KR100488324B1 - 집적회로 패키지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 집적회로(18)를 포함하는 집적회로 패키지(10)에 관한 것이다. 내부 집적회로는 복수의 비아(32)를 통해 패키지(10)의 제 1 외부 표면에 위치한 외부 랜드(34)에 연결된다. 비아(32)는 대향하는 제 2 외부표면의 제 1 외부표면으로부터 패키지(10)를 통해 연장된다. 패키지(10)는 제 2 외부 표면에 장착되는 커패시터(28)와 같은 복수의 디바이스를 갖는다. 일부 비아(32)는 외부 랜드(34)의 전체 그룹에 연결된다. 랜드(34)를 단일 비아로 그룹화함으로써 패키지(10)의 제 2 표면에 있는 비아(32)의 수가 감소된다. 비아(32)의 감소로 인해 커패시터(28)는 패키지(10)의 제 2 표면에 추가로 장착될 수 있다.
Description
본 발명은 집적회로 패키지에 관한 것이다.
집적회로 패키지는 전형적으로 인쇄배선기판에 장착된 패키지에 의해 밀폐된다. 패키지는 집적회로의 다양한 파워, 그라운드 및 신호 핀에 대해 전용되며 인쇄배선기판에 납땜된 복수의 외부 접점(contacts)을 갖는다. 접점은 패키지의 외부 전도성 랜드에 부착되는 솔더 볼일 수 있다. 외부 솔더 볼을 갖는 패키지는 전형적으로 볼 그리드 어레이(BGA) 패키지라 불린다.
패키지는 집적회로의 표면 패드에 와이어 본딩되는 내부 본드 핑거를 외부 랜드에 연결하는 내부 경로 층을 갖는다. 내부 경로층에는 전형적으로 그라운드 버스, 파워 버스 및 복수의 신호 라인을 위한 개별적인 층이 포함된다. 다양한 층은 기판을 통해 연장되는 비아에 의해 외부 랜드에 연결된다.
커패시터를 집적회로 패키지에 장착하는 것이 바람직하다. 커패시터는 패키지 내부에 장착될 수 있고 또는 패키지의 상위 표면에 장착될 수 있다. 내부에 커패시터를 장착하는 것은 상당한 경로 공간을 차지한다. 따라서 커패시터를 패키지의 상위 표면에 부착하는 것이 바람직하다.
집적회로에 의해 생성된 열을 쉽게 제거하기위해 많은 패키지에는 열적으로 전도성 히트 슬러그가 포함된다. 히트 슬러그는 전형적으로 패키지의 상위 표면에 부착되고 커패시터를 위해 이용될 수 있는 공간을 차지한다. 또한, 스트립과 커패시터사이에 엄격한 솔더 조인트가 확실히 되도록 커패시터는 편평해야하는 전도성 랜드 스트립에 장착된다. 편평하게 하기 위해, 비아를 갖지 않는 영역에서 랜드를 형성하는 것이 바람직하다. 종래 기술의 패키지에는 각 외부 랜드를 위한 비아가 필요하다. 따라서 비아를 제거하면 랜드가 제거될 것이며 패키지의 기능성이 감소될 수 있다. 따라서 히트 슬러그 및 비아의 이용은 커패시터를 위해 이용가능한 공간이 제한을 받는다. 열적 성능을 열화시키지 않고 패키지에서 다수의 랜드 및 최적 수의 커패시터를 포함하는 집적회로 패키지를 제공하는 것이 바람직하다.
발명의 개요
본 발명은 집적회로를 포함하는 집적회로 패키지에 관한 것이다. 집적회로 패키지는 복수의 비아에 의해 패키지의 제 1 외부 표면에 위치한 외부 랜드에 연결된다. 비아는 제 1 외부 표면으로부터 대향하는 제 2 외부 표면으로 패키지를 통해 연장된다. 패키지는 제 2 외부 표면에 장착되는 커패시터와 같은 복수의 디바이스를 갖는다. 일부 비아는 외부 랜드의 전체 그룹에 연결된다. 외부랜드를 단일 비아로 그룹화함으로써 패키지의 제 2 표면에 있는 다수의 비아의 수가 감소된다. 비아의 감소로 인해 커패시터는 패키지의 제 2 표면에 추가로 장착될 수 있다.
첨부된 도면과 이후의 상세한 설명을 검토한 후 당 기술에 숙련된 당업자에게는 본 발명의 목적 및 이점이 보다 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 집적회로 패키지의 단면도이다.
도 2는 패키지의 상위 투시도이다.
도 3은 패키지의 바닥 부분도이다.
도 4는 패키지의 한 쌍의 파워 면을 도시하는 상위 단면도이다.
도 5는 패키지내의 다수의 셀프를 도시하는 투시도이다.
부재 번호에 의한 도면에 있어서, 도 1 내지 도 5는 본 발명의 집적회로 패키지를 도시한다. 패키지(10)는 제 1 표면(14) 및 대향하는 제 2 표면(16)을 갖는 기판(12)을 포함한다. 기판이 세라믹으로 함께 소성된 프로세서로 구성될 수 있지만 기판(12)은 전형적으로 다중층 인쇄배선기판으로서 구성된다.
패키지(10)는 기판(12)의 다이 캐비티(20)내에 위치한 집적회로(18)를 포함한다. 집적회로(18)는 마이크로프로세서 또는 다른 어떤 전기적 디바이스일 수 있다. 집적회로(18)는 바람직하게 기판(12)의 제 2 표면(16)에 부착된 히트 슬러그(22)에 장착된다. 히트 슬러그(22)는 전형적으로 기판(12)에 접착 층(24) 및 외부 솔더 필릿(26)으로 부착된다.
히트 슬러그(22)는 전형적으로 비교적 높은 열 전도성 계수를 갖는 니켈로 도금된 구리 재료로 구성된다. 히트 슬러그(22)는 패키지의 주위와 집적회로(18)사이에 적은 임피던스를 갖는 열적 경로를 제공한다. 히트 슬러그(22)의 적은 열적 임피던스로 인해 집적회로(18)의 접합 온도가 내려간다. 패키지(10)를 위한 그라운드 면을 제공하기위해 히트 슬러그(22)는 전기적으로 집적회로(18)에 연결될 수 있다. 히트 슬러그(22)가 도시되어 설명되지만, 집적회로(18)가 기판(12)에 바로 장착될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
히트 슬러그(22)는 바람직하게 코너를 잘라낸 8각형이다. 모서리가 잘라진 코너로 인해 제 2 표면(16)에서 사용가능한 표면 영역의 양이 증가된다. 패키지(10)는 기판(12)의 제 2 표면(16)에 위치한 랜드 스트립(30)에 장착된 복수의 커패시터(28)를 가질 수 있다. 커패시터가 도시되어 설명되지만, 어떠한 수동 또는 능동 디바이스도 제 2 표면(16)에 장착될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
패키지(10)는 또한 제 2 표면(16)으로부터 기판의 제 1 표면(14)으로 연장되는 복수의 비아(32)를 갖는다. 비아(32)는 커패시터(28) 및 집적회로(18)를 도 3에 도시된 제 1 표면(14)에 위치한 복수의 랜드(34)에 연결한다.
랜드(34)는 전형적으로 복수의 솔더 볼(36)에 의해 (도시되지 않은) 외부 인쇄배선기판에 연결된다. 솔더 볼(36)은 볼 그리드 어레이(BGA) 패키지를 제공하기위해 초기에 랜드(34)에 부착된다. BGA 패키지가 도시되어 설명되지만, 패키지는 핀 또는 솔더 컬럼과 같은 다른 외부 접점을 가질 수 있다는 것을 이해할 것이다.
엄격한 솔더 조인트를 제공하기위해, 커패시터(28)를 위해 편평한 랜드 스트립(30)을 구성하는 것이 바람직하다. 따라서, 바람직한 실시예에서, 비아(32)는 스트립(30)내에 위치하지 않는다. 도 3에 도시된 바와같이, 대부분의 랜드(34)는 상응하는 전용 비아(32)에 연결된다. 비아를 제거하고 제 2 표면(16)에서 공간을 추가로 제공하기위해, 커패시터(28)의 랜드 스트립(30)과 인터페이스하는 분리된 전용 비아(32)를 각 랜드가 필요로 하지 않도록 한개 이상의 비아(32)는 랜드의 그룹(34g)에 연결된다. 제 2 표면(16)의 랜드 스트립(30)은 동일한 단일 비아(32)에 연결된 제 1 표면(14)의 랜드(34)위에 위치한다. 랜드 그룹(34g)은 전형적으로 패키지의 그라운드 버스 또는 파워에 연결된다. 패키지(10)에서 다수의 랜드(34)를 감소하지 않고 커패시터(28)를 장착하기위한 공간을 본 발명은 추가적으로 제공한다.
도 1 및 도 5에 도시된 바와같이, 패키지(10)는 기판(12)에 형성된 본드 셀프(42, 44, 및 46)위에 위치한 복수의 본드 핑거(40)를 갖는다. 본드 핑거(40)는 본드와이어(50)에 의해 집적회로(18)의 상응하는 표면 패드(48)에 연결된다. 본드 와이어(50)가 도시되어 설명되지만, 집적회로(18)는 테이프 자동화 접착(TAB) 테이프와 같은 다른 수단에 의해 본드 핑거(40)에 연결될 수 있다.
기판(12)은 비아(32)에 연결된 복수의 내부 경로 층(52, 54, 56, 58, 60, 62, 및 64)을 갖는다. 경로 층 및 비아는 본드 핑거(40)를 패키지(10)의 외부 랜드(34)에 연결한다. 도 5에 도시된 바와같이, 일부 본드 핑거(40)는 패키지의 내부 전도성 버스 또는 비아(32)로 연장되는 트레이스(66)를 갖는다. 일부 본드 핑거(40)는 셀프의 에지(70) 주위를 둘러싸는 전도성 스트립(68)에 의해 전도성 버스에 연결된다. 에지주위를 둘러싸는 스트립(68)은 패키지(10)를 구성하는데 필요한 비아 및 다수의 층을 감소시킨다. 또한, 에지주위를 둘러싸는 스트립(68)은 패키지의 전체 임피던스 및 전도성 버스에 대한 전도성 경로를 감소시킨다.
도 4는 한 쌍의 전도성 버스(72 및 74)를 갖는 기판(12) 층을 도시한다. 전도성 버스(72 및 74)는 전기적으로 버스를 절연시키기위해 유전 공간(76)에 의해 분리된다. 버스(72 및 74)는 전형적으로 2개의 상이한 전위차로 전용된다. 일부 비아(32)는 전도성 버스(72 및 74)에 연결되어 버스와 외부 랜드(34)의 경로를 만든다. 남아있는 비아(32)는 패키지(10)내의 다른 신호, 파워 및 그라운드 버스에 전용된다. 남아있는 비아(32)는 전도성 버스(72 및 74)로부터 비아를 분리하기위한 유전 간격을 갖는 외부 링(78)을 갖는다. 스트립 주위를 둘러쌈으로써 셀프위의 다른 위치로 버스(74)가 연결될 수 있도록 제 2 버스(74)는 전체 다이 캐비티(20) 주위로 연장되는 전도성 스트립(80)을 갖는다.
집적회로(18)는 디바이스의 입력/출력(I/O)을 위한 분리 파워 버스 및 프로세서 코어를 위한 파워를 요구하는 마이크로프로세서일 수 있다. 도 1에 대하여, 바람직한 실시예에서, 제 1 층(52)은 바람직하게 디바이스(I/O)의 VSS에 전용인 제 1 전도성 버스를 갖는다. VSS 버스는 비아(32)에 의해 외부 랜드(34) 및 본드 핑거(40)에 연결된다. 제 2 층(54)은 바람직하게 비아(32)에 의해 외부 랜드(34) 및 트레이스(66)에 의해 본드 핑거(40)에 연결된 복수의 신호 라인을 포함한다. 제 3 층(56)은 바람직하게 도 4에 도시된 바와같이 분리된 버스 패턴을 포함한다. 버스는 디바이스(I/O)의 VCC 버스 및 VSS 버스에 연결된다. VCC 버스는 주위를 둘러싸는 스트립(68)에 의해 제 1셀프(42)위의 본드 핑거(40)에 연결된다.
제 4 층(58)은 바람직하게 비아(32)의 의해 외부 랜드(34) 및 트레이스(66)에 의해 본드 핑거(40)에 연결된 복수의 신호 라인을 갖는다. 제 5 층(60)은 바람직하게 도 4에 도시된 분리 버스를 포함한다. 버스는 디바이스(I/O)의 VCC 및 VSS 버스에 연결된다. VSS 버스는 주위를 둘러싸는 스트립(68)에 의해 제 2 셀프(44)의 본드 핑거(40)에 연결된다. 제 6 층(62)은 바람직하게 제 3 셀프(46)위의 본드 핑거(66)에 연결된 전도성 버스를 포함한다. 전도성 버스는 디바이스 코어의 VCC 버스에 대하여 전용이다. 제 7 층(64)은 바람직하게 디아비스 코어의 VSS 버스에 대하여 전용인 전도성 버스를 갖는다. VSS 버스는 주위를 둘러싸는 스트립(68)에 의해 제 3 셀프(46)위의 본드 핑거(66)에 연결된다. 히트 슬러그(22)를 패키지의 그라운드 버스에 전기적으로 연결하기위해 기판(12)의 제 2 표면(16)은 금속화될 수 있다. 다이 캐비티(20)는 전형적으로 집적회로(18)를 밀폐하기위해 플라스틱 캡슐제(82)로 채워진다.
패키지(10)는 초기에 기판(12)을 제작함으로써 조립될 수 있다. 기판(12)은 개별적인 단면 또는 양면 기판위에서 신호 층 및 버스를 에칭함으로써 조립된다. 이후 전도성 스트립(68)은 셀프의 에지위에 놓여진다. 스트립(68)은 전형적으로 전해 연마 및 전해통에서 도금된다. 개별적으로 에칭된 보드는 기판(12)을 형성하기위해 함께 결합된다. 이후 본드 핑거(40)는 금으로 도금된다.
본 발명의 패키지(10)로 인해 개별적인 플레이팅 바 없이 제 2 표면(16)위에 위치한 금속층 및 비아(32)를 이용함으로써 판을 형성하는 것이 가능하다. 금속층은 전형적으로 기판(12)의 비아(32)를 단락시킨다. (도시되지 않은) 전압원은 기판(12)을 도금하기위해 본드 핑거(40) 및 금속층에 연결될 수 있다. 이후 금속층은 도금 프로세스이후 제 2 표면(16)에서 에칭된다. 플레이팅 바를 제거함으로써 패키지(10)의 임피던스 및 기판(12)의 제작 단계가 줄어든다.
기판(12)이 제작된 후, 히트 슬러그(22)는 제 2 표면(16)에 장착된다. 커패시터(28)는 또한 랜드 스트립(30)에 납땜될 수 있다. 집적회로(18)는 히트 슬러그(22)에 장착되고 본드 핑거(40)에 와이어 본딩될 수 있다. 이후 집적회로(18)를 밀폐하기위해 다이 캐비티(20)는 캡슐제(82)로 채워진다. 이후 솔더 볼(36)은 랜드(34)에 부착될 수 있다.
실시예가 첨부된 도면에서 설명되었지만, 이러한 실시예는 단순히 예를 든 것이며 본 발명을 제한하는 것이 아니며, 당 기술에 숙련된 당업자에게는 다양한 다른 수정이 있을 수 있기에 본 발명은 도시된 특정 구성 및 배열로 제한된 것이 아님을 이해할 것이다.
Claims (19)
- 제 1 표면 및 대향하는 제 2 표면을 갖는 기판으로서, 상기 기판을 통해 연장된 단 하나의 비아에만 연결되고 상기 제 1 표면에서 금속에 의해 서로 연결되며 상기 제 1 표면에 위치하는 복수의 외부 랜드를 갖고, 상기 비아에 연결되며 상기 제 2 표면에 위치한 랜드 스트립을 더 갖는, 상기 기판; 및상기 외부 랜드에 부착된 복수의 접점을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 랜드 스트립에 장착된 전기적 디바이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 에지를 갖는 본드 셀프에 위치한 본드 핑거, 제 1 전도성 버스, 및 상기 제 1 전도성 버스처럼 상기 기판내의 공통면에 위치한 제 2 전도성 버스를 갖고, 상기 제 2 전도성 버스는 상기 본드 셀프의 상기 에지 주위를 둘러싸는 전도성 스트립에 의해 상기 본드 핑거에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 각각의 본드 셀프가 복수의 본드 핑거를 갖는 3개의 본드 셀프를 갖는 것을 특징으로 집적회로 패키지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 복수의 외부 랜드에 부착된 복수의 솔더 볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 3 항에 있어서, 상기 기판은 다이 캐비티를 갖고 상기 제 2 전도성 버스는 상기 다이 캐비티 주위로 연장되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 6 항에 있어서, 상기 전기적 디바이스는 커패시터인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 7 항에 있어서, 상기 기판의 상기 제 2 표면에 장착된 히트 슬러그를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 1 표면 및 대향하는 제 2 표면을 갖는 기판으로서, 상기 기판을 통해 연장된 단 하나의 비아에만 연결되고 상기 제 1 표면에서 금속에 의해 서로 연결되며 상기 제 1 표면에 위치하는 복수의 외부 랜드를 갖고, 상기 비아에 연결되며 상기 제 2 표면에 위치한 랜드 스트립을 더 갖는, 상기 기판;상기 외부 랜드에 부착된 복수의 접점; 및상기 기판에 부착되고 상기 외부 접점에 연결된 집적회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 9 항에 있어서, 상기 랜드 스트립에 장착된 전기적 디바이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 10 항에 있어서, 상기 기판은 에지를 갖는 본드 셀프에 위치한 본드 핑거, 제 1 전도성 버스, 및 상기 제 1 전도성 버스처럼 상기 기판내의 공통면에 위치한 제 2 전도성 버스를 갖고, 상기 제 2 전도성 버스는 상기 본드 셀프의 상기 에지 주위를 둘러싸는 전도성 스트립에 의해 상기 본드 핑거에 연결되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 11 항에 있어서, 상기 기판의 상기 공통 면은 다이 캐비티를 갖고 상기 제 2 전도성 버스는 상기 다이 캐비티 주위로 연장되는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 12 항에 있어서, 상기 전기적 디바이스는 커패시터인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 13 항에 있어서, 상기 기판의 상기 제 2 표면에 장착된 히트 슬러그를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 14 항에 있어서, 상기 집적회로는 마이크로프로세서인 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
- 제 15 항에 있어서, 상기 랜드에 부착된 복수의 솔더 볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 패키지.
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