속박막과 제1 다층 무기박막, 유전체 박막, 제2 다층 무기 박막, 제2 금속박막, 및 유기물 박막으로 된 순차적 적층구조가 반복 적층된 다중 보호막구조인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
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