JPH05267263A - Semiconductor-wafer cleaning apparatus - Google Patents

Semiconductor-wafer cleaning apparatus

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JPH05267263A
JPH05267263A JP6061392A JP6061392A JPH05267263A JP H05267263 A JPH05267263 A JP H05267263A JP 6061392 A JP6061392 A JP 6061392A JP 6061392 A JP6061392 A JP 6061392A JP H05267263 A JPH05267263 A JP H05267263A
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真一 佐藤
Yoshiki Ito
芳規 伊藤
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Abstract

PURPOSE:To enhance the efficiency of a cleaning operation and to make a treatment tank small-sized in a semiconductor-wafer cleaning apparatus. CONSTITUTION:A plurality of jet ports 4 are formed in sidewalls and in the bottom part of a cleaning tank 1. Hollow semispherical connection parts 5 are attached so as to surround the individual jet ports 4; pipes 6 are connected to the connection parts 5. In addition, pumps 7 are installed in halfway parts of the pipes 6. A treatment liquid 2 is spouted as jet streams 2a at an angle of less than 120 deg. from the individual jet ports 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において半導体ウェーハを洗浄処理するための半導体ウ
ェーハ洗浄装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer in a semiconductor device manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の製造においては、半導体ウ
ェーハを各種処理プロセスに沿って洗浄を行う洗浄処理
(いわゆるウエット処理)工程がある。半導体ウェーハ
に対する洗浄処理には、例えばNH4 OH+H2 2
2 Oの薬液による有機物の洗浄、例えばHC1+H2
2 +H2 Oの薬液による金属汚染の洗浄、例えばバッ
ファード弗酸の薬液のライトエッチングによる自然酸化
の除去、及びそれら間でのリンス処理(薬液水洗)等が
ある。従って、洗浄装置の処理槽は、これらの洗浄が可
能なように所要の処理プロセスに応じて適宜選択して複
数配設される。
2. Description of the Related Art In the manufacture of a semiconductor device, there is a cleaning process (so-called wet process) for cleaning a semiconductor wafer along various processing processes. For cleaning the semiconductor wafer, for example, NH 4 OH + H 2 O 2 +
Cleaning of organic substances with H 2 O chemical solution, for example, HC1 + H 2
There are cleaning of metal contamination by a chemical solution of O 2 + H 2 O, removal of natural oxidation by light etching of a chemical solution of buffered hydrofluoric acid, and rinsing treatment (washing with chemical solution) between them. Therefore, a plurality of processing tanks of the cleaning device are appropriately selected and arranged according to the required processing process so that these cleanings can be performed.

【0003】従来、このような洗浄装置としては、例え
ば図6A,Bに示すようなものが知られている。まず、
図6Aに示す装置にあっては、多数の孔30を有する部
材31が半導体ウェーハPを収容する処理槽32の底部
に配置され、これらの孔30から薬液あるいは純水等の
リンス液即ち処理液33が上方に向かって噴出するよう
に構成されている。一方、図6Bに示す装置にあって
は、多数の孔40を有する2本のチューブ41が処理槽
42の底部に設けられ、これらの孔40から上述の処理
液33が所定の角度をもって噴出するように構成されて
いる。
Conventionally, as such a cleaning device, for example, those shown in FIGS. 6A and 6B are known. First,
In the apparatus shown in FIG. 6A, a member 31 having a large number of holes 30 is arranged at the bottom of a processing bath 32 for accommodating the semiconductor wafer P, and a rinse liquid such as a chemical liquid or pure water, that is, a processing liquid is passed through these holes 30. 33 is configured to squirt upward. On the other hand, in the apparatus shown in FIG. 6B, two tubes 41 having a large number of holes 40 are provided at the bottom of the processing tank 42, and the processing liquid 33 described above is jetted from these holes 40 at a predetermined angle. Is configured.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例の場合、次のような問題点があった。すなわち、
上記いずれの装置においても処理槽32,42の底部か
ら処理液33を噴出させるようにしているため、液体の
流れは下方から上方という一方向しかなく、半導体ウェ
ーハPの洗浄効率が悪い。また、図6Bに示す装置の場
合、処理槽42内にチューブ41を配置するので、不必
要な渦流等が生じ、この結果、洗浄効率を下げる要因と
なっていた。さらに、上述の従来例においては、処理槽
32,42内に液体を噴出させるための手段を設けてい
るので、処理槽32,42が大型になるという欠点もあ
った。
However, the conventional example has the following problems. That is,
Since the processing liquid 33 is jetted from the bottoms of the processing baths 32 and 42 in any of the above-described devices, the liquid flows only in one direction from the bottom to the top, and the cleaning efficiency of the semiconductor wafer P is poor. Further, in the case of the apparatus shown in FIG. 6B, since the tube 41 is arranged in the processing tank 42, unnecessary vortex flow or the like occurs, which results in a reduction in cleaning efficiency. Further, in the above-mentioned conventional example, since the means for ejecting the liquid is provided in the processing tanks 32, 42, there is a drawback that the processing tanks 32, 42 become large.

【0005】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、洗浄効率の向上及
び処理槽の小型化を達成しうる半導体ウェーハ洗浄装置
を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above points of the conventional example, and an object thereof is to provide a semiconductor wafer cleaning apparatus capable of improving cleaning efficiency and downsizing a processing tank. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図1に
示すように、装置内に配された処理槽1にて半導体ウェ
ーハ3を洗浄処理する半導体ウェーハ洗浄装置におい
て、この処理槽1に複数の処理液噴出口4を設け、この
処理液噴出口4から所定の角度で処理液2を噴出させる
ようにしたものである。この場合、120°以内の角度
で処理液2を噴出させるようにすることも効果的であ
る。
The present invention relates to a semiconductor wafer cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer 3 in a processing tank 1 arranged in the apparatus as shown in FIG. A plurality of processing liquid ejection ports 4 are provided, and the processing liquid 2 is ejected from the processing liquid ejection port 4 at a predetermined angle. In this case, it is also effective to eject the treatment liquid 2 at an angle of 120 ° or less.

【0007】[0007]

【作用】かかる構成を有する本発明にあっては、処理槽
1に設けた複数の処理液噴出口4から所定の角度、好ま
しくは120°以内の角度で処理液2が噴出されること
から、処理槽1内において処理液2の乱流が生じ、半導
体ウェーハ3に対して種々の方向から処理液2が接触す
るようになる。また、洗浄効率を下げる要因となる渦流
の発生が抑制される。さらに、処理槽1内に処理液2を
噴出するための手段が配されていないことから、この手
段に起因する渦流は発生せず、また、この手段を配置す
るためのスペースを省略することができる。
In the present invention having such a configuration, since the processing liquid 2 is jetted from the plurality of processing liquid jet ports 4 provided in the processing tank 1 at a predetermined angle, preferably within 120 °, Turbulent flow of the processing liquid 2 occurs in the processing tank 1, and the processing liquid 2 comes into contact with the semiconductor wafer 3 from various directions. In addition, the generation of swirl flow, which is a factor that reduces the cleaning efficiency, is suppressed. Further, since no means for ejecting the treatment liquid 2 is provided in the treatment tank 1, a vortex flow due to this means is not generated, and a space for arranging this means can be omitted. it can.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明に係る半導体ウェーハ洗浄装置の第
1実施例の概略構成を示すものであり、直方体形状の処
理槽1に処理液2が満たされ、半導体ウェーハ3が配置
されるようになっている。なお、半導体ウェーハ3は複
数枚キャリア内に収容してキャリアごとに処理槽1内に
配置する方法、あるいはキャリアレス方式で処理槽1内
に配置する方法等がとられる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a first embodiment of a semiconductor wafer cleaning apparatus according to the present invention, in which a processing solution 2 is filled in a rectangular parallelepiped processing tank 1 and a semiconductor wafer 3 is arranged. There is. The semiconductor wafers 3 may be housed in a plurality of carriers and arranged in the processing tank 1 for each carrier, or may be arranged in the processing tank 1 in a carrierless manner.

【0009】図1に示すように、本実施例においては、
処理槽1の側部と底部に処理液2である薬液又は純水等
のリンス液を噴出するための噴出口4がそれぞれ複数個
設けられている。そして、各噴出口4の外側には中空半
球状の連結部5を介してパイプ6が取り付けられてい
る。各パイプ6は、それぞれポンプ7を介して不図示の
薬液又はリンス液のタンクに連結されている。尚、処理
槽1がリンス槽の場合、図示はしないが槽からあふれ出
た液体は排出口から排出されるようになっている。一
方、薬液槽の場合は一旦薬液が回収され、フィルターに
よってろ過された後に再び洗浄に用いられるように構成
されている。
As shown in FIG. 1, in this embodiment,
A plurality of jet ports 4 for jetting a treatment liquid 2 such as a chemical liquid or a rinse liquid such as pure water are provided at the side and bottom of the processing tank 1. A pipe 6 is attached to the outside of each ejection port 4 via a hollow hemispherical connecting portion 5. Each pipe 6 is connected via a pump 7 to a tank of chemical liquid or rinse liquid (not shown). When the processing tank 1 is a rinse tank, although not shown, the liquid overflowing from the tank is discharged from the discharge port. On the other hand, in the case of the chemical solution tank, the chemical solution is once collected, filtered by a filter, and then used again for cleaning.

【0010】図2は噴出口4の近傍を拡大して示すもの
である。同図に示すように本実施例の処理槽1において
は、各噴出口4を囲むように中空半球状の連結部5が処
理槽1の周壁に設けられている。そして、このように構
成することにより、図2に示すように、処理液2は噴出
口4から所定の角度θをもって噴出するようになる。こ
の場合、この噴流2aの角度θが120°以内となるよ
う噴出口4の径、連結部5の形状及び大きさを調節して
おく。
FIG. 2 is an enlarged view showing the vicinity of the jet port 4. As shown in the figure, in the processing tank 1 of this embodiment, a hollow hemispherical connecting portion 5 is provided on the peripheral wall of the processing tank 1 so as to surround each jet port 4. With this configuration, the treatment liquid 2 is ejected from the ejection port 4 at a predetermined angle θ, as shown in FIG. In this case, the diameter of the jet port 4 and the shape and size of the connecting portion 5 are adjusted so that the angle θ of the jet 2a is within 120 °.

【0011】尚、各ポンプ7は独立してオン、オフ、流
量の調整が行えるようになっている。そして、洗浄処理
工程においては、まず全てのポンプ7を駆動して全噴出
口4から処理液2を噴出させ、図3Aに示すように乱流
を生じさせる。そして、その後、例えば図1中左側のみ
のポンプ7を駆動して片側だけ処理液2を噴出させ、図
3Bに示すように層流を生じさせる。
Each pump 7 can be independently turned on and off and the flow rate can be adjusted. Then, in the cleaning process, first, all the pumps 7 are driven to eject the processing liquid 2 from all the ejection ports 4 to generate a turbulent flow as shown in FIG. 3A. Then, after that, for example, the pump 7 on the left side in FIG. 1 is driven to eject the processing liquid 2 on only one side to generate a laminar flow as shown in FIG. 3B.

【0012】かかる構成を有する本実施例においては、
図1に示すように、処理層1の内側部及び底部に設けた
噴出口4から所定の角度でもって処理液2が噴出される
ので、槽内に乱流が生じ、半導体ウェーハ3に対して種
々の方向から処理液2が接触するようになる。例えば半
導体ウェーハ3とキャリア(図示せず)との接触点付近
の洗浄しにくい部分にも処理液2が侵入するようにな
る。また、洗浄効率を下げる要因となる渦流の発生が抑
制される。
In this embodiment having such a configuration,
As shown in FIG. 1, the treatment liquid 2 is ejected at a predetermined angle from the ejection ports 4 provided on the inner side and the bottom of the treatment layer 1, so that a turbulent flow is generated in the bath and the semiconductor wafer 3 is The treatment liquid 2 comes into contact from various directions. For example, the treatment liquid 2 also enters the portion that is difficult to clean near the contact point between the semiconductor wafer 3 and the carrier (not shown). In addition, the generation of swirl flow, which is a factor that reduces the cleaning efficiency, is suppressed.

【0013】従って、本実施例によれば、洗浄処理の効
率を向上させて洗浄処理時間の短縮化及び処理液2の節
約を図ることができる。また、本実施例にあっては処理
槽1内に処理液2を噴出するための手段が配されていな
いので、この手段に起因する渦流は発生せず洗浄効率の
一層の向上を図ることができるとともに、処理槽1の小
型化を図ることができる。さらに、処理槽1内のクリー
ン度を向上させることができるという効果もある。尚、
以上の効果は、処理液2の流れを乱流から層流に切り換
えるように制御することでより一層達成されるものであ
る。
Therefore, according to this embodiment, the efficiency of the cleaning process can be improved, the cleaning process time can be shortened, and the processing liquid 2 can be saved. Further, in this embodiment, since the means for ejecting the treatment liquid 2 into the treatment tank 1 is not provided, the eddy current caused by this means is not generated and the cleaning efficiency can be further improved. In addition, the processing tank 1 can be downsized. Furthermore, there is an effect that the cleanliness inside the processing tank 1 can be improved. still,
The above effect is further achieved by controlling the flow of the treatment liquid 2 so as to switch from the turbulent flow to the laminar flow.

【0014】図4は本発明の第2実施例の概略構成を示
すもので、以下、上記第1実施例と対応する部分につい
ては同一の符号を付して説明する。
FIG. 4 shows a schematic configuration of the second embodiment of the present invention. Hereinafter, portions corresponding to those of the first embodiment will be described with the same reference numerals.

【0015】本実施例においては、処理槽11の下部が
半導体ウェーハ3の輪郭に沿うようなアール状に形成さ
れている。また、噴出口4を2つ並べて配置し、これら
を1つの連結部5で囲むように構成されている。尚、ポ
ンプ7及びパイプ6等は第1実施例と同様のものを用い
ればよい。
In the present embodiment, the lower portion of the processing bath 11 is formed in a rounded shape so as to follow the contour of the semiconductor wafer 3. In addition, two ejection ports 4 are arranged side by side, and these are surrounded by one connecting portion 5. The pump 7, the pipe 6 and the like may be the same as those in the first embodiment.

【0016】本実施例によれば、一層の渦流の発生を抑
制できるとともに、配管数を減らして構成を簡素にする
ことができるという効果がある。その他の構成及び作用
については上記第1実施例と同一であるのでその詳細な
説明を省略する。
According to this embodiment, it is possible to further suppress the generation of eddy currents and to reduce the number of pipes and simplify the structure. The rest of the configuration and operation are the same as in the first embodiment, so a detailed description thereof will be omitted.

【0017】図5は本発明の第3実施例の概略構成を示
すものであり、以下、上記実施例と対応する部分につい
ては同一の符号を付して説明する。
FIG. 5 shows a schematic configuration of a third embodiment of the present invention. Hereinafter, portions corresponding to those of the above embodiment will be described with the same reference numerals.

【0018】本実施例においては、処理槽21の側壁に
噴出口4が3つ並べて設けられ、これらを1つの連結部
22で囲むように構成されている。また、処理槽21の
底部に噴出口4が2つ並べて設けられ、これらを1つの
連結部23で囲むように構成されている。尚、連結部2
2,23は直方体形状となっている。
In this embodiment, three jet outlets 4 are provided side by side on the side wall of the processing tank 21, and these are surrounded by one connecting portion 22. Further, two jet nozzles 4 are provided side by side at the bottom of the processing tank 21, and these are surrounded by one connecting portion 23. The connecting portion 2
2 and 23 have a rectangular parallelepiped shape.

【0019】本実施例によれば、図1に示す第1実施例
とほぼ同じ構成で洗浄効率の向上を図ることができる。
その他の構成及び作用については上記実施例と同一であ
るのでその詳細な説明を省略する。
According to the present embodiment, the cleaning efficiency can be improved with almost the same structure as the first embodiment shown in FIG.
The rest of the configuration and operation are the same as in the above-mentioned embodiment, so a detailed description thereof is omitted.

【0020】尚、本発明における噴出口の数、配管数は
上述の実施例のものに限らず、製造プロセス、処理槽の
目的等に応じて種々の構成を採ることができるものであ
る。
The number of jet ports and the number of pipes in the present invention are not limited to those in the above-mentioned embodiment, and various configurations can be adopted depending on the manufacturing process, the purpose of the processing tank and the like.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上述べたように本発明においては、処
理槽に設けた複数の処理液噴出口から所定の角度で処理
液を噴出させるようにしたことから、洗浄処理の効率を
向上させることができ、この結果、洗浄処理時間の短縮
化及び処理液の節約を図ることができる。また、本発明
によれば、処理槽内に処理液を噴出させるための手段を
配していないので、処理槽の小型化を図ることができる
という効果もある。
As described above, in the present invention, the processing liquid is jetted at a predetermined angle from the plurality of processing liquid jet ports provided in the processing tank, so that the efficiency of the cleaning process is improved. As a result, the cleaning processing time can be shortened and the processing liquid can be saved. Further, according to the present invention, since the means for ejecting the processing liquid is not provided in the processing tank, there is an effect that the processing tank can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施例における処理液の噴出口の近傍を示す
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the vicinity of a treatment liquid ejection port in the same embodiment.

【図3】同実施例における処理工程の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of processing steps in the example.

【図4】本発明の第2実施例の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施例の概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a third embodiment of the present invention.

【図6】従来例の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理槽 2 処理液 2a 噴流 3 半導体ウェーハ 4 噴出口 5 連結部 6 パイプ 7 ポンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing tank 2 Processing liquid 2a Jet flow 3 Semiconductor wafer 4 Jet outlet 5 Connection part 6 Pipe 7 Pump

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 装置内に配された処理槽にて半導体ウェ
ーハを洗浄処理する半導体ウェーハ洗浄装置において、 上記処理槽に複数の処理液噴出口を設け、該処理液噴出
口から所定の角度で処理液を噴出させるようにしたこと
を特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置。
1. A semiconductor wafer cleaning apparatus for cleaning a semiconductor wafer in a processing tank disposed in the apparatus, wherein the processing tank is provided with a plurality of processing solution jets, and the processing solution jets are provided at predetermined angles. A semiconductor wafer cleaning device characterized in that a processing liquid is ejected.
【請求項2】 120°以内の角度で処理液を噴出させ
るようにしたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウ
ェーハ洗浄装置。
2. The semiconductor wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is ejected at an angle of 120 ° or less.
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