KR100471191B1

KR100471191B1 - Wafer guides used in cleaning/drying process of semiconductor substrates

Info

Publication number: KR100471191B1
Application number: KR10-2004-0083689A
Authority: KR
Inventors: 이헌정; 박상오; 고용균; 전필권
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-10-19
Filing date: 2004-10-19
Publication date: 2005-02-21
Also published as: KR20040099201A

Abstract

반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬과 상기 지지판넬의 일 면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들을 포함한다. 상기 적어도 3개의 수직 판넬들은 상기 지지판넬의 중심부를 지나는 중심 판넬을 포함한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디 판넬과 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 이에 따라, 상기 돌출부들 사이에 복수개의 슬롯들이 한정된다. 상기 슬롯들 내에 복수개의 반도체 웨이퍼들이 끼워진다. 적어도 상기 중심 판넬에 정렬 수단이 설치된다. 상기 정렬 수단은 상기 슬롯들에 끼워진 웨이퍼들이 서로 균일한 간격으로 이격되도록 상기 슬롯들의 실제 폭들을 조절한다. Provided are a wafer guide used for a semiconductor substrate cleaning / drying process. The wafer guide includes a support panel and at least three parallel vertical panels attached to one side of the support panel. The at least three vertical panels include a central panel passing through the center of the support panel. Each of the vertical panels includes a vertical body panel and a plurality of protrusions extending upwardly from an upper surface of the body panel. Accordingly, a plurality of slots are defined between the protrusions. A plurality of semiconductor wafers are inserted in the slots. At least the center panel is provided with alignment means. The alignment means adjusts the actual widths of the slots such that the wafers inserted in the slots are spaced at equal intervals from each other.

Description

Wafer guides used in cleaning / drying process of semiconductor substrates}

본 발명은 반도체소자를 제조하는 데 사용되는 세정/건조 장비에 관한 것으로, 특히 반도체기판들을 홀딩하는 웨이퍼 가이드들에 관한 것이다. The present invention relates to cleaning / drying equipment used to fabricate semiconductor devices, and more particularly to wafer guides for holding semiconductor substrates.

습식 세정공정 또는 습식 식각공정과 같은 습식 공정은 반도체소자의 제조에 자주 사용된다. 상기 습식 공정을 진행하기 위해서는 화학용액 내에 반도체기판들, 즉 반도체 웨이퍼들을 담군다. 이에 따라, 상기 습식 공정을 완료한 후에 상기 반도체기판의 표면 상에 상기 화학용액이 잔존한다. 상기 화학용액은 린스공정을 통하여 제거된다. 상기 린스 공정은 주로 탈이온수를 사용하여 진행된다. 또한, 상기 탈이온수는 건조공정을 통하여 제거된다. Wet processes such as wet cleaning processes or wet etching processes are frequently used in the manufacture of semiconductor devices. In order to proceed with the wet process, semiconductor substrates, that is, semiconductor wafers are immersed in a chemical solution. Accordingly, the chemical solution remains on the surface of the semiconductor substrate after the wet process is completed. The chemical solution is removed through a rinse process. The rinse process is mainly carried out using deionized water. In addition, the deionized water is removed through a drying process.

상기 세정공정, 습식공정, 린스공정 또는 건조공정 동안에, 상기 반도체 웨이퍼들은 웨이퍼 가이드에 의해 홀딩된다. 즉, 상기 반도체 웨이퍼들은 상기 웨이퍼 가이드의 슬롯들 내에 끼워진다. 결과적으로, 상기 반도체 웨이퍼들은 상기 웨이퍼 가이드와 접촉한다. 따라서, 상기 건조공정을 실시할지라도, 상기 웨이퍼 가이드 및 상기 반도체기판들 사이의 접점들(contact points)의 주변영역에 존재하는 탈이온수는 완전히 제거되지 않을 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼들의 표면들 상에 잔존하는 탈이온수는 상기 건조공정 동안 변형되어 물반점(water spot)이라고 불리우는 표면결함들(surface defects)을 생성시킨다. 상기 물반점들은 반도체소자의 수율을 현저히 저하시킨다. 이에 따라, 상기 반도체 웨이퍼들 및 상기 웨이퍼 가이드 사이의 접점 영역들의 면적을 최소화시키는 것이 요구된다. During the cleaning process, wet process, rinse process or drying process, the semiconductor wafers are held by a wafer guide. In other words, the semiconductor wafers are fitted in slots of the wafer guide. As a result, the semiconductor wafers are in contact with the wafer guide. Therefore, even if the drying process is performed, deionized water present in the peripheral region of the contact points between the wafer guide and the semiconductor substrate may not be completely removed. The deionized water remaining on the surfaces of the semiconductor wafers is deformed during the drying process to create surface defects called water spots. The water spots significantly reduce the yield of the semiconductor device. Accordingly, it is desired to minimize the area of the contact regions between the semiconductor wafers and the wafer guide.

한편, 상기 슬롯들의 폭들은 상기 반도체 웨이퍼들의 두께에 비하여 크다. 이는, 상기 슬롯들 내에 상기 반도체 웨이퍼들을 로딩시킬 때 상기 반도체 웨이퍼 들의 표면에 스크래치(scratch)가 형성되는 것을 방지하기 위함이다. 이 경우에, 상기 슬롯들 내에 로딩된 상기 반도체 웨이퍼들은 임의로(randomly) 기울어지고, 상기 반도체 웨이퍼들 사이의 간격들이 불규칙해진다. 특히, 서로 이웃하는 상기 반도체 웨이퍼들의 앞면들 사이의 간격들이 불균일할 경우에, 상기 반도체 웨이퍼들의 건조효율이 저하된다. Meanwhile, the widths of the slots are larger than the thickness of the semiconductor wafers. This is because when loading the semiconductor wafers into the slots, the semiconductor wafer This is to prevent scratches from being formed on the surface of the field. In this case, the semiconductor wafers loaded in the slots are randomly inclined, and the spacings between the semiconductor wafers are irregular. In particular, when the spacing between the front surfaces of the semiconductor wafers adjacent to each other is nonuniform, the drying efficiency of the semiconductor wafers is reduced.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 웨이퍼들의 건조효율을 증대시키기에 적합한 웨이퍼 가이드들을 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide wafer guides suitable for increasing the drying efficiency of semiconductor wafers.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 반도체 웨이퍼들과 접촉하는 면적을 최소화시키기에 적합한 웨이퍼 가이드들을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide wafer guides suitable for minimizing the area in contact with semiconductor wafers.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 반도체 웨이퍼들 사이의 간격을 균일하게 조절하기에 적합한 웨이퍼 가이드들을 제공하는 데 있다. Another technical object of the present invention is to provide wafer guides suitable for uniformly adjusting the spacing between semiconductor wafers.

상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명은 습식 공정 및 건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드들을 제공한다. In order to achieve the above technical problem, the present invention provides wafer guides used in a wet process and a dry process.

본 발명의 일 양태에 따르면, 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬(support panel) 및 상기 지지판넬의 일 면에 부착된(attached) 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들(vertical panels)을 구비한다. 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디 판넬(vertical body panel)과, 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장되어 복수개의 슬롯들을 한정하는 복수개의 돌출부들(protrusions)을 갖는다. 상기 슬롯들의 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태(convex shape)를 갖고, 상기 슬롯들의 바닥면들은 상기 돌출부들 사이의 상기 슬롯들을 지나는 면들과 평행한 단면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 갖는다. According to one aspect of the invention, the wafer guide comprises a support panel and at least three parallel vertical panels attached to one side of the support panel. Each of the vertical panels has a vertical body panel and a plurality of protrusions extending upward from the top surface of the body panel to define a plurality of slots. Of the slots The side walls have a convex shape when viewed in plan, and the bottom surfaces of the slots are convex when viewed in cross-section parallel to the planes passing through the slots between the protrusions.

상기 적어도 3개의 수직판넬들은 상기 지지판넬의 양 가장자리들(both edges)에 각각 부착된 제1 및 제2 평행한 수직판넬들과, 상기 제1 및 제2 수직판넬들 사이에 위치하는 중심 판넬(central panel)을 포함한다. 상기 중심 판넬 내의 슬롯들의 바닥면들은 상기 중심 판넬의 중심을 지나면서 상기 중심 판넬과 평행한 면에 대하여 비대칭인 프로파일을 갖는 것이 바람직하다. The at least three vertical panels may include first and second parallel vertical panels attached to both edges of the support panel, and a center panel positioned between the first and second vertical panels. central panel). The bottom faces of the slots in the center panel preferably have an asymmetrical profile with respect to the plane parallel to the center panel while passing through the center panel.

본 발명의 다른 양태에 따르면, 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬(support panel) 및 상기 지지판넬의 일 면에 부착된(attached) 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들(vertical panels)을 구비한다. 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디 판넬(vertical body panel)과, 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장되어 복수개의 슬롯들을 한정하는 복수개의 돌출부들(protrusions)을 갖는다. 상기 돌출부들 및 상기 바디 판넬들은 각각 소수성 물질(hydrophobic material) 및 친수성 물질(hydrophilic material)로 이루어진다. According to another aspect of the invention, the wafer guide has a support panel and at least three parallel vertical panels attached to one side of the support panel. Each of the vertical panels has a vertical body panel and a plurality of protrusions extending upward from the top surface of the body panel to define a plurality of slots. The protrusions and the body panels are each made of a hydrophobic material and a hydrophilic material.

상기 슬롯들의 바닥면들의 각각은 반도체 웨이퍼와의 접촉면적을 감소시키기 위하여 리세스된 그루브들을 갖는 것이 바람직하다. 더 나아가서, 상기 슬롯들의 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 갖는 것이 바람직하다. Each of the bottom surfaces of the slots preferably has recessed grooves to reduce the contact area with the semiconductor wafer. Furthermore, the side walls of the slots preferably have a convex shape when viewed in plan.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬(support pannel) 및 상기 지지판넬의 일 면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들을 구비한다. 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디판넬 및 상기 바디판넬의 상부면으로부터 상부로 연장되어 복수개의 슬롯들을 한정하는 복수개의 돌출부들을 갖는다. 상기 돌출부들은 짝수번째의 돌출부들(even-numbered protrusions) 및 홀수번째의 돌출부들(odd-numbered protrusions)을 포함한다. 상기 돌출부들의 측벽들은 상기 슬롯들의 하부 폭들을 한정하는 수직한 하부측벽들(vertical lower sidewalls) 및 상기 하부측벽들로부터 연장된 양의 경사진 상부측벽들(positive sloped upper sidewalls)로 구성된다. 상기 홀수번째의 돌출부들(odd-numbered protrusions)의 상기 하부 측벽들은 상기 짝수번째의 돌출부들(even-numbered protrusions)의 상기 하부 측벽들보다 낮거나 높다. According to another aspect of the invention, the wafer guide comprises a support panel and at least three parallel vertical panels attached to one side of the support panel. Equipped. Each of the vertical panels has a vertical body panel and a plurality of protrusions extending upward from an upper surface of the body panel to define a plurality of slots. The protrusions include even-numbered protrusions and odd-numbered protrusions. The sidewalls of the protrusions consist of vertical lower sidewalls that define the lower widths of the slots and positive sloped upper sidewalls extending from the lower sidewalls. The lower sidewalls of the odd-numbered protrusions are lower or higher than the lower sidewalls of the even-numbered protrusions.

상기 돌출부들의 하부측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 슬롯들의 바닥면들은 상기 돌출부들 사이의 상기 슬롯들을 지나는 면들과 평행한 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. The lower side walls of the protrusions may have a convex shape when viewed in plan. Further, the bottom surfaces of the slots may have a convex shape when viewed from a cross section parallel to the surfaces passing through the slots between the protrusions.

상기 적어도 3개의 수직 판넬들은 상기 지지판넬의 양 가장자리들에 각각 부착된 제1 및 제2 평행한 수직 판넬들과, 상기 제1 및 제2 수직 판넬들 사이에 위치하는 중심 판넬을 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 중심 판넬 내의 슬롯들의 바닥면들은 상기 중심 판넬의 중심을 지나면서 상기 중심 판넬과 평행한 면에 대하여 비대칭인 프로파일을 갖는 것이 바람직하다. The at least three vertical panels may include first and second parallel vertical panels attached to both edges of the support panel, respectively, and a center panel positioned between the first and second vertical panels. . In this case, the bottom surfaces of the slots in the center panel preferably have an asymmetrical profile with respect to the plane parallel to the center panel while passing through the center panel.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬(support pannel) 및 상기 지지판넬의 일 면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들을 구비한다. 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디판넬 및 상기 바디판넬의 상부면 으로부터 상부로 연장되어 복수개의 슬롯들을 한정하는 복수개의 돌출부를 갖는다. 상기 돌출부들은 짝수번째의 돌출부들(even-numbered protrusions) 및 홀수번째의 돌출부들(odd-numbered protrusions)로 구성된다. 상기 돌출부들의 측벽들은 상기 슬롯들의 하부 폭들을 한정하는 하부 측벽들(lower sidewalls) 및 상기 하부 측벽들로부터 연장된 양의 경사진 상부 측벽들(positive sloped upper sidewalls)로 구성된다. 상기 홀수번째의 돌출부들(odd-numbered protrusions)의 상기 하부 측벽들은 수직한 프로파일을 갖고 상기 짝수번째의 돌출부들(even-numbered protrusions)의 상기 하부 측벽들은 상기 상부 측벽들보다 더 가파른(steeper) 양의 경사도(positive slope)를 갖는다. According to another aspect of the invention, the wafer guide has a support panel and at least three parallel vertical panels attached to one side of the support panel. Each of the vertical panels has a vertical body panel and an upper surface of the body panel. Has a plurality of protrusions extending from above to define a plurality of slots. The protrusions are composed of even-numbered protrusions and odd-numbered protrusions. The sidewalls of the protrusions consist of lower sidewalls defining the lower widths of the slots and positive positive sloped upper sidewalls extending from the lower sidewalls. The lower sidewalls of the odd-numbered protrusions have a vertical profile and the lower sidewalls of the even-numbered protrusions are steeper than the upper sidewalls. It has a positive slope of.

상기 수직한 하부 측벽들은 상기 경사진 하부 측벽들과 동일한 높이를 가질 수 있다. 또한, 상기 하부 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. 상기 슬롯들의 바닥면들은 상기 돌출부들 사이의 상기 슬롯들을 지나는 면들과 평행한 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. The vertical lower sidewalls may have the same height as the inclined lower sidewalls. In addition, the lower sidewalls may have a convex shape when viewed in plan. The bottom surfaces of the slots may have a convex shape when viewed from a cross section parallel to the surfaces passing through the slots between the protrusions.

더 나아가서, 상기 적어도 3개의 수직 판넬들은 상기 지지판넬의 양 가장자리들에 각각 부착된 제1 및 제2 평행한 수직 판넬들과, 상기 제1 및 제2 수직 판넬들 사이에 위치하는 중심 판넬을 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 중심 판넬 내의 슬롯들의 바닥면들은 상기 중심 판넬의 중심을 지나면서 상기 중심 판넬과 평행한 면에 대하여 비대칭인 프로파일을 갖는 것이 바람직하다. Furthermore, the at least three vertical panels include first and second parallel vertical panels attached to both edges of the support panel, respectively, and a center panel located between the first and second vertical panels. can do. In this case, the bottom surfaces of the slots in the center panel preferably have an asymmetrical profile with respect to the plane parallel to the center panel while passing through the center panel.

본 발명이 또 다른 양태에 따르면, 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬(support pannel) 및 상기 지지판넬의 일 면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들을 구비한다. 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디판넬 및 상기 바디판넬의 상부면으로부터 상부로 연장되어 복수개의 슬롯들을 한정하는 복수개의 돌출부를 갖는다. 상기 슬롯들은 짝수번째의 슬롯들(even-numbered slots) 및 홀수번째의 슬롯들(odd-numbered slots)로 구성된다. 상기 수직판넬들과 평행한 면을 따라 취해진 단면도로부터 보여질 때, 상기 짝수번째의 슬롯들의 바닥면들은 상기 홀수번째의 슬롯들의 바닥면들의 경사도와 반대인 경사도를 갖는다. According to another aspect of the invention, the wafer guide comprises a support panel and at least three parallel vertical panels attached to one side of the support panel. Equipped. Each of the vertical panels has a vertical body panel and a plurality of protrusions extending upwardly from an upper surface of the body panel to define a plurality of slots. The slots are composed of even-numbered slots and odd-numbered slots. When viewed from a cross section taken along a plane parallel to the vertical panels, the bottom surfaces of the even-numbered slots have an inclination opposite to that of the bottom surfaces of the odd-numbered slots.

상기 돌출부들의 측벽들은 상기 슬롯들의 하부폭들을 한정하는 수직한 하부 측벽들(vertical lower sidewalls) 및 상기 하부 측벽들로부터 연장된 양의 경사진 상부 측벽들(positive sloped upper sidewalls)을 포함할 수 있다. 상기 하부 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 슬롯들의 바닥면들은 상기 돌출부들 사이의 상기 슬롯들을 지나는 평면들과 평행한 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태를 갖는 것이 바람직하다. The sidewalls of the protrusions may include vertical lower sidewalls defining the lower widths of the slots and positive positive sloped upper sidewalls extending from the lower sidewalls. The lower sidewalls preferably have a convex shape when viewed in plan. In addition, the bottom surfaces of the slots preferably have a convex shape when viewed from a cross section parallel to the planes passing through the slots between the protrusions.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 상기 웨이퍼 가이드는 반도체 웨이퍼들을 홀딩하는 주 웨이퍼 가이드(main wafer guide)와, 상기 주 웨이퍼 가이드보다 넓은 폭을 갖는 보조 웨이퍼 가이드(auxiliary wafer guide)를 포함한다. 상기 보조 웨 이퍼 가이드는 상기 주 웨이퍼 가이드보다 넓은 보조 지지부(auxiliary supporter)와 상기 보조 지지부의 양 가장자리들 상에 각각 위치하여 상기 반도체 웨이퍼들을 추가로 홀딩하는 한 쌍의 평행한 웨이퍼 지지부들(wafer supporters)을 포함한다. According to another aspect of the present invention, the wafer guide includes a main wafer guide for holding semiconductor wafers and an auxiliary wafer guide having a wider width than the main wafer guide. The secondary wedge The wiper guide includes an auxiliary supporter wider than the main wafer guide and a pair of parallel wafer supporters positioned on both edges of the auxiliary support to further hold the semiconductor wafers. do.

상기 보조 웨이퍼 가이드는 상기 주 웨이퍼 가이드에 고정되어 상기 보조 웨이퍼 가이드와 함께 이동된다. 이와는 달리, 상기 보조 웨이퍼 가이드는 상기 주 웨이퍼 가이드로부터 분리(separate)될 수도 있다. The auxiliary wafer guide is fixed to the main wafer guide and moves with the auxiliary wafer guide. Alternatively, the secondary wafer guide may be separated from the primary wafer guide.

상기 한 쌍의 웨이퍼 지지부들의 각각은 그들의 양 단들로부터 연장되어 상기 보조 지지부와 접촉하는 수직 바들(vertical bars)에 의해 고정된다. 이에 따라, 상기 각 웨이퍼 지지부들 하부에 공간이 제공된다. 그 결과, 상기 보조 웨이퍼 가이드의 외부로부터 수평방향을 따라 상기 웨이퍼들 사이의 공간으로 유입되는 유체(fluid)는 상기 각 웨이퍼 지지부들 하부의 공간을 통하여 원활히 흐른다. 다시 말해서, 상기 유체는 상기 웨이퍼 지지부들 하부의 공간에 기인하여 상기 각 웨이퍼들의 전면(entire surface)에 걸쳐서 균일하게 흐른다. Each of the pair of wafer supports is fixed by vertical bars extending from both ends thereof and in contact with the auxiliary support. Accordingly, a space is provided below each of the wafer supports. As a result, fluid flowing into the space between the wafers along the horizontal direction from the outside of the auxiliary wafer guide flows smoothly through the space under each of the wafer supports. In other words, the fluid flows uniformly over the entire surface of each of the wafers due to the space underneath the wafer supports.

상기 웨이퍼 지지부들의 각각은 서로 마주보는 제1 및 제2 측면들을 갖는 수평몸체와, 상기 제1 및 제2 측면들중 어느 하나의 측면으로부터 돌출된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 상기 복수개의 돌출부들 사이에 상기 웨이퍼들의 가장자리들과 접촉하는 복수개의 요부들(lumbar regions)이 한정된다. 상기 웨이퍼 지지부들의 각각은 상기 웨이퍼 지지부들을 가로지르는 단면으로부터 보여질 때 유선형의 단면(streamline shaped secional view)을 갖는다. 이에 따라, 상기 제1 및 제2 측면들에 수직한 방향을 따라 유체가 유입되는 경우에, 소용돌이(whirlpool)의 생성 을 현저히 억제시킬 수 있다. Each of the wafer supports includes a horizontal body having first and second sides facing each other and a plurality of protrusions protruding from one of the first and second sides. A plurality of lumbar regions in contact with the edges of the wafers are defined between the plurality of protrusions. Each of the wafer supports has a streamline shaped secional view when viewed from a cross section across the wafer supports. Thus, when fluid is introduced along a direction perpendicular to the first and second sides, a whirlpool is created. Can be significantly suppressed.

한편, 상기 웨이퍼 지지부들의 각각은 양 측바들(both side bars) 및 상기 양 측바들의 끝단들을 서로 연결시키는 전/후단 바들(front/rear bars)을 포함한다. 상기 양 측바들중 일 측바(one side bar)는 지그재그 형태로 구부러져 복수개의 돌출부들을 제공한다. 상기 돌출부들 사이에 상기 웨이퍼들의 가장자리들과 접촉하는 복수개의 요부들이 한정된다. Meanwhile, each of the wafer supports includes both side bars and front / rear bars that connect the ends of both side bars to each other. One side bar of both side bars is bent in a zigzag form to provide a plurality of protrusions. A plurality of recesses in contact with the edges of the wafers are defined between the protrusions.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 상기 웨이퍼 가이드는 지지판넬과 상기 지지판넬의 일 면에 부착된 적어도 3개의 평행한 수직 판넬들을 포함한다. 상기 적어도 3개의 수직 판넬들은 상기 지지판넬의 중심부를 지나는 중심 판넬을 포함한다. 상기 수직 판넬들의 각각은 수직한 바디 판넬과 상기 바디 판넬의 상부면으로부터 상부로 연장된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 이에 따라, 상기 돌출부들 사이에 복수개의 슬롯들이 한정된다. 상기 슬롯들 내에 복수개의 반도체 웨이퍼들이 끼워진다. 적어도 상기 중심 판넬에 정렬 수단이 설치된다. 상기 정렬 수단은 상기 슬롯들에 끼워진 웨이퍼들이 서로 균일한 간격으로 이격되도록 상기 슬롯들의 실제 폭들을 조절한다. According to another aspect of the invention, the wafer guide comprises a support panel and at least three parallel vertical panels attached to one side of the support panel. The at least three vertical panels include a central panel passing through the center of the support panel. Each of the vertical panels includes a vertical body panel and a plurality of protrusions extending upwardly from an upper surface of the body panel. Accordingly, a plurality of slots are defined between the protrusions. A plurality of semiconductor wafers are inserted in the slots. At least the center panel is provided with alignment means. The alignment means adjusts the actual widths of the slots such that the wafers inserted in the slots are spaced at equal intervals from each other.

상기 돌출부들의 하부 측벽들은 수직한 프로파일을 갖는 것이 바람직하다. The lower sidewalls of the protrusions preferably have a vertical profile.

상기 정렬 수단은 상기 중심 판넬의 내부에 밀폐된 공간을 제공하는 실린더와, 상기 실린더 내에 끼워진 피스톤을 포함한다. 상기 실린더의 양 단들에 각각 제1 및 제2 유체 주입관들(fluid inlet conduits)이 연결된다. 이에 따라, 상기 제1 유체 주입관에 유체를 주입하는(inject) 경우에, 상기 피스톤은 상기 제2 유체 주입관을 향하여 수평이동된다. 이와는 반대로(on the contrary), 상기 제2 유체 주입관에 유체를 주입하는 경우에, 상기 피스톤은 상기 제1 유체 주입관을 향하여 수평이동된다. 상기 피스톤에 복수개의 패드들이 연결된다. 상기 패드들의 각각은 상기 피스톤의 이동 방향에 따라 상기 돌출부들의 각각의 일 측면으로부터 돌출되거나 상기 각 돌출부들의 내부로 이동된다. 상기 패드들이 돌출되는 경우에, 상기 슬롯들의 실제 폭들은 감소되어 상기 슬롯들 내에 끼워진 웨이퍼들을 압착시킨다(squeeze). 이에 따라, 상기 웨이퍼들은 수직하게(vertically) 세워진다(put up). 결과적으로, 상기 돌출부들의 피치들이 일정한 경우에, 상기 웨이퍼들 사이의 간격들 또한 일정해진다. The alignment means includes a cylinder providing a closed space inside the center panel, and a piston fitted in the cylinder. First and second fluid inlet conduits are connected to both ends of the cylinder, respectively. Accordingly, when injecting fluid into the first fluid inlet tube, the piston is configured to provide the second fluid. It is horizontally moved toward the injection tube. On the contrary, when injecting fluid into the second fluid inlet tube, the piston is moved horizontally towards the first fluid inlet tube. A plurality of pads are connected to the piston. Each of the pads protrudes from one side of each of the protrusions or moves into each of the protrusions according to the direction of movement of the piston. In the case where the pads protrude, the actual widths of the slots are reduced to squeeze the wafers sandwiched in the slots. Thus, the wafers are put up vertically. As a result, when the pitches of the protrusions are constant, the spacings between the wafers are also constant.

상기 정렬 수단의 다른 실시 예는 상기 중심 판넬의 양 옆에 각각 설치된 제1 및 제2 회전축들(rotation axes)을 포함한다. 상기 회전축들은 상기 중심 판넬의 돌출부들을 관통하는 직선과 평행하도록 설치된다. 상기 제1 회전축은 제1 그룹의 로울러들의 중심점들을 관통한다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 회전축은 제2 그룹의 로울러들의 중심점들을 관통한다. 상기 제1 그룹의 로울러들의 피치 및 상기 제2 그룹의 로울러들의 피치는 상기 중심 판넬의 돌출부들의 피치와 동일하다. 즉, 상기 돌출부들의 각각의 양 옆에 각각 제1 그룹의 로울러들의 하나와 제2 그룹의 로울러들의 하나가 위치한다. 상기 제1 그룹의 로울러들은 상기 제1 회전축과 함께 회전하고, 상기 제2 그룹의 로울러들은 상기 제2 회전축과 함께 회전한다. 상기 각 로울러들은 제1 두께를 갖는 제1 가장자리 영역과 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 갖는 제2 가장자리 영역을 갖는다. 따라서, 상기 각 로울러들의 양 측면들 중 적어도 하나의 측면은 경사진 프로파일을 갖는다. Another embodiment of the alignment means comprises first and second rotation axes respectively installed on both sides of the center panel. The rotation shafts are installed in parallel with a straight line passing through the protrusions of the center panel. The first axis of rotation passes through the center points of the rollers of the first group. Similarly, the second axis of rotation passes through the center points of the rollers of the second group. The pitch of the rollers of the first group and the pitch of the rollers of the second group are the same as the pitch of the protrusions of the center panel. That is, one side of the rollers of the first group and one of the rollers of the second group are respectively located next to each of the protrusions. The rollers of the first group rotate with the first axis of rotation, and the rollers of the second group rotate with the second axis of rotation. Each of the rollers has a first edge region having a first thickness and a second edge region having a second thickness thicker than the first thickness. Thus, both sides of each roller At least one side of the has an inclined profile.

상기 반도체 웨이퍼들을 로딩시키거나 언로딩시키는 경우에는, 상기 제1 가장자리 영역들의 모두가 하부를 향하여(downward) 배열되도록 상기 제1 및 제2 회전축들을 회전시킨다. 이 경우에, 상기 슬롯들 내에 홀딩된 웨이퍼들은 상기 로울러들과 접촉되지 않는다. 그러나, 상기 제2 가장자리 영역들의 모두가 상부를 향하여 배열되도록 상기 제1 및 제2 회전축들을 회전시키면, 상기 슬롯들 내에 로딩된 상기 웨이퍼들의 앞면들 또는 뒷면들은 상기 제2 가장자리 영역들과 접촉되어 상기 웨이퍼들을 압착시킨다(squeeze). 그 결과, 상기 웨이퍼들은 수직하게 세워진다. When loading or unloading the semiconductor wafers, the first and second rotational axes are rotated such that all of the first edge regions are arranged downward. In this case, wafers held in the slots are not in contact with the rollers. However, if the first and second rotational axes are rotated such that all of the second edge regions are arranged upward, the front or rear surfaces of the wafers loaded in the slots are in contact with the second edge regions. Squeeze the wafers. As a result, the wafers stand vertically.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 사시도이다. 1 is a perspective view of a wafer guide according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 가이드(10)는 지지 판넬(support panel; 1)과, 상기 지지 판넬(1)의 양 가장자리들 상에 각각 위치하는 제1 및 제2 평행한 수직 판넬들(vertical panels; 6a, 6b)과, 상기 제1 및 제2 수직 판넬들(6a, 6b) 사이에 위치하는 중심 판넬(central panel; 6c)을 포함한다. 상기 중심 판넬(6c)은 상기 지지 판넬(1)의 중심을 지나고 상기 제1 및 제2 수직 판넬들(6a, 6b)에 평행하다. 상기 제1 수직 판넬(6a)은 상기 지지판넬(1)에 부착된 제1 바디 판넬(body panel; 3a)과, 상기 제1 바디 판넬(3a)의 상부면으로부터 상부를 향하여(upward) 연장된 복수개의 제1 돌출부들(5a)을 포함한다. 상기 제1 돌출부들(5a)은 그들 사이의 갭 영역들(gap regions)에 해당하는 복수개의 제1 슬롯들 (7a)을 한정한다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 수직 판넬(6b)은 제2 바디 판넬(3b) 및 상기 제2 바디 판넬(3b)의 상부면으로부터 상부를 향하여 연장된 복수개의 제2 돌출부들(5b)을 포함한다. 이에 따라, 상기 제2 돌출부들(5b) 사이의 갭 영역들에 해당하는 복수개의 제2 슬롯들(7b)이 한정된다. 이에 더하여, 상기 중심 판넬(6c) 역시 중심 바디 판넬(central body panel; 3c) 및 상기 중심 바디 판넬의 상부면으로부터 상부를 향하여(upward) 연장된 복수개의 중심 돌출부들(central protrusions; 5c)을 포함한다. 상기 중심 돌출부들(5c) 사이의 갭 영역들은 중심 슬롯들(central slots; 7c)에 해당한다. 상기 슬롯들(7a, 7b 및 7c) 내에 복수개의 웨이퍼들(도시하지 않음)이 끼워진다. 따라서, 상기 중심 슬롯들(7c)은 상기 제1 및 제2 슬롯들(7a, 7b)보다 낮은 레벨(level)에 위치한다. 즉, 상기 제1 및 제2 슬롯들(7a, 7b)와 상기 중심 슬롯들(7c) 사이의 레벨 차이는 상기 웨이퍼들의 직경과 관련하여 정해질 수 있다. Referring to FIG. 1, the wafer guide 10 according to the first embodiment of the present invention includes a support panel 1 and first and first positions respectively positioned on both edges of the support panel 1. Two parallel vertical panels 6a, 6b and a central panel 6c positioned between the first and second vertical panels 6a, 6b. The center panel 6c passes through the center of the support panel 1 and is parallel to the first and second vertical panels 6a, 6b. The first vertical panel 6a extends upwardly from an upper surface of the first body panel 3a attached to the support panel 1 and an upper surface of the first body panel 3a. It includes a plurality of first protrusions (5a). The first protrusions 5a have a plurality of first slots corresponding to gap regions therebetween. (7a) is defined. Similarly, the second vertical panel 6b includes a second body panel 3b and a plurality of second protrusions 5b extending upward from an upper surface of the second body panel 3b. Accordingly, the plurality of second slots 7b corresponding to the gap regions between the second protrusions 5b are defined. In addition, the center panel 6c also includes a central body panel 3c and a plurality of central protrusions 5c extending upward from an upper surface of the center body panel. do. The gap regions between the central protrusions 5c correspond to central slots 7c. A plurality of wafers (not shown) are inserted into the slots 7a, 7b and 7c. Thus, the center slots 7c are located at a lower level than the first and second slots 7a and 7b. That is, the level difference between the first and second slots 7a and 7b and the center slots 7c may be determined in relation to the diameter of the wafers.

최근에, 상기 슬롯들(7a, 7b, 7c)의 피치를 감소시키어 1회의 린스/건조 공정동안 처리되는 배치 사이즈(batch size)를 증가시키는 기술이 채택되고 있다. 예를 들면, 상기 슬롯들(7a, 7b, 7c)의 피치를 10㎜로부터 5㎜로 감소시키는 경우에, 상기 웨이퍼 가이드에 로딩될 수 있는 웨이퍼들의 수는 2배로 증가된다. 이에 더하여, 상기 웨이퍼들의 직경은 생산성을 향상시키기 위하여 점점 증가된다. 실제로, 200㎜의 직경을 갖는 웨이퍼들 대신에 300㎜의 직경을 갖는 웨이퍼들이 널리 사용되고 있다. 이 경우에, 상기 슬롯들의 피치의 감소에 기인하여 상기 웨이퍼 가이드에 로딩된 상기 대구경 웨이퍼들(large sized wafers)의 상부영역들은 서로 접촉될 수 있다. 따라서, 도 24에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 수직판넬들(6a, 6b) 사이의 간격을 P1으로부터 P2로 증가시킴으로써, 상기 웨이퍼 가이드에 로딩되는 대구경 웨이퍼들(9)이 서로 접촉되는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 다시 말해서, 상기 지지판넬(1)의 폭을 증가시키는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제1 및 제2 슬롯들(7a, 7b)의 바닥면들과 아울러서 상기 중심 슬롯들(7c)의 바닥면들이 그들 내에 삽입되는 상기 웨이퍼들(9)과 균일하게 접촉하기 위해서는, 상기 제1 및 제2 수직 판넬들(6a, 6b)의 높이 또한 증가시켜야 한다. 실제로, 상기 슬롯들의 피치가 5㎜이고 상기 웨이퍼들의 직경이 300㎜인 경우에, 상기 제1 및 제2 슬롯들(7a, 7b)과 상기 중심 슬롯들(7c) 사이의 레벨 차이(Q)는 적어도 57㎜인 것이 바람직하다. Recently, a technique has been adopted to reduce the pitch of the slots 7a, 7b, 7c to increase the batch size processed during one rinse / dry process. For example, when the pitch of the slots 7a, 7b, 7c is reduced from 10 mm to 5 mm, the number of wafers that can be loaded into the wafer guide is doubled. In addition, the diameter of the wafers is gradually increased to improve productivity. Indeed, wafers with a diameter of 300 mm are widely used instead of wafers with a diameter of 200 mm. In this case, due to the decrease in the pitch of the slots, the upper regions of the large sized wafers loaded in the wafer guide may contact each other. Can be. Thus, as shown in FIG. 24, by increasing the distance between the first and second vertical panels 6a, 6b from P1 to P2, the large diameter wafers 9 loaded on the wafer guide contact each other. It is desirable to prevent that. In other words, it is desirable to increase the width of the support panel 1. At this time, the bottom surfaces of the center slots 7c as well as the bottom surfaces of the first and second slots 7a and 7b may be uniformly in contact with the wafers 9 inserted therein. The height of the first and second vertical panels 6a, 6b must also be increased. In fact, when the pitch of the slots is 5 mm and the diameter of the wafers is 300 mm, the level difference Q between the first and second slots 7a and 7b and the center slots 7c is It is preferable that it is at least 57 mm.

도 2는 도 1의 제1 수직 판넬(6a), 제2 수직 판넬(6b) 또는 중심 판넬(6c)의 일 부분을 보여주는 평면도이다. FIG. 2 is a plan view showing a part of the first vertical panel 6a, the second vertical panel 6b or the center panel 6c of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 상기 돌출부들(5a, 5b 또는 5c)의 측벽들(5s)은 도 1의 x-y면(x-y plane)과 평행한 평면으로부터 보여질 때 볼록한 형태(convex shape)를 갖는다. 이에 따라, 상기 돌출부들(5a, 5b 또는 5c) 사이의 슬롯들(도 1의 7a, 7b 또는 7c) 내에 웨이퍼들이 로딩된 경우에, 상기 웨이퍼들과 상기 측벽들(5s) 사이의 접촉 면적을 최소화시킬 수 있다. Referring to FIG. 2, the side walls 5s of the protrusions 5a, 5b or 5c have a convex shape when viewed from a plane parallel to the x-y plane of FIG. 1. Accordingly, when wafers are loaded into slots (7a, 7b or 7c of FIG. 1) between the protrusions 5a, 5b or 5c, the contact area between the wafers and the sidewalls 5s is determined. It can be minimized.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'에 따라 취해진 측단면도(side sectional view)이다. 3 is a side sectional view taken according to II ′ of FIG. 2.

도 3을 참조하면, 상기 돌출부들(5a, 5b, 5c)의 상부 표면들은 도 1의 y-z면(y-z plane)과 평행한 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태를 갖는다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 가이드(도 1의 10)에 웨이퍼들을 로딩시킬 때, 상기 웨이퍼들은 상기 슬롯들(7a, 7b, 7c) 내에 원활히(smoothly) 끼워진다. Referring to FIG. 3, the upper surfaces of the protrusions 5a, 5b, 5c have a convex shape when viewed from a cross section parallel to the y-z plane of FIG. 1. Accordingly, when loading the wafers into the wafer guide 10 of FIG. It fits smoothly into the slots 7a, 7b, 7c.

도 4는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'에 따라 취해진 정단면도(front sectional view)이다. 4 is a front sectional view taken according to II-II 'of FIG.

도 4를 참조하면, 상기 슬롯들(7a, 7b, 7c)의 바닥면들은 도 1의 x-z면(x-z plane)과 평행한 단면으로부터 보여질 때 볼록한 형태를 갖는다. 따라서, 상기 슬롯들(7a, 7b, 7c)의 바닥면들의 각각은 도 1의 x축과 평행한 접선(tangent line)과 하나의 접점(single contact point; 11)에서 접촉된다. 그 결과, 상기 바닥면들의 각각은 상기 접점(contact point; 11)의 양 옆에 각각 위치하는 제1 및 제2 바닥면들(3s', 3s")로 분할된다. 상기 제1 및 제2 바닥면들(3s', 3s")은 도 1의 y-z면과 평행하면서 상기 접점(11)을 지나는 평면에 대하여 서로 대칭이다. 다시 말해서, 상기 제1 바닥면(3s')과 상기 접선 사이의 제1 각도(a first angle; θ1)는 상기 제2 바닥면(3s")과 상기 접선 사이의 제2 각도(a second angle; θ2)와 동일하다. Referring to FIG. 4, the bottom surfaces of the slots 7a, 7b, 7c have a convex shape when viewed from a cross section parallel to the x-z plane of FIG. 1. Thus, each of the bottom faces of the slots 7a, 7b, 7c is in contact with a tangent line parallel to the x-axis of FIG. 1 at a single contact point 11. As a result, each of the bottom surfaces is divided into first and second bottom surfaces 3s', 3s "respectively located on both sides of the contact point 11. The first and second floors The faces 3s', 3s "are parallel to the yz plane of Figure 1 and symmetrical with respect to the plane passing through the contact 11. In other words, a first angle θ1 between the first bottom surface 3s' and the tangent line is a second angle between the second bottom surface 3s ″ and the tangent line; same as θ2).

한편, 상기 슬롯들(7a, 7b, 7c)의 바닥면들은 비대칭적인 표면 프로파일을 가질 수도 있다. 특히, 상기 중심 슬롯들(7c)의 바닥면들은 도 5에 도시된 바와 같이 비대칭적인 프로파일을 갖는 것이 바람직하다. On the other hand, the bottom surfaces of the slots 7a, 7b, 7c may have an asymmetric surface profile. In particular, the bottom surfaces of the center slots 7c preferably have an asymmetric profile as shown in FIG. 5.

도 5를 참조하면, 상기 중심 슬롯들(7c)의 바닥면들의 각각은 반도체 웨이퍼(9)와 상기 접점(11)에서 접촉한다. 이에 따라, 상기 바닥면들의 각각은 상기 접점(11)의 양 옆에 각각 위치하는 제1 및 제2 바닥면들(3t', 3t")로 분할된다. 여기서, 상기 제1 바닥면(3t')의 경사도(또는 곡률)는 상기 제2 바닥면(3t")의 경사도(또는 곡률)와 다르다. 예를 들면, 상기 웨이퍼(9)와 상기 제1 바닥면(3t') 사이의 제1 각도(α)는 도 5에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(9)와 상기 제2 바닥면(3t") 사이의 제2 각도(β)보다 작다. 이 경우에, 상기 웨이퍼(9) 표면에 잔존하는 탈이온수를 제거하기 위한 건조공정을 실시하는 동안, 상기 제2 바닥면(3t") 및 상기 웨이퍼(9) 사이에 잔존하는 탈이온수는 용이하게 제거된다. 이는, 상기 제2 바닥면(3t") 및 상기 웨이퍼(9) 사이에 잔존하는 탈이온수의 표면장력(surface tension)이 상기 제1 바닥면(3t') 및 상기 웨이퍼(9) 사이에 잔존하는 탈이온수의 표면장력보다 크기 때문이다. 이러한 표면장력 차이는 상기 제1 및 제2 각도들(α, β) 사이의 차이에 기인한다. 이와는 반대로, 상기 제1 각도(α)는 상기 제2 각도(β)보다 클 수도 있다. 결과적으로, 상기 웨이퍼(9)의 건조효율(drying efficiency)을 증대시킬 수 있다. Referring to FIG. 5, each of the bottom surfaces of the center slots 7c is in contact with the semiconductor wafer 9 at the contact 11. Accordingly, each of the bottom surfaces is divided into first and second bottom surfaces 3t 'and 3t "respectively positioned at both sides of the contact point 11. Here, the first bottom surface 3t'. ) Is different from the inclination (or curvature) of the second bottom surface 3t ". For example, the first angle α between the wafer 9 and the first bottom surface 3t 'is the wafer 9 and the second bottom surface 3t "as shown in FIG. Smaller than the second angle β between. In this case, during the drying process for removing the deionized water remaining on the surface of the wafer 9, the deionized water remaining between the second bottom surface 3t " The surface tension of deionized water remaining between the second bottom surface 3t ″ and the wafer 9 is reduced between the first bottom surface 3t ′ and the wafer 9. This is because it is larger than the surface tension of deionized water remaining in the. This surface tension difference is due to the difference between the first and second angles α and β. On the contrary, the first angle α may be larger than the second angle β. As a result, the drying efficiency of the wafer 9 can be increased.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들을 설명하기 위한 단면도이다. 도 6은 도 3과 같이 도 1의 y-z면에 평행한 평면을 따라 취해진 단면도이다. 6 is a cross-sectional view illustrating the vertical panels of the wafer guide according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along a plane parallel to the y-z plane of FIG. 1 as shown in FIG. 3.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직판넬들의 각각은 수직한 바디 판넬(3) 및 상기 바디판넬(3)의 상부면에 부착된 복수개의 돌출부들(5)을 포함한다. 상기 복수개의 돌출부들(5) 사이의 갭 영역들은 웨이퍼들이 끼워지는 슬롯들(7)에 해당한다. 상기 바디 판넬(3)은 친수성 물질(hydrophilic material)로 이루어지고, 상기 돌출부들(5)은 소수성 물질(hydrophobic material)로 이루어진다. 예를 들면, 상기 바디판넬(3)은 석영(quartz)과 같은 친수성 물질로 이루어지고, 상기 돌출부들(5)은 불소계열의 폴리머(fluorine system polymer)와 같은 소수성 물질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 상기 슬롯들(7)에 삽입된 웨 이퍼들과 상기 돌출부들(5) 사이에 잔류하는 탈이온수는 상기 바디 판넬(3)로 쉽게 흘러 내려진다(flow down). 결과적으로, 상기 웨이퍼들의 건조효율을 증대시킬 수 있다. Referring to FIG. 6, each of the vertical panels of the wafer guide according to the present embodiment includes a vertical body panel 3 and a plurality of protrusions 5 attached to the upper surface of the body panel 3. The gap regions between the plurality of protrusions 5 correspond to slots 7 into which wafers are fitted. The body panel 3 is made of a hydrophilic material, and the protrusions 5 are made of a hydrophobic material. For example, the body panel 3 may be made of a hydrophilic material, such as quartz, and the protrusions 5 may be made of a hydrophobic material, such as a fluorine system polymer. Thus, the web inserted into the slots 7 The deionized water remaining between the wipers and the protrusions 5 easily flows down to the body panel 3. As a result, the drying efficiency of the wafers can be increased.

이에 더하여, 상기 슬롯들(7)의 바닥면들의 각각은 리세스된 그루브(21)를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 그루브(21)는 상기 슬롯들(7)의 바닥면들과 웨이퍼들 사이의 접촉면적을 감소시킨다. 이에 따라, 웨이퍼들의 건조효율을 더욱 개선시킬 수 있다. In addition, each of the bottom surfaces of the slots 7 preferably has a recessed groove 21. This groove 21 reduces the contact area between the bottom surfaces of the slots 7 and the wafers. Accordingly, the drying efficiency of the wafers can be further improved.

더 나아가서, 상기 돌출부들(5)의 측벽들, 즉 상기 슬롯들(7)의 측벽들은 제1 실시예와 동일한 표면 프로파일을 가질 수 있다. 다시 말해서, 상기 슬롯들(7)의 측벽들은 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 슬롯들(7)의 측벽들과 상기 슬롯들(7) 내에 삽입된 웨이퍼들 사이의 접촉면적을 한층 더 감소시킬 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼들의 건조효율을 더욱 향상시킬 수 있다. Furthermore, the side walls of the protrusions 5, ie the side walls of the slots 7, may have the same surface profile as in the first embodiment. In other words, the side walls of the slots 7 may have a convex shape when viewed in plan. Accordingly, the contact area between the sidewalls of the slots 7 and the wafers inserted into the slots 7 can be further reduced. As a result, the drying efficiency of the wafers can be further improved.

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들을 설명하기 위한 단면도이다. 도 7은 도 3과 같이 도 1의 y-z면에 평행한 평면을 따라 취해진 단면도이다. 7 is a cross-sectional view illustrating the vertical panels of the wafer guide according to the third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along a plane parallel to the y-z plane of FIG. 1 as shown in FIG. 3.

도 7을 참조하면, 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디판넬(31) 및 상기 바디 판넬(31)의 상부면으로부터 연장된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 상기 복수개의 돌출부들은 홀수번째의 돌출부들(odd-numbered protrusions; 33a) 및 짝수번째의 돌출부들(even-numbered protrusions; 33b)로 구성된다. 상기 돌출부들 사이의 갭 영역은 슬롯들(35)에 해당한다. 상기 돌출부들의 측벽들은 수직한 하부측벽 들(vertical lower sidewalls) 및 양의 경사진 상부측벽들(positive sloped upper sidewalls)로 구성된다. 상기 수직한 하부측벽들은 상기 슬롯들(35)의 하부폭들을 한정한다. 상기 슬롯들(35)의 상부폭들은 상기 양의 경사진 상부측벽들에 기인하여 상기 슬롯들(35)의 하부폭보다 넓다. Referring to FIG. 7, each of the vertical panels includes a vertical body panel 31 and a plurality of protrusions extending from an upper surface of the body panel 31. The plurality of protrusions are formed of odd-numbered protrusions 33a and even-numbered protrusions 33b. The gap region between the protrusions corresponds to the slots 35. The side walls of the protrusions are vertical bottom wall Vertical lower sidewalls and positive sloped upper sidewalls. The vertical lower side walls define the lower widths of the slots 35. The upper widths of the slots 35 are wider than the lower widths of the slots 35 due to the positively sloped upper side walls.

상기 홀수번째의 돌출부들(33a)은 제1 하부측벽들(33s')을 갖고, 상기 짝수번째의 돌출부들(33b)은 제2 하부측벽들(33s")을 갖는다. 상기 제1 하부측벽들(33s')의 높이(H1)는 상기 제2 하부측벽들(33s")의 높이(H2)보다 크다. 이에 따라, 상기 슬롯들(35) 내에 끼워진 웨이퍼들은 상기 짝수번째의 돌출부들(33b)을 향하여 기울어질 수 있다. 다시 말해서, 홀수번째의 슬롯들 내에 끼워진 제1 그룹의 웨이퍼들(37a)은 도면 상에서 오른쪽을 향하여 기울어지는 반면에, 짝수번째의 슬롯들 내에 끼워진 제2 그룹의 웨이퍼들(37b)은 도면 상에서 왼쪽을 향하여 기울어진다. 그 결과, 상기 각 홀수번째의 돌출부들(33a)의 양 옆에 위치하는 한 쌍의 웨이퍼들(37a, 37b) 사이의 간격은 더 넓어지는 반면에, 상기 각 짝수번째의 돌출부들(33b)의 양 옆에 위치하는 한 쌍의 웨이퍼들(37a, 37b) 사이의 간격은 더 좁아진다. 이에 따라, 상기 제1 그룹의 웨이퍼들(37a)의 앞면들이 제1 방향을 향하고 상기 제2 그룹의 웨이퍼들(37b)의 앞면들이 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향을 향하는 경우에, 상기 웨이퍼들(37a, 37b)의 앞면들 사이의 간격들은 상기 웨이퍼들(37a, 37b)의 뒷면들 사이의 간격들보다 상대적으로 넓다. 결과적으로, 상기 웨이퍼들을 린스 또는 건조시키는 동안, 상기 웨이퍼들의 앞면들 사이의 갭 영역들 내에 유체(fluid)가 원활히 공급된다. 따라서, 상기 웨이퍼들의 앞면들에 대한 린스효과 또 는 건조효과를 향상시킬 수 있다. 한편, 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 제1 하부측벽들(33s')의 높이(H1)는 상기 제2 하부측벽들(33s")의 높이(H2)보다 작을 수도 있다. The odd-numbered protrusions 33a have first lower side walls 33s', and the even-numbered protrusions 33b have second lower side walls 33s ". The height H1 of 33s' is greater than the height H2 of the second lower side walls 33s ". Accordingly, wafers inserted into the slots 35 may be inclined toward the even-numbered protrusions 33b. In other words, the first group of wafers 37a sandwiched in odd-numbered slots incline toward the right in the figure, while the second group of wafers 37b sandwiched in even-numbered slots are left in the figure. Inclined towards As a result, the spacing between the pair of wafers 37a and 37b located on both sides of each of the odd-numbered protrusions 33a becomes wider, while the spacing of each of the even-numbered protrusions 33b is increased. The gap between the pair of wafers 37a and 37b located on both sides becomes narrower. Accordingly, when the front surfaces of the first group of wafers 37a face the first direction and the front surfaces of the second group of wafers 37b face the second direction opposite to the first direction, the The spacings between the front faces of the wafers 37a and 37b are relatively wider than the spacings between the back faces of the wafers 37a and 37b. As a result, during rinsing or drying the wafers, fluid is smoothly supplied into the gap regions between the front surfaces of the wafers. Therefore, the rinse effect on the front surfaces of the wafers Can improve the drying effect. Although not shown in the drawings, the height H1 of the first lower side walls 33s' may be smaller than the height H2 of the second lower side walls 33s ″.

적어도 상기 하부 측벽들(33s', 33s")은 제1 실시예와 같이 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 슬롯들(35)의 바닥면들은 상기 슬롯들(35)을 지나면서 상기 웨이퍼들(37a, 37b)과 평행한 평면을 따라 취해진 단면도로부터 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. 이 경우에, 상기 웨이퍼들(37a, 37b)과 상기 수직판넬 사이의 접촉면적을 최소화시킬 수 있다. 더 나아가서, 상기 슬롯들(35)의 바닥면들은 도 5에서 설명된 바와 같이 비대칭적인 프로파일을 가질 수도 있다. At least the lower sidewalls 33s', 33s "may have a convex shape when viewed in plan view as in the first embodiment. Further, the bottom surfaces of the slots 35 may face the slots 35. It can have a convex shape when viewed from a cross-sectional view taken along a plane parallel to the wafers 37a and 37b, in which case the contact area between the wafers 37a and 37b and the vertical panel is Furthermore, the bottom surfaces of the slots 35 may have an asymmetric profile as described in FIG. 5.

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들을 설명하기 위한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view for describing the vertical panels of the wafer guide according to the fourth embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디판넬(41) 및 상기 바디 판넬(41)의 상부면으로부터 연장된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 상기 복수개의 돌출부들은 홀수번째의 돌출부들(odd-numbered protrusions; 43a) 및 짝수번째의 돌출부들(even-numbered protrusions; 43b)로 구성된다. 상기 돌출부들 사이의 갭 영역은 슬롯들(45)에 해당한다. 상기 돌출부들의 측벽들은 하부측벽들(vertical lower sidewalls) 및 양의 경사진 상부측벽들(positive sloped upper sidewalls)로 구성된다. 상기 하부측벽들은 상기 슬롯들(45)의 하부폭들을 한정한다. 상기 슬롯들(45)의 상부폭들은 상기 양의 경사진 상부측벽들에 기인하여 상기 슬롯들(45)의 하부폭보다 넓다. Referring to FIG. 8, each of the vertical panels includes a vertical body panel 41 and a plurality of protrusions extending from an upper surface of the body panel 41. The plurality of protrusions are formed of odd-numbered protrusions 43a and even-numbered protrusions 43b. The gap region between the protrusions corresponds to the slots 45. The sidewalls of the protrusions consist of vertical lower sidewalls and positive sloped upper sidewalls. The lower side walls define lower widths of the slots 45. Upper widths of the slots 45 are due to the positively sloped upper sidewalls. Wider than the lower width of the slots 45.

상기 홀수번째의 돌출부들(43a)의 하부측벽들, 즉 제1 하부측벽들(43s')은 수직한 프로파일을 갖고, 상기 짝수번째의 돌출부들(43b)의 하부측벽들, 즉 제2 하부측벽들(43s")은 양의 경사도를 갖는다. 상기 제2 하부측벽들(43s")의 경사도는 상기 상부측벽들의 경사도보다 더 가파르다(steeper). 결과적으로, 상기 슬롯들(45) 내에 끼워진 웨이퍼들(47a, 47b)은 상기 제3 실시예와 같이 상기 짝수번째의 돌출부들(43b)을 향하여 기울어질 수 있다. 따라서, 상기 제3 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있음은 자명하다. Lower side walls of the odd-numbered protrusions 43a, that is, the first lower side walls 43s' have a vertical profile, and lower side walls of the even-numbered protrusions 43b, that is, the second lower side wall. The field 43s "has a positive slope. The slope of the second lower side walls 43s" is steeper than the slope of the upper side walls. As a result, the wafers 47a and 47b fitted into the slots 45 may be inclined toward the even-numbered protrusions 43b as in the third embodiment. Therefore, it is apparent that the same effects as in the third embodiment can be obtained.

더 나아가서, 상기 하부 측벽들(43s', 43s")은 제3 실시예와 같이 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. 상기 슬롯들(45)의 바닥면들 역시 상기 제3 실시예와 동일한 표면 프로파일을 가질 수 있다. Furthermore, the lower sidewalls 43s' and 43s "may have a convex shape when viewed in plan view as in the third embodiment. The bottom surfaces of the slots 45 may also be different from the third embodiment. It can have the same surface profile.

도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들을 설명하기 위한 단면도이다. 9 is a cross-sectional view illustrating the vertical panels of the wafer guide according to the fifth embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 상기 수직판넬들의 각각은 수직한 바디판넬(51) 및 상기 바디판넬의 상부면으로부터 연장된 복수개의 돌출부들을 포함한다. 상기 돌출부들 사이의 갭 영역들은 웨이퍼들이 삽입되는 슬롯들(55)에 해당한다. 상기 돌출부들은 홀수번째의 돌출부들(53a) 및 짝수번째의 돌출부들(53b)을 포함한다. 이와 마찬가지로, 상기 슬롯들(55)은 홀수번째의 슬롯들 및 짝수번째의 슬롯들을 포함한다. 상기 슬롯들(55)의 측벽들, 즉 상기 돌출부들의 측벽들은 수직한 하부측벽들 및 양의 경사진 상부측벽들을 포함한다. 상기 홀수번째의 슬롯들의 바닥면들(55a)은 상기 수직판넬들과 평행한 면을 따라 취해진 단면도로부터 보여질 때, 상기 짝수번째의 슬롯들의 바닥면들(55b)과 반대의 경사도를 갖는다. 다시 말해서, 상기 홀수번째의 바닥면들(55a)과 상기 홀수번째의 돌출부들(53a)의 측벽들이 서로 접하는 부분은 상기 홀수번째의 바닥면들(55a)과 상기 짝수번째의 돌출부들(53b)의 측벽들이 서로 접하는 부분보다 높다. 이에 따라, 상기 홀수번째의 슬롯들 내에 삽입된 홀수번째의 웨이퍼들(57a)은 도시된 바와 같이 상기 짝수번째의 돌출부들(53b)을 향하여 기울어진다. 또한, 상기 짝수번째의 바닥면들(55b)과 상기 홀수번째의 돌출부들(53a)의 측벽들이 서로 접하는 부분은 상기 짝수번째의 바닥면들(55b)과 상기 짝수번째의 돌출부들(53b)의 측벽들이 서로 접하는 부분보다 높다. 이에 따라, 상기 짝수번째의 슬롯들 내에 삽입된 짝수번째의 웨이퍼들(57b)은 도시된 바와 같이 상기 짝수번째의 돌출부들(53b)을 향하여 기울어진다. 결과적으로, 상기 제3 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있음은 자명하다. Referring to FIG. 9, each of the vertical panels includes a vertical body panel 51 and a plurality of protrusions extending from an upper surface of the body panel. The gap regions between the protrusions correspond to slots 55 into which wafers are inserted. The protrusions include odd-numbered protrusions 53a and even-numbered protrusions 53b. Similarly, the slots 55 include odd numbered slots and even numbered slots. The sidewalls of the slots 55, ie the sidewalls of the protrusions, comprise vertical lower sidewalls and positively sloped upper sidewalls. Bottom surfaces 55a of the odd-numbered slots When viewed from a cross sectional view taken along a plane parallel to the vertical panels, it has an inclination opposite to the bottom surfaces 55b of the even-numbered slots. In other words, portions of the sidewalls of the odd-numbered bottom surfaces 55a and the odd-numbered protrusions 53a are in contact with each other, and the odd-numbered bottom surfaces 55a and the even-numbered protrusions 53b. Side walls are higher than the portion in contact with each other. Accordingly, the odd-numbered wafers 57a inserted into the odd-numbered slots are inclined toward the even-numbered protrusions 53b as shown. In addition, the portions of the even bottom surfaces 55b and the sidewalls of the odd protrusions 53a may be in contact with each other, respectively, of the even bottom surfaces 55b and the even protrusions 53b. The sidewalls are higher than the part in contact with each other. Accordingly, even-numbered wafers 57b inserted into the even-numbered slots are inclined toward the even-numbered protrusions 53b as shown. As a result, it is apparent that the same effects as in the third embodiment can be obtained.

더 나아가서, 상기 수직한 하부측벽들은 제3 실시예와 같이 평면적으로 보여질 때 볼록한 형태를 가질 수 있다. 상기 바닥면들(55a, 55b) 역시 상기 수직판넬들을 가로지르는 단면으로부터 보여질 때, 상기 제3 실시예와 동일한 표면 프로파일을 가질 수 있다. Furthermore, the vertical lower side walls may have a convex shape when viewed in plan like the third embodiment. The bottom surfaces 55a and 55b may also have the same surface profile as the third embodiment when viewed from a cross section across the vertical panels.

도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 가이드를 설명하기 위한 개략적인 정단면도이다. 10 is a schematic front cross-sectional view illustrating a wafer guide according to a sixth embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 가이드는 제1 폭(W1)을 갖는 주 웨이퍼 가이드(main wafer guide; 10) 및 상기 제1 폭(W1)보다 넓은 제2 폭(W2)을 갖는 보조 웨이퍼 가이드(auxiliary wafer guide; 61)를 포함한다. 상기 주 웨이퍼 가이드(10)는 도 1 내지 도 6에서 설명된 제1 및 제2 실시예들과 동일한 형태를 가질 수 있다. 상기 보조 웨이퍼 가이드(61)는 상기 제2 폭(W2)을 갖는 보조 지지부(auxiliary support portion) 및 상기 보조 지지부의 양 가장자리들 상에 각각 위치하여 상기 주 웨이퍼 가이드(10) 상에 로딩된 반도체 웨이퍼들(63)을 추가로 홀딩하는 한 쌍의 평행한 웨이퍼 지지부들(wafer supporters)을 포함한다. 상기 한 쌍의 웨이퍼 지지부들 사이의 간격이 상기 주 웨이퍼 가이드(10)의 폭보다 넓으므로, 상기 주 웨이퍼 가이드(10) 상에 로딩된 상기 웨이퍼들(63) 사이의 간격들을 더욱 균일하게 유지시킬 수 있다. Referring to FIG. 10, a wafer guide according to the present exemplary embodiment may include a main wafer guide 10 having a first width W1 and a second width W2 wider than the first width W1. And an auxiliary wafer guide 61 having. The main wafer guide 10 may have the same shape as the first and second embodiments described with reference to FIGS. 1 to 6. The auxiliary wafer guide 61 is located on an auxiliary support portion having the second width W2 and on both edges of the auxiliary support portion and is loaded on the main wafer guide 10. And a pair of parallel wafer supporters that further hold the teeth 63. Since the spacing between the pair of wafer supports is wider than the width of the main wafer guide 10, the spacing between the wafers 63 loaded on the main wafer guide 10 can be maintained more evenly. Can be.

상기 보조 웨이퍼 가이드(61)는 상기 주 웨이퍼 가이드(10)와 함께 이동되거나 독립적으로 이동될 수 있다. The auxiliary wafer guide 61 may be moved together with or independently of the main wafer guide 10.

도 11 내지 도 15는 도 10에 보여진 웨이퍼 가이드의 사용방법을 설명하기 위한 개략도들이다. 11 to 15 are schematic views for explaining a method of using the wafer guide shown in FIG.

도 11을 참조하면, 화학용액 또는 탈이온수와 같은 액체(75)를 저장하는 액조(wet bath; 71) 상에 챔버(73)가 위치한다. 상기 챔버(73)의 하부는 개방되어(opened) 상기 액조(71)와 연결된다. 상기 챔버(73) 내에 도 10에 보여진 웨이퍼 가이드가 위치한다. 상기 웨이퍼 가이드 상에 복수개의 웨이퍼들(63)을 로딩시킨다. 이때, 상기 웨이퍼들(63)은 상기 주 웨이퍼 가이드(10)와 아울러서 상기 보도 웨이퍼 가이드(71)에 의해 지지된다. 따라서, 상기 웨이퍼들(63)의 하부들은 물론 그들의 상부들 역시 균일한 간격들로 이격된다. Referring to FIG. 11, a chamber 73 is positioned on a wet bath 71 that stores a liquid 75 such as a chemical solution or deionized water. The lower part of the chamber 73 is opened and connected to the liquid tank 71. The wafer guide shown in FIG. 10 is located in the chamber 73. A plurality of wafers 63 are loaded onto the wafer guide. In this case, the wafers 63 are supported by the sidewalk wafer guide 71 together with the main wafer guide 10. Thus, the bottoms of the wafers 63 as well as their tops are also spaced at uniform intervals.

도 12를 참조하면, 상기 웨이퍼 가이드를 하강시키어 상기 웨이퍼들(63)을 상기 액체(75) 내에 담군다. 상기 액체(75)가 화학용액과 같은 세정용액인 경우에, 상기 웨이퍼들(63)은 세정된다. 이와는 달리, 상기 액체(75)가 탈이온수인 경우에는, 상기 웨이퍼들(63)은 린스된다. 상기 세정 공정 및 상기 린스 공정은 상기 액조(71) 내에서 연속적으로 실시될 수도 있다. Referring to FIG. 12, the wafer guide is lowered to soak the wafers 63 in the liquid 75. In the case where the liquid 75 is a cleaning solution such as a chemical solution, the wafers 63 are cleaned. Alternatively, if the liquid 75 is deionized water, the wafers 63 are rinsed. The washing step and the rinsing step may be performed continuously in the liquid bath 71.

도 13을 참조하면, 상기 린스 공정이 완료된 후에, 상기 챔버(73) 내부로 건조가스(도시하지 않음)를 주입한다. 이어서, 상기 보조 웨이퍼 가이드(61)가 상기 탈이온수(75)의 수면 위로 노출되지 않을 때까지 상기 웨이퍼 가이드를 상승시키어 상기 웨이퍼들(63)의 상부들(upper regions; 63a)을 노출시킨다. 이에 따라, 상기 노출된 상부들(exposed upper regions; 63a) 사이의 간격들은 상기 보조 웨이퍼 가이드(61)에 기인하여 여전히 균일한 값을 유지한다. 그 결과, 상기 노출된 상부들(63a)의 표면들에 잔존하는 탈이온수가 효율적으로 제거된다. Referring to FIG. 13, after the rinse process is completed, a dry gas (not shown) is injected into the chamber 73. The wafer guide is then raised to expose the upper regions 63a of the wafers 63 until the auxiliary wafer guide 61 is not exposed above the surface of the deionized water 75. Accordingly, the spacings between the exposed upper regions 63a still remain uniform due to the auxiliary wafer guide 61. As a result, deionized water remaining on the surfaces of the exposed upper portions 63a is efficiently removed.

도 14를 참조하면, 상기 노출된 상부들(63a)을 건조시킨 후에, 상기 주 웨이퍼 가이드(10)만을 상승시키어 상기 웨이퍼들(63)의 하부들(63b)을 완전히 노출시킨다. 그 결과, 상기 웨이퍼들(63)이 불규칙적으로 기울어져 상기 상부들(63a) 사이의 간격들은 불균일한 값을 유지한다. 그러나, 상기 웨이퍼들(63)이 불규칙적으로 기울어질지라도, 상기 하부들(63b) 사이의 간격들은 상기 주 웨이퍼 가이드(10)에 의해 여전히 균일한 값을 유지한다. 이에 따라, 상기 하부들(63b)의 표면들에 잔존하는 탈이온수 역시 효율적으로 제거된다. Referring to FIG. 14, after the exposed upper portions 63a are dried, only the main wafer guide 10 is raised to completely expose the lower portions 63b of the wafers 63. As a result, the wafers 63 are inclined irregularly so that the gaps between the upper portions 63a maintain non-uniform values. However, even if the wafers 63 are inclined irregularly, the gaps between the lower portions 63b are still kept uniform by the main wafer guide 10. Accordingly, the deionized water remaining on the surfaces of the lower portions 63b is also efficiently removed.

도 15를 참조하면, 상기 액조(71) 내의 탈이온수(75)를 드레인시킨다. 이에 따라, 상기 보조 웨이퍼 가이드(61)가 노출되고, 상기 노출된 보조 웨이퍼 가이드(61)는 상기 챔버(73) 내부로 주입되는 건조가스에 의해 건조된다. Referring to FIG. 15, the deionized water 75 in the liquid tank 71 is drained. Therefore Accordingly, the auxiliary wafer guide 61 is exposed, and the exposed auxiliary wafer guide 61 is dried by a dry gas injected into the chamber 73.

계속해서, 상기 보조 웨이퍼 가이드(61)를 상승시키어 상기 웨이퍼들(63)을 추가로 지지할 수도 있다. 이어서, 상기 챔버(73) 내부로 질소가스와 같은 퍼지가스를 추가로 주입할 수도 있다. Subsequently, the auxiliary wafer guide 61 may be raised to further support the wafers 63. Subsequently, a purge gas such as nitrogen gas may be further injected into the chamber 73.

도 21은 상기 보조 웨이퍼 가이드(61)를 갖는 웨이퍼 가이드를 구체적으로 설명하기 위한 사시도이다. FIG. 21 is a perspective view for specifically describing a wafer guide having the auxiliary wafer guide 61.

도 21을 참조하면, x-y면에 평행한 지지판넬(121)의 양 가장자리들 상부에 각각 제1 웨이퍼 지지부들(132a) 및 제2 웨이퍼 지지부들(132b)이 위치한다. 상기 제1 및 제2 웨이퍼 지지부들(132a, 132b)은 y축에 평행하도록 배치된다. 상기 제1 웨이퍼 지지부(132a)의 양 단들로부터 연장된 한 쌍의 제1 수직 바들(135a)은 상기 지지판넬(121)에 접속된다. 이에 따라, 상기 제1 웨이퍼 지지부(132a)는 상기 제1 수직바들(135a)에 의해 상기 지지판넬(121)에 고정된다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 웨이퍼 지지부(132b)는 한 쌍의 제2 수직 바들(135b)에 의해 상기 지지판넬(121)에 고정된다. 상기 제1 웨이퍼 지지부(132a)는 서로 마주보는 한 쌍의 평행한 측면들을 갖는 제1 수평몸체(129a)와, 상기 한 쌍의 측면들중 어느 하나로부터 돌출된 복수개의 제1 돌출부들(131a)을 포함한다. 상기 제1 돌출부들(131a)은 복수개의 제1 요부들(first lumbar regions; 133a)을 한정한다. 또한, 상기 제2 웨이퍼 지지부(132b)는 서로 마주보는 한 쌍의 평행한 측면들을 갖는 제2 수평몸체(129b)와, 상기 한 쌍의 측면들중 어느 하나로부터 돌출된 복수개의 제2 돌출부들(131b)을 포함 한다. 상기 제2 돌출부들(131b)은 복수개의 제2 요부들(second lumbar regions; 133b)을 한정한다. 상기 제1 및 제2 요부들(133a, 133b)은 복수개의 웨이퍼들을 홀딩하는 보조 슬롯들 역할을 한다. Referring to FIG. 21, first wafer supports 132a and second wafer supports 132b are positioned on both edges of the support panel 121 parallel to the x-y plane. The first and second wafer supports 132a and 132b are disposed parallel to the y axis. A pair of first vertical bars 135a extending from both ends of the first wafer support 132a are connected to the support panel 121. Accordingly, the first wafer support part 132a is fixed to the support panel 121 by the first vertical bars 135a. Similarly, the second wafer support 132b is fixed to the support panel 121 by a pair of second vertical bars 135b. The first wafer support 132a may include a first horizontal body 129a having a pair of parallel side surfaces facing each other, and a plurality of first protrusions 131a protruding from any one of the pair of side surfaces. It includes. The first protrusions 131a define a plurality of first lumbar regions 133a. In addition, the second wafer support 132b may include a second horizontal body 129b having a pair of parallel side surfaces facing each other, and a plurality of second protrusions protruding from any one of the pair of side surfaces. 131b) do. The second protrusions 131b define a plurality of second lumbar regions 133b. The first and second recesses 133a and 133b serve as auxiliary slots for holding a plurality of wafers.

한편, 상기 제1 및 제2 웨이퍼 지지부들(132a, 132b) 사이의 상기 지지판넬(121) 상에 상기 y축에 평행한 3개의 수직판넬들이 부착된다. 상기 3개의 수직판넬들은 상기 지지판넬(121)의 중심을 지나는 중심 판넬(126c), 상기 중심 판넬(126c) 및 상기 제1 웨이퍼 지지부(132a) 사이에 위치한 제1 수직 판넬(126a), 및 상기 중심 판넬(126c) 및 상기 제2 웨이퍼 지지부(132b) 사이에 위치한 제2 수직 판넬(126b)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 수직 판넬들(126a, 126b)과 아울러서 상기 중심판넬(126c)은 본 발명의 제1 실시예와 동일한 형태들(same configurations)을 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 수직 판넬(126a)은 제1 수직 바디 판넬(123a) 및 상기 제1 바디 판넬(123a)의 상부면으로부터 연장된 복수개의 제1 돌출부들(125a)을 포함한다. 상기 제1 돌출부들(125a)은 복수개의 제1 슬롯들(127a)을 한정한다. 이와 마찬가지로, 상기 제2 수직 판넬(126b)은 제2 수직 바디 판넬(123b) 및 상기 제2 바디 판넬(123b)의 상부면으로부터 연장된 복수개의 제2 돌출부들(125b)을 포함한다. 상기 제2 돌출부들(125b)은 복수개의 제2 슬롯들(127b)을 한정한다. 또한, 상기 중심 판넬(126c)은 수직한 중심 바디 판넬(123c) 및 상기 중심 바디 판넬(123c)의 상부면으로부터 연장된 복수개의 중심 돌출부들(125c)을 포함한다. 상기 중심 돌출부들(125c)은 복수개의 중심 슬롯들(127c)을 한정한다. Meanwhile, three vertical panels parallel to the y-axis are attached to the support panel 121 between the first and second wafer supports 132a and 132b. The three vertical panels may include a center panel 126c passing through the center of the support panel 121, a first vertical panel 126a positioned between the center panel 126c and the first wafer support 132a, and the And a second vertical panel 126b positioned between the center panel 126c and the second wafer support 132b. In addition to the first and second vertical panels 126a and 126b, the center panel 126c may have the same configurations as the first embodiment of the present invention. That is, the first vertical panel 126a includes a first vertical body panel 123a and a plurality of first protrusions 125a extending from an upper surface of the first body panel 123a. The first protrusions 125a define a plurality of first slots 127a. Similarly, the second vertical panel 126b includes a second vertical body panel 123b and a plurality of second protrusions 125b extending from an upper surface of the second body panel 123b. The second protrusions 125b define a plurality of second slots 127b. In addition, the center panel 126c includes a vertical center body panel 123c and a plurality of center protrusions 125c extending from an upper surface of the center body panel 123c. The center protrusions 125c define a plurality of center slots 127c.

상기 제1 및 제2 수직판넬들(126a, 126b)과 아울러서 상기 중심 판넬(126c) 은 상기 지지판넬(121)과 격리된 다른 하나의 지지판넬(도시하지 않음)에 의해 지지될 수도 있다. 이 경우에, 상기 제1 및 제2 수직판넬들(126a, 126b), 상기 중심 판넬(126c), 및 상기 다른 지지판넬은 도 10의 주 웨이퍼 가이드(10)에 해당하고, 상기 제1 및 제2 웨이퍼 지지부들(132a, 132b), 상기 제1 및 제2 수직바들(135a, 135b), 및 상기 지지판넬(121)은 도 10의 보조 웨이퍼 가이드(61)에 해당한다. 상기 주 웨이퍼 가이드는 상기 지지판넬(121), 상기 제1 및 제2 수직판넬들(126a, 126b)만으로 구성될 수도 있다. The center panel 126c together with the first and second vertical panels 126a and 126b. May be supported by another support panel (not shown) isolated from the support panel 121. In this case, the first and second vertical panels 126a and 126b, the center panel 126c, and the other support panel correspond to the main wafer guide 10 of FIG. 10, and the first and second The two wafer supports 132a and 132b, the first and second vertical bars 135a and 135b, and the support panel 121 correspond to the auxiliary wafer guide 61 of FIG. 10. The main wafer guide may be composed of only the support panel 121 and the first and second vertical panels 126a and 126b.

도 22는 도 21의 웨이퍼 가이드와 아울러서 상기 웨이퍼 가이드 상에 로딩된 웨이퍼들을 보여주는 정면도(front view)이다. FIG. 22 is a front view showing the wafers loaded on the wafer guide in conjunction with the wafer guide of FIG. 21.

도 22를 참조하면, 상기 제1 및 제2 웨이퍼 지지부들(132a, 132b)은 상기 주 웨이퍼 가이드 상에 로딩된 웨이퍼들(137)의 가장자리들을 추가로 홀딩하여 상기 웨이퍼들(137) 사이의 간격들을 균일하게 유지한다. 상기 주 웨이퍼 가이드는 상기 지지판넬(121), 상기 제1 및 제2 수직판넬들(126a, 126b)만으로 구성될 수도 있다. Referring to FIG. 22, the first and second wafer supports 132a and 132b further hold edges of the wafers 137 loaded on the main wafer guide to space the gaps between the wafers 137. Keep them uniform. The main wafer guide may be composed of only the support panel 121 and the first and second vertical panels 126a and 126b.

상기 제1 및 제2 웨이퍼 지지부들(132a, 132b)은 도 21의 x-z면과 평행한 단면으로부터 보여질 때 유선형의 형태(streamlined shape)를 갖는다. 이에 따라, 도 21의 x축에 평행한 방향을 따라 상기 웨이퍼들(137) 사이에 공급되는 건조가스가 소용돌이(whirlpool) 없이 원활하게 흐르는 것을 허용한다. The first and second wafer supports 132a, 132b have a streamlined shape when viewed from a cross section parallel to the x-z plane of FIG. 21. This allows the dry gas supplied between the wafers 137 to flow smoothly without a whirlpool along the direction parallel to the x-axis of FIG. 21.

도 23은 도 21에 보여진 제1 또는 제2 웨이퍼 지지부들(132a 또는 132b)의 변형예(modified embodiment)를 설명하기 위한 평면도이다. FIG. 23 is a plan view illustrating a modified embodiment of the first or second wafer supports 132a or 132b shown in FIG. 21.

도 23을 참조하면, 본 변형예에 따른 웨이퍼 지지부(140a)는 한 쌍의 측바들 (side bars; 141, 147), 상기 측바들(141, 147)의 앞 단들(front ends)을 서로 연결시키는 전단 바(front bar; 149) 및 상기 측바들(141, 147)의 뒷단들(rear ends)을 서로 연결시키는 후단 바(rear bar; 도시하지 않음)를 포함한다. 상기 측바들(141, 147)중 하나(도 23의 147)는 구부러진 형태(bent shape)를 갖는다. 이에 따라, 상기 구부러진 측바(bent side bar; 147)는 도 22에 보여진 웨이퍼들(137)의 가장자리들과 접촉하는 복수개의 요부들(145)을 한정하는 복수개의 돌출부들(143)을 갖는다. Referring to FIG. 23, the wafer support 140a according to the present modification includes a pair of side bars. (side bars) 141 and 147, a front bar 149 connecting the front ends of the side bars 141 and 147 to one another and the rear ends of the side bars 141 and 147 ends) and a rear bar (not shown) that connects each other. One of the side bars 141, 147 (147 of FIG. 23) has a bent shape. Accordingly, the bent side bar 147 has a plurality of protrusions 143 defining a plurality of recesses 145 in contact with the edges of the wafers 137 shown in FIG. 22.

도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬 유니트(vertical panel unit; 80)를 보여주는 사시도이고, 도 17은 도 16의 y-z면에 평행한 면을 따라 취해진 수직판넬 유니트의 단면도이다. FIG. 16 is a perspective view showing a vertical panel unit 80 of the wafer guide according to the seventh embodiment of the present invention, and FIG. 17 is a cross-sectional view of the vertical panel unit taken along a plane parallel to the yz plane of FIG. to be.

도 16 및 도 17을 참조하면, 상기 수직판넬 유니트(80)는 도 1에 보여진 중심 판넬(6c) 대신에 설치될 수 있다. 이에 더하여, 상기 수직판넬 유니트(80)는 도 1의 제1 및 제2 수직 판넬들(6a, 6b) 대신에 설치될 수도 있다. 상기 수직판넬 유니트(80)는 수직한 바디 판넬(81) 및 상기 바디판넬(81)의 상부면으로부터 연장된 복수개의 돌출부들(83)을 포함한다. 상기 바디판넬(81)은 y축에 평행하고, 상기 복수개의 돌출부들(83)은 상기 y축을 따라 배열된다. 상기 복수개의 돌출부들(83) 사이의 갭 영역들(85)은 웨이퍼들(99)이 삽입되는 슬롯들에 해당한다. 상기 돌출부들(83)의 하부측벽들, 즉 상기 슬롯들(85)의 하부측벽들은 수직한 프로파일을 갖는 것이 바람직하다. 16 and 17, the vertical panel unit 80 may be installed in place of the center panel 6c shown in FIG. In addition, the vertical panel unit 80 may be installed in place of the first and second vertical panels 6a and 6b of FIG. 1. The vertical panel unit 80 includes a vertical body panel 81 and a plurality of protrusions 83 extending from an upper surface of the body panel 81. The body panel 81 is parallel to the y axis, and the plurality of protrusions 83 are arranged along the y axis. The gap regions 85 between the plurality of protrusions 83 correspond to slots into which the wafers 99 are inserted. The lower side walls of the protrusions 83, ie the lower side walls of the slots 85, preferably have a vertical profile.

상기 바디 판넬(81) 내에 상기 y축에 평행한 실린더(87)가 제공된다. 상기 실린더(87) 내에 피스톤(89)이 끼워진다. 상기 실린더(87)의 양 단들에 각각 제1 및 제2 유체 주입관들(fluid inlet conduits; 95, 97)이 연결된다. 이에 따라, 상기 제1 유체 주입관(95)을 통하여 액체 또는 기체가 주입되는 경우에, 상기 피스톤(89)은 "B" 방향, 즉 상기 제2 유체 주입관(97)을 향하여 이동된다. 이와 반대로, 상기 제2 유체 주입관(97)을 통하여 액체 또는 기체가 주입되는 경우에, 상기 피스톤(89)은 "A" 방향, 즉 상기 제1 유체 주입관(95)을 향하여 이동된다. A cylinder 87 is provided in the body panel 81 parallel to the y axis. remind The piston 89 is fitted into the cylinder 87. First and second fluid inlet conduits 95 and 97 are connected to both ends of the cylinder 87, respectively. Accordingly, when liquid or gas is injected through the first fluid inlet tube 95, the piston 89 is moved toward the “B” direction, that is, toward the second fluid inlet tube 97. In contrast, when liquid or gas is injected through the second fluid inlet tube 97, the piston 89 is moved toward the "A" direction, that is, toward the first fluid inlet tube 95.

상기 돌출부들(83) 내에 복수개의 패드 실린더들(91)이 제공된다. 상기 패드 실린더들(91) 내에 복수개의 패드들(93)이 위치한다. 상기 패드들(93)은 상기 피스톤(89)에 연결되어 상기 피스톤(89)과 함께 이동한다. 이에 따라, 상기 제2 유체 주입관(97)을 통하여 유체가 주입되는 경우에, 상기 피스톤(89)은 상기 제1 유체 주입관(95)을 향하여 이동되고 상기 패드들(93)의 각각은 상기 돌출부들(83)의 각각의 일 측벽으로부터 돌출된다. 그 결과, 상기 슬롯들(85) 내에 로딩된 상기 웨이퍼들(99)은 도 17에 도시된 바와 같이 수직하게 정렬된다. 따라서, 상기 웨이퍼들(99) 사이의 간격들은 균일한 값을 갖는다. A plurality of pad cylinders 91 are provided in the protrusions 83. A plurality of pads 93 are located in the pad cylinders 91. The pads 93 are connected to the piston 89 and move together with the piston 89. Accordingly, when the fluid is injected through the second fluid inlet tube 97, the piston 89 is moved toward the first fluid inlet tube 95 and each of the pads 93 It protrudes from one side wall of each of the protrusions 83. As a result, the wafers 99 loaded in the slots 85 are vertically aligned as shown in FIG. 17. Thus, the gaps between the wafers 99 have a uniform value.

상기 수직 판넬 유니트(80) 상에 상기 웨이퍼들(99)을 로딩시키거나 상기 수직 판넬 유니트(80)로부터 상기 웨이퍼들(99)을 언로딩시키기 위한 동작들(operations)은 상기 제1 유체 주입관(95)을 통하여 유체를 주입시키어 상기 패드들(93)을 상기 돌출부들(83) 내부로 이동시킨 후에 이루어진다. Operations for loading the wafers 99 on the vertical panel unit 80 or unloading the wafers 99 from the vertical panel unit 80 are performed by the first fluid injection tube. Fluid is injected through 95 to move the pads 93 into the protrusions 83.

상기 실린더(87), 상기 피스톤(89), 상기 제1 및 제2 유체 주입관들(95, 97), 상기 패드 실린더들(91), 및 상기 패드들(93)은 웨이퍼 정렬 수단을 구성한 다. The cylinder 87, the piston 89, the first and second fluid injection tubes 95 and 97, the pad cylinders 91, and the pads 93 constitute wafer alignment means. All.

도 18은 도 17에 보여진 수직 판넬 유니트(80)의 다른 실시예를 설명하기 위한 사시도이다. 또한, 도 19는 도 18에 보여진 수직 판넬 유니트(100)를 사용하여 웨이퍼를 로딩하거나 언로딩하는 방법을 설명하기 위한 측면도(side view)이고, 도 20은 도 18에 보여진 수직 판넬 유니트(100)를 사용하여 웨이퍼를 정렬시키는 방법을 설명하기 위한 측면도이다. 도 19 및 도 20은 도 18의 "S" 방향을 향하여 보여진 측면도들이다. 18 is a perspective view for explaining another embodiment of the vertical panel unit 80 shown in FIG. 19 is a side view for explaining a method of loading or unloading a wafer using the vertical panel unit 100 shown in FIG. 18, and FIG. 20 is a vertical panel unit 100 shown in FIG. 18. It is a side view for demonstrating the method of aligning a wafer using. 19 and 20 are side views shown toward the “S” direction in FIG. 18.

도 18, 도 19 및 도 20을 참조하면, 상기 수직 판넬 유니트(100)는 도 1에 보여진 중심 판넬(6c) 대신에 설치될 수 있다. 이에 더하여, 상기 수직판넬 유니트(100)는 도 1의 제1 및 제2 수직 판넬들(6a, 6b) 대신에 설치될 수도 있다. 상기 수직판넬 유니트(100)는 수직한 바디 판넬(101) 및 상기 바디판넬(101)의 상부면으로부터 연장된 복수개의 돌출부들(103)을 포함한다. 상기 바디판넬(101)은 y축에 평행하고, 상기 복수개의 돌출부들(103)은 상기 y축을 따라 배열된다. 상기 복수개의 돌출부들(103) 사이의 갭 영역들(105)은 웨이퍼들(111)이 삽입되는 슬롯들에 해당한다. 상기 돌출부들(103)의 하부측벽들, 즉 상기 슬롯들(105)의 하부측벽들은 수직한 프로파일을 갖는 것이 바람직하다. 상기 바디판넬(101) 및 상기 돌출부들(103)은 수직 판넬을 구성한다. 18, 19 and 20, the vertical panel unit 100 may be installed in place of the center panel 6c shown in FIG. In addition, the vertical panel unit 100 may be installed in place of the first and second vertical panels 6a and 6b of FIG. 1. The vertical panel unit 100 includes a vertical body panel 101 and a plurality of protrusions 103 extending from an upper surface of the body panel 101. The body panel 101 is parallel to the y axis, and the plurality of protrusions 103 are arranged along the y axis. The gap regions 105 between the protrusions 103 correspond to slots into which the wafers 111 are inserted. The lower side walls of the protrusions 103, ie the lower side walls of the slots 105, preferably have a vertical profile. The body panel 101 and the protrusions 103 constitute a vertical panel.

상기 수직 판넬의 양 옆에 각각 제1 및 제2 회전축들(107a, 107b)이 설치된다. 상기 제1 회전축(107a)은 제1 그룹의 로울러들(109a)에 의해 둘러싸여지고, 상기 제2 회전축(107b)은 제2 그룹의 로울러들(109b)에 의해 둘러싸여진다. 상기 제1 및 제2 그룹의 로울러들(109a, 109b)은 각각 상기 돌출부들(103)의 양 옆에 위치하도록 상기 돌출부들(103)과 동일한 피치를 갖도록 배열된다. 또한, 상기 로울러들(109a, 109b)은 상기 회전축들(107a, 107b)에 고정되어 상기 회전축들(107a, 107b)과 함께 회전한다. 상기 회전축들(109a, 109b) 및 상기 로울러들(109a, 109b)은 웨이퍼 정렬 수단을 구성한다. First and second rotating shafts 107a and 107b are installed at both sides of the vertical panel, respectively. The first axis of rotation 107a is surrounded by rollers 109a of the first group, and the second axis of rotation 107b is surrounded by rollers 109b of the second group. The first And the second group of rollers 109a and 109b are arranged to have the same pitch as the protrusions 103 so as to be located at both sides of the protrusions 103, respectively. In addition, the rollers 109a and 109b are fixed to the rotation shafts 107a and 107b to rotate together with the rotation shafts 107a and 107b. The rotary shafts 109a and 109b and the rollers 109a and 109b constitute a wafer alignment means.

상기 로울러들(109a, 109b)의 각각은 도 19 및 도 20에 보여진 바와 같이 제1 두께(D1)를 갖는 제1 가장자리 영역과 상기 제1 두께(D1)보다 두꺼운 제2 두께(D2)를 갖는 제2 가장자리 영역를 구비한다. 이에 따라, 상기 각 로울러들(109a, 109b)은 적어도 하나의 경사진 측벽을 갖는다. 본 실시예에 따르면, 상기 각 로울러들(109a, 109b)의 제1 측벽(SW1)은 수직한 프로파일을 갖고, 상기 제1 측벽(SW1)에 대향하는 제2 측벽(SW2)은 경사진 프로파일을 갖는다. 즉, 상기 제1 측벽(SW1)의 법선(normal line)은 상기 회전축들(109a, 109b)과 평행하고, 상기 제2 측벽(SW2)의 법선은 상기 회전축들(109a, 109b)에 대하여 소정의 각도를 갖는다. 이에 따라, 상기 제1 가장자리 영역들이 상부를 향하여(upward) 배열되도록 상기 제1 및 제2 회전축들(107a, 107b)을 도 19에 보여진 바와 같이 회전시키면, 상기 슬롯들(105) 내에 상기 웨이퍼들(111)을 로딩시키거나 상기 슬롯들(105)로부터 상기 웨이퍼들(111)을 언로딩시키기가 용이하다. 이에 반하여, 상기 제2 가장자리 영역들이 상부를 향하여(upward) 배열되도록 상기 제1 및 제2 회전축들(107a, 107b)을 도 20에 보여진 바와 같이 회전시키면, 상기 제2 가장자리 영역들에 기인하여 상기 슬롯들(105)의 실제폭들이 좁아진다. 이에 따라, 상기 슬롯들(105) 내의 상기 웨이퍼들 (111)은 수직하게 정렬된다. 그 결과, 상기 웨이퍼들(111) 사이의 간격들은 균일한 값을 갖는다. Each of the rollers 109a and 109b has a first edge region having a first thickness D1 and a second thickness D2 thicker than the first thickness D1 as shown in FIGS. 19 and 20. And a second edge region. Accordingly, each of the rollers 109a and 109b has at least one inclined sidewall. According to the present embodiment, the first sidewall SW1 of each of the rollers 109a and 109b has a vertical profile, and the second sidewall SW2 opposite to the first sidewall SW1 has an inclined profile. Have That is, the normal line of the first sidewall SW1 is parallel to the rotation axes 109a and 109b, and the normal line of the second sidewall SW2 is predetermined with respect to the rotation axes 109a and 109b. Has an angle. Accordingly, when the first and second rotational axes 107a and 107b are rotated as shown in FIG. 19 such that the first edge regions are arranged upward, the wafers in the slots 105 are rotated. It is easy to load 111 or unload the wafers 111 from the slots 105. In contrast, when the first and second rotation axes 107a and 107b are rotated as shown in FIG. 20 such that the second edge regions are arranged upward, the second edge regions are caused by the second edge regions. The actual widths of the slots 105 are narrowed. Accordingly, the wafers in the slots 105 111 is vertically aligned. As a result, the gaps between the wafers 111 have a uniform value.

한편, 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 제1 측벽들(SW1) 및 상기 제2 측벽들(SW2)은 모두 경사진 프로파일을 가질 수도 있다. Although not shown in the drawings, both of the first sidewalls SW1 and the second sidewalls SW2 may have an inclined profile.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼 가이드 및 웨이퍼들 사이의 접촉면적을 최소화시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼들의 건조효율을 증대시킬 수 있다. 이에 더하여, 주 웨이퍼 가이드보다 넓은 보조 웨이퍼 가이드 또는 웨이퍼 정렬 수단을 사용하여 웨이퍼들 사이의 간격들을 균일하게 조절할 수 있다. 따라서, 상기 웨이퍼들의 건조효율을 개선시킬 수 있다. As described above, according to embodiments of the present invention, the contact area between the wafer guide and the wafers can be minimized. Accordingly, the drying efficiency of the wafers can be increased. In addition, the spacing between wafers can be uniformly adjusted using a secondary wafer guide or wafer alignment means that is wider than the primary wafer guide. Therefore, the drying efficiency of the wafers can be improved.

도 2는 도 1에 보여진 웨이퍼 가이드의 수직판넬의 일 부분을 보여부는 평면도이다. FIG. 2 is a plan view showing a part of the vertical panel of the wafer guide shown in FIG. 1.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'에 따라 취해진 단면도이다. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2.

도 4는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'에 따라 취해진 단면도이다. 4 is a cross-sectional view taken along II-II 'of FIG.

도 5는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ'에 따라 취해진 다른 하나의 단면도이다. 5 is another cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들의 일 부분을 보여주는 측단면도(side cross-sectional view)이다. 6 is a side cross-sectional view showing a portion of the vertical panels of the wafer guide according to the second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들의 일 부분을 보여주는 측단면도이다. 7 is a side cross-sectional view showing a portion of the vertical panels of the wafer guide according to the third embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들의 일 부분을 보여주는 측단면도이다. 8 is a side cross-sectional view showing a portion of the vertical panels of the wafer guide according to the fourth embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬들의 일 부분을 보여주는 측단면도이다. 9 is a side cross-sectional view showing a portion of the vertical panels of the wafer guide according to the fifth embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 정단면도(front cross-sectional view)이다. 10 is a front sectional view of a wafer guide according to a sixth embodiment of the present invention. cross-sectional view.

도 11 내지 도 15는 도 10에 보여진 웨이퍼 가이드를 사용하여 반도체 웨이퍼들을 세정 및/또는 건조시키는 방법을 설명하기 위한 개략도들(schematic views)이다. 11-15 are schematic views illustrating a method of cleaning and / or drying semiconductor wafers using the wafer guide shown in FIG. 10.

도 16은 본 발명의 제7 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬 유니트(vertical panel unit)를 보여주는 사시도이다. 16 is a perspective view illustrating a vertical panel unit of a wafer guide according to a seventh embodiment of the present invention.

도 17은 도 16의 y-z 평면을 따라 취해진 수직판넬 유니트의 단면도이다. FIG. 17 is a cross-sectional view of the vertical panel unit taken along the y-z plane of FIG. 16.

도 18은 본 발명의 제8 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 수직 판넬 유니트들(vertical panel units)의 일 부분을 보여주는 사시도이다. FIG. 18 is a perspective view illustrating a portion of vertical panel units of the wafer guide according to the eighth embodiment of the present invention.

도 19는 도 18의 슬롯들 내에 웨이퍼들을 로딩시키거나 언로딩시키는 방법을 설명하기 위한 측면도(side view)이다. FIG. 19 is a side view for explaining a method of loading or unloading wafers into the slots of FIG. 18.

도 20은 도 18의 슬롯들 내에 로딩된 웨이퍼들을 정렬시키는 방법을 설명하기 위한 측면도이다. 20 is a side view illustrating a method of aligning wafers loaded in the slots of FIG. 18.

도 21은 본 발명의 제9 실시예에 따른 웨이퍼 가이드의 사시도이다. 21 is a perspective view of a wafer guide according to a ninth embodiment of the present invention.

도 22는 도 21의 정단면도(front cross-sectional view)이다. FIG. 22 is a front cross-sectional view of FIG. 21.

도 23은 도 21에 보여진 보조 가이드의 변형예를 설명하기 위한 평면도이다. FIG. 23 is a plan view illustrating a modification of the auxiliary guide illustrated in FIG. 21.

도 24는 도 1의 웨이퍼 가이드의 변형 예를 설명하기 위한 정면도이다. FIG. 24 is a front view illustrating a modification of the wafer guide of FIG. 1.

Claims

A support panel,

A plurality of center panels attached to one side of the support panel, the center panel passing through a central portion of the support panel, each of which is a vertical body panel and extends upwardly from an upper surface of the body panel to hold a plurality of semiconductor wafers; At least three parallel vertical panels having a plurality of protrusions defining four slots,

And alignment means for adjusting at least actual widths of the slots of the center panel such that the semiconductor wafers are spaced at equal intervals from each other.

The method of claim 1,

The lower sidewalls of the protrusions have a vertical profile.

The method of claim 1,

The alignment means

A cylinder providing a sealed space in the body panel of the center panel;

A piston embedded in the cylinder;

First and second fluid inlet conduits connected to both ends of the cylinder to supply pressure required for reciprocation of the piston; And

And a plurality of pads connected to the piston, wherein each of the pads protrudes from a surface of each side wall of the protrusions or is moved into each of the protrusions according to a direction of movement of the piston.

The method of claim 1,

The alignment means

First and second rotation axes installed on both sides of the center panel so as to be parallel to a straight line passing through the protrusions of the center panel, respectively; And

A plurality of rollers installed to surround predetermined regions of the first and second rotation shafts and rotating together with the first and second rotation shafts, each of the rollers having a first edge region having a first thickness and the first edge region; And a second edge region having a second thickness that is thicker than the first thickness.

The method according to any one of claims 1 to 4,

The protrusions are made of a hydrophobic material, and the vertical body panel is made of a hydrophilic material. Wafer guide.

The method of claim 5,

The hydrophobic material is a fluorine-based polymer (fluorine system polymer), the hydrophilic material is a wafer guide characterized in that the quartz (quartz).