KR100475468B1 - Electric contact element for testing electro device - Google Patents

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KR100475468B1 KR10-2002-0068402A KR20020068402A KR100475468B1 KR 100475468 B1 KR100475468 B1 KR 100475468B1 KR 20020068402 A KR20020068402 A KR 20020068402A KR 100475468 B1 KR100475468 B1 KR 100475468B1
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Abstract

본 발명은 전자소자 검사용 전기적 접촉체에 관한 것으로서, 본 발명은 희생기판 전면에 소정두께의 제 1 감광막을 형성하고, 패터닝하여 팁부가 형성될 영역을 개방시키기 위한 제 1 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제 1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 희생기판상에 팁부가 형성될 트렌치를 형성하고, 상기 감광막 패턴을 애싱(Ashing)에 의해서 제거한 후 트렌치를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부를 형성하기 위한 제 2 감광막 패턴을 형성하고, 상기 제 2 감광막 패턴이 형성된 희생기판상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금방식을 이용하여 빔부 및 팁부를 형성하기 위한 도전성 물질을 소정두께로 형성하여 제 2 감광막 패턴의 개방 부위를 매립한 후 상기 희생기판 상면을 평탄화하고, 상기 제 3 감광막 패턴 및 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 빔부 및 암레스트를 형성하고, 전기 구성체의 터미널에 소정크기의 범프(Bump)을 포함하는 포스트부를 형성하고, 상기 포스트부와 희생기판상에 상기 암레스트 반대측 빔부 단부를 연결수단을 이용하여 연결하고, 상기 희생기판을 습식식각 방식을 이용하여 제거시켜 상기 암레스트가 빔부에 구비된 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an electrical contact for inspecting an electronic device, the present invention is to form a first photoresist film of a predetermined thickness on the entire surface of the sacrificial substrate, patterning to form a first photoresist pattern for opening the region where the tip portion is to be formed, A trench having a tip portion formed on a sacrificial substrate using the first photoresist pattern as an etch mask, removing the photoresist pattern by ashing, and then forming a zigzag beam having one or more bent portions including a trench Conductive to form a second photoresist pattern for forming a part, and to form a beam part and a tip part by using a chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD) or plating method on a sacrificial substrate on which the second photoresist pattern is formed A material is formed to a predetermined thickness to fill the open portion of the second photoresist pattern, and then the top surface of the sacrificial substrate is formed. Carbonizing, removing the third photoresist pattern and the second photoresist pattern to form a beam part and an armrest, forming a post part including a bump of a predetermined size in a terminal of the electrical component, and sacrificing the post part An end portion of the beam portion opposite to the armrest is connected to the substrate using a connecting means, and the sacrificial substrate is removed by a wet etching method.

Description

전자소자 검사용 전기적 접촉체{Electric contact element for testing electro device} Electric contact element for testing electro device

본 발명은 전자소자 검사용 전기적 접촉체에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 암레스트를 이용하여 전기적 접촉체의 물리력(F)을 배가시켜 전자소자의 정상유무를 전기적으로 테스트할 수 있도록 하기 위한 전자소자 검사용 전기적 접촉체에 관한 것이다. The present invention relates to an electrical contact for inspecting an electronic device, and more particularly, to double the physical force (F) of the electrical contact by using an armrest, and to enable the electronic device to be electrically tested for the normal existence of the electronic device. An electrical contact for device inspection.

통상, 반도체 칩(Chip)은 산화공정, 확산공정, 이온주입공정, 식각공정 및 금속공정 등의 일련의 반도체 제조공정을 수행함으로써 반도체기판 상에 구현되고, 상기 반도체기판 상에 구현된 칩은 EDS(Electrical Die Sorting)를 통해서 정상 및 불량 칩으로 선별되어 정상 칩만이 슬라이싱(Slicing) 패키징(Packaging)된다. In general, a semiconductor chip is implemented on a semiconductor substrate by performing a series of semiconductor manufacturing processes such as an oxidation process, a diffusion process, an ion implantation process, an etching process, and a metal process, and the chip implemented on the semiconductor substrate is an EDS. The chips are sorted into normal and bad chips through electrical die sorting, and only the normal chips are sliced and packaged.

이때, 상기 EDS는 프로브카드(Probe Card) 등의 전기적 접촉체를 칩의 패드에 접촉시켜 전기적 신호를 인가함으로써 인가 전기신호에 대응하는 응답 전기신호를 디텍션(Detection)하여 칩의 정상 및 비정상 유무를 확인하는 공정이다. In this case, the EDS contacts an electrical contact such as a probe card to a pad of a chip to apply an electrical signal to detect a response electrical signal corresponding to an applied electrical signal, thereby detecting whether the chip is normal or abnormal. It is a process to confirm.

또한, LCD(Liquid Crystal Display) 등의 평판디스플레이(Flat Pannel Display)소자 역시 일련의 평판디스플레이소자 제조공정의 수행에 의해서 제조된 평판디스플레이소자 소정부에 전기적 접촉체를 접촉시켜 전기신호를 인가함으로써 인가 전기신호에 대응하는 응답 전기신호를 디텍션하여 LCD 패널의 정상 및 비정상 유무를 확인하고 있다. In addition, a flat panel display device such as an LCD (Liquid Crystal Display) is also applied by applying an electrical signal by contacting an electrical contact with a predetermined portion of the flat panel display device manufactured by performing a series of flat display device manufacturing processes. By detecting the response electric signal corresponding to the electric signal, the LCD panel is checked whether it is normal or abnormal.

이와 같이 반도체 칩 또는 LCD 등의 평판디스플레이의 정상유무를 테스트하는 종래의 전기적 접촉체는, 최근에 1GDRAM 등으로 고집적화된 반도체소자의 파인 피치(Fine Pitch) 간격에 대응이 가능하여야 하고, 고주파 대역에서의 사용이 가능하여 신호대 응답속도가 빨라야 하고, 반복적인 접촉에 의해서도 마모되지 않는 소정의 강도를 유지하여야 하고, 소정의 접촉 저항을 유지하여 전기 전도성이 뛰어나야 하고, 충분한 OD(Over Drive)가 확보되도록 연구개발이 진행중에 있다. As described above, the conventional electrical contactor that tests the normality of the flat panel display such as the semiconductor chip or the LCD should be able to cope with the fine pitch interval of the semiconductor device, which has recently been highly integrated with 1GDRAM and the like. It should be possible to use the signal to be fast response time of the signal, to maintain a certain strength not to be worn by repeated contact, to maintain a predetermined contact resistance to excellent electrical conductivity, to ensure sufficient OD (Over Drive) R & D is in progress.

특히, 상기 전기적 접촉체는 고집적화된 반도체소자와 반복적으로 접촉하는 과정에 파티클(Particle)이 발생되는 것이 최대한 억제되어야 할 것이며, 전기 전도성이 뛰어나야 할 것이며, 복수의 전기적 접촉체의 팁부가 패드에 일괄 접촉될 수 있도록 충분한 OD(Over Drive)를 확보할 수 있도록 연구개발이 진행 중에 있다. In particular, the electrical contact should be suppressed to the maximum generation of particles (Particles) in the process of repeatedly contacting the highly integrated semiconductor device, it should be excellent in electrical conductivity, the tip portion of the plurality of electrical contacts collectively on the pad Research and development is underway to ensure sufficient OD (Over Drive) to be contacted.

이와 같은 종래의 전기적 접촉체는, 도1에 도시된 바와 같이 소정의 회로패턴이 구현된 PCB(Printed Circuit Board) 등의 전기 구성체(Electronic component : 10)의 터미널(Terminal)과 포스트부(Post portion ; 12)가 연결되고, 상기 포스트부(12)와 빔부(Beam portion : 14)가 연결되고, 상기 빔부(14)와 팁부(Tip portion : 16)가 일체로 연결되어 있다. As shown in FIG. 1, the conventional electrical contact includes a terminal and a post portion of an electronic component 10 such as a printed circuit board (PCB) in which a predetermined circuit pattern is implemented. 12 is connected, the post portion 12 and the beam portion 14 are connected, and the beam portion 14 and the tip portion 16 are integrally connected.

이때, 상기 포스트부(12), 빔부(14) 및 팁부(16)가 개별적으로 구비되어 접착수단에 의해서 서로 연결될 수 있고, 상기 빔부(14)는 폭이 일정한 바(Bar) 형상으로 이루어진다. At this time, the post portion 12, the beam portion 14 and the tip portion 16 may be provided separately and connected to each other by the bonding means, the beam portion 14 is formed in a bar shape of a constant width (Bar).

특히, 상기 팁부(16)는 모서리가 각이지고 단부가 뾰족한 피라밋 형상으로 이루어진다. In particular, the tip portion 16 is formed in a pyramid shape with an angled edge and a pointed end.

따라서, 상기 전기적 접촉체의 팁부(16)는 일정 OD를 가지고 일정 물리력(F)으로 반도체 칩의 패드와 반복적으로 접촉하면서 반도체 칩에 일정 전기적 신호를 인가하여 반도체 칩의 정상 유무를 테스트한다. Accordingly, the tip portion 16 of the electrical contact body has a constant OD and repeatedly contacts the pad of the semiconductor chip with a constant physical force F to apply a predetermined electrical signal to the semiconductor chip to test whether the semiconductor chip is normal.

그러나, 종래의 전자소자 검사장치의 팁부는 일정 OD를 확보하여 반도체 칩의 패드 상에 형성된 산화막을 뚫을 수 있을 정도의 일정 물리력(F)의 증가가 필요하나 이를 배가시키기에는 전기적 접촉체의 여러 여건상 문제점이 있다.However, the tip portion of the conventional electronic device inspection device needs to increase the constant physical force (F) enough to secure the constant OD to penetrate the oxide film formed on the pad of the semiconductor chip. There is a problem.

보다 상세히 설명하면, 상기 일정 물리력(F)을 배가시키기 위하여는 빔부의 길이을 짧게 형성하여야 하나 빔부의 길이가 짧아지면, 일정 OD를 확보하기가 어려운 점이 있으며, 빔부에 국부적으로 과다 스트레스가 가해져 빔부가 부러지는 문제점이 있다. In more detail, in order to double the constant physical force (F), the length of the beam portion should be formed short, but if the length of the beam portion is short, it is difficult to secure a constant OD, and the beam portion is locally excessively stressed. There is a problem that is broken.

그리고, 상기 빔부는 소정의 탄성력이 요구되나 빔부의 길이가 짧아짐으로써 빔부의 탄성력이 떨어지는 문제점이 있다. In addition, although the beam portion requires a predetermined elastic force, there is a problem in that the elastic force of the beam portion is lowered because the length of the beam portion is shortened.

본 발명의 목적은, 암레스트를 이용하여 전기적 접촉체의 물리력(F)을 배가시켜 전자소자의 정상유무를 전기적으로 테스트할 수 있는 전자소자 검사용 전기적 접촉체를 제공하는 데 있다. It is an object of the present invention to provide an electrical contact for electronic device inspection that can electrically test the presence or absence of an electronic device by doubling the physical force (F) of the electrical contact using the armrest.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 전면에 소정두께의 제 1 감광막이 형성된 희생기판; 상기 제 1 감광막에 패터닝하여 팁부를 형성시키기 위한 개방부; 상기 제 1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 팁부를 형성시키고, 희생기판상에 형성된 감광막 패턴이 애싱(Ashing)에 의해서 제거되고 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부를 형성시키기 위한 트렌치; 제 2 감광막 패턴이 형성된 희생기판상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금방식을 이용하여 도포된 빔부 및 팁부 용 도전성 물질을 소정두께로 형성하여 제 2 감광막 패턴의 개방 부위를 매립한 후 상기 희생기판 상면을 평탄화하고, 상기 제 3 감광막 패턴 및 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 형성된 상기 트렌치를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부 및 암레스트; 전기 구성체의 터미널에 소정크기의 범프(Bump)를 포함하여 형성된 포스트부; 및 상기 포스트부와 희생기판상에 상기 암레스트 반대측 빔부 단부를 연결하는 연결수단을 포함하여 구성되되, 상기 암레스트가, 상기 희생기판이 습식식각 방식에 의해 제거될 때 상기 빔부에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.One embodiment of the present invention for achieving the above object is a sacrificial substrate formed with a first photosensitive film having a predetermined thickness on the front; An opening for patterning the first photoresist to form a tip; Forming a tip portion using the first photoresist pattern as an etch mask, and removing the photoresist pattern formed on the sacrificial substrate by ashing and forming a tip portion rounded by one or more N (natural water) order anisotropic etching. Trench for; Open portions of the second photoresist pattern by forming conductive materials for the beam part and the tip part, which are applied by using a chemical vapor deposition (CVD), a physical vapor deposition (PVD), or a plating method, on a sacrificial substrate having the second photoresist pattern formed thereon. A beam portion and an armrest having a zigzag shape having one or more bent portions including the trench formed by filling the upper surface of the sacrificial substrate after removing the third photoresist pattern and the second photoresist pattern; A post portion including a bump of a predetermined size in a terminal of the electrical component; And connecting means for connecting an end portion of the beam portion opposite to the armrest on the post portion and the sacrificial substrate, wherein the armrest is formed in the beam portion when the sacrificial substrate is removed by a wet etching method. As an electrical contact for inspecting an electronic device, the above-mentioned problem is solved.

또한, 본 발명의 다른 실시예는, In addition, another embodiment of the present invention,

전면에 소정두께의 제 1 감광막이 형성된 희생기판; 상기 제 1 감광막에 패터닝하여 팁부를 형성시키기 위한 개방부; 상기 제 1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 팁부를 형성시키고, 상기 희생기판 상에 형성된 상기 제 1 감광막 패턴이 애싱(Ashing)에 의해서 제거되고 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부를 형성시키기 위한 트렌치; 제 2 감광막 패턴이 형성된 희생기판상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금방식을 이용하여 도포된 빔부 및 팁부 용 도전성 물질을 소정두께로 형성하여 상기 제 2 감광막 패턴의 개방 부위를 매립한 후 상기 희생기판 상면을 평탄화하고, 제 3 감광막 패턴 및 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 형성된 상기 트렌치를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부 및 암레스트; 전기 구성체의 터미널에 소정크기의 범프(Bump)를 포함하여 형성된 포스트부; 상기 포스트부와 희생기판상에 형성된 상기 암레스트 반대측 빔부 단부를 연결하는 연결수단; 및 상기 희생기판이 습식식각 방식에 의해 제거되면 상기 빔부에 형성되는 팁부를 포함하여 구성되되, 상기 암레스트가, 상기 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부의 상기 절곡부 중의 어느 하나와 대응하는 상기 절곡부와 대응하는 위치의 상기 전기구성체 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.A sacrificial substrate having a first photoresist film of a predetermined thickness formed on a front surface thereof; An opening for patterning the first photoresist to form a tip; A tip portion is formed using the first photoresist pattern as an etch mask, and the first photoresist pattern formed on the sacrificial substrate is removed by ashing and is rounded by one or more N (natural number) order anisotropic etching. Trenches for forming tip portions; Opening the second photoresist pattern by forming a conductive material for a beam part and a tip part coated by using a chemical vapor deposition (CVD), a physical vapor deposition (PVD) or a plating method on a sacrificial substrate having a second photoresist pattern formed thereon. A beam portion and an armrest having a zigzag shape having at least one bent portion including the trench formed by filling the portion and then planarizing the top surface of the sacrificial substrate and removing the third photoresist pattern and the second photoresist pattern; A post portion including a bump of a predetermined size in a terminal of the electrical component; Connecting means for connecting an end portion of the beam portion opposite to the armrest formed on the post portion and the sacrificial substrate; And a tip part formed on the beam part when the sacrificial substrate is removed by a wet etching method, wherein the armrest corresponds to the bent part corresponding to any one of the bent parts of the beam part formed in the zigzag shape. An electrical contact for an electronic device inspection, which is formed on the electrical structure at a position to solve the above problem.

또한, 본 발명의 또다른 실시예는, 전면에 소정두께의 제 1 감광막이 형성된 희생기판; 상기 제 1 감광막에 패터닝하여 팁부를 형성시키기 위한 개방부; 상기 제 1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 팁부를 형성시키고, 상기 희생기판 상에 상기 제 1 감광막 패턴이 애싱(Ashing)에 의해서 제거되고 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부를 형성시키기 위한 트렌치; 제 2 감광막 패턴이 형성된 희생기판상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금방식을 이용하여 도포된 빔부 및 팁부 용 도전성 물질을 소정두께로 형성하여 상기 제 2 감광막 패턴의 개방 부위를 매립한 후 상기 희생기판 상면을 평탄화하고, 제 3 감광막 패턴 및 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 형성된 상기 트렌치를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부 및 암레스트; 전기 구성체의 터미널에 소정크기의 범프(Bump)를 포함하여 형성된 포스트부; 및 상기 포스트부와 희생기판상에 형성된 상기 암레스트 반대측 빔부 단부를 연결하는 연결수단을 포함하여 구성되며, 상기 희생기판이 습식식각 방식에 의해 제거되면 상기 빔부에 암레스트 및 팁부가 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.In addition, another embodiment of the present invention, a sacrificial substrate formed on the front surface of the first photosensitive film having a predetermined thickness; An opening for patterning the first photoresist to form a tip; A tip portion is formed using the first photoresist pattern as an etch mask, and the first photoresist pattern is removed by ashing on the sacrificial substrate and is rounded by one or more N (natural water) order anisotropic etching Trenches for forming portions; Opening the second photoresist pattern by forming a conductive material for a beam part and a tip part coated by using a chemical vapor deposition (CVD), a physical vapor deposition (PVD) or a plating method on a sacrificial substrate having a second photoresist pattern formed thereon. A beam portion and an armrest having a zigzag shape having at least one bent portion including the trench formed by filling the portion and then planarizing the top surface of the sacrificial substrate and removing the third photoresist pattern and the second photoresist pattern; A post portion including a bump of a predetermined size in a terminal of the electrical component; And a connecting means connecting the post portion and the end portion of the beam portion opposite to the armrest formed on the sacrificial substrate, and the armrest and the tip portion are formed in the beam portion when the sacrificial substrate is removed by a wet etching method. As an electrical contact for inspecting an electronic device, the above-mentioned problem is solved.

여기서, 상기 암레스트의 외측면에는, 절연성 물질에 의해 코팅막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.Here, the above-mentioned problem is solved as an electrical contact body for an electronic device inspection, wherein a coating film is formed on an outer surface of the armrest by an insulating material.

여기서, 상기 절연성 물질은, 폴리이미드(Polyimide) 또는 파릴렌(Parylene)인 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.Here, the insulating material is an electrical contact for electronic device inspection, characterized in that the polyimide (Polyimide) or parylene (Parylene), to solve the above problems.

이때, 상기 연결수단은 솔더링(Soldiring) 또는 브레이징(Brazing) 또는 도금 또는 도전성 접착제 중 하나 인 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.At this time, the connecting means is an electrical contact for electronic device inspection, characterized in that one of soldering (Soldiring) or brazing (Brazing) or plating or conductive adhesive, solving the above problems.

그리고, 상기 빔부에 하나 이상의 절곡부가 형성되어 있는 경우, 상기 암레스트가, 상기 절곡부 중의 임의의 절곡부와 상기 절곡부에 대응하는 전기구성체 상면 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다. And when the at least one bent portion is formed in the beam portion, the armrest is formed between an arbitrary bent portion of the bent portion and an upper surface of the electrical component corresponding to the bent portion. As an electrical contact body, the above-mentioned subject is solved.

또한, 상기 암레스트가, 상기 팁부 반대측면의 형성된 빔부에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.In addition, the above-described problem is solved by the armrest, which is formed in the beam portion formed on the opposite side of the tip portion.

또한, 상기 각각의 암레스트가, 서로 마주보도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.In addition, the above-mentioned problems are solved as the electrical contact body for an electronic device inspection, wherein the respective armrests are formed to face each other.

또한, 상기 암레스트가, 상기 팁부와 가장 인접하는 상기 빔부의 절곡부와 상기 전기 구성체 상면 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체로서, 상술한 과제를 해결한다.In addition, the armrest is formed between the bent portion of the beam portion closest to the tip portion and the upper surface of the electrical component, an electrical contact for an electronic device inspection, the above-mentioned problem is solved.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전기적 접촉체를 설명하기 위한 단면도이고, 도2b는 사시도이다. 2A is a cross-sectional view illustrating an electrical contact body according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a perspective view.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자소자 검사장치는, 도2a 및 도2b에 도시된 바와 같이 소정의 회로패턴이 구현된 PCB 등의 전기 구성체(20)의 터미널과 소정크기의 범프 등으로 이루어지는 포스트부(22)가 연결되고, 상기 포스트부(22)와 단부에 팁부(26)가 구비된 빔부(24)가 솔더링(Soldiring), 브레이징(Brazing), 도금 및 도전성 접착제 등의 방법에 의한 연결수단(28)에 의해서 연결되어 있다. Electronic device inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention, as shown in Figs. 2a and 2b is made of a terminal and the bump of a predetermined size, such as a PCB having a predetermined circuit pattern is implemented The post part 22 is connected, and the beam part 24 having the tip part 26 at the post part 22 and the end part is connected by soldering, brazing, plating, and conductive adhesive. It is connected by means 28.

이때, 상기 빔부(24)는 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지고, 상기 팁부(26)와 가장 인접하는 빔부(24)의 절곡부의 하측면 즉, 팁부(26) 반대측면에 본 발명에 따른 암레스트(Arm rest :32)가 구비된다. At this time, the beam portion 24 is formed in a zigzag shape having one or more bent portions, the lower side of the bent portion of the beam portion 24 adjacent to the tip portion 26, that is, the opposite side of the tip portion 26 according to the present invention An arm rest 32 is provided.

그리고, 상기 암레스트(32) 외부 표면에는 전기 구성체(20)와의 접촉에 의해서 정전기가 발생하는 것을 방지하기 위하여 폴리마이드(Polymide) 및 파릴렌(Parylene) 등의 절연성 코팅막(Coating layer : 34)이 더 형성되어 있다.The outer surface of the armrest 32 has an insulating coating layer 34 such as polymide and parylene, in order to prevent static electricity from being generated by contact with the electrical component 20. It is formed more.

이하, 도5a 내지 도5f를 참조하여 본 발명에 따른 전자소자 검사장치의 빔부에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the beam unit of the electronic device inspection apparatus according to the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 5A to 5F.

본 발명에 따른 전자소자 검사장치의 빔부(24)는, 도5a에 도시된 바와 같이 소정길이의 바형상의 제 1 단(100), 제 2 단(102) 및 제 3 단(104)이 소정각도로 절곡되어 2개의 절곡부가 형성된 지그재그 형상으로 이루어질 수 있다. As shown in FIG. 5A, the beam part 24 of the electronic device inspection apparatus according to the present invention has a predetermined length of a bar-shaped first end 100, a second end 102, and a third end 104. It may be bent at an angle and may have a zigzag shape in which two bent portions are formed.

이때, 상기 제 2 단(102) 및 제 3 단(104) 사이의 빔부의 절곡부 하측면에 암레스트(106)가 구비되고, 상기 제 3 단(104) 단부에 팁부(108)가 구비된다. In this case, the armrest 106 is provided on the lower side of the bent portion of the beam portion between the second end 102 and the third end 104, and the tip 108 is provided at the end of the third end 104. .

그리고, 본 발명에 따른 전자소자 검사장치의 빔부(24)는, 도5b 내지 도5f에 도시된 바와 같이 바형상의 제 1 단(110, 120, 130, 140, 150), 제 2 단(112, 122, 132, 142, 152), 제 3 단(114, 124, 134, 144, 154) 및 제 4 단(116, 126, 136, 146, 156)이 소정각도로 절곡되어 3개의 절곡부가 형성된 지그재그 형상으로 이루어질 수 있다. In addition, the beam part 24 of the electronic device inspection apparatus according to the present invention includes the bar-shaped first stages 110, 120, 130, 140, and 150, and the second stage 112, as shown in FIGS. 5B to 5F. , 122, 132, 142, 152, the third stage 114, 124, 134, 144, 154 and the fourth stage 116, 126, 136, 146, 156 are bent at a predetermined angle to form three bends It may be made in a zigzag shape.

이때, 상기 제 2 단(112, 122, 132, 142, 152) 및 제 3 단(114, 124, 134, 144, 154) 사이의 빔부의 절곡부 하측면에 암레스트(118, 128, 138, 148, 158)가 구비되고, 상기 제 4 단(116, 126, 136, 146, 156) 단부에 팁부(119, 129, 139, 149, 159)가 구비된다. At this time, the armrest 118, 128, 138, on the lower side of the bent portion of the beam portion between the second stage 112, 122, 132, 142, 152 and the third stage 114, 124, 134, 144, 154. 148, 158 are provided, and tip portions 119, 129, 139, 149, and 159 are provided at the ends of the fourth ends 116, 126, 136, 146, and 156.

이때, 상기 빔부(24)는 도5f에 도시된 바와 같이 포스트부 방향에서 팁부(159) 방향으로 갈수록 그 폭을 축소함으로써 고집적화된 반도체소자의 파인피치(Fine pitch)에 적극 대응하도록 할 수 있다. In this case, as shown in FIG. 5F, the beam part 24 may be reduced in width from the post part direction toward the tip part 159 to actively correspond to the fine pitch of the highly integrated semiconductor device.

즉, 빔부(24)의 폭이 제 1 단(150)에서 제 4 단(156)으로 갈수록 감소함으로써 방사형으로 팁부(159)가 형성된 빔부(24)를 서로 이웃하여 배치하여 반도체소자의 패드 등에 접촉시킬 수 있도록 함으로써 고집적화된 반도체소자의 파인피치에 용이하게 대응할 수 있다. That is, the width of the beam part 24 decreases from the first end 150 to the fourth end 156 so that the beam parts 24 having the tip parts 159 radially arranged next to each other are placed in contact with pads of the semiconductor element. It is possible to easily cope with the fine pitch of the highly integrated semiconductor device.

따라서, 상기 전자소자 검사장치의 팁부(26)는 일정 OD를 가지고 일정 물리력(F)으로 반도체 칩의 패드 상에 형성된 산화막을 뚫고 칩의 패드와 접촉하면서 일정 전기적 신호를 인가하여 반도체 칩의 정상 유무를 테스트한다.Therefore, the tip portion 26 of the electronic device inspection device has a constant OD and penetrates an oxide film formed on the pad of the semiconductor chip with a constant physical force (F) and contacts a pad of the chip to apply a predetermined electrical signal to the semiconductor chip. Test

이때, 상기 빔부(24)는 소정의 물리력(F)에 의해서 휘게 됨으로써 팁부(26)와 반도체 칩의 패드가 접촉하게 되고, 상기 빔부(24) 하측면의 암레스트(30)와 전기 구성체(20) 상면이 접촉하게 된다.At this time, the beam portion 24 is bent by a predetermined physical force (F), the tip portion 26 and the pad of the semiconductor chip contact, the armrest 30 and the electrical structure 20 of the lower side of the beam portion 24. ) The upper surface comes into contact.

그리고, 상기 팁부(26)와 반도체 칩의 패드가 접촉할 때, 상기 빔부(24)가 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지고 빔부의 하측면에 암레스트(30)가 구비됨으로써 토션현상이 발생하게 되고, 상기 토션현상에 의해서 반도체 칩에 가해지는 팁부(26)의 가압력이 배가되어 용이하게 반도체 칩의 패드 상에 형성된 산화막을 뚫고 접촉하게 된다.When the tip portion 26 and the pad of the semiconductor chip contact each other, the torsion phenomenon occurs because the beam portion 24 has a zigzag shape having one or more bent portions, and the armrest 30 is provided on the lower side of the beam portion. As a result of the torsion phenomenon, the pressing force of the tip portion 26 applied to the semiconductor chip is doubled, thereby easily contacting through the oxide film formed on the pad of the semiconductor chip.

도3a는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전자소자 검사장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도3b는 사시도이다. 3A is a cross-sectional view illustrating an electronic device inspection apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a perspective view.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 전자소자 검사장치는, 도3a 및 도3b에 도시된 바와 같이 빔부(44)의 형상 등은 제 1 실시예와 동일하고, 상기 제 1 실시예와 상이하게 암레스트(50)가 팁부(46)와 가장 인접하는 빔부(44)의 절곡부와 대응하는 위치의 전기 구성체(40) 상에 구비되는 것에 특징이 있다.In the electronic device inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 3A and 3B, the shape of the beam part 44 is the same as that of the first embodiment, and the arm is different from that of the first embodiment. The rest 50 is characterized in that it is provided on the electrical component 40 at a position corresponding to the bent portion of the beam portion 44 closest to the tip portion 46.

이때, 상기 암레스트(50)의 외부 표면에는 빔부(44)와의 접촉에 의해서 정전기가 발생하는 것을 방지하기 위하여 폴리마이드(Polymide) 및 파릴렌(Parylene) 등의 절연성 코팅막(Coating layer : 52)이 형성되어 있다.At this time, the outer surface of the armrest 50 is an insulating coating film (Coating layer: 52) such as polymide (Polymide) and parylene (Parylene) in order to prevent the static electricity generated by contact with the beam portion 44 Formed.

따라서, 상기 전자소자 검사장치의 팁부(46)는 일정 OD를 가지고 일정 물리력(F)으로 반도체 칩의 패드 상에 형성된 산화막을 뚫고 칩의 패드와 접촉하면서 일정 전기적 신호를 인가하여 반도체 칩의 정상 유무를 테스트한다.Accordingly, the tip portion 46 of the electronic device inspection device has a constant OD and a predetermined physical force (F) to penetrate the oxide film formed on the pad of the semiconductor chip and apply a predetermined electrical signal while contacting the pad of the chip so that the semiconductor chip is normally present. Test

이때, 상기 빔부(44)는 소정의 물리력(F)에 의해서 휘게 됨으로써 팁부(46)와 반도체 칩의 패드가 접촉하게 되고, 상기 빔부(44)의 하측면과 전기 구성체(40) 상의 암레스트(50)가 접촉하게 된다.At this time, the beam portion 44 is bent by a predetermined physical force (F), the tip portion 46 and the pad of the semiconductor chip is in contact, the lower surface of the beam portion 44 and the arm rest on the electrical component 40 ( 50) comes into contact.

그리고, 상기 팁부(46)와 반도체 칩의 패드가 접촉할 때, 상기 빔부(44)가 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지고 전기 구성체(40) 상에 암레스트(50)가 구비됨으로써 토션현상이 발생하게 되고, 상기 토션현상에 의해서 반도체 칩의 패드에 가해지는 팁부(46)의 가압력이 배가되어 용이하게 반도체 칩의 패드 상부면에 형성된 산화막을 뚫고 패드와 접촉하게 된다.When the tip portion 46 and the pad of the semiconductor chip contact each other, the beam portion 44 has a zigzag shape having at least one bent portion, and the armrest 50 is provided on the electrical component 40 to torsion phenomenon. This occurs, and the torsion phenomenon doubles the pressing force of the tip portion 46 applied to the pad of the semiconductor chip to easily penetrate the oxide film formed on the upper surface of the pad of the semiconductor chip and make contact with the pad.

도4a는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전자소자 검사장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도4b는 사시도이다.4A is a cross-sectional view illustrating an electronic device inspection apparatus according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a perspective view.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 전자소자 검사장치는, 도4a 및 도4b에 도시된 바와 같이 빔부(64)의 형상 등은 제 1 실시예와 동일하고, 상기 제 1 실시예와 상이하게 암레스트(70, 74)가 상기 팁부(66)와 가장 인접하는 절곡부의 빔부(64) 하측면 즉, 팁부(66) 반대측면의 빔부(64) 및 팁부(66)와 가장 인접하는 빔부(64)의 절곡부와 대응하는 위치의 전기 구성체(60) 상에 각각 구비되는 것에 특징이 있다.In the electronic device inspection apparatus according to the third embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 4A and 4B, the shape of the beam part 64 is the same as that of the first embodiment, and the arm is different from the first embodiment. The beams 64 and the beam portion 64 closest to the tip portion 66 and the beam portion 64 on the lower side of the bend portion adjacent to the tip portion 66, that is, on the opposite side of the tip portion 66, are provided with the rests 70 and 74. It is characterized in that it is provided on each of the electrical component 60 of the position corresponding to the bent portion of.

이때, 상기 빔부(64) 및 전기 구성체(60)에 각각 구비되는 암레스트(70, 74)는 빔부(64)가 휘는 정도를 감안하여 소정거리 이격되어 있으며, 상기 암레스트(70, 74)의 외부 표면에는 빔부(64)와의 접촉에 의해서 정전기가 발생하는 것을 방지하기 위하여 폴리마이드(Polymide) 및 파릴렌(Parylene) 등의 절연성 코팅막(Coating layer : 72, 76)이 각각 형성되어 있다.In this case, the armrests 70 and 74 respectively provided in the beam part 64 and the electric component 60 are spaced apart from each other by a predetermined distance in consideration of the degree of bending of the beam part 64. In order to prevent static electricity from being generated by contact with the beam unit 64, insulating coating layers 72 and 76 such as polymide and parylene are formed, respectively.

따라서, 상기 전기적 접촉체의 팁부(66)는 일정 OD를 가지고 일정 물리력(F)으로 반도체 칩의 패드 상에 형성된 산화막을 뚫고 칩의 패드와 접촉하면서 반도체 칩에 일정 전기적 신호를 인가하여 반도체 칩의 정상 유무를 테스트한다.Accordingly, the tip portion 66 of the electrical contact body has a constant OD and a predetermined physical force (F) to penetrate the oxide film formed on the pad of the semiconductor chip and contact the pad of the chip while applying a predetermined electrical signal to the semiconductor chip to Test for normality.

이때, 상기 빔부(64)는 소정의 물리력(F)에 의해서 휘게 됨으로써 팁부(66)와 반도체 칩의 패드가 접촉하게 되고, 상기 빔부(64) 하측면 및 전기 구성체(60) 상에 형성된 각 암레스트(70, 74)가 서로 접촉하게 된다.At this time, the beam portion 64 is bent by a predetermined physical force (F), so that the tip portion 66 and the pad of the semiconductor chip are in contact with each other, and each arm formed on the lower surface of the beam portion 64 and the electrical component 60. The rests 70, 74 are in contact with each other.

그리고, 상기 팁부(66)와 반도체 칩의 패드가 접촉할 때, 상기 빔부(64)가 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지고 빔부(64) 하측면 및 전기 구성체(60) 상에 각각 암레스트(70, 74)가 구비됨으로써 토션현상이 발생하게 되고, 상기 토션현상에 의해서 반도체 칩에 가해지는 팁부(66)의 가압력이 배가되어 용이하게 반도체 칩의 패드 상부면에 형성된 산화막을 뚫고 반도체 칩의 패드와 접촉하게 된다.When the tip portion 66 and the pad of the semiconductor chip contact each other, the beam portion 64 has a zigzag shape having at least one bent portion, and the armrest is disposed on the lower portion of the beam portion 64 and the electrical component 60, respectively. The torsion phenomenon is generated by providing 70 and 74. The torsion phenomenon doubles the pressing force of the tip portion 66 applied to the semiconductor chip to easily penetrate the oxide film formed on the upper surface of the pad of the semiconductor chip. It comes in contact with the pad.

도6a 내지 도6i는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 암레스트가 빔부 하측면에 구비되는 전자소자 검사장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 6A to 6I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electronic device inspection apparatus, in which an arm rest is provided on a lower side of a beam unit according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자소자 검사장치의 제조방법은, 먼저 도6a에 도시된 바와 같이 실리콘(Silicon) 재질의 희생기판(200) 전면에 포토레지스트 등으로 이루어지는 소정두께의 제 1 감광막을 형성한 후, 패터닝함으로써 후속공정에서 팁부가 형성될 영역을 개방하는 제 1 감광막 패턴(202)을 형성한다. In the manufacturing method of the electronic device inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 6A, a first photoresist film having a predetermined thickness including a photoresist or the like is formed on the entire surface of the sacrificial substrate 200 made of silicon. After forming, the first photosensitive film pattern 202 for opening the region where the tip portion is to be formed is formed by patterning.

이때, 상기 포토레지스트 등으로 이루어지는 제 1 감광막 패턴(202)은 희생기판(200)을 회전시키면서 희생기판(200) 상에 포토레지스트 등을 분사 코팅한 후, 노광 및 현상함으로써 형성할 수 있다. In this case, the first photoresist layer pattern 202 formed of the photoresist may be formed by spray coating a photoresist or the like on the sacrificial substrate 200 while rotating the sacrificial substrate 200, and then exposing and developing the photoresist.

다음으로, 도6b에 도시된 바와 같이 제 1 감광막 패턴(202)을 식각 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 희생기판(200) 상에 후속공정에서 팁부가 형성될 트렌치(Trench : 204)를 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 6B, an etching process is performed using the first photoresist pattern 202 as an etching mask to form a trench 204 in which a tip portion is to be formed in a subsequent process on the sacrificial substrate 200. do.

이때, 상기 트렌치(204)를 형성하기 위한 식각공정은 케미컬을 사용한 습식식각공정 또는 반응가스를 사용한 건식식각공정으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 트렌치(204)를 형성한 후 상기 트렌치를 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각하여 상기 트렌치(204)의 깊이를 증가시키는 한편, 상기 트렌치(204)의 내면을 라운딩시켜 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부(218)가 형성되도록 한다.In this case, the etching process for forming the trench 204 may be a wet etching process using a chemical or a dry etching process using a reaction gas. After the trench 204 is formed, the trench is etched one or more times by N (animal number) difference to increase the depth of the trench 204, and the inner surface of the trench 204 is rounded one or more times. The rounded tip portion 218 is formed by N (natural number) order anisotropic etching.

계속해서, 도6c에 도시된 바와 같이 제 1 감광막 패턴(202)을 애싱(Ashing) 등에 의해서 제거한 후, 트렌치(204)를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부를 형성하기 위한 제 2 감광막 패턴(206)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 6C, the first photosensitive film pattern 202 is removed by ashing or the like, and then a second portion for forming a zigzag beam portion including the trench 204 having one or more bent portions is formed. The photosensitive film pattern 206 is formed.

이때, 상기 제 2 감광막 패턴(206) 역시 제 1 감광막 패턴과 동일하게 포토레지스트의 코팅, 노광 및 현상공정을 연속적으로 수행함으로써 형성할 수 있다. In this case, the second photoresist layer pattern 206 may also be formed by continuously performing coating, exposure and development processes of the photoresist in the same manner as the first photoresist layer pattern.

다음으로, 도6d에 도시된 바와 같이 제 2 감광막 패턴(206)이 형성된 희생기판(200) 상에 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 및 도금 등에 의해서 빔부 및 팁부를 형성하기 위한 도전성 물질(208)을 소정두께로 형성하여 제 2 감광막 패턴(206)의 개방 부위를 매립한 후, 상기 희생기판(200) 상면을 평탄화한다.Next, as shown in FIG. 6D, the beam part and the tip part are formed on the sacrificial substrate 200 on which the second photoresist pattern 206 is formed by CVD (Physical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) and plating. After the conductive material 208 is formed to a predetermined thickness to fill the open portion of the second photoresist layer pattern 206, the top surface of the sacrificial substrate 200 is planarized.

계속해서, 도6e에 도시된 바와 같이 상기 평탄화공정이 완료된 희생기판(200) 상에 팁부가 형성될 트렌치(204)와 가장 인접하는 위치에 후속공정에 의해서 형성될 암레스트 형성부위를 개방하는 제 3 감광막 패턴(210)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 6E, the armrest forming portion to be formed by a subsequent process is opened at a position closest to the trench 204 where the tip portion is to be formed on the sacrificial substrate 200 on which the planarization process is completed. Three photoresist pattern 210 is formed.

이때, 상기 제 3 감광막 패턴(210)은 후속공정에 의해서 형성될 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상의 빔부의 절곡부 중에서 팁부와 가장 인접한 위치에 암레스트를 형성하기 위한 패턴이다.In this case, the third photoresist pattern 210 is a pattern for forming an armrest at a position closest to the tip portion among the bent portions of the zigzag-shaped beam portion having one or more bent portions to be formed by a subsequent process.

다음으로, 도6f에 도시된 바와 같이 제 3 감광막 패턴(210)이 형성된 희생기판(200) 상에 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 및 도금 등에 의해서 도전성 물질(211)을 소정두께로 형성하여 제 3 감광막 패턴(210)의 개방 부위를 매립한 후, 상기 희생기판(200) 상면을 평탄화한다.Next, as illustrated in FIG. 6F, the conductive material 211 is predetermined by chemical vapor deposition (PVD), physical vapor deposition (PVD), plating, and the like on the sacrificial substrate 200 on which the third photoresist pattern 210 is formed. After filling the open portion of the third photoresist pattern 210 by forming a thickness, the top surface of the sacrificial substrate 200 is planarized.

이때, 상기 도전성 물질(211)이 형성된 희생기판(200) 상면은 CMP(Chemical Mechanical Polishing), 에치백(Etchback) 및 그라인딩(Grinding) 등의 방법을 이용하여 평탄화할 수 있다.In this case, the top surface of the sacrificial substrate 200 on which the conductive material 211 is formed may be planarized using a chemical mechanical polishing (CMP), an etchback, a grinding, or the like.

이어서, 도6g에 도시된 바와 같이 제 3 감광막 패턴(210) 및 제 2 감광막 패턴(206)을 제거함으로써 빔부(214) 및 암레스트(212)를 형성하고, 상기 암레스트(212)의 외측면을 폴리마이드(Polymide) 및 파릴렌(Parylene) 등의 절연성 재료로 코팅막(Coating layer : 216)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 6G, the beam part 214 and the armrest 212 are formed by removing the third photoresist pattern 210 and the second photoresist pattern 206, and the outer surface of the armrest 212 is formed. The coating layer (Coating layer: 216) is formed of an insulating material such as polymide and parylene.

계속해서, 도6h에 도시된 바와 같이 소정의 회로패턴이 구현된 PCB 등의 전기 구성체(300)의 터미널에 소정크기의 범프(Bump) 등으로 이루어지는 포스트부(302)를 형성하고, 상기 포스트(302)와 희생기판(200) 상에 선행된 공정에 의해서 형성된 암레스트(212) 반대측 빔부(214) 단부를 솔더링(Soldiring), 브레이징(Brazing), 도금 및 도전성 접착제 등의 방법에 의한 연결수단(304)에 의해서 연결한다. Subsequently, as shown in FIG. 6H, a post portion 302 formed of a bump or the like of a predetermined size is formed in a terminal of an electrical component 300 such as a PCB on which a predetermined circuit pattern is implemented. 302 and the connecting means by the method such as soldering (brazing), brazing (plating) and conductive adhesive to the end of the beam portion 214 opposite to the armrest 212 formed by the preceding process on the sacrificial substrate 200 ( 304).

마지막으로, 도6i에 도시된 바와 같이 희생기판(200)을 습식식각 등의 방법으로 제거하여 빔부(214)와 연결된 팁부(218)를 개방함으로써 암레스트(212)가 빔부(214)에 구비된 전자소자 검사장치를 형성한다. Finally, as shown in FIG. 6I, the sacrificial substrate 200 is removed by a wet etching method to open the tip part 218 connected to the beam part 214 so that the armrest 212 is provided in the beam part 214. An electronic device inspection device is formed.

도7a 내지 도7d는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 암레스트가 전기 구성체 상에 구비되는 전자소자 검사장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 7A to 7D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electronic device inspection apparatus, in which an armrest is provided on an electrical component, according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 전자소자 검사장치의 제조방법은, 먼저 도7a에 도시된 바와 같이 전술한 제 1 실시예의 전자소자 검사장치의 제조방법과 동일하게 제 1 감광막 패턴(도시되지 않음)을 이용한 식각공정에 의해서 팁부가 형성될 트렌치(402)가 형성된 희생기판(400) 상에 트렌치(402)를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부를 형성하기 위한 제 2 감광막 패턴(404)을 형성한다.The manufacturing method of the electronic device inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention is the same as the manufacturing method of the electronic device inspection apparatus of the first embodiment described above, as shown in FIG. A second photosensitive film pattern for forming a zigzag beam part having one or more bent portions including the trench 402 on the sacrificial substrate 400 having the trench 402 to be formed by the etching process using 404).

그리고, 상기 트렌치(402)를 형성한 후 상기 트렌치(402)를 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각하여 상기 트렌치(402)의 깊이를 증가시키는 한편, 상기 트렌치(402)의 내면을 라운딩시켜 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부(410)가 형성되도록 한다.After the trench 402 is formed, the trench 402 is anisotropically etched one or more times, thereby increasing the depth of the trench 402 and rounding the inner surface of the trench 402. The rounded tip part 410 is formed by one or more N (natural number) order anisotropic etching.

다음으로, 상기 제 2 감광막 패턴(404)이 형성된 희생기판(400) 상에 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 및 도금 등에 의해서 빔부 및 팁부를 형성하기 위한 도전성 물질(406)을 소정두께로 형성하여 제 2 감광막 패턴(404)의 개방 부위를 매립한 후, 상기 희생기판(400) 상면을 평탄화한다.Next, a conductive material 406 is formed on the sacrificial substrate 400 on which the second photoresist layer pattern 404 is formed by forming a beam part and a tip part by chemical vapor deposition (PVD), physical vapor deposition (PVD), plating, or the like. After forming a predetermined thickness to fill the open portion of the second photoresist pattern 404, the top surface of the sacrificial substrate 400 is planarized.

다음으로 도7b에 도시된 바와 같이 제 2 감광막 패턴(404)을 제거함으로써 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상의 빔부(408)를 형성한다. 이때, 상기 제 2 감광막 패턴(404)은 습식식각 등의 방법에 의해서 제거한다. Next, as shown in FIG. 7B, the second photosensitive film pattern 404 is removed to form a zigzag beam part 408 having one or more bent portions. In this case, the second photoresist layer pattern 404 is removed by a method such as wet etching.

계속해서, 도7c에 도시된 바와 같이 소정의 회로패턴이 구현된 PCB 등의 전기 구성체(500) 상에 폴리마이드(Polymide) 및 파릴렌(Parylene) 등의 절연성 재료로 외부 표면에 코팅막(506)이 형성된 소정크기의 암레스트(504)를 형성한다. Subsequently, as illustrated in FIG. 7C, a coating film 506 is formed on an outer surface of an insulating material such as polymide and parylene on an electrical component 500 such as a PCB on which a predetermined circuit pattern is implemented. This formed armrest 504 of a predetermined size is formed.

이때, 상기 암레스트(504)는 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 형성된 빔부(408)의 가장 인접한 빔부(408)의 절곡부와 대응하는 위치의 전기 구성체(500) 상에 형성한다.In this case, the armrest 504 is formed on the electrical structure 500 at a position corresponding to the bent portion of the beam portion 408 adjacent to the beam portion 408 formed in a zigzag shape having one or more bent portions.

그리고, 상기 전기 구성체(500)의 터미널에 소정크기의 범프 등으로 이루어지는 포스트부(502)를 형성하고, 상기 포스트부(502)와 트렌치(402) 반대측의 빔부(408) 단부를 솔더링(Soldiring), 브레이징(Brazing), 도금 및 도전성 접착제 등의 방법에 의한 연결수단(508)에 의해서 연결한다.In addition, a post part 502 including bumps having a predetermined size is formed in the terminal of the electrical component 500, and the end of the beam part 408 opposite to the post part 502 and the trench 402 is soldered. And connecting means 508 by means of brazing, plating and conductive adhesive.

마지막으로, 도7d에 도시된 바와 같이 희생기판(400)을 습식식각 등의 방법으로 제거하여 빔부(408)와 연결된 팁부(410)를 개방함으로써 암레스트(504)가 전기 구성체(500) 상에 구비된 전자소자 검사장치를 형성한다.Finally, as shown in FIG. 7D, the sacrificial substrate 400 is removed by wet etching or the like to open the tip 410 connected to the beam 408 so that the armrest 504 is formed on the electrical component 500. An electronic device inspection apparatus provided is formed.

도8a 내지 도8d는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 암레스트가 빔부 및 전기 구성체 상에 각각 구비된 전자소자 검사장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 8A to 8D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electronic device test apparatus, in which armrests are provided on a beam unit and an electrical component, respectively, according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 전자소자 검사장치의 제조방법은, 먼저 도8a에 도시된 바와 같이 전술한 제 1 실시예의 전자소자 검사장치의 제조방법과 동일하게 제 1 감광막 패턴(도시되지 않음)을 이용한 식각공정에 의해서 팁부가 형성될 트렌치(602)가 형성된 희생기판(600) 상에 트렌치(602)를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부를 형성하기 위한 제 2 감광막 패턴(604)을 형성한다. The manufacturing method of the electronic device inspecting apparatus according to the third embodiment of the present invention is the same as the manufacturing method of the electronic device inspecting apparatus of the first embodiment described above, as shown in FIG. A second photosensitive film pattern for forming a zigzag beam part having one or more bent portions including the trench 602 on the sacrificial substrate 600 having the trench 602 on which the tip part is to be formed by an etching process 604 is formed.

그리고, 상기 트렌치(602)를 형성한 후 상기 트렌치(602)를 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각하여 상기 트렌치(602)의 깊이를 증가시키는 한편, 상기 트렌치(602)의 내면을 라운딩시켜 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩딘 팁부(616)가 형성되도록 한다.After the trench 602 is formed, the trench 602 is anisotropically etched one or more times, thereby increasing the depth of the trench 602 and rounding the inner surface of the trench 602. The rounded din tip 616 is formed by one or more N (natural number) order anisotropic etching.

다음으로, 상기 제 2 감광막 패턴(604)이 형성된 희생기판(600) 상에 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 및 도금 등에 의해서 빔부 및 팁부를 형성하기 위한 도전성 물질(609)을 소정두께로 형성하여 제 2 감광막 패턴(604)의 개방 부위를 매립한 후, 상기 희생기판(600) 상면을 평탄화한다.Next, a conductive material 609 for forming the beam part and the tip part by chemical vapor deposition (PVD), physical vapor deposition (PVD), plating, etc. is formed on the sacrificial substrate 600 on which the second photoresist layer pattern 604 is formed. After forming a predetermined thickness to fill the open portion of the second photoresist layer pattern 604, the top surface of the sacrificial substrate 600 is planarized.

그리고, 상기 평탄화공정이 완료된 희생기판(600) 상에 암레스트가 형성될 부위를 개방하는 제 3 감광막 패턴(608)을 형성한다. A third photoresist pattern 608 is formed on the sacrificial substrate 600 where the planarization process is completed to open a portion where the armrest is to be formed.

이때, 상기 제 3 감광막 패턴(608)은 후속공정에 의해서 형성될 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상의 빔부의 절곡부 중에서 팁부와 가장 인접한 위치에 암레스트를 형성하기 위한 패턴이다. In this case, the third photoresist pattern 608 is a pattern for forming an armrest at a position closest to the tip portion among the bent portions of the zigzag-shaped beam portion having one or more bent portions to be formed by a subsequent process.

다음으로, 상기 제 3 감광막 패턴(608)이 형성된 희생기판(600) 상에 CVD(Chemical Vapor Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition) 및 도금 등에 의해서 도전성 물질(609)을 소정두께로 형성하여 제 3 감광막 패턴(608)의 암레스트가 형성될 개방 부위를 매립한 후, 상기 희생기판(600) 상면을 평탄화한다. Next, the conductive material 609 is formed to a predetermined thickness by chemical vapor deposition (PVD), physical vapor deposition (PVD) and plating on the sacrificial substrate 600 on which the third photoresist pattern 608 is formed. After filling the open portion where the arm rest of the photoresist pattern 608 is to be formed, the top surface of the sacrificial substrate 600 is planarized.

다음으로, 도8b에 도시된 바와 같이 상기 제 3 감광막 패턴(608) 및 제 2 감광막 패턴(604)을 제거함으로써 빔부(614) 및 암레스트(610)를 형성하고, 상기 암레스트(610)의 외측면을 폴리마이드(Polymide) 및 파릴렌(Parylene) 등의 절연성 재료로 코팅막(Coating layer : 612)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 8B, the beam part 614 and the armrest 610 are formed by removing the third photoresist pattern 608 and the second photoresist pattern 604. The outer surface is formed of a coating layer (612) with an insulating material such as polymide and parylene.

계속해서, 도8c에 도시된 바와 같이 소정의 회로패턴이 구현된 PCB 등의 전기 구성체(700) 상에 폴리마이드(Polymide) 및 파릴렌(Parylene) 등의 절연성 재료로 외부 표면에 코팅막(704)이 형성된 소정크기의 암레스트(702)를 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 8C, the coating layer 704 is coated on an outer surface of an insulating material such as polymide and parylene on an electrical component 700 such as a PCB on which a predetermined circuit pattern is implemented. The formed armrest 702 of a predetermined size is formed.

이때, 상기 암레스트(702)는 빔부(614)에 형성된 암레스트(610)와 서로 대응할 수 있는 위치에 형성한다. In this case, the armrest 702 is formed at a position that can correspond to each other with the armrest 610 formed in the beam portion 614.

그리고, 상기 전기 구성체(700)의 터미널에 소정크기의 범프 등으로 이루어지는 포스트부(706)를 형성하고, 상기 포스트부(706)와 트렌치(602) 반대측의 빔부(614) 단부를 솔더링(Soldiring), 브레이징(Brazing), 도금 및 도전성 접착제 등의 방법에 의한 연결수단(708)에 의해서 연결한다.In addition, a post portion 706 formed of a predetermined size bump or the like is formed in the terminal of the electrical component 700, and the end of the beam portion 614 opposite to the post portion 706 and the trench 602 is soldered. And connecting means 708 by brazing, plating, and conductive adhesive.

이때, 상기 암레스트(702)는 빔부(614) 상에 형성된 암레스트(610)와 소정간격 이격되어 서로 마주보도록 연결한다.At this time, the armrest 702 is connected to the armrest 610 formed on the beam portion 614 to face each other at a predetermined interval.

마지막으로, 도8d에 도시된 바와 같이 희생기판(600)을 습식식각 등의 방법으로 제거하여 빔부(614)와 연결된 팁부(616)를 개방함으로써 암레스트(610, 702) 가 전기 구성체(700) 및 빔부(614)에 각각 구비되는 전자소자 검사장치를 형성한다. Finally, as shown in FIG. 8D, the sacrificial substrate 600 is removed by a wet etching method to open the tip part 616 connected to the beam part 614 so that the armrests 610 and 702 may have the electrical component 700. And an electronic device inspection apparatus provided in the beam unit 614, respectively.

이하, 도9a 및 도9b를 참조하여 본 발명에 따라 암레스트를 구비하는 하나 이상의 절곡부를 구비하는 지그재그 형상의 빔부(실시예)에 가해지는 스트레스와 종래의 바형상의 빔부(비교예)에 가해지는 스트레스의 분포의 시뮬레이션 결과를 살펴본다. Hereinafter, with reference to FIGS. 9A and 9B, stress is applied to a zigzag beam portion (an embodiment) having at least one bent portion with an armrest in accordance with the present invention and to a conventional bar-shaped beam portion (comparative example). Look at the simulation results of the distribution of losing stress.

본 발명에 따른 빔부에는 도9a에 도시된 바와 같이 범프 등의 연결수단으로부터 5.0×0-4(m) 내지 2.0×0-33(m) 떨어진 부위 즉, 빔부에 500M(Pa)정도의 일정한 스트레스가 가해지는 것에 반하여, 종래의 빔부에는 도9b에 도시된 바와 같이 5.0×0-4(m) 내지 2.0×0-33(m) 떨어진 부위 즉, 빔부에 400M(Pa) 내지 50M(Pa)의 지엽적으로 큰 차이가 발생하는 스트레스가 가해지는 것을 확인할 수 있다. As shown in FIG. 9A, the beam part according to the present invention has a constant stress of about 500 M (Pa) in a portion away from 5.0 × 0-4 (m) to 2.0 × 0-33 (m) from a connecting means such as a bump. On the other hand, as shown in Fig. 9B, the conventional beam portion has a distance of 5.0 × 0-4 (m) to 2.0 × 0-33 (m), that is, 400M (Pa) to 50M (Pa). It can be seen that the stress is applied to a large difference occurs locally.

따라서, 본 발명에 따른 빔부에 고른 스트레스가 가해짐으로써 일련의 반도체 칩의 접촉과정에 부러지는 것을 방지할 수 있다는 것을 확인할 수 있다. Therefore, it can be confirmed that by applying even stress to the beam unit according to the present invention, it is possible to prevent a break in the contact process of the series of semiconductor chips.

본 발명에 의하면, MEMS(Micro Electro Mechanical System)기술을 이용하여 재현성 있게 전기적 접촉체를 대량 생산할 수 있으므로 전기적 접촉체를 구비하는 프로브카드 등의 전자소자 검사장치의 수율, 생산성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, it is possible to mass-produce electrical contacts in a reproducible manner using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology, so that the yield, productivity and reliability of electronic device inspection devices such as probe cards having electrical contacts can be improved. It has an effect.

또한, 암레스트를 통해 제공되는 토션효과에 의해서 팁부가 반도체 칩의 패드 상에 형성된 산화막을 뚫을 수 있을 정도의 일정 물리력(F)이 배가되어 반도체 칩을 테스트할 수 있는 효과가 있다. In addition, due to the torsion effect provided through the armrest, a constant physical force (F) that is enough to penetrate the oxide film formed on the pad of the semiconductor chip is doubled to test the semiconductor chip.

그리고, 빔부에 균등한 스트레스가 가해지도록 함으로써 빔부가 부러지는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, it is possible to prevent the beam part from being broken by applying an even stress to the beam part.

이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.

도1은 종래의 전자소자 검사용 전기적 접촉체를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional electrical contact for inspecting an electronic device.

도2a는 본 발명에 따른 제 1 전자소자 검사용 전기적 접촉체를 나타내는 단면도이고, 도2b는 사시도이다.2A is a cross-sectional view illustrating an electrical contact for inspecting a first electronic device according to the present invention, and FIG. 2B is a perspective view.

도3a는 본 발명에 따른 제 2 전자소자 검사용 전기적 접촉체를 나타내는 단면도이고, 도3b는 사시도이다.3A is a cross-sectional view illustrating an electrical contact for inspecting a second electronic device according to the present invention, and FIG. 3B is a perspective view.

도4a는 본 발명에 따른 제 3 전자소자 검사용 전기적 접촉체를 나타내는 단면도이고, 도4b는 사시도이다.4A is a cross-sectional view illustrating an electrical contact for inspecting a third electronic device according to the present invention, and FIG. 4B is a perspective view.

도5는 도2a 내지 도 4b에 도시된 빔부를 나타내는 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating the beam unit illustrated in FIGS. 2A to 4B.

도6a 내지 도6i는 도 1의 제 1 전자소가 검사용 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 6A to 6I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrical contact for inspection by the first electronic device of FIG. 1.

도7a 내지 도7d는 도 2의 제 2 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 7A to 7D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrical contact for inspecting a second electronic device of FIG. 2.

도8a 내지 도8d는 도 3의 제 3 전자소자 검사용 전기적 접촉체를 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.8A to 8D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electrical contact for inspecting a third electronic device of FIG. 3.

도9a는 본 발명에 따른 전자소자 검사용 전기적 접촉체의 빔부에 가해지는 스트레스트 분포를 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이고, 도9b는 종래의 전자소자 검사장치의 빔부에 가해지는 스트레스 분포를 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이다. Figure 9a is a graph showing the result of the stress distribution applied to the beam portion of the electrical contact for the electronic device inspection according to the present invention, Figure 9b is a simulation of the stress distribution applied to the beam portion of the conventional electronic device inspection apparatus A graph showing the results.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

10, 20, 40, 60 : 전기 구성체 12, 22, 42, 62 : 포스트부10, 20, 40, 60: electrical components 12, 22, 42, 62: post portion

14, 24, 44, 64 : 빔부 16, 26, 46, 66 : 팁부14, 24, 44, 64: beam portion 16, 26, 46, 66: tip portion

18, 28, 48, 68 : 연결수단 30, 50, 70, 74 : 암레스트18, 28, 48, 68: connecting means 30, 50, 70, 74: armrest

32, 52, 72, 76 : 코팅막32, 52, 72, 76: coating film

Claims (10)

전면에 소정두께의 제 1 감광막이 형성된 희생기판;A sacrificial substrate having a first photoresist film of a predetermined thickness formed on a front surface thereof; 상기 제 1 감광막에 패터닝하여 팁부를 형성시키기 위한 개방부;An opening for patterning the first photoresist to form a tip; 상기 제 1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 팁부를 형성시키고, 희생기판상에 형성된 감광막 패턴이 애싱(Ashing)에 의해서 제거되고 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부를 형성시키기 위한 트렌치; Forming a tip portion using the first photoresist pattern as an etch mask, and removing the photoresist pattern formed on the sacrificial substrate by ashing and forming a tip portion rounded by one or more N (natural water) order anisotropic etching. Trench for; 제 2 감광막 패턴이 형성된 희생기판상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금방식을 이용하여 도포된 빔부 및 팁부 용 도전성 물질을 소정두께로 형성하여 제 2 감광막 패턴의 개방 부위를 매립한 후 상기 희생기판 상면을 평탄화하고, 제 3 감광막 패턴 및 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 형성된 상기 트렌치를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부 및 암레스트;Open portions of the second photoresist pattern by forming conductive materials for the beam part and the tip part, which are applied by using a chemical vapor deposition (CVD), a physical vapor deposition (PVD), or a plating method, on a sacrificial substrate having the second photoresist pattern formed thereon. A beam portion and an armrest having a zigzag shape having one or more bent portions including the trench formed by filling the upper surface of the sacrificial substrate after removing the third photoresist pattern and the second photoresist pattern; 전기 구성체의 터미널에 소정크기의 범프(Bump)를 포함하여 형성된 포스트부; 및A post portion including a bump of a predetermined size in a terminal of the electrical component; And 상기 포스트부와 희생기판상에 상기 암레스트 반대측 빔부 단부를 연결하는 연결수단을 포함하여 구성되되, It comprises a connecting means for connecting the end of the beam portion opposite the armrest on the post portion and the sacrificial substrate, 상기 암레스트가,The armrest, 상기 희생기판이 습식식각 방식에 의해 제거될 때 상기 빔부의 절곡부 상면에 형성되며, 그 외측면에 절연성 물질에 의해 코팅막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.When the sacrificial substrate is removed by a wet etching method is formed on the upper surface of the bent portion of the beam portion, the electrical contact for the electronic device inspection, characterized in that the coating film is formed on the outer surface of the insulating material . 전면에 소정두께의 제 1 감광막이 형성된 희생기판;A sacrificial substrate having a first photoresist film of a predetermined thickness formed on a front surface thereof; 상기 제 1 감광막에 패터닝하여 팁부를 형성시키기 위한 개방부;An opening for patterning the first photoresist to form a tip; 상기 제 1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 팁부를 형성시키고, 상기 희생기판 상에 형성된 상기 제 1 감광막 패턴이 애싱(Ashing)에 의해서 제거되고 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부를 형성시키기 위한 트렌치; A tip portion is formed using the first photoresist pattern as an etch mask, and the first photoresist pattern formed on the sacrificial substrate is removed by ashing and is rounded by one or more N (natural number) order anisotropic etching. Trenches for forming tip portions; 제 2 감광막 패턴이 형성된 희생기판상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금방식을 이용하여 도포된 빔부 및 팁부 용 도전성 물질을 소정두께로 형성하여 상기 제 2 감광막 패턴의 개방 부위를 매립한 후 상기 희생기판 상면을 평탄화하고, 제 3 감광막 패턴 및 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 형성된 상기 트렌치를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부 및 암레스트;Opening the second photoresist pattern by forming a conductive material for a beam part and a tip part coated by using a chemical vapor deposition (CVD), a physical vapor deposition (PVD) or a plating method on a sacrificial substrate having a second photoresist pattern formed thereon. A beam portion and an armrest having a zigzag shape having at least one bent portion including the trench formed by filling the portion and then planarizing the top surface of the sacrificial substrate and removing the third photoresist pattern and the second photoresist pattern; 전기 구성체의 터미널에 소정크기의 범프(Bump)를 포함하여 형성된 포스트부; A post portion including a bump of a predetermined size in a terminal of the electrical component; 상기 포스트부와 희생기판상에 형성된 상기 암레스트 반대측 빔부 단부를 연결하는 연결수단; 및Connecting means for connecting an end portion of the beam portion opposite to the armrest formed on the post portion and the sacrificial substrate; And 상기 희생기판이 습식식각 방식에 의해 제거되면 상기 빔부에 형성되는 팁부를 포함하여 구성되되,When the sacrificial substrate is removed by a wet etching method comprises a tip formed on the beam portion, 상기 암레스트가,The armrest, 상기 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부의 절곡부 및 상기 절곡부와 마주보는 전기 구성체 상면에 선택적으로 형성되며, 그 외측면에 절연성 물질에 의해 코팅막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.An electrical contact for inspection of an electronic device, characterized in that the zigzag-shaped beam portion is formed selectively on the upper surface of the electrical component facing the bent portion and the bending portion, the coating film is formed on the outer surface of the insulating material . 전면에 소정두께의 제 1 감광막이 형성된 희생기판;A sacrificial substrate having a first photoresist film of a predetermined thickness formed on a front surface thereof; 상기 제 1 감광막에 패터닝하여 팁부를 형성시키기 위한 개방부;An opening for patterning the first photoresist to form a tip; 상기 제 1 감광막 패턴을 식각 마스크로 사용하여 팁부를 형성시키고, 상기 희생기판 상에 상기 제 1 감광막 패턴이 애싱(Ashing)에 의해서 제거되고 1번 이상의 N(자연수)차 이방성 식각에 의해 라운딩된 팁부를 형성시키기 위한 트렌치; A tip portion is formed using the first photoresist pattern as an etch mask, and the first photoresist pattern is removed by ashing on the sacrificial substrate and is rounded by one or more N (natural water) order anisotropic etching Trenches for forming portions; 제 2 감광막 패턴이 형성된 희생기판상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 도금방식을 이용하여 도포된 빔부 및 팁부 용 도전성 물질을 소정두께로 형성하여 상기 제 2 감광막 패턴의 개방 부위를 매립한 후 상기 희생기판 상면을 평탄화하고, 제 3 감광막 패턴 및 상기 제 2 감광막 패턴을 제거하여 형성된 상기 트렌치를 포함하여 하나 이상의 절곡부를 가지는 지그재그 형상으로 이루어지는 빔부 및 암레스트;Opening the second photoresist pattern by forming a conductive material for a beam part and a tip part coated by using a chemical vapor deposition (CVD), a physical vapor deposition (PVD) or a plating method on a sacrificial substrate having a second photoresist pattern formed thereon. A beam portion and an armrest having a zigzag shape having at least one bent portion including the trench formed by filling the portion and then planarizing the top surface of the sacrificial substrate and removing the third photoresist pattern and the second photoresist pattern; 전기 구성체의 터미널에 소정크기의 범프(Bump)를 포함하여 형성된 포스트부; 및A post portion including a bump of a predetermined size in a terminal of the electrical component; And 상기 포스트부와 희생기판상에 형성된 상기 암레스트 반대측 빔부 단부를 연결하는 연결수단을 포함하여 구성되되,It comprises a connecting means for connecting the end of the beam portion opposite the armrest formed on the post portion and the sacrificial substrate, 상기 암레스트가,The armrest, 상기 희생기판이 습식식각 방식에 의해 제거되면 상기 빔부의 절곡부 및 전기구성체 상면에 소정 간격으로 이격되어 각각 형성되며, 그 외측면에 절연성 물질에 의해 코팅막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.When the sacrificial substrate is removed by a wet etching method, the beams are formed at predetermined intervals on the bent portion of the beam unit and the upper surface of the electrical component, respectively, and the coating layer is formed on the outer surface by an insulating material. Electrical contacts. 삭제delete 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한항에 있어서, 상기 절연성 물질은,The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the insulating material, 폴리이미드(Polyimide) 또는 파릴렌(Parylene)인 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.Electrical contact for electronic device inspection, characterized in that the polyimide (Polyimide) or parylene (Parylene). 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한항에 있어서, 상기 연결수단은 솔더링(Soldiring) 또는 브레이징(Brazing) 또는 도금 또는 도전성 접착제 중 하나인 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.4. The electrical contact of claim 1, wherein the connecting means is one of soldering or brazing or plating or conductive adhesive. 제 1 항에 있어서, 상기 빔부에 하나 이상의 절곡부가 형성되어 있는 경우, 상기 암레스트가,The method of claim 1, wherein when the at least one bent portion is formed in the beam portion, the armrest, 상기 절곡부 중의 임의의 절곡부와 상기 절곡부에 대응하는 전기구성체 상면 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.An electrical contact for electronic device inspection, characterized in that formed between any of the bent portion of the bent portion and the upper surface of the electrical structure corresponding to the bent portion. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한항에 있어서, 상기 암레스트가,The armrest according to any one of claims 1 to 3, wherein the armrest is 상기 팁부 반대측면의 형성된 빔부에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체. The electrical contact for the electronic device inspection, characterized in that formed on the formed beam portion opposite the tip side. 제 3 항에 있어서, 상기 각각의 암레스트가,The method of claim 3, wherein each of the armrests, 서로 마주보도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.Electrical contact for the electronic device inspection, characterized in that formed to face each other. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한항에 있어서, 상기 암레스트가,The armrest according to any one of claims 1 to 3, wherein the armrest is 상기 팁부와 가장 인접하는 상기 빔부의 절곡부와 상기 전기 구성체 상면 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 검사용 전기적 접촉체.And a contact portion formed between the bent portion of the beam portion closest to the tip portion and an upper surface of the electrical component.
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