JP2865046B2 - Method and apparatus for inspecting solder connection of electronic components - Google Patents

Method and apparatus for inspecting solder connection of electronic components

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JP2865046B2
JP2865046B2 JP8054024A JP5402496A JP2865046B2 JP 2865046 B2 JP2865046 B2 JP 2865046B2 JP 8054024 A JP8054024 A JP 8054024A JP 5402496 A JP5402496 A JP 5402496A JP 2865046 B2 JP2865046 B2 JP 2865046B2
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electronic component
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【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半田接続検査方法
及び検査装置に関し、特に電子部品のリードの半田接続
を検査する方法及び検査装置に関する。
The present invention relates to a method and an apparatus for inspecting solder connection, and more particularly to a method and an apparatus for inspecting solder connection of leads of electronic components.

【0002】[0002]

【従来の技術】リードを有するQFP(Quad Flat Pack
age)等の半導体パッケージのリードの半田接続検査方
法(単に「リード接続検査方法」ともいう)として、例
えば、インサーキットテスタ(例えば日置電気社製)を
用いて2本のプローブにて導通試験する電気的検査方法
がある。
2. Description of the Related Art Lead Flat QFP (Quad Flat Pack)
age), for example, a continuity test is performed using two probes using an in-circuit tester (for example, manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.) as a method for inspecting the solder connection of the leads of a semiconductor package such as a semiconductor device. There is an electrical inspection method.

【0003】半導体パッケージ等の電子部品のリード接
続検査方法の従来例を図面を参照して以下に詳細に説明
する。
A conventional example of a lead connection inspection method for an electronic component such as a semiconductor package will be described below in detail with reference to the drawings.

【0004】図6は、2本のプローブで導通試験する電
気的検査方法による、従来の電子部品のリード接続検査
方法を説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a conventional method for inspecting lead connection of electronic components by an electrical inspection method for conducting a continuity test using two probes.

【0005】図6を参照して、従来の検査方法は、4端
子測定用の同軸プローブ56、56′を2本用いて、回
路基板50側のパッド55と半導体パッケージ51のリ
ード53のリード肩部54との間に電流源57により電
流を流し、これにより発生した2本のプローブ56、5
6′間の電圧を電圧計58で測定し、電流値と電圧測定
値からオームの法則によりプローブ56、56′間の抵
抗値を求め、リード53とパッド55との半田の接続状
態を検査するものである。
Referring to FIG. 6, a conventional inspection method uses two coaxial probes 56 and 56 'for four-terminal measurement, and uses a pad 55 on a circuit board 50 and a lead shoulder of a lead 53 of a semiconductor package 51. A current is caused to flow between the unit 54 and the unit 54 by the current source 57, and the two probes 56, 5
The voltage between 6 'and 6' is measured by a voltmeter 58, the resistance between the probes 56 and 56 'is determined from the current value and the measured voltage according to Ohm's law, and the solder connection between the lead 53 and the pad 55 is inspected. Things.

【0006】4端子測定法の場合、一般には4本のプロ
ーブで測定するが、半導体パッケージの狭ピッチ化に伴
い、リード53に2本のプローブと当接してプロービン
グすることは困難となってきており、このため同軸プロ
ーブを用いている。
In the case of the four-terminal measurement method, measurement is generally performed with four probes. However, as the pitch of the semiconductor package is reduced, it becomes difficult to perform probing by contacting the leads 53 with two probes. Therefore, a coaxial probe is used for this purpose.

【0007】なお、狭ピッチ化に伴い、半導体パッケー
ジのリード幅及びリード厚みが共に小さくなり、プロー
ブのコンタクトによるリードへの損傷(ダメージ)が大
きくなるため、接触式プロービングでは狭ピッチの半導
体パッケージへの対応に限界がある。
[0007] As the pitch becomes narrower, the lead width and the lead thickness of the semiconductor package both become smaller, and damage (damage) to the lead caused by the contact of the probe becomes larger. There is a limit to the response.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の電子部品の
リード半田接続検査方法は、4端子測定法による接触方
式の測定であるため、例えば、わずかに浮いているリー
ドに対して、接触圧力即ちプローブによる押圧により、
そのリードが回路基板50のパッド55と接触し、これ
によりプロービング時に該リードは電気的に接続状態と
なり良品と誤判定され、接続不良(不良品)を見逃して
しまうという可能性がある。
The above-described conventional method for inspecting lead solder connection of electronic components is a contact type measurement by a four-terminal measurement method. By pressing by the probe,
The lead comes into contact with the pad 55 of the circuit board 50, whereby the lead is electrically connected at the time of probing, and is erroneously determined as a non-defective product, and a connection failure (defective product) may be missed.

【0009】また、上記従来の電子部品のリード半田接
続検査方法においては、コンタクト(プローブ先端部と
の当接)に伴うリード53の損傷の発生等の問題がある
上、さらにフロービング時にソフトタッチ(コンタクト
に時間を要する)が要求されるため、高速フロービング
を実現することが困難であるという問題を有している。
Further, the conventional method for inspecting lead solder connection of electronic parts has a problem that the lead 53 is damaged due to a contact (contact with the tip of the probe), and furthermore, a soft touch is performed at the time of flowing. (It takes time for contact), and thus it is difficult to realize high-speed flowing.

【0010】従って、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解消し、狭ピッチの電子部品の半田接続検査
を、高速かつ確実に行うことを可能とする半田接続検査
方法及び検査装置を提供することにある。
[0010] Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to provide a solder connection inspection method and an inspection apparatus capable of performing solder connection inspection of electronic components having a narrow pitch at high speed and reliably. To provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、回路基板上に実装された、少なくとも半
導体パッケージを含む電子部品のリードの半田接続を検
査する方法において、前記リードが半田接続されるべき
前記回路基板上のパッド部にプローブを当接して信号を
印加し、前記リードとこれに隣接するリードに誘起され
る電界の総和を、前記リードの、半田接続側とは離間し
て位置する、所定の領域に近接して配設した、電界検出
センサにて測定し、測定された電界強度から、前記リー
ドのオープンと、前記リードに隣接するリードとのショ
ートと、を識別することを特徴とする電子部品の半田接
続検査方法を提供する。
According to the present invention, there is provided a method for inspecting a solder connection of a lead of at least an electronic component including a semiconductor package mounted on a circuit board. A signal is applied by abutting a probe on a pad portion on the circuit board to be connected, and the sum of electric fields induced in the lead and the lead adjacent thereto is separated from the solder connection side of the lead. located Te, it is disposed in proximity to the predetermined area, measured by the electric field detecting sensor, the measured field strength, the Li
A method for inspecting solder connection of an electronic component , comprising: distinguishing between opening of a lead and a short between the lead and a lead adjacent to the lead .

【0012】本発明においては、好ましくは、前記電界
検出センサが近接して配設される前記リードの所定の領
域が、前記リードの肩部であることを特徴とする。
In the present invention, preferably, a predetermined region of the lead, in which the electric field detection sensor is disposed in proximity, is a shoulder of the lead.

【0013】また、本発明においては、好ましくは、前
記電界検出センサが、前記リード肩部に対して、その検
出感度が確保される範囲内の空間ギャップを介して配置
され、非接触状態に電界強度を検出するようにしたこと
を特徴とする。
Further, in the present invention, preferably, the electric field detection sensor is disposed via a space gap within a range in which the detection sensitivity is secured with respect to the lead shoulder, and the electric field detection sensor is brought into a non-contact state. It is characterized in that the intensity is detected.

【0014】さらに、本発明は、前記電界検出センサ
の、前記リード肩部と近接する電界ガイドのための、金
属先端面が、少なくとも前記電界検出センサの、前記リ
ードの配列方向への、被検査対象半導体パッケージの一
リード幅に相当する量の移動範囲において、前記検査対
象リードとこれに隣接する前記リードの肩部に対する対
向面積が略一定である形状を有していることを特徴とす
る。
Further, according to the present invention, it is preferable that a metal tip surface of the electric field detection sensor for an electric field guide close to the lead shoulder is to be inspected at least in the direction in which the leads of the electric field detection sensor are arranged. In the moving range of the amount corresponding to one lead width of the target semiconductor package, the inspection target lead has a shape in which the area facing the shoulder of the lead adjacent thereto is substantially constant.

【0015】そして、本発明は、前記電界検出センサ
が、前記リード肩部に対して所定の空間ギャップを保ち
所定の走査方向に沿って移動制御されるようにしたこと
を特徴とする。
The present invention is characterized in that the electric field detection sensor is controlled to move along a predetermined scanning direction while maintaining a predetermined space gap with respect to the lead shoulder.

【0016】また、本発明は、前記電界検出センサの出
力を信号処理手段を用いて予め定めた所定のサンプリン
グ周期で取り込み信号処理する際に、被検査半導体パッ
ケージの一リード幅に相当するデータ数を加算平均の最
大単位として平均化処理したのち、前記平均化処理後の
電界強度のレベルを予め定めた所定の値と比較判定し、
前記リードと前記回路基板上のパッドとの半田接続状態
及び隣接リードとのショートを検出することを特徴とす
る。
Further, according to the present invention, when the output of the electric field detection sensor is fetched at a predetermined sampling cycle using a signal processing means and subjected to signal processing, the data number corresponding to one lead width of the semiconductor package to be inspected is obtained. After performing the averaging process as the maximum unit of the addition and averaging, the level of the electric field intensity after the averaging process is compared with a predetermined value to determine and determine,
It is characterized in that a solder connection state between the lead and a pad on the circuit board and a short circuit between an adjacent lead are detected.

【0017】また、本発明は、回路基板上に実装され
た、少なくともリードを有する半導体パッケージを含む
電子部品の半田接続を検査する装置において、前記リー
ドが半田接続されるべき前記回路基板上のパッド部に位
置決めされて当接されるプローブと、前記プローブを介
して前記パッド部に信号を印加するための信号発生器
と、前記プローブで信号が印加されるべきリード及び隣
接リードの半田接続側とは離間して位置する所定の領域
の近傍に予め定めた所定の空間ギャップを介して配設さ
れ電界強度の総和を検出する電界検出センサと、前記電
界検出センサの出力を入力し前記リードの前記所定の領
域における電界強度の検出信号の処理を行う信号処理手
段と、を備え、前記電界強度のレベルを予め定めた所定
の値と比較判定し、前記リードと前記回路基板上のパッ
ドとの半田接続状態及び隣接リードとのショートを検出
することを特徴とする電子部品の半田接続検査装置を提
供する。
According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for inspecting a solder connection of an electronic component including a semiconductor package having at least a lead mounted on a circuit board, the pad on the circuit board to which the lead is to be solder-connected. A probe positioned and abutted on the portion, a signal generator for applying a signal to the pad portion via the probe, and a solder connection side of a lead to which a signal is to be applied by the probe and an adjacent lead. An electric field detection sensor that is disposed in the vicinity of a predetermined area that is spaced apart through a predetermined space gap and that detects a sum of electric field strengths, and receives an output of the electric field detection sensor and receives the output of the electric field detection sensor. Signal processing means for processing the detection signal of the electric field strength in a predetermined area, and compares and determines the level of the electric field strength with a predetermined value, Providing a solder connection test apparatus for electronic components, characterized by detecting a short-circuit between the solder connection state and the adjacent leads of said lead circuit pads on the substrate.

【0018】本発明によれば、信号を印加するためのプ
ローブは回路基板のパッドのみに当接し、電気光学効果
を利用して電界を検出するEOセンサを用いてQFP等
の半導体パッケージのリード部の電界強度を測定し、非
接触方式で半田の接続状態を検査するようにしたことに
より、リードに与える損傷(ダメージ)を与えることな
く、確実に半田の未接続状態を検出することができる。
また、本発明によれば、接触式の検査で必要とされるソ
フトタッチのプロービング動作が不要とされるため(本
発明ではEOセンサはリード部と非接触とされる)、高
信頼性、高速、及び高効率な検査を可能とする。
According to the present invention, a probe for applying a signal abuts only on a pad of a circuit board, and uses an EO sensor for detecting an electric field using an electro-optic effect, thereby using a lead portion of a semiconductor package such as a QFP. By measuring the electric field strength and inspecting the connection state of the solder in a non-contact manner, the unconnected state of the solder can be reliably detected without causing damage to the leads.
Further, according to the present invention, since the probing operation of the soft touch required in the contact-type inspection is not required (the EO sensor is not in contact with the lead portion in the present invention), high reliability and high speed are achieved. , And enables highly efficient inspection.

【0019】さらに、本発明によれば、EOセンサの先
端金属の形状を工夫することにより、検査対象リードに
加え、これに隣接するリードに誘起される電界も同時に
測定することができ、得られた電界強度の総和を予め設
定した所定の出力と比較することにより、検査対象リー
ドと隣接リードとのオープンとショートを1度の測定で
検査することができる。
Further, according to the present invention, by devising the shape of the tip metal of the EO sensor, it is possible to simultaneously measure not only the lead to be inspected but also the electric field induced in the lead adjacent thereto. By comparing the sum of the obtained electric field strengths with a predetermined output set in advance, open and short between the lead to be inspected and the adjacent lead can be inspected by one measurement.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して以下に詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0021】図1は、本発明の実施形態に係る電子部品
の半田接続検査方法の概要を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining an outline of a solder connection inspection method for an electronic component according to an embodiment of the present invention.

【0022】図1を参照して、本実施形態においては、
回路基板1上に実装された半導体パッケージ2のリード
4の中で半田接続部11とは離れた樹脂モールド3側の
リード肩部5に近接して電界強度を検出するEOセンサ
7を配置し、リード4が半田接続されるべき回路基板1
上のパッド6部にプローブ8を当接して信号源9から電
圧を印加し、EOセンサ7でリード肩部5の電界強度を
検出し、EOセンサ7の出力を入力する信号処理部10
で信号レベルの大きさにより、リード4と回路基板1上
のパッド6との半田接続状態及び隣接リードとのショー
トを検査する。
Referring to FIG. 1, in the present embodiment,
An EO sensor 7 for detecting an electric field intensity is arranged in the lead 4 of the semiconductor package 2 mounted on the circuit board 1 and close to the lead shoulder 5 on the side of the resin mold 3 distant from the solder connection portion 11. Circuit board 1 to which lead 4 is to be connected by soldering
A signal is applied from a signal source 9 by contacting a probe 8 to the upper pad 6, a signal processing unit 10 for detecting the electric field strength of the lead shoulder 5 with an EO sensor 7 and inputting the output of the EO sensor 7.
Then, according to the magnitude of the signal level, the state of the solder connection between the lead 4 and the pad 6 on the circuit board 1 and the short-circuit with the adjacent lead are inspected.

【0023】図2は、図1に示したEOセンサ7の構成
の一例を模式的に示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing an example of the configuration of the EO sensor 7 shown in FIG.

【0024】図2を参照して、EOセンサ7は、光源と
してのレーザ21と、戻り光を除去するアイソレータ2
2と、レーザ光のS成分を100%反射すると共にP成
分はその一部を透過させる偏光ビームスプリッタ23
と、レーザ光を集光する第1の集光レンズ24と、電界
中に置かれると電気光学効果によりその屈折率が変化す
る電気光学素子(EO素子)25と、被測定物に近接し
て配設された電界を電気光学素子25に導く金属体26
と、電気光学素子25の金属体26側の端面で反射し電
気光学素子25中で偏光変化を受けて偏光ビームスプリ
ッタ23で反射されたレーザ光をP、S成分に分光する
ウォラストンプリズム27と、ウォラストンプリズム2
7で分光されたP、S2つのレーザ光を集光する第2の
集光レンズ28と、集光された2つのレーザ光を受光し
光量を電流に変換する2チャンネルのフォトディテクタ
29と、から構成されている。
Referring to FIG. 2, EO sensor 7 includes a laser 21 as a light source and an isolator 2 for removing return light.
2, a polarization beam splitter 23 that reflects 100% of the S component of the laser beam and transmits part of the P component.
A first condenser lens 24 for condensing the laser beam, an electro-optical element (EO element) 25 whose refractive index changes by an electro-optical effect when placed in an electric field, and a Metal body 26 for guiding the arranged electric field to electro-optical element 25
And a Wollaston prism 27 that reflects the laser light reflected by the end face of the electro-optical element 25 on the metal body 26 side, undergoes a polarization change in the electro-optical element 25, and is reflected by the polarization beam splitter 23 into P and S components. , Wollaston prism 2
A second condenser lens 28 for condensing the two laser beams P and S split at 7 and a two-channel photodetector 29 for receiving the two converged laser beams and converting the amount of light into a current. Have been.

【0025】電界強度の変化に伴って、P、S成分の2
つのレーザ光強度が変化するため、両者の光強度の差を
検出することにより、被測定物の電位状態を測定でき
る。
With the change in the electric field strength, the P and S components
Since the two laser light intensities change, the potential state of the DUT can be measured by detecting the difference between the two light intensities.

【0026】図1を参照して、リード肩部5の電位によ
り生じる電界強度は、パッド6とリード4が接続されて
いる場合は一定レベル以上の電界強度を示すが、未接続
の場合はその電界強度はゼロレベルとなるため、検出さ
れた電界強度からリード4の半田接続状態を検査するこ
とができる。
Referring to FIG. 1, the electric field intensity generated by the potential of the lead shoulder 5 shows an electric field intensity of a certain level or more when the pad 6 and the lead 4 are connected. Since the electric field intensity is at the zero level, the solder connection state of the lead 4 can be inspected from the detected electric field intensity.

【0027】また、電界強度は、リード肩部5からのE
Oセンサ7の距離、すなわち空間ギャップの大きさに依
存して指数関数的に減少するが、予め定めたしきい値を
基準として検出レベルとの比較により半田接続の良否判
定を行うために、EOセンサ7の検出感度内で許容し得
る空間ギャップが設けられる。
Further, the electric field strength is determined by the E from the lead shoulder 5.
Although it decreases exponentially depending on the distance of the O sensor 7, that is, the size of the space gap, it is necessary to compare the detection level with the detection level based on a predetermined threshold value to determine the quality of the solder connection. A space gap that is acceptable within the detection sensitivity of the sensor 7 is provided.

【0028】すなわち、EOセンサを用いることによ
り、非接触方式による半田接続の検査が可能とされる。
特に、半田の未接続を検出するためには、リード肩部5
へのEOセンサ7の接触は極力避けた方が良い。本実施
形態は、このように、非接触方式で半田の接続状態(良
/不良)を検出することを特徴としており、リードに対
する損傷(ダメージ)の発生が回避され、確実に半田の
未接続状態を検出することができ、高信頼性、高速及び
高効率な検査を実現するという作用効果を有する。
That is, by using the EO sensor, it is possible to inspect the solder connection by the non-contact method.
In particular, in order to detect unconnected solder, the lead shoulder 5
It is better to avoid contact of the EO sensor 7 with the EO sensor as much as possible. The present embodiment is characterized in that the connection state (good / defective) of the solder is detected in a non-contact manner as described above, so that damage (damage) to the lead is avoided, and the unconnected state of the solder is surely achieved. Can be detected, and an operation and effect of realizing high-reliability, high-speed and high-efficiency inspection can be achieved.

【0029】図3は、図1に示した実施形態に係る電子
部品の半田接続検査方法のプローブ走査方法を説明する
ための斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view for explaining the probe scanning method of the electronic component solder connection inspection method according to the embodiment shown in FIG.

【0030】図3を参照して、回路基板上の1本のパッ
ド部6にプローブ8で信号源9からの電圧を印加し、電
圧の印加されるべきリード4及び隣接リード4′のリー
ド肩部5、5′に近傍に配設されたEOプローブ7で、
2つのリード4、4′に誘起される電界の総和をEOセ
ンサ7の先端に取り付けた金属体26を介して測定す
る。EOプローブ7は、その金属体26の先端がリード
肩部5、5′に対して、所定の空間ギャップを保って走
査方向30に定速移動されるが、このEOプローブ7の
移動に同期して信号供給用のプローブ8も走査方向30
に垂直プロービング動作を繰り返しながら定速移動され
る。
Referring to FIG. 3, a probe 8 applies a voltage from a signal source 9 to one pad portion 6 on a circuit board, and a lead shoulder to which a voltage is to be applied and a lead shoulder of an adjacent lead 4 '. With the EO probe 7 arranged near the parts 5, 5 ',
The sum of the electric fields induced in the two leads 4 and 4 ′ is measured via the metal body 26 attached to the tip of the EO sensor 7. The tip of the metal body 26 is moved at a constant speed in the scanning direction 30 with a predetermined space gap with respect to the lead shoulders 5 and 5 ', and the EO probe 7 is synchronized with the movement of the EO probe 7. The probe 8 for signal supply is also in the scanning direction 30.
Is moved at a constant speed while repeating the vertical probing operation.

【0031】図4(A)、図4(B)は、図3に示した
電子部品の半田接続検査方法の電界強度の検出方法につ
いて説明するための図である。
FIGS. 4A and 4B are views for explaining a method of detecting the electric field strength in the solder connection inspection method for the electronic component shown in FIG.

【0032】図4(A)は、検査対象リードが回路基板
上のパッドに正常に半田接続された場合を、また、図4
(B)は、隣接リードとのショートがあった場合をそれ
ぞれ模式的に表している。
FIG. 4A shows the case where the lead to be inspected is normally soldered to the pad on the circuit board.
(B) schematically shows a case where there is a short circuit with an adjacent lead.

【0033】図4(A)を参照して、金属体26の上面
に設置された端面を透明電極33で接地した電気光学結
晶25内には、信号源9から回路基板上のパッドを介し
て信号が印加された検査対象リードのリード肩部5と、
リード肩部5に対向するEOセンサの金属体26と、の
間に発生する電界31に比例した強度の電界32が誘起
される。
Referring to FIG. 4 (A), an electro-optic crystal 25 whose end face provided on the upper surface of metal body 26 is grounded by transparent electrode 33 from signal source 9 via a pad on a circuit board. A lead shoulder 5 of the lead to be inspected to which the signal has been applied;
An electric field 32 having an intensity proportional to an electric field 31 generated between the metal body 26 of the EO sensor and the lead shoulder 5 is induced.

【0034】一方、図4(B)を参照して、検査対象リ
ードが隣接リードとショートしていた場合には、金属体
26と、これと対向する2つのリード肩部5、5′との
間に、対向する面積に比例した電界31、31′が発生
し、電気光学結晶25内にも図4(A)に比べ、強度が
約2倍の電界32′が誘起される。
On the other hand, referring to FIG. 4B, when the lead to be inspected is short-circuited with the adjacent lead, the metal body 26 and the two lead shoulders 5 and 5 'opposed thereto are connected. In between, electric fields 31 and 31 ′ are generated in proportion to the facing areas, and an electric field 32 ′ having an intensity approximately twice that in FIG. 4A is induced in the electro-optic crystal 25.

【0035】従って、検査対象リードに加え隣接リード
に誘起される電界も合わせて同時に測定することによ
り、測定した電界強度から、検査対象リードと回路基板
上のパッドとの半田接続状態に加え、検査対象リードと
隣接リードとのショートも同時に判別することができ
る。
Therefore, by simultaneously measuring the electric field induced in the adjacent lead in addition to the lead to be inspected, the measured electric field strength is used to determine the solder connection between the lead to be inspected and the pad on the circuit board. A short between the target lead and the adjacent lead can be determined at the same time.

【0036】図5は、図4に示した金属体26の先端形
状について説明するための平面図である。
FIG. 5 is a plan view for explaining the tip shape of the metal body 26 shown in FIG.

【0037】図5を参照して、検査対象リード4及びそ
の隣接するリード4′のリード肩部5に対向して、金属
体26が設置されている。検査対象リード4の回路基板
側パッド6にはプローブ8が当接されており、プローブ
8は金属体26に同期して走査方向30に定速移動され
る。プローブ8がパッド6に当接している間、信号源か
ら検査対象リード4に信号が供給されることになる。
Referring to FIG. 5, a metal body 26 is provided so as to face the lead 4 to be inspected and the lead shoulder 5 of the adjacent lead 4 '. The probe 8 is in contact with the circuit board-side pad 6 of the lead 4 to be inspected, and the probe 8 is moved at a constant speed in the scanning direction 30 in synchronization with the metal body 26. While the probe 8 is in contact with the pad 6, a signal is supplied from the signal source to the lead 4 to be inspected.

【0038】実際の測定においては、プローブ8が当接
している間、予め定めた所定のサンプリング周期でEO
センサで検出した電界強度に比例した信号を取り込み、
信号処理部10(図1参照)にて所定の信号処理を行
う。
In the actual measurement, while the probe 8 is in contact, the EO is performed at a predetermined sampling cycle.
It takes in a signal proportional to the electric field strength detected by the sensor,
The signal processing unit 10 (see FIG. 1) performs predetermined signal processing.

【0039】一般に、EOセンサの出力信号は、レーザ
光源や電気回路のノイズ成分を含んでおり、信号処理に
おいて、S/N比(信号対雑音比)を改善するために平
均化処理等を行う。
Generally, the output signal of the EO sensor includes a noise component of a laser light source or an electric circuit, and performs an averaging process or the like in the signal processing to improve the S / N ratio (signal-to-noise ratio). .

【0040】このため、EOセンサの検出感度は、プロ
ーブ8が当接している間一定であることが望ましく、こ
れは、金属体26とリード肩部5との対向面積が一定で
あることを要求している。
For this reason, it is desirable that the detection sensitivity of the EO sensor be constant while the probe 8 is in contact with the EO sensor. This requires that the facing area between the metal body 26 and the lead shoulder 5 be constant. doing.

【0041】図5に示す本実施形態においては、金属体
26の先端部の平面形状が矩形型の形状を有し、かつ、
金属体26の走査方向30に少なくとも被検査リード4
のリード幅に相当する長さの余裕を有しており、このた
め、被検査リード4にプローブ8が当接している間、一
定の検出感度を保証することができる。すなわち、EO
センサの金属体26先端は、リードの配列方向(走査方
向30)への検査対象半導体パッケージの一リード幅に
相当する量の移動範囲において、検査対象リード4とこ
れに隣接するリード4′の肩部に対する対向面積が一定
とされる形状(図では走査方向30が長辺)とされてい
る。
In the present embodiment shown in FIG. 5, the planar shape of the tip of the metal body 26 has a rectangular shape, and
In the scanning direction 30 of the metal body 26, at least the lead 4 to be inspected
Therefore, a certain detection sensitivity can be assured while the probe 8 is in contact with the lead 4 to be inspected. That is, EO
The tip of the metal body 26 of the sensor is located on the shoulder of the lead 4 to be inspected and the lead 4 'adjacent to the lead 4 in an amount of movement corresponding to one lead width of the semiconductor package to be inspected in the lead arrangement direction (scanning direction 30). The shape is such that the area facing the portion is constant (the scanning direction 30 is a long side in the figure).

【0042】信号処理部10では、EOセンサ7の出力
信号について、半導体パッケージの一リード幅に相当す
るデータ数を加算平均の最大単位として平均化処理した
のち、この平均化処理後の電界強度レベルを予め定めた
所定の値と比較判定する。
The signal processing section 10 averages the output signal of the EO sensor 7 using the number of data corresponding to one lead width of the semiconductor package as the maximum unit of addition and averaging, and then performs the electric field intensity level after this averaging processing. Is compared with a predetermined value.

【0043】なお、半導体パッケージは、品種により、
ピッチやリード幅が異なるため、実用的には、ピッチ+
リード幅が最大の製品に合わせて、金属体26の形状を
設定することにより、その他の製品に対しても、同一の
金属体26で対応できることになる。
The semiconductor package depends on the product type.
Since the pitch and lead width are different, practically the pitch +
By setting the shape of the metal body 26 according to the product having the largest lead width, the same metal body 26 can be used for other products.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子部品
の半田接続検査方法及び装置は、従来の4端子法による
半田接続検査方法が接触式であるのに対して、EOセン
サを用いて半導体パッケージのリード電圧を非接触で測
定するようにしたことにより、リードに対する損傷(ダ
メージ)を与えることなく、確実に半田の未接続状態を
検出できる上、接触式の検査で必要なソフトタッチのプ
ロービング動作が不要とされるため、高信頼性で且つ高
速に検査を行うことができるという効果を有する。
As described above, the method and apparatus for inspecting the solder connection of an electronic component according to the present invention employs an EO sensor while the conventional solder connection inspection method using a four-terminal method is a contact type. By measuring the lead voltage of the semiconductor package in a non-contact manner, it is possible to reliably detect the unconnected state of the solder without damaging the lead, and to detect the soft touch required for the contact-type inspection. Since the probing operation is not required, there is an effect that the inspection can be performed with high reliability and at high speed.

【0045】さらに、本発明によれば、EOセンサの先
端金属の形状を工夫したことにより、検査対象リードに
加え、この検査対象リードに隣接するリードに誘起され
る電界も同時に測定することができ、得られた電界強度
の総和を予め設定した所定の出力と比較することによ
り、オープンとショートを1度の測定で検査することが
できる。
Further, according to the present invention, by devising the shape of the tip metal of the EO sensor, it is possible to simultaneously measure not only the lead to be inspected but also the electric field induced in the lead adjacent to the lead to be inspected. By comparing the sum of the obtained electric field intensities with a predetermined output set in advance, open and short can be inspected by one measurement.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を説明するための図であ
る。
FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施形態におけるEOセンサの構成
を説明するための断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an EO sensor according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施形態を説明するための斜視図で
ある。
FIG. 3 is a perspective view for explaining an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施形態を説明するための図であ
る。(A)は検査対象リードが回路基板上のパッドに正
常に半田接続された場合の電界の様子を模式的に示し、
(B)は隣接リードとショートがあった場合の電界の様
子を模式的に示している。
FIG. 4 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention. (A) schematically shows a state of an electric field when a lead to be inspected is normally soldered to a pad on a circuit board,
(B) schematically shows the state of the electric field when there is a short circuit with an adjacent lead.

【図5】本発明の一実施形態を説明するための平面図で
ある。
FIG. 5 is a plan view for explaining an embodiment of the present invention.

【図6】従来例を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、50 回路基板 2、51 半導体PKG 3、52 樹脂モールド 4、4′、4″、53 リード 5、5′、5″、54 リード肩部 6、55 パッド 7 EOセンサ 8、56、56′ プローブ 9 信号源 10 信号処理部 21 レーザ 22 アイソレータ 23 偏光ビームスプリッタ 24 第1の集光レンズ 25 電気光学素子 26 金属体 27 ウォラストンプリズム 28 第2の集光レンズ 29 フォトディテクタ 30 走査方向 31、31′、32、32′ 電界 33 透明電極 57 電流計 58 電圧計 1, 50 Circuit board 2, 51 Semiconductor PKG 3, 52 Resin mold 4, 4 ', 4 ", 53 Lead 5, 5', 5", 54 Lead shoulder 6, 55 Pad 7 EO sensor 8, 56, 56 ' Probe 9 Signal source 10 Signal processing unit 21 Laser 22 Isolator 23 Polarizing beam splitter 24 First condenser lens 25 Electro-optical element 26 Metal body 27 Wollaston prism 28 Second condenser lens 29 Photodetector 30 Scanning direction 31, 31 ′ , 32, 32 'Electric field 33 Transparent electrode 57 Ammeter 58 Voltmeter

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】回路基板上に実装された、少なくとも半導
体パッケージを含む電子部品のリードの半田接続を検査
する方法において、 前記リードが半田接続されるべき前記回路基板上のパッ
ド部にプローブを当接して信号を印加し、 前記リードとこれに隣接するリードに誘起される電界の
総和を、前記リードの、半田接続側とは離間して位置す
る、所定の領域に近接して配設した、電界検出センサに
て測定し、 測定された電界強度から、前記リードのオープンと、
記リードに隣接するリードとのショートを識別する
ことを特徴とする電子部品の半田接続検査方法。
1. A method for inspecting a solder connection of a lead of an electronic component including at least a semiconductor package mounted on a circuit board, wherein a probe is applied to a pad portion on the circuit board to which the lead is to be solder-connected. A signal is applied in contact with the lead, and the sum of the electric fields induced in the lead and the lead adjacent thereto is arranged close to a predetermined area of the lead, which is located apart from the solder connection side. measured by the electric field detecting sensor, the measured field strength, and open the lead, before
Identifying a short with a lead adjacent to the lead ,
A method for inspecting solder connection of an electronic component, comprising:
【請求項2】前記電界検出センサが近接して配設される
前記リードの所定の領域が、前記リードの肩部であるこ
とを特徴とする請求項1記載の電子部品の半田接続検査
方法。
2. The method according to claim 1, wherein the predetermined area of the lead where the electric field detection sensor is disposed in proximity is a shoulder of the lead.
【請求項3】前記電界検出センサが、前記リード肩部に
対して、その検出感度が確保される範囲内の空間ギャッ
プを介して配置され、非接触状態にて電界強度を検出す
るようにしたことを特徴とする請求項2記載の電子部品
の半田接続検査方法。
3. The electric field detection sensor is disposed with respect to the lead shoulder via a space gap within a range where the detection sensitivity is ensured, and detects electric field intensity in a non-contact state. 3. The method for inspecting solder connection of an electronic component according to claim 2, wherein:
【請求項4】前記電界検出センサの、前記リード肩部と
近接する電界ガイドのための、金属先端面が、少なくと
も前記電界検出センサの、前記リードの配列方向への、
被検査対象半導体パッケージの一リード幅に相当する量
の移動範囲において、前記検査対象リード及び隣接する
リードの肩部に対する対向面積が略一定とされる形状を
有していることを特徴とする請求項3記載の電子部品の
半田接続検査方法。
4. The electric field detection sensor according to claim 1, wherein a metal tip surface for an electric field guide proximate to the lead shoulder is provided at least in a direction in which the electric field detection sensor is arranged with the leads.
The semiconductor package to be inspected has a shape in which the area of the semiconductor package to be inspected and the area of opposition to the shoulders of the adjacent leads are substantially constant in a movement range corresponding to one lead width. Item 3. The method for inspecting solder connection of an electronic component according to Item 3.
【請求項5】前記電界検出センサが、前記リード肩部に
対して所定の空間ギャップを保ち所定の走査方向に沿っ
て移動制御されるようにしたことを特徴とする請求項4
記載の電子部品の半田接続検査方法。
5. The apparatus according to claim 4, wherein said electric field detection sensor is controlled to move along a predetermined scanning direction while maintaining a predetermined space gap with respect to said lead shoulder.
The method for inspecting solder connection of electronic components described in the above.
【請求項6】前記電界検出センサの出力を信号処理手段
を用いて予め定めた所定のサンプリング周期で取り込み
信号処理する際に、被検査半導体パッケージの一リード
幅に相当するデータ数を加算平均の最大単位として平均
化処理したのち、 前記平均化処理後の電界強度のレベルを予め定めた所定
の値と比較判定し、前記リードと前記回路基板上のパッ
ドとの半田接続状態、及び少なくとも隣接リードとのシ
ョートを検出することを特徴とする請求項5記載の電子
部品の半田接続検査方法。
6. When the output of the electric field detection sensor is fetched at a predetermined sampling cycle using a signal processing means and subjected to signal processing, the number of data corresponding to one lead width of the semiconductor package to be inspected is averaged. After averaging as the maximum unit, the level of the electric field strength after the averaging is compared with a predetermined value, and the solder connection state between the lead and the pad on the circuit board, and at least the adjacent lead 6. The method for inspecting solder connection of an electronic component according to claim 5, wherein a short circuit with the electronic component is detected.
【請求項7】前記電界検出センサが、電気光学効果によ
り電界強度を検出することを特徴とする請求項1から請
求項6のいずれか一に記載の半田接続検査方法。
7. The solder connection inspection method according to claim 1, wherein said electric field detection sensor detects an electric field intensity by an electro-optic effect.
【請求項8】前記プローブから前記パッド部に電圧を印
加することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれ
か一に記載の半田接続検査方法。
8. The method according to claim 1, wherein a voltage is applied from the probe to the pad portion.
【請求項9】回路基板上に実装された、少なくともリー
ドを有する半導体パッケージを含む電子部品の半田接続
を検査する装置において、 前記リードが半田接続されるべき前記回路基板上のパッ
ド部に位置決めされて当接されるプローブと、 前記プローブを介して前記パッド部に信号を印加するた
めの信号発生器と、 前記プローブで信号が印加されるべきリード及び隣接リ
ードの半田接続側とは離間して位置する所定の領域の近
傍に予め定めた所定の空間ギャップを介して配設され電
界強度の総和を検出する電界検出センサと、 前記電界検出センサの出力を入力し前記リードの前記所
定の領域における電界強度の検出信号の処理を行う信号
処理手段と、 を備え、 前記電界強度のレベルを予め定めた所定の値と比較判定
し、前記リードと前記回路基板上のパッドとの半田接続
状態、及び少なくとも隣接リードとのショートを検出す
ることを特徴とする電子部品の半田接続検査装置。
9. An apparatus for inspecting a solder connection of an electronic component including a semiconductor package having at least a lead mounted on a circuit board, wherein the lead is positioned at a pad portion on the circuit board to be solder-connected. A probe for applying a signal to the pad portion via the probe; and a lead to which a signal is to be applied by the probe and a solder connection side of an adjacent lead. An electric field detection sensor that is arranged in the vicinity of a predetermined area located through a predetermined space gap that is predetermined and detects the sum of electric field strengths; Signal processing means for processing the detection signal of the electric field strength, and comparing and determining the level of the electric field strength with a predetermined value, Solder connection between the pads on the circuit board, and solder connection test apparatus for electronic components, characterized by detecting a short circuit between at least the adjacent lead.
【請求項10】前記電界検出センサを前記電子部品の
ードの長手方向に直交する方向に前記リードの肩部に対
して所定の空間ギャップを保って移動させる手段を備え
たことを特徴とする請求項9記載の半田接続検査装置。
Wherein said electric field detecting sensor the electronic component Li
Solder connection test device according to claim 9, characterized in that it comprises means Before moving with a predetermined space gap against the shoulder portion of the lead in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the over-de.
【請求項11】前記電界検出センサが、電気光学効果を
有する素子を含むEOセンサからなることを特徴とする
請求項9記載の半田接続検査装置。
11. An apparatus according to claim 9, wherein said electric field detection sensor comprises an EO sensor including an element having an electro-optic effect.
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