JP3960457B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、所定形状のオーバーフロー処理槽内に基板支持部によって複数枚の処理対象基板を互いに平行に支持し、この状態において流体供給部によってオーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給することによって複数枚の基板を処理する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、オーバーフロー処理槽の底部に処理液供給管を設けて処理液を供給し、この処理液を整流板により整流して上方に導き、並列状に立設された複数枚の基板の表面の処理を行う基板処理装置として、特開平6−208984号公報に記載された構成のもの、特開平7−161678号公報に記載されたものが提案されている。
【0003】
特開平6−208984号公報に記載された基板処理装置は、処理槽の底面のうち、複数枚の基板の中心軸線の直下を上向きに膨出させているとともに、この膨出部を中心として両端部に、水平ないし斜め上向きに処理液を吐出する1対の処理液供給管を設ける構成を採用している。
【0004】
特開平7−161678号公報に記載された基板処理装置は、処理槽の底面のうち、複数枚の基板の中心軸線の直下を下向きに凹入させているとともに、この凹入部を中心として両端部に、水平ないし斜め下向きに処理液を吐出する1対の処理液供給管を設け、しかもこの凹入部に対応させて、吐出された処理液を衝突させて流れ方向を上向きに変更する板材を設ける構成を採用している。
【0005】
そして、何れの構成の基板処理装置を採用した場合にも、流体抵抗が最も大きい部分、すなわち、基板の中央部に対応する部分における流速を最も大きくして基板の全表面をほぼ均一に処理することができると思われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の構成の基板処理装置を採用した場合には、1対の処理液供給管が必要であるから、構成が複雑化するのみならず、大型化するという不都合がある。
【0007】
そして、基板の中央部に対応する部分における流速を十分には大きくすることができない可能性があるという不都合もある。すなわち、
特開平6−208984号公報に記載された基板処理装置を採用した場合には、
1対の処理液供給管から吐出された処理液どうしを衝突させて、基板の中央部に対応させて強い上向きの流れを得ようとしているのであるが、衝突により得られる上向き流は強い横向きの成分をも有しているのであるから、処理液は上昇しながら横方向に流れてしまい、基板どうしの間隔を小さくした状態においては、基板列の中央部に十分な処理液の流れを形成することができず、この結果、基板の全表面を均一に処理することが殆ど不可能になってしまう。
【0008】
特開平7−161678号公報に記載された基板処理装置を採用した場合には、
1対の処理液供給管から吐出された処理液を板材に衝突させて、基板の中央部に対応させて強い上向きの流れを得ようとしているのであるが、衝突により得られる上向き流は強い横向きの成分をも有しているのであるから、処理液は上昇しながら横方向に流れてしまい、基板どうしの間隔を小さくした状態においては、基板列の中央部に十分な処理液の流れを形成することができず、この結果、基板の全表面を均一に処理することが殆ど不可能になってしまう。
【0009】
また、上記の構成の基板処理装置においては、1種類の処理液のみを処理槽に供給して基板の処理を行うことが可能であるとともに、複数種類の処理液を順次処理槽に供給して基板の処理を行うことも可能である。
【0010】
そして、複数種類の処理液を順次処理槽に供給して基板の処理を行う場合には、例えば、第1の種類の処理液を供給した後に第2の処理液を供給するに当たって、処理液供給管および対応する配管から第1の種類の処理液を完全に排出しなければならないので、これらの処理液供給管および対応する配管を洗浄するための所要時間が長くなるのみならず、洗浄液の必要量が著しく多くなってしまうという不都合がある。
【0011】
【発明の目的】
この発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、構成を簡単化できるとともに、小形化することができ、しかも基板の中央部に対応する部分における流速を十分に大きくすることができる基板処理装置を提供することを第1の目的とし、複数種類の処理液を順次処理槽に供給して基板の処理を行う場合において、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗浄液の必要量を少なくすることができる基板処理装置を提供することを第2の目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1の基板処理装置は、所定形状のオーバーフロー処理槽と、オーバーフロー処理槽内に複数枚の処理対象基板を互いに平行に支持する基板支持部と、オーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給する流体供給部とを含むものであって、
前記流体供給部として、オーバーフロー処理槽の底部近傍において、処理対象基板の中心と正対し、かつ処理対象基板の並び方向に延びるように配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第1管体を採用し、前記オーバーフロー処理槽の底部として、長尺の第1管体の処理用流体吐出口を含む所定範囲を包囲すべく外方に突出する突出空間を有するものを採用し、この突出空間の処理槽内部側を狭幅に設定したものである。
【0013】
請求項2の基板処理装置は、前記長尺の第1管体を基準として互いに対称な位置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第2管体をさらに有するものである。
【0014】
請求項3の基板処理装置は、所定形状のオーバーフロー処理槽と、オーバーフロー処理槽内に複数枚の処理対象基板を互いに平行に支持する基板支持部と、オーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給する流体供給部とを含むものであって、
前記流体供給部は、オーバーフロー処理槽の底部近傍において、処理対象基板の中心と正対し、かつ処理対象基板の並び方向に延びるように配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第1管体であり、この第1管体から吐出された処理用流体を中央部に導きながら上方に導く1対の流速調整板を有し、1対の流速調整板が第1管体を挟んで対称に配置されているものである。
【0015】
請求項4の基板処理装置は、前記1対の整流板として、第1管体を基準として互いに対象な位置においてオーバーフロー処理槽の底面から斜め上方に延びるように設けられたものを採用するものである。
【0016】
請求項5の基板処理装置は、前記長尺の第1管体を基準として互いに対称、かつ整流板よりも外側の所定位置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第2管体をさらに有しているものである。
【0017】
請求項6の基板処理装置は、前記1対の整流板として、第2管体から吐出された処理用流体をオーバーフロー処理槽の中央部に導きながら上方に導く外面形状を有するものを採用するものである。
【0018】
請求項7の基板処理装置は、前記1対の整流板により区画される各空間に対応させてオーバーフロー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を設けたものである。
【0019】
請求項8の基板処理装置は、前記1対の整流板により包囲される空間のみに対応させてオーバーフロー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を設け、各整流板の下部所定位置に処理用流体の流動を許容する流動許容開口を形成したものである。
【0020】
【作用】
請求項1の基板処理装置であれば、所定形状のオーバーフロー処理槽内に基板支持部により複数枚の処理対象基板を互いに平行に支持した状態において、流体供給部によりオーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給することによって複数枚の基板の処理を行うに当たって、
前記流体供給部としての、オーバーフロー処理槽の底部近傍において、処理対象基板の中心と正対し、かつ処理対象基板の並び方向に延びるように配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第1管体を、前記オーバーフロー処理槽の底部に設けた突出空間に対して、長尺の第1管体の処理用流体吐出口を含む所定範囲を包囲される状態で配置し、この突出空間の処理槽内部側を狭幅に設定しているので、第1管体から吐出された処理用流体が一旦突出空間に保持された後、狭幅部分を通してオーバーフロー処理槽内に吐出されるることに起因して、基板の中央部に対応する部分における流速を十分に大きくすることができ、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することができる。また、第1管体が1本のみでよいから、構成を簡単化することができるとともに、小形化することができる。
【0021】
請求項2の基板処理装置であれば、前記長尺の第1管体を基準として互いに対称な位置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第2管体をさらに有するのであるから、複数種類の処理用流体を順次オーバーフロー処理槽に供給して基板の処理を行う場合に、第1管体、第2管体により互いに異なる処理用流体を供給することができ、このようにすることにより、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗浄用流体の必要量を少なくすることができる。
【0022】
請求項3の基板処理装置であれば、所定形状のオーバーフロー処理槽内に基板支持部により複数枚の処理対象基板を互いに平行に支持した状態において、流体供給部によりオーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給することによって複数枚の基板の処理を行うに当たって、
前記流体供給部としての、オーバーフロー処理槽の底部近傍において、処理対象基板の中心と正対し、かつ処理対象基板の並び方向に延びるように配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第1管体に対して、この第1管体から吐出された処理用流体を中央部に導きながら上方に導く1対の整流板を有し、1対の流速調整板が第1管体を挟んで対称に配置されているのであるから、基板の中央部に対応する部分における流速を十分に大きくすることができ、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することができる。また、第1管体が1本のみでよいから、構成を簡単化することができるとともに、小形化することができる。
【0023】
請求項4の基板処理装置であれば、前記1対の整流板として、第1管体を基準として互いに対象な位置においてオーバーフロー処理槽の底面から斜め上方に延びるように設けられたものを採用するのであるから、オーバーフロー処理槽を大型化することなく、請求項3と同様の作用を達成することができる。
【0024】
請求項5の基板処理装置であれば、前記長尺の第1管体を基準として互いに対称、かつ整流板よりも外側の所定位置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第2管体をさらに有しているのであるから、複数種類の処理用流体を順次オーバーフロー処理槽に供給して基板の処理を行う場合に、第1管体、第2管体により互いに異なる処理用流体を供給することができ、このようにすることにより、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗浄用流体の必要量を少なくすることができる。
【0025】
請求項6の基板処理装置であれば、前記1対の整流板として、第2管体から吐出された処理用流体をオーバーフロー処理槽の中央部に導きながら上方に導く外面形状を有するものを採用するのであるから、第2管体から吐出される処理用流体の、基板の中央部に対応する部分における流速を十分に大きくすることができ、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することができるほか、請求項5と同様の作用を達成することができる。
【0026】
請求項7の基板処理装置であれば、前記1対の整流板により区画される各空間に対応させてオーバーフロー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を設けているので、処理後においてオーバーフロー処理槽からの残留流体の排出を達成することができるほか、請求項3から請求項6の何れかと同様の作用を達成することができる。
【0027】
請求項8の基板処理装置であれば、前記1対の整流板により包囲される空間のみに対応させてオーバーフロー処理槽の底部所定位置に処理用流体排出管を設け、各整流板の下部所定位置に処理用流体の流動を許容する流動許容開口を形成しているので、処理用流体排出管の数を1つのみにすることができ、しかも請求項3から請求項6の何れかと同様の作用を達成することができる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、この発明の基板処理装置の実施の態様を詳細に説明する。
【0029】
図1はこの発明の基板処理装置の一実施態様を概略的に示す縦断面図である。
【0030】
この基板処理装置は、オーバーフロー処理槽1と、オーバーフロー処理槽1の底部に設けた丸パイプ状の第1処理液供給管2と、この第1処理液供給管2のやや上方に設けた整流板4と、整流板4の上方に並列に立設させられた状態で支承された複数枚の処理対象基板5(例えば、半導体ウエハー)と、オーバーフロー処理槽1から処理液を抜き取るためのドレン管6とを有している。
【0031】
前記オーバーフロー処理槽1は、複数枚の処理対象基板5の中心軸線を含む垂直面を基準として、その下部が絞り込まれた形状を有し、底壁の中央部に、上部が狭幅に形成され、かつ第1処理液供給管2の吐出口を包囲する突出空間1aが形成されている。この突出空間1aは、図1に示すように断面台形状であってもよいが、断面がほぼ円形(図2参照)など、他の形状であってもよく、要は、内部の処理液を中央に集中させつつ上方に吐出できるものであればよい。そして、狭幅部の幅は、複数枚の処理対象基板5の中心軸線に向かう処理液の流速が所定の流速になるように設定されている。
【0032】
前記第1処理液供給管2は、複数枚の処理対象基板5の中心軸線を含む垂直面内に位置するように処理槽1の底部中央位置に設けられ、しかも、処理液を斜め下向きに吐出すべく吐出口の位置が設定されている。
【0033】
前記整流板4は、処理液の通過を許容する多数の貫通孔を有する板材である。
【0034】
そして、処理液タンク(図示せず)からの処理液を、ポンプ、フィルタ、およびバルブを介在させた配管(図示せず)を通して第1処理液供給管2に供給している。
【0035】
上記の構成の基板処理装置の作用は次の通りである。
【0036】
第1処理液供給管2から吐出される処理液は突出空間1a内において斜め外下向きに導かれ、狭幅部から上方に向かって吐出される。そして、オーバーフロー処理槽1内の処理液量が徐々に増加し、遂にはオーバーフロー処理槽1からオーバーフローする状態になる。
【0037】
この状態において、オーバーフロー処理槽1に収容された複数枚の処理対象基板5は処理液に浸漬された状態であり、しかも、処理液は絶えず突出空間1aの狭幅部から上方に向かって吐出され続ける。
【0038】
したがって、図1中に上向き矢印で示すように、処理対象基板5の中央部に対応する流速が最も大きくなり、理想的な流速分布に近似できるので、流体抵抗が大きいにも拘わらず、処理対象基板5の中央部に十分な量の処理液を供給して、処理対象基板5の表面をほぼ均一に処理する(例えば、洗浄処理などを行う)ことができる。
【0039】
また、第1処理液供給管2を1本設けるだけでよいから、構成を簡単化することができるとともに、小形化することができる。
【0040】
さらに、図1に示す構成の基板処理装置は、1種類の処理液のみを供給するようにした基板処理に好適であるが、2種類の処理液を順次供給するようにした基板処理に適用することもできる。ただし、後者の場合には、処理液を切り替えるに当たって第1処理液供給管2および配管の内部を洗浄しなければならないので、洗浄所要時間が長くなるとともに、洗浄液の必要量が多くなる。したがって、この場合には、図3に示す構成の基板処理装置を採用することにより、洗浄所要時間が長くなるとともに、洗浄液の必要量が多くなるという不都合の発生を未然に防止することができる。
【0041】
図3に示す基板処理装置が図1に示す基板処理装置と異なる点は、複数枚の処理対象基板5の中心軸線と平行に延びるように処理槽1の端部寄り所定位置に設けられ、しかも、処理液を斜め下向きに吐出すべく吐出口の位置が設定された第2処理液供給管3をさらに設けた点のみである。もちろん、図4に示すように、第1処理液供給管2に対応させて、該当する処理液を供給するための処理液タンク(図示せず)およびバルブ2bを介在させた配管2aが設けられているとともに、第2処理液供給管3に対応させて、該当する処理液を供給するための処理液タンク(図示せず)およびバルブ3bを介在させた配管3aが設けられている。また、ドレン管6に対応させて、バルブ6bを介在させた配管6aが設けられている。
【0042】
この構成の基板処理装置を採用した場合には、第1の処理液を第1処理液供給管2を通して供給し、次いで第2の処理液を第2処理液供給管3を通して供給することによって処理対象基板5の処理を行うことができる。なお、第2の処理液によって処理対象基板5の処理を開始した後は、バルブ6bを僅かに開いてドレン管6および配管6aを通して内部の処理液を少しづつ排出することによって、第1処理液供給管2から漏出する第1の処理液による影響を排除することができる。
【0043】
したがって、オーバーフロー処理槽1に供給すべき処理液を切り替える場合には、単に供給系統を切り替えるだけでよいから、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗浄液の所要量を少なくすることができる。そして、この場合にも、各処理液に対応させて複数本の処理液供給管を設ける場合と比較して構成の簡単化、および小形化を達成することができる。なお、この場合には、両処理液の供給速度の差を小さくするために、第1処理液供給管2の内径を第2処理液供給管3の内径以下に設定することが好ましい。
【0044】
もちろん、図3に示す構成の基板処理装置において、第1処理液供給管2および第2処理液供給管3を通して同じ処理液を供給することも可能である。この場合には、洗浄所要時間の短縮、洗浄液必要量の低減を達成することができないが、図2中に上向き矢印で示すように、処理対象基板5の中央部に対応する流速が最も大きくなり、理想的な流速分布により一層近似できるので、流体抵抗が大きいにも拘わらず、処理対象基板5の中央部に十分な量の処理液を供給して、処理対象基板5の表面をほぼ均一に処理することができる。なお、この場合には、第1処理液供給管2の内径を第2処理液供給管3の内径以上に設定することが好ましい。
【0045】
図5はこの発明の基板処理装置のさらに他の実施態様を概略的に示す縦断面図である。
【0046】
この基板処理装置は、オーバーフロー処理槽1と、オーバーフロー処理槽1の底部中央部に設けた丸パイプ状の第1処理液供給管2と、第1処理液供給管2を基準として互いに対称になるようにオーバーフロー処理槽1の底部に設けた丸パイプ状の第2処理液供給管3と、これらの第1処理液供給管2、第2処理液供給管3のやや上方に設けた整流板4と、整流板4の上方に並列に立設させられた状態で支承された複数枚の処理対象基板5(例えば、半導体ウエハー)と、オーバーフロー処理槽1から処理液を抜き取るためのドレン管6と、第1処理液供給管2の吐出口を包囲するとともに、第1処理液供給管2から吐出される処理用流体を中央に導きながら上方に導き、第2処理液供給管3から吐出される処理用流体を中央に導きながら上方に導く1対の流速調整板7とを有している。
【0047】
図6は各流速調整板7の構成を示す側面図である。
【0048】
この流速調整板7は、例えば、下部に所定間隔毎に方形の流体流動許容部7aを有するものであってもよいが{図6中(a)参照}、長尺の流体流動許容部7bを有するものであってもよく{図6中(c)参照}、さらに所定間隔毎に円形の流体流動許容部7cを有するものであってもよい{図6中(b)参照}。
【0049】
この実施態様を採用した場合には、第1処理液供給管2から処理液(例えば、フッ酸)を供給することにより、1対の流速調整板7によって、図5中に上向き矢印で示すように、中央部における流速を最も大きくすることができ、流体抵抗が大きいにも拘わらず、処理対象基板5の中央部に十分な量の処理液を供給して、処理対象基板5の表面をほぼ均一に処理することができる。
【0050】
そして、基板5の処理が終了した後は、第1処理液供給管2からの処理液の供給を停止するとともに、ドレン管6を通して処理液を排出する。この場合において、流速調整板7の下部には流体流動許容部が設けられているので、流速調整板7よりも外側の空間の処理液が流速調整板7により包囲される空間に移動し、ドレン管6を通して確実に排出される。
【0051】
その後は、第2処理液供給管3から異なる処理液(例えば、純水)を供給することにより、1対の流速調整板7によって、図5中に上向き矢印で示すように、中央部における流速を最も大きくすることができ、流体抵抗が大きいにも拘わらず、処理対象基板5の中央部に十分な量の処理液を供給して、処理対象基板5の表面をほぼ均一に処理することができる。
【0052】
そして、基板5の処理が終了した後は、第2処理液供給管3からの処理液の供給を停止するとともに、ドレン管6を通して処理液を排出する。
【0053】
図7はこの発明の基板処理装置のさらに他の実施態様を示す縦断面図である。
【0054】
この基板処理装置が図5の基板処理装置と異なる点は、1対の流速調整板7として流体流動許容部を有していないものを採用するとともに、1対の流速調整板7により区画される3つの空間のそれぞれに対応させてドレン管6を設けた点のみである。
【0055】
この構成の基板処理装置を採用した場合には、ドレン管6の数が多いことに起因して構成の複雑化、コストアップを招いてしまうが、図5の基板処理装置と同様に基板処理を行うことができる。
【0056】
図5または図7の基板処理装置を用いて処理液を供給し、処理液の流量(l/min)を増加させて処理液の流れの状態を監視したところ、図8中(a)(c)に示すように、流量が40(l/min)までの範囲において処理液の流れが定常状態であり、基板表面の均一な処理を達成することができるとともに、所要時間を短縮することができる。これに対して、流速調整板を設けていない基板処理装置において同様にして処理液の流れを監視したところ、図8中(b)(d)に示すように、流量が約30(l/min)までの範囲、約25(l/min)までの範囲において処理液の流れが定常状態であり、これら以上の範囲において処理液の流れが非定常状態になるので、流量を抑制することによってのみ基板表面の均一な処理を達成することができ、所要時間が長くなってしまう。
【0057】
なお、図8中(a)(b)は第1処理液供給管2から処理液を供給する場合を、図8中(c)(d)は第2処理液供給管3から処理液を供給する場合を、それぞれ示している。
【0058】
したがって、流速調整板を設けることにより、定常状態を確保できる流量の上限を高めることができる。
【0059】
前記流速調整板7としては、図9中(a)に示すように、下端部から上端部に至るまで厚みを一定に設定したもの、図9中(b)に示すように、下端部から上端部に向かって厚みが徐々に小さくなるようにしたもの、図9中(c)に示すように、下端部から上端部に向かって厚みが徐々に大きくなるようにしたものが例示でき、同様の作用を達成できる。
【0060】
図5、図7、図9においては、内面および外面の双方が平面に形成された流速調整板を採用しているが、図10中(a)に示すように内面を凸面状に形成すること、図10中(b)に示すように内面を凹面状に形成すること、図11中(a)に示すように外面を凹面状に形成すること、図11中(b)に示すように外面を凸面状に形成することが可能である。もちろん、これらの任意の形状を組み合わせることも可能である。
【0061】
さらに、流速調整板7とオーバーフロー処理槽1の底面との境界部においては、図12に示すように、底面と流速調整板の内面、外面とを滑らかにRを付けた状態で溶接することが好ましく、処理液の流れをスムーズにすることができる。
【0062】
【発明の効果】
請求項1の発明は、基板の中央部に対応する部分における流速を十分に大きくすることができ、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することができ、また、第1管体が1本のみでよいから、構成を簡単化することができるとともに、小形化することができるという特有の効果を奏する。
【0063】
請求項2の発明は、複数種類の処理用流体を順次オーバーフロー処理槽に供給して基板の処理を行う場合に、第1管体、第2管体により互いに異なる処理用流体を供給することができ、このようにすることにより、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗浄用流体の必要量を少なくすることができるという特有の効果を奏する。
【0064】
請求項3の発明は、基板の中央部に対応する部分における流速を十分に大きくすることができ、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することができ、しかも、第1管体が1本のみでよいから、構成を簡単化することができるとともに、小形化することができるという特有の効果を奏する。
【0065】
請求項4の発明は、オーバーフロー処理槽を大型化することなく、請求項3と同様の効果を奏する。
【0066】
請求項5の発明は、複数種類の処理用流体を順次オーバーフロー処理槽に供給して基板の処理を行う場合に、第1管体、第2管体により互いに異なる処理用流体を供給することができ、このようにすることにより、洗浄所要時間を短縮することができるとともに、洗浄用流体の必要量を少なくすることができるという特有の効果を奏する。
【0067】
請求項6の発明は、第2管体から吐出される処理用流体の、基板の中央部に対応する部分における流速を十分に大きくすることができ、ひいては、基板の全表面をほぼ均一に処理することができるほか、請求項5と同様の効果を奏する。
【0068】
請求項7の発明は、処理後においてオーバーフロー処理槽からの残留流体の排出を達成することができるほか、請求項3から請求項6の何れかと同様の効果を奏する。
【0069】
請求項8の発明は、処理用流体排出管の数を1つのみにすることができ、しかも請求項3から請求項6の何れかと同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の基板処理装置の一実施態様を概略的に示す縦断面図である。
【図2】突出空間の他の構成例を示す縦断面図である。
【図3】この発明の基板処理装置の他の実施態様を概略的に示す縦断面図である。
【図4】図3の基板処理装置に対する配管を示す配管系統図である。
【図5】この発明の基板処理装置のさらに他の実施態様を概略的に示す縦断面図である。
【図6】流速調整板の側面図である。
【図7】この発明の基板処理装置のさらに他の実施態様を概略的に示す縦断面図である。
【図8】処理液の流量(l/min)を増加させて処理液の流れの状態を監視した結果を示す図である。
【図9】流速調整板の構成の例を示す正面図である。
【図10】流速調整板の内面の例を示す図である。
【図11】流速調整板の外面の例を示す図である。
【図12】流速調整板とオーバーフロー処理槽の底面との接合構造の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
1 オーバーフロー処理槽 1a 突出空間
2 第1処理液供給管 3 第2処理液供給管
5 処理対象基板 6 ドレン管
7 流速調整板
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
According to the present invention, a plurality of substrates to be processed are supported in parallel to each other by a substrate support section in an overflow processing tank having a predetermined shape, and in this state, a plurality of processing fluids are supplied into the overflow processing tank by a fluid supply section. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a single substrate.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a processing liquid supply pipe is provided at the bottom of an overflow processing tank to supply a processing liquid, the processing liquid is rectified by a rectifying plate and guided upward, and the surface of a plurality of substrates standing in parallel is provided. As a substrate processing apparatus for processing, one having a configuration described in JP-A-6-208984 and one described in JP-A-7-161678 have been proposed.
[0003]
In the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-208984, the bottom of the processing tank is bulged upward directly below the central axis of the plurality of substrates, and both ends with the bulging portion as the center. A configuration is adopted in which a pair of processing liquid supply pipes for discharging the processing liquid horizontally or obliquely upward is provided in the section.
[0004]
In the substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 7-161678, the bottom of the processing tank is recessed directly below the central axis of the plurality of substrates, and both end portions are centered on the recessed portion. In addition, a pair of processing liquid supply pipes that discharge the processing liquid horizontally or obliquely downward is provided, and a plate member that changes the flow direction upward by colliding the discharged processing liquid is provided corresponding to the recessed portion. The configuration is adopted.
[0005]
And even if it employ | adopts the substrate processing apparatus of any structure, the flow velocity in the part with the largest fluid resistance, ie, the part corresponding to the center part of a board | substrate, is maximized, and the whole surface of a board | substrate is processed substantially uniformly. Seems to be able to.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the substrate processing apparatus having the above-described configuration is adopted, a pair of processing liquid supply pipes is necessary, which causes a disadvantage that not only the configuration is complicated but also the size is increased.
[0007]
In addition, there is a disadvantage that the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate may not be sufficiently increased. That is,
When the substrate processing apparatus described in JP-A-6-208984 is employed,
The process liquids discharged from the pair of process liquid supply pipes collide with each other to try to obtain a strong upward flow corresponding to the central portion of the substrate, but the upward flow obtained by the collision is strongly lateral. Since it also has components, the processing liquid flows laterally while rising, and in the state where the distance between the substrates is reduced, a sufficient flow of the processing liquid is formed at the center of the substrate row. As a result, it becomes almost impossible to uniformly treat the entire surface of the substrate.
[0008]
When the substrate processing apparatus described in JP-A-7-161678 is employed,
The processing liquid discharged from the pair of processing liquid supply pipes collides with the plate material, and attempts to obtain a strong upward flow corresponding to the central portion of the substrate, but the upward flow obtained by the collision is strong lateral Therefore, the processing liquid flows laterally while rising, and in the state where the distance between the substrates is reduced, a sufficient flow of the processing liquid is formed at the center of the substrate row. As a result, it becomes almost impossible to uniformly treat the entire surface of the substrate.
[0009]
Further, in the substrate processing apparatus having the above-described configuration, it is possible to supply only one type of processing liquid to the processing tank and perform substrate processing, and sequentially supply a plurality of types of processing liquids to the processing tank. It is also possible to process the substrate.
[0010]
In the case where the substrate is processed by sequentially supplying a plurality of types of processing liquids to the processing tank, for example, when the second processing liquid is supplied after the first type of processing liquid is supplied, the processing liquid is supplied. Since the first type of processing liquid must be completely discharged from the pipe and the corresponding piping, not only the time required for cleaning these processing liquid supply pipe and the corresponding piping is increased, but also the cleaning liquid is required. There is an inconvenience that the amount becomes extremely large.
[0011]
OBJECT OF THE INVENTION
The present invention has been made in view of the above-described problems, and can simplify the configuration, reduce the size, and sufficiently increase the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate. The first object is to provide a processing apparatus, and when processing a substrate by sequentially supplying a plurality of types of processing liquids to a processing tank, the time required for cleaning can be shortened and the required amount of cleaning liquid can be reduced. It is a second object to provide a substrate processing apparatus that can be reduced.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
A substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention supplies an overflow processing tank having a predetermined shape, a substrate support for supporting a plurality of processing target substrates in parallel in the overflow processing tank, and a processing fluid in the overflow processing tank. Including a fluid supply,
As the fluid supply part, in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank, the processing fluid is disposed so as to face the center of the processing target substrate and extend in the alignment direction of the processing target substrates and to discharge the processing fluid downward. A long first tube body having a discharge port is adopted, and a protrusion protruding outward to surround a predetermined range including the processing fluid discharge port of the long first tube body as the bottom of the overflow treatment tank What has space is adopted, and the inside of the processing tank of the protruding space is set to be narrow.
[0013]
The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a long second tubular body having a processing fluid discharge port for discharging the processing fluid downward at positions symmetrical to each other with respect to the long first tubular body. It is what you have.
[0014]
According to a third aspect of the present invention, there is provided an overflow processing tank having a predetermined shape, a substrate support for supporting a plurality of processing target substrates in parallel in the overflow processing tank, and supplying a processing fluid into the overflow processing tank. Including a fluid supply,
The fluid supply unit is disposed in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank so as to face the center of the processing target substrate and extend in the direction in which the processing target substrates are arranged, and to discharge the processing fluid downward. A pair of flow rate adjusting plates that are long first tubes having discharge ports and guide the processing fluid discharged from the first tubes upward while guiding the fluid to the center. And a pair of flow rate adjusting plates are arranged symmetrically across the first tube body Is.
[0015]
The substrate processing apparatus according to claim 4 employs the pair of rectifying plates provided so as to extend obliquely upward from the bottom surface of the overflow processing tank at a target position relative to each other with respect to the first tubular body. is there.
[0016]
The substrate processing apparatus according to claim 5 has a processing fluid discharge port that discharges the processing fluid downward at a predetermined position that is symmetrical to each other with respect to the long first tubular body and outside the rectifying plate. A second tubular body having a scale is further provided.
[0017]
7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the pair of rectifying plates employs an outer surface shape that guides the processing fluid discharged from the second pipe body upward while guiding it to the central portion of the overflow processing tank. It is.
[0018]
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus in which a processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank so as to correspond to each space defined by the pair of rectifying plates.
[0019]
The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein a processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position on the bottom of the overflow processing tank so as to correspond only to a space surrounded by the pair of rectifying plates, and processing is performed at a predetermined position below each rectifying plate. A flow permissible opening that allows the flow of the working fluid is formed.
[0020]
[Action]
In the substrate processing apparatus according to claim 1, in a state where a plurality of substrates to be processed are supported in parallel with each other by a substrate support in an overflow processing tank having a predetermined shape, a processing fluid is provided in the overflow processing tank by the fluid supply unit. When processing multiple substrates by supplying
As the fluid supply section, in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank, the liquid supply section is disposed so as to face the center of the processing target substrate and extend in the alignment direction of the processing target substrates, and to discharge the processing fluid downward. The long first tube body having the fluid discharge port is surrounded by a predetermined range including the processing fluid discharge port of the long first tube body with respect to the protruding space provided at the bottom of the overflow processing tank. Since the inside of the processing space of the protruding space is set to be narrow, the processing fluid discharged from the first tube is once held in the protruding space, and then overflowed through the narrow portion. Due to the discharge into the tank, the flow velocity at the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and as a result, the entire surface of the substrate can be processed almost uniformly. In addition, since only one first tubular body is required, the configuration can be simplified and the size can be reduced.
[0021]
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein a long second tube having a processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward at positions symmetrical to each other with respect to the long first tube. Therefore, when processing a substrate by sequentially supplying a plurality of types of processing fluids to the overflow processing tank, different processing fluids may be supplied by the first tubular body and the second tubular body. In this way, the time required for cleaning can be shortened, and the required amount of cleaning fluid can be reduced.
[0022]
In the substrate processing apparatus according to claim 3, in a state where a plurality of substrates to be processed are supported in parallel to each other by the substrate support portion in the overflow processing tank having a predetermined shape, the processing fluid is supplied into the overflow processing tank by the fluid supply unit. When processing multiple substrates by supplying
As the fluid supply section, in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank, the liquid supply section is disposed so as to face the center of the processing target substrate and extend in the alignment direction of the processing target substrates, and to discharge the processing fluid downward. A pair of rectifying plates for guiding the processing fluid ejected from the first tubular body upward while guiding the processing fluid ejected from the first tubular body to the long first tubular body having the fluid ejection port. And a pair of flow rate adjusting plates are arranged symmetrically across the first tube body Therefore, the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and as a result, the entire surface of the substrate can be processed almost uniformly. In addition, since only one first tubular body is required, the configuration can be simplified and the size can be reduced.
[0023]
If it is the substrate processing apparatus of Claim 4, what was provided so that it may extend diagonally upward from the bottom face of an overflow processing tank in the mutually target position on the basis of the 1st pipe as a pair of rectifying plates may be adopted. Therefore, the same effect as in the third aspect can be achieved without increasing the size of the overflow treatment tank.
[0024]
The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein a processing fluid discharge port that discharges the processing fluid downward is provided at a predetermined position that is symmetrical to each other with respect to the long first tubular body and outside the rectifying plate. When the substrate is processed by sequentially supplying a plurality of types of processing fluids to the overflow processing tank, the first tube and the second tube are provided. Thus, different processing fluids can be supplied to each other, and in this way, the time required for cleaning can be shortened and the required amount of cleaning fluid can be reduced.
[0025]
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the pair of rectifying plates have an outer surface shape that guides the processing fluid discharged from the second pipe body upward while guiding the fluid to the center of the overflow processing tank. Therefore, the flow velocity of the processing fluid discharged from the second tubular body at the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and as a result, the entire surface of the substrate can be processed almost uniformly. In addition, the same effect as that of the fifth aspect can be achieved.
[0026]
In the substrate processing apparatus according to claim 7, since a processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank so as to correspond to each space defined by the pair of rectifying plates, an overflow occurs after processing. In addition to achieving the discharge of the residual fluid from the treatment tank, the same action as in any one of claims 3 to 6 can be achieved.
[0027]
In the substrate processing apparatus according to claim 8, a processing fluid discharge pipe is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank so as to correspond only to the space surrounded by the pair of rectifying plates, and a predetermined position at the bottom of each rectifying plate. Since the flow permissible opening that allows the flow of the processing fluid is formed, the number of the processing fluid discharge pipes can be reduced to one, and the same effect as any one of claims 3 to 6 is achieved. Can be achieved.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
[0029]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing one embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
[0030]
The substrate processing apparatus includes an overflow processing tank 1, a round pipe-shaped first processing liquid supply pipe 2 provided at the bottom of the overflow processing tank 1, and a rectifying plate provided slightly above the first processing liquid supply pipe 2. 4, a plurality of processing target substrates 5 (for example, semiconductor wafers) supported in a state of being erected in parallel above the rectifying plate 4, and a drain pipe 6 for extracting the processing liquid from the overflow processing tank 1. And have.
[0031]
The overflow processing tank 1 has a shape in which a lower portion thereof is narrowed with a vertical plane including a central axis of the plurality of processing target substrates 5 as a reference, and an upper portion is formed narrowly in a central portion of the bottom wall. And the protrusion space 1a surrounding the discharge outlet of the 1st process liquid supply pipe 2 is formed. The protruding space 1a may have a trapezoidal cross section as shown in FIG. 1, but may have other shapes such as a substantially circular cross section (see FIG. 2). Any material that can be discharged upward while being concentrated in the center may be used. The width of the narrow portion is set so that the flow rate of the processing liquid toward the central axis of the plurality of processing target substrates 5 becomes a predetermined flow rate.
[0032]
The first processing liquid supply pipe 2 is provided at the center of the bottom of the processing tank 1 so as to be positioned in a vertical plane including the central axis of the plurality of processing target substrates 5, and discharges the processing liquid obliquely downward. The position of the discharge port is set as much as possible.
[0033]
The rectifying plate 4 is a plate material having a large number of through holes that allow the treatment liquid to pass therethrough.
[0034]
And the process liquid from a process liquid tank (not shown) is supplied to the 1st process liquid supply pipe 2 through piping (not shown) which interposed the pump, the filter, and the valve.
[0035]
The operation of the substrate processing apparatus having the above configuration is as follows.
[0036]
The processing liquid discharged from the first processing liquid supply pipe 2 is guided obliquely outward and downward in the protruding space 1a, and discharged upward from the narrow width portion. Then, the amount of the processing liquid in the overflow processing tank 1 gradually increases, and finally overflows from the overflow processing tank 1.
[0037]
In this state, the plurality of processing target substrates 5 accommodated in the overflow processing tank 1 are immersed in the processing liquid, and the processing liquid is continuously discharged upward from the narrow portion of the protruding space 1a. to continue.
[0038]
Therefore, as indicated by an upward arrow in FIG. 1, the flow velocity corresponding to the central portion of the substrate to be processed 5 is the largest and can be approximated to an ideal flow velocity distribution. A sufficient amount of processing liquid can be supplied to the central portion of the substrate 5 so that the surface of the processing target substrate 5 can be processed almost uniformly (for example, a cleaning process is performed).
[0039]
Further, since only one first treatment liquid supply pipe 2 needs to be provided, the configuration can be simplified and the size can be reduced.
[0040]
Furthermore, the substrate processing apparatus having the configuration shown in FIG. 1 is suitable for substrate processing in which only one type of processing liquid is supplied, but is applied to substrate processing in which two types of processing liquids are sequentially supplied. You can also. However, in the latter case, when the processing liquid is switched, the inside of the first processing liquid supply pipe 2 and the piping must be cleaned, so that the time required for cleaning becomes long and the required amount of cleaning liquid increases. Therefore, in this case, by adopting the substrate processing apparatus having the configuration shown in FIG. 3, it is possible to prevent the occurrence of inconvenience that the time required for cleaning becomes longer and the required amount of cleaning liquid increases.
[0041]
The substrate processing apparatus shown in FIG. 3 is different from the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 in that the substrate processing apparatus is provided at a predetermined position near the end of the processing tank 1 so as to extend in parallel with the central axis of the plurality of processing target substrates 5. In addition, the second processing liquid supply pipe 3 in which the position of the discharge port is set to discharge the processing liquid obliquely downward is only provided. Of course, as shown in FIG. 4, a processing liquid tank (not shown) for supplying the corresponding processing liquid and a pipe 2a with a valve 2b interposed are provided corresponding to the first processing liquid supply pipe 2. In addition, a processing liquid tank (not shown) for supplying the corresponding processing liquid and a pipe 3 a with a valve 3 b interposed are provided corresponding to the second processing liquid supply pipe 3. A pipe 6 a with a valve 6 b interposed is provided corresponding to the drain pipe 6.
[0042]
When the substrate processing apparatus having this configuration is employed, the first processing liquid is supplied through the first processing liquid supply pipe 2, and then the second processing liquid is supplied through the second processing liquid supply pipe 3. The target substrate 5 can be processed. In addition, after starting the process of the process target board | substrate 5 with a 2nd process liquid, the valve | bulb 6b is opened a little and the 1st process liquid is discharged | emitted little by little through the drain pipe 6 and the piping 6a. The influence of the first processing liquid leaking from the supply pipe 2 can be eliminated.
[0043]
Therefore, when the processing liquid to be supplied to the overflow processing tank 1 is switched, it is only necessary to switch the supply system, so that the time required for cleaning can be shortened and the required amount of cleaning liquid can be reduced. Also in this case, simplification and downsizing of the configuration can be achieved as compared with the case where a plurality of processing liquid supply pipes are provided corresponding to each processing liquid. In this case, it is preferable to set the inner diameter of the first processing liquid supply pipe 2 to be equal to or smaller than the inner diameter of the second processing liquid supply pipe 3 in order to reduce the difference between the supply speeds of both processing liquids.
[0044]
Of course, in the substrate processing apparatus having the configuration shown in FIG. 3, the same processing liquid can be supplied through the first processing liquid supply pipe 2 and the second processing liquid supply pipe 3. In this case, it is not possible to shorten the time required for cleaning and reduce the required amount of cleaning liquid. However, as indicated by the upward arrow in FIG. Since it can be further approximated by an ideal flow velocity distribution, a sufficient amount of processing liquid is supplied to the central portion of the processing target substrate 5 even though the fluid resistance is large, so that the surface of the processing target substrate 5 is made almost uniform. Can be processed. In this case, it is preferable to set the inner diameter of the first processing liquid supply pipe 2 to be equal to or larger than the inner diameter of the second processing liquid supply pipe 3.
[0045]
FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
[0046]
The substrate processing apparatus is symmetric with respect to the overflow processing tank 1, the round pipe-shaped first processing liquid supply pipe 2 provided in the center of the bottom of the overflow processing tank 1, and the first processing liquid supply pipe 2. In this way, a round pipe-shaped second processing liquid supply pipe 3 provided at the bottom of the overflow processing tank 1, and a rectifying plate 4 provided slightly above the first processing liquid supply pipe 2 and the second processing liquid supply pipe 3. A plurality of processing target substrates 5 (for example, semiconductor wafers) supported in a state of being erected in parallel above the rectifying plate 4, and a drain pipe 6 for extracting processing liquid from the overflow processing tank 1 In addition to surrounding the discharge port of the first processing liquid supply pipe 2, the processing fluid discharged from the first processing liquid supply pipe 2 is guided upward while being guided to the center and discharged from the second processing liquid supply pipe 3. While guiding the processing fluid to the center And a pair of flow rate adjusting plate 7 for guiding a.
[0047]
FIG. 6 is a side view showing the configuration of each flow rate adjusting plate 7.
[0048]
The flow rate adjusting plate 7 may have, for example, a rectangular fluid flow allowance portion 7a at a predetermined interval at the lower portion {see FIG. 6 (a)}, but the long fluid flow allowance portion 7b is provided. It may be one {see (c) in FIG. 6}, and may further have a circular fluid flow allowing portion 7c at a predetermined interval {see (b) in FIG. 6}.
[0049]
When this embodiment is adopted, a processing liquid (for example, hydrofluoric acid) is supplied from the first processing liquid supply pipe 2, so that a pair of flow rate adjusting plates 7 indicate an upward arrow in FIG. 5. In addition, the flow velocity in the central portion can be maximized, and a sufficient amount of processing liquid is supplied to the central portion of the substrate to be processed 5 in spite of the large fluid resistance, so that the surface of the substrate to be processed 5 is almost the same. It can be processed uniformly.
[0050]
Then, after the processing of the substrate 5 is finished, the supply of the processing liquid from the first processing liquid supply pipe 2 is stopped and the processing liquid is discharged through the drain pipe 6. In this case, since the fluid flow allowing portion is provided below the flow rate adjusting plate 7, the processing liquid in the space outside the flow rate adjusting plate 7 moves to the space surrounded by the flow rate adjusting plate 7, and the drain It is reliably discharged through the tube 6.
[0051]
Thereafter, by supplying a different processing liquid (for example, pure water) from the second processing liquid supply pipe 3, a pair of flow rate adjusting plates 7 causes the flow rate at the center portion as shown by an upward arrow in FIG. The surface of the processing target substrate 5 can be processed almost uniformly by supplying a sufficient amount of processing liquid to the central portion of the processing target substrate 5 even though the fluid resistance is large. it can.
[0052]
Then, after the processing of the substrate 5 is completed, the supply of the processing liquid from the second processing liquid supply pipe 3 is stopped and the processing liquid is discharged through the drain pipe 6.
[0053]
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
[0054]
The substrate processing apparatus is different from the substrate processing apparatus of FIG. 5 in that a pair of flow rate adjusting plates 7 that do not have a fluid flow allowing portion is adopted and is partitioned by the pair of flow rate adjusting plates 7. The only difference is that the drain pipe 6 is provided corresponding to each of the three spaces.
[0055]
When the substrate processing apparatus having this configuration is adopted, the configuration becomes complicated and the cost is increased due to the large number of drain pipes 6, but the substrate processing is performed in the same manner as the substrate processing apparatus of FIG. It can be carried out.
[0056]
When the processing liquid is supplied using the substrate processing apparatus of FIG. 5 or FIG. 7 and the flow rate (l / min) of the processing liquid is increased to monitor the flow state of the processing liquid, in FIG. ), The flow of the processing liquid is in a steady state in the range of the flow rate up to 40 (l / min), so that uniform processing of the substrate surface can be achieved and the required time can be shortened. . On the other hand, when the flow of the processing liquid was similarly monitored in the substrate processing apparatus not provided with the flow rate adjusting plate, the flow rate was about 30 (l / min) as shown in FIGS. ), The flow of the treatment liquid is in a steady state in the range up to about 25 (l / min), and the flow of the treatment liquid is in an unsteady state in the range beyond these, so only by suppressing the flow rate. Uniform treatment of the substrate surface can be achieved, and the required time becomes long.
[0057]
8A and 8B show the case where the processing liquid is supplied from the first processing liquid supply pipe 2, and FIGS. 8C and 8D show the case where the processing liquid is supplied from the second processing liquid supply pipe 3. Each case is shown.
[0058]
Therefore, the upper limit of the flow rate that can ensure a steady state can be increased by providing the flow rate adjusting plate.
[0059]
The flow rate adjusting plate 7 has a constant thickness from the lower end to the upper end as shown in FIG. 9 (a), and the lower end to the upper end as shown in FIG. 9 (b). As shown in FIG. 9C, the thickness is gradually decreased from the lower end portion toward the upper end portion. The effect can be achieved.
[0060]
5, 7, and 9, the flow rate adjusting plate in which both the inner surface and the outer surface are formed to be flat is adopted, but the inner surface is formed in a convex shape as shown in FIG. 10 (a). 10 (b), the inner surface is formed in a concave shape, the outer surface is formed in a concave shape as shown in FIG. 11 (a), and the outer surface is formed as shown in FIG. 11 (b). Can be formed in a convex shape. Of course, these arbitrary shapes can be combined.
[0061]
Furthermore, at the boundary portion between the flow rate adjusting plate 7 and the bottom surface of the overflow treatment tank 1, welding can be performed with the bottom surface and the inner surface and outer surface of the flow rate adjusting plate smoothly attached with R as shown in FIG. Preferably, the flow of the treatment liquid can be made smooth.
[0062]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and therefore, the entire surface of the substrate can be processed substantially uniformly. Since only the book is required, the configuration can be simplified, and there is a specific effect that the size can be reduced.
[0063]
According to the second aspect of the present invention, when processing a substrate by sequentially supplying a plurality of types of processing fluids to the overflow processing tank, different processing fluids are supplied by the first tube and the second tube. In this way, it is possible to shorten the time required for cleaning, and to produce a specific effect that the required amount of cleaning fluid can be reduced.
[0064]
According to the invention of claim 3, the flow velocity in the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and as a result, the entire surface of the substrate can be processed almost uniformly. Since only the book is required, the configuration can be simplified, and there is a specific effect that the size can be reduced.
[0065]
The invention of claim 4 has the same effect as that of claim 3 without increasing the size of the overflow treatment tank.
[0066]
According to the fifth aspect of the present invention, when a plurality of types of processing fluids are sequentially supplied to the overflow processing tank to perform substrate processing, different processing fluids are supplied by the first tube and the second tube. In this way, it is possible to shorten the time required for cleaning, and to produce a specific effect that the required amount of cleaning fluid can be reduced.
[0067]
According to the sixth aspect of the present invention, the flow velocity of the processing fluid discharged from the second tubular body at the portion corresponding to the central portion of the substrate can be sufficiently increased, and as a result, the entire surface of the substrate can be processed almost uniformly. In addition, the same effects as in the fifth aspect can be obtained.
[0068]
The invention of claim 7 can achieve the discharge of the residual fluid from the overflow treatment tank after the treatment, and has the same effect as any of claims 3 to 6.
[0069]
According to the eighth aspect of the present invention, the number of processing fluid discharge pipes can be reduced to one, and the same effect as any one of the third to sixth aspects is achieved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing one embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing another configuration example of the protruding space.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view schematically showing another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
4 is a piping system diagram showing piping for the substrate processing apparatus of FIG. 3;
FIG. 5 is a longitudinal sectional view schematically showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 6 is a side view of a flow rate adjusting plate.
FIG. 7 is a longitudinal sectional view schematically showing still another embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing a result of monitoring the state of the flow of the treatment liquid by increasing the flow rate (l / min) of the treatment liquid.
FIG. 9 is a front view showing an example of the configuration of a flow rate adjusting plate.
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of an inner surface of a flow rate adjusting plate.
FIG. 11 is a diagram illustrating an example of an outer surface of a flow rate adjusting plate.
FIG. 12 is a longitudinal sectional view showing an example of a joining structure between the flow rate adjusting plate and the bottom surface of the overflow treatment tank.
[Explanation of symbols]
1 Overflow tank 1a Protruding space
2 First treatment liquid supply pipe 3 Second treatment liquid supply pipe
5 Substrate to be treated 6 Drain pipe
7 Flow rate adjustment plate

Claims (8)

所定形状のオーバーフロー処理槽(1)と、オーバーフロー処理槽内に複数枚の処理対象基板(5)を互いに平行に支持する基板支持部と、オーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給する流体供給部(2)とを含む基板処理装置であって、
前記流体供給部(2)は、オーバーフロー処理槽(1)の底部近傍において、処理対象基板(5)の中心と正対し、かつ処理対象基板(5)の並び方向に延びるように配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第1管体(2)であり、前記オーバーフロー処理槽(1)の底部は、長尺の第1管体(2)の処理用流体吐出口を含む所定範囲を包囲すべく外方に突出する突出空間(1a)を有し、この突出空間(1a)は、処理槽内部側が狭幅に設定されていることを特徴とする基板処理装置。
An overflow treatment tank (1) having a predetermined shape, a substrate support part for supporting a plurality of treatment target substrates (5) in parallel in the overflow treatment tank, and a fluid supply part for supplying a treatment fluid into the overflow treatment tank (2) a substrate processing apparatus comprising:
The fluid supply unit (2) is disposed in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank (1) so as to face the center of the processing target substrate (5) and extend in the alignment direction of the processing target substrates (5). The long first tube (2) having a processing fluid discharge port for discharging the processing fluid downward, and the bottom of the overflow processing tank (1) is the long first tube (2). And a projecting space (1a) projecting outward to surround a predetermined range including the processing fluid discharge port, and the projecting space (1a) is set to have a narrow width inside the processing tank. A substrate processing apparatus.
前記長尺の第1管体(2)を基準として互いに対称な位置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第2管体(3)をさらに有している請求項1に記載の基板処理装置。A long second tubular body (3) having a processing fluid discharge port for discharging a processing fluid downward at a position symmetrical to each other with respect to the long first tubular body (2). The substrate processing apparatus according to claim 1. 所定形状のオーバーフロー処理槽(1)と、オーバーフロー処理槽内に複数枚の処理対象基板(5)を互いに平行に支持する基板支持部と、オーバーフロー処理槽内に処理用流体を供給する流体供給部(2)とを含む基板処理装置であって、
前記流体供給部(2)は、オーバーフロー処理槽(1)の底部近傍において、処理対象基板(5)の中心と正対し、かつ処理対象基板(5)の並び方向に延びるように配置されるとともに、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第1管体(2)であり、この第1管体(2)から吐出された処理用流体を中央部に導きながら上方に導く1対の流速調整板(7)を有し、1対の流速調整板(7)が第1管体(2)を挟んで対称に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
An overflow treatment tank (1) having a predetermined shape, a substrate support part for supporting a plurality of treatment target substrates (5) in parallel in the overflow treatment tank, and a fluid supply part for supplying a treatment fluid into the overflow treatment tank (2) a substrate processing apparatus comprising:
The fluid supply unit (2) is disposed in the vicinity of the bottom of the overflow processing tank (1) so as to face the center of the processing target substrate (5) and extend in the alignment direction of the processing target substrates (5). , A long first tube (2) having a processing fluid discharge port for discharging the processing fluid downward, while guiding the processing fluid discharged from the first tube (2) to the central portion A substrate processing apparatus comprising a pair of flow rate adjusting plates (7) guided upward, wherein the pair of flow rate adjusting plates (7) are arranged symmetrically with the first tube (2) interposed therebetween. .
前記1対の流速調整板(7)は、第1管体(2)を基準として互いに対象な位置においてオーバーフロー処理槽(1)の底面から斜め上方に延びるように設けられている請求項3に記載の基板処理装置。The pair of flow rate adjusting plates (7) are provided so as to extend obliquely upward from the bottom surface of the overflow processing tank (1) at positions that are mutually targeted with respect to the first pipe body (2). The substrate processing apparatus as described. 前記長尺の第1管体(2)を基準として互いに対称、かつ流速調整板(7)よりも外側の所定位置に、下向きに処理用流体を吐出する処理用流体吐出口を有する長尺の第2管体(3)をさらに有している請求項3または請求項4に記載の基板処理装置。A long-length processing fluid discharge port that discharges the processing fluid downward at a predetermined position that is symmetrical with respect to the long first tubular body (2) and outside the flow rate adjusting plate (7). The substrate processing apparatus according to claim 3 or 4, further comprising a second tubular body (3). 前記1対の流速調整板(7)は、第2管体(3)から吐出された処理用流体をオーバーフロー処理槽(1)の中央部に導きながら上方に導く外面形状を有している請求項5に記載の基板処理装置。The pair of flow rate adjusting plates (7) has an outer surface shape that guides the processing fluid discharged from the second tubular body (3) upward while guiding it to the center of the overflow processing tank (1). Item 6. The substrate processing apparatus according to Item 5. 前記1対の流速調整板(7)により区画される各空間に対応させてオーバーフロー処理槽(1)の底部所定位置に処理用流体排出管(6)を設けている請求項3から請求項6の何れかに記載の基板処理装置。The processing fluid discharge pipe (6) is provided at a predetermined position at the bottom of the overflow processing tank (1) so as to correspond to each space defined by the pair of flow rate adjusting plates (7). The substrate processing apparatus according to any one of the above. 前記1対の流速調整板(7)により包囲される空間のみに対応させてオーバーフロー処理槽(1)の底部所定位置に処理用流体排出管(6)を設け、各流速調整板(7)の下部所定位置に処理用流体の流動を許容する流動許容開口(7a)(7b)(7c)を形成している請求項3から請求項6の何れかに記載の基板処理装置。A processing fluid discharge pipe (6) is provided at a predetermined position on the bottom of the overflow processing tank (1) so as to correspond only to the space surrounded by the pair of flow rate adjusting plates (7). The substrate processing apparatus according to any one of claims 3 to 6, wherein flow allowable openings (7a), (7b), and (7c) that allow the flow of the processing fluid to flow are formed in a lower predetermined position.
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