KR100479942B1 - 웨이퍼 가열장치 - Google Patents

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KR100479942B1 KR10-2002-0036623A KR20020036623A KR100479942B1 KR 100479942 B1 KR100479942 B1 KR 100479942B1 KR 20020036623 A KR20020036623 A KR 20020036623A KR 100479942 B1 KR100479942 B1 KR 100479942B1
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    • E04H6/02—Small garages, e.g. for one or two cars
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Abstract

본 발명은, 웨이퍼 가열장치에 관한 것으로서, 가열부와; 상기 가열부의 상부에 마련되어 상기 가열부로부터 전달받은 열을 소정의 매체에 전달하는 히트 플레이트(Heat Plate)와; 상기 가열부 하부에 마련되어 상기 가열부와 상기 히트 플레이트를 지지하는 리플렉트 플레이트(Reflect plate)와; 외관을 형성하며 내부에 상기 가열부와 상기 히트 플레이트 및 리플렉트 플레이트를 수용하도록 수용공간을 가지며, 내부의 열을 외부로 배기시킬 수 있도록 복수의 장공을 가지며 상기 히트 플레이트와 소정의 이격 공간을 두고 상부에 배치되는 배기부와, 상부면 중앙영역에 마련되어 상기 배기부로부터 흡입한 열을 외부로 배기하는 배기구와, 상기 배기구와 상기 배기부 사이에 개재되며 상기 배기부의 장공과 이축적으로 배치되는 복수개의 장공을 갖는 배기댐퍼를 갖는 장치본체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 내부 온도분포를 균일하게 유지할 수 있도록 한 웨이퍼 가열장치가 제공된다.

Description

웨이퍼 가열장치{Apparatus for heating wafer}
본 발명은, 웨이퍼 가열장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 내부 온도분포를 균일하게 유지할 수 있도록 한 웨이퍼 가열장치에 관한 것이다.
반도체 장치가 고집적화되면서 기판의 단위면적에 형성되는 소자들의 밀도는 높아진다. 이에 따라, 소자들간의 간격이 좁아지고, 소자들을 구성하는 라인패턴의 폭도 좁아지며 라인 연결을 위해 형성되는 콘택홀(또는 비어홀)의 사이즈도 작아진다. 이와 같이 미세한 패턴은 디자인 룰(design rule)을 더욱 엄격히 적용함으로써 형성할 수 있겠으나, 그에 따른 공정의 복잡성을 피할 수 없다.
반도체 장치의 제조공정의 대부분은 물질막의 형성과 이를 패터닝하는 과정으로 볼 수 있다. 이 과정에서, 물질막을 미세하게 패터닝하는 기술의 성공여부는 감광막의 도포기술과 감광막을 패터닝하여 마스크 패턴을 형성하는 기술에 달려 있다.
현재, 널리 사용되는 감광막으로서 포토레지스트막이 있다. 포토레지스트막을 이용하여 미세한 패턴을 형성하는 과정에서 고려해야 할 사항은 포토레지스트막 자체의 열특성과 포토레지스트막의 플로우 특성, 면내 균일도 및 재현성이다. 포토레지스트막의 플로우 특성이 좋을 경우 정확한 사이즈의 콘택홀 형성이 가능해질 것이고, 재현성이 좋을 경우 동일한 사이즈의 콘택홀을 다른 웨이퍼도 재현시킬 수 있어서, 웨이퍼의 수율이 증가될 것이다.
그러나, 포토레지스트막의 플로우 특성과 재현성은 포토레지스트막이 도포되어 있는 웨이퍼를 가열시키는 주체, 소위, 핫 플레이트(Hot Plate)라고도 불리는 웨이퍼 가열장치에 의해 결정된다. 따라서, 이러한 웨이퍼 가열장치의 온도분포가 균일하고 재현성이 있어 웨이퍼가 고르고 균일하게 가열된다면, 포토레지스트막의 플로우 특성이 우수해지고, 패턴의 재현성이 우수해질 것이다.
종래의 웨이퍼 가열장치에 의해 웨이퍼가 가열되는 방식 중 접속식 방식에 의하면, 가열장치와 기판이 오픈 됨에 따라 주변 환경에 따라 기판의 온도분포가 영향을 받는 단점이 있다. 이처럼 온도에 대한 에러를 최소화하기 위하여 챔버식의 배기부분을 갖는 웨이퍼 가열장치가 출시되어 있다.
그런데, 이러한 종래의 웨이퍼 가열장치에 있어서는, 상부케이스부의 중앙영역에 마련된 배기구를 통해 내부의 열이 외부로 배기된다. 따라서, 배기구와 인접한 장치본체 내의 중앙영역에서는 많은 양의 열이 외부로 배기될 수 있으나, 중앙영역에서 외곽으로 갈수록 적은 양의 열이 배기되기 때문에 중앙영역의 온도가 외곽영역에 비해 상승하는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 내부의 열을 외부로 배기하더라도 내부 온도분포를 균일하게 유지할 수 있도록 한 웨이퍼 가열장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 웨이퍼 가열장치에 있어서, 가열부와; 상기 가열부의 상부에 마련되어 상기 가열부로부터 전달받은 열을 소정의 매체에 전달하는 히트 플레이트(Heat Plate)와; 상기 가열부 하부에 마련되어 상기 가열부와 상기 히트 플레이트를 지지하는 리플렉트 플레이트(Reflect plate)와; 외관을 형성하며 내부에 상기 가열부와 상기 히트 플레이트 및 리플렉트 플레이트를 수용하도록 수용공간을 가지며, 내부의 열을 외부로 배기시킬 수 있도록 복수의 장공을 가지며 상기 히트 플레이트와 소정의 이격 공간을 두고 상부에 배치되는 배기부와, 상부면 중앙영역에 마련되어 상기 배기부로부터 흡입한 열을 외부로 배기하는 배기구와, 상기 배기구와 상기 배기부 사이에 개재되며 상기 배기부의 장공과 이축적으로 배치되는 복수개의 장공을 갖는 배기댐퍼를 갖는 장치본체를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 장치본체는 상기 가열부, 상기 히트 플레이트 및 상기 리플렉트 플레이트를 수용지지하는 하부케이스부와; 상기 하부케이스부와 일체로 결합되어 내부의 열이 임의적으로 외부로 누출되는 것을 차단하는 상부케이스부로 마련되며, 상기 배기구, 상기 배기부 및 상기 배기댐퍼는 상기 상부케이스부에 마련될 수 있다.
그리고, 상기 배기댐퍼는 상기 상부케이스부에 스크루 결합될 수 있으며, 상기 배기댐퍼는 복수개 마련되는 것이 배기효율을 높을 수 있어 바람직하다.
또한, 배기댐퍼는 열 변형이 적은 STS 재질로 마련되는 것을 효과적이다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 가열장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 부분 분해 사시도이며, 도 3은 도 1의 개략적인 부분 단면도이다. 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 가열장치는 가열부(30)와, 가열부(30)의 상부에 마련되어 가열부(30)로부터 전달받은 열을 전달하는 히트 플레이트(40, Heat Plate)와, 가열부(30)의 하부에 마련되어 가열부(30)와 히트 플레이트(40)를 지지하는 리플렉트 플레이트(50, Reflect Plate)와, 가열부(30)와 히트 플레이트(40) 및 리플렉트 플레이트(50)를 내부에 수용하도록 수용공간을 가지며 일측부에 내부의 열을 외부로 배기할 수 있도록 중앙에 배기구(16)를 갖는 장치본체(10)를 포함한다.
통상적으로 웨이퍼 가열장치에 마련되는 가열부(30)는 소정의 콘트롤러(미도시)에 의해 온도조절 가능하도록 마련된다. 본 발명에서는 3KW를 발열할 수 있는 전기히터(Heater)로 채용된다. 가열부(30)는 일반적으로 상부에 마련되는 후술할 히트 플레이트(40)와 같은 크기의 원판 형상으로 마련되어 상부에 마련된 히트 플레이트(40)를 균일하게 복사열을 이용하여 가열한다.
히트 플레이트(40)는 얇은 원판상으로 열 변형 없도록 어닐링(Annealing) 처리된 알루미늄 재질(A6061-T6 등)로 마련될 수 있다. 히트 플레이트(40)의 상부에는 가열대상의 웨이퍼(20)가 위치되며, 이에 따라, 히트 플레이트(40)는 가열부(30)에 의해 가열되어 전달받을 복사열을 이용하여 상부에 위치된 웨이퍼(20)를 가열한다.
리플렉트 플레이트(50)는 가열부(30) 및 히트 플레이트(40)와 거의 동일한 크기의 원판상으로 마련되어 가열부(30)와 히트 플레이트(40)를 고정하며, 가열부(30)로부터 발생된 열이 하방으로 향하는 이른 바, 다운 히팅(Down Heating)되는 것을 방지한다.
장치본체(10)는, 웨이퍼(20), 가열부(30), 히트 플레이트(40) 및 리플렉트 플레이트(50)의 배열방향에 대해 하부에 배치되는 하부케이스부(10a)와, 하부케이스부(10a)의 상부에 배치되어 하부케이스부(10a)에 결합 및 결합해제되는 상부케이스부(10b)를 갖는다.
하부케이스부(10a)는 가운데가 빈 사각통 형상으로 내부에 리플렉트 플레이트(50), 가열부(30) 및 히트 플레이트(40)를 수용하며, 후술할 상부케이스부(10b)와 결합되어 내부의 열이 임의적으로 외부로 누출되는 것을 차단한다.
하부케이스부(10a)의 상부에는 상부케이스부(10b)를 향해 연장된 복수의 후크부(12)가 형성되어 있다. 이에 대응하여 하부케이스부(10a)를 향한 상부케이스부(10b)의 판면에는 상부케이스부(10b)에 마련된 복수의 후크부(12)에 걸림 및 걸림해제되는 걸림턱(미도시)이 형성되어 있다. 그리고, 하부케이스의 밑면에는 푸트부(14)가 형성되어 있다.
상부케이스부(10b)는 원기둥 형상으로 웨이퍼(20)보다 다소 크게 마련된다. 이러한 상부케이스부(10b) 중앙영역에는 내부로부터 흡입한 열을 외부로 배기하는 배기구(16)가 마련되어 있다. 따라서, 배기구(16)와 인접한 영역에서는 상대적으로 많은 양의 열이 외부로 배기될 수 있다. 그러나 종래기술처럼 배기구(16)만이 존재할 경우, 장치본체(10) 내의 중앙영역에서 외곽으로 갈수록 상대적으로 적은 양의 열이 배기되기 때문에 웨이퍼(20)의 중앙영역의 온도가 외곽영역에 비해 상승하는 단점을 보일 수 있다. 이에, 본 발명에서는 복수의 장공이 형성된 배기부(17)를 더 마련하고 있는 것이다. 도 4 및 도 5에 도시된 것처럼 배기부(17)는 배기구(16)를 중심으로 그 외측으로 위치하고 있다.
한편, 상부케이스부(10b) 저부면에는 배기구(16)와 배기부(17) 사이에 개재되어 배기부(17)를 통한 열을 댐핑하는 적어도 두개 이상의 장공을 갖는 배기댐퍼(18, Exhaust Damper)가 마련되어 있다.
배기댐퍼(18)는 배기부(17)와 같이 열 변형이 작은 STS(STainless Steel) 재질로 마련된다. 이러한 배기댐퍼(18)는 배기부(17)에 마련된 장공과 이축적으로 배치되어 배기구(16)를 통해 배기되는 열을 댐핑시키는 역할을 한다.즉, 배기구(16)를 통해 상대적으로 많은 양의 열이 외부로 쉽게 배출되지 못하도록 함으로써 장치본체(10) 내의 중앙영역과 외곽영역 간의 온도를 균형있게 유지할 수 있도록 한다. 따라서 웨이퍼(20)의 중앙영역의 온도가 외곽영역에 비해 상승하는 단점을 해소할 수 있게 되는 것이다.
여기서, 배기댐퍼(18)는 상부케이스부(10b)와 다양한 결합 방법에 의해 결합될 수 있으나, 본 발명의 상세한 설명에서는 스크루 결합되는 것으로 상술한다.
이러한 구성에 따른 웨이퍼 가열장치에서는, 상부케이스부(10b)에 마련된 배기댐퍼(18)가 배기구(16)를 통해 배기되는 열기를 구속하기 때문에 중앙영역과 외곽영역간의 온도 불균형이 발생하는 것을 저지할 수 있다. 따라서 종래의 웨이퍼 가열장치와는 달리 중앙영역이 외곽영역에 비해 상대적으로 온도가 높아지는 것을 방지함으로써 내부 공간의 전역에 걸쳐 균일한 온도분포가 나타날 수 있게 되는 효과가 있다.
전술한 실시예에서는 배기댐퍼(18)가 단일개 마련되는 것으로 상술하였으나, 이는 실시예에 불과하며 배기댐퍼(18)를 복수개 마련하여서도 본 발명이 이루고자하는 목적을 달성할 수 있음은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 내부 온도분포를 균일하게 유지할 수 있도록 한 웨이퍼 가열장치가 제공된다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 가열장치의 사시도,
도 2는 도 1의 부분 분해 사시도,
도 3은 도 1의 개략적인 부분 단면도,
도 4는 도 3에 도시된 상부케이스부의 부분 확대 단면도,
도 5는 도 3에 도시된 상부케이스부의 개략적인 평면 투영도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 장치본체 10a : 하부케이스부
10b : 상부케이스부 12 : 후크부
14 : 푸트부 16 : 배기구
17 : 배기부 18 : 배기댐퍼
20 : 웨이퍼 30 : 가열부
40 : 히트 플레이트 50 : 리플렉트 플레이트

Claims (5)

  1. 웨이퍼 가열장치에 있어서,
    가열부와;
    상기 가열부의 상부에 마련되어 상기 가열부로부터 전달받은 열을 소정의 매체에 전달하는 히트 플레이트(Heat Plate)와;
    상기 가열부 하부에 마련되어 상기 가열부와 상기 히트 플레이트를 지지하는 리플렉트 플레이트(Reflect plate)와;
    외관을 형성하며 내부에 상기 가열부와 상기 히트 플레이트 및 리플렉트 플레이트를 수용하도록 수용공간을 가지며, 내부의 열을 외부로 배기시킬 수 있도록 복수의 장공을 가지며 상기 히트 플레이트와 소정의 이격 공간을 두고 상부에 배치되는 배기부와, 상부면 중앙영역에 마련되어 상기 배기부로부터 흡입한 열을 외부로 배기하는 배기구와, 상기 배기구와 상기 배기부 사이에 개재되며 상기 배기부의 장공과 이축적으로 배치되는 복수개의 장공을 갖는 배기댐퍼를 갖는 장치본체를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 장치본체는,
    상기 가열부, 상기 히트 플레이트 및 상기 리플렉트 플레이트를 수용지지하는 하부케이스부와;
    상기 하부케이스부와 일체로 결합되어 내부의 열이 임의적으로 외부로 누출되는 것을 차단하는 상부케이스부로 마련되며;
    상기 배기구, 상기 배기부 및 상기 배기댐퍼는 상기 상부케이스부에 마련되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 배기댐퍼는 상기 상부케이스부에 스크루 결합되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 배기댐퍼는 복수개 마련되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 배기댐퍼는 열 변형이 적은 STS 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가열장치.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201843A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Tokyo Electron Ltd Ｓｏｇ膜の形成方法
JPH11168045A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置およびウェハの処理方法
KR20010035815A (ko) * 1999-10-04 2001-05-07 김영환 반도체 제조 장비의 베이크 장치
KR20010060127A (ko) * 1999-12-31 2001-07-06 박종섭 반도체 제조용 베이크 장치
KR200243530Y1 (ko) * 1999-06-30 2001-09-29 이영원 반도체 웨이퍼의 베이크장치
JP2001274051A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201843A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Tokyo Electron Ltd Ｓｏｇ膜の形成方法
JPH11168045A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置およびウェハの処理方法
KR200243530Y1 (ko) * 1999-06-30 2001-09-29 이영원 반도체 웨이퍼의 베이크장치
KR20010035815A (ko) * 1999-10-04 2001-05-07 김영환 반도체 제조 장비의 베이크 장치
KR20010060127A (ko) * 1999-12-31 2001-07-06 박종섭 반도체 제조용 베이크 장치
JP2001274051A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

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