KR100479856B1 - 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지조성물 - Google Patents

캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100479856B1
KR100479856B1 KR10-2001-0087478A KR20010087478A KR100479856B1 KR 100479856 B1 KR100479856 B1 KR 100479856B1 KR 20010087478 A KR20010087478 A KR 20010087478A KR 100479856 B1 KR100479856 B1 KR 100479856B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epoxy resin
formula
weight
resin composition
group
Prior art date
Application number
KR10-2001-0087478A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030057105A (ko
Inventor
김진모
장두원
심정섭
김종성
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR10-2001-0087478A priority Critical patent/KR100479856B1/ko
Publication of KR20030057105A publication Critical patent/KR20030057105A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100479856B1 publication Critical patent/KR100479856B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
    • C08G59/3218—Carbocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/686—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C08K5/1535—Five-membered rings
    • C08K5/1539—Cyclic anhydrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/02—Flame or fire retardant/resistant
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group

Abstract

본 발명은 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (a) 나프탈렌계 에폭시 수지, b) 비스페놀계 에폭시 수지, (c) 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물, (d) 메틸테트라하이드로프탈산 무수물, (e) 이미다졸계 촉매 및 (f) 무기충전제를 포함하는 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이며, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지에 적용하면 우수한 공정성, 내습성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.

Description

캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지 조성물{Liquid epoxy resin composition for use in cavity-down type ball grid array package}
본 발명은 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지로서 나프탈렌계 및 비스페놀계 에폭시 수지를 병용하고 경화제로서 알킬기를 함유하는 테트라하이드로프탈산 무수물을 사용하며 경화촉진제로서 이미다졸계 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
전자 및 전기 기기의 소형화, 경량화 그리고 고기능화에 따라 반도체의 실장방법도 핀 삽입형에서 표면 실장형이 주류가 되고 있다. 또한 단위 면적당 처리용량이 커짐에 따라 열방출 효과가 우수한 신규 패키지에 대한 요구가 날로 증가하고 있는 실정이다.
일반적으로 반도체 소자용 액상 봉지재는 반도체칩, 전도성 와이어, 리드프레임 또는 인쇄회로기판 등을 외부의 환경으로 부터 보호하기 위해 사용되는 재료로서, 에폭시몰딩컴파운드와 함께 사용되고 있다. 에폭시몰딩컴파운드를 이용한 봉지공정은 일정한 금형에서 트랜스퍼몰딩 방식으로 밀봉함으로써 초기 투자비용이 많이 소요되고, 몰딩시 와이어의 손상과 금형오염에 따른 패키지의 오염발생 등의 단점이 있다. 이러한 단점을 해결하기 위하여 최근에는 액상 봉지재를 주입하는 방식의 밀봉방법이 볼그리드어레이 패키지 및 핀그리드어레이 패키지 등의 생산에 적용되고 있다(참조: 대한민국 특허공개 제 1999-0043137호).
특히 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지는 열방출 특성이 우수한 패키지로 현재 수요가 증가되고 있는 실정이며, 봉지재로 작업성이 우수한 액상 에폭시 수지 조성물을 사용하고 있다. 종래의 액상 에폭시 수지 조성물로서는, 액상 에폭시 수지에 페놀계 경화제 및 경화촉진제, 신뢰성 향상을 위한 실리카 등의 무기충전제, 및 점도조절을 위한 용매를 첨가하여 제조된 조성물이 주류를 이루고 있다. 그러나, 이와 같이 점도조절을 위하여 액상 봉지재에 용매를 첨가할 경우, 경화후 봉지재의 강도가 떨어질 뿐만 아니라, 반도체 조립시 용매 휘발을 위한 공정이 필요하여 생산성의 저하가 문제로 나타나 이에 대한 개선이 요구되었다.
이러한 요구에 부응하여, 최근 저점도 에폭시 수지와 산무수물을 사용하여 무용제 액상 봉지재 개발이 활발히 이루어지고 있는 실정이나(참조: 일본국 특허공개 제 2000-273149호, 미국특허 제 6,117,953호, 일본국 특허공개 평 11-269250 호 등), 산무수물의 적용시 발생되는 수분흡수율의 증가와 저분자량의 에폭시 수지를 사용함으로써 발생되는 내열성 저하 및 이로 인한 열충격 신뢰도 불량이 발생되어, 이에 대한 개선이 요구되고 있는 실정이다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 용매를 사용하지 않음으로써 기존 액상 봉지재 제조시 점도조절을 목적으로 사용되는 용매로 인한 문제점을 개선하는 동시에 흡습성을 낮추어 공정성 및 신뢰성이 향상된 에폭시계 액상 봉지재를 제공함을 목적으로 한다.
즉, 본 발명은 다음의 성분들을 포함하는 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지 조성물을 제공한다:
(a) 하기 화학식 1로 표현되는 나프탈렌계 에폭시 수지;
(b) 하기 화학식 2로 표현되는 비스페놀계 에폭시 수지;
(c) 하기 화학식 3으로 표현되는 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물;
(d) 하기 화학식 4로 표현되는 메틸테트라하이드로프탈산 무수물;
(e) 하기 화학식 5로 표현되는 이미다졸계 촉매; 및
(f) 무기충전제:
[화학식 1]
[화학식 2]
(상기 화학식에서, R은 수소원자 또는 메틸기임)
[화학식 3]
(상기 화학식에서, R1, R2 및 R3는 각각 알킬기 또는 알케닐기이며, R1+R2+R3=C6H15를 만족함)
[화학식 4]
[화학식 5]
(상기 화학식에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자, 메틸기, 에틸기, 페닐기, 시아노에틸기 또는 벤질기임).
본 발명자들은 용매를 사용하지 않고, 에폭시 수지로 나프탈렌계 및 비스페놀계 에폭시 수지를 병용하고, 경화제로 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물 및 메틸테트라하이드로프탈산 무수물을 병용하면서 경화촉진제로 이미다졸계 촉매를 사용할 경우, 무기충전제 함량이 70~80중량%인 범위내에서 점도가 25,000~45,000cps로 적절하고 우수한 굴곡강도, 내습성 및 내열성을 갖는 액상 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있음을 확인하고 본 발명을 성안하게 되었다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명에서는 에폭시 수지로서 하기 화학식 1의 구조를 갖는 나프탈렌계 에폭시 수지에 점도를 낮추기 위한 목적으로 하기 화학식 2의 구조를 갖는 비스페놀계 에폭시 수지를 혼합하여 사용한다.
(상기 화학식에서, R은 수소원자 또는 메틸기임)
상기 나프탈렌계 에폭시 수지와 비스페놀계 에폭시 수지는 각각 에폭시 당량이 130~160 및 160~190인 고순도의 에폭시 수지이다. 바람직하게, 본 발명에 사용된 비스페놀계 에폭시 수지로는 비스페놀-A형, 비스페놀-F형, 수소화 비스페놀-A형 및 수소화 비스페놀-B형으로 구성된 군에서 선택되는 1종을 단독으로 사용하거나, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용한다.
본 발명의 조성물 중의 상기 에폭시 수지 성분의 총함량은 9~15중량%인 것이 바람직하다. 수지 함량이 9중량% 미만이면 본 발명에서 요구하는 정도의 물성을 얻을 수 없고, 15중량%를 초과하면 반응속도가 느려져서 공정시간이 길어지는 단점이 있다.
아울러, 상기에서 나프탈렌계 에폭시 수지:비스페놀계 에폭시 수지의 혼합비는 중량비로 60:40 내지 80:20의 범위에 드는 것이 바람직하다. 상기 나프탈렌계 에폭시 수지는 최종 경화물의 유리전이 온도에 영향을 주며, 사용량의 증가에 따라 패키지의 내열특성이 향상되는 효과가 있다. 따라서, 상기 나프탈렌계 에폭시 수지의 사용량이 전체 에폭시 수지의 60중량% 미만이고, 대신 상기 비스페놀계 에폭시 수지의 사용량이 전체 에폭시 수지의 40중량%를 초과하는 경우에는 최종 수지 조성물의 점도는 낮출 수 있으나, 유리전이 온도가 낮아져 경화물의 내열특성이 저하되는 단점이 있다. 반면, 상기 비스페놀계 에폭시 수지의 사용량이 전체 에폭시 수지의 20중량% 미만인 경우에는 최종 수지 조성물의 점도가 지나치게 높아져 작업성이 불량해지는 단점이 있다.
본 발명에서는 경화제로서 하기 화학식 3의 구조를 갖는 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물과 하기 화학식 4의 구조를 갖는 메틸테드라하이드로프탈산 무수물을 혼합하여 사용한다.
(상기 화학식에서, R1, R2 및 R3는 각각 알킬기 또는 알케닐기이며, R1+R2+R3=C6H15를 만족함)
상기 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물과 메틸테트라하이드로프탈산 무수물은 각각 분자량이 210~250 및 150~170인 고순도의 산무수물이다. 본 발명의 조성물 중의 상기 경화제 성분의 총함량은 10~15중량%인 것이 바람직하다. 경화제 함량이 10중량% 미만이면 경화속도가 느려지고, 15중량%를 초과하면 패키지 내에 잔류물이 형성되어 신뢰성이 저하된다.
아울러, 상기에서 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물:메틸테트라하이드로프탈산 무수물의 혼합비는 중량비로 50:50 내지 70:30의 범위에 드는 것이 바람직하다. 만일 상기 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물의 사용량이 전체 경화제의 50중량% 미만이고, 대신 메틸테트라하이드로프탈산 무수물의 사용량이 전체 경화제의 50중량%를 초과하는 경우에는 최종 수지 조성물의 수분흡수율이 증가하여 신뢰성이 저하된다. 반면, 상기 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물의 사용량이 증가할수록 내습특성이 향상되어 패키지의 신뢰성이 개선되긴 하나, 전체 경화제의 70중량%를 초과하는 양으로 사용할 경우에는 봉지재의 점도가 지나치게 증가되어 작업성이 현저히 저하된다.
본 발명에서는 경화촉진제로서 하기 화학식 5의 구조를 갖는 이미다졸계 촉매를 사용한다. 하기 화학식 5에서 R1, R2 및 R3로 표현되는 작용기의 종류에 따라 촉매활성이 약간씩 달라져 겔화시간에 차이가 발생하나, 본 발명의 범위내에서 촉매 사용량의 증감을 통하여 겔화시간을 적절히 조절할 수 있다.
(상기 화학식에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자, 메틸기, 에틸기, 페닐기, 시아노에틸기 또는 벤질기임)
본 발명의 조성물 중의 상기 경화촉진제 성분의 총함량은 0.1~0.5중량%인 것이 바람직하다. 경화촉진제 함량이 0.1중량% 미만이면 경화 속도가 느려져서 생산성이 감소하고, 0.5중량%를 초과하면 원하는 경화 특성을 얻을 수 없을 뿐만 아니라 수지 조성물의 보관안정성이 나빠져서 좋지 않다.
본 발명에서는 무기충전제로서 바람직하게는 평균입도가 0.1~10.0㎛인 용융 또는 합성 실리카를 사용한다.
본 발명의 조성물 중의 상기 무기충전체 성분의 총함량은 70~80중량%인 것이 바람직하다. 무기충전체 함량이 70중량% 미만이면 경화물의 충분한 강도와 저열팽창화를 실현할 수 없으며 또한 수분의 침투가 용이해져 신뢰성이 저하되고, 80중량%를 초과하면 최종 수지 조성물의 유동특성의 저하로 인하여 성형성이 나빠질 우려가 있다.
상술한 필수 성분들 이외에도, 본 발명의 수지 조성물에는 카본블랙 및 유·무기염료 등의 착색제, 커플링제, 소포제 등을 필요에 따라서 추가로 첨가할 수 있다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 제조하기 위한 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 무기충전제 등의 각종 성분을 동시에 또는 순차적으로 필요에 따라 가열처리를 하면서 교반, 혼합, 분산시킴으로써 원하는 수지 조성물을 얻을 수 있다. 상기 교반, 혼합, 분산 등에 사용되는 장치 역시 본 발명의 목적을 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 교반 및 가열장치를 구비한 통상의 혼합분쇄기, 3축 롤밀, 볼밀, 유성형 혼합기 등을 사용할 수 있으며, 이러한 장치들중 둘 이상을 적절하게 조합하여 사용할 수도 있다.
상술한 바와 같이 제조된 본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물의 점도는 25℃에서 25,000~45,000cps, 바람직하게는 25,000~40,000cps의 범위내에 들어야 한다. 만일 수지 조성물의 점도가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 패키지 성형시 디스펜싱 공정에서의 작업성이 불량해진다.
본 발명의 액상 에폭시 수지 조성물을 사용한 패키지 성형은 통상의 디스펜싱 공정에 따라 수행될 수 있으며, 후경화를 위해서는 120℃에서 0.5시간 이상 경화후 150℃에서 0.5시간 이상 더 경화하는 것이 바람직하다. 120℃에서 0.5시간 미만 경화시에는 경화후에 공극발생이 관찰되며, 150℃에서 0.5시간 미만 경화시에는 충분한 경화 특성을 얻을 수 없다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에는 상술한 바와 같이 용매가 함유되지 않았기 때문에 성형시 공정성이 우수할 뿐만 아니라 경화후 굴곡강도가 크고, 높은 내열특성을 가지므로, 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지에 적용시 매우 우수한 신뢰도 특성을 달성할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
실시예 1~3 및 비교예 1~4
실시예 및 비교예에서 제조된 에폭시 수지 조성물의 조성과 제반물성 및 신뢰성 평가결과를 하기 표 1에 나타내었다.
구 성 성 분 실시예 1 실시예 2 실시예3 실시예4 비교예1 비교예2 비교예3 비교예4
에폭시수지 1)나프탈렌형 에폭시 수지 7.0 7.0 8.5 7.5 3.0 7.0 3.0 10.0
2)비스페놀-A형 에폭시 수지 4.0 - 3.5 - 8.0 4.0 - 5.0
3)비스페놀-F형 에폭시 수지 - 4.0 - 3.0 - - 8.0 -
경화제 4)트리알킬테트라하이드로 프탈산 무수물 9.0 9.0 8.0 6.0 9.0 4.0 4.0 14.0
5)메틸테트라하이드로프탈산 무수물 4.0 4.0 6.0 5.5 4.0 9.0 9.0 5.0
1-벤질-2-메틸이미다졸 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
6)폴리디메틸실록산 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
무기충전제 75.0 75.0 73.0 77.0 75.0 75.0 75.0 65.0
γ-글리시톡시프로필트리메톡시실란 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
카본블랙 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
합계 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0
물성평가결과 점도(cps, 25℃) 32,000 30,000 29,000 37,000 26,000 30,000 25,000 29,000
유리전이온도 Tg(℃) 145 146 154 145 121 140 123 142
열팽창계수 α(㎛/m,℃) 21 21 23 20 21 21 21 28
굴곡강도(kgf/mm2) 15 15 14 16 15 15 15 12
흡수율(%) 0.5 0.5 0.7 0.6 0.6 0.9 0.9 1.1
신뢰도평가결과 박리발생수 / 시료수 0/30 0/30 0/30 0/30 5/30 27/30 14/30 30/30
注) 1) HP-4032D (DIC사(社), 일본)
2) YL-980 (JER(社), 일본)
3) YL-983U (JER(社), 일본)
4) YH-306 (JER(社), 일본)
5) B-570 (DIC(社), 일본)
6) KS-603 (Shinetsu(社), 일본)
[물성 및 신뢰성 평가 방법]
1) 점도
Cone & Plate 형 Brookfield 점도계를 사용하여 25℃에서 측정
2) 유리전이온도(Tg), 열팽창계수
TMA(Thermomechanical Analyser)로 평가(승온속도 10℃/min)
3) 굴곡강도
UTM(Universal Test Machine)을 이용하여 ASTM D190에 의거 평가
4) 흡수율
PCT(Pressure Cooker Tester)를 사용하여 121℃, 2기압의 조건하에서 24시간 동안 흡습시킨 후 무게변화를 측정
5) 신뢰도(Precon Test)
JEDEC, JESD22-A113에 의거 레벨 2에서 평가한 후 C-SAM을 사용하여 박리평가
6) 경화후 평활도
3차원 표면측정기를 사용하여 경화된 패키지 표면의 높이 차이를 측정
상기 표 1의 결과에서 볼 수 있듯이, 에폭시 수지중 나프탈렌계의 구성비가 60중량% 이상이고, 경화제중 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물의 구성비가 50중량% 이상인 경우에, 25,000cps 이상 40,000cps 이하의 범위내에 드는 적절한 점도를 유지함과 동시에 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지 성형시 안정된 작업성과 우수한 신뢰도 특성을 확보할 수 있었다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물을 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지에 적용하면 우수한 공정성, 내습성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.
삭제

Claims (5)

  1. (a) 하기 화학식 1로 표현되는 나프탈렌계 에폭시 수지;
    (b) 하기 화학식 2로 표현되는 비스페놀계 에폭시 수지;
    (c) 하기 화학식 3으로 표현되는 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물;
    (d) 하기 화학식 4로 표현되는 메틸테트라하이드로프탈산 무수물;
    (e) 하기 화학식 5로 표현되는 이미다졸계 촉매; 및
    (f) 무기충전제를 포함하며,
    상기 나프탈렌계 에폭시 수지:비스페놀계 에폭시 수지의 혼합비가 중량비로 60:40 내지 80:20의 범위이며, 상기 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물:메틸테트라하이드로프탈산 무수물의 혼합비가 중량비로 50:50 내지 70:30의 범위인 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지 조성물:
    [화학식 1]
    [화학식 2]
    (상기 화학식에서, R은 수소원자 또는 메틸기임)
    [화학식 3]
    (상기 화학식에서, R1, R2 및 R3는 각각 알킬기 또는 알케닐기이며, R1+R2+R3=C6H15를 만족함)
    [화학식 4]
    [화학식 5]
    (상기 화학식에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자, 메틸기, 에틸기, 페닐기, 시아노에틸기 또는 벤질기임).
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 나프탈렌계 에폭시 수지와 상기 비스페놀계 에폭시 수지의 함량의 합이 (9)~(15)중량%이고, 상기 트리알킬테트라하이드로프탈산 무수물과 상기 메틸테트라하이드로프탈산 무수물의 함량의 합이 (10)~(15)중량%이며, 상기 이미다졸계 촉매의 함량이 (0.1)~(0.5)중량%이고, 상기 무기충전제의 함량이 70~80중량%인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 조성물의 점도가 25℃에서 25,000~45,000cps인 것을 특징으로 하는 조성물.
KR10-2001-0087478A 2001-12-28 2001-12-28 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지조성물 KR100479856B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0087478A KR100479856B1 (ko) 2001-12-28 2001-12-28 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0087478A KR100479856B1 (ko) 2001-12-28 2001-12-28 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030057105A KR20030057105A (ko) 2003-07-04
KR100479856B1 true KR100479856B1 (ko) 2005-03-30

Family

ID=32215226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0087478A KR100479856B1 (ko) 2001-12-28 2001-12-28 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100479856B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07292077A (ja) * 1994-04-28 1995-11-07 Nitto Denko Corp 注型用エポキシ樹脂組成物
KR100189095B1 (ko) * 1996-06-21 1999-06-01 유현식 고신뢰성 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2000198831A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Nagase Chiba Kk エポキシ樹脂組成物およびそれを用いてｌｓｉを封止する方法
US6117953A (en) * 1998-01-22 2000-09-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Liquid epoxy resin composition for ball grid array package
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07292077A (ja) * 1994-04-28 1995-11-07 Nitto Denko Corp 注型用エポキシ樹脂組成物
KR100189095B1 (ko) * 1996-06-21 1999-06-01 유현식 고신뢰성 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
US6117953A (en) * 1998-01-22 2000-09-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Liquid epoxy resin composition for ball grid array package
JP2000198831A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Nagase Chiba Kk エポキシ樹脂組成物およびそれを用いてｌｓｉを封止する方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030057105A (ko) 2003-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2746287B1 (en) Quaternary phosphonium salt, epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device including the quaternary phosphonium salt and semiconductor device encapsulated with the epoxy resin composition
KR100479857B1 (ko) 반도체 패키지용 실리콘 수지 조성물
CN113621332B (zh) 芯片封装用模封胶及封装结构
US6117953A (en) Liquid epoxy resin composition for ball grid array package
JP3137314B2 (ja) 液状封止材料
KR100673767B1 (ko) 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물
KR100529256B1 (ko) 반도체 봉지용 액상 에폭시 수지 조성물
KR100479856B1 (ko) 캐비티 다운형 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지조성물
KR100540914B1 (ko) 반도체 언더필용 에폭시 수지 조성물
KR100540913B1 (ko) 액상 에폭시 수지 조성물
KR100479855B1 (ko) 볼그리드어레이 패키지용 액상 에폭시 수지 조성물
KR100429363B1 (ko) 반도체소자밀봉용에폭시수지조성물
KR101234848B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물　및 이를 이용한 반도체 소자
KR100990807B1 (ko) 반도체 칩 부착용 접착제 조성물 및 이를 이용한 반도체소자
KR100797614B1 (ko) 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물 및 이를이용한 반도체 소자
KR100479858B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물
KR100529258B1 (ko) 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물
KR100479859B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물
KR100611463B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 액상 에폭시 수지 조성물
KR100504604B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP3580352B2 (ja) ボール・グリッド・アレイ用液状エポキシ樹脂組成物
JP3159428B2 (ja) 液状封止樹脂
JP2001316566A (ja) 一液性エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH1135793A (ja) エポキシ樹脂組成物、およびこれを用いた樹脂封止型半導体装置
JPH02102217A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130104

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131217

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180220

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190304

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200214

Year of fee payment: 16