JP2001189353A - Device and method for probe inspection - Google Patents

Device and method for probe inspection

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JP2001189353A
JP2001189353A JP2000000126A JP2000000126A JP2001189353A JP 2001189353 A JP2001189353 A JP 2001189353A JP 2000000126 A JP2000000126 A JP 2000000126A JP 2000000126 A JP2000000126 A JP 2000000126A JP 2001189353 A JP2001189353 A JP 2001189353A
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Japan
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probe
probes
contact surface
contact
inspection apparatus
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JP2000000126A
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Japanese (ja)
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Noriaki Matsunaga
範昭 松永
Hideki Shibata
英毅 柴田
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe inspection device, capable of measuring the positions of the positions of probes in a state that the probes are contacted with the contact surface of a deformed body and the optimal push-in depths of the probes in advance and a probe inspection method. SOLUTION: A probe inspection device has a deformed body 7, having a flat contact surface to the same degree as that of a material to be inspected, a probe card 3 consisting of plural probes 1, a means for contacting the contact surface with the probes 1, a means for observing plural probe scars 8 formed in the contact surface, a means for measuring the size of apertures formed in the probe scars 8 and the positions of plural probe point scars and a means for calculating the push-in depths of the probes 1 from the size of the apertures formed in the probe scars 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップの検
査工程において使用するプローブ検査装置及びプローブ
検査方法に係わる。特に、半導体チップの電極パッドと
異なる接触体に複数のプローブを同時に接触されること
で、接触状態でのプローブ先端の位置及び最適なプロー
ブ押し込み深さを求めることができるプローブの位置合
わせの方法に係わる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe inspection apparatus and a probe inspection method used in a semiconductor chip inspection process. In particular, a probe alignment method that can simultaneously determine a probe tip position and an optimal probe insertion depth by contacting a plurality of probes simultaneously with a contact body different from an electrode pad of a semiconductor chip. Get involved.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程は、ウェハ上に形成され
たICチップ(ダイ)をパッケージングする前に、ウェ
ハ状態で各ICチップの電気的特性検査を行い、予め良
品ICチップをスクリーニングする検査工程を有してい
る。この検査工程では、通常プローブ装置が用いられ
る。プローブ装置は、一般にウェハを搬送するローダ室
と、これに隣接し、ローダ室から搬送されてきたウェハ
の電気特性検査を行うプローバ室とを備えている。プロ
ーバ室内にはX、Y、Z及びθ方向で移動可能なメイン
チャックが配設され、ローダ室の上面にはメインチャッ
クと対向させてプローブカードが固定されている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, before packaging an IC chip (die) formed on a wafer, an electrical characteristic test of each IC chip is performed in a wafer state, and a non-defective IC chip is screened in advance. Process. In this inspection step, a probe device is usually used. The probe device generally includes a loader chamber for transferring a wafer, and a prober chamber adjacent to the loader chamber for inspecting electrical characteristics of the wafer transferred from the loader chamber. A main chuck movable in the X, Y, Z, and θ directions is provided in the prober chamber, and a probe card is fixed on the upper surface of the loader chamber so as to face the main chuck.

【0003】そして、プローブ装置を用いて検査すると
きには、ローダ室から移載されたウェハをメインチャッ
ク上で真空吸着した状態で、メインチャックがX、Y、
Z及びθ方向に移動してウェハの各ICチップの電極パ
ッド(例えば、アルミニウムによって形成されている)
とプローブカードのプローブとを位置合わせした後、メ
インチャックがZ方向に上昇してICチップの電極パッ
ドとプローブとが接触し、さらに所定の深さまでプロー
ブを電極パッドに押し込み、電気的に接触させてICチ
ップの電気的特性検査を行う。
When inspecting using a probe device, the main chuck is moved to X, Y, and X in a state where the wafer transferred from the loader chamber is vacuum-sucked on the main chuck.
The electrode pads of each IC chip on the wafer moving in the Z and θ directions (for example, formed of aluminum)
After aligning the probe with the probe of the probe card, the main chuck rises in the Z direction, and the electrode pad of the IC chip and the probe come into contact with each other. The probe is further pushed into the electrode pad to a predetermined depth to make electrical contact. The electrical characteristics of the IC chip are inspected.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のプロー
ブ検査装置では、プローブの位置合わせとウェハの位置
合わせが必要であった。そして、プローブの位置を決定
した後、ウェハ上の評価しようとするICチップの各電
極パッドまでの相対移動距離X,Y,Zを計算して移動
させていた。従来のプローブの位置決めとは、図11に
示すように、プローブ先端51aの方向からCCDカメ
ラ54を用いてプローブカード53を観察し、プローブ
先端51aの先端にCCD54のフォーカスを合わせ、
プローブ先端51aの位置を決定することであった。C
CDカメラ54で観察したプローブカード53は、図1
2(a)に示すように、プローブカード53全体を低倍
率で観察して、点線55で囲ったプローブ51を高倍率
で観察して、図12(b)に示すように、プローブ先端
1aの座標を測定する。また、プローブカード53の回
転角を検出するため、複数のプローブ先端51aの位置
を決定する必要があった。したがって、従来のプローブ
の位置決めの作業は、プローブ先端51aのフォーカス
合わせ、プローブ先端51aの位置の読み取り、回転角
θの微調整などの工程を何度か繰り返して行うことにな
る。これは、プローブの位置合わせ時間の短縮を困難に
する原因となっていた。
However, in the conventional probe inspection apparatus, it is necessary to perform probe alignment and wafer alignment. After determining the position of the probe, the relative movement distances X, Y, and Z to the respective electrode pads of the IC chip to be evaluated on the wafer are calculated and moved. The conventional positioning of the probe means, as shown in FIG. 11, observing the probe card 53 using the CCD camera 54 from the direction of the probe tip 51a, focusing the CCD 54 on the tip of the probe tip 51a,
The purpose was to determine the position of the probe tip 51a. C
The probe card 53 observed by the CD camera 54 is shown in FIG.
As shown in FIG. 2A, the entire probe card 53 is observed at a low magnification, and the probe 51 surrounded by the dotted line 55 is observed at a high magnification. As shown in FIG. Measure the coordinates. Further, in order to detect the rotation angle of the probe card 53, it is necessary to determine the positions of the plurality of probe tips 51a. Therefore, in the conventional probe positioning operation, the steps of focusing the probe tip 51a, reading the position of the probe tip 51a, and finely adjusting the rotation angle θ are repeated several times. This has made it difficult to shorten the probe alignment time.

【0005】また、もう一つの問題点は以下の通りであ
る。すなわち、従来のプローブ検査装置では、プローブ
先端51aの側から直接プローブ1を観察してプローブ
先端1aの位置を決定していた。しかし、実際にICチ
ップの電極パッドとプローブ51とで安定した電気的接
触を得るために、ある所定の深さまで電極パッドにプロ
ーブ先端51aを押し込む必要がある。この時、プロー
ブ51によっては横方向にプローブ先端51aがずれる
場合がある。つまり、プローブ51と電極パッドが接触
した状態でのプローブ先端51aの位置は、プローブ先
端51aが電極パッドに押し込まれた状態で決定され
る。したがって、従来のプローブの位置合わせは、プロ
ーブ先端を直接観察して非接触状態のプローブ先端1a
の位置を決定していた。プローブが押し込まれた状態で
電極パッドからずれ落ちてしまう惧れがあり、従来では
前もって何度か実際に電極パッドへの接触を行い最適な
押し込み深さを決定していた。
[0005] Another problem is as follows. That is, in the conventional probe inspection apparatus, the position of the probe tip 1a is determined by directly observing the probe 1 from the side of the probe tip 51a. However, in order to actually obtain stable electrical contact between the electrode pad of the IC chip and the probe 51, it is necessary to push the probe tip 51a into the electrode pad to a predetermined depth. At this time, depending on the probe 51, the probe tip 51a may be shifted in the lateral direction. That is, the position of the probe tip 51a in a state where the probe 51 is in contact with the electrode pad is determined in a state where the probe tip 51a is pushed into the electrode pad. Therefore, the conventional probe alignment is performed by directly observing the probe tip and checking the probe tip 1a in a non-contact state.
The position was determined. There is a possibility that the probe may be displaced from the electrode pad in a state where the probe is pushed in, and in the past, the optimum contact depth was determined by actually making contact with the electrode pad several times in advance.

【0006】本発明はこのような従来技術の問題点を解
決するために成されたものであり、その目的は、接触状
態でのプローブ先端の位置を事前に測定することができ
るプローブ検査装置及びプローブ検査方法を提供するこ
とである。
The present invention has been made to solve such problems of the prior art, and has as its object to provide a probe inspection apparatus and a probe inspection apparatus capable of measuring the position of a probe tip in a contact state in advance. It is to provide a probe inspection method.

【0007】本発明の他の目的は、プローブの最適な押
し込み深さを事前に測定することができるプローブ検査
装置及びプローブ検査方法を提供することである。
It is another object of the present invention to provide a probe inspection apparatus and a probe inspection method capable of measuring an optimal depth of a probe beforehand.

【0008】本発明のさらに他の目的は、プローブの位
置合わせの所要時間が短いプローブ検査装置及びプロー
ブ検査方法を提供することである。
It is still another object of the present invention to provide a probe inspection apparatus and a probe inspection method in which the time required for probe alignment is short.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第1の特徴は、被検査物と同じ程度の平坦
な接触面を有する変形体と、複数のプローブからなるプ
ローブカードと、接触面と複数のプローブを接触させる
手段と、接触面上に形成された複数のプローブ痕を観察
する手段と、複数のプローブ先端痕の位置を測定する手
段とを有するプローブ検査装置であることである。
Means for Solving the Problems To achieve the above object, a first feature of the present invention is that a deformed body having a flat contact surface of the same degree as an object to be inspected and a probe card comprising a plurality of probes are provided. A probe inspection device having means for contacting a contact surface with a plurality of probes, means for observing a plurality of probe marks formed on the contact surface, and means for measuring the positions of a plurality of probe tip marks It is.

【0010】本発明の第1の特徴によれば、被検査物に
プローブを接触させる前に変形体に接触させ、変形体に
形成されたプローブ痕を観察することで、プローブが変
形体に接触した状態でのプローブ先端の位置を測定する
ことができる。したがって、ICチップの検査工程で、
電極パッドにプローブを接触させたときのプローブ先端
の位置を事前に知ることができる。電極パッドとの接触
によりプローブ先端が移動して、プローブ先端が電極パ
ッドからずれ落ちてしまうことがなくなる。
According to the first aspect of the present invention, the probe is brought into contact with the deformed body by bringing the probe into contact with the object to be inspected and observing the probe mark formed on the deformed body. In this state, the position of the probe tip can be measured. Therefore, in the IC chip inspection process,
The position of the probe tip when the probe is brought into contact with the electrode pad can be known in advance. The probe tip does not move due to the contact with the electrode pad, and the probe tip does not slip off the electrode pad.

【0011】本発明の第1の特徴において、プローブ検
査装置は、複数のプローブ痕の開口の大きさを測定する
手段と、開口の大きさからプローブの押し込み深さを算
出する手段とをさらに有することが望ましい。プローブ
痕の開口の大きさから変形体に押し込まれたプローブの
深さを求めることができるので、総てのプローブについ
てプローブ痕の開口が十分大きく形成されるまでプロー
ブを変形体に押し込むことにより、総てのプローブにつ
いて十分な押し込み深さを求めることができる。十分な
押し込み深さまでプローブを変形体に押し込むことによ
り、安定した電気的接触を得ることができる。したがっ
て、すべてのプローブが十分な押し込み深さまで変形体
に押し込むことにより、総てのプローブが安定した電気
的接触を得ることができる。つまり、プローブ先端の高
さのバラツキを吸収するのに必要な押し込み深さの最適
化を行うことができる。
[0011] In the first aspect of the present invention, the probe inspection apparatus further includes means for measuring the size of the opening of the plurality of probe marks, and means for calculating the depth to which the probe is pushed from the size of the opening. It is desirable. Since the depth of the probe pushed into the deformed body can be obtained from the size of the opening of the probe mark, by pushing the probe into the deformed body until the opening of the probe mark is formed sufficiently large for all probes, A sufficient indentation depth can be determined for all probes. By pushing the probe into the deformable body to a sufficient pushing depth, stable electrical contact can be obtained. Therefore, when all the probes are pushed into the deformable body to a sufficient pushing depth, all the probes can obtain stable electrical contact. That is, it is possible to optimize the pushing depth required to absorb variations in the height of the probe tip.

【0012】また、被検査物と変形体は同じ材料で構成
されていることが望ましい。また、変形体は導電体であ
ることが望ましい。プローブ先端を変形体の接触面に接
触させた状態、あるいは少し離した状態で、変形体の接
触面とプローブ間に電位差を与えることでプローブのク
リーニングを行うことが可能である。さらに、導電体と
しては、アルミニウムを主成分とする材料で構成されて
いることが望ましい。通常、ICチップの電極パッド
は、アルミニウムを主成分とし、その他にシリコン、銅
などを含む材料で構成されているからである。被検査物
と変形体は同じ膜厚であることが望ましい。被検査物と
膜厚の条件を揃えることで、プローブ先端の移動距離を
正確に測定することができる。
It is preferable that the object to be inspected and the deformed body are made of the same material. Further, it is desirable that the deformed body is a conductor. The probe can be cleaned by applying a potential difference between the contact surface of the deformable body and the probe in a state where the tip of the probe is in contact with the contact surface of the deformable body or in a state where the probe is slightly apart. Further, it is desirable that the conductor is made of a material mainly containing aluminum. Usually, the electrode pads of the IC chip are made of a material containing aluminum as a main component and also containing silicon, copper, and the like. It is desirable that the inspection object and the deformed body have the same thickness. By adjusting the conditions of the object to be inspected and the film thickness, the moving distance of the tip of the probe can be accurately measured.

【0013】さらに、本発明の第1の特徴に係わるプロ
ーブ検査装置は、変形体を支持するステージをさらに有
し、ステージから変形体を取り外すことができることが
望ましい。何度かプローブ痕を付けた後の変形体は取り
替えることができる。あるいは、本発明の第1の特徴に
係わるプローブ検査装置は、変形体の接触面上に形成さ
れたプローブ痕を除去する再生処理手段をさらに有して
いてもよい。プローブ痕を除去する再生処理手段とし
て、プローブ検査装置は、変形体を支持するステージを
さらに有し、ステージは、変形体を加熱し接触面を融解
させる加熱手段を有していることが望ましい。あるい
は、プローブ痕を除去する再生処理手段は、研磨剤を有
する布または板で接触面を研磨する研磨手段であっても
よい。また、変形体は、その接触面上に形成された複数
のプローブ痕が復元するための時間が、複数のプローブ
痕を観察するために要する時間よりも長い弾性体であっ
てもよい。プローブ痕が形成された変形体を交換する必
要が無く、またプローブ痕を除去する再生処理する必要
もなくなる。
Further, it is desirable that the probe inspection apparatus according to the first aspect of the present invention further has a stage for supporting the deformable body, and the deformable body can be removed from the stage. The deformed body after making several probe marks can be replaced. Alternatively, the probe inspection device according to the first aspect of the present invention may further include a reproduction processing unit that removes a probe mark formed on the contact surface of the deformed body. As a regeneration processing means for removing probe traces, the probe inspection apparatus preferably further has a stage for supporting the deformed body, and the stage preferably has heating means for heating the deformed body and melting the contact surface. Alternatively, the regeneration processing means for removing the probe marks may be a polishing means for polishing the contact surface with a cloth or plate having an abrasive. Further, the deformable body may be an elastic body in which a time required for restoring the plurality of probe marks formed on the contact surface is longer than a time required for observing the plurality of probe marks. There is no need to replace the deformed body on which the probe marks are formed, and it is not necessary to perform a regeneration process for removing the probe marks.

【0014】本発明の第2の特徴に係わるプローブ検査
装置は、被検査物と同じ程度の平坦な接触面を有し、プ
ローブ先端の径に対して十分な分解能を有する位置セン
サーと、複数のプローブからなるプローブカードと、接
触面と複数のプローブを接触させる手段と、位置センサ
ーが検出した複数のプローブの接触位置の座標を測定す
る第1の測定手段とを有するプローブ検査装置であるこ
とである。
A probe inspection apparatus according to a second aspect of the present invention has a position sensor having a contact surface as flat as the object to be inspected and having a sufficient resolution with respect to the diameter of the tip of the probe, and a plurality of position sensors. The probe inspection apparatus includes a probe card including a probe, a unit configured to contact the contact surface with the plurality of probes, and a first measurement unit configured to measure coordinates of contact positions of the plurality of probes detected by the position sensor. is there.

【0015】本発明の第2の特徴によれば、被検査物に
プローブを接触させる前に位置センサーに接触させ、プ
ローブの接触位置の座標を測定することで、プローブが
位置センサーに接触した状態でのプローブ先端の位置を
測定することができる。したがって、ICチップの検査
工程で、電極パッドにプローブを接触させたときのプロ
ーブ先端の位置を事前に知ることができる。電極パッド
との接触によりプローブ先端が移動して、プローブ先端
が電極パッドからずれ落ちてしまうことがなくなる。
According to the second aspect of the present invention, the probe is brought into contact with the position sensor before the probe is brought into contact with the inspection object, and the coordinates of the contact position of the probe are measured. The position of the tip of the probe can be measured. Therefore, the position of the probe tip when the probe is brought into contact with the electrode pad can be known in advance in the IC chip inspection process. The probe tip does not move due to the contact with the electrode pad, and the probe tip does not slip off the electrode pad.

【0016】本発明の第2の特徴において、プローブ検
査装置は、位置センサーが検出した複数のプローブの押
し込み深さを測定する第2の測定手段をさらに有するこ
とが望ましい。また、位置センサーはマトリックス状に
配置された複数の電極を有することが望ましい。さら
に、測定手段は複数の電極間の導通によりプローブの接
触位置の座標を測定することが望ましい。あるいは、測
定手段は複数の電極間の静電容量の変化によりプローブ
の接触位置の座標及びプローブの押し込み深さを測定す
ることが望ましい。さらに、位置センサーの接触面上に
配置された保護膜をさらに有し、保護膜と複数のプロー
ブを接触させることが望ましい。あるいは、複数の電極
間の導通による測定手段において、保護膜はプローブ先
端の径に対して十分な分解能を有する程度の間隔で表裏
面を貫通して配置された導電体を有する異方導伝シート
であってもよい。位置センサーの接触面上に配置された
保護膜あるいは異方導伝シートにプローブ先端を押し込
むことにより、プローブ先端の押し込み深さを求めるこ
とができる。総てのプローブについてプローブ先端が十
分な押し込み深さまで押し込ませることにより、総ての
プローブについて十分な押し込み深さを求めることがで
きる。十分な押し込み深さまでプローブを保護膜あるい
は異方導伝シートに押し込むことにより、安定した電気
的接触を得ることができる。したがって、総てのプロー
ブを十分な押し込み深さまで保護膜あるいは異方導伝シ
ートに押し込むことにより、総てのプローブが安定した
電気的接触を得ることができる。つまり、プローブ先端
の高さのバラツキを吸収するのに必要な押し込み深さの
最適化を行うことができる。
In the second aspect of the present invention, it is preferable that the probe inspection apparatus further includes a second measuring means for measuring the indentation depth of the plurality of probes detected by the position sensor. Further, it is desirable that the position sensor has a plurality of electrodes arranged in a matrix. Further, it is desirable that the measuring means measures the coordinates of the contact position of the probe by conduction between the plurality of electrodes. Alternatively, it is desirable that the measuring unit measures the coordinates of the contact position of the probe and the depth of the probe being pressed in based on a change in capacitance between the plurality of electrodes. Further, it is preferable that the apparatus further includes a protective film disposed on a contact surface of the position sensor, and the protective film is brought into contact with the plurality of probes. Alternatively, in the measuring means based on conduction between a plurality of electrodes, the protective film has an anisotropic conductive sheet having a conductor disposed so as to penetrate the front and back surfaces at an interval having sufficient resolution with respect to the diameter of the probe tip. It may be. By pushing the tip of the probe into a protective film or an anisotropic conductive sheet disposed on the contact surface of the position sensor, the pushing depth of the tip of the probe can be determined. By pushing the probe tip to a sufficient pushing depth for all the probes, a sufficient pushing depth can be obtained for all the probes. By pushing the probe into the protective film or the anisotropic conductive sheet to a sufficient pushing depth, stable electrical contact can be obtained. Therefore, by pushing all the probes into the protective film or the anisotropic conductive sheet to a sufficient pushing depth, all the probes can obtain stable electrical contact. That is, it is possible to optimize the pushing depth required to absorb variations in the height of the probe tip.

【0017】本発明の第3の特徴は、被検査物と同じ程
度の平坦な接触面を有する変形体の接触面に複数のプロ
ーブを接触させるステップと、接触面上に形成された複
数のプローブ痕を観察するステップと、複数のプローブ
先端痕の位置を測定するステップとからなるプローブ検
査方法であることである。
A third feature of the present invention is that a plurality of probes are brought into contact with a contact surface of a deformed object having a contact surface as flat as the object to be inspected, and a plurality of probes formed on the contact surface. The present invention is a probe inspection method including a step of observing a trace and a step of measuring positions of a plurality of probe tip traces.

【0018】本発明の第3の特徴において、プローブ検
査方法は、複数のプローブの開口の大きさを測定するス
テップと、開口の大きさからプローブの押し込み深さを
算出するステップとをさらに有することが望ましい。
According to a third aspect of the present invention, the probe inspection method further includes a step of measuring the size of the openings of the plurality of probes, and a step of calculating the depth of pushing of the probes from the sizes of the openings. Is desirable.

【0019】本発明の第4の特徴は、被検査物と同じ程
度の平坦な接触面を有し、プローブ先端の径に対して十
分な分解能を有する位置センサーの接触面に複数のプロ
ーブを接触させるステップと、接触面上の複数のプロー
ブの接触位置の座標を測定するステップとからなるプロ
ーブ検査方法であることである。
A fourth feature of the present invention is that a plurality of probes are brought into contact with a contact surface of a position sensor having a contact surface as flat as the object to be inspected and having a sufficient resolution with respect to the diameter of the probe tip. And a step of measuring the coordinates of the contact positions of the plurality of probes on the contact surface.

【0020】本発明の第4の特徴において、プローブ検
査方法は、接触面上の複数のプローブの押し込み深さを
測定するステップをさらに有することが望ましい。
[0020] In the fourth aspect of the present invention, it is preferable that the probe inspection method further includes a step of measuring a pressing depth of the plurality of probes on the contact surface.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。図面の記載において従来技術と類
似な部分には類似な符号を付している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the description of the drawings, parts similar to those of the related art are denoted by similar reference numerals.

【0022】(第1の実施の形態)図1は本発明の第1
の実施の形態に係わるプローブ検査装置の構成を示す図
である。図1に示すように、本発明の第1の実施の形態
に係わるプローブ検査装置は、被検査物と同じ程度の平
坦な接触面を有する変形体7と、複数のプローブ1と複
数のプローブ1のプローブ先端1aを同方向に揃えて固
定するステージ2からなるプローブカード3と、変形体
7の接触面と複数のプローブ1を接触させる手段と、変
形体7の接触面上に形成された複数のプローブ痕8を観
察する手段と、複数のプローブ痕8の開口の大きさ及び
複数のプローブ先端痕の位置を測定する手段と、開口の
大きさからプローブ1の押し込み深さを算出する手段と
を有する。
(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
It is a figure showing the composition of the probe inspection device concerning an embodiment. As shown in FIG. 1, a probe inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a deformed body 7 having a flat contact surface of the same degree as an object to be inspected, a plurality of probes 1, and a plurality of probes 1. A probe card 3 consisting of a stage 2 for fixing the probe tips 1a in the same direction, a means for contacting the contact surface of the deformable body 7 with a plurality of probes 1, and a plurality of probes formed on the contact surface of the deformable body 7. Means for observing the probe marks 8, means for measuring the size of the openings of the plurality of probe marks 8 and the positions of the plurality of probe tip marks, and means for calculating the indentation depth of the probe 1 from the size of the openings. Having.

【0023】変形体7は、被検査物とは異なるが被検査
物と同じ程度の平坦な面を有する。また、被検査物と同
じ材質であることが望ましい。さらに、被検査物と同じ
膜厚を有することが望ましい。被検査物は、例えばIC
チップの電極パッドである。ここでは、変形体として膜
厚が1μmのアルミニウム膜7を用いる。また、変形体
7の平面形状は特に規定しない。また、変形体7は塑性
変形する材料であってもよい。さらに、変形体7は弾性
体であってもよい。ただし、弾性変形により形成された
プローブ痕8が復元するまでの時間は、プローブ痕8を
観察するに十分な時間よりも長いことが必要である。
The deformed body 7 has a flat surface which is different from the object to be inspected but is substantially the same as that of the object to be inspected. Further, it is desirable that the material is the same as that of the inspection object. Further, it is desirable to have the same film thickness as the inspection object. The inspection object is, for example, an IC
This is an electrode pad of the chip. Here, an aluminum film 7 having a thickness of 1 μm is used as a deformed body. The planar shape of the deformed body 7 is not particularly defined. Further, the deformable body 7 may be a material that undergoes plastic deformation. Further, the deformable body 7 may be an elastic body. However, the time until the probe mark 8 formed by the elastic deformation is restored needs to be longer than the time sufficient for observing the probe mark 8.

【0024】プローブカード3は、プローブ先端1aを
揃えて同方向に向いた複数のプローブ1と複数のプロー
ブ1を固定するステージ2とからなる。ステージ2に
は、各プローブ1に接続された配線が埋設されている。
プローブ1は導体の針であり、プローブの先端1aと電
極パッドを接触させてICチップのスクリーニングを行
う。
The probe card 3 comprises a plurality of probes 1 oriented in the same direction with the probe tips 1a aligned and a stage 2 for fixing the plurality of probes 1. A wiring connected to each probe 1 is embedded in the stage 2.
The probe 1 is a conductor needle, and performs screening of an IC chip by bringing the tip 1a of the probe into contact with an electrode pad.

【0025】変形体7の接触面と複数のプローブ1を接
触させる手段は、図には示さないが、ローダ室及びプロ
ーバ室とからなる従来のプローブ検査装置が有する、I
Cチップの電極パッドとプローブ1を接触させる手段を
用いることが望ましい。検査対象のウェハの代わりにメ
インチャックとは別の箇所に置かれた変形体7の接触面
にプローブ1を接触させればよい。
The means for bringing the plurality of probes 1 into contact with the contact surface of the deformable body 7 is not shown in the figure, but is provided in a conventional probe inspection apparatus comprising a loader chamber and a prober chamber.
It is desirable to use a means for bringing the probe 1 into contact with the electrode pad of the C chip. Instead of the wafer to be inspected, the probe 1 may be brought into contact with the contact surface of the deformable body 7 placed at a place different from the main chuck.

【0026】変形体7の接触面上に形成された複数のプ
ローブ痕8を観察する手段として、2次元のイメージン
グが可能なCCDカメラ4を使用する。CCDカメラ4
は、複数のプローブ痕8全体を低倍率で観察すること、
及び各プローブ痕1aを高倍率で観察することができ
る。
As a means for observing a plurality of probe marks 8 formed on the contact surface of the deformable body 7, a CCD camera 4 capable of two-dimensional imaging is used. CCD camera 4
Is to observe the entirety of the plurality of probe marks 8 at a low magnification,
In addition, each probe mark 1a can be observed at a high magnification.

【0027】複数のプローブ痕8の開口の大きさ及び複
数のプローブ先端痕の位置を測定する手段は、CCDカ
メラ4にて観察されたプローブ痕8のイメージング像か
ら各プローブ痕8の開口の大きさ及び複数のプローブ先
端痕の位置を測定する画像処理手段である。従来、CC
Dカメラ4により観察されたプローブ先端1aのイメー
ジング像からプローブ先端1aの位置を測定した手段を
そのまま用いてプローブ痕8の開口の大きさ及び複数の
プローブ先端痕の位置を測定すればよい。
The means for measuring the size of the openings of the plurality of probe marks 8 and the positions of the plurality of probe tip marks is based on the size of the opening of each probe mark 8 based on the image of the probe marks 8 observed by the CCD camera 4. This is an image processing means for measuring the position of the probe tip traces. Conventionally, CC
The size of the opening of the probe mark 8 and the positions of the plurality of probe mark marks may be measured by using the means for measuring the position of the probe mark 1a from the imaging image of the probe mark 1a observed by the D camera 4 as it is.

【0028】プローブ痕8の開口の大きさからプローブ
1の押し込み深さを算出する手段は、プローブ痕8の開
口の大きさから変形体7に押し込まれたプローブ1の深
さを算出する手段である。通常、プローブは円錐状の形
状を有しているため、プローブ痕8の開口の大きさから
変形体7に押し込まれたプローブ1の深さを求めること
ができる。
The means for calculating the pushing depth of the probe 1 from the size of the opening of the probe mark 8 is means for calculating the depth of the probe 1 pushed into the deformable body 7 from the size of the opening of the probe mark 8. is there. Usually, since the probe has a conical shape, the depth of the probe 1 pushed into the deformable body 7 can be obtained from the size of the opening of the probe mark 8.

【0029】図2(a)は、CCDカメラ4により低倍
率で観察された変形体7上のプローブ痕8のイメージン
グ像を示す。図2(a)に示すように、変形体7上には
接触したプローブの数だけのプローブ痕8が形成されて
いる。図2(b)は、図2(a)中の点線で囲んだプロ
ーブ痕8をCCDカメラ4で高倍率で観察したイメージ
ング像を示す。図2(b)に示すように、変形体7上に
形成されたプローブ痕8は、2つのプローブ痕8a、8
bとからなる。この2つのプローブ痕8a、8bは、安
定した電気的接触を得るために所定の押し込み深さにプ
ローブを押し込むことによるプローブ先端1aのずれに
より形成されたものである。つまり、押し込み深さが浅
い状態のプローブは、第1のプローブ痕8bを形成して
いたが、押し込み深さが深くなると、プローブ先端1a
がずれて、第2のプローブ痕8aを形成する。結果的
に、所定の押し込み深さに押し込まれたプローブのプロ
ーブ先端1aの痕であるプローブ先端痕9は、第2のプ
ローブ痕8aの中心部分に形成される。このプローブ先
端痕9の位置を観察されたイメージング像から測定する
ことで、接触状態のプローブの先端1aの位置を測定す
ることができる。また、第2のプローブ痕8aの開口の
大きさから、プローブの押し込み深さを測定することが
できる。
FIG. 2A shows an image of the probe mark 8 on the deformed body 7 observed at a low magnification by the CCD camera 4. As shown in FIG. 2A, probe marks 8 are formed on the deformable body 7 by the number of probes in contact. FIG. 2B shows an imaging image obtained by observing the probe mark 8 surrounded by a dotted line in FIG. As shown in FIG. 2B, the probe marks 8 formed on the deformed body 7 are two probe marks 8a and 8
b. These two probe marks 8a and 8b are formed by displacement of the probe tip 1a due to pushing the probe to a predetermined pushing depth in order to obtain stable electrical contact. In other words, the probe with the shallow indentation depth forms the first probe mark 8b, but when the indentation depth becomes deeper, the probe tip 1a
Shifts to form a second probe mark 8a. As a result, a probe tip mark 9 which is a mark of the probe tip 1a of the probe pushed into the predetermined pushing depth is formed at the center of the second probe mark 8a. By measuring the position of the probe tip mark 9 from the observed imaging image, the position of the probe tip 1a in the contact state can be measured. Further, the depth of pushing of the probe can be measured from the size of the opening of the second probe mark 8a.

【0030】図3は、図2(a)と同様にCCDカメラ
4で低倍率で観察された変形体7上のプローブ痕8のイ
メージング像を示す。図3に示すように、変形体7上に
形成された複数のプロープ痕8の中で、点線で囲んだプ
ローブ痕30は、その他のプローブ痕8に比べて、その
開口の大きさが低倍率のイメージング像においても異な
ることが確認できる。この開口の大きさの違いは、主に
プローブ先端1aが揃っていない場合に生じるものであ
る。プローブ痕8の開口の大きさが不十分である場合に
は、プローブの押し込み深さが不十分である可能性があ
り、実際のICチップの電極パッドとの接触も不十分で
あることになる。したがって、図3に示したイメージン
グ像から、総てのプローブが十分な押し込み深さに押し
込まれていないことが分かる。
FIG. 3 shows an image of the probe mark 8 on the deformed body 7 observed at a low magnification by the CCD camera 4 as in FIG. 2A. As shown in FIG. 3, among a plurality of probe marks 8 formed on the deformable body 7, the probe mark 30 surrounded by a dotted line has a smaller opening size than the other probe marks 8. It can be confirmed that the difference is also observed in the imaging image of FIG. This difference in the size of the opening mainly occurs when the probe tips 1a are not aligned. If the size of the opening of the probe mark 8 is insufficient, there is a possibility that the pressing depth of the probe is insufficient and the actual contact with the electrode pad of the IC chip is also insufficient. . Therefore, it can be seen from the imaging images shown in FIG. 3 that not all the probes have been pushed to a sufficient pushing depth.

【0031】何度かプローブ痕8を付けた後の変形体7
は取り替える必要がある。プローブ痕8でいっぱいにな
ってしまった変形体7ではプローブ痕8を特定すること
ができないからである。第1の実施の形態に係わるプロ
ーブ検査装置は、変形体7の交換が可能なような機構を
設けておくことが望ましい。具体的には、プローブ装置
は、図1に示すように変形体7を支持するステージをさ
らに有し、変形体7をステージから取り外すことができ
るようにすればよい。また、変形体7を交換する代わり
に、以下に示す変形体の再生処理方法を実現するための
機能を備えていてもよい。図4は、プローブ1との接触
によりプローブ痕8が形成された変形体7の接触面を再
生処理する2つの方法を示す主要な工程断面図である。
図4(a)は、プローブ痕8が形成された変形体7と変
形体7を支持するステージ10の断面図を示す。まず、
変形体7を加熱してプローブ痕8を埋め戻す方法につい
て説明する。ステージ10内に埋設された発熱体11な
どの加熱手段により変形体7を加熱してプローブ痕8が
形成された変形体7の接触面を融解させる。図4(d)
に示すように、融解した変形体7がプローブ痕8を埋め
戻して、平坦な接触面を有する変形体7を再生処理する
ことができる。加熱処理による再生処理に適した変形体
7の材料として、低融点の金属や合金、有機絶縁物があ
る。次に、変形体7の接触面を研磨して、プローブ痕8
を除去する方法について説明する。図4(c)に示すよ
うに、プローブ痕8が形成された変形体7の接触面を研
磨剤を有する布または板を用いて研磨する。図4(d)
に示すように、接触面を削り取りプローブ痕を除去し
て、平坦な接触面を有する変形体7を再生処理すること
ができる。ここでは、加熱と研磨による再生処理方法に
ついて述べたが、加圧による方法、加圧と加熱を組み合
わせた方法などにより変形体7の接触面の平坦性を回復
してもよい。
The deformed body 7 after the probe mark 8 has been applied several times
Need to be replaced. This is because the probe mark 8 cannot be specified in the deformed body 7 filled with the probe mark 8. It is desirable that the probe inspection apparatus according to the first embodiment be provided with a mechanism capable of replacing the deformable body 7. Specifically, the probe device may further include a stage for supporting the deformable body 7 as shown in FIG. 1 so that the deformable body 7 can be detached from the stage. Further, instead of replacing the deformed body 7, a function for realizing the following modified body reproduction processing method may be provided. FIG. 4 is a main process cross-sectional view showing two methods for regenerating a contact surface of the deformed body 7 on which the probe mark 8 is formed by contact with the probe 1.
FIG. 4A is a cross-sectional view of the deformed body 7 on which the probe mark 8 is formed and the stage 10 supporting the deformed body 7. First,
A method of heating the deformable body 7 to bury the probe marks 8 will be described. The deformable body 7 is heated by heating means such as a heating element 11 embedded in the stage 10 to melt the contact surface of the deformable body 7 on which the probe marks 8 are formed. FIG. 4 (d)
As shown in (1), the deformed body 7 that has melted fills in the probe marks 8, and the deformed body 7 having a flat contact surface can be regenerated. As a material of the deformable body 7 suitable for the regeneration treatment by the heat treatment, there are a low melting point metal, an alloy, and an organic insulator. Next, the contact surface of the deformable body 7 is polished to
A method for removing the will be described. As shown in FIG. 4C, the contact surface of the deformable body 7 on which the probe marks 8 are formed is polished using a cloth or a plate having an abrasive. FIG. 4 (d)
As shown in (1), the deformed body 7 having a flat contact surface can be regenerated by scraping the contact surface and removing the probe mark. Here, the regeneration treatment method by heating and polishing has been described, but the flatness of the contact surface of the deformable body 7 may be restored by a method using pressure, a method combining pressure and heating, or the like.

【0032】以上説明したように第1の実施の形態によ
れば、被検査物にプローブを接触させる前に変形体に接
触させ、変形体に形成されたプローブ痕を観察すること
で、プローブが変形体に接触した状態でのプローブ先端
の位置を測定することができる。したがって、ICチッ
プのスクリーニング工程で、電極パッドにプローブを接
触させたときのプローブ先端の位置を事前に知ることが
できる。電極パッドとの接触によりプローブ先端が移動
して、プローブ先端が電極パッドからずれ落ちてしまう
ことがなくなる。
As described above, according to the first embodiment, the probe is brought into contact with the object to be inspected before being brought into contact with the object to be inspected, and the probe mark formed on the object is observed, whereby the probe is formed. It is possible to measure the position of the probe tip in a state where the probe is in contact with the deformable body. Therefore, in the IC chip screening step, the position of the tip of the probe when the probe is brought into contact with the electrode pad can be known in advance. The probe tip does not move due to the contact with the electrode pad, and the probe tip does not slip off the electrode pad.

【0033】また、プローブ痕の開口の大きさから変形
体に押し込まれたプローブの深さを求めることができる
ので、総てのプローブについてプローブ痕の開口が十分
大きく形成されるまでプローブを変形体に押し込むこと
により、総てのプローブについて十分な押し込み深さを
求めることができる。十分な押し込み深さまでプローブ
を変形体に押し込むことにより、安定した電気的接触を
得ることができる。したがって、すべてのプローブが十
分な押し込み深さまで変形体に押し込むことにより、総
てのプローブが安定した電気的接触を得ることができ
る。つまり、プローブ先端の高さのバラツキを吸収する
のに必要な押し込み深さの最適化を行うことができる。
Further, since the depth of the probe pushed into the deformable body can be determined from the size of the opening of the probe mark, the probe is deformed until the opening of the probe mark is formed sufficiently large for all the probes. By pushing in the probe, a sufficient pushing depth can be obtained for all the probes. By pushing the probe into the deformable body to a sufficient pushing depth, stable electrical contact can be obtained. Therefore, when all the probes are pushed into the deformable body to a sufficient pushing depth, all the probes can obtain stable electrical contact. That is, it is possible to optimize the pushing depth required to absorb variations in the height of the probe tip.

【0034】さらに、CCDカメラのフォーカスを変形
体の接触面に固定することができる。従来のプローブの
位置決めの作業を繰り返し行う必要が無くなり、プロー
ブ先端の位置合わせ時間を短縮することができる。
Further, the focus of the CCD camera can be fixed to the contact surface of the deformable body. This eliminates the need to repeatedly perform the conventional probe positioning operation, and can reduce the time required for positioning the probe tip.

【0035】なお、第1の実施の形態において、変形体
7は導電体で構成されていることが望ましい。プローブ
先端1aを変形体7の接触面に接触させた状態、あるい
は少し離した状態で、変形体7の接触面とプローブ1間
に電位差を与えることでプローブ1のクリーニングを行
うことが可能である。また、変形体7の材質はICチッ
プの電極パッドなどの被検査物と同一であることが望ま
しいと述べたが、これに限られるわけではない。プロー
ブ1に対して塑性変形性があれば、異なる金属であって
も構わない。さらに、導電体であるとは限らず、絶縁物
を用いてもよい。変形体7を絶縁物で構成した場合、変
形体に電位差を供給し、プローブ1のクリーニングを行
うことはできないが、プローブ痕8を形成し、プローブ
痕8を観察してプローブ先端痕9の座標測定、開口の大
きさからプローブ1の押し込み深さの算出は行うことが
できる。
In the first embodiment, it is desirable that the deformable body 7 is made of a conductor. The probe 1 can be cleaned by applying a potential difference between the contact surface of the deformable body 7 and the probe 1 in a state in which the probe tip 1a is in contact with the contact surface of the deformable body 7 or in a state where it is slightly separated. . In addition, although it has been described that the material of the deformable body 7 is desirably the same as the material to be inspected such as an electrode pad of an IC chip, the present invention is not limited to this. A different metal may be used as long as the probe 1 has plastic deformability. Furthermore, an insulator may be used instead of a conductor. When the deformed body 7 is made of an insulator, a potential difference is supplied to the deformed body and the probe 1 cannot be cleaned. However, the probe mark 8 is formed, the probe mark 8 is observed, and the coordinates of the probe tip mark 9 are obtained. Measurement and calculation of the pushing depth of the probe 1 can be performed from the size of the opening.

【0036】(第2の実施の形態)図5は、本発明の第
2の実施の形態に係わるプローブ検査装置の構造を示す
図である。図5に示すように、第2の実施の形態に係わ
るプローブ検査装置は、被検査物と同じ程度の平坦な接
触面を有し、プローブ先端の径に対して十分な分解能を
有する位置センサー13と、プローブ先端を揃えて同じ
方向に配置された複数のプローブ1と複数のプローブ1
を固定するステージ2からなるプローブカード3と、位
置センサー13の接触面と複数のプローブ1を接触させ
る手段と、位置センサー13上の複数のプローブ1の接
触位置17の座標及びプローブ1の押し込み深さの測定
手段とを有する。
(Second Embodiment) FIG. 5 is a view showing the structure of a probe inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the probe inspection apparatus according to the second embodiment has a position sensor 13 having a contact surface as flat as the object to be inspected and having a sufficient resolution with respect to the diameter of the probe tip. And a plurality of probes 1 and a plurality of probes 1 arranged in the same direction with the probe tips aligned.
A probe card 3 consisting of a stage 2 for fixing the probe, means for contacting the contact surface of the position sensor 13 with the plurality of probes 1, coordinates of contact positions 17 of the plurality of probes 1 on the position sensor 13, and a pressing depth of the probe 1 Measuring means for measuring the height.

【0037】位置センサー13は、第1の実施の形態に
おける変形体7と同様に被検査物と同じ程度の平坦な接
触面を有している。また、位置センサー13は、プロー
ブ1の先端が接触した位置を測定するために、プローブ
1の先端の径に対して十分な位置分解能を有している。
The position sensor 13 has a flat contact surface as much as the object to be inspected, similarly to the deformed body 7 in the first embodiment. Further, the position sensor 13 has a sufficient position resolution with respect to the diameter of the tip of the probe 1 to measure the position where the tip of the probe 1 is in contact.

【0038】位置センサー13の接触面と複数のプロー
ブ1を接触させる手段は、図には示さないが、ローダ室
及びプローバ室とからなる従来のプローブ検査装置が有
する、ICチップの電極パッドとプローブ1を接触させ
る手段を用いることが望ましい。検査対象のウェハの代
わりにメインチャックとは別の箇所に置かれた位置セン
サー13の接触面にプローブ1を接触させればよい。
Means for bringing the contact surface of the position sensor 13 into contact with the plurality of probes 1 is not shown in the figure, but the electrode pad of the IC chip and the probe included in a conventional probe inspection apparatus comprising a loader chamber and a prober chamber. It is desirable to use a means for bringing 1 into contact. The probe 1 may be brought into contact with the contact surface of the position sensor 13 placed at a place different from the main chuck instead of the wafer to be inspected.

【0039】位置センサー13上の複数のプローブ1の
接触位置17の座標及びプローブ1の押し込み深さの測
定手段は、位置センサー13により検出されたプローブ
先端の位置を位置センサー13上の座標で表示する手段
である。このような測定手段として、例えば、位置セン
サー13に接続されたデコーダなどがある。図6は、位
置センサー13及び位置センサー13に接続されたカラ
ムデコーダ15及びローデコーダ16を示す平面図であ
る。図6に示すように、方形状の位置センサー13の対
向しない2辺にそれぞれカラムデコーダ15及びローデ
コーダ16が接続されている。プローブ1との接触によ
り位置センサー13が検知したプローブ先端の接触位置
17は2次元座標のデータとして、カラムデコーダ15
及びローデコーダ16により処理される。
The coordinates of the contact position 17 of the plurality of probes 1 on the position sensor 13 and the means for measuring the depth of depression of the probe 1 indicate the position of the tip of the probe detected by the position sensor 13 as coordinates on the position sensor 13. It is a means to do. As such a measuring means, for example, there is a decoder connected to the position sensor 13. FIG. 6 is a plan view showing the position sensor 13 and the column decoder 15 and the row decoder 16 connected to the position sensor 13. As shown in FIG. 6, a column decoder 15 and a row decoder 16 are connected to two sides of the rectangular position sensor 13 that are not opposed to each other. The contact position 17 of the probe tip detected by the position sensor 13 by the contact with the probe 1 is represented as two-dimensional coordinate data by the column decoder 15.
And the row decoder 16.

【0040】<第1の位置検出方法>位置センサーの位
置検出方法の具体的な例について説明する。まず、図7
は、マトリックス状に配置された電極間の静電容量の変
化によりプローブ先端1aの接触を検出する方法につい
て説明するための位置センサーの断面図である。位置セ
ンサー13内部には、行方向に複数のカラム電極18が
平行に配線され、列方向には複数のロー電極が平行に配
線されている。カラム電極18とロー電極19で配線層
を変えることで、カラム電極18とロー電極19が接触
することなく、交差するように配線することができる。
カラム電極18とロー電極19との交差部分において、
位置センサー13の接触面に対して垂直方向に延ばされ
たセンサー部18a、19aがそれぞれカラム電極18
及びロー電極19に接続されている。カラム電極18と
ロー電極19の間には所定の電圧が印加されている。し
たがって、センサー部18a、19aは所定の静電容量
を持ったコンデンサーを形成する。また、プローブ先端
1aの接触によりカラム電極18及びロー電極19が損
傷する惧れがあるため、位置センサー13の接触面の上
に保護膜14を配置して、保護膜14とプローブ先端1
aを接触させる。
<First Position Detection Method> A specific example of the position detection method of the position sensor will be described. First, FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a position sensor for describing a method of detecting contact of the probe tip 1a based on a change in capacitance between electrodes arranged in a matrix. Inside the position sensor 13, a plurality of column electrodes 18 are wired in parallel in the row direction, and a plurality of row electrodes are wired in parallel in the column direction. By changing the wiring layer between the column electrode 18 and the row electrode 19, wiring can be performed so that the column electrode 18 and the row electrode 19 cross each other without contact.
At the intersection of the column electrode 18 and the row electrode 19,
The sensor portions 18a and 19a extending in the direction perpendicular to the contact surface of the position sensor 13
And the row electrode 19. A predetermined voltage is applied between the column electrode 18 and the row electrode 19. Therefore, the sensor units 18a and 19a form a capacitor having a predetermined capacitance. In addition, since the column electrode 18 and the row electrode 19 may be damaged due to the contact of the probe tip 1a, the protective film 14 is disposed on the contact surface of the position sensor 13, and the protective film 14 and the probe tip 1 are disposed.
a.

【0041】図7(a)は、プローブ先端1aがセンサ
ー部18a、19aから十分に離れている状態を示して
いる。一方、図7(b)は、プローブ先端1aがセンサ
ー部18a、19aに十分近づいた状態を示している。
センサー部18a、19aの静電容量は、プローブ先端
1aの接近により変化する。静電容量の変化により、位
置センサーはプローブ先端1aの接近を検出する。さら
に、保護膜14に押し込まれたプローブ先端1aの深さ
を静電容量の変化から求めることもできる。検出された
プローブ先端1aの接触位置17は、カラムデコーダ1
5及びローデコーダ16により、位置センサー上の座標
として測定される。
FIG. 7A shows a state where the probe tip 1a is sufficiently separated from the sensor sections 18a and 19a. On the other hand, FIG. 7B shows a state in which the probe tip 1a is sufficiently close to the sensor sections 18a and 19a.
The capacitance of the sensor units 18a and 19a changes as the probe tip 1a approaches. The position sensor detects the approach of the probe tip 1a based on the change in the capacitance. Further, the depth of the probe tip 1a pushed into the protective film 14 can be obtained from the change in capacitance. The detected contact position 17 of the probe tip 1a is
5 and the row decoder 16 measure the coordinates on the position sensor.

【0042】<第2の位置検出方法>次に、マトリック
ス状に配置された電極間の導通によりプローブ先端1a
の接触を検出する2つの方法について説明する。図8
は、マトリックス状に配置された電極間の導通によりプ
ローブ先端1aの接触を検出する第1の方法について説
明するための位置センサーの斜視図である。位置センサ
ー上には、行方向に複数のカラム電極18が平行に配線
され、列方向に複数のロー電極19が平行に配線されて
いる。列方向と行方向で配線層を変えることで、カラム
電極18とロー電極19が接触することなく、交差する
ように配線することができる。図8(a)及び図8
(b)は、このようなマトリックス状に配置された電極
の中でカラム電極18とロー電極19が交差する部分を
示す斜視図である。図8(a)は、非接触状態を示す斜
視図であり、図8(b)は、接触状態を示す斜視図であ
る。図8(a)及び図8(b)において、カラム電極2
0の上にロー電極21が配置されている。また、カラム
電極20とロー電極21が交差する部分において、位置
センサーの接触面に対して垂直方向にカラム電極18か
らセンサー部18aが延ばされ、ロー電極19からセン
サー部19aが延ばされている。センサー部18a、1
9aは位置センサーの接触面に露出されている。センサ
ー部18a、19aが配置されている間隔はプローブ先
端1aの径よりも短い。図8(a)において、プローブ
先端1aは位置センサーに接触していないため、プロー
ブ先端1aはセンサー部18a及びセンサー部19aに
接触することはない。一方、図8(b)において、プロ
ーブ先端1aは、位置センサーに接触しているため、プ
ローブ先端1aはセンサー部18a及びセンサー部19
aに同時に接触する。すると、交差部分において、セン
サー部18aとセンサー部19aが導通して、センサー
部18aが接続されたカラム電極18と、センサー部1
9aが接続されたロー電極21が導通する。カラムデコ
ーダ15及びローデコーダ16は、このカラム電極18
とロー電極19間のショートの情報から、プローブ先端
1aの接触位置17を測定する。
<Second Position Detecting Method> Next, the probe tip 1a is turned on by conduction between electrodes arranged in a matrix.
The following describes two methods of detecting the contact of the user. FIG.
FIG. 4 is a perspective view of a position sensor for describing a first method for detecting contact of the probe tip 1a by conduction between electrodes arranged in a matrix. On the position sensor, a plurality of column electrodes 18 are wired in parallel in the row direction, and a plurality of row electrodes 19 are wired in parallel in the column direction. By changing the wiring layer in the column direction and the row direction, wiring can be performed so that the column electrode 18 and the row electrode 19 intersect without contacting each other. 8 (a) and 8
FIG. 2B is a perspective view showing a portion where the column electrode 18 and the row electrode 19 intersect in such a matrix of electrodes. FIG. 8A is a perspective view showing a non-contact state, and FIG. 8B is a perspective view showing a contact state. 8A and 8B, the column electrode 2
The row electrode 21 is disposed on the zero. Further, at a portion where the column electrode 20 and the row electrode 21 intersect, the sensor portion 18a extends from the column electrode 18 in the direction perpendicular to the contact surface of the position sensor, and the sensor portion 19a extends from the row electrode 19. I have. Sensor unit 18a, 1
9a is exposed on the contact surface of the position sensor. The interval at which the sensor portions 18a and 19a are arranged is shorter than the diameter of the probe tip 1a. In FIG. 8A, since the probe tip 1a does not contact the position sensor, the probe tip 1a does not contact the sensor unit 18a and the sensor unit 19a. On the other hand, in FIG. 8B, since the probe tip 1a is in contact with the position sensor, the probe tip 1a has the sensor section 18a and the sensor section 19.
a simultaneously. Then, at the intersection, the sensor unit 18a and the sensor unit 19a conduct, and the column electrode 18 to which the sensor unit 18a is connected and the sensor unit 1 are connected.
The row electrode 21 to which 9a is connected conducts. The column decoder 15 and the row decoder 16
The contact position 17 of the probe tip 1a is measured from the information on the short circuit between the probe electrode 1 and the row electrode 19.

【0043】図9は、マトリックス状に配置された電極
間の導通によりプローブ先端1aの接触を検出する第2
の方法について説明するための位置センサーの斜視図で
ある。位置センサー上には、列方向及び行方向にそれぞ
れ複数の電極が平行に配線されている。列方向と行方向
で配線層を変えることで、それぞれの電極が接触するこ
となく、交差するように配線することができる。図9
(a)及び図9(b)は、このようなマトリックス状に
配置された電極の中で列方向の電極と行方向の電極が交
差する部分を示す斜視図である。図9(a)は、非接触
状態を示す斜視図であり、図9(b)は、接触状態を示
す斜視図である。図9(a)及び図9(b)において、
カラム電極20の上にロー電極21が配置されている。
また、カラム電極20とロー電極21が交差する部分に
おいて、ロー電極21は位置センサーの接触面に対して
垂直方向に加わる力により変形して、カラム電極20に
接する機能を有する。図9(a)において、プローブ先
端1aは位置センサーに接触していないため、カラム電
極20とロー電極21とは交差部分において接触するこ
とはない。一方、図9(b)において、プローブ先端1
aは、位置センサーに接触している。つまり、プローブ
先端1aは、ロー電極21に対して接触面の垂直方向に
応力を加える。すると、交差部分において、変形したロ
ー電極21とカラム電極20がショートする。カラムデ
コーダ15及びローデコーダ16は、この電極間のショ
ートの情報から、プローブ先端1aの接触位置17を測
定する。
FIG. 9 shows a second example of detecting contact of the probe tip 1a by conduction between electrodes arranged in a matrix.
It is a perspective view of a position sensor for explaining the method of. On the position sensor, a plurality of electrodes are wired in parallel in the column direction and the row direction, respectively. By changing the wiring layer in the column direction and the row direction, wiring can be performed so that the respective electrodes cross each other without contact. FIG.
FIG. 9A and FIG. 9B are perspective views showing a portion where an electrode in a column direction and an electrode in a row direction intersect among such electrodes arranged in a matrix. FIG. 9A is a perspective view showing a non-contact state, and FIG. 9B is a perspective view showing a contact state. 9 (a) and 9 (b),
The row electrode 21 is arranged on the column electrode 20.
Further, at a portion where the column electrode 20 and the row electrode 21 intersect, the row electrode 21 has a function of being deformed by a force applied in a direction perpendicular to the contact surface of the position sensor and coming into contact with the column electrode 20. In FIG. 9A, since the probe tip 1a does not contact the position sensor, the column electrode 20 and the row electrode 21 do not contact at the intersection. On the other hand, in FIG.
a is in contact with the position sensor. That is, the probe tip 1a applies a stress to the row electrode 21 in a direction perpendicular to the contact surface. Then, the deformed row electrode 21 and column electrode 20 are short-circuited at the intersection. The column decoder 15 and the row decoder 16 measure the contact position 17 of the probe tip 1a from the information of the short circuit between the electrodes.

【0044】なお、図8に示した電極間の導通による位
置検出方法において、図10に示すように、接触面の上
に局所的な導電性を有する異方導伝シート22を配置す
ることが望ましい。異方性導伝シート22により、プロ
ーブ先端1aによる位置センサー13の電極18、19
の損傷を抑制することができる。異方導伝シート22
は、プローブ先端1aの径に対して十分な分解能を有す
る程度の間隔で表裏面を貫通する導電体と、隣接する導
電体を絶縁する絶縁体とからなる。具体的には、図10
に示すように、異方導伝シート22は、位置センサーの
センサー部18a、19aに対応する部分に表裏面を貫
通する導電体22aと、隣接する導電体22a間を絶縁
する絶縁体22bとから構成されている。位置センサー
13と異方導伝シート22との接触面において、導電体
22aとセンサー部18a、19aは電気的に接触して
いる。異方導伝シート22に接するプローブ先端1a
は、センサー部18a及びセンサー部19aに接触した
導電体22aに同時に接触する。したがって、導電体2
2aを介して、プローブ先端1aは、センサー部18a
及びセンサー部19aに同時に接触することになる。
In the position detecting method based on conduction between the electrodes shown in FIG. 8, an anisotropic conductive sheet 22 having local conductivity is arranged on the contact surface as shown in FIG. desirable. The electrodes 18, 19 of the position sensor 13 by the probe tip 1a are formed by the anisotropic conductive sheet 22.
Damage can be suppressed. Anisotropic conduction sheet 22
Consists of a conductor that penetrates the front and back surfaces at an interval having sufficient resolution with respect to the diameter of the probe tip 1a, and an insulator that insulates the adjacent conductor. Specifically, FIG.
As shown in the figure, the anisotropic conductive sheet 22 is composed of a conductor 22a penetrating the front and back surfaces at portions corresponding to the sensor portions 18a and 19a of the position sensor, and an insulator 22b insulating between adjacent conductors 22a. It is configured. At the contact surface between the position sensor 13 and the anisotropic conductive sheet 22, the conductor 22a and the sensor portions 18a and 19a are in electrical contact. Probe tip 1a in contact with anisotropic conductive sheet 22
Simultaneously contact the conductor 22a that has contacted the sensor section 18a and the sensor section 19a. Therefore, the conductor 2
2a, the probe tip 1a is connected to the sensor section 18a.
And the sensor part 19a at the same time.

【0045】以上説明したように第2の実施の形態によ
れば、被検査物にプローブを接触させる前に位置センサ
ーに接触させ、プローブの接触位置の座標を測定するこ
とで、プローブが位置センサーに接触した状態でのプロ
ーブ先端の位置を測定することができる。したがって、
ICチップのスクリーニング工程で、電極パッドにプロ
ーブを接触させたときのプローブ先端の位置を事前に知
ることができる。電極パッドとの接触によりプローブ先
端が移動して、プローブ先端が電極パッドからずれ落ち
てしまうことがなくなる。
As described above, according to the second embodiment, before the probe is brought into contact with the object to be inspected, the probe is brought into contact with the position sensor, and the coordinates of the contact position of the probe are measured. The position of the tip of the probe in a state of contact with the probe can be measured. Therefore,
In the IC chip screening step, the position of the probe tip when the probe is brought into contact with the electrode pad can be known in advance. The probe tip does not move due to the contact with the electrode pad, and the probe tip does not slip off the electrode pad.

【0046】また、位置センサーの接触面上に配置され
た保護膜あるいは異方導伝シートにプローブ先端を押し
込むことにより、プローブ先端の押し込み深さを求める
ことができる。総てのプローブについてプローブ先端が
十分な押し込み深さまで押し込ませることにより、総て
のプローブについて十分な押し込み深さを求めることが
できる。十分な押し込み深さまでプローブを保護膜ある
いは異方導伝シートに押し込むことにより、安定した電
気的接触を得ることができる。したがって、総てのプロ
ーブを十分な押し込み深さまで保護膜あるいは異方導伝
シートに押し込むことにより、総てのプローブが安定し
た電気的接触を得ることができる。つまり、プローブ先
端の高さのバラツキを吸収するのに必要な押し込み深さ
の最適化を行うことができる。
Further, by pushing the tip of the probe into a protective film or an anisotropic conductive sheet disposed on the contact surface of the position sensor, the pushing depth of the tip of the probe can be obtained. By pushing the probe tip to a sufficient pushing depth for all the probes, a sufficient pushing depth can be obtained for all the probes. By pushing the probe into the protective film or the anisotropic conductive sheet to a sufficient pushing depth, stable electrical contact can be obtained. Therefore, by pushing all the probes into the protective film or the anisotropic conductive sheet to a sufficient pushing depth, all the probes can obtain stable electrical contact. That is, it is possible to optimize the pushing depth required to absorb variations in the height of the probe tip.

【0047】なお、第2の実施の形態において、位置セ
ンサーの接触面は、センサー部などの金属で構成されて
いるので、プローブ先端を変形体の接触面に接触させた
状態、あるいは少し離した状態で、位置センサーの接触
面とプローブ間に電位差を与えることでプローブのクリ
ーニングを行うことが可能である。
In the second embodiment, since the contact surface of the position sensor is made of a metal such as a sensor, the probe tip is in contact with the contact surface of the deformable body, or is slightly apart. In this state, the probe can be cleaned by applying a potential difference between the contact surface of the position sensor and the probe.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、接
触状態でのプローブ先端の位置を事前に測定することが
できるプローブ検査装置及びプローブ検査方法を提供す
ることができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a probe inspection apparatus and a probe inspection method capable of measuring the position of the probe tip in a contact state in advance.

【0049】また本発明によれば、ローブの最適な押し
込み深さを事前に測定することができるプローブ検査装
置及びプローブ検査方法を提供することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a probe inspection apparatus and a probe inspection method capable of measuring an optimum lobe indentation depth in advance.

【0050】さらに本発明によれば、プローブの位置合
わせの所要時間が短いプローブ検査装置及びプローブ検
査方法を提供することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a probe inspection apparatus and a probe inspection method in which the time required for probe alignment is short.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係わるプローブ検
査装置の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a probe inspection device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図2(a)は、CCDカメラにより低倍率で観
察された変形体上に形成された複数のプローブ痕の形状
を示す図であり、図2(b)は、CCDカメラにより高
倍率で観察された変形体上に形成された1つのプローブ
痕の形状を示す図である。
FIG. 2A is a diagram showing the shape of a plurality of probe marks formed on a deformed body observed at a low magnification by a CCD camera, and FIG. It is a figure showing the shape of one probe mark formed on the deformation object observed by magnification.

【図3】CCDカメラにより低倍率で観察された変形体
上に形成された複数のプローブ痕の形状を示す図であ
り、プローブと変形体の接触において押し込み深さが不
十分な場合を示す図である。
FIG. 3 is a view showing the shape of a plurality of probe marks formed on a deformed body observed at a low magnification by a CCD camera, and showing a case where the indentation depth is insufficient at the time of contact between the probe and the deformed body. It is.

【図4】第1の実施の形態に係わるプローブ検査装置の
変形体の再生処理方法を示す主要な工程図である。
FIG. 4 is a main process diagram showing a method of regenerating a deformed body of the probe inspection device according to the first embodiment.

【図5】本発明の第2の実施の形態に係わるプローブ検
査装置の構成を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a probe inspection device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第2の実施の形態に係わる位置センサ
ーの構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a position sensor according to a second embodiment of the present invention.

【図7】プローブ先端の位置を検出する第1の方法を説
明する断面図であり、図7(a)は、プローブ先端がセ
ンサー部から十分離れている状態を示し、図7(b)
は、プローブ先端がセンサー部に十分近づいている状態
を示す。
7A and 7B are cross-sectional views illustrating a first method of detecting the position of the tip of the probe. FIG. 7A illustrates a state where the tip of the probe is sufficiently separated from the sensor unit, and FIG.
Indicates a state in which the probe tip is sufficiently close to the sensor unit.

【図8】プローブ先端の位置を検出する第2の方法(そ
の1)を説明する斜視図であり、図8(a)は、プロー
ブ先端の非接触状態を示し、図8(b)は、プローブ先
端の接触状態を示す。
FIG. 8 is a perspective view illustrating a second method (part 1) of detecting the position of the probe tip, where FIG. 8 (a) shows a non-contact state of the probe tip, and FIG. This shows the contact state of the probe tip.

【図9】プローブ先端の位置を検出する第2の方法(そ
の2)を説明する斜視図であり、図9(a)は、プロー
ブ先端の非接触状態を示し、図9(b)は、プローブ先
端の接触状態を示す。
FIG. 9 is a perspective view for explaining a second method (part 2) of detecting the position of the tip of the probe. FIG. 9 (a) shows a non-contact state of the tip of the probe, and FIG. This shows the contact state of the probe tip.

【図10】プローブ先端の位置を検出する第2の方法
(その1)に係わる位置センサー及び異方性導電シート
の構造を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structures of a position sensor and an anisotropic conductive sheet according to a second method (part 1) for detecting the position of the probe tip.

【図11】従来のプローブ検査装置の構成を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a conventional probe inspection apparatus.

【図12】図12(a)は、CCDカメラにより低倍率
で観察された複数のプローブ先端の位置を示す図であ
り、図12(b)は、CCDカメラにより高倍率で観察
された1つのプローブ先端の位置を示す図である。
FIG. 12 (a) is a diagram showing positions of a plurality of probe tips observed at a low magnification by a CCD camera, and FIG. 12 (b) is a graph showing one position observed at a high magnification by a CCD camera; FIG. 4 is a diagram illustrating a position of a probe tip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プローブ 1a プローブ先端 2 ステージ 3 プローブカード 4 CCDカメラ 7 変形体 8 プローブ痕 9 プローブ先端痕 10 ステージ 11 発熱体 12 研磨布(板) 13、23 位置センサー 14 保護膜 15 カラムデコーダ 16 ローデコーダ 17 接触位置 18、20 カラム電極 18a、19a センサー部 19、21 ロー電極 22 異方導伝シート Reference Signs List 1 probe 1a probe tip 2 stage 3 probe card 4 CCD camera 7 deformed body 8 probe mark 9 probe tip mark 10 stage 11 heating element 12 polishing cloth (plate) 13, 23 position sensor 14 protective film 15 column decoder 16 low decoder 17 contact Position 18, 20 Column electrode 18a, 19a Sensor 19, 21 Row electrode 22 Anisotropic conductive sheet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Fターム(参考) 2G011 AA02 AA16 AB06 AB08 AB10 AC06 AC14 AE03 AF07 2G032 AB02 AF02 AF03 AF04 AK04 AL04 4M106 AA02 BA01 BA11 BA14 CA38 CA50 DD05 DD06 DD13 DD18 DD30 DJ02 DJ11 DJ38 DJ39 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (72) Inventor Katsuya Okumura 8 Shinsugita-machi, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa F-term in Toshiba Yokohama Office (reference) 2G011 AA02 AA16 AB06 AB08 AB10 AC06 AC14 AE03 AF07 2G032 AB02 AF02 AF03 AF04 AK04 AL04 4M106 AA02 BA01 BA11 BA14 CA38 CA50 DD05 DD06 DD13 DD18 DD30 DJ02 DJ11 DJ38 DJ39

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査物と同じ程度の平坦な接触面を有
する変形体と、 複数のプローブからなるプローブカードと、 前記接触面と前記複数のプローブを接触させる手段と、 前記接触面上に形成された複数のプローブ痕を観察する
手段と、 複数のプローブ先端痕の位置を測定する手段とを有する
ことを特徴とするプローブ検査装置。
A deformable body having a contact surface as flat as the object to be inspected; a probe card comprising a plurality of probes; a means for contacting the contact surface with the plurality of probes; A probe inspection apparatus comprising: means for observing a plurality of formed probe marks; and means for measuring positions of a plurality of probe tip marks.
【請求項2】 前記複数のプローブ痕の開口の大きさを
測定する手段と、前記開口の大きさから前記プローブの
押し込み深さを算出する手段とをさらに有することを特
徴とする請求項1記載のプローブ検査装置。
2. The apparatus according to claim 1, further comprising: means for measuring the size of the opening of the plurality of probe marks; and means for calculating the depth of pushing of the probe from the size of the opening. Probe inspection equipment.
【請求項3】 前期被検査物と前記変形体は同じ材料で
構成されていることを特徴とする請求項1または2記載
のプローブ検査装置。
3. The probe inspection apparatus according to claim 1, wherein the object to be inspected and the deformed body are made of the same material.
【請求項4】 前記変形体は導電体であることを特徴と
する請求項1または2記載のプローブ検査装置。
4. The probe inspection apparatus according to claim 1, wherein the deformable body is a conductor.
【請求項5】 前記導電体はアルミニウムを主成分とす
る材料で構成されていることを特徴とする請求項4記載
のプローブ検査装置。
5. The probe inspection apparatus according to claim 4, wherein the conductor is made of a material containing aluminum as a main component.
【請求項6】 前期被検査物と前記変形体は同じ膜厚で
あることを特徴とする請求項1乃至5いずれか1記載の
プローブ検査装置。
6. The probe inspection apparatus according to claim 1, wherein the object to be inspected and the deformed body have the same thickness.
【請求項7】 前記変形体を支持するステージをさらに
有し、 前記ステージから前記変形体を取り外すことができるこ
とを特徴とする請求項1乃至6いずれか1記載のプロー
ブ検査装置。
7. The probe inspection apparatus according to claim 1, further comprising a stage for supporting the deformable body, wherein the deformable body can be detached from the stage.
【請求項8】 前記接触面上に形成された前記プローブ
痕を除去する再生処理手段をさらに有することを特徴と
する請求項1乃至7いずれか1記載のプローブ検査装
置。
8. The probe inspection apparatus according to claim 1, further comprising a reproduction processing unit that removes the probe mark formed on the contact surface.
【請求項9】 前記変形体を支持するステージをさらに
有し、 前記ステージは、前記再生処理手段として、前記変形体
を加熱し前記接触面を融解させる加熱手段を有すること
を特徴とする請求項8記載のプローブ検査装置。
9. The apparatus according to claim 1, further comprising: a stage for supporting the deformable body, wherein the stage has, as the regeneration processing means, heating means for heating the deformable body and melting the contact surface. 8. The probe inspection device according to 8.
【請求項10】 前記再生処理手段は、研磨剤を有する
布または板で前記接触面を研磨する研磨手段からなるこ
とを特徴とする請求項8記載のプローブ検査装置。
10. The probe inspection apparatus according to claim 8, wherein said regeneration processing means comprises polishing means for polishing said contact surface with a cloth or a plate having an abrasive.
【請求項11】 前記変形体は、前記複数のプローブ痕
が復元するための時間が、該複数のプローブ痕を観察す
るために要する時間よりも長い弾性体であることを特徴
とする請求項1または2記載のプローブ検査装置。
11. The deformable body is an elastic body in which a time for restoring the plurality of probe traces is longer than a time required for observing the plurality of probe traces. Or the probe inspection device according to 2.
【請求項12】 被検査物と同じ程度の平坦な接触面を
有し、プローブ先端の径に対して十分な分解能を有する
位置センサーと、 複数のプローブからなるプローブカードと、 前記接触面と前記複数のプローブを接触させる手段と、 前記位置センサーが検出した前記複数のプローブの接触
位置の座標を測定する第1の測定手段と を有することを特徴とするプローブ検査装置。
12. A position sensor having a contact surface as flat as the object to be inspected and having a sufficient resolution with respect to the diameter of the probe tip, a probe card comprising a plurality of probes, A probe inspection apparatus, comprising: means for contacting a plurality of probes; and first measurement means for measuring coordinates of contact positions of the plurality of probes detected by the position sensor.
【請求項13】 前記位置センサーが検出した前記複数
のプローブの押し込み深さを測定する第2の測定手段を
さらに有することを特徴とする請求項12記載のプロー
ブ検査装置。
13. The probe inspection apparatus according to claim 12, further comprising a second measuring means for measuring a depth of the plurality of probes pressed by the position sensor.
【請求項14】 前記位置センサーは、マトリックス状
に配置された複数の電極を有し、 前記第1の測定手段は、前記複数の電極間の導通により
前記プローブの接触位置の座標を測定することを特徴と
する請求項12記載のプローブ検査装置。
14. The position sensor has a plurality of electrodes arranged in a matrix, and the first measuring means measures coordinates of a contact position of the probe by conduction between the plurality of electrodes. The probe inspection apparatus according to claim 12, wherein:
【請求項15】 前記位置センサーは、マトリックス状
に配置された複数の電極を有し、 前記第1の測定手段は、前記複数の電極間の静電容量の
変化により前記プローブの接触位置の座標を測定するこ
とを特徴とする請求項12記載のプローブ検査装置。
15. The position sensor has a plurality of electrodes arranged in a matrix, and the first measuring means determines a coordinate of a contact position of the probe by a change in capacitance between the plurality of electrodes. The probe inspection apparatus according to claim 12, wherein the measurement is performed.
【請求項16】 前記位置センサーは、マトリックス状
に配置された複数の電極を有し、 前記第2の測定手段は、前記複数の電極間の静電容量の
変化により前記プローブの押し込み深さを測定すること
を特徴とする請求項13記載のプローブ検査装置。
16. The position sensor has a plurality of electrodes arranged in a matrix, and the second measuring means changes the depth of the probe indentation by a change in capacitance between the plurality of electrodes. 14. The probe inspection apparatus according to claim 13, wherein the measurement is performed.
【請求項17】 前記接触面上に配置された保護膜をさ
らに有し、 前記接触面と前記複数のプローブを接触させる手段は、
前記保護膜と前記複数のプローブを接触させる手段であ
ることを特徴とする請求項12または13記載のプロー
ブ検査装置。
17. The apparatus according to claim 17, further comprising: a protection film disposed on the contact surface, wherein the means for contacting the contact surface with the plurality of probes includes:
14. The probe inspection device according to claim 12, wherein the probe inspection device is a means for bringing the plurality of probes into contact with the protective film.
【請求項18】 前記保護膜は、プローブ先端の径に対
して十分な分解能を有する程度の間隔で表裏面を貫通し
て配置された導電体を有する異方導伝シートであること
を特徴とする請求項14記載のプローブ検査装置。
18. The anisotropic conductive sheet according to claim 18, wherein the protective film is a conductive sheet having a conductor disposed so as to penetrate the front and back surfaces at an interval having a sufficient resolution with respect to the diameter of the probe tip. The probe inspection apparatus according to claim 14, wherein
【請求項19】 被検査物と同じ程度の平坦な接触面を
有する変形体の該接触面に複数のプローブを接触させる
ステップと、 前記接触面上に形成された複数のプローブ痕を観察する
ステップと、 複数のプローブ先端痕の位置を測定するステップとから
なることを特徴とするプローブ検査方法。
19. A step of bringing a plurality of probes into contact with a contact surface of a deformable body having a contact surface as flat as the object to be inspected, and observing a plurality of probe marks formed on the contact surface. And a step of measuring the positions of a plurality of probe tip marks.
【請求項20】 前記複数のプローブ痕の開口の大きさ
を測定するステップと、 前記開口の大きさから前記プローブの押し込み深さを算
出するステップとをさらに有することを特徴とする請求
項19記載のプローブ検査方法。
20. The method according to claim 19, further comprising the steps of: measuring a size of an opening of the plurality of probe marks; and calculating a depth of pushing of the probe from the size of the opening. Probe inspection method.
【請求項21】 被検査物と同じ程度の平坦な接触面を
有し、プローブ先端の径に対して十分な分解能を有する
位置センサーの該接触面に複数のプローブを接触させる
ステップと、 前記接触面上の前記複数のプローブの接触位置の座標を
測定するステップとからなることを特徴とするプローブ
検査方法。
21. A step of bringing a plurality of probes into contact with the contact surface of a position sensor having a contact surface as flat as the object to be inspected and having a sufficient resolution with respect to the diameter of the probe tip; Measuring coordinates of contact positions of the plurality of probes on a surface.
【請求項22】 前記接触面上の前記複数のプローブの
押し込み深さを測定するステップをさらに有することを
特徴とするプローブ検査方法。
22. A probe inspection method, further comprising the step of measuring the depth of the plurality of probes pushed on the contact surface.
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