KR100478304B1 - 형광 램프 및 조명장치 - Google Patents
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Abstract
3파장 발광형 형광체의 사용량을 저감하고, 더욱이, 소요의 전광속(全光束)을 가진 형광 램프 및 이것을 사용한 조명장치를 제공한다.
형광 램프는, 유리 벌브(1a)로 이루어지는 투광성 방전용기(1)와, 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)로 이루어지는 평균입자지름이 1㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 방전용기(1)의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막(2)과, 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막(2)의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층(3)과, 투광성 방전용기(1)의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극(4)과, 투광성 방전용기(1)의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있다.
Description
본 발명은, 개량된 형광체층을 구비한 형광 램프 및 형광 램프를 사용한 조명장치에 관한 것이다.
희토류 형광체는, 할로인산 칼슘형광체와 비교하여 현저히 고가이기 때문에, 그 사용량을 감소시키고자 하는 시도가 종래부터 이루어지고 있다. 예를 들면, 일본 특개평9-167595호 공보에는, 형광 램프의 방전용기 내면에 자외선 반사성을 가진 보호막을 형성하고, 이 보호막상에 희토류 형광체로 이루어진 형광체층을 형성하는 기술이 개시되어 있다.(종래기술 1)
종래기술 1에 의하면, 5∼80질량%의 γ알루미나와 20∼95질량%의 α알루미나를 혼합하여 형성된 보호막을 갖고 있기 때문에, 보호막의 자외선반사율이 높아져, 형광체층에의 자외선반사가 효과적으로 이루어지고, 그 결과로서 비싼 희토류 형광체의 사용량을 저감할 수 있다고 설명되어 있다.
한편, 종래의 고리형 형광 램프는, 우선 직각 관형상의 유리 벌브(Bulb)의 내면에 형광체층이 형성되고, 다음에 유리 벌브(Bulb)의 양 끝단에 한 쌍의 전극을 봉입장착한 후에 굴곡가공하여 고리형으로 정형하고, 또한 유리 벌브의 내부를 배기하고 나서 수은 및 아르곤을 봉입함으로써 제작된다. 이 종류의 고리형 형광램프는, 굴곡가공전의 유리 벌브에 형광체층을 형성하기 전에, 유리 벌브의 내면에 미리 보호막을 형성하고, 그 보호막 위에 형광체층을 형성하는 것이 일반적이다. 이 보호막은, 자외선조사에 의해, 유리 벌브중의 알칼리선분(주로 나트륨)이 이동하여 벌브 표면에 석출하는 현상에 의해서 형광체가 열화하거나 하는 것을 억제하기 위해서 형성된다. 그렇게 해서, 이 보호막에 의해 벌브 표면에 석출한 알칼리성분과 형광체 또는 수은의 사이를 차단하여, 이들의 반응을 방지하고자 하는 것이다. 그리고, 이 보호막에는, 초미립자상태의 γ알루미나나 산화아연 및 산화티타늄의 혼합체 등의 슬러리를 유리 벌브의 내면에 도포하고, 소성하여 형성하고 있다.(종래 기술2)
이어서, 종래의 래피드 스타트형 형광램프에 있어서는, 수명중에 소위 EC 흑화를 생기게 하기 때문에, 이것을 억제하기 위해서, 투광성 도전막의 저항치를 규제하고 있다. 또한, 예를 들면 일본 특개소50-12885호 공보, 동 52-49683호 공보 및 동 52-93184호 공보 등에 기재되어 있는 바와 같이, 소위 황반현상 등 투광성 도전막의 배치에 따라 발생하는 흑화(이하, 'EC흑화'라고 함)의 발생을 억제하기 위해서, 투광성 도전막과 형광체층의 사이에 γ알루미나 등의 절연성 금속산화물로 이루어지는 보호막을 개재시키고 있다.(종래기술 3)
종래기술 3에 있어서는, EC 흑화의 원인이라고 생각되는 투광성 도전막과 방전공간의 사이의 절연파괴를 방지하기 위해서, 그들 사이의 절연저항을 보호막에 의해서 높이는 것을 보호막의 목적으로 하고 있다.
또한, 특허 제3189558호 공보에는, 금속산화물로서 산화아연 및 산화 티타늄을 후자가 30∼70질량%의 혼합비율로 포함하고, 평균막두께가 0.2∼1.5㎛의 금속산화물미립자에 의해 구성된 자외선흡수보호막을 구비한 래피드 스타트형 형광 램프가 기재되어 있다.(종래기술 4)
또한, 래피드 스타트형의 형광 램프에 있어서는, 시동전압을 저감하기 위해서, 형광체입자의 표면에 산화마그네슘(MgO) 미립자를 피복하고 있다.(종래기술 5)
그렇게 해서, 종래 기술 3 및 4에 있어서의 보호막은, 그 어느 것이나 금속산화물로서 평균입자지름 10∼20nm정도의 초미립자상태를 이루고 있는 것을 사용하고 있다.
종래기술 1의 형광 램프는, 보호막에 α알루미나 미립자를 20∼95질량% 포함하도록 구성되어 있기 때문에, 제조가 번잡해지고, 자외선반사율을 높이는 것이 곤란하였다. 즉, α알루미나 미립자는, 보호막을 도포형성할 때의 슬러리를 조제하는 경우에 용매중에 분산하기 어렵다고 하는 성질을 가지고 있어, 보호막형성상태에서 α알루미나 미립자가 적절히 분산하지 않는 경우에는, 자외선반사율이 저하해 버린다. 또한, α알루미나 미립자를 슬러리용매중에 적절히 분산시키기 위해서, 분산제 등을 용매에 첨가할 필요가 있어, 제조가 번잡한 동시에, 제조비용도 상승해 버린다.
다음에, 종래기술 2의 고리형 형광 램프에 있어서는, 종래의 보호막은, 굴곡가공시의 골곡에 의해, 주로 유리가 신장(Elongation)부분에 벗겨짐이나 크랙(균열)이 생기기 쉬웠다. 이 때문에, 외관이 불량해진다고 하는 문제가 있었다. 이 현상은, 보호막을 종래기술과 같이 α알루미나 미립자에 의해서 형성한 경우에도, 마찬가지로 발생해 버린다. 또한, 보호막이 벗겨지거나, 크랙(균열)이 생기거나 하면, 그 부분은, 형광체 또는 방전공간측에 유리 벌브 내면이 노출하게 되기 때문에, 알칼리성분과 형광체 또는 수은이 반응하여 착색화해 버린다고 하는 문제가 생기기 쉬웠다. 또, 벗겨짐은, 핀홀(Pin-hole) 형상을 하고 있는 경우가 많다.
또한, 종래기술 3 및 4의 래피드 스타트형 형광 램프에 있어서는, EC 흑화를 생기기 어렵게 하기 위해 투광성 도전막의 저항치를 규제하면, 형광 램프의 시동전압이 상승하여, 그 시동성이 저하하는 경향이 있고, 최저한의 시동성을 확보하면, EC흑화가 생기기 쉽다고 하는 문제가 있었다. 또한, 보호막으로서 사용하는 금속산화물의 종류에 따라서도, EC흑화가 생기기 쉽다고 하는 경향이 있다. 즉, γ알루미나를 사용한 경우, EC흑화가 생기기 쉽다. 보호막으로서 사용하는 금속산화물의 종류에 따라서는 전광속(全光束)이 저하한다고 하는 문제도 있었다. 즉, 투광성 도전막의 금속산화물로서 산화아연 및 산화 티타늄을 사용한 경우, 전광속이 96% 정도까지 저하한다.
그리고 또한, 종래기술 5에 있어서는, 시동전압을 원하는 값까지 내리려고 산화마그네슘의 첨가량을 증가하면, 전광속이 저하한다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 특정 구성의 비발광물질막을 구비함으로써, 3파장 발광형 형광체의 사용량을 저감하고, 더구나, 소요의 전광속을 가진 형광 램프 및 이것을 사용한 조명장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 또한 UV-A의 방사를 저감한 형광 램프 및 이것을 사용한 조명장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 또한 보호막 및 형광체층을 배치한 후에 유리 벌브의 굴곡가공을 할 때의 보호막의 벗겨짐이나 크랙(균열)이 생기기 어려운 형광 램프 및 이것을 사용한 조명장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
그리고, 본 발명은, 또한 EC흑화가 발생하기 어렵고, 더구나, 전광속의 저하가 적은 래피드 스타트형으로서 바람직한 형광 램프 및 이것을 사용한 조명장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
그리고, 본 발명은, 또한 시동전압을 저하시킨 래피드 스타트형으로서 바람직한 형광 램프 및 이것을 사용한 조명장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
청구항 1의 발명의 형광 램프는, 유리 벌브(Bulb)로 이루어지는 투광성 방전용기와; 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어진 평균입자지름이 1.O㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과; 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과; 투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 특정구성의 비발광물질막을 배치함으로써, 형광체층을 얇게 하여 3파장 발광형 형광체의 사용량을 저감하여도, 소요의 전광속을 가진 형광 램프를 제공하는 것이다.
본 발명 및 이하의 각 발명에 있어서, 특히 지정하지 않는 한 용어의 정의 및 기술적 의미는 다음에 의한다.
<투광성 방전용기에 대하여>
투광성 방전용기는, 유리 벌브의 양 끝단을 예를 들면 끝단판 등의 밀봉부재를 사용하여 밀봉하거나, 또는 사용하지 않고 핀치시일 등에 의해서 직접 밀봉함으로써 형성된다. 끝단판을 사용하여 밀봉할 경우, 끝단판 부분은, 일반적으로는 스템에 의해서 구성된다. 스템을 사용하는 경우, 플레어 스템, 비드 스템, 버튼 스템 등의 이미 알려진 스템구조를 채용할 수 있다.
유리 벌브는, 직관, 만곡관 또는 굴곡관의 형상인 것을 허용한다. 또한, 유리 벌브는, 직관, 만곡관 또는 굴곡관의 여러개를 접속관에 의해 1개의 방전로가 형성되도록 연결하여 이루어지는 구조인 것을 허용한다.
또한, 유리 벌브의 관지름 및 투광성 방전용기의 관축, 바꾸어 말하면 방전로에 따른 길이는 제한되지 않는다. 그러나, 일반적으로는 투광성 방전용기의 관지름은 40mm이하, 또한 관축에 따른 길이는 2400mm 이하이다. 비교적 관벽부하가 작은 일반조명용의 형광 램프의 경우, 관지름 25∼38mm이고, 관축에 따른 길이 300∼2400mm이다. 또한, 고주파 점등전용형 형광 램프의 경우, 관지름 15∼25.5mm, 관축에 따른 길이 500∼2400mm이다. 또한, 콤팩트형 형광 램프의 경우, 관지름 25mm이하, 예를 들면 12∼22mm, 관축에 따른 길이 2400mm이하, 예를 들면 200 ∼ 2300mm 이다. 그리고 또한, 전구형 형광 램프의 경우, 관지름 13mm이하, 예를 들면 8∼12mm, 관축에 따른 길이 500mm이하, 예를 들면 400∼500mm이다.
다음에, 투광성 방전용기의 유리 벌브의 재질은, 기밀성, 가공성 및 내화성을 구비하고 있으면 특히 제한되지 않지만, 일반적으로는 이 종류의 형광 램프에 사용되고 있는 연질 유리가 바람직하다. 연질 유리에는, 납 유리, 소다라임 유리 및 바륨 실리케이트 유리 등이 있지만, 그 어느 것이어도 좋다. 환경대응으로서는, 소다라임 유리나 바륨 실리케이트 유리가 바람직하다. 그러나, 가공성 등의 관점에서, 소다라임 유리와 납 유리를 병용할 수 있다. 예를 들면, 가장 유리의 사용량이 많은 벌브 부분을 소다라임 유리로 형성하고, 스템 부분을 납 유리로 형성할 수가 있다.
또한, 필요하면, 경질 유리, 반경질 유리, 석영 유리 등의 연질 유리이외의 유리를 유리 벌브로서 사용할 수 있다. 또한, 나트륨 등의 알칼리성분의 함유율이 낮은 소위 무연 유리를 사용하여 알칼리성분의 석출에 의한 형광체의 열화를 억제할 수도 있다.
다음에, 투광성 방전용기의 형상에 대하여 설명한다. 투광성 방전용기는, 직각 관형 및 고리형의 어느 것이어도 좋다. 또 필요하면, U자형상, 반원형상, U자형상부분을 2∼4개 직렬로 접속함과 동시에 적당한 배치로 한 형상 등의 여러가지 형상인 것을 허용한다.
<비발광물질막에 대하여>
비발광물질막은, 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어진 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되어 있고, 막두께가 3∼25㎛이다. 그리고, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치되어 있다. 또, '주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어진'이란, 비발광물질막의 평균입자지름이 1㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자가 피로인산스트론튬을 주구성재료로 하고 있는 것을 의미한다. 따라서, 피로인산스트론튬만으로 비발광물질막이 형성되어 있어도 좋고, 부성분으로서 다른 고반사율의 비발광 물질이 함유되어 있어도 좋다. 다른 고반사율의 비발광 물질로서는, 예를 들면 알루미나(A12O3) 및 피로인산 칼슘(Ca2P2O7) 등을 적절히 선택하여, 또는 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 피로인산스트론튬은, 그 입자형상이 막대형상 이형(異形)을 하고 있어도 좋고, 또한 다른 형상을 하고 있어도 좋다. 또, '입자형상이 막대형상 이형을 하였다'란, 피로인산스트론튬의 입자의 대부분이 막대 형상을 하고 있어, 막대 부분이 거의 직선형상이거나, 중간이 굴곡하여 ㅅ자형상(꺾인 정못형상), V자형상, 육각판형상, 분지형상 등의 형상으로 되어 있거나 하여, 구체(球體)에 비하여 분명히 이형(異形)을 하고 있음을 의미한다. 또한, 피로인산스트론튬은, 1000℃ 이상의 고온에서 소성하여 결정체를 성장시킨 것이 바람직하다. 왜냐하면, 이러한 입자형상의 경우는, 보다 고순도의 결정체이고, 그 때문에 자외선 반사율이 높아져, 전광속의 향상에 유익하게 되기 때문이다.
또한, 투광성 방전용기의 '내면측'이란, 투광성 방전용기의 내면에 직접 형성되어 있어도 좋고, 예를 들면 투광성 도전막 등을 통해 간접적으로 형성되어 있어도 되는 것을 의미하고 있다. 또한, '거의 전체'에 걸쳐 있다는 것은, 투광성 방전용기의 주요부의 대부분을 커버하고 있으면 되는 것을 의미하고 있다. 따라서, 예를 들어 투광성 방전용기의 양 끝단부 등에는 비발광물질막이 배치되어 있지 않아도 좋다.
다음에, 비발광물질막을 구성하는 고반사율의 비발광 물질은, 그 평균입자지름이 1㎛ 이상이다. 또, 바람직하게는 10㎛이하, 적합하게는 2.O∼6.O㎛이다. 평균입자지름이 1㎛ 미만이 되면, 입자의 비표면적이 지나치게 커지고 비발광물질막내의 흡착가스가 많아져, 투광성 방전용기내의 배기가 곤란하게 되기 때문에 불가하다. 왜냐하면, 본 발명에 있어서는, 비발광물질막의 막두께가 3∼25㎛이고, 더구나, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치되기 때문에, 배기의 곤란성이 특히 중대한 문제가 되기 때문이다.
또한, 비발광물질막은, 가시광을 양호하게 투과하여 외부로 도출하는 한편, 자외선을 양호하게 반사하기 위해서, 그 막두께가 3∼25㎛의 범위내가 아니면 안된다. 이 막두께 범위내에서 전광속을 소요의 범위내로 유지하면서 3파장 발광형 형광체의 사용량을 저감하는 효과를 나타낼 수 있다. 이에 대하여, 막두께가 3㎛ 미만이 되면, 자외선 반사효과가 낮아져, 원하는 형광체 삭감효과를 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 형광 램프의 내부가 들여다보이게 되기 때문에, 불가하다. 또한, 막두께가 25㎛이상이 되면, 가시광투과율이 저하하여 전광속의 향상이 곤란하게 되기 때문에, 불가하다. 그래서, 바람직하게는 5∼20㎛이고, 더욱 적합하게는 5∼15㎛, 최적으로는 거의 10㎛ 정도이다.
또한, 필요에 따라, 평균입자지름 10∼20nm 정도의 γ알루미나 초미립자를 비발광물질막중에 1∼3질량%정도 함유시킬 수 있다. 이 경우, γ알루미나는, 비발광물질막의 결착제로서 작용한다.
<형광체층에 대하여>
형광체층은, 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 막두께 30㎛ 이하로 배치된다. 막두께가 30㎛을 넘으면, 3파장 발광형 형광체입자의 사용량이 많아져, 본 발명의 목적에 맞지 않게 된다. 바람직하게는 8∼20㎛, 더욱 바람직하게는 10∼15㎛이다.
3파장 발광형 형광체입자는, 적색발광형광체, 녹색발광형광체 및 청색발광형광체의 각각의 형광체입자를 혼합하여 가색혼광(加色混光)에 의해 백색발광이 발생하도록 구성된다. 적색발광형광체로서는, 예를 들면 유로퓸부활산화이트륨형광체(통칭 'Y0X') 등을 사용할 수 있다. 녹색발광형광체로서는, 예를 들면 세륨, 테르븀부활인산랜턴이나 테르븀부활세륨·테르븀·마그네슘·알루미늄형광체(통칭 'CAT') 등을 사용할 수 있다. 청색발광형광체로서는, 예를 들면 유로퓸부활스트론튬인산염형광체, 유로퓸부활스트론튬·바륨·칼슘인산염형광체(통칭 '애퍼타이트') 및 유로퓸부활바륨·마그네슘·알루미늄형광체(통칭 'BAM') 등을 사용할 수 있다. 또한, 3파장 발광형 형광체입자는, 평균입자지름이 2∼10㎛, 적합하게는 5㎛±2㎛, 최적으로는 5㎛±1㎛ 이다. 또, 본 발명에 있어서, 형광체 및 상술의 비발광 물질입자의 평균입자지름은, 콜터 멀티사이저(Coulter Multisizer)에 의한 것으로 한다.
상기 각 3파장 발광형 형광체의 화학식의 일례를 나타내면, 이하와 같다.
1. 적색발광형광체
(1) 유로퓸부활산화이트륨형광체
Y2O3 : Eu
2. 녹색발광형광체
(1) 세륨, 테르븀부활인산랜턴
LaPO4 : Ce, Tb
(2) 테르븀부활세륨·테르븀·마그네슘·알루미늄형광체
(CeTb) MgAl11O19 : Tb
3. 청색발광형광체
(1) 유로퓸부활스트론튬인산염형광체
Sr5(PO4)3Cl : Eu
(2) 유로퓸부활스트론튬·바륨·칼슘인산염형광체
(SrCaBa)5(PO4)3Cl : EU
(3) 유로퓸, 망간부활바륨·마그네슘·알루미늄형광체
BaMg2Al16O27 : Eu, Mn
<한 쌍의 전극에 대하여>
한 쌍의 전극은, 투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된다. 예를 들면, 투광성 방전용기내의 양 끝단측에 봉입장착하여, 그들의 사이에서 저압수은증기방전을 일으킨다. 또한, 전극은, 필라멘트전극, 세라믹스전극, 냉음극 등 이미 알려진 전극을 사용할 수 있다.
필라멘트전극은, 텅스텐의 2중 코일 또는 3중 코일에 전자방사물질을 도포하여 이루어지며, 그 양 끝단을 투광성 방전용기를 기밀로 관통하는 한 쌍의 내부도입선의 선단부에 선이 이어지는 구조를 구비하고 있다.
세라믹스전극은, 예를 들면 개구부를 구비한 전기전도성의 용기내에 알칼리토류원소 및 천이금속원소의 산화물을 주체로 하여, 표면을 천이금속원소의 탄화물 또는 질화물로 피복한 과립형상, 스폰지형상 또는 덩어리형상의 복합 세라믹스로 이루어진 열전자방출물질을 수납시켜 이루어진 구조를 구비하고 있으며, 1개의 내부도입선의 선단에 지지되어 있다.
<방전매체에 대하여>
방전매체는, 저압수은증기방전을 일으키게 하기 위해서는, 수은 및 희가스를 포함하는 것으로 한다.
수은은, 액체수은을 봉입하거나, 또는 액체수은에 거의 가까운 수은증기압특성을 나타내는 아말감, 예를 들면 Zn-Hg나 Ti-Hg계의 아말감으로서 봉입된다. 액체수은을 봉입하기 위해서는, 액체수은을 적하하거나, 캡슐에 넣어 봉입한 후 적당한 수단으로 캡슐을 파괴하여 수은을 꺼낼 수 있다. 또한, 아말감으로서 봉입하기 위해서는, 펠릿형상으로 성형하거나, 적당한 금속판을 기체로서 아말감을 담지시키거나 할 수 있다. 즉, Zn-Hg계 아말감의 경우에는, 펠릿형상으로 성형하여 봉입하는 데에 적합하다. 또한, Ti-Hg계 아말감의 경우에는, 금속판에 담지시키는 데에 적합하다. 후자는, 수은방출합금이라고도 불리는데, 봉입한 후 고주파를 인가함으로써 가열하여 수은을 방출시킨다.
다음에, 희가스는, 형광 램프의 방전개시를 쉽게 하기 위해서, 또한 완충가스로서 사용되는, 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 네온(Ne) 등이 200∼400 Pa정도 투광성 방전용기내에 봉입된다. 또한, 희가스는, Ar단체를 봉입하여도 좋고, 또한 Ar-Kr, Ne-Ar-Kr, Ne-Ar 등을 혼합하여 봉입하여도 좋다.
<본 발명의 작용에 대하여>
본 발명에 있어서는, 방전으로부터 방사된 자외선은, 형광체층에 입사하여 3파장 발광형 형광체입자를 여기하여 가시광을 발생시킨다. 그러나, 일부의 자외선은, 형광체층을 투과하여 비발광물질막에 입사한다. 비발광물질막을 구성하고 있는 비발광 물질입자는, 자외선에 대하여 고반사성이기 때문에, 입사한 자외선을 반사하므로, 다시 형광체층에 입사하여 3파장 발광형 형광체입자를 여기하는 확률이 높아진다. 따라서, 형광체층은, 가시광의 발광효율이 증대한다. 그리고, 발생한 가시광은, 비발광물질막을 투과하여 투광성 방전용기로부터 외부로 도출되어 조명에 기여한다. 이 때문에, 형광체층의 막두께를 비발광물질막의 막두께정도까지 감소시키고, 따라서 형광체의 사용량을 저감하여도, 형광 램프의 전광속은, 형광체량을 저감하지 않은 경우와 거의 동등한 정도까지 유지하는 것이 가능해진다. 이에 대하여, 피로인산스트론튬을 주체로 하여 구성되어 있는 비발광물질막은, 형광체에 비하면, 매우 염가로 입수할 수 있기 때문에, 형광 램프의 제조비용을 저감할 수 있다. 더욱이 피로인산스트론튬은, α알루미나에 비하여 염가로 입수할 수 있기 때문에, 한층 더 제조비용을 저감할 수 있다.
또한, 비발광물질막을 구성하고 있는 고반사성의 비발광 물질입자는, 그 평균입자지름이 1.0㎛이상이기 때문에, 투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 비발광물질막이 배치됨에 따라, 사용량이 많음에도 불구하고, 비표면적이 상대적으로 작기 때문에, 배기가 용이하다. 이 때문에, 투광성 방전용기의 배기가 형광 램프의 대량생산성을 저해하는 것과 같은 경우는 없다.
또한, 피로인산스트론튬은, 슬러리중의 분산성이 양호하므로, 슬러리의 조정 및 비발광물질막의 형성이 용이하다. 또한 비발광물질막내에서의 고반사율의 비발광 물질입자의 분산이 양호하게 되기 때문에, 종래 기술 1에 있어서의 자외선 반사작용이 저해되는 것과 같은 문제는 생기지 않는다.
그리고 또한, 비발광물질막은, 투광성 방전용기를 구성하는 유리로부터 석출하는 알칼리성분에 의한 형광체의 열화나 수은의 알칼리성분과의 반응에 따른 소실이나 광속저감을 억제한다고 하는 보호막으로서의 작용을 발휘한다.
청구항 2의 발명의 형광 램프는, 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와; 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어진 평균입자지름 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자 및 평균입자지름 10∼100nm의 γ알루미나 미립자에 의해 형성되어, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과; 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되어, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과; 투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 비발광물질막이 고반사율의 비발광 물질입자 및 γ알루미나 미립자에 의해 형성된 구성을 규정하고 있다.
γ알루미나 미립자는, 그 평균입자지름이 1O∼1OOnm인 것을 사용한다. 또, 피로인산스트론튬을 주로 하는 고반사율의 비발광 물질입자의 평균입자지름에 대하여 1/100∼1/10정도로 작은 γ알루미나 미립자를 사용하도록 하면, γ알루미나 미립자가 고반사율 물질입자에 대한 결착제로서도 작용한다.
또한, γ알루미나 미립자는, 고반사율의 비발광 물질입자의 5∼60질량%, 바람직하게는 10∼50질량%을 혼합할 수 있다. 혼합비율은, 반사율특성 및 막강도 등의 관점에서 적절한 값으로 설정할 수 있다.
비발광물질막은, 그 막두께가 3∼25㎛이어야 하지만, 바람직하게는 5∼20㎛, 더 한층 바람직하게는 5∼15㎛이다. 한정이유는, 청구항 1에 있어서와 같다. 또, 비발광물질막의 부착량으로서는, 0.25mg/cm2이상으로 하는 것이 좋다.
그렇게 해서, 본 발명에 있어서는, 비발광물질막이 γ알루미나를 함유하지 않은 경우보다 더 높은 반사성을 나타내고, 형광체층을 투과하여 비발광물질막에 입사한 자외선을 반사하여, 다시 형광체층으로 되돌아가기 때문에, 3파장 발광형 형광체입자를 여기할 확률이 더욱 높아진다. 그 결과, 형광체층은, 가시광의 발광효율이 한층 더 증대한다. 그리고, 발생한 가시광은, 비발광물질막을 투과하여 투광성 방전용기로부터 외부로 나가 조명에 기여한다. 이 때문에, 형광체층의 막두께를 비발광물질막의 막두께 정도까지 감소시키고, 따라서 형광체의 사용량을 저감하여도, 형광 램프의 전광속은, 형광체량을 저감하지 않은 경우와 거의 동등한 정도까지 유지하는 것이 가능하게 된다.
또한, 비발광물질막을 구성하고 있는 고반사성의 비발광 물질입자가 주로 피로인산스트론튬으로 구성되어 있기 때문에, 슬러리 및 얻어진 비발광물질막의 분산성이 양호하고, 피로인산스트론튬입자는, α알루미나 입자에 비해서 일반적으로 염가로 입수가 가능하고, 제조비용적으로도 유리한 점은, 청구항 1과 같다.
또한, 본 발명에 있어서의 그 밖의 작용 및 효과는, 청구항 1과 같다.
청구항 3의 발명의 형광 램프는, 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와; 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 자외선흡수막과; 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)로 이루어진 평균입자지름이 1㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 방전용기의 자외선흡수막의 내면측에 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과; 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과; 투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 청구항 1의 발명에 더하여 자외선 흡수막을 구비한 구성을 규정하고 있다.
청구항 1의 구성의 경우, 램프로부터 방사되는 UV-A 즉 파장 315∼400nm의 장파장 자외선이 증가하기 쉬운 것을 알 수 있다. 방전에 의해 발생한 파장 365nm의 수은 휘선(輝線)으로 이루어진 UV-A 및 형광체로부터 발생한 UV-A는, 형광체층을 통과할 때에, 그 일부가 형광체층중의 청색 발광형 형광체에 흡수되어, 해당 형광체를 여기한다. 그 결과, 청색 발광형 형광체는, 청색발광이 생긴다. 그런데, 비발광물질막을 배치하여 형광체층의 막두께를 저감하면, 이에 따라 형광체층에 의한 UV-A의 흡수량이 저하하여, 그 결과 비발광물질막을 투과하여 투광성 방전용기로부터 외부로 방사되는 UV-A가 증가하기 때문이다. 또, 비발광물질막은, UV-A를 반사하지만, 전부 반사하는 것은 아니고, 일부의 UV-A는 비발광물질막을 투과하여 외부로 방사된다.
그래서, 본 발명에 있어서는, 상기한 바와 같이 투광성 방전용기와 비발광물질막의 사이에 자외선 흡수막을 배치하고 있다. 자외선 흡수막은, 주로 UV-A를 흡수하면 어떠한 구성이라도 좋다. 예를 들면, 산화아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2) 및 산화 세륨(CeO2)의 일종 또는 복수종 등의 자외선 흡수성 물질을 사용할 수 있다. 또한, 미립자상태의 자외선 흡수성 물질을 사용하는 경우, 평균입자지름 10∼100nm 정도인 것을 사용하는 것이 좋다. 막두께는 0.5∼2㎛ 정도가 바람직하다.
또한, 투광성 방전용기와 자외선 흡수막과의 사이에 투광성 도전막을 배치하고, 래피드 스타트형의 형광 램프를 얻을 수 있다. 이 경우, 투광성 도전막은, 투광성 방전용기의 내면에 직접 형성된다.
또한, 래피드 스타트형의 형광 램프의 경우, 형광체층의 형광체입자의 표면에 알칼리금속산화물 및 알칼리 토류금속산화물 예를 들면 산화마그네슘 MgO의 적어도 일종의 미립자를 0.05∼1.0질량%정도 피복할 수 있다. 이에 따라, 시동전압을 저하시킬 수 있다. 또, 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물 예를 들면 산화마그네슘(Mg0)의 적어도 일종의 미립자로서는, 평균입자지름 10∼100nm인 것을 사용할 수 있다. 따라서, 시동전압이 저하한 만큼 투광성 도전막의 저항치를 높게 할 수 있고, 그에 따라 EC흑화의 발생을 효과적으로 억제할 수가 있다.
이에 대하여, 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자를 자외선 흡수막의 내면에 직접 형성하면, 전광속이 저하한다고 하는 문제가 있다.
그렇게 하여, 본 발명에 있어서는, 상기의 구성을 구비하고 있는 것에 의해, 형광 램프로부터 외부로 방사되는 UV-A가 저감한다.
또한, 본 발명의 그 밖의 작용 및 효과는 청구항 1과 같다.
청구항 4의 발명의 형광 램프는, 후술하는 비발광물질막 및 형광체층을 형성한 후의 굴곡가공에 의해 비직관형상으로 형성된 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와; 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어진 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되어, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과; 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과; 투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 형광체층을 배치한 후에 굴곡가공에 의해 비직관형상으로 형성된 형광 램프에 바람직한 구성을 규정하고 있다.
투광성 방전용기의 유리 벌브는, 거기에 후술하는 보호막 및 형광체층을 배치한 후에 굴곡가공을 함으로써, 비직관형상으로 형성된다. 한편, '비직관형상'이란, 직각 관형상이 아닌 것을 의미하여, 예를 들면 만곡관 또는 굴곡관 등의 형상인 것을 허용한다. 그렇게 해서, 투광성 방전용기는, 굴곡가공의 결과, 예를 들면 고리형, U자형, 반원형 등의 여러가지 형상으로 되어 있는 것을 허용한다. 따라서, 굴곡가공이전의 형상은, 직각 관형상이어도 좋고, 또 다른 비직관형상이어도 좋다. 비발광물질 및 형광체층의 막두께는 모두 굴곡가공후의 값이다.
그렇게 해서, 본 발명에 있어서는, 상기의 구성을 구비하고 있는 것에 의해, 비발광물질막에 벗겨짐이나 크랙이 생기기 어려워진다. 그 상세한 메커니즘은, 반드시 명백하지 않지만, 비발광물질막을 구성하는 고반사율의 비발광 물질입자의 평균입자지름을 종래의 그것에 비교하면, 극히 크기 때문에, 유리 벌브의 굴곡에 의해 유리가 신장할 때에, 주로 피로인산스트론튬으로 이루어지는 고반사율의 비발광 물질입자의 움직임이 그 크기에 비해서는 작기 때문은 아닌가, 또는 상술한 바와 같이 피로인산스트론튬의 입자형상이 막대 형상 이형으로 되어 있기 때문에, 입자사이의 결합력이 강하게 되어 있기 때문이라고 생각된다. 그러나, 그 이유의 타당성의 유무에 관계없이, 분명히 비발광물질막의 벗겨짐이나 크랙 발생이 적어지는 것은 사실이다.
또한, 본 발명에 있어서의 그 밖의 작용 및 효과는, 청구항 1과 같다.
청구항 5의 발명의 형광 램프는, 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와; 투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치된 투광성 도전막과; 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 도전막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과; 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되며, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과; 투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 투광성 도전막을 구비한 래피드 스타트형의 형광 램프에 바람직한 구성을 규정하고 있다.
<투광성 도전막에 대하여>
투광성 도전막은, 투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치되어 있다. 한편, '투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치되어 있는' 것이란, 투광성 방전용기의 유효표면부분의 대부분에 배치되어 있는 것을 의미한다. 따라서, 밀봉이나 벌브의 접합을 위한 부위에는 배치되어 있지 않아도 좋다. 또한, 도전막이 '투광성'이란 것은, 저압방전에 의해 방사된 자외선이 조사됨에 따라 형광체층으로부터 발생하는 가시광이 되도록이면 손실이 적게 투과하여 외부로 도출될 정도로 투광성인 것을 말한다. 따라서, 가시광투과율이 높은 쪽이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 투명이 좋다.
또한, 투광성 도전막은, 래피드 스타트형 형광램프의 시동시에 시동전압이 전극과 이것에 대향하는 부분의 투광성 도전막의 사이에 그들 사이에 형성되는 정전용량을 통해 집중적으로, 즉 높은 전계강도하에서 인가되도록 작용한다. 이에 따라, 시동이 촉진되지만, 점등후에는 투광성 도전막을 통하지 않고 전극사이에서 직접 아크방전을 일으키기에 적합한 저항치를 갖도록, 투광성 도전막의 저항치가 규제된다.
상기 구성의 투광성 도전막으로서는, 예를 들면 도전성 산화주석막(소위 '네사막', 화학식 SnO2-n)이나 ITO막 등을 사용하여 구성할 수 있다. 또, 네사막은, 산소 공공(空孔)에 의해 자유전자가 발생하여, 반도체로서 행동한다. 막두께는 일반적으로는 수백nm, 가시광투과율 90%이상으로서, 예컨대 첨가하는 불순물의 조건을 적당히 설정하는 등으로 저항치를 수십kΩ∼수MΩ/□(정방형평면의 대향하는 한 쌍의 단변가장자리 사이의 저항치)의 범위로 제어가 가능하다.
또한, 투광성 도전막은, 딥 법, 스프레이법 및 CVD법 등 박막 형성을 위한 이미 알려진 여러가지 방법을 사용하여 형성할 수가 있다.
그렇게 해서, 본 발명에 있어서는, 상기의 구성을 구비하고 있는 것에 의해, EC흑화가 생기기 어렵다. 그 상세한 메커니즘은, 반드시 분명하지 않지만, 비발광물질막을 구성하는 주로 피로인산스트론튬로 이루어지는 고반사율의 비발광 물질입자의 평균입자지름이 종래의 그것에 비하면, 극히 크기 때문에, 필연적으로 비발광물질막의 막두께가 커지고, 그 때문에 투광성 도전막과 형광체층의 사이의 절연거리가 길어지기 때문에, 비발광물질막의 절연파괴가 발생하기 어렵게 되어 있기 때문이 아닌가하고 생각된다. 그러나, 그 이유의 타당성의 유무에 관계없이, 분명히 EC흑화가 억제되는 것은 사실이다.
또한, 본 발명에 있어서의 그 밖의 작용 및 효과는, 청구항 1과 같다.
청구항 6의 발명의 형광 램프는, 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와; 투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치된 투광성 도전막과; 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 또한, 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자를 0.05∼10질량% 함유하여 투광성 도전막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 형성된 막두께3∼25㎛의 비발광물질막과; 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 형광체층과; 투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 투광성 도전막을 구비한 래피드 스타트형의 형광 램프에 적합한 다른 구성을 규정하고 있다.
비발광물질막은, 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자를 일반적으로는 0.05∼10질량%, 바람직하게는 0.1∼1.0질량% 함유한다. 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자의 함유량이 0.05질량% 미만이면, 시동전압의 효과적 저하를 얻을 수 없으므로, 불가하다. 또한, 상기 함유량이 10질량%을 넘으면, 불순가스의 방출량이 너무 많아져, 스네이킹 등의 불량이 생기기 쉬워지기 때문에, 불가하다. 또, 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 평균입자지름은, 바람직하게는 10∼100nm이다.
그렇게 해서, 본 발명에 있어서는, 비발광물질막중에 함유되어 있는 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자가 게터작용, 전자공급작용 및 2차전자방출작용을 보인다. 그 결과, 형광 램프의 시동전압이 저하한다. 그 때문에, 투광성 도전막의 저항치를 EC흑화의 안정된 값까지 높게 할 수 있다.
한편, 비발광물질막중의 주로 피로인산스트론튬으로 이루어지는 고반사율의 비발광 물질입자는, 자외선을 양호하게 반사한다. 또한, 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자가 종래와 같이 형광체입자의 표면에 피복되어 있는 상태와 비교하면, 해당 미립자에 도달하는 자외선이 적어지기 때문에, 해당 미립자가 자외선에 의해서 착색하지 않게 되어, 전광속의 저하는 거의 생기지 않는다.
또한, 본 발명에 있어서의 그 밖의 작용 및 효과는, 청구항 1과 같다.
청구항 7의 발명의 형광 램프는, 청구항 1 내지 6중의 어느 한 항에 기재된 형광 램프에 있어서, 비발광물질막은, 그 막두께가 5∼20㎛ 인 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 비발광물질막의 바람직한 막두께를 규정하고 있다. 즉, 자외선반사 및 가시광투과를 양호하게 얻을 수 있고, 3파장 발광형 형광체의 사용량을 효과적으로 저감할 수 있다.
청구항 8의 발명의 형광 램프는, 청구항 1 내지 6중의 어느 한 항에 기재된 형광 램프에 있어서, 비발광물질막은, 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 비발광 물질입자에 대하여 평균입자지름 10∼100nm의 γ알루미나 미립자가 60질량% 이하의 범위내에서 혼합하여 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
γ알루미나 미립자가 1∼5질량%, 바람직하게는 1∼3질량%의 범위내이면, 평균입자지름 1㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자에 대한 반데르바알스(Van der waals) 힘에 의한 결착제로서 비발광물질막의 강도를 향상시키는 데에 효과적이고, 5∼60질량%, 적합하게는 10∼50질량%의 범위이면, 반사율을 높이는 데에 더욱 효과적이다.
청구항 9의 발명의 형광 램프는, 청구항 1 내지 6중의 어느 한 항에 기재된 형광 램프에 있어서, 비발광물질막은, 황산 바륨에 대한 파장 254nm에서의 반사율이 파장 780nm 에서의 반사율의 1.5배 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 비발광물질막의 자외선에 대한 반사율과 가시광에 대한 반사율의 바람직한 비를 규정하고 있다. 즉, 보호막의 자외선 반사율 및 가시광 반사율의 관계에 대하여 상기의 조건을 만족시킴에 따라, 형광체층에 반사되는 자외선의 양을 확실히 많게 하는 것이 가능해진다.
청구항 10의 발명의 형광 램프는, 청구항 1 내지 6중의 어느 한 항에 기재된 형광 램프에 있어서, 비발광물질막은, 파장 254nm 에서의 반사율이 황산 바륨의 그것에 대하여 60%이상이고, 파장 780nm 에서의 반사율이 황산 바륨의 그것에 대하여 60%이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 비발광물질막의 황산 바륨의 반사율을 기준으로 한 경우의 자외선에 대한 반사율과 가시광에 대한 반사율의 바람직한 비를 규정하고 있다. 또, 파장 254nm에서의 반사율은, 황산 바륨의 그것에 대하여 70% 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 의하면, 상기의 구성에 의해 형광체층에 반사되는 자외선의 양을 확실하게 많이 하는 것이 가능해진다.
청구항 11의 발명의 조명장치는, 조명장치본체와; 조명장치본체에 지지된 청구항 1 내지 6중의 어느 한 항에 기재된 형광 램프와; 형광 램프를 가압하는 점등장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, '조명장치'란, 형광 램프의 발광을 어떠한 목적으로 사용하는 모든 장치를 포함하는 넓은 개념이다. 조명장치를 예시하면, 조명기구, 직하식 백 라이트장치, 표시장치 및 신호등장치 등이다. 한편, 조명기구는, 가정용의 조명기구에 적합하지만, 이에 한정되는 것이 아니라, 점포용 조명기구, 오피스용 조명기구, 옥외용 조명기구 등에도 적응한다. 또한, '조명장치본체'란, 조명장치에서 형광 램프 및 점등회로를 제외한 나머지 부분을 말한다.
점등회로는, 형광 램프를 소정조건으로 점등하는 수단으로, 조명장치본체에 배치할 수 있다. 그러나, 필요하면, 점등장치 본체로부터 떨어져, 예를 들면 천정 뒷편 등에 배치할 수도 있다. 또한, 점등회로는, 코일 및 코어를 주체로 하는 자기누설 트랜스나 쵸크 코일, 고주파 인버터를 주체로 하는 전자화점등회로 등을 사용할 수 있다.
그렇게 해서, 본 발명의 조명장치는, 청구항 1 내지 6의 작용, 효과를 발휘한다.
[발명의 실시형태]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다.
도 1 내지 도 3은, 본 발명의 형광 램프의 제 1 실시형태로서의 직각 관형 형광 램프를 나타내고, 도 1은 일부절결정면도, 도 2는 관단부의 확대단면도, 도 3은 피로인산스트론튬의 전자현미경사진이다. 본 실시형태는, 청구항 1에 기재된 발명에 대응한다. 형광 램프는, 투광성 방전용기(1), 비발광물질막(2), 형광체층 (3), 한 쌍의 전극(4,4), 내부도입선(5), 외부도입선(6) 및 꼭지쇠(7)를 구비하고 있다.
투광성 방전용기(1)는, 벌브(1a), 한 쌍의 플레어 스템(1b,1b)으로 이루어지며, 양 끝단의 밀봉부를 형성하고 있다. 벌브(1a)는, 소다라임 유리로 이루어진다. 한 쌍의 플레어 스템(1b)은, 배기관(1b1) 및 플레어(1b2)를 구비하며, 한 쌍의 내부도입선(5) 및 외부도입선(6)을 봉입장착하고 있다. 배기관(1b1)은, 기단이 칩 오프되어 있음과 동시에, 선단이 투광성 방전용기(1)내에 연통하고 있다. 플레어(1b2)는, 벌브(1a)의 양 끝단에 밀봉되어 기밀의 투광성 방전용기(1)를 형성한다.
비발광물질막(2)은, 주로 피로인산스트론튬으로 이루어지는 평균입자지름 1㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되어 있다. 그리고, 투광성 방전용기(1)의 양 끝단부를 제외한 내면의 전체에 배치되어 있다. 피로인산스트론튬의 입자는, 도 3에 도시한 바와 같이, 그 입자형상이 막대형상 이형을 하고 있다. 또, 도 3은, 피로인산스트론튬을 5000배로 확대하여 나타내는 주사형 전자현미경사진이다.
형광체층(3)은, 3파장 발광형 형광체입자로 이루어지며, 투광성 방전용기(1)의 비발광물질막(2)의 내면에 밀착하여 배치되어 있다.
한 쌍의 전극(4,4)은, 모두 2중 코일형의 텅스텐선 필라멘트에 전자방사성물질을 도포하여 이루어지며, 후술하는 한 쌍의 내부도입선(5,5)의 선단부로 선이 이어지고 있다.
내부도입선(5) 및 외부도입선(6)은, 투광성 방전용기(1)의 플레어 스템(1b)의 내부에서 쥬메트선을 통해 접속하고, 플레어 스템(1b)에 대하여 기밀성을 유지하고 있다. 도 2에 나타내는 배기관(1b1)은, 투광성 방전용기(1)의 배기, 봉입후에 밀봉된다.
꼭지쇠(7)는, 알루미늄제의 캡형상 성형품(7a)에 한 쌍의 꼭지쇠 핀(7a,7a)을 절연관계로 지지하여 구비하고 있으며, 투광성 방전용기(1)의 양 끝단에 그 한 쌍이 장착되어 있다.
방전매체는, 수은 및 희가스로 이루어지며, 투광성 방전용기(1)내에 봉입하고 있다.
[실시예 1]
형광 램프는, FL20SS/18형으로, 투광성 방전용기(1)의 관지름 28mm, 관길이 580mm, 전체길이 595.5mm 이하이다.
투광성 방전용기(1); 바륨실리케이트 유리
비발광물질막; 막두께 10㎛, 평균입자지름 3㎛의 피로인산스트론튬
형광체층; 막두께 10㎛
적색발광형광체; Y2O3:Eu
녹색발광형광체; LaPO4:Ce,Tb
청색발광형광체; BaMg2Al16O27:Eu,Mn
방전매체; 액체수은 및 330 Pa의 압력으로 봉입된 아르곤 Ar
전광속; 막두께 20㎛의 형광체층을 구비하고, 비발광물질막이 없는 것 외에는 실시예와 같은 수단의 비교예 3에 대하여 98% 이었다.
다음에, 비발광물질막(2)의 막두께를 일정하게 하여 형광체층(3)의 막두께를 변화시킨 경우의 전광속의 변화와, 형광체층(3)의 막두께를 일정하게 하고 비발광물질막(2)의 막두께를 변화시킨 경우의 전광속의 변화에 대하여, 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 각 도면에 있어서, 세로축은 전광속(%)을 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 형광체층의 막두께를 변화시킨 경우의 전광속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도면에 있어서, 가로축은 형광체층의 막두께(㎛)를 나타낸다. 도면은, 비발광물질막(2)의 막두께를 17㎛로 일정하게 하여, 형광체층(3)의 막두께를 변화시킨 경우의 전광속을 측정한 것이다. 형광체층(3)의 막두께가 7㎛이상이면, 높은 전광속을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.
도 5는, 마찬가지로 비발광물질막의 막두께를 변화시킨 경우의 전광속의 관계를 나타내는 그래프이다. 도면에 있어서, 가로축은 비발광물질막의 막두께(㎛)를 나타낸다. 도면은, 형광체층(3)의 막두께를 10㎛로 일정하게 하여, 비발광물질막(2)의 막두께를 변화시켜 전광속을 측정한 것이다. 전광속은, 비발광물질막(2)의 막두께에 대하여 큰 변화는 없고, 5㎛ 이상이면, 비교적 높은 전광속을 얻을 수 있다고 추정할 수 있다.
다음에, 본 발명의 형광 램프의 제 2 실시형태에 대하여 설명한다. 본 실시형태는, 청구항 2의 발명에 대응한다. 형광 램프의 구조는, 비발광물질막(2)의 구성을 제외하면 도 1 및 도 2와 동일하다. 비발광물질막(2)은, 평균입자지름 3㎛의 피로인산스트론튬입자로 이루어지는 고반사율의 비발광 물질입자를 67질량%, 평균입자지름 10∼30nm의 γ알루미나 미립자를 33질량% 혼합시킨 것이고, 막두께는 약 10㎛이다.
본 실시형태의 형광 램프의 특성을 조사하기 위해서, 비교예 1 및 2와 비교를 하였다. 비교예 1은, 형광체층의 막두께가 20㎛으로서 비발광물질막을 구비하고 있지 않은 것 이외에는 제 2 실시형태와 동일구성이며, 비교예 2는, 형광체층의 막두께가 12㎛으로서 비발광 물질입자로서 α알루미나 입자를 사용하고 있는 것 이외에는 제 2 실시형태와 동일구성이다. 또, '벗겨짐'은 벌브 외관을 눈으로 관찰한 평가로써, '흑화'는 점등개시후, 1000시간 경과한 후의 벌브 외관의 눈으로 관찰한 평가로써 발생상황을 각각 판단하였다. 비교한 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1
자료 형광체부착량 전광속 벗겨짐 흑화
본 실시형태 1.4g 98% O O
비교예 1 2.0g 100% O O
비교예 2 1.6g 98% O ×
표 1로부터 이해할 수 있듯이, 본 실시형태의 형광 램프는, 전광속의 저하를 극력히 억제하면서 형광체의 사용량을 삭감하는 것이 가능하고, 비교예 2와 비교하여 형광 램프의 흑화의 발생을 억제하는 것이 가능해졌다. 비교예 2의 형광 램프에 발생한 흑화는, α알루미나입자의 평균입자지름이 1㎛ 미만이고, 흡수저장가스농도가 본 실시형태에 비해서 많고, 수은증기가 흡수저장가스와 반응하여 수은화합물이 되었기 때문이라고 생각된다.
도 6은, 본 발명의 형광 램프의 제 3 실시형태를 나타내는 주요부확대단면도이다. 본 실시형태는, 청구항 3의 발명에 대응한다. 도면에 있어서, 도 2와 동일부분에 대해서는 동일부호를 붙여 설명은 생략한다. 부호 (8)은, 자외선 흡수막을 나타낸다.
자외선 흡수막(8)은, 모두 평균입자지름 10∼100nm의 산화티타늄 TiO2 및 산화 세륨(CeO2)을 질량비로 각각 50% 함유한 막두께 1㎛의 막으로 이루어진다. 또한, 자외선 흡수막(8)은, 투광성 방전용기(1)와 비발광물질막(2)의 사이에 형성되어 있다. 또, 도면중, 부호 (9)는 투광성 도전막이다.
본 실시형태에 의하면, UV-A의 방사가 저감한다.
도 7 및 도 8은, 본 발명의 형광 램프의 제 4 실시형태로서의 고리형 형광 램프를 나타내고, 도 7은 일부절결정면도, 도 8은 유리 벌브의 굴곡가공전의 관 끝단부의 확대측면단면도이다. 각 도면에 있어서, 도 1 및 도 2와 동일부분에 대해서는 동일부호를 붙여 설명은 생략한다. 본 실시형태는, 청구항 4의 발명에 대응한다.
투광성 방전용기(1)의 양 끝단의 밀봉부에는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 굴곡가공전의 유리 벌브를 가열연화상태에서 금형을 사용하여 밀봉부를 성형함으로써 형성된 몰드부(1a1)가 형성되어 있다. 이 몰드부(1a1)는, 투광성 방전용기(1)를 비직관형상, 즉 본 실시형태의 경우에는 둥근 고리형상으로 정형할 때의 척 부로서 기여한다.
플레어 스템(1b)의 배기관(1b1)은, 투광성 방전용기(1)의 배기, 봉입후에 밀봉되어 있다. 이에 대하여, 투광성 방전용기(1)의 도시하지 않은 다른 끝단에 있어서의 배기관은, 투광성 방전용기(1)를 굴곡가공하기 이전에, 투광성 방전용기(1)의 내외에 압력차가 없는 상태일 때에 미리 봉하여 막고 있다.
비발광물질막(2)은, 이하에 나타내는 구성으로, 투광성 방전용기(1)의 내면에, 양 끝단의 밀봉부를 제외한 나머지의 부분의 거의 전체에 걸쳐 배치되어 있다. 즉, 보호막은, 고반사율의 비발광 물질입자로서 평균입자지름 약 5㎛의 피로인산스트론튬을 주체로 하여, 평균입자지름 10∼20nm의 γ알루미나를 결착제로서 약 1질량% 첨가한 구성으로, 그 막두께가 평균으로 약 10㎛이다.
형광체층(3)은, 3파장 발광형 형광체입자를 주성분으로 하여, 평균입자지름 10∼20nm의 γ알루미나를 결착제로서 약 1질량% 첨가한 구성으로, 그 막두께가 평균 약 10㎛에서, 비발광물질막(2)의 내면에 배치되어 있다.
꼭지쇠(7)는, 합성수지제의 2개의 나뉜 성형품으로 4개의 꼭지쇠 핀(7a)을 구비하여 이루어지는 구조이다. 그리고, 투광성 방전용기(1)의 양 끝단사이를 브릿지하고, 또한, 양측에서 투광성 방전용기(1)의 양 끝단의 몰드부(1a1)를 끼워지지함으로써, 투광성 방전용기(1)에 장착되어 있다.
투광성 방전용기(1)의 굴곡가공은, 이하의 요령으로 행하여진다. 즉, 직각 관형상의 유리 벌브의 내면에 비발광물질막(2) 및 형광체층(3)을 겹쳐 배치한 후, 유리 벌브의 양 끝단에 각각 전극(4)을 마운트한 한 쌍의 플레어 스템(1b)을 봉입장착하여 밀봉부를 형성하고, 다음에 밀봉부를 가열연화상태로 정형하여 몰드부 (1a1)를 형성하면서 직각 관형상의 투광성 방전용기(1)를 제작한다. 그 후, 투광성 방전용기(1)의 전체를 가열연화시키고 나서, 그 일끝단의 몰드부(1a1)를 척하여, 투광성 방전용기(1)를 수직하강시키고, 다른쪽의 몰드부(1a1)를 드럼형상의 형틀에 고정한다. 그리고, 형틀을 회전시키면서 투광성 방전용기(1)를 감아서 꺼내는 것에 의해, 투광성 방전용기(1)의 굴곡가공이 행하여지며, 투광성 방전용기(1)는, 고리형상으로 정형된다.
이상 설명한 실시형태의 구성으로, 비발광물질의 막두께를 변화시킨 형광 램프를 각각 50개 시험제작하여, 비교예와 함께 비발광물질막(2)의 벗겨짐과 크랙에 대하여 눈으로 검사한 결과를 표 2 및 표 3에 나타낸다. 또, 비교예는, 비발광물질막의 주성분이 고반사율의 비발광 물질입자가 평균입자지름 10∼20nm의 γ알루미나인 것 이외에는, 본 실시형태와 동일사양의 형광 램프이다. 또한, 각 표중의 각 기호의 의미는 이하와 같다. 표 3의 벗겨짐은, 소정의 강성을 가진 봉재(棒材)의 선단에서 비발광물질막을 긁어 낸 결과에 대하여 평가한 것이다.
기호 표 2 (크랙) 표 3(벗겨짐)
O 거의 없음 없음
△ 약간 눈에 띔 약간 불량
X 눈에 띔 불량
[표 2]
비발광물질막두께(㎛) 비교예(크랙) 본 발명(크랙)
0.1 O O
1.0 X O
3.0 X O
5.0 X O
10.0 X O
20.0 X △
[표 3]
비발광물질막두께(㎛) 비교예(크랙) 본 발명(크랙)
0.1 O O
1.0 O O
3.0 △ O
5.0 △ O
10.0 X O
20.0 X O
도 9는, 본 발명의 형광 램프의 제 5 실시형태를 나타내는 주요부확대단면도이다. 본 실시형태는, 청구항 5의 발명에 대응한다. 도면에 있어서, 도 2와 동일부분에 대해서는 동일부호를 붙이고 설명은 생략한다. 부호 (9)는, 투광성 도전막을 나타낸다.
투광성 도전막(9)은, 투명한 네사막으로 이루어지고, 투광성 방전용기(1)의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치되어 있다. 비발광물질막(2)은, 투광성 도전막(9)의 내면에 형성되어 있다.
본 실시형태의 40W형의 래피드 스타트형 형광 램프를 50개 시험제작하여, 비교예 1 및 비교예 2와 함께 EC흑화와 전광속에 대하여 조사한 결과, 본 실시형태의 래피드 스타트형 형광 램프에 EC흑화는 전혀 인정되지 않았다. 또한, 전광속은, 비발광물질막(2)이 없는 경우의 초기값과 동등하였다.
이에 대하여, 비교예 1은, 비발광물질막(2)의 주구성요소인 고반사율의 비발광 물질입자가 평균입자지름 10∼20 nm의 산화아연 및 산화티타늄인 것 이외에는, 본 실시형태와 동일수단의 래피드 스타트형 형광 램프이다. 비교예 1에 있어서는, EC흑화에 대해서는 양호했지만, 전광속이 비발광물질막(2)이 없는 경우의 초기값의 약 96%로 저감하고 있었다.
또한, 비교예 2는, 비발광물질막(2)의 주성분인 고반사율의 비발광 물질입자가 γ알루미나인 것 이외에는, 본 실시형태와 동일수단의 래피드 스타트형 형광 램프이다. 비교예 2는, 전광속은, 비발광물질막(2)이 없는 경우의 초기값과 동등하지만, EC 흑화가 생기기 쉬웠다.
다음에, 본 발명의 형광 램프의 제 6 실시형태에 대하여 설명한다. 본 실시형태는, 청구항 6의 발명에 대응한다. 형광 램프의 구조는, 비발광물질막(2)의 구성을 제외하면 도 9와 동일하다.
비발광물질막(2)은, 평균입자지름 4㎛의 피로인산스트론튬입자 및 평균입자지름 10∼100nm의 산화 마그네슘미립자로 이루어지고, 막두께가 10㎛이다. 산화마그네슘은, 피로인산스트론튬에 대하여 0.5질량%이고, 또한, 피로인산스트론튬입자의 표면에 피복되어 있다.
도 10은, 본 발명의 조명장치의 일실시형태로서의 천정 부착형 형광등기구를 나타내는 사시도이다. 도면에 있어서, (21)은 조명장치본체, (22)는 형광 램프, (23)은 방전 램프 점등장치이다.
조명장치본체(21)는, 내부에 방전 램프 점등장치(23)를 내장하여, 램프 소켓 (21a) 등을 구비하고 있다.
형광 램프(22)는, 방전 램프점등장치의 일부를 구성하고 있지만, 램프 소켓(21a)에 장착되는 것에 의해, 조명장치본체(21)에 지지되고 있다.
방전 램프 점등장치(23)는, 그 회로부분이 조명장치본체(21)내에 배치되어 있다.
청구항 1의 발명에 의하면, 투광성 방전용기와, 주로 피로인산스트론튬으로 이루어지는 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과, 3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과, 한 쌍의 전극과, 방전매체를 구비하고 있는 것에 의해, 비싼 3파장 발광형광체의 사용량을 저감함과 동시에, 전광속의 저하가 적은 형광 램프를 제공할 수가 있다.
청구항 2의 발명에 의하면, 덧붙여 비발광물질막이 주로 피로인산스트론튬으로 이루어지는 평균입자지름 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자 및 평균입자지름 10∼100nm의 γ알루미나 미립자에 의해 형성되어 있는 것에 의해, 자외선에 대한 높은 반사성을 나타냄과 동시에, 슬러리 및 얻어진 비발광물질막의 분산성이 양호한 형광 램프를 제공할 수가 있다.
청구항 3의 발명에 의하면, 또한 투광성 방전용기 및 비발광물질막의 사이에 자외선 흡수막을 배치한 것에 의해, UV-A의 방사량이 적은 형광 램프를 제공할 수가 있다.
청구항 4의 발명에 의하면, 또한 투광성 방전용기가 후술하는 비발광물질막 및 형광체층을 형성한 후의 굴곡가공에 의해 비직관형상으로 형성된 유리 벌브로 이루어지는 것에 의해, 비발광물질막에 벗겨짐이나 크랙이 생기기 어려운 형광 램프를 제공할 수가 있다.
청구항 5의 발명에 의하면, 덧붙여 투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치된 투광성 도전막을 구비하고 있는 것에 의해, EC흑화가 생기기 어려운 형광 램프를 제공할 수가 있다.
청구항 6의 발명에 의하면, 덧붙여 비발광물질막이 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자를 0.05∼10질량% 함유하고 있는 것에 의해, 시동전압이 저하하는 형광 램프를 제공할 수가 있다.
청구항 7의 발명에 의하면, 덧붙여 비발광물질막은, 그 막두께가 5∼20㎛인 것에 의해, 자외선반사 및 가시광투과를 양호하게 얻을 수 있어, 3파장 발광형 형광체의 사용량을 효과적으로 저감하는 형광 램프를 제공할 수 있다.
청구항 8의 발명에 의하면, 또한 비발광물질막은, 주로 피로인산스트론튬으로 이루어지는 비발광 물질입자에 대하여 평균입자지름 10∼100nm의 γ알루미나 미립자가 60질량% 이하의 범위내에서 혼합하여 형성하는 것에 의해, 결착제로서 비발광물질막의 강도를 향상시키는 데 효과적인, 또는 반사율을 높이는 데 효과적인 형광 램프를 제공할 수 있다.
청구항 9의 발명에 의하면, 또한 비발광물질막은, 황산 바륨에 대한 파장 254nm에서의 반사율이 파장 780nm 에서의 반사율의 1.5배 이상인 것에 의해, 형광체층에 반사되는 자외선의 양을 확실히 많게 하는 것이 가능한 형광 램프를 제공할 수 있다.
청구항 10의 발명에 의하면, 또한 비발광물질막은, 파장 254nm에서의 반사율이 황산 바륨의 그것에 대하여 60% 이상이고, 파장 780nm에서의 반사율이 황산 바륨의 그것에 대하여 60%이하이기 때문에, 형광체층에 반사되는 자외선의 양을 확실히 많게 하는 것이 가능한 형광 램프를 제공할 수가 있다.
청구항 11의 발명에 의하면, 조명장치본체와, 조명장치본체에 지지된 청구항 1 내지 6중의 어느 한 항에 기재된 형광 램프와, 형광 램프를 가압하는 점등장치를 구비하고 있는 것에 의해, 청구항 1 내지 6의 효과를 가진 조명장치를 제공할 수가 있다.
도 1은 본 발명의 형광 램프의 제 1 실시형태를 나타내는 일부절결정면도,
도 2는 마찬가지로 관 끝단부의 확대단면도
도 3은 마찬가지로 피로인산스트론튬의 전자현미경 사진 확대주요부측면단면도,
도 4는 본 발명의 형광 램프의 제 2 실시형태를 나타내는 확대주요부측면단면도 본 발명의 제 2 실시형태에 있어서의 형광체층의 막두께를 변화시킨 경우의 전광속의 관계를 나타내는 그래프,
도 5는 마찬가지로 비발광물질막의 막두께를 변화시킨 경우의 전광속의 관계를 나타내는 그래프,
도 6은 본 발명의 형광 램프의 제 3 실시형태를 나타내는 주요부확대단면도,
도 7은 본 발명의 형광 램프의 제 4 실시형태로서의 고리형 형광 램프를 나타내는 일부절결정면도,
도 8은 마찬가지로 유리 벌브의 굴곡가공전의 관 끝단부의 확대측면단면도,
도 9는 본 발명의 형광 램프의 제 5 실시형태를 나타내는 주요부확대단면도,
도 10은 본 발명의 조명장치의 일실시형태로서의 천정부착형 형광등기구를 나타내는 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 투광성 방전용기 1a : 벌브
1b : 플레어 스템 1b1 : 배기관
1b2 : 플레어 2 : 비발광물질막
3 : 형광체층 4 : 전극
5 : 내부도입선 6 : 외부도입선
Claims (11)
- 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와;주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름이 1.O㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과;3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되어, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과;투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과;투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 고리형상 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와;주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름 1.O㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자 및 평균입자지름 10∼100nm의 γ알루미나 미립자에 의해 형성되고, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과;3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과;투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와;투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 자외선 흡수막과;주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 방전용기의 자외선 흡수막의 내면측에 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과;3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과;투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과; 투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 가열에 의해서 연화되어, 굴곡가공에 의해 비직관형상으로 형성된 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와;주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 굴곡가공전의 유리 벌브내면에 형성되어, 투광성 방전용기의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 3∼25㎛의 비발광물질막과;3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되어, 유리 벌브의 굴곡가공전에 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과;투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과;투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와;투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치된 투광성 도전막과;주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 투광성 도전막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께3∼25㎛의 비발광물질막과;3파장 발광형 형광체입자를 주체로 하여 구성되고, 비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 막두께 30㎛ 이하의 형광체층과;투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과;투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 유리 벌브로 이루어지는 투광성 방전용기와 ;투광성 방전용기의 내면의 거의 전체에 걸쳐 배치된 투광성 도전막과;주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 평균입자지름이 1.0㎛ 이상의 고반사율의 비발광 물질입자를 포함하여 형성되고, 또한, 알칼리금속산화물 및 알칼리토류금속산화물의 적어도 일종의 미립자를 0.05∼10질량% 함유하여 투광성 도전막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 형성된 막두께3∼25㎛의 비발광물질막과;비발광물질막의 내면측의 거의 전체에 걸쳐 배치된 형광체층과;투광성 방전용기의 내부에 방전을 일으키도록 배치된 한 쌍의 전극과;투광성 방전용기의 내부에 봉입된 방전매체를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 제 1 항 내지 제 6 항중의 어느 한 항에 있어서, 비발광물질막은, 그 막두께가 5∼20㎛인 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 제 1 항 내지 제 6 항중의 어느 한 항에 있어서, 비발광물질막은, 주로 피로인산스트론튬(Sr2P2O7)으로 이루어지는 비발광 물질입자에 대하여 평균입자지름 10∼100nm의 γ알루미나 미립자가 60질량%이하의 범위내에서 혼합하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 제 1 항 내지 제 6 항중의 어느 한 항에 있어서, 비발광물질막은, 황산 바륨에 대한 파장 254nm에서의 반사율이 파장 780nm에서의 반사율의 1.5배 이상인 것을 특징으로 하는 형광램프.
- 제 1 항 내지 제 6 항중의 어느 한 항에 있어서, 비발광물질막은, 파장 254nm에서의 반사율이 황산 바륨의 그것에 대하여 60%이상이고, 파장 780nm에서의 반사율이 황산바륨의 그것에 대하여 60% 이하인 것을 특징으로 하는 형광 램프.
- 조명장치본체와 ;조명장치본체에 지지된 제 1 항 내지 제 6 항중의 어느 한 항에 기재된 형광램프와,형광 램프를 가압하는 점등장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 조명장치.
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