CN105679962B - 封装结构、封装方法与光电设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种封装结构、封装方法与光电设备。该封装结构包括：基板、金属箔层、聚硅氮烷系化合物部、发光器件、第一粘结层、封装胶部、第二粘结层与盖板，其中，金属箔层与基板相对设置，且与基板之间具有间隔；聚硅氮烷系化合物部设置在间隔中，且聚硅氮烷系化合物部、基板与金属箔层形成密闭空间；发光器件设置在密闭空间中，并设置在基板的表面上；第一粘结层设置在发光器件的远离基板的表面上，用于粘结发光器件与金属箔层；封装胶部围绕聚硅氮烷系化合物部设置在间隔中；第二粘结层设置在金属箔层的远离聚硅氮烷系化合物部的表面上；盖板设置在第二粘结层的远离金属箔层的表面上。该封装结构能够很好地阻隔水汽与氧气且有较好的柔韧性。

Description

封装结构、封装方法与光电设备

技术领域

本发明涉及封装领域，具体而言，涉及一种封装结构、封装方法与光电设备。

背景技术

随着信息社会的发展，显示信息的显示器件得到广泛发展。电致发光器件中的OLED与QLED现在正被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器与全彩电视等设备中，并且，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

但是，电致发光器件中有一些材料，例如衬底的材料通常为PET、PEN、PES、PI与PC，这些材料都为聚合物，材料本身自由体积分数较小且链段平均自由度较大，导致其水/氧渗透率较大，电致发光器件对于大气中的污染物、氧气以及水汽都十分敏感，在含有水汽的环境中容易发生电化学腐蚀，严重影响电致发光器件的使用寿命。因此OLED对封装的要求非常高，为了满足其使用寿命的要求，需满足水汽渗透率≦10^-6g/m²/day和氧气渗透≦10^-5cc/m^2/day(1atm)的封装要求。目前，主要通过封装的方式来提高电致发光器件内部的密封性，降低水汽渗透率与氧气渗透率，保证电致发光器件具有较长的使用寿命。

传统的电致发光器件封装方式有两种：第一种是在电致发光器件上设置盖板，并在盖板内侧贴附干燥剂，再通过环氧树脂等密封胶将电致发光器件的基板和盖板相结合。第二种是在电致发光器件上设置盖板，并在盖板内部填充液态干燥剂，再通过环氧树脂等密封胶将基板和盖板相结合。

上述的第一种封装方式虽然有效地减缓了水汽对器件的腐蚀，但当干燥剂吸水量达到饱和后，水汽又可以进入器件内部，还是会对器件造成腐蚀。并且，该方法通常采用的盖板为凹槽盖板，这种盖板只适合小尺寸生产，不适合大尺寸生产，其耐冲击性能差，且这种封装方式需要精密的真空设备及监测仪器来保证盖板内部与外部压力相等，否则器件的密封性较差。

第二种封装方式虽然可以有效的阻止水汽进入器件内部，但液态干燥剂成本太高，除了器件内边缘液态干燥剂起到了阻挡水氧的功能，其他大部分液态干燥剂都只起到填充作用，造成了严重的资源浪费。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种封装结构、封装方法与光电设备，以解决现有技术中的封装结构不能较好地阻隔水汽的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种封装结构，该封装结构包括：基板、金属箔层、聚硅氮烷系化合物部、发光器件、第一粘结层、封装胶部、第二粘结层与盖板，其中，金属箔层与上述基板相对设置，且与上述基板之间具有间隔；聚硅氮烷系化合物部设置在上述间隔中，且上述聚硅氮烷系化合物部、上述基板与上述金属箔层形成密闭空间；发光器件设置在上述密闭空间中，并设置在上述基板的表面上；第一粘结层设置在上述发光器件的远离上述基板的表面上，用于粘结上述发光器件与上述金属箔层；封装胶部围绕上述聚硅氮烷系化合物部设置在上述间隔中；第二粘结层设置在上述金属箔层的远离上述聚硅氮烷系化合物部的表面上；盖板设置在上述第二粘结层的远离上述金属箔层的表面上。

进一步地，上述第一粘结层与上述第二粘结层各自独立地选自热熔胶层，优选上述热熔胶层为EVA层、PA层、PES层、PO层与TPU层中的一种或多种。

进一步地，上述基板为柔性基板，上述盖板为柔性盖板。

进一步地，上述第一粘结层与上述第二粘结层的厚度均在600～1000nm之间。

进一步地，上述聚硅氮烷系化合物部为全氢聚硅氮烷部。

进一步地，上述聚硅氮烷系化合物部的厚度在400～1000nm之间。

进一步地，上述金属箔层的厚度在0.02～0.3mm之间，优选上述金属箔层为铝箔层、铜箔层、不锈钢箔层与锡箔层中的一种或多种。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种封装方法，该封装方法包括：在基板的第一基板表面上设置发光器件；在上述发光器件的远离上述基板的表面上设置第一粘结层；在上述第一基板表面上围绕上述第一粘结层设置上述聚硅氮烷系化合物部；在上述第一基板表面上围绕上述聚硅氮烷系化合物部设置封装胶部，上述基板、上述发光器件、上述第一粘结层、上述聚硅氮烷系化合物部与上述封装胶部形成基板单元；在盖板的表面设置第二粘结层；在上述第二粘结层的远离上述盖板的表面设置金属箔层，上述盖板、上述第二粘结层与上述金属箔层形成盖板单元；使上述金属箔层与上述第一粘结层相对，将上述基板单元与上述盖板单元压合。

进一步地，上述第一粘结层与上述第二粘结层各自独立地选自热熔胶层，优选上述热熔胶层为EVA层、PA层、PES层、PO层与TPU层中的一种或多种。

进一步地，上述基板为柔性基板，上述盖板为柔性盖板，采用塑封设备将上述盖板单元与上述基板单元压合。

进一步地，上述塑封设备包括前导辊与后胶辊，将上述基板单元与上述盖板单元压合的步骤包括：将上述基板单元中的上述第一粘结层与上述盖板单元中的上述金属箔层贴合，形成第一预封装结构；采用上述前导辊对上述第一预封装结构加热加压，形成第二预封装结构；采用上述后胶辊对上述第二预封装结构冷却调平，形成封装结构。

进一步地，将上述基板单元与上述盖板单元压合之前，上述封装方法包括采用塑封设备对上述盖板单元进行塑封处理。

根据本发明的另一方面，提供了一种光电设备，包括封装结构，该封装结构为上述的封装结构。

应用本发明的技术方案，封装结构同时包括聚硅氮烷系化合物部与金属箔层，能够更好地起到阻隔水汽与氧气的作用。其中，聚硅氮烷系化合物部包围在发光器件的外侧，聚硅氮烷系化合物部的结构中存在大量反应性基团Si-H和N-H，可以在常温下与水和氧气反应，形成致密性二氧化硅，因而防水性能好，能够阻挡水氧从封装结构的侧面进入封装结构的内部，避免了封装结构内部的发光器件的性能受到影响，保证了发光器件具有良好的性能；同时，在封装结构中设置金属箔层，金属箔的较好的致密性使得发光器件不容易被水汽与氧气入侵，具有优异的水/氧阻隔性能，其水汽渗透率小于1×10^-5g/m²/d、氧气渗透率小3×10^-4cc/m²/d，这样金属箔层可以从发光器件的正面阻挡水和氧气进入发光器件中，保证了发光器件具有较长的寿命；并且，金属箔层具有优异的耐热性能，且其热膨胀系数很低，具有较好的柔韧性，提高了封装结构的柔韧性，扩大了其应用的领域。

附图说明

构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了本发明的一种典型的实施方式提供的封装结构的剖面示意图；以及

图2示出了一种实施例提供的封装结构的剖面示意图。

其中，上述附图包括以下附图标记：

1、基板；2、发光器件；3、第一粘结层；4、金属箔层；5、第二粘结层；6、盖板；7、聚硅氮烷系化合物部；8、封装胶部。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

正如背景技术所介绍的，现有技术中的电致发光器件的封装结构不能较好地阻隔水汽，为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种封装结构、封装方法与光电设备。

本申请一种典型的实施方式中，如图1所示，提供了一种封装结构，该结构包括基板1、发光器件2、第一粘结层3、金属箔层4、第二粘结层5、聚硅氮烷系化合物部7与封装胶部8，其中，金属箔层4与上述基板1相对设置，且与上述基板1之间具有间隔；聚硅氮烷系化合物部7设置在上述间隔中，且上述聚硅氮烷系化合物部7、上述基板1与上述金属箔层4形成密闭空间；发光器件2设置在上述密闭空间中，并设置在上述基板1的表面上；第一粘结层3设置在上述发光器件2的远离上述基板1的表面上，用于粘结上述发光器件2与上述金属箔层4；金聚硅氮烷系化合物部7设置在上述间隔中，且上述聚硅氮烷系化合物部7、上述基板1和上述金属箔层4形成密闭空间；封装胶部8围绕上述聚硅氮烷系化合物部7设置在上述间隔中，用于定位聚硅氮烷系化合部防止其扩散到其它位置；第二粘结层5设置在上述金属箔层4的远离上述聚硅氮烷系化合物部7的表面上；盖板6设置在上述第二粘结层5的远离上述金属箔层4的表面上。

上述的封装结构同时包括聚硅氮烷系化合物部7与金属箔层4，能够更好地起到阻隔水汽与氧气的作用。其中，聚硅氮烷系化合物部7包围在发光器件2的外侧，聚硅氮烷系化合物部7的结构中存在大量反应性基团Si-H和N-H，可以在常温下与水和氧气反应，形成致密性二氧化硅，因而防水性能好，能够阻挡水氧从封装结构的侧面进入封装结构的内部，避免了封装结构内部的发光器件2的性能受到影响，保证了发光器件2具有良好的性能；同时，在封装结构中设置金属箔层4，金属箔的较好的致密性使得其不容易被水汽与氧气入侵，具有优异的水/氧阻隔性能，其水汽渗透率小于1×10^-5g/m²/d、氧气渗透率小3×10^-4cc/m²/d，这样金属箔层4可以从发光器件2的正面阻挡水和氧气进入发光器件2中，保证了发光器件2具有较长的寿命；并且，金属箔层4具有优异的耐热性能，且其热膨胀系数很低，具有较好的柔韧性，提高了封装结构的柔韧性，扩大了其应用的领域，第一粘结层与第二粘结层可以更加牢固地将封装结构中的部分结构粘结在一起，保证了封装结构的密封性，进一步保证了该封装结构具有较好的水汽阻隔效果。

为了进一步保证封装结构的柔韧性，并且，本申请优选上述基板1为柔性基板1，上述盖板6为柔性盖板。

本申请的另一种实施例中，如图2所示，上述第一粘结层3充满除上述发光器件以外的上述密闭空间中。具体地，第一粘结层3可以覆盖部分发光器件2的表面，也可以覆盖整个发光器件2的远离基板1的表面，还可以充满除了发光器件2以外的整个密闭空间，更好地实现粘结发光器件2与金属箔层4。本领域技术人员可以根据实际的情况来设置第一粘结层3，并且，第一粘结层3充满整个密闭空间还可以进一步提高器件柔韧性与抗冲击性。

本申请中的第一粘结层3与第二粘结层5的材料可以是紫外固化胶，例如UV胶层，也可以是热熔胶。在保证封装结构的柔韧性的基础上，为了便于制作封装结构，优选上述第一粘结层3与第二粘结层5均为热熔胶层。

很薄的金属一般弯曲之后没有外力是不可能弯回去的，即没有反弹性，若用外力将金属恢复为原状态会使得金属由于受力不均匀而产生褶皱。而粘结层的材料是有反弹性的，与金属粘在一起可以带动金属恢复原有的状态。目前UV胶的反弹性很差，不能很好地带动金属恢复原有的状态，而热熔胶的反弹性较好，可以较好地带动金属恢复原有的状态，使得器件具有较好的柔性。

因此，当采用热熔胶层作为第一粘结层与第二粘结层时，包括该封装结构的光电器件发生卷曲后自动恢复成平坦状态，不必担心柔性光电器件经卷曲存放后不能恢复到平坦状态。

并且，第二粘结层可以很好地填充金属箔层4表面不平整的凹陷，进而能够避免由于金属箔层4表面的凹陷造成的发光器件短路或局部尖端放电等问题。

本申请另一种实施例中，优选上述热熔胶层为乙烯-醋酸乙烯共聚物(Ethylene-vinyl acetate copolymer，简称EVA)层、聚酰胺树脂(Polyamide，简称PA)层、聚醚砜树脂(Polyethersulfone，简称PES)层、聚烯烃共聚物(Polyolefin，简称PO)层与聚氨酯树脂(Thermoplastic Urethane，简称TPU)层中的一种或多种，但并不限于上述的热熔胶，也不限于热熔胶，只要是可以实现粘结作用的热熔性胶粘剂即可，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的粘结层的材料。

本申请的又一种实施例中，上述第一粘结层3和上述第二粘结层5的厚度在600～1000nm之间。将第一粘结层3和上述第二粘结层5的厚度设置在此范围内，可以使得二者能够更好地起到粘结作用，可以使得封装结构具有较好的防护效果，避免封装结构中的结构层发生断裂的问题，并且不会影响整个封装结构的体积及重量。

本申请中的聚硅氮烷系化合物部中的聚硅氮烷系化合物可以是全氢聚硅氮烷、有机聚硅氮烷、及它们的衍生物中的一种。本申请的再一种实施例中，上述聚硅氮烷系化合物部7为全氢聚硅氮烷部，全氢聚硅氮烷部固化完全后，生成密度是2.0的二氧化硅，能够进一步有效阻挡水氧从封装结构的侧面进入其内部。

为了进一步保证聚硅氮烷系化合物部7起到较好的水汽阻隔作用，且避免其发生断裂，本申请优选聚硅氮烷系化合物部7的厚度在400～1000nm之间。

本申请的又一种实施例中，上述金属箔层4的厚度在0.02～0.3mm之间。这样可以保证金属箔层4具有较好的柔韧性。

本申请中的金属箔层4可以为铝箔层、铜箔层、不锈钢箔层、纳米金属箔层4与锡箔层中的一种或多种，但是并不限于上述的金属箔层4，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的金属箔层4。

本申请的另一种典型的实施方式提供了一种封装方法，该封装方法包括：在基板的第一基板表面上设置发光器件；在上述发光器件的远离上述基板的表面上设置第一粘结层；在上述第一基板表面上围绕上述第一粘结层设置上述聚硅氮烷系化合物部；在上述第一基板表面上围绕上述聚硅氮烷系化合物部设置封装胶部，上述基板、上述发光器件、上述第一粘结层、上述聚硅氮烷系化合物部与上述封装胶部形成基板单元；在盖板的表面设置第二粘结层；在上述第二粘结层的远离上述盖板的表面设置金属箔层，上述盖板、上述第二粘结层与上述金属箔层形成盖板单元；使上述金属箔层与上述第一粘结层相对，将上述基板单元与上述盖板单元压合。

通过上述的封装方法，形成了同时具有聚硅氮烷系化合物部与金属箔层的封装结构，该封装结构能够起到较好的水汽与氧气阻隔效果，避免水汽与氧气进入封装结构的内部，保证了该封装结构中发光器件具有较长的寿命。另外，上述的制备方法中的聚硅氮烷系化合物部可以先固化形成，也可以与封装胶部一起固化形成。

本申请中的第一粘结层3与第二粘结层5的材料可以是紫外固化胶，例如UV胶层，也可以是热熔胶。在保证封装结构的柔韧性的基础上，为了便于制作装结构，优选上述第一粘结层3与第二粘结层5为热熔胶层，另外，当第二粘结层5为热熔胶层时，可以很好地填充金属箔层4表面不平整的凹陷，进而能够避免由于金属箔层4表面的凹陷造成的发光器件短路或局部尖端放电等问题。

本申请另一种实施例中，优选上述热熔胶层为EVA、PA层、PES层、物PO与TPU层中的一种或多种，但并不限于上述的热熔胶，也不限于热熔胶，只要是可以实现粘结作用的热熔性胶粘剂即可，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的粘结层的材料。

为了进一步保证封装结构的柔韧性，并且方便加工，本申请优选上述基板为柔性基板，上述盖板为柔性盖板。

另外，由于金属箔层应用于封装结构还存在容易导电及表面粗糙度较大的问题，为了克服这些问题，本申请优选采用塑封设备将述盖板单元与上述基板单元压合，塑封设备是在一定的压力和高温下对进入其内部的结构进行压合处理，上述塑封设备可以是温控型或调速型中一种。塑封设备具有压平与冷却整平功能，可以让封装结构中不平整的地方变得平整，并且，第二粘结层在塑封过程中可以更好地填平金属箔层表面不平整的部分，进一步解决了金属箔层表面粗糙度较大的问题，并且，第二粘结层是不导电的聚合物材料，所以加在盖板和粘结层之间的金属箔层是不导电的；另外，采用塑封设备的封装方法工艺简单，生产效率高。

本申请的再一种实施例中，上述塑封设备包括前导辊与后胶辊，将上述基板单元与上述盖板单元压合的步骤包括：上述基板单元中的上述第一粘结层与上述盖板单元中的上述金属箔层贴合，形成第一预封装结构；采用上述前导辊对上述第一预封装结构加热加压，形成第二预封装结构；采用上述后胶辊对上述第二预封装结构冷却调平，形成封装结构。

采用前导辊对第一预封装结构进行处理，使得第一预封装结构加热处理完后放置在常温环境中不仅可以保证不被塑封物品不被破坏，并且，经过前导辊处理后的第一与封装结构中的柔性盖板和粘接层的透明度可提高到95％，形成的第二封装结构的柔韧性较好，且具备一定的耐腐蚀、耐水氧能力；采用后胶辊对第二预封装结构进行冷却调平，可以使原本弯曲形变的第二与封装结构恢复为平整的封装结构。即使第二预封装结构被卷曲，后胶辊的冷却调平工艺也能够保证其恢复平整。通过使用前导辊对第一预封装结构的处理保证了基板与盖板较好地压合形成一体，并且，通过使用后胶辊对第二预封装结构进行处理，使得形成的封装结构的各部分尤其是金属箔层较平整，避免了由于其表面较粗糙导致的器件短路或局部尖端放电形成的亮点缺陷。

本申请的又一种实施例中，将上述基板单元与上述盖板单元压合之前，上述封装方法包括：采用上述塑封设备对上述盖板单元进行塑封处理。具体的过程是：先将盖板单元送入前导辊进行加温加压，使得第二粘结层处于有粘性流体状态，使得第二粘结层与盖板和金属箔层紧密贴合，后再将其送入具有冷却调平作用的后胶辊中将第二粘结层固化，将盖板单元进行塑封处理可以进行卷曲方便运输。

本申请的再一种典型的实施方式中，提供了一种光电设备，该光电设备包括封装结构，上述封装结构为上述的封装结构。

该光电器件中具有上述的封装结构，使得光电器件不容易受水汽与氧气的影响，保证了光电器件具有较长的寿命。

为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本申请的技术方案，以下将结合QLED的封装方法与封装结构具体的实施例进行说明。

具体的封装过程均在百级洁净房中。具体的封装方法包括：

首先，形成PET盖板\第二粘接层\金属箔层的结构。

将工业用的厚度为0.06mm的PET盖板表面进行清洗，采用挤出流涎涂复法在PET盖板的一个表面上设置一层具有良好热封性能的EVA胶层，该EVA胶层为第二粘结层。准备好的金属箔层贴附在上述第二粘结层的远离盖板的表面上，形成PET盖板\第二粘接层\金属箔层的结构。利用塑封设备对上述形成的PET盖板\第二粘接层\金属箔层的结构进行塑封处理，先将其送入前导辊进行加温加压，使得EVA胶处于有粘性流体状态，使得EVA胶与PET盖板和金属箔层紧密贴合，后再将其送入具有冷却调平作用的后胶辊中将EVA胶固化，将PET盖板\第二粘接层\金属箔层这个结构进行塑封处理可以进行卷曲方便运输。

其次，在柔性基板上设置QLED、第一粘结层与全氢聚硅氮烷部。

第一，在ITO柔性基板(柔性基板)上形成QLED。

将聚对苯乙烯磺酸溶液以4500转/分的速度旋转涂布70秒，随后在120℃下烘烤8min，形成空穴注入层。柔性基板随后转移至充满氮气的手套箱，采用(聚TPD(N',N'-双(4-丁基苯基),-N',N'-双(苯基)苯胺)(在氯苯中，浓度为8mg ml-1)，PVK(聚乙烯咔唑)(在间二甲苯中，浓度为2mg m^-1)，量子点发光材料，聚乙烯丙烯酸甲酯(在丙酮中，浓度为1.8mgml^-1)和ZnO纳米晶(在乙醇中，浓度为50mg ml^-1)依次形成空穴传输层、量子点发光层、电子传输层与电子注入层。其中，空穴传输层为TPD层与PVK层，在其他层堆积之前，聚TPD层与PVK层分别在100℃下烘烤14min，150℃下烘烤25min。最后通过热蒸发系统在6×10^-7torr高真空环境下气相沉积150nm的Ag层。

第二，在QLED的远离柔性基板的表面上设置第一粘结层与全氢聚硅氮烷部。

在QLED的阴极上用喷墨打印的方式涂布EVA胶，形成第一粘结层。在柔性基板的表面上涂布全氢聚硅氮烷溶液，形成厚度是900nm，高度是30mm的全氢聚硅氮烷部，第一粘结层的厚度是15mm。

第三，将具有上述金属箔层的上述盖板与具有上述聚硅氮烷系化合物部的上述基板压合，形成封装结构。

将PET盖板\第二粘接层\金属箔层的结构与具有QLED、全氢聚硅氮烷部、第一粘结层的基板贴合在一起，使得金属箔层与第一粘结层接触。然后，采用塑封设备的前导辊进行热压、采用后胶辊整平处理，形成图2所示的封装结构。

最后，将器件放到恒温30℃，恒湿70％的环境下放置2小时。

将器件放到恒温恒湿设备中进行温度60℃，湿度60％RH的环境下进行30mA/cm²的电流密度的恒流衰减测试，恒流测试时间间隔是5秒测量一次。经过600分钟的测试时间，器件的发光光强和外量子效率随时间的变化缓慢下降，没有出现曲线变化趋势很大，证明器件没有受到外界水氧等因素影响。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)、本申请中的封装结构同时包括聚硅氮烷系化合物部与金属箔层，能够更好地起到阻隔水汽与氧气的作用。其中，聚硅氮烷系化合物部包围在发光器件的外侧，聚硅氮烷系化合物部的结构中存在大量反应性基团Si-H和N-H，可以在常温下与水和氧气反应，形成致密性二氧化硅，因而防水性能好，能够阻挡水氧从封装结构的侧面进入封装结构的内部，避免了封装结构内部的发光器件的性能受到影响，保证了发光器件具有良好的性能；同时，在封装结构中设置金属箔层，金属箔的较好的致密性使得其不容易被水汽与氧气入侵，具有优异的水/氧阻隔性能，其水汽渗透率小于1×10^-5g/m²/d、氧气渗透率小3×10^-4cc/m²/d，这样金属箔层可以从发光器件的正面阻挡水和氧气进入发光器件中，保证了发光器件具有较长的寿命；并且，金属箔层具有优异的耐热性能，且其热膨胀系数很低，具有较好的柔韧性，提高了封装结构的柔韧性，扩大了其应用的领域。

2)、本申请中的封装方法，形成了同时具有聚硅氮烷系化合物部与金属箔层的封装结构，该封装结构能够起到较好的水汽与氧气阻隔效果，避免水汽与氧气进入封装结构的内部，影响发光器件的寿命。

3)、本申请的光电器件中具有上述的封装结构，使得光电器件不容易受水汽与氧气的影响，保证了光电器件具有较长的寿命。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

基板（1）；

金属箔层（4），与所述基板（1）相对设置，且与所述基板（1）之间具有间隔；

聚硅氮烷系化合物部（7），设置在所述间隔中，且所述聚硅氮烷系化合物部（7）、所述基板（1）与所述金属箔层（4）形成密闭空间；

发光器件（2），设置在所述密闭空间中，并设置在所述基板（1）的表面上；

第一粘结层（3），设置在所述发光器件（2）的远离所述基板（1）的表面上，用于粘结所述发光器件（2）与所述金属箔层（4）；

封装胶部（8），围绕所述聚硅氮烷系化合物部（7）设置在所述间隔中；

第二粘结层（5），设置在所述金属箔层（4）的远离所述聚硅氮烷系化合物部（7）的表面上；以及

盖板（6），设置在所述第二粘结层（5）的远离所述金属箔层（4）的表面上，所述第一粘结层（3）与所述第二粘结层（5）各自独立地选自热熔胶层，

所述热熔胶层为EVA层、PES层、PO层与TPU层中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板（1）为柔性基板，所述盖板（6）为柔性盖板。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一粘结层（3）与所述第二粘结层（5）的厚度均在600~1000nm之间。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述聚硅氮烷系化合物部（7）为全氢聚硅氮烷部。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述聚硅氮烷系化合物部（7）的厚度在400~1000nm之间。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述金属箔层（4）的厚度在0.02~0.3mm之间。

7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述金属箔层（4）为铝箔层、铜箔层、不锈钢箔层与锡箔层中的一种或多种。

8.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

在基板的第一基板表面上设置发光器件；

在所述发光器件的远离所述基板的表面上设置第一粘结层；

在所述第一基板表面上围绕所述第一粘结层设置聚硅氮烷系化合物部；

在所述第一基板表面上围绕所述聚硅氮烷系化合物部设置封装胶部，所述基板、所述发光器件、所述第一粘结层、所述聚硅氮烷系化合物部与所述封装胶部形成基板单元；

在盖板的表面设置第二粘结层；

在所述第二粘结层的远离所述盖板的表面设置金属箔层，所述盖板、所述第二粘结层与所述金属箔层形成盖板单元；以及

使所述金属箔层与所述第一粘结层相对，将所述基板单元与所述盖板单元压合，所述第一粘结层与所述第二粘结层各自独立地选自热熔胶层，

所述热熔胶层为EVA层、PES层、PO层与TPU层中的一种或多种，

所述基板为柔性基板，所述盖板为柔性盖板，采用塑封设备将所述盖板单元与所述基板单元压合，

所述塑封设备包括前导辊与后胶辊，将所述基板单元与所述盖板单元压合的步骤包括：

将所述基板单元中的所述第一粘结层与所述盖板单元中的所述金属箔层贴合，形成第一预封装结构；

采用所述前导辊对所述第一预封装结构加热加压，形成第二预封装结构；采用所述后胶辊对所述第二预封装结构冷却调平，形成封装结构。

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，将所述基板单元与所述盖板单元压合之前，所述封装方法包括：

采用塑封设备对所述盖板单元进行塑封处理。

10.一种光电设备，包括封装结构，其特征在于，所述封装结构为权利要求1至7中任一项所述的封装结构。