KR100482676B1 - 반사형 평면 디스플레이의 반사막과 스퍼터링 타겟재의합금재 - Google Patents

반사형 평면 디스플레이의 반사막과 스퍼터링 타겟재의합금재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반사형 평면 디스플레이의 반사막 합금재에 관한 것으로, 특히 반사형 평면 디스플레이 중 외부 입사광을 반사하는 데 사용되며, 주로 은(Ag)·금(Au)·구리(Cu)·팔라듐(Pd)·백금(Pt)·티타늄(Ti) 등의 금속 재료를 주요 구성원소로 하고, 각 원소간의 적당한 함량비율에 따라 설계되거나 또는 기타의 적당한 특정 원소를 첨가하여 합금의 결정립을 세극화시켜 높은 반사율과 우수한 내후성을 가진 반사형 평면 디스플레이 전용의 반사막 합금재와 스퍼터링 타겟(Sputtering Target)재를 제공하는 데 있다.

Description

반사형 평면 디스플레이의 반사막과 스퍼터링 타겟재의 합금재{Reflection film of reflection type flat panel display and alloy for sputtering target}
본 발명은 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟(Sputtering Target)의 합금재에 관한 것으로, 특히 높은 반사율과 반사형 평면 디스플레이 화면 현시 화질을 높일 수 있는 반사막 합금재와 스퍼터링 반사막용의 타겟 재료에 관한 것이다.
평면 디스플레이(Flat Panel Display:FPD)는 박막의 소형의 우수성으로 인해 기존의 음극선관(Cathode Ray Tube:CRT)식 디스플레이를 점차 대신하고 있으며, 현재 평면 디스플레이 종류는 대략 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display:LCD)·전계방출 디스플레이(FED) 및 유기EL 디스플레이(Organic Electroluminesence Display:OLED) …… 등이 있고, 그 중 실용 단계에 들어간 제품으로는 액정 디스플레이를 꼽을 수 있다.
현재 알려진 여러 디스플레이 중, 반사형 평면 디스플레이(특히, 반사형 액정 디스플레이)는 고전력 소모의 배광 모듈 또는 다른 발광 부속품을 사용하지 않고 있기 때문에 외부 광원을 반사하는 방식으로 화면을 제어함으로써 영상 현시와 저전력 소모의 목적을 이루고 있고 각종 휴대용 제품에 광범위하게 응용되고 있다.
상기와 같이, 반사형 평면 디스플레이 자체는 발광 모듈 없이 외부 광선을 반사하는 방식으로 화면을 제어하고 영상 디스플레이의 목적을 이루기 때문에, 반사형 디스플레이는 우수한 반사율을 가져야 고화질의 효과를 거둘 수 있고, 그 반사율을 어떻게 제고시키느냐가 현 단계의 반사형 평면 디스플레이의 연구 개발에 있어 가장 중요한 과제로 떠오르고 있다.
반사형 액정 디스플레이를 예로 현재 반사형 평면 디스플레이의 기본적인 구조를 살펴보면, 디스플레이는 한 쌍의 상하 대응 배치되는 투명 기판을 가지고 있는데, 이 두 기판 사이에는 밀봉재가 넣어지는 액정층이 형성되고, 상 기판의 아랫 면과 하 기판의 정상면에 각각 투명 전극(예를 들어, ITO 등)·피복층 및 배향막 (Polyimide)을 두고, 또 상 기판 정상면에 차례대로 편광판·위상변이판(Phase Shift Layer)을 두며, 하 기판 아랫 면에는 반사판을 두는데, 이 반사판은 표면이 미세한 요철 형태인 투명재와 그 위를 덮고 있는 반사막 및 점착층으로 구성된다. 이로 인해, 상 기판 위로부터의 입사광이 액정층을 통과하게 한 후, 반사판 위의 반사막을 경유해 입사광을 반사하고 다시 액정층을 통해 상 기판으로 되돌아 갈 때 액정층 편광 방향의 전환 제어로 밝거나 또는 어두운 현상 상태가 나타나게 되는데 , 그 중 반사판 위의 반사막은 입사광을 반사하는 강도와 관계를 가지고 있기 때문에 높은 반사율을 가진 재료를 반사막으로 선택할 경우 반사형 평면 디스플레이의 영상 현시 효과를 효과적으로 향상시킬 수 있다
상기의 반사판 위에 형성되어 입사광을 반사하는데 사용되는 현상을 돕는 반사막 재료로는 대개 알루미늄·알루미늄 합금·은 및 은 합금 등의 종류가 알려져 있다. 그 중 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 원가가 낮은 반면 특정한 가시광 파장구역에서만 80%이상의 반사율을 가지는데, 도 2와 같이 기타의 가시광 구역에서는 80% 미만의 반사율을 가진다. 은은 높은 반사율을 가지고, 도 3과 같이 가시광 파장구역(파장 400nm∼800nm)에서 모두 80% 이상의 높은 반사율에 도달할 수 있지만, 은은 내후성이 낮기 때문에 일반 환경에서 황화물 또는 산화물을 형성하기 쉬우며, 그 반응 생성물이 푸른 빛을 흡수할 수 있어 푸른 광 파장구에서 반사율이 떨어질 수 있다. 은에 합금 원소를 첨가하면 내후성은 올라가지만 반사율 하락을 초래할 수 있으며, 도 4와 같이 반사형 평면 디스플레이 화면의 현시 화질이 떨어지게 된다.이를 위해, 본 발명은 기존 반사형 평면 디스플레이에 응용되는 알루미늄 또는 은 반사막 재료와는 다르면서 높은 반사율(90%이상)과 우수한 내후성 등의 기능을 가진 반사막과 스퍼터링 타겟을 겸비한 합금재료를 제공함으로써 업체가 반사판 위에 반사막을 도포할 때 선택할 수 있는 또 다른 재료와 스퍼터링 타겟 재료를 사용할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 이루기 이해, 본 발명은 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막 합금재로는 은(Ag)·금(Au)·구리(Cu)·팔라듐(Pd)·백금(Pt)·티타늄(Ti) 등의 금속원소를 그 주 구성원소로 하며, 각 원소간의 적당한 함량비율에 따라 설계되거나 또는 다른 적당한 특정원소를 첨가해 합금의 결정립을 더욱 세밀화하여 반사형 평면 디스플레이 전용의 높은 반사율과 우수한 내후성의 반사막 합금재와 스퍼터링 타겟재를 제공한다.
본 발명에 대한 구체적인 설계와 기타 목적에 대한 이해를 돕기 위해 아래와 같이 도면을 첨부해 상세한 설명을 하고자 한다.
본 발명은 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막 합금재의 구체적인 실시 설계로서, 은(Ag)에 금(Au)·구리(Cu)·팔라듐(Pd)·백금(Pt)·티타늄(Ti) 중의 한 원소 또는 다수의 원소를 결합함으로써, 각 원소간의 적당한 함량비로 설계하며 높은 반사율과 우수한 내후성 등의 기능을 가진 반사막 합금재 및 스퍼터링 타겟재를 구성한다.
상기 원소의 구성 설계에 따라, 본 발명은 다음과 같은 종류의 합금재 실시예를 설계할 수 있다.
실시예 1은 은(Ag)·금(Au)·동(Cu)·팔라듐(Pd)·백금(Pt)·티타늄(Ti) 여섯 원소의 구성으로, AgxAuyCuzPdwPtvTiu 로 그 함량비를 정의하며, 0.1<y<1.0 원자 백분율(at%)·0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<w<4.0 원자 백분율 (at%)·0.1<v<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<u<8.5 원자 백분율(at%)이며, 나머지는 x의 원자 백분율이다.
도 1은 실시예 1의 합금재를 측정한 파장(Wavelength)과 반사율(R)·침투율(T)·흡수율(A)의 관계도로, 그림을 통해, 이 합금재(R2 곡선)가 가시광 파장구역(파장 400nm∼800nm)에서 모두 90%의 높은 반사율을 가지는 것을 알 수 있다. 도 1에서, 본 발명은 또 은(Ag)-2.0백금(Pt)·1.0팔라듐(Pd)·2.7구리(Cu) 네 원소로 구성된 합금(즉, R1 곡선) 및 은(Ag)-1.0백금(Pt)·2.0팔라듐(Pd)·1.5구리(Cu) 등 네 원소로 구성된 합금(즉, R3 곡선)의 파장과 RTA의 관계 곡선을 볼 수 있는데, 이 두 합금재(R1과 R3곡선)의 반사율(R)은 상기의 실시예 1의 합금재(R2 곡선)의 반사율(R)에는 못 미치지만, 그 반사율(R) 또한 거의 80%이상이며, 이 두 합금재는 합금 두께와 원소 비율을 변화하거나 다른 부가원소를 첨가하는 방식을 통해 그 반사율(R)을 더욱 높일 수 있다.
실시예 2는 은(Ag)·구리(Cu)·백금(Pt) 세 원소의 구성으로, 그 함량 관계는 AgxCuzPtv로 정의되며, 그 중 0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<v<4.0 원자 백분율(at%)이며, 그 나머지는 x의 원자 백분율이다.
실시예 3은 은(Ag)·구리(Cu)·팔라듐(Pd) 세 원소의 구성으로, 그 함량 관계는 AgxCuzPdw로 정의되며, 그 중 0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<w<4.0 원자 백분율(at%)이며, 그 나머지는 x의 원자 백분율이다.
실시예 4는 은(Ag)·금(Au)·구리(Cu) 세 원소의 구성으로, 그 함량 관계는 AgxAuyCuz로 정의되며, 그 중 0.1<y<1.0 원자 백분율(at%)·0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)이며, 그 나머지는 x의 원자 백분율이다.
실시예 5는 은(Ag)·티타늄(Ti) 등 두 원소의 구성으로, 그 함량 관계는 AgxTiu로 정의되며, 그 중 0.1<u<8.5 원자 백분율(at%)이며, 그 나머지는 x의 원자 백분율이다.
본 발명의 합금재가 선택 사용하는 은·금·구리·팔라듐·백금·티타늄 등의 원소는 합금으로 구성된 후 표면이 치밀화되며 거울 효과(Mirror effect)가 우수하며, 높은 반사율을 가진 반사막 합금재 또는 스퍼터링 반사막용의 스퍼터링 타겟재로 구성될 수 있으며, 상술한 바와 같이 은에 첨가하는 금속원소를 통해 높은 반사율을 가짐은 물론 은의 내후성을 더욱 증진시키고 합금재의 화학적 안정성을 높일 수 있다.
이 합금재는 기판 표면이 반사막으로 도포되며, 그 도포막 두께는 약 1500Å이며, 실제 측정을 통해, 가시광 파장단(380nm∼800nm)에서 반사율이 90%이상이며, 특히 푸르고 붉은 광 파단에서 그러하다.
본 발명은 상기 원소의 조합을 통해 반사율이 매우 우수하고, 높은 부착성을 가지며 화학적 안정성이 우수한 반사막 합금재를 확실히 제공할 수 있다. 상기의 은·금·구리·팔라듐·백금·티타늄 등의 금속원소로 구성된 합금재를 자유롭게 선택 구성할 수 있다. 또, 니켈(Ni)·붕소(B)·규소(Si) 등 원소 중에 한 원소 또는 다수의 원수를 첨가하며 합금재의 부가원소로 사용할 수 있는 데, 그 중 니켈(Ni)의 첨가량은 0.2at% 미만, 붕소(B)의 첨가량은 0.5at% 미만, 규소(Si)의 첨가량은 2.0at% 미만으로, 합금재의 결정립 세극화 효과를 더욱 높일 수 있다.
상기 설명을 통해 본 발명의 우수성을 다음과 같이 귀납할 수 있다.
본 발명은 반사형 평면 디스플레이의 반사 전극 합금재료로 은(Ag)에 금(Au)·구리(Cu)·팔라듐(Pd)·백금(Pt)·티타늄(Ti)의 원소군 중 한 원소 또는 다수의 원소를 주 구성 원소로 조합함으로써, 매우 높은 반사율과 부착성을 가지고 있으며, 이를 통해 반사형 평면 디스플레이에 응용되어 입사되는 외부 광원을 효과적으로 반사하여 고화질의 영상 현시 효과를 거둘 수 있다.
또 다른 한편으로, 이 합금 중에 구리를 구성 원소로 선택 사용하였을 경우, 투명기판 표면 위에서의 합금의 부착성을 높일 수 있으며, 또 니켈(Ni)·붕소(B) 또는 규소(Si) 등의 원소를 첨가하여 이 원소를 이용해 합금 결정립 세극화 효과를 더욱 높일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 그 혁신적인 합금재료 설계를 통해 반사형 평면 디스플레이 전용의 반사막과 스퍼터링 타켓재용의 합금재를 제공할 수 있으며, 이 합금재의 구성은 기존 반사막의 알루미늄 또는 은 재질과는 다를 뿐만 아니라, 합금재의 결정립 세극화와 거울 효과가 우수하며 또 매우 우수한 반사율을 구비하고 있어 현재 반사형 평면 디스플레이의 반사막 및 스퍼터링 타겟재의 재료 설계 분야에서 혁신적이고 산업 이용성이 높은 실용 설계이다.
도 1은 본 발명의 반사막 합금재 R(반사율)·T(침투율)·A(흡수율) 및 파장 관계도.
도 2는 기존의 각기 다른 두께의 알루미늄 합금재의 반사율과 파장관계도.
도 3은 기존의 순은 반사막 재료의 각기 다른 두께의 반사율과 파장관계도.
도 4는 기존의 은합금 반사막 재료 반사율과 파장관계도.

Claims (10)

  1. 은(Ag)에 금(Au), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 원소 또는 둘 이상의 원소를 주요 구성원소로 결합하여 높은 반사율을 구비한 합금재와 스퍼터링 타겟재를 구성하는 것을 특징으로 하는 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  2. 제 1 항에 있어서, 합금재가 은(Ag)·금(Au)·구리(Cu)·팔라듐(Pd)·백금(Pt)·티타늄(Ti)의 여섯 종의 원소의 구성으로, AgxAuyCuzPdwPt vTiu로 그 함량비를 정의하며, 0.1<y<1.0 원자 백분율(at%)·0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<w<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<v<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<u<8.5 원자 백분율(at%)이며, 나머지는 x의 원자 백분율인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  3. 제 1 항에 있어서, 합금재가 은(Ag)·구리(Cu)·백금(Pt) 세 종의 원소의 구성으로, AgxCuzPtv로 그 함량비를 정의하며, 0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<v<4.0 원자 백분율(at%)이며, 나머지는 x의 원자 백분율인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  4. 제 1 항에 있어서, 합금재가 은(Ag)·구리(Cu)·팔라듐(Pd) 세 종의 원소의 구성으로, AgxCuzPdw로 그 함량비를 정의하며, 0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)·0.1<w<4.0 원자 백분율(at%)이며, 나머지는 x의 원자 백분율인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  5. 제 1 항에 있어서, 합금재가 은(Ag)·금(Au)·구리(Cu) 세 종의 원소의 구성으로, AgxAuyCuz로 그 함량비를 정의하며, 0.1<y<1.0 원자 백분율(at%)·0.1<z<4.0 원자 백분율(at%)이며, 나머지는 x의 원자 백분율인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  6. 제 1 항에 있어서, 합금재가 은(Ag)·티타늄(Ti) 두 종의 원소의 구성으로, AgxTiu로 그 함량비를 정의하며, 0.1<u<8.5 원자 백분율(at%)이며, 나머지는 x의 원자 백분율인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  7. 제 1 항 내지 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 합금재가 니켈(Ni), 붕소(B) 및 규소(Si)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 원소 또는 다수의 원소를 합금재의 부가원소로서 자유롭게 선택 첨가하는 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  8. 제 7 항에 있어서, 니켈(Ni)의 첨가량이 0.2 원소 백분율(at%) 미만인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  9. 제 7 항에 있어서, 붕소(B)의 첨가량이 0.5 원소 백분율(at%) 미만인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
  10. 제 7 항에 있어서, 규소(Si)의 첨가량이 0.2 원소 백분율(at%) 미만인 것을 특징으로 하는 상기 반사형 평면 디스플레이에 사용되는 반사막과 스퍼터링 타겟재용의 합금재.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH085806A (ja) * 1994-06-17 1996-01-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 反射体およびそれを用いた液晶表示用バックライトランプリフレクター
JPH1144887A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Toppan Printing Co Ltd 表示装置用反射電極基板
JP2001316807A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Furuya Kinzoku:Kk スパッタリングターゲット及びその製造方法、反射型ｌｃｄ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法
JP2002129314A (ja) * 2000-10-31 2002-05-09 Furuya Kinzoku:Kk スパッタリングターゲット及びその製造方法、反射型ｌｃｄ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法
JP2002129259A (ja) * 2000-10-31 2002-05-09 Furuya Kinzoku:Kk 高耐熱性反射膜、これを用いた積層体、液晶表示素子用反射板及び建材ガラス
KR20020045484A (ko) * 2000-12-07 2002-06-19 후루야 다카히토 내열 반사층, 반사층이 형성된 적층체 및 이 반사층 또는적층체를 구비한 액정 디스플레이 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH085806A (ja) * 1994-06-17 1996-01-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 反射体およびそれを用いた液晶表示用バックライトランプリフレクター
JPH1144887A (ja) * 1997-07-28 1999-02-16 Toppan Printing Co Ltd 表示装置用反射電極基板
JP2001316807A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Furuya Kinzoku:Kk スパッタリングターゲット及びその製造方法、反射型ｌｃｄ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法
JP2002129314A (ja) * 2000-10-31 2002-05-09 Furuya Kinzoku:Kk スパッタリングターゲット及びその製造方法、反射型ｌｃｄ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法
JP2002129259A (ja) * 2000-10-31 2002-05-09 Furuya Kinzoku:Kk 高耐熱性反射膜、これを用いた積層体、液晶表示素子用反射板及び建材ガラス
KR20020045484A (ko) * 2000-12-07 2002-06-19 후루야 다카히토 내열 반사층, 반사층이 형성된 적층체 및 이 반사층 또는적층체를 구비한 액정 디스플레이 장치

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