KR100457334B1 - Test probe - Google Patents

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    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects

Abstract

본 발명은 테스트 프로브에 관한 것으로, 테스트 프로브 카드를 구성하는 테스트 프로브에 있어서, 반도체 칩에 설치된 패드상의 테스트하고자 하는 금속배선면과 전기적으로 접촉되는 팁부에 곡면부가 형성된다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test probe, wherein in a test probe constituting a test probe card, a curved portion is formed at a tip portion in electrical contact with a metal wiring surface to be tested on a pad provided on a semiconductor chip.

이와 같은 구성에 의하면, 반도체 칩상에 설치되는 패드의 테스팅 포인트에 접촉되는 테스트 프로브의 팁부에 곡면부가 형성되기 때문에 그 테스팅 포인트에 해당되는 금속배선면과의 접촉시 긁힘현상이 발생되지 않음에 따라 파티클이 발생되지 않게 되며, 상기 테스트 프로브의 팁부에 의하여 패드상의 금속면이 긁히면서 그 팁부에 금속파티클이 부착된다 하더라도 그 테스트 프로브의 선단부가 윗쪽으로 곡면지게 형성되어 있기 때문에 테스트 프로브의 이동시에 부착된 파티클이 해당 반도체 칩의 메인 픽셀이나 주변의 다른 반도체 칩상으로 튕겨지는 현상이 방지되며, 그 결과 불량발생율이 현저하게 저하된다.According to such a configuration, since the curved portion is formed at the tip of the test probe that is in contact with the testing point of the pad installed on the semiconductor chip, no scratches occur when contacting the metal wiring surface corresponding to the testing point. Is not generated, and even though the metal surface on the pad is scratched by the tip of the test probe, even though the metal particles are attached to the tip, the tip of the test probe is curved upward so that it is attached when the test probe is moved. Particles are prevented from being thrown onto the main pixel of the semiconductor chip or other semiconductor chips in the vicinity, and as a result, the defect occurrence rate is significantly reduced.

Description

테스트 프로브{TEST PROBE}Test Probe {TEST PROBE}

본 발명은 테스트 프로브(Test Probe)에 관한 것으로, 특히 CCD(Charge Coupled Device)형 고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩(Chip)상의 패드를 테스트하는 데 사용되는 테스트 프로브에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test probe, and more particularly, to a test probe used to test a pad on a semiconductor chip applied to a charge coupled device (CCD) type solid state image pickup device.

일반적으로, CCD형 고체촬상소자는 빛을 입력신호로 사용하기 때문에 반도체 칩(Chip)의 표면에 보호막을 씌우는 패시베이션(Passivation)공정 이후에도 메인 픽셀(Main Pixel)위에 파티클이 발생하면 빛의 차단으로 인하여 흑점결함이 발생하여 양품으로 사용할 수 없게 됨에 따라 파티클에 의한 불량발생율을 감소시키는 것이 특성개선에 있어 커다란 과제이다.In general, CCD type solid-state imaging devices use light as an input signal, and when particles occur on the main pixel even after a passivation process of applying a protective film on the surface of the semiconductor chip, As black spot defects occur and they cannot be used as good products, reducing the defect rate caused by particles is a major problem in improving the characteristics.

한편, 이와 같은 불량을 야기시키는 주요 원인으로는 조립과정에서 발생되는 파티클 뿐만 아니라, 고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩에 형성되는 패드를 테스트하는 과정에서 테스트 프로브와 패드상의 알루미늄(Al)배선의 접촉에 의하여 발생되는 파티클도 많은 영향을 미치는 것으로 알려지고 있다.On the other hand, the main cause of such defects is the contact between the test probe and the aluminum (Al) wiring on the pad during the test of the pads formed on the semiconductor chip applied to the solid state imaging device as well as the particles generated during the assembly process. It is known that the particles generated by it also have a lot of influence.

도 1은 CCD형 고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩상의 각 패드를 테스트 프로브로써 테스트하는 상태를 나타내는 개략 평면도이다.1 is a schematic plan view showing a state in which each pad on a semiconductor chip applied to a CCD solid-state image pickup device is tested with a test probe.

이를 참조하면, CCD형 고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩(10)은 중앙부분에 메인 픽셀(12)이 위치되고, 그 메인 픽셀(12)로부터 일정 간격 떨어진 가장자리에는 다수의 패드(14)가 배열되며, 상기 각 패드(14)는 테스트 프로브 카드(16)를 이용하여 테스트하도록 구성되며, 이를 위하여 상기 각 패드(14)상에는 상기 테스트 프로브 카드(160의 양쪽 내측면으로부터 돌설되는 테스트 프로브(18)가 얹혀진다.Referring to this, in the semiconductor chip 10 applied to a CCD solid-state image pickup device, a main pixel 12 is positioned at a central portion thereof, and a plurality of pads 14 are arranged at an edge spaced apart from the main pixel 12 by a predetermined distance. Each pad 14 is configured to test using a test probe card 16. To this end, the test probes 18 protrude from both inner surfaces of the test probe card 160 on each pad 14. Is put on.

이 상태에서 각 패드(14)에 대한 테스트가 완료되면, 상기 테스트 프로브 카드(16)가 이동되고, 새로운 반도체 칩(10)이 그 테스트 프로브 카드(16)의 위치까지 이송되어 각 패드(14)를 테스트하도록 되어 있다.In this state, when the test for each pad 14 is completed, the test probe card 16 is moved, and a new semiconductor chip 10 is transferred to the position of the test probe card 16 and each pad 14 is moved. Is supposed to test

도 2는 종래의 테스트 프로브를 이용하여 고체촬상소자에 적용되는 패드를 테스트하는 상태를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing a state of testing a pad applied to a solid state image pickup device using a conventional test probe.

이를 참조하면, 기존의 테스트 프로브 카드(16)에 설치되는 테스트 프로브(18)은 그 팁부(Tip : 20)가 상기 각 패드(14)상의 테스팅 포인트에 정확하게 위치되도록 하기 위하여 매우 날카롭게 형성된다.Referring to this, the test probe 18 installed in the existing test probe card 16 is formed very sharply so that its tip 20 is accurately positioned at the testing point on each of the pads 14.

그러나, 이와 같이 팁부(20)가 날카로운 종래의 테스트 프로브(18)를 이용하여 패드(14)를 테스트하는 경우에는 도 2에 도시된 바와 같이, 작업자가 약간의 힘을 가하는 경우에도 테스트 프로브(18)의 팁부(20)에 의하여 패드(14)상에 형성된 Al배선이 긁혀지면서 파티클이 발생되는 문제가 있다. However, in the case of testing the pad 14 using the conventional test probe 18 having the sharp tip 20 as described above, as shown in FIG. 2, even when the operator exerts a slight force, the test probe 18 There is a problem that particles are generated while the Al wiring formed on the pad 14 is scratched by the tip portion 20 of.

또한 하나의 반도체 칩(10)상에 형성된 패드(14)를 테스트한 후에는 상기 테스트 프로브 카드(16) 전체를 들어올려 그 테스트 르로브(18)가 패드(14)로부터 들어올려지도록 한 상태에서 새로운 반도체 칩(10)상의 패드(14)에 대한 테스트를 수행하는 데, 이와 같이 테스트 프로브 카드(16)를 이동시키는 과정에서 상기 테스트 프로브(18)의 팁부(20)에 걸려 있던 Al파티클이 튕겨져 나가면서 해당 반도체 칩의 메인 픽셀(12)이나 또는 주변의 다른 반도체 칩들을 오염시킴에 따라 넓은 범위에 걸쳐 불량이 발생된다는 심각한 문제가 있다. In addition, after testing the pad 14 formed on one semiconductor chip 10, the entire test probe card 16 is lifted up so that the test lube 18 is lifted from the pad 14. A test on the pad 14 on the new semiconductor chip 10 is performed. In the process of moving the test probe card 16, the Al particles that have been caught by the tip portion 20 of the test probe 18 are bounced off. There is a serious problem that a defect occurs over a wide range as it contaminates the main pixel 12 of the semiconductor chip or other semiconductor chips in the vicinity.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 반도체 칩상에서 테스트하고자 하는 패드상의 금속배선면과 접촉되는 부분이 곡면지게 형성되도록 하여 테스트시 패드상의 금속배면이 긁히지 않도록 하므로써 파티클이 발생되지 않도록 함은 물론, 금속배면과의 마찰에 의하여 파티클이 발생되었다 하더라도 메인 픽셀이나 주변의 다른 반도체 칩상으로 옮겨지지 않도록 한 새로운 형태의 테스트 프로브를 제공하는 것이다.The present invention is to solve such a conventional problem, the object is to form a curved surface portion in contact with the metal wiring surface on the pad to be tested on the semiconductor chip so that the particles do not scratch the metal surface on the pad during the test The present invention provides a new type of test probe that prevents the particles from being generated on the main pixel or other semiconductor chips in the vicinity even if particles are generated by friction with the metal back surface.

이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 테스트 프로브 카드를 구성하는 테스트 프로브에 있어서, 반도체 칩에 설치된 패드상의 테스트하고자 하는 금속배선면과 전기적으로 접촉되는 팁부에 곡면부가 형성된 특징을 갖는다.In order to achieve the above object, the present invention has a feature in that a test portion constituting a test probe card has a curved portion formed at a tip portion in electrical contact with a metal wiring surface to be tested on a pad provided on a semiconductor chip.

이하, 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 테스트 프로브의 선단부를 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view showing a distal end of the test probe according to the present invention.

이를 참조하면, CCD형 고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩(30)상에 설치된 패드(40)를 테스트하기 위한 테스트 프로브(50)에서 패드(40)상의 금속배선면에 전기적으로 접촉되는 팁부(60)에 곡면부(70)가 형성된다.Referring to this, in the test probe 50 for testing the pad 40 installed on the semiconductor chip 30 applied to the CCD type solid-state image pickup device, the tip part 60 is in electrical contact with the metal wiring surface on the pad 40. The curved surface portion 70 is formed.

이와 같이 이루어지는 본 발명의 작용은 다음과 같다.The operation of the present invention made as described above is as follows.

도 4는 본 발명에 따른 테스트 프로브를 이용하여 고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩상의 패드를 테스트하는 상태를 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view showing a state of testing a pad on a semiconductor chip applied to a solid state image pickup device using the test probe according to the present invention.

고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩(30)상에 설치되는 패드(40)를 테스트 하고자 하는 경우에 상기 테스트 프로브(50)의 팁부(60)에 형성된 곡면부(70)를 패드(40)상의 금속배선면에 해당되는 테스팅 포인트에 접촉시키고 측정하면 되는 것이다.When testing the pad 40 provided on the semiconductor chip 30 applied to the solid state image pickup device, the curved portion 70 formed on the tip portion 60 of the test probe 50 may be formed on the pad 40. All you have to do is contact the measuring point that corresponds to the wiring surface and measure it.

이와 같은 본 발명을 적용하면, 반도체 칩상에 설치되는 패드의 테스팅 포인트에 접촉되는 프로브의 팁부에 곡면부가 형성되기 때문에 그 테스팅 포인트에 해당되는 금속배선면과의 접촉시 긁힘현상이 발생되지 않음에 따라 파티클이 발생되지 않게 된다. According to the present invention, since the curved portion is formed at the tip portion of the probe that is in contact with the testing point of the pad installed on the semiconductor chip, the scratch does not occur when contacting the metal wiring surface corresponding to the testing point. Particles will not be generated.

또한, 작업자의 조작미숙으로 상기 테스트 프로브에 의하여 패드상의 금속 배선면이 긁히면서 팁부에 금속파티클이 부착된다 하더라도 그 테스트 프로브의 선단부가 윗쪽으로 곡면지게 형성되어 있기 때문에 프로브의 이동시에 부착된 파티클이 주변으로 튕겨지는 현상이 방지되는 것이다.In addition, even if the metal probe surface on the pad is scratched by the test probe due to an inexperienced operator's operation, the tip of the test probe is curved upward so that the particles attached during movement of the probe are formed. This is to prevent it from being bounced around.

도 1은 CCD형 고체촬상소자에 적용되는 반도체 칩상의 각 패드를 테스트 프로브로써 테스트하는 상태를 나타내는 개략 평면도,1 is a schematic plan view showing a state in which each pad on a semiconductor chip applied to a CCD solid-state image pickup device is tested with a test probe;

도 2는 종래 테스트 프로브를 이용하여 고체촬상소자용 패드를 테스트하는 상태를 나타내는 사시도,2 is a perspective view showing a state of testing a pad for a solid-state image sensor using a conventional test probe,

도 3은 본 발명에 따른 테스트 프로브의 선단부를 나타내는 사시도,Figure 3 is a perspective view showing the front end of the test probe according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 테스트 프로브를 이용하여 고체촬상소자용 패드를 테스트하는 상태를 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view showing a state of testing a pad for a solid-state image sensor using a test probe according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

30 : 반도체 칩 40 : 패드30: semiconductor chip 40: pad

50 : 테스트 프로브 60 : 팁부50: test probe 60: tip portion

70 : 곡면부.70: curved portion.

Claims (1)

테스트 프로브 카드를 구성하는 테스트 프로브에 있어서,In the test probe constituting the test probe card, 상기 테스트 프로브는, 반도체 칩의 패드에 형성된 금속배선면과 전기적으로 접촉하는 팁부와; 상기 팁부로부터 연장되어 상기 테스트 프로브의 일단을 구성하는 선단부를 포함하며,The test probe may include: a tip part in electrical contact with a metal wiring surface formed on a pad of a semiconductor chip; A tip portion extending from the tip portion to constitute one end of the test probe, 상기 팁부는 금속배선면과의 전기적 접촉시 금속배선면이 긁히지 않도록 곡면으로 형상되어 있고, 상기 선단부는 상기 팁부와 금속배선면과의 접촉시 발생하는 파티클이 주변으로 튕겨지지 않도록 상방향으로 곡면지게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 테스트 프로브.The tip portion is curved to prevent the metal wiring surface from being scratched during the electrical contact with the metal wiring surface, and the tip portion is curved upward to prevent the particles generated when contacting the tip portion and the metal wiring surface from being bounced around. A test probe, characterized in that formed.
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