KR101376841B1 - Substrate inspection apparatus and substrate inspection method - Google Patents

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Abstract

과제assignment

액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이용의 전극판에 이용되는 유리 기판과 같은 기판의 배선을 검사하는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법의 제공.Providing the board | substrate test | inspection apparatus and board | substrate test | inspection method which test wiring of board | substrates, such as a glass substrate used for the electrode plate for liquid crystal displays or a plasma display.

해결 수단Solution

제 1 선형상부와 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 장치로서, 검사 대상의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치됨과 함께 인가되는 신호를 검출하는 신호 검출 수단과, 제 1 배선 패턴의 제 1 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 1 전극부와, 제 2 배선 패턴의 제 2 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 2 전극부와, 제 1 전극부와 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하는 급전 수단과, 신호 검출 수단의 검출 신호로부터, 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 행하는 제 1 검파 수단과, 검출 신호로부터 기준 신호를 기초로 동기 검파를 행하는 제 2 검파 수단과, 제 1 검파 수단의 제 1 결과와 제 2 검파 수단의 제 2 결과로부터 배선 패턴의 도통 판정 및 단락 판정을 행하는 것을 특징으로 한다.A first wiring pattern having a first base portion extending from one end of the first linear upper portion and the first linear upper portion, and a second base portion extending from one end of the second linear upper portion and the second linear upper portion; A substrate inspection apparatus for inspecting a substrate in which a plurality of second wiring patterns disposed alternately with one wiring pattern are alternately formed, comprising: signal detecting means for detecting a signal that is physically non-contacted to the wiring pattern to be inspected and applied; A first electrode portion disposed in physical contact with the first base portion of the first wiring pattern, a second electrode portion disposed in physical contact with the second base portion of the second wiring pattern, and a first electrode portion; Phase detection of a predetermined phase is performed based on the reference signal from the power supply means for supplying a reference signal having a predetermined period to the second electrode portion and the detection signal of the signal detection means. The conduction determination and the short circuit determination of the wiring pattern from the first detection means, the second detection means for performing synchronous detection based on the reference signal from the detection signal, and the first result of the first detection means and the second result of the second detection means. It is characterized by performing.

기판 검사 장치, 기판 검사 방법 Board inspection apparatus, board inspection method

Description

기판 검사 장치 및 기판 검사 방법{SUBSTRATE INSPECTION APPARATUS AND SUBSTRATE INSPECTION METHOD}Substrate inspection device and substrate inspection method {SUBSTRATE INSPECTION APPARATUS AND SUBSTRATE INSPECTION METHOD}

도 1은 본 발명의 기판 검사 장치에서 검사 대상이 되는 피검사 기판의 개략 평면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic plan view of the board | substrate to test which is a test | inspection object in the board | substrate inspection apparatus of this invention.

도 2는 본 발명에 관한 한 실시 형태의 기판 검사 장치와 기판과의 관계를 도시하는 개략 블록도.2 is a schematic block diagram showing a relationship between a substrate inspection device and a substrate according to the embodiment of the present invention.

도 3은 기판과 이 기판에 배치된 기판 검사 장치와 신호의 송수신을 도시하는 개략도.3 is a schematic diagram showing transmission and reception of a signal with a substrate and a substrate inspection apparatus disposed on the substrate.

도 4는 도 3에서 도시된 기판과 기판 검사 장치의 전기적인 위치 관계를 도시하는 개략도.4 is a schematic diagram showing the electrical positional relationship between the substrate and the substrate inspection apparatus shown in FIG. 3;

도 5는 위상량 산출 수단이 행하는 위상량을 산출한 공정을 도시하는 도면.5 is a diagram illustrating a step of calculating a phase amount performed by the phase amount calculating means.

도 6은 제 1 검파 수단에 의해 산출된 3종류의 배선 패턴으로부터 산출된 신호의 파형을 도시하는 도면.Fig. 6 is a diagram showing waveforms of signals calculated from three kinds of wiring patterns calculated by the first detecting means.

도 7은 제 2 검파 수단에 의해 산출된 3종류의 배선 패턴으로부터 산출된 신호의 파형을 도시하는 도면.FIG. 7 is a diagram showing waveforms of signals calculated from three types of wiring patterns calculated by the second detection means. FIG.

도 8은 제 1 결과와 제 2 결과를 벡터 표시한 한 실시예.8 is an embodiment in which the first result and the second result are vector displayed.

도 9는 본 발명에 관한 한 실시 형태의 기판 검사 장치를 실시한 경우의 플 로우 차트.9 is a flow chart in the case where the substrate inspection apparatus according to the embodiment of the present invention is implemented.

도 10은 본 발명을 이용하여 복수로 병설되는 배선 패턴을 검사한 경우의 제 1 결과와 제 2 결과를 도시하는 그래프.10 is a graph showing a first result and a second result when a plurality of wiring patterns arranged in parallel using the present invention are inspected.

도 11은 본 발명을 이용하여 복수 병설되는 배선 패턴을 검사한 경우의 제 1 결과와 제 2 결과를 도시하는 그래프.11 is a graph showing a first result and a second result when a plurality of wiring patterns provided in parallel using the present invention are inspected.

도 12는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 개략을 도시하는 사시도.12 is a perspective view illustrating an outline of a structure of a plasma display panel.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS (S)

1 : 기판 검사 장치1: substrate inspection device

2 : 신호 검출 수단2: signal detection means

31 : 제 1 검파 수단31: first detection means

32 : 제 2 검파 수단32: second detection means

4 : 급전 수단4: power supply means

51 : 제 1 전극부51: first electrode portion

52 : 제 2 전극부52: second electrode portion

6 : 판정 수단6: determination means

61 : 제 1 판정 수단61: first determining means

62 : 제 2 판정 수단62: second determination means

기술 분야Technical field

본 발명은, 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 플라즈마 디스플레이의 전극판에 이용되는 유리 기판과 같은 기판의 배선을 검사하는 기판 검사 장치 및 기판 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method, and more particularly, to a substrate inspection apparatus and a substrate inspection method for inspecting wiring of a substrate such as a glass substrate used for an electrode plate of a plasma display.

배경 기술Background technology

종래, 프린트 배선 기판, 플라즈마 디스플레이 패널이나 액정 패널용의 유리 기판 등에 형성되는 배선 패턴의 미세화에 수반하여, 배선 패턴과 검사용 프로브를 물리적으로 이간한 상태에서 검사를 행하거나, 절연막으로 검사용 프로브의 전극 표면을 덮거나 함에 의해, 미세한 배선 패턴에 흠집이 생기지 않도록 한 비접촉의 검사용 프로브를 이용하여 배선 패턴의 도통을 검사하는 기판 검사 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).Conventionally, with the miniaturization of the wiring pattern formed in a printed wiring board, a plasma display panel, a glass substrate for liquid crystal panels, etc., inspection is performed in the state which physically separated a wiring pattern and an inspection probe, or an inspection probe with an insulating film. The board | substrate test | inspection apparatus which inspects the conduction of a wiring pattern using the non-contact inspection probe which prevented a damage to a fine wiring pattern by covering the electrode surface of (for example, refer patent document 1).

상술한 기판 검사 장치에서는, 검사용 프로브로서 절연막으로 덮인 전극을 2개 이용하고, 이 한쪽의 전극을 검사 대상의 배선 패턴의 일단부에 대향하도록 배치하고, 다른쪽의 전극을 당해 배선 패턴의 타단부에 대향하도록 배치하고, 이 전극을 덮는 절연막을 끼우고 서로 대향하는 전극과 배선 패턴에 의해 형성되는 콘덴서의 성분에 의해, 전극과 배선 패턴을 정전(靜電) 결합시키도록 하고 있다. 그리고, 한쪽의 전극으로부터 그 배선 패턴에 검사용 신호를 주입함과 함께, 다른쪽의 전극으로부터 그 배선 패턴의 타단부에서 신호를 검출함에 의해, 그 검출한 신호의 레벨에 의거하여 배선 패턴의 도통을 검사하도록 되어 있다.In the above-described substrate inspection apparatus, two electrodes covered with an insulating film are used as inspection probes, and one electrode is disposed so as to face one end of the wiring pattern to be inspected, and the other electrode is placed on the other end of the wiring pattern. It arrange | positions so that it may face an edge part, the electrode and wiring pattern are electrostatically couple | bonded by the component of the capacitor formed by the electrode and wiring pattern which mutually oppose the insulating film which covers this electrode. Then, the test signal is injected from the one electrode to the wiring pattern, and the signal is detected at the other end of the wiring pattern from the other electrode, thereby conducting the wiring pattern based on the detected signal level. It is supposed to check.

또한, 기판의 한 예인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를, 이하에 나타낸 다. 도 12는 플라즈마 디스플레이 패널의 구조의 개략을 도시하는 사시도이다. 도 12에 도시하는 플라즈마 디스플레이 패널은, 전면판(901)과 배면판(902)을 구비하고 있다. 그리고, 전면판(901)은, 예를 들면, 유리 기재(基材)(903)의 표면에, ITO(Indium Tin Oxide)막(904)과 은(銀) 등의 피막에 의해 형성된 버스 전극(905)을 갖는 배선(909)이 형성된 유리 기판에 의해 구성되어 있다. 이와 같이 구성된 전면판(901)에서, 배선(909)은 양품에서는 수Ω 정도의 저항치를 나타낸다. 한편, 배선(909)의 버스 전극(905)만이 단선된 경우, 단선 개소는 ITO막(904)만에 의해 도통하고, 100Ω 내지 10MΩ 정도의 중간 레벨의 저항치를 나타낸다.Moreover, the structure of the plasma display panel which is an example of a board | substrate is shown below. 12 is a perspective view showing an outline of the structure of the plasma display panel. The plasma display panel shown in FIG. 12 includes a front plate 901 and a back plate 902. The front plate 901 is formed of, for example, a bus electrode formed on the surface of a glass substrate 903 by an ITO (Indium Tin Oxide) film 904 and a film such as silver. The wiring 909 which has the 905 is comprised by the glass substrate in which it was formed. In the front plate 901 configured as described above, the wiring 909 exhibits a resistance value of about several ohms in good quality. On the other hand, when only the bus electrode 905 of the wiring 909 is disconnected, the disconnection point is conducted only by the ITO film 904 and exhibits an intermediate level resistance value of about 100 to 10 MΩ.

상술한 바와 같은 기판 검사 장치는, 서로 대향하는 전극과 배선 패턴에 의해 형성되는 콘덴서의 정전 용량을 통하여 배선 패턴에 검사용 신호를 주입 및 검출하기 때문에, 검출되는 신호 레벨은, 배선 패턴과 전극에 의해 형성되는 콘덴서의 용량에 의해 변화하고, 배선 패턴과 전극의 거리나, 배선 패턴과 주위 사이에 생긴 부유(浮遊) 용량 등의 오차 요인에 의한 영향을 받아서, 검출되는 신호 레벨이 흐트러지기 쉬운 성질이 있다. 그 때문에, 이와 같은 기판 검사 장치를 이용하여 전면판(901)과 같은 기판을 검사한 경우에, 버스 전극(905)만이 단선된 경우와 같이 중간 레벨의 저항치가 생기는 불량이 생기고 있으면, 버스 전극(905)의 단선에 의한 검출 신호 레벨의 저하와, 흐트러짐에 의한 신호 레벨의 저하를 판별하는 것이 곤란하기 때문에, 중간 레벨의 저항치를 갖는 불량을 검출하는 것이 곤란하다는 불편한 점이 있다.Since the substrate inspection apparatus as described above injects and detects an inspection signal into the wiring pattern through the capacitance of the capacitor formed by the electrodes and the wiring pattern facing each other, the detected signal level is determined by the wiring pattern and the electrode. The characteristics of the signal level detected change due to the capacitance of the capacitor formed and influenced by error factors such as the distance between the wiring pattern and the electrode and the stray capacitance generated between the wiring pattern and the surroundings. There is this. For this reason, when a substrate such as the front plate 901 is inspected using such a substrate inspection apparatus, if a defect in which the intermediate level resistance value is generated occurs as in the case where only the bus electrode 905 is disconnected, the bus electrode ( Since it is difficult to discriminate the detection signal level due to the disconnection of 905 and the signal level due to the disturbance, it is inconvenient that it is difficult to detect the defect having the intermediate level resistance value.

이와 같은 문제점을 해결하기 위해, 특허 문헌 2에는, 배선의 한쪽 단에 그 배선과 전기적으로 비접촉으로 대향 배치되는 급전 프로브 및 검출 프로브가 배치되고, 배선의 다른쪽 단에 그 배선과 전기적으로 비접촉으로 대향 배치되는 급전 프로브가 배치되는 장치가 제안되어 있다.In order to solve such a problem, patent document 2 arrange | positions the feed probe and the detection probe which are arrange | positioned at the one end of a wiring electrically non-contactingly with the wiring, and are electrically non-contact with the wiring at the other end of a wiring. An apparatus in which opposed feeding probes are arranged has been proposed.

이 장치에서는, 급전 프로브에 1MHz의 정현파 검사 신호를 인가하고, 검출 프로브에 생긴 전압을 검출하고, 이 검출된 전압의 위상에 의거하여 배선의 양부(良否) 판정을 행하는 것이다. 이와 같은 장치에 의해, 배선과 검사용 프로브 사이에서의 거리 변화의 영향을 적게 할 수 있어, 상기 문제를 해결하는 것이 가능하였다.In this apparatus, a 1 MHz sine wave test signal is applied to a power supply probe, the voltage generated by the detection probe is detected, and the quality of the wiring is determined based on the detected phase of the voltage. By such an apparatus, the influence of the distance change between the wiring and the inspection probe can be reduced, and the above problem can be solved.

그러나, 근래에 와서, 더 나아가 기판의 배선 패턴의 미세화가 진행됨에 따라, 특허 문헌 2에 기재되는 기판 검사 장치에서는, 단락 검사를 행하는 경우에 오작동이 생기는 경우가 발생하고 있다. 이것은, 기판의 배선 패턴의 미세화에 의해, 배선 패턴 자체의 폭이 가늘어짐과 함께 배선 패턴끼리의 간격이 좁아져서, 급전용 프로브나 검출용 프로브가 소망하는 배선 패턴에 대해, 급전 또는 검출을 행하는 것이 어려운 문제를 갖고 있다.However, in recent years, as further refinement | miniaturization of the wiring pattern of a board | substrate progresses, in the board | substrate test | inspection apparatus described in patent document 2, the malfunction occurs when the short circuit test | inspection is performed. As the wiring pattern of the substrate becomes finer, the width of the wiring pattern itself becomes narrower and the interval between the wiring patterns becomes narrower, so that the feeding or detecting of the wiring pattern desired by the power feeding probe or the detection probe is performed. Has a difficult problem.

이 때문에, 미세화가 진행된 기판이라도 정확하게 배선 패턴의 도통이나 단락 등의 검사를 행할 수가 있는 기판 검사 장치가 필요하게 되었다.For this reason, even if the board | substrate with which refinement | miniaturization advanced, the board | substrate test | inspection apparatus which can test the conduction of a wiring pattern, a short circuit, etc. correctly is needed.

또한, 이 특허 문헌 2에 기재된 기판 검사 장치에서는, 배선 패턴의 도통과, 배선 패턴 사이의 단락을 각각 다른 검사 전극을 마련함에 의해, 다른 검사 공정에서 검출하기 때문에, 필요한 검사 시간이 길어지거나, 복잡한 구성을 필요로 하거나 하는 문제점을 갖고 있다.Moreover, in the board | substrate test | inspection apparatus described in this patent document 2, since a different test | inspection process is detected by providing different test electrodes, respectively, conduction of a wiring pattern and a short circuit between wiring patterns, the required test time becomes long or complicated. There is a problem that requires or requires configuration.

특허 문헌 1 : 일본 특개평11-133090호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-133090

특허 문헌 2 : 일본 특개2005-241614호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-241614

본 발명은, 이와 같은 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 복잡한 구성을 갖지 않고, 미세한 배선 패턴을 복수 갖는 기판이라도, 정확하게 배선 패턴의 도통이나 배선 패턴 사이의 단락을 검사할 수 있음과 함께, 도통 검사 및 단락 검사를 동시에 검사할 수 있는 기판 검사 장치 및 방법을 제공한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a situation, and even when a substrate having a plurality of fine wiring patterns without a complicated structure can be accurately inspected for conduction of a wiring pattern or a short circuit between the wiring patterns, conduction inspection and Provided are a substrate inspection apparatus and method capable of simultaneously inspecting a short circuit inspection.

과제를 해결하기 위한 수단Means for solving the problem

청구항 제 1항에 기재된 발명은, 제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 장치로서, 검사 대상이 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치됨과 함께 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하는 신호 검출 수단과, 상기 제 1 배선 패턴의 제 1 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 1 전극부와, 상기 제 2 배선 패턴의 제 2 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 2 전극부와, 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하는 급전 수단과, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 행하는 제 1 검파 수단과, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 행하는 제 2 검파 수단과, 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 피검사 대상이 되는 배선 패턴의 도통 판정 및 단락 판정을 행하는 판정 수단을 구비하고, 상기 판정 수단은, 상기 제 1 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 제 1 판정 수단과, 상기 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 제 2 판정 수단을 구비하고, 상기 제 1 판정 수단은, 상기 제 1 검파 수단에 의한 위상 검파에 의해 상기 제 1 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 1 결과로서 미리 설정되는 신호와의 위상의 어긋남 량을 산출하고, 그 위상의 어긋남 량에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.The invention according to claim 1 extends from a first wiring pattern having a first linear upper portion and a first base portion extending from one end of the first linear upper portion, and a second linear upper portion and one end of the second linear upper portion. A substrate inspection apparatus for inspecting a substrate having a second base portion provided and alternately formed with a plurality of second wiring patterns disposed at opposite positions to the first wiring pattern, and physically attached to one wiring pattern to be inspected. Signal detecting means for detecting a signal applied to the wiring pattern while being disposed in a non-contact manner, a first electrode portion arranged to be in physical contact with the first base portion of the first wiring pattern, and the second wiring pattern. Supplying a reference signal having a predetermined period to the second electrode portion disposed in physical contact with the second base portion, and to the first electrode portion and the second electrode portion; From the first means, the first detection means for performing phase detection of a predetermined phase based on the reference signal from the detection signal detected by the signal detection means, and the detection signal detected by the signal detection means, the reference signal Conduction determination and short-circuit determination of the wiring pattern to be inspected from the second detection means for performing synchronous detection based on the second detection means, the first result from the first detection means, and the second result from the second detection means. And a judging means for performing, wherein the judging means includes first judging means for making conduction determination of the wiring pattern from the first result, and second judging means for making a short circuit determination of the wiring pattern from the second result. The first determination means includes a wiring pattern of the inspection target obtained as the first result by phase detection by the first detection means. Based on the signal related to the wiring pattern of the good product as a reference, the amount of phase shift between the signal preset as the first result is calculated, and the conduction determination of the wiring pattern to be inspected is determined based on the amount of phase shift. It provides the board | substrate inspection apparatus characterized by the above-mentioned.

청구항 제 2항에 기재된 발명은, 제 1항에 있어서, 상기 제 1 판정 수단은, 산출한 상기 위상의 어긋남 량에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 저항치를 산출하고, 그 산출된 저항치에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
청구항 제 3항에 기재된 발명은, 제 1항에 있어서, 상기 제 1 검파 수단에서 이용되는 상기 소정 위상은, 상기 기준 신호와 상기 검출 신호의 위상량을 산출하는 위상량 산출 수단에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
청구항 제 4항에 기재된 발명은, 제 3항에 있어서, 상기 위상량 검출 수단은, 상기 기준 신호의 기준보다도 큰 정의 아날로그값 또는 기준보다도 작은 부의 아날로그값을 디지털화함과 함께, 상기 검출 신호의 기준보다도 큰 정의 아날로그값 또는 기준보다도 작은 부의 아날로그값을 디지털화하고, 디지털화된 기준 신호와 디지털화된 검출 신호의 배타적 논리합에 의해 얻어지는 위상의 차분을 상기 소정 위상으로서 부여하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
The invention according to claim 2, wherein the first determining means calculates the resistance value of the wiring pattern to be inspected based on the calculated amount of phase shift, and based on the calculated resistance value. The board | substrate test | inspection apparatus characterized by conduction determination of the wiring pattern of a test object is provided.
The invention according to claim 3, wherein the predetermined phase used in the first detection means is calculated by phase amount calculation means for calculating phase amounts of the reference signal and the detection signal. A substrate inspection apparatus is provided.
The invention according to claim 4, wherein the phase amount detecting means digitizes a positive analog value larger than the reference of the reference signal or a negative analog value smaller than the reference, and the reference of the detection signal. It provides a substrate inspection apparatus characterized by digitizing a larger positive analog value or a negative analog value smaller than a reference, and giving as a predetermined phase a difference between a phase obtained by an exclusive OR of the digitized reference signal and the digitized detection signal. do.

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청구항 제 5항에 기재된 발명은, 제 1항에 있어서, 상기 제 2 판정 수단은, 상기 제 2 검파 수단에 의한 동기 검파에 의해 상기 제 2 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 2 결과로서 미리 설정되는 신호의 출력치 차를 산출하고, 그 출력치 차에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
청구항 제 6항에 기재된 발명은, 제 5항에 있어서, 상기 제 1 판정 수단에 의해 산출되는 상기 위상의 어긋남 량과, 상기 제 2 판정 수단에 의해 산출되는 상기 출력치 차는, 표시 수단에서 각각을 x-y축으로 하는 벡터 표현에 의해 표시되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
The invention according to claim 5, wherein the second judging means includes a signal relating to a wiring pattern of a test target obtained as the second result by synchronous detection by the second detecting means, and a reference. The board | substrate test | inspection apparatus characterized by calculating the output value difference of the signal preset as said 2nd result on the basis of the wiring pattern of the good goods which become into, and making a short circuit determination of the wiring pattern of a test object based on the output value difference. To provide.
The invention according to claim 6, wherein the shift amount of the phase calculated by the first determination means and the output value difference calculated by the second determination means are respectively determined by the display means. The board | substrate test | inspection apparatus provided by the vector representation which makes xy-axis is provided.

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청구항 제 7항에 기재된 발명은, 제 1항에 있어서, 상기 제 1 판정 수단의 도통 판정과, 상기 제 2 판정 수단의 단락 판정이, 동시에 처리되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
청구항 제 8항에 기재된 발명은, 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 신호 검출 수단은, 상기 제 1 배선 패턴과 상기 제 2 배선 패턴의 장축 방향에 대해, 직각 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
청구항 제 9항에 기재된 발명은, 제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 장치로서, 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치됨과 함께, 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하는 신호 검출 수단과, 상기 제 1 배선 패턴의 제 1 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 1 전극부와, 상기 제 2 배선 패턴의 제 2 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 2 전극부와, 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하는 급전 수단과, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 행하는 제 1 검파 수단과, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 행하는 제 2 검파 수단과, 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 피검사 대상으로 되는 배선 패턴의 도통 판정 및 단락 판정을 행하는 판정 수단을 구비하고, 상기 판정 수단은, 상기 제 1 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 제 1 판정 수단과, 상기 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 제 2 판정 수단을 가지며, 상기 제 2 판정 수단은, 상기 제 2 검파 수단에 의한 동기 검파에 의해 상기 제 2 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 2 결과로서 미리 설정되는 신호와의 출력치 차를 산출하고, 그 출력치 차에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치를 제공한다.
청구항 제 10항에 기재된 발명은, 제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 방법으로서, 상기 복수의 제 1 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 1 전극부를 배치하고, 상기 복수의 제 2 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 2 전극부를 배치하고, 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하고, 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치되는 신호 검출 수단에 의해, 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하고, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 1 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 산출하고, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 2 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 산출하고, 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정과 단락 판정을 행하며, 상기 제 1 결과에 기초하여 상기 도통 판정에서, 상기 제 1 검파 수단에 의한 위상 검파에 의해 상기 제 1 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 1 결과로서 미리 설정되는 신호와의 위상의 어긋남 량을 산출하고, 그 위상의 어긋남 량에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법을 제공한다.
청구항 제 11항에 기재된 발명은, 제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 방법으로서, 상기 복수의 제 1 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 1 전극부를 배치하고, 상기 복수의 제 2 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 2 전극부를 배치하고, 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하고, 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치되는 신호 검출 수단에 의해, 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하고, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 1 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 산출하고, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 2 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 산출하고, 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정과 단락 판정을 행하며, 상기 제 2 결과에 기초하여 상기 단락 판정에서, 상기 제 2 검파 수단에 의한 동기 검파에 의해 상기 제 2 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 2 결과로서 미리 설정되는 신호와의 출력치 차를 산출하고, 그 출력치 차에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법을 제공한다.
The invention according to claim 7, wherein the conduction determination of the first determination means and the short circuit determination of the second determination means are simultaneously processed.
The invention according to claim 8, wherein the signal detecting means moves in a direction perpendicular to the major axis direction of the first wiring pattern and the second wiring pattern. It provides a board | substrate inspection apparatus characterized by the above-mentioned.
The invention according to claim 9 extends from a first wiring pattern having a first linear upper portion and a first base portion extending from one end of the first linear upper portion, and a second linear upper portion and one end of the second linear upper portion. A substrate inspection apparatus for inspecting a substrate having a second base portion provided and alternately formed of a plurality of second wiring patterns disposed at opposite positions to the first wiring pattern, and physically attached to one wiring pattern to be inspected. A signal detecting means for detecting a signal applied to the wiring pattern while being disposed in a non-contact manner, a first electrode portion which is arranged in physical contact with the first base portion of the first wiring pattern, and the second wiring pattern Supplying a reference signal having a predetermined period to the second electrode portion disposed in physical contact with the second base portion, and the first electrode portion and the second electrode portion. From the power supply means, the detection signal detected by the signal detection means, the first detection means for performing phase detection of a predetermined phase based on the reference signal, and the detection signal detected by the signal detection means, the reference signal Conduction determination and short circuit determination of the wiring pattern to be inspected from the second detection means for performing synchronous detection based on the second detection means, the first result from the first detection means, and the second result from the second detection means. And a judging means for performing, wherein the judging means includes first judging means for making conduction determination of the wiring pattern from the first result, and second judging means for making a short circuit determination of the wiring pattern from the second result. The second determination means is a wiring loss of the inspection target obtained as the second result by synchronous detection by the second detection means. Calculating an output value difference between the signal related to the signal and the signal pattern preset as the second result based on the wiring pattern of the good product as a reference, and performing a short circuit determination of the wiring pattern to be inspected based on the output value difference A substrate inspection apparatus is provided.
The invention according to claim 10 extends from a first wiring pattern having a first linear upper portion and a first base portion extending from one end of the first linear upper portion, and a second linear upper portion and one end of the second linear upper portion. A substrate inspection method for inspecting a substrate having a second base portion provided and alternately formed of a plurality of second wiring patterns disposed at opposite positions to the first wiring pattern, wherein the plurality of first base portions are in physical contact with the plurality of first base portions. To arrange a first electrode part, and physically contact the plurality of second base parts to arrange a second electrode part, supply a reference signal having a predetermined period to the first electrode part and the second electrode part, and inspect The signal detection means, which is physically disposed in a non-contact manner on one wiring pattern to be detected, detects the signal applied to the wiring pattern and checks the signal. From the detection signal detected by the means, phase detection of a predetermined phase is calculated on the basis of the reference signal by the first detection means, and the reference by the second detection means from the detection signal detected by the signal detection means. A synchronous detection is calculated on the basis of the signal, conduction determination and short circuit determination of the wiring pattern are made from the first result in the first detection means and the second result in the second detection means, and based on the first result. In the conduction determination, the first result is preset as the first result based on a signal relating to a wiring pattern of the inspection target obtained as the first result by phase detection by the first detection means and a wiring pattern of a good product as a reference. Calculate the amount of phase shift with respect to the signal to be used, and conduct conduction determination of the wiring pattern to be inspected based on the amount of phase shift. It provides a substrate inspection method according to claim.
The invention according to claim 11 extends from a first wiring pattern having a first linear upper portion and a first base portion extending from one end of the first linear upper portion, and a second linear upper portion and one end of the second linear upper portion. A substrate inspection method for inspecting a substrate having a second base portion provided and alternately formed of a plurality of second wiring patterns disposed at opposite positions to the first wiring pattern, wherein the plurality of first base portions are in physical contact with the plurality of first base portions. To arrange a first electrode part, and physically contact the plurality of second base parts to arrange a second electrode part, supply a reference signal having a predetermined period to the first electrode part and the second electrode part, and inspect The signal detection means, which is physically disposed in a non-contact manner on one wiring pattern to be detected, detects the signal applied to the wiring pattern and checks the signal. From the detection signal detected by the means, phase detection of a predetermined phase is calculated on the basis of the reference signal by the first detection means, and the reference by the second detection means from the detection signal detected by the signal detection means. A synchronous detection is calculated on the basis of the signal, conduction determination and short circuit determination of the wiring pattern are made from the first result in the first detection means and the second result in the second detection means, and based on the second result. In the short-circuit determination, the second result is preset as the second result based on a signal relating to the wiring pattern of the inspection target obtained as the second result by the synchronous detection by the second detection means, and the wiring pattern of the good product as a reference. The output value difference with the signal to be used is calculated, and a short circuit determination of the wiring pattern to be inspected is performed based on the output value difference. Provide a substrate inspection method.

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이들의 발명을 제공함에 의해, 상기 과제를 모두 해결한다.By providing these inventions, all the above problems are solved.

발명을 실시하기Carrying out the invention 위한 최선의 형태 Best form for

본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The best mode for carrying out the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 기판 검사 장치에서 검사 대상이 되는 피검사 기판의 개략 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic plan view of the board | substrate to test which is a test | inspection object in the board | substrate inspection apparatus of this invention.

이 도 1에서 도시되는 기판은, 예를 들면, 플라즈마 디스플레이 패널의 전면판으로서 이용되는 유리 기판이다.1 is a glass substrate used as a front plate of a plasma display panel, for example.

이 기판이 갖는 배선 패턴(8)은, 제 1 배선 패턴(81)과 제 2 배선 패턴(82)이 교대로 복수 병설되어 있다.As for the wiring pattern 8 which this board | substrate has, the 1st wiring pattern 81 and the 2nd wiring pattern 82 are alternately arranged in parallel.

이 제 1 배선 패턴(81)은, 제 1 선형상부(811)와 제 1 베이스부(812)를 갖고 있다. 제 1 선형상부(811)는 직선으로 형성된다. 이 제 1 선형상부(811)는, 은 등으로 작성되는 플라즈마 디스플레이의 버스 전극에 상당한다. 이 제 1 선형상부(811)의 한쪽의 측에는, ITO(Indium Tin Oxide) 등에 의해 형성된 제 1 투명 전극(813)이 형성되어 있다. This first wiring pattern 81 has a first linear portion 811 and a first base portion 812. The first linear upper portion 811 is formed in a straight line. This first linear top portion 811 corresponds to a bus electrode of a plasma display made of silver or the like. On one side of the first linear upper portion 811, a first transparent electrode 813 formed of indium tin oxide (ITO) or the like is formed.

제 1 베이스부(812)는, 제 1 선형상부(811)의 일단으로부터 연장 설치하여 형성되어 있고, 이른바, TAB(Tape Automated Bonding)으로서 기능한다.The first base portion 812 extends from one end of the first linear upper portion 811 and is formed as a so-called tape automated bonding (TAB).

제 2 배선 패턴(82)은, 제 2 선형상부(821)와 제 2 베이스부(822)를 갖고 있다. 제 2 선형상부(821)는 직선으로 형성된다. 이 제 2 선형상부(821)는, 제 1 선형상부(811)와 마찬가지로 은 등으로 작성되는 플라즈마 디스플레이의 버스 전극에 상당한다. 이 제 2 선형상부(821)는, 제 1 선형상부(811)와 평행하게 되도록 배치되어 있다. 이 제 2 선형상부(821)의 한쪽의 측에는, ITO(Indium Tin Oxide) 등에 의해 제 2 투명 전극(823)이 형성되어 있다. 이 제 2 투명 전극(823)은, 제 2 선형상부(821)와 제 1 선형상부(811)가 평행하게 되도록 배치되어 있기 때문에, 제 1 투명 전극(813)과 평행하게 되도록 배치되게 된다.The second wiring pattern 82 has a second linear top portion 821 and a second base portion 822. The second linear upper portion 821 is formed in a straight line. The second linear top portion 821 corresponds to the bus electrode of the plasma display made of silver or the like similarly to the first linear top portion 811. The second linear top portion 821 is disposed to be parallel to the first linear top portion 811. On one side of the second linear upper portion 821, a second transparent electrode 823 is formed of indium tin oxide (ITO) or the like. Since this 2nd transparent electrode 823 is arrange | positioned so that the 2nd linear top part 821 and the 1st linear top part 811 may be parallel, it will be arrange | positioned so that it may become parallel with the 1st transparent electrode 813. FIG.

제 2 베이스부(822)는, 제 1 베이스부(812)와 마찬가지로 제 2 선형상부(821)의 일단으로부터 연장 설치하여 형성되어 있고, 이른바 TAB(Tape Automated Bonding)으로서 기능한다.Similarly to the first base portion 812, the second base portion 822 extends from one end of the second linear upper portion 821, and functions as a so-called tape automated bonding (TAB).

이 제 2 베이스부(822)는, 도 1에서 도시되는 바와 같이, 제 1 베이스부(812)가 배치되는 측부와 반대측(도면의 우측)으로 연장 설치된다. 이 때문에, 제 1 배선 패턴(81)과 제 2 배선 패턴(82)은, 제 1 선형상부(811)(또는 제 1 투명 전극(813))왕 제 2 선형상부(821)(또는 제 2 투명 전극(823))가 서로 마주 보고 평행하게 배치된다.As shown in FIG. 1, this second base portion 822 extends to the side (right side of the drawing) opposite to the side where the first base portion 812 is disposed. For this reason, the 1st wiring pattern 81 and the 2nd wiring pattern 82 are the 1st linear upper part 811 (or 1st transparent electrode 813), and the 2nd linear upper part 821 (or 2nd transparent) Electrodes 823 are disposed in parallel with each other.

또한, 제 1 투명 전극(813)과 제 2 투명 전극(823)은, 각각 마주 보도록 제 1 선형상부(811)와 제 2 선형상부(821)의 내측에 배치되고 1조의 투명 전극 쌍으로서 형성된다.The first transparent electrode 813 and the second transparent electrode 823 are disposed inside the first linear upper portion 811 and the second linear upper portion 821 so as to face each other, and are formed as a pair of transparent electrode pairs. .

이 도 1에서는, 제 1 배선 패턴(81)의 제 1 베이스부(812)가 지면(紙面) 좌측에 배치되고, 제 2 배선 패턴(82)의 제 2 베이스부(822)가 지면 우측에 배치되어 있다.In this FIG. 1, the first base portion 812 of the first wiring pattern 81 is disposed on the left side of the page, and the second base portion 822 of the second wiring pattern 82 is disposed on the right side of the page. It is.

또한, 상기한 제 1 배선 패턴(81)과 제 2 배선 패턴(82) 사이에, 제 3 배선 패턴(도시 생략)이 배치되어 있는 경우도 있다. 이 제 3 배선 패턴은, 제 1 선형상부(811) 및 제 2 선형상부(821)와 평행하게 배치되는 선형상의 패턴이고 차광 기능을 갖고 있다. 이 제 3 배선 패턴은 절연물로 형성되어 있고, 제 1 배선 패턴(81)과 제 2 배선 패턴(82)의 도통 판정 및 단락 판정에는 영향을 미치지 않는다.In addition, a third wiring pattern (not shown) may be disposed between the first wiring pattern 81 and the second wiring pattern 82 described above. This 3rd wiring pattern is a linear pattern arrange | positioned in parallel with the 1st linear top part 811 and the 2nd linear top part 821, and has a light shielding function. This third wiring pattern is formed of an insulator, and does not affect the conduction determination and the short circuit determination of the first wiring pattern 81 and the second wiring pattern 82.

도 2는 본 발명에 관한 한 실시 형태의 기판 검사 장치와 기판과의 관계를 도시하는 개략 블록도이고, 도 3은 기판과 이 기판에 배치된 기판 검사 장치와 신호의 송수신을 도시하는 개략도이고, 도 4는 도 3에서 도시된 기판과 기판 검사 장치의 전기적인 위치 관계를 도시하는 개략도이다. 이 도 4에서는 배선 패턴을 사선으로 나타내고 있고, 부호 100은 유리 기판을 나타내고, 부호 11은 기판 검사 장치(1)가 갖는 기판을 재치하기 위한 재치대를 나타내고 있다.FIG. 2 is a schematic block diagram showing the relationship between the substrate inspection apparatus and the substrate according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a schematic diagram showing transmission and reception of signals with the substrate and the substrate inspection apparatus disposed on the substrate, FIG. 4 is a schematic diagram showing the electrical positional relationship between the substrate and the substrate inspection apparatus shown in FIG. 3. In FIG. 4, the wiring pattern is shown with the oblique line, the code | symbol 100 has shown the glass substrate, and the code | symbol 11 has shown the mounting base for mounting the board | substrate which the board | substrate inspection apparatus 1 has.

본 발명에 관한 한 실시 형태의 기판 검사 장치(1)는, 신호 검출 수단(2), 검사 신호 산출 수단(3), 급전 수단(4), 전극부(5), 판정 수단(6), 표시 수단(7)을 갖고 있다.The board | substrate test | inspection apparatus 1 of one Embodiment concerning this invention is the signal detection means 2, the test signal calculation means 3, the power supply means 4, the electrode part 5, the determination means 6, a display. It has a means (7).

본 발명의 기판 검사 장치(1)의 기본 원리는, 검사 대상이 되는 배선 패턴(8)에, 급전 수단(4)에 의해 기준 신호를 인가하고, 이 배선 패턴을 신호 검출 수단(2)에 의해 검출되는 검출 신호를 기초로 위상의 변화를 산출(검파)함에 의해, 피검사 대상이 되는 배선 패턴(8)의 도통 판정 및 단락 판정을 행하는 것이다.The basic principle of the board | substrate test | inspection apparatus 1 of this invention is to apply the reference signal to the wiring pattern 8 used as a test object by the power supply means 4, and to apply this wiring pattern by the signal detection means 2 to it. By calculating (detecting) the change in phase based on the detected detection signal, the conduction determination and the short circuit determination of the wiring pattern 8 to be inspected are performed.

또한, 첨부한 도면에서는, 설명을 위해 배선 패턴을 필요한 최소한의 배선 패턴 수로 나타내고 있지만, 실제로는 다수의 배선이 형성되고, 그들의 배선을 순차 선택하여 검사가 행하여지게 된다. 또한, 본 명세서에서 표현되는 검사 대상의 배선 패턴이란, 제 1 배선 패턴(81) 또는 제 2 배선 패턴(82)의 어느 1개의 배선 패턴을 지시하고 있다.In addition, although the wiring pattern is shown by the minimum number of wiring patterns required for description in the accompanying drawing, in fact, many wiring is formed and the inspection is performed by selecting these wirings sequentially. In addition, the wiring pattern of the test object represented by this specification has indicated any one wiring pattern of the 1st wiring pattern 81 or the 2nd wiring pattern 82.

신호 검출 수단(2)은, 검사 대상이 되는 배선 패턴(제 1 배선 패턴(81) 또는 제 2 배선 패턴(82))을 흐르는 신호를 검출한다.The signal detection means 2 detects the signal which flows through the wiring pattern (1st wiring pattern 81 or 2nd wiring pattern 82) used as a test object.

이 신호 검출 수단(2)은, 제 1 측정부(21)와 제 1 신호 측정부(23)를 갖고 있다.This signal detection means 2 has the 1st measuring part 21 and the 1st signal measuring part 23. As shown in FIG.

이 제 1 측정부(21)는, 도 4에서 도시되는 바와 같이, 배선 패턴의 일단부에 대해, 소정 간격을 가지며, 비접촉으로 대향하도록 배치된다. 이 때문에, 이 제 1 측정부(21)는, 배선 패턴에 대해 정전 용량(C1)을 형성하게 된다. 이 정전 용량(C1)을 통하여 신호를 신호 측정부(23)에 전달한다.As shown in FIG. 4, this 1st measuring part 21 has a predetermined space | interval with respect to one end of a wiring pattern, and is arrange | positioned so that it may oppose noncontact. For this reason, this 1st measuring part 21 forms the capacitance C1 with respect to a wiring pattern. The signal is transmitted to the signal measuring unit 23 through the capacitance C1.

이 소정 간격은, 0.1 내지 0.5㎜로 설정되는 것이 바람직하다. 이 소정 간격은, 제 1 측정부(21)가 하나의 배선 패턴과 정전 용량(C1)을 형성하여야 하기 때문에, 상기 범위로 설정되는 것이 바람직하다. 또한, 배선 패턴으로부터의 전계(電界)는, 배선 패턴으로부터 약 30도의 퍼짐을 가지고 확산되어 있기 때문에, 제 1 측정부(21)가 인접한 배선 패턴의 전계의 영향을 받지 않는 소정 간격(높이)을 갖을 필요가 있다.This predetermined interval is preferably set to 0.1 to 0.5 mm. This predetermined interval is preferably set in the above range because the first measuring unit 21 must form one wiring pattern and the capacitance C1. In addition, since the electric field from the wiring pattern is spread with the spread of about 30 degrees from the wiring pattern, the first measuring unit 21 has a predetermined interval (height) not affected by the electric field of the adjacent wiring pattern. You need to have

이 신호 검출 수단(2)은, 도 3 또는 도 4에 도시되는 바와 같이, 제 2 측정부(22), 제 2 신호 측정부(24) 및 제 3 신호 측정부(25)를 갖아도 상관없다.This signal detection means 2 may have the 2nd measuring part 22, the 2nd signal measuring part 24, and the 3rd signal measuring part 25, as shown in FIG. 3 or FIG. .

신호 검출 수단(2)이, 제 2 측정부(22), 제 2 신호 측정부(24) 및 제 3 신호 측정부(25)를 구비함에 의해, 제 1 측정부(21)의 대향 위치에 의해 신호를 검출할 수 있음과 함께, 제 1 측정부(21)와 제 2 측정부(22)의 차분(差分)을 이용하여 더욱 정확한 신호 검출을 행할 수도 있기 때문이다.The signal detecting means 2 is provided with the 2nd measuring part 22, the 2nd signal measuring part 24, and the 3rd signal measuring part 25, by the opposing position of the 1st measuring part 21. This is because the signal can be detected, and the signal can be detected more accurately by using the difference between the first measuring unit 21 and the second measuring unit 22.

또한, 제 2 측정부(22)의 구성은, 제 1 측정부(21)의 구성과 거의 동일하고, 배치되는 위치가 제 1 측정부(21)가 배치되는 위치와 대향하는 위치인 것이 상위하다(도 2 참조).In addition, the structure of the 2nd measuring part 22 is substantially the same as the structure of the 1st measuring part 21, and differs that a position arrange | positioned is a position which opposes the position where the 1st measuring part 21 is arrange | positioned. (See Figure 2).

제 1 측정부(21) 및 제 2 측정부(22)는, 도 3에서 도시되는 바와 같이, 배선 패턴(8)(제 1 배선 패턴(81) 또는 제 2 배선 패턴(82))의 직선부(제 1 선형상부(811)나 제 2 선형상부(821))에 대해 직각 방향으로 이동하도록 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, the 1st measuring part 21 and the 2nd measuring part 22 are the linear part of the wiring pattern 8 (the 1st wiring pattern 81 or the 2nd wiring pattern 82). It is formed so as to move in a direction perpendicular to the first linear upper portion 811 or the second linear upper portion 821.

이와 같이 형성됨에 의해, 제 1 측정부(21)가 측정하는 검출 신호는, 제 1 배선 패턴(81)과 제 2 배선 패턴(82)으로부터 교대로 검출되게 되어, 연속적으로 신호를 검출할 수 있기 때문이다.In this way, the detection signal measured by the first measuring unit 21 is alternately detected from the first wiring pattern 81 and the second wiring pattern 82, so that the signal can be continuously detected. Because.

제 1 및 제 2 측정부(21, 22)는, 급전 패드를 이용할 수 있고, 도 3에서는 평면으로 보아 원형의 형상을 갖고 있지만 특별히 한정되지 않고, 검사 신호를 확실하게 측정할 수 있으면 좋다.The 1st and 2nd measuring parts 21 and 22 can use a feed pad, and although it has a circular shape in plan view in FIG. 3, it is not specifically limited, What is necessary is just to be able to measure a test signal reliably.

또한, 이들 제 1 및 제 2 측정부(21, 22)는, 상기에서 설명한 바와 같이, 복수의 배선 패턴에 개략 직교하는(도 3의 화살표의 방향) 방향으로 소정 속도로 이동한다. 이 때문에, 제 1 및 제 2 측정부(21, 22)는, 소정 간격으로 배선 패턴의 신호를 검출할 수 있고, 복수의 배선 패턴으로부터 연속하여 신호를 검출할 수 있게 된다. In addition, these 1st and 2nd measuring parts 21 and 22 move at a predetermined speed in the direction which is substantially orthogonal to the some wiring pattern (direction of the arrow of FIG. 3) as demonstrated above. For this reason, the 1st and 2nd measuring parts 21 and 22 can detect the signal of a wiring pattern at predetermined intervals, and can detect a signal continuously from a some wiring pattern.

제 1 측정부(21) 및 제 2 측정부(22)가 측정하는 신호의 크기를 증폭하는 앰 프를 마련하여도 된다.An amplifier for amplifying the magnitude of the signal measured by the first measuring unit 21 and the second measuring unit 22 may be provided.

제 1 내지 제 3 신호 측정부(23, 24, 25)는, 제 1 측정부(21)와 제 2 측정부(22)로부터의 신호를 측정한다. 이들의 신호 측정부는 교류 전압계가 사용된다. The first to third signal measuring units 23, 24 and 25 measure the signals from the first measuring unit 21 and the second measuring unit 22. These signal measuring units use an AC voltmeter.

신호 측정부(23)는, 제 1 측정부(21) 및 제 2 측정부(22)로부터의 신호를 검출한다. 이 신호 측정부(23)가 검출한 신호는, 후술하는 검사 신호 산출 수단(3)에 송신된다.The signal measuring unit 23 detects signals from the first measuring unit 21 and the second measuring unit 22. The signal detected by the signal measuring unit 23 is transmitted to the test signal calculating means 3 described later.

제 2 신호 측정부(24) 및 제 3 신호 측정부(25)는, 기준 전위를 설정하기 위해 접지되어 있고, 각각 기준 전위로부터의 배선 패턴의 전위를 측정할 수 있다.The 2nd signal measuring part 24 and the 3rd signal measuring part 25 are grounded in order to set the reference electric potential, and can respectively measure the electric potential of the wiring pattern from a reference electric potential.

본 설명에서는, 편의상 3개의 신호 측정부를 마련하고 있지만, 배선 패턴의 전위를 측정할 수 있으면 수는 한정되지 않지만, 적어도 제 1 측정부(21)와 이 제 1 측정부(21)의 신호를 측정하기 위한 제 1 신호 측정부(23)를 마련함에 의해 본 발명을 실시할 수 있다.In the present description, three signal measuring units are provided for convenience, but the number is not limited as long as the potential of the wiring pattern can be measured, but at least the signals of the first measuring unit 21 and the first measuring unit 21 are measured. The present invention can be implemented by providing a first signal measuring unit 23 for the purpose.

이 신호 검출 수단(2)의 양 측정부는, 유리 기판(100)상의 자신의 위치를 특정하기 위한 위치 결정부(도시 생략)를 갖고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the quantity measuring part of this signal detection means 2 has a positioning part (not shown) for specifying the position of itself on the glass substrate 100. FIG.

이 위치 결정부를 갖음에 의해, 후술하는 도통 및/또는 단락 검사를 행한 경우에, 불량이 검출된 때에 어느 배선 패턴으로부터 불량이 검출되었는지를 특정할 수 있기 때문이다.This is because by having this positioning section, when conduction and / or short-circuit inspection described later can be specified, from which wiring pattern the defect was detected when the defect was detected.

이 위치 결정부는, 속도계나 전류 측정계를 이용하여 x-y의 이동 거리를 산출함에 의해 상기 기능을 갖을 수가 있지만, 제 1 및 제 2 측정부(21, 22)의 위치를 결정할 수 있는 기능이라면 특별히 한정되지 않는다.Although this positioning part can have the said function by calculating the moving distance of xy using a speedometer or a current measuring system, if it is a function which can determine the position of the 1st and 2nd measuring parts 21 and 22, it will not specifically limit. Do not.

전극부(5)는, 복수의 배선 패턴에 대해 신호를 인가(공급)하기 위해 이용된다. 이 전극부(5)는, 제 1 전극부(51)와 제 2 전극부(52)를 구비한다.The electrode portion 5 is used to apply (supply) a signal to a plurality of wiring patterns. This electrode part 5 is equipped with the 1st electrode part 51 and the 2nd electrode part 52. As shown in FIG.

제 1 전극부(51)는, 제 1 배선 패턴(81)의 제 1 베이스부(812)와 물리적으로 접촉하여 배치된다. 이 제 1 전극부(51)는, 후술하는 급전 수단(4)으로부터의 신호를 수취한다. 제 1 전극부(51)는, 복수의 배선 패턴과 물리적으로 접촉하고 있고, 직접 신호를 인가하게 된다.The first electrode part 51 is disposed in physical contact with the first base part 812 of the first wiring pattern 81. The first electrode portion 51 receives a signal from the power supply means 4 described later. The first electrode portion 51 is in physical contact with the plurality of wiring patterns and directly applies a signal.

도 3에서는, 제 1 전극부(51)가 복수의 제 1 베이스부(812)의 표면을 덮도록 배치되어 있지만, 검사 대상이 되는 배선 패턴에 대해 물리적으로 접촉하여 전기가 흐를 수 있으면 접속 방법은 특별히 한정되지 않는다.In FIG. 3, although the 1st electrode part 51 is arrange | positioned so that the surface of the some 1st base part 812 may be covered, if a electrical contact can flow through physical contact with the wiring pattern used as a test object, a connection method will It is not specifically limited.

제 2 전극부(52)는, 제 2 배선 패턴(82)의 제 2 베이스부(822)와 물리적으로 접촉하여 배치된다. 이 제 2 전극부(52)는, 급전 수단(4)으로부터의 신호를 수신한다. 제 2 전극부(52)는, 배선 패턴과 물리적으로 접촉하고 있고, 직접 신호를 인가하게 된다.The second electrode portion 52 is disposed in physical contact with the second base portion 822 of the second wiring pattern 82. The second electrode portion 52 receives a signal from the power supply means 4. The second electrode portion 52 is in physical contact with the wiring pattern and directly applies a signal.

도 3에서는, 제 2 전극부(52)가 복수의 제 2 베이스부(822)의 일단에 접속되어 있지만, 검사 대상이 되는 배선 패턴에 대해 물리적으로 접촉하여 전기가 흐를 수 있으면 특별히 접속 방법은 한정되지 않는다.In FIG. 3, although the second electrode portion 52 is connected to one end of the plurality of second base portions 822, the connection method is particularly limited as long as electricity can flow through physical contact with the wiring pattern to be inspected. It doesn't work.

급전 수단(4)은, 검사 대상이 되는 배선 패턴에 검사용의 신호(전류나 전압)를 공급한다. 본 발명의 기판 검사 장치(1)는, 일정 주기를 갖는 복수의 신호를 배선 패턴에 인가함에 의해, 배선 패턴상에 나타나는 신호 레벨(출력)을 검출함에 의해, 검사 대상이 되는 배선 패턴의 도통 및 단락을 검사하는 것이다.The power supply means 4 supplies a signal (current or voltage) for inspection to the wiring pattern to be inspected. In the substrate inspection apparatus 1 of the present invention, by applying a plurality of signals having a certain period to the wiring pattern, the conduction of the wiring pattern to be inspected is detected by detecting the signal level (output) appearing on the wiring pattern. Check for shorts.

이 급전 수단(4)은, 제 1 전극부(51)와 제 2 전극부(52)에 소정 주기를 갖는 기준 신호(f1)를 공급한다. 이 때문에, 급전 수단(4)은, 도 3에서 도시되는 바와 같이, 제 1 전극부(51)와 제 2 전극부(52) 사이에 직렬로 접속되도록 배치된다. 그리고, 이 급전 수단(4)이, 제 1 전극부(51), 제 1 배선 패턴(81), 제 2 배선 패턴(82)과 제 2 전극부(52)에 의해 폐회로에 신호를 공급하게 된다.The power supply means 4 supplies the reference signal f1 having a predetermined period to the first electrode portion 51 and the second electrode portion 52. For this reason, the power supply means 4 is arrange | positioned so that it may be connected in series between the 1st electrode part 51 and the 2nd electrode part 52, as shown in FIG. The power supply means 4 supplies a signal to the closed circuit by the first electrode portion 51, the first wiring pattern 81, the second wiring pattern 82, and the second electrode portion 52. .

이 급전 수단(4)이 공급하는 신호는 1MHz의 정현파의 신호를 공급하지만, 일정한 주기를 갖는 신호라면 특별히 한정되는 것이 아니다.The signal supplied by the power supply means 4 supplies a 1 MHz sine wave signal, but is not particularly limited as long as the signal has a constant period.

급전 수단(4)은, 도 3에서 도시되어 있는 바와 같이, 각각 교류 신호를 인가하는 2개의 급전부를 가지고 구성되어도 좋다. 이와 같이 2개의 급전부를 마련함에 의해, 검사 대상이 되는 배선 패턴(제 1 배선 패턴(81)이나 제 2 배선 패턴(82))에 대해 같은 임피던스가 부하되도록 출력 레벨을 조정할 수 있다.As shown in FIG. 3, the power supply means 4 may be comprised with two power supply parts which apply an AC signal, respectively. By providing two power feeding units in this way, the output level can be adjusted so that the same impedance is loaded on the wiring pattern (first wiring pattern 81 or second wiring pattern 82) to be inspected.

검사 신호 산출 수단(3)은, 신호 검출 수단(2)으로부터의 검출 신호와 급전 수단(4)이 공급하는 기준 신호로부터, 피검사 대상이 되는 배선 패턴의 도통 판정과 단락 판정을 행하기 위한 연산을 행한다.The inspection signal calculation means 3 calculates the conduction determination and the short circuit determination of the wiring pattern to be inspected from the detection signal from the signal detection means 2 and the reference signal supplied by the power supply means 4. Is done.

이 검사 신호 산출 수단(3)은, 제 1 검파 수단(31)과 제 2 검파 수단(32)을 갖고서 이루어진다.The test signal calculating means 3 has a first detecting means 31 and a second detecting means 32.

제 1 검파 수단(31)은, 신호 검출 수단(2)에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 급전 수단(4)으로부터 공급되는 기준 신호를 기초로, 소정 위상의 위상 검파를 행하고, 이 결과 산출된 제 1 결과를 후술하는 판정 수단(6)의 제 1 판정 수단(61)에 송신한다.The first detection means 31 performs phase detection of a predetermined phase on the basis of the reference signal supplied from the power supply means 4 from the detection signal detected by the signal detection means 2, and the first calculated result is obtained. 1 The result is transmitted to the first judging means 61 of the judging means 6 described later.

제 1 검파 수단(31)에 설정되는 소정 위상은, 미리 90도로 설정되어 있어도 좋다. 미리 90도로 설정됨에 의해, 제 1 검파 수단(31)은, 기준 신호에 대해 90도 검파를 행하게 된다.The predetermined phase set in the first detection means 31 may be set to 90 degrees in advance. By being set to 90 degrees in advance, the 1st detection means 31 detects 90 degrees with respect to a reference signal.

제 1 검파 수단(31)의 소정 위상은, 상기한 바와 같은 90도로 설정되어도 좋지만, 더욱 안정되고 또한 정확한 판정을 행하기 위해, 기준 신호와 검출 신호의 위상을 산출하는 위상량 산출 수단(33)을 마련하는 것이 바람직하다.Although the predetermined phase of the 1st detection means 31 may be set to 90 degrees as mentioned above, in order to make a more stable and accurate determination, the phase amount calculation means 33 which calculates the phase of a reference signal and a detection signal. It is desirable to provide.

이 위상량 산출 수단(33)은, 기준 신호와 검출 신호의 위상을 산출할 수 있으면, 그 방법은 특별히 한정되는 것이 아니지만, 하기한 순서로 산출할 수 있다.If the phase amount calculating means 33 can calculate the phases of the reference signal and the detection signal, the method is not particularly limited, but the phase amount calculating means 33 can calculate the phases in the following order.

우선, 위상량 산출 수단(33)은, 급전 수단(4)으로부터의 기준 신호의 위상을 수신한다(도 5(a) 참조). 그리고, 위상량 산출 수단(33)은, 이 기준 신호의 변화로부터 정(正)의 값(기준보다도 큰 값)으로 출력되는 아날로그값을 디지털화한다(도 5(b) 참조).First, the phase amount calculating means 33 receives the phase of the reference signal from the power supply means 4 (see FIG. 5A). The phase amount calculating means 33 digitizes the analog value output from the change of the reference signal as a positive value (value larger than the reference value) (see FIG. 5 (b)).

다음에, 위상량 산출 수단(33)은, 신호 검출 수단(2)으로부터 검출되는 검출 신호를 수신한다(도 5(c) 참조). 그리고, 위상량 산출 수단(33)은, 검사 신호의 변화로부터 정의 값으로 출력되는 아날로그값을 디지털화한다(도 5(d) 참조).Next, the phase amount calculating means 33 receives the detection signal detected from the signal detecting means 2 (see FIG. 5C). Then, the phase amount calculating means 33 digitizes the analog value outputted as a positive value from the change in the test signal (see FIG. 5 (d)).

또한, 상기 설명에서는, 기준 신호와 검출 신호의 정으로 출력되는 아날로그값을 디지털화하여, 변화 위치를 산출하려고 하고 있지만, 부(負)로 출력되는 아날로그값(기준보다도 작은 값)을 이용할 수도 있다.In addition, in the above description, the analog value output from the positive of the reference signal and the detection signal is digitized to calculate the change position, but an analog value (value smaller than the reference) output negatively may be used.

뒤이어, 디지털화된 기준 신호(도 5(b))와, 디지털화된 검출 신호(도 5(d))의 배타적 논리합(exclusive or)에 의해, 도 5(e)에서 도시되는 바와 같이 출력치 를 얻을 수 있게 된다. 이때, 도 5(e)에서 도시되는 바와 같이, 위상의 차분(θ)(위상의 어긋난량)이 출력치로서 산출되게 된다. 이 위상의 차분(θ)을 소정 위상으로서 이용함에 의해, 검출 신호를 위상량(θ)분만큼 이송하여 검파를 행할 수가 있어서, 더욱 안정적이고 또한 정확하게 검파를 실시하는 것이 가능해진다. 특히, 이와 같이 디지털 변환함에 의해 아날로그값을 이용하는 경우와 비교하여 안정되고 또한 정확하게 산출할 수 있게 된다.Subsequently, the exclusive value of the digitized reference signal (Fig. 5 (b)) and the digitized detection signal (Fig. 5 (d)) gives an output value as shown in Fig. 5 (e). It becomes possible. At this time, as shown in Fig. 5E, the phase difference θ (phase shift amount) is calculated as an output value. By using the difference θ of the phase as a predetermined phase, detection can be carried out by transferring the detection signal by the phase amount θ, which makes it possible to detect more stably and accurately. In particular, by digital conversion in this way, it is possible to calculate stable and accurate as compared with the case of using an analog value.

또한, 상기 수법은, 비배타적 논리합을 이용한 경우의 한 실시예를 나타내고 있고, 위상량(θ)을 산출할 수 있는 방법이라면, 다른 방법을 이용하여도 좋다.In addition, the said method shows one Example at the time of using a non-exclusive logical sum, and if it is a method which can calculate phase amount (theta), you may use another method.

위상량 산출 수단(33)이, 위상량(θ)을 산출하면, 상술한 제 1 검파 수단(31)에 보내져서, 소정 위상으로서 이용된다.When the phase amount calculating means 33 calculates the phase amount θ, it is sent to the first detecting means 31 described above and used as a predetermined phase.

제 2 검파 수단(32)은, 신호 검출 수단(2)에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 급전 수단(4)으로부터 공급되는 기준 신호를 기초로, 기준 신호와 동상(同相)의 검파인 동기(同期) 검파를 행하고, 이 결과 산출된 제 2 결과를 후술하는 판정 수단(6)의 제 2 판정 수단(62)에 송신한다.The second detection means 32 synchronizes the reference signal with the in-phase detection based on the reference signal supplied from the power supply means 4 from the detection signal detected by the signal detection means 2. ), And the second result calculated as a result is transmitted to the second determination means 62 of the determination means 6 described later.

판정 수단(6)은, 제 1 검파 수단(31)에 의해 산출되는 제 1 결과와, 제 2 검파 수단(32)에 의해 산출되는 제 2 결과로부터 검사 대상이 되는 배선 패턴의 도통 판정 및 단락 판정을 행한다.The judging means 6 determines the conduction and short circuit of the wiring pattern to be inspected from the first result calculated by the first detection means 31 and the second result calculated by the second detection means 32. Is done.

이 판정 수단(6)은, 제 1 판정 수단(61)과 제 2 판정 수단(62)을 갖고서 이루어지고, 이들 2개의 판정 수단에 의해, 각각 도통 판정과 단락 판정을 행하게 된다.This judging means 6 is equipped with the 1st judging means 61 and the 2nd judging means 62, and these two judging means make conduction determination and a short circuit determination, respectively.

제 1 판정 수단(61)은, 상술한 제 1 검파 수단(31)으로부터의 산출 결과인 제 1 결과를 기초로, 검사 대상의 배선 패턴(8)의 도통 판정을 행한다. 이 제 1 판정 수단(61)이 행하는 도통 판정의 방법은, 배선 패턴(8)의 도통 양호시의 상태(도통 양호 결과)와 제 1 결과를 비교함에 의해 행하여진다.The 1st determination means 61 performs the conduction determination of the wiring pattern 8 of a test object based on the 1st result which is the calculation result from the 1st detection means 31 mentioned above. The conduction determination method performed by the first determination means 61 is performed by comparing the first result with the state (good conduction result) at the time of good conduction of the wiring pattern 8.

이때, 제 1 판정 수단(61)은, 제 1 결과를 도통 양호 결과와 비교하고, 개략 동일하면, 배선 패턴이 도통 양호하다(양품)고 판정하고, 크게 다르면, 배선 패턴이 도통 불량(불량품)이라고 판정하게 된다.At this time, the first judging means 61 compares the first result with the good conduction result, and if it is roughly the same, it is determined that the wiring pattern is good conduction (good quality), and if it is greatly different, the wiring pattern is poor conduction (defective product). Is determined.

또한, 이 제 1 판정 수단(61)이 행하는 비교에 있어서, 도통 양호 결과와 제 1 결과의 상위량을 조정함에 의해, 배선 패턴의 양/불량을 조정할 수 있다.In addition, in the comparison performed by the first determination means 61, the amount / defect of the wiring pattern can be adjusted by adjusting the difference amount between the good conduction result and the first result.

제 1 판정 수단(61)은, 상기한 바와 같이, 제 1 결과와 도통 양호 결과를 비교하여 도통 판정을 행하지만, 제 1 결과는 기준 신호를 기초로 소정 위상에서 검파되어 산출되어 있기 때문에, 도통 양호 결과와 위상의 비교를 행함에 의해, 보다 정확하게 도통 판정을 행할 수가 있다.As described above, the first determination means 61 compares the first result with the good conduction result and performs the conduction judgment. However, since the first result is detected and calculated in a predetermined phase based on the reference signal, conduction is conducted. By conducting a comparison between a good result and a phase, conduction determination can be performed more correctly.

도 6은, 제 1 검파 수단에 의해 산출된 3종류의 배선 패턴으로부터 산출된 신호의 파형을 도시한다. 이 도 6에서는, 도통 양호 결과인 양품의 배선 패턴의 제 1 결과를 파형(S1)으로 나타내고, 불량의 (일부 떨어져 있는) 배선 패턴의 제 1 결과를 파형(S2), 완전 단선(완전 불량)의 배선 패턴의 제 1 결과를 파형(S3)으로 나타내고 있다.6 shows waveforms of signals calculated from three types of wiring patterns calculated by the first detection means. In FIG. 6, the first result of the good wiring pattern which is a good conduction result is shown by the waveform S1, and the 1st result of the bad (partly separated) wiring pattern is shown by the waveform S2 and a complete disconnection (complete defect). The first result of the wiring pattern is denoted by waveform S3.

이 도 6에서 도시되는 바와 같이, 불량의 저항치가 커지면 커질수록, 도통 양호 결과의 파형(S1)으로부터의 위상차가 커지고 있고, 기준이 되는 양품의 배선 패턴으로부터 각각 위상이 위상량(a1), 위상량(a2) 둘로 갈라져 있다.As shown in Fig. 6, the larger the resistance value of the defect is, the larger the phase difference from the waveform S1 of the good conduction result is, and the phase amounts a1 and phase, respectively, from the wiring patterns of the good products as reference. The quantity (a2) is divided into two.

이 때문에, 제 1 판정 수단(61)은, 도통 양호 결과와 제 1 검파 수단(31)의 제 1 결과와의 위상의 어긋남을 산출함에 의해, 이 위상량으로부터 도통 판정을 행함과 함께, 위상량의 크기에 의해 검사 대상의 배선 패턴이 어느 정도의 저항치를 갖고 있는지도 판정할 수 있게 된다. 각 배선 패턴의 저항치를 산출할 수 있기 때문에, 이 저항치를 기초로 도통 판정할 수도 있다.For this reason, the first determination means 61 calculates the phase shift between the good conduction result and the first result of the first detection means 31, and conducts the conduction determination from this phase amount, while the phase amount is determined. By the size of, it is possible to determine how much resistance value the wiring pattern to be inspected has. Since the resistance value of each wiring pattern can be calculated, conduction determination can also be made based on this resistance value.

제 2 판정 수단(62)은, 상술한 제 2 검파 수단(32)으로부터의 산출 결과인 제 2 결과를 기초로, 검사 대상의 배선 패턴(8)의 단락 판정을 행한다. 이 제 2 판정 수단(62)이 행하는 단락 판정의 방법은, 배선 패턴의 단락 없음의 상태(무(無)단락 결과)와 제 2 결과를 비교함에 의해 행하여진다. The second determination means 62 performs a short circuit determination of the wiring pattern 8 to be inspected based on the second result which is the calculation result from the second detection means 32 described above. The method of short circuit determination performed by the second determination means 62 is performed by comparing the second result with the state (short circuit result) without short circuit of the wiring pattern.

이때, 제 2 판정 수단(62)은, 제 2 결과를 무단락 결과와 비교하고, 개략 동일하면, 배선 패턴(8)의 단락이 없음(양품)이라고 판정하고, 크게 다르면, 배선 패턴이 단락 불량(불량품)이라고 판정하게 된다.At this time, the second judging means 62 compares the second result with the short-circuit result, and if it is roughly the same, determines that there is no short circuit of the wiring pattern 8 (good quality). It is judged as (defective goods).

또한, 이 제 2 판정 수단(62)이 행하는 비교에 있어서, 무단락 결과와 제 2 결과와의 상위량을 조정함에 의해, 배선 패턴의 양/불량을 조정할 수 있다.In addition, in the comparison performed by the second determination means 62, the amount / defect of the wiring pattern can be adjusted by adjusting the amount of difference between the short-circuit result and the second result.

제 2 판정 수단(62)은, 상기한 바와 같이, 제 2 결과와 무단락 결과를 비교하여 단락 판정을 행하지만, 제 2 결과는 기준 신호를 기초로 동기 검파되어 있기 때문에, 무단락 결과와 출력의 비교를 행함에 의해, 더욱 정확하게 단락 판정을 행할 수도 있다.As described above, the second determination means 62 compares the second result with the short-circuit result and performs the short-circuit determination. However, since the second result is synchronously detected based on the reference signal, the short-circuit result and output By performing the comparison, short circuit determination can be performed more accurately.

도 7은 제 2 검파 수단에 의해 산출된 3종류의 배선 패턴으로부터 산출된 신호의 파형을 도시한다. 이 도 7에서는, 무단락 결과인 양품의 배선 패턴의 제 2 결과를 파형(T1)으로 나타내고, 단락을 갖는 배선 패턴의 제 2 결과를 파형(T2)으로 나타내고, 다른 단락을 갖는 배선 패턴의 제 2 결과를 파형(T3)으로 나타내고 있다.7 shows waveforms of signals calculated from three types of wiring patterns calculated by the second detection means. In this FIG. 7, the 2nd result of the good wiring pattern which is a short-circuit result is shown by the waveform T1, the 2nd result of the wiring pattern which has a short circuit is shown by the waveform T2, and the 2nd result of the wiring pattern which has another short circuit is shown. 2 The result is shown by the waveform T3.

이 도 7에서 도시되는 바와 같이, 단락을 갖는 상태에 따라 출력치가 무단락의 상태와 비교하여, 출력이 작아지고 있다. 예를 들면, 도 7에서는, 무단락 결과(양품)의 배선 패턴은 출력(b1)을 갖고 있음에 대해, 단락을 갖는 2개의 배선 패턴(T2와 T3)에서는, 그 출력이 b2와 b3으로 작게 되어 있다.As shown in FIG. 7, the output value is smaller than the state of the short circuit according to the state having a short circuit. For example, in FIG. 7, the wiring pattern of the short-circuit result (good quality) has the output b1. However, in the two wiring patterns T2 and T3 having a short circuit, the output is small to b2 and b3. It is.

이 때문에, 제 2 판정 수단(62)은, 무단락 결과와 제 2 검파 수단(32)의 제 2 결과의 출력차를 산출함에 의해, 이 출력차로부터 단락 판정을 행할 수가 있다.For this reason, the 2nd determination means 62 can perform a short circuit determination from this output difference by calculating the output difference of a no short circuit result and a 2nd result of the 2nd detection means 32. As shown in FIG.

제 1 판정 수단(61)과 제 2 판정 수단(62)의 판정 결과는, 각각 후술하는 표시 수단(7)에 송신된다.The determination result of the 1st determination means 61 and the 2nd determination means 62 is transmitted to the display means 7 mentioned later, respectively.

여기서, 제 1 판정 수단(61)과 제 2 판정 수단(62)은, 별개의 연산 처리에 의해 각 판정이 연산되게 되기 때문에, 각각의 처리를 패럴렐 처리(평행 처리)할 수 있다. 이와 같이, 제 1 판정 수단(61)과 제 2 판정 수단(62)을 별개로 처리함에 의해, 검사 시간을 단축할 수 있다.Here, since each determination is computed by a separate calculation process, the 1st determination means 61 and the 2nd determination means 62 can perform a parallel process (parallel process) of each process. In this way, the inspection time can be shortened by processing the first and second determination means 61 and 62 separately.

제 1 검파 수단(31)과 제 2 검파 수단(32)은, 배선 패턴(8)에 대해, 각각을 x-y축으로 하는 벡터로 표현할 수도 있다. 이 경우, 도 8에서 도시되는 바와 같이, 양품인 경우의 벡터와 비교함에 의해, 도통 판정과 단락 판정을 행할 수도 있다. 예를 들면, 도 8에서는, 화살표(Z)가 기준 벡터(양품인 경우의 벡터)를 나타내고 있고, 화살표(Z1)의 벡터는 위상량은 거의 0이어서, 도통 검사는 문제없지만, 출력이 작기 때문에 단락 문제를 갖고 있다고 판정할 수 있다. 또한, 화살표(Z2)의 벡터는 위상량이 크고 기준보다 상위하기 때문에 도통 문제를 갖고 있다고 판정할 수 있다.The 1st detection means 31 and the 2nd detection means 32 can also be expressed with the vector which makes x-y axis | shaft with respect to the wiring pattern 8, respectively. In this case, as shown in FIG. 8, conduction determination and short circuit determination can also be performed by comparing with the vector in the case of good quality products. For example, in FIG. 8, the arrow Z represents a reference vector (vector in the case of good quality), and the vector of the arrow Z1 has almost zero phase amount, so that the conduction inspection is not a problem, but the output is small. You can determine that you have a short circuit problem. Further, since the vector of the arrow Z2 has a large phase amount and differs from the reference, it can be determined that there is a conduction problem.

이와 같이 벡터 표시함에 의해, 도통 판정과 단락 판정을 눈으로 보고 확인하는 것이 가능해진다.By vector display in this way, it is possible to visually confirm the conduction judgment and the short circuit decision.

표시 수단(7)은, 제 1 판정 수단(61)이나 제 2 판정 수단(62)의 판정 결과를 표시한다. 이 표시 수단(7)은, 이른바 액정 디스플레이 등의 표시 장치를 이용할 수 있다.The display means 7 displays the determination result of the 1st determination means 61 or the 2nd determination means 62. As shown in FIG. This display means 7 can use display apparatuses, such as what is called a liquid crystal display.

이상이 본 발명에 관한 한 실시 형태의 기판 검사 장치(1)의 구성의 설명이다.The above is description of the structure of the board | substrate inspection apparatus 1 of one Embodiment which concerns on this invention.

다음에, 발명에 관한 한 실시 형태의 기판 검사 장치(1)의 동작에 관해 설명한다.Next, operation | movement of the board | substrate inspection apparatus 1 of one Embodiment concerning invention is demonstrated.

도 9는 본 발명에 관한 한 실시 형태의 기판 검사 장치를 실시한 경우의 플로우 차트를 도시한다.9 shows a flowchart in the case where the substrate inspection apparatus according to the embodiment of the present invention is implemented.

우선, 기판 검사 장치(1)의 재치대(11)에 유리 기판(100)을 재치하여, 이 기판(100)의 검사를 행할 수 있도록 준비한다(S1).First, the glass substrate 100 is placed on the mounting table 11 of the substrate inspection apparatus 1, and the substrate 100 is prepared to be inspected (S1).

이때, 제 1 전극부(51)를 복수의 제 1 베이스부(812)에 물리적으로 접촉시켜서 접속하고, 제 2 전극부(52)를 복수의 제 2 베이스부(822)에 물리적으로 접촉시켜서 접속한다.At this time, the first electrode portion 51 is physically brought into contact with the plurality of first base portions 812, and the second electrode portion 52 is brought into physical contact with the plurality of second base portions 822. do.

또한, 기판(100)에는, 제 1 배선 패턴(81)과 제 2 배선 패턴(82)으로 이루어지는 배선 패턴(8)이 형성되어 있고, 이 배선 패턴(8)의 형상이나 배치 간격에 관한 정보가 기억 장치에 기억된다. 이와 같은 정보가 기억 장치에 기억되기 때문에, 신호 검출 수단(2)에 의해 검출되는 검출 신호가 어느 배선 패턴으로부터 검출된 검사 신호인지를 특정할 수 있다.Moreover, the wiring pattern 8 which consists of the 1st wiring pattern 81 and the 2nd wiring pattern 82 is formed in the board | substrate 100, and the information about the shape and arrangement | positioning interval of this wiring pattern 8 is provided. Are stored in memory. Since such information is stored in the storage device, it is possible to specify which wiring pattern the detection signal detected by the signal detecting means 2 is from which wiring pattern.

기판(100)이 준비되면, 급전 수단(5)이 인가한 기준 신호가 설정된다.When the substrate 100 is prepared, the reference signal applied by the power supply means 5 is set.

검사 준비가 완료되면, 신호 검출 수단(2)이 배선 패턴(8)의 소정의 위치를 이동한다(S2).When the test preparation is completed, the signal detecting means 2 moves the predetermined position of the wiring pattern 8 (S2).

이때, 신호 검출 수단(2)의 제 1 측정부(21)는, 도 3에서 도시되는 바와 같이, 제 1 선형상부(811)의 제 1 베이스부(812)의 부근과 제 2 선형상부(821)의 선단상을 교대로 이동하도록 배치되어 있다. 그리고, 각 배선 패턴(8)(제 1 배선 패턴(81)이나 제 2 배선 패턴(82))상에 인가되는 신호를 검출한다.At this time, as shown in FIG. 3, the 1st measuring part 21 of the signal detection means 2 is the vicinity of the 1st base part 812 of the 1st linear upper part 811, and the 2nd linear upper part 821. As shown in FIG. It is arrange | positioned so that the tip top of) may move alternately. And the signal applied to each wiring pattern 8 (1st wiring pattern 81 or 2nd wiring pattern 82) is detected.

또한, 상기한 바와 같이, 제 2 측정부(22)를 이용하여 제 1 측정부(21)와의 차분을 검출 신호로 하여도 좋다.As described above, the difference from the first measuring unit 21 may be used as the detection signal using the second measuring unit 22.

제 1 측정부(21)가 각 배선 패턴으로부터 신호를 검출하면, 검사 신호 산출 수단에 이 검출 신호와 기준 신호가 송신되고, 도통 판정 및 단락 판정을 위한 신호를 산출한다(S3).When the first measuring unit 21 detects a signal from each wiring pattern, the detection signal and the reference signal are transmitted to the inspection signal calculating means, and a signal for conduction determination and short circuit determination is calculated (S3).

우선, 위상량 산출 수단(33)에 의해 위상량을 산출한다(S4).First, the phase amount calculation means 33 calculates the phase amount (S4).

이때, 위상량 산출 수단(33)은, 상기 설명과 같이, 기준 신호와 검출 신호를 각각 디지털 변환하고, 이 변환치를 이용하여 위상의 어긋남(위상량)을 산출한다. At this time, the phase amount calculating means 33 digitally converts the reference signal and the detection signal, respectively, as described above, and calculates the phase shift (phase amount) using this converted value.

위상량 산출 수단(33)에 의해 산출된 위상량은, 제 1 검파 수단(31)에 보내진다.The phase amount calculated by the phase amount calculating means 33 is sent to the first detection means 31.

제 1 검파 수단(31)은, 기준 신호를 기초로 위상량 산출 수단(33)에서 산출된 위상량을 소정 위상으로 하고, 이 소정 위상의 검파(위상분만큼 이상(移相)하는 위상 검파)를 행한다(S5).The first detection means 31 sets the phase amount calculated by the phase amount calculation means 33 as a predetermined phase based on the reference signal, and detects the phase of the predetermined phase (phase detection that is ideal for the phase). (S5).

이 제 1 검파 수단(31)은, 검파에 의해 산출한 제 1 결과를 제 1 판정 수단(61)에 송신한다.The first detection means 31 transmits the first result calculated by the detection to the first determination means 61.

제 1 판정 수단(61)은, 제 1 결과를 도통 양호 결과와 비교하여 위상차를 산출한다. 그리고, 제 1 판정 수단(61)이 이 위상차를 기초로 도통 판정을 행한다(S6).The first determination means 61 calculates the phase difference by comparing the first result with the good conduction result. Then, the first determination means 61 makes a conduction determination based on this phase difference (S6).

이때, 도 6에서 도시되는 바와 같이, 기준 신호로부터의 위상의 어긋난량(위상량)에 따라 도통의 양 불량을 판정할 수 있음과 함께, 어긋난량에 따라 저항치를 산출한다.At this time, as shown in Fig. 6, both of the conduction defects can be determined according to the shift amount (phase amount) of the phase from the reference signal, and the resistance value is calculated according to the shift amount.

상기한 설명에서는, 소정 위상을 위상량 산출 수단(33)에서 산출하는 경우를 설명하였지만, 이 소정 위상을 미리 90도로 하여 기준 신호를 90도 검파하도록 제 1 검파 수단(31)을 설정하여 놓아도 좋다.In the above description, the case where the predetermined phase is calculated by the phase amount calculating means 33 has been described. However, the first detecting means 31 may be set so that the reference signal is detected 90 degrees with the predetermined phase being 90 degrees in advance. .

또한, 검사 대상이 되는 배선 패턴에 대해 도통 판정이 행하여지는 한편, 배선 패턴에 대한 단락 판정도 실시된다.In addition, while conduction determination is performed on the wiring pattern to be inspected, a short circuit determination on the wiring pattern is also performed.

검사 신호 산출 수단(3)의 제 2 검파 수단(32)이, 기준 신호를 기초로 검사 신호의 동기 검파를 행한다(S7).The second detection means 32 of the test signal calculation means 3 performs synchronous detection of the test signal based on the reference signal (S7).

이때, 제 2 검파 수단(32)의 동기 검파에 의해 제 2 결과가 산출된다. 이 제 2 결과는, 제 2 판정 수단(62)에 송신된다.At this time, the second result is calculated by the synchronous detection of the second detection means 32. This second result is transmitted to the second determination means 62.

제 2 판정 수단(62)은, 제 2 결과를 무단락 결과와 비교하여, 출력차를 산출한다. 그리고, 제 2 판정 수단(62)이 이 출력차를 기초로 단락 판정을 행한다(S8).The second determination means 62 calculates the output difference by comparing the second result with the short-circuit result. Then, the second judging means 62 makes a short circuit judgment based on this output difference (S8).

이때, 도 7에서 도시되는 바와 같이, 기준 신호로부터의 출력의 차이에 응하여 단락의 유무를 판정할 수 있다.At this time, as shown in FIG. 7, it is possible to determine the presence or absence of a short circuit in response to the difference in the output from the reference signal.

도 10과 도 11은, 본 발명을 이용하여 복수로 병설되는 배선 패턴을 검사한 경우의 제 1 결과와 제 2 결과의 그래프를 도시한다. 또한, 도 10과 도 11의 상단부가 제 1 결과를 나타내고, 하단부가 제 2 결과를 나타낸다.10 and 11 show graphs of a first result and a second result when a plurality of wiring patterns arranged in parallel using the present invention are examined. 10 and 11 show the first result, and the lower part shows the second result.

도 10에서 도시되는 그래프중의 영역(A 및 B)에서는, 제 1 결과가 돌출한 상태를 나타내고 있고, 이 장소의 배선 패턴이 도통 불량을 일으키고 있는 것을 검출할 수 있다.In the regions A and B in the graph shown in FIG. 10, the first result is in a protruding state, and it is possible to detect that the wiring pattern at this place is causing poor conduction.

또한, 도 11에서 도시되는 그래프중의 영역(C)에서는, 제 2 결과의 출력이 작게(진폭이 작게) 되어 있고, 단락이 존재하는 것을 검출할 수 있다.In the region C in the graph shown in FIG. 11, the output of the second result is small (amplitude is small), and it can be detected that a short circuit exists.

또한, 도 10의 도통 불량 개소에서는, 이들 돌출량을 산출함에 의해, 배선 패턴의 저항치를 산출하도록 설정할 수도 있다.In addition, in the poor conduction point of FIG. 10, it is also possible to set so that the resistance value of a wiring pattern may be calculated by calculating these protrusion amounts.

청구항 제 1항 및 제 9항에 기재된 발명에 의하면, 검사 대상이 되는 배선 패턴에, 기준 신호를 인가하고, 이 피검사 대상이 되는 배선 패턴으로부터 검출되는 검출 신호로부터 도통 판정 및 단락 판정하는 것이 가능하게 되어, 도통 및 단락을 하나의 인가 신호에 의해 판정할 수 있다.According to the inventions of claims 1 and 9, it is possible to apply a reference signal to the wiring pattern to be inspected and to conduct a conduction determination and a short circuit determination from a detection signal detected from the wiring pattern to be inspected. Thus, conduction and short circuit can be determined by one application signal.

또한, 상기 판정 수단은, 상기 제 1 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 제 1 판정 수단과, 상기 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 제 2 판정 수단을 갖기 때문에, 도통 판정과 단락 판정을 별도 공정의 처리로서 행할 수가 있다.Moreover, since the said determination means has the 1st determination means which performs the conduction determination of the said wiring pattern from the said 1st result, and the 2nd determination means which performs the short circuit determination of the said wiring pattern from the said 2nd result, it is the conduction determination and Short circuit determination can be performed as a process of a separate process.

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청구항 제 3항에 기재된 발명에 의하면, 상기 제 1 검파 수단에서 이용되는 소정 위상은, 상기 기준 신호와 상기 검출 신호의 위상량을 산출하는 위상량 산출 수단에 의해 산출되기 때문에, 단락 판정을 행하기 위한 소정 위상을, 기준 신호와 검출 신호의 안정된 또한 정확한 위상을 산출할 수 있다. According to the invention of claim 3, since the predetermined phase used in the first detection means is calculated by phase amount calculation means for calculating phase amounts of the reference signal and the detection signal, short circuit determination is performed. For a predetermined phase, a stable and accurate phase of the reference signal and the detection signal can be calculated.

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이 때문에, 소정 위상을 이용하여 위상 검파할 때에, 안정되고 정확한 산출 결과를 얻을 수 있게 된다.Therefore, when performing phase detection using a predetermined phase, a stable and accurate calculation result can be obtained.

청구항 제 1항에 기재된 발명에 의하면, 상기 제 1 판정 수단이 행하는 도통 판정은, 상기 제 1 결과와 미리 설정되는 배선 패턴의 양품 결과와 비교하여 판정되기 때문에, 양품인 경우의 출력 결과와 비교하여, 배선 패턴의 도통의 양 불량의 판정을 행할 수가 있다.
청구항 제 9항에 기재된 발명에 의하면, 상기 제 2 판정 수단이 행하는 단락 판정은, 상기 제 2 결과와 미리 설정되는 배선 패턴의 양품 결과와 비교하여 판정되기 때문에, 양품의 경우의 출력 결과와 비교하여 배선 패턴의 단락의 유무의 판정을 행할 수 있다.
According to the invention of claim 1, since the conduction determination performed by the first determining means is determined in comparison with the first result and the good result of the wiring pattern set in advance, it is compared with the output result in the case of good quality. It is possible to determine the defectiveness of the conduction of the wiring pattern.
According to the invention as set forth in claim 9, since the short circuit determination performed by the second determination means is determined in comparison with the second result and the good result of the wiring pattern set in advance, The presence or absence of a short circuit of the wiring pattern can be determined.

청구항 제 7항에 기재된 발명에 의하면, 상기 제 1 판정 수단의 도통 판정과, 상기 제 2 판정 수단의 단락 판정이, 동시에 처리되기 때문에, 하나의 배선 패턴에 대해, 도통 판정 및 단락 판정을 동시에 처리하는 것이 가능하게 되어, 기판의 검사에 필요한 택트를 단축하는 것이 가능해진다.According to the invention of claim 7, since the conduction determination of the first determination means and the short circuit determination of the second determination means are processed at the same time, the conduction determination and the short circuit determination are simultaneously processed for one wiring pattern. It becomes possible to do this, and it becomes possible to shorten the tact required for inspection of a board | substrate.

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청구항 제 8항에 기재된 발명에 의하면, 상기 신호 검출 수단은, 상기 제 1 배선 패턴과 상기 제 2 배선 패턴의 장축 방향에 대해, 직각 방향으로 이동하기 때문에, 복수의 제 1 및 제 2 배선 패턴을 연속적으로 도통 판정 및 단락 판정하는 것이 가능해진다.According to the invention of claim 8, since the signal detecting means moves in a direction perpendicular to the major axis direction of the first wiring pattern and the second wiring pattern, a plurality of first and second wiring patterns are formed. The conduction determination and the short circuit determination can be performed continuously.

청구항 제 10항 및 제 11항에 기재된 발명에 의하면, 검사 대상이 되는 배선 패턴에, 기준 신호를 인가하고, 이 피검사 대상이 되는 배선 패턴으로부터 검출되는 검출 신호로부터 도통 판정 및 단락 판정하는 것이 가능하게 되어, 도통 및 단락을 하나의 인가 신호에 의해 판정할 수 있다.According to the invention of Claims 10 and 11, it is possible to apply a reference signal to the wiring pattern to be inspected and to conduct a conduction determination and a short circuit determination from a detection signal detected from the wiring pattern to be inspected. Thus, conduction and short circuit can be determined by one application signal.

이 때문에, 복잡한 구성을 필요로 하지 않고, 간단한 구조로 배선 패턴의 도통 및 단락의 검사를 가능하게 한다.For this reason, it does not require a complicated structure and enables the conduction of a wiring pattern and the test | inspection of a short circuit with a simple structure.

Claims (11)

제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 장치로서,And a first wiring pattern having a first linear portion and a first base portion extending from one end of the first linear portion, and a second base portion extending from a second linear portion and one end of the second linear portion. A substrate inspection apparatus for inspecting a substrate in which a plurality of second wiring patterns disposed at positions opposite to the first wiring pattern are alternately formed. 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치됨과 함께 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하는 신호 검출 수단과,Signal detection means for physically contacting one wiring pattern to be inspected and detecting a signal applied to the wiring pattern; 상기 제 1 배선 패턴의 제 1 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 1 전극부와,A first electrode part disposed in physical contact with the first base part of the first wiring pattern; 상기 제 2 배선 패턴의 제 2 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 2 전극부와,A second electrode part disposed in physical contact with the second base part of the second wiring pattern; 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하는 급전 수단과,Power supply means for supplying a reference signal having a predetermined period to the first electrode portion and the second electrode portion; 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 행하는 제 1 검파 수단과,First detection means for performing phase detection of a predetermined phase based on the reference signal from the detection signal detected by the signal detection means; 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 행하는 제 2 검파 수단과,Second detection means for performing synchronous detection based on the reference signal from the detection signal detected by the signal detection means; 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴의 도통 판정 및 단락 판정을 행하는 판정 수단을 구비하고,Determination means for conducting a conduction determination and a short circuit determination of one wiring pattern to be the inspection target from the first result in the first detection means and the second result in the second detection means; 상기 판정 수단은, Wherein the determination means determines, 상기 제 1 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 제 1 판정 수단과,First determination means for performing conduction determination of the wiring pattern from the first result; 상기 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 제 2 판정 수단을 구비하고,Second determination means for performing a short circuit determination of the wiring pattern from the second result; 상기 제 1 판정 수단은, 상기 제 1 검파 수단에 의한 위상 검파에 의해 상기 제 1 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 1 결과로서 미리 설정되는 신호와의 위상의 어긋남 량을 산출하고, 그 위상의 어긋남 량에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The said 1st determination means is previously made as said 1st result based on the signal concerning the wiring pattern of the inspection object obtained as said 1st result by phase detection by said 1st detection means, and the wiring pattern of the good goods used as a reference. The board | substrate test | inspection apparatus characterized by calculating the amount of shift | offset | difference of phase with a signal to be set, and conducting determination of the wiring pattern of a test object based on the amount of shift | offset | difference of the phase. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 판정 수단은, 산출한 상기 위상의 어긋남 량에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 저항치를 산출하고, 그 산출된 저항치에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The said 1st determination means calculates the resistance value of the wiring pattern of a test object based on the calculated shift amount of the phase, and performs the conduction determination of the wiring pattern of a test object based on the calculated resistance value. Inspection device. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 검파 수단에서 이용되는 상기 소정 위상은, 상기 기준 신호와 상기 검출 신호의 위상량을 산출하는 위상량 산출 수단에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.And said predetermined phase used in said first detection means is calculated by phase amount calculation means for calculating phase amounts of said reference signal and said detection signal. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 위상량 검출 수단은, 상기 기준 신호의 기준보다도 큰 정의 아날로그값 또는 기준보다도 작은 부의 아날로그값을 디지털화함과 함께, 상기 검출 신호의 기준보다도 큰 정의 아날로그값 또는 기준보다도 작은 부의 아날로그값을 디지털화하고, 디지털화된 기준 신호와 디지털화된 검출 신호의 배타적 논리합에 의해 얻어지는 위상의 차분을 상기 소정 위상으로서 부여하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The phase amount detecting means digitizes the positive analog value larger than the reference of the reference signal or the negative analog value smaller than the reference, and digitizes the positive analog value larger than the reference of the detection signal or the negative analog value smaller than the reference. And a phase difference obtained by an exclusive logical sum of the digitized reference signal and the digitized detection signal as the predetermined phase. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 2 판정 수단은, 상기 제 2 검파 수단에 의한 동기 검파에 의해 상기 제 2 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 2 결과로서 미리 설정되는 신호의 출력치 차를 산출하고, 그 출력치 차에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The said second determination means is previously made as said 2nd result based on the signal concerning the wiring pattern of the inspection object obtained as said 2nd result by the synchronous detection by the said 2nd detection means, and the wiring pattern of the good goods used as a reference | standard. The board | substrate test | inspection apparatus characterized by calculating the output value difference of the signal set, and performing a short circuit determination of the wiring pattern of a test object based on the output value difference. 제 5항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 제 1 판정 수단에 의해 산출되는 상기 위상의 어긋남 량과, 상기 제 2 판정 수단에 의해 산출되는 상기 출력치 차는, 표시 수단에서 각각을 x-y축으로 하는 벡터 표현에 의해 표시되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The difference in amount of the phase calculated by the first judging means and the difference in the output values calculated by the second judging means are displayed by a vector representation in which each display unit has an xy axis. Inspection device. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제 1 판정 수단의 도통 판정과, 상기 제 2 판정 수단의 단락 판정이, 동시에 처리되는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The conduction determination of the first determination means and the short circuit determination of the second determination means are simultaneously processed. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 신호 검출 수단은, 상기 제 1 배선 패턴과 상기 제 2 배선 패턴의 장축 방향에 대해, 직각 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.And said signal detecting means moves in a direction perpendicular to the major axis direction of said first wiring pattern and said second wiring pattern. 제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 장치로서,And a first wiring pattern having a first linear portion and a first base portion extending from one end of the first linear portion, and a second base portion extending from a second linear portion and one end of the second linear portion. A substrate inspection apparatus for inspecting a substrate in which a plurality of second wiring patterns disposed at positions opposite to the first wiring pattern are alternately formed. 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치됨과 함께, 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하는 신호 검출 수단과,Signal detection means for physically contacting one wiring pattern to be inspected and detecting a signal applied to the wiring pattern; 상기 제 1 배선 패턴의 제 1 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 1 전극부와,A first electrode part disposed in physical contact with the first base part of the first wiring pattern; 상기 제 2 배선 패턴의 제 2 베이스부와 물리적으로 접촉하여 배치되는 제 2 전극부와,A second electrode part disposed in physical contact with the second base part of the second wiring pattern; 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하는 급전 수단과,Power supply means for supplying a reference signal having a predetermined period to the first electrode portion and the second electrode portion; 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 행하는 제 1 검파 수단과,First detection means for performing phase detection of a predetermined phase based on the reference signal from the detection signal detected by the signal detection means; 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 행하는 제 2 검파 수단과,Second detection means for performing synchronous detection based on the reference signal from the detection signal detected by the signal detection means; 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴의 도통 판정 및 단락 판정을 행하는 판정 수단을 구비하고,Determination means for conducting a conduction determination and a short circuit determination of one wiring pattern to be the inspection target from the first result in the first detection means and the second result in the second detection means; 상기 판정 수단은,Wherein the determination means determines, 상기 제 1 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 제 1 판정 수단과,First determination means for performing conduction determination of the wiring pattern from the first result; 상기 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 제 2 판정 수단을 가지며,It has a 2nd determination means which performs the short circuit determination of the said wiring pattern from a said 2nd result, 상기 제 2 판정 수단은, 상기 제 2 검파 수단에 의한 동기 검파에 의해 상기 제 2 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 2 결과로서 미리 설정되는 신호와의 출력치 차를 산출하고, 그 출력치 차에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The said second determination means is previously made as said 2nd result based on the signal concerning the wiring pattern of the inspection object obtained as said 2nd result by the synchronous detection by the said 2nd detection means, and the wiring pattern of the good goods used as a reference | standard. The board | substrate test | inspection apparatus characterized by calculating the output value difference with the signal set, and performing a short circuit determination of the wiring pattern of a test object based on the output value difference. 제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 방법으로서,And a first wiring pattern having a first linear portion and a first base portion extending from one end of the first linear portion, and a second base portion extending from a second linear portion and one end of the second linear portion. A substrate inspection method for inspecting a substrate in which a plurality of second wiring patterns alternately disposed at opposite positions to the first wiring pattern are formed. 상기 복수의 제 1 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 1 전극부를 배치하고,A first electrode part is disposed in physical contact with the plurality of first base parts, 상기 복수의 제 2 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 2 전극부를 배치하고,A second electrode part is disposed in physical contact with the plurality of second base parts, 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하고,Supplying a reference signal having a predetermined period to the first electrode portion and the second electrode portion, 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치되는 신호 검출 수단에 의해, 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하고,The signal applied to the wiring pattern is detected by signal detection means physically disposed in a non-contact manner on one wiring pattern to be inspected, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 1 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 산출하고,From the detection signal detected by the said signal detection means, phase detection of a predetermined phase is calculated by a 1st detection means based on the said reference signal, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 2 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 산출하고,From the detection signal detected by the signal detection means, a synchronous detection is calculated by the second detection means based on the reference signal, 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정과 단락 판정을 행하며,The conduction determination and the short circuit determination of the wiring pattern are made from the first result in the first detection means and the second result in the second detection means, 상기 제 1 결과에 기초하여 상기 도통 판정에서, 상기 제 1 검파 수단에 의한 위상 검파에 의해 상기 제 1 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 1 결과로서 미리 설정되는 신호와의 위상의 어긋남 량을 산출하고, 그 위상의 어긋남 량에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 도통 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.In the conduction determination based on the first result, the signal is determined based on a signal relating to a wiring pattern to be inspected as the first result by phase detection by the first detection means and a wiring pattern of a good product as a reference. The board | substrate test | inspection method characterized by calculating the deviation amount of the phase with a signal preset as a 1st result, and making the conduction determination of the wiring pattern of a test object based on the deviation amount of the phase. 제 1 선형상부와 해당 제 1 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 1 베이스부를 갖는 제 1 배선 패턴과, 제 2 선형상부와 해당 제 2 선형상부의 일단으로부터 연장 설치되는 제 2 베이스부를 갖음과 함께, 상기 제 1 배선 패턴과 대향 위치에 배치되는 제 2 배선 패턴이 교대로 복수 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 방법으로서,And a first wiring pattern having a first linear portion and a first base portion extending from one end of the first linear portion, and a second base portion extending from a second linear portion and one end of the second linear portion. A substrate inspection method for inspecting a substrate in which a plurality of second wiring patterns alternately disposed at opposite positions to the first wiring pattern are formed. 상기 복수의 제 1 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 1 전극부를 배치하고,A first electrode part is disposed in physical contact with the plurality of first base parts, 상기 복수의 제 2 베이스부에 물리적으로 접촉하여 제 2 전극부를 배치하고,A second electrode part is disposed in physical contact with the plurality of second base parts, 상기 제 1 전극부와 상기 제 2 전극부에 소정 주기를 갖는 기준 신호를 공급하고,Supplying a reference signal having a predetermined period to the first electrode portion and the second electrode portion, 검사 대상으로 되는 하나의 배선 패턴에 물리적으로 비접촉으로 배치되는 신호 검출 수단에 의해, 해당 배선 패턴에 인가되는 신호를 검출하고,The signal applied to the wiring pattern is detected by signal detection means physically disposed in a non-contact manner on one wiring pattern to be inspected, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 1 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 소정 위상의 위상 검파를 산출하고,From the detection signal detected by the said signal detection means, phase detection of a predetermined phase is calculated by a 1st detection means based on the said reference signal, 상기 신호 검출 수단에 의해 검출되는 검출 신호로부터, 제 2 검파 수단에 의해 상기 기준 신호를 기초로 동기 검파를 산출하고,From the detection signal detected by the signal detection means, a synchronous detection is calculated by the second detection means based on the reference signal, 상기 제 1 검파 수단에서의 제 1 결과와 상기 제 2 검파 수단에서의 제 2 결과로부터 상기 배선 패턴의 도통 판정과 단락 판정을 행하며,The conduction determination and the short circuit determination of the wiring pattern are made from the first result in the first detection means and the second result in the second detection means, 상기 제 2 결과에 기초하여 상기 단락 판정에서, 상기 제 2 검파 수단에 의한 동기 검파에 의해 상기 제 2 결과로서 얻어지는 검사 대상의 배선 패턴에 관한 신호와, 기준으로 되는 양품의 배선 패턴을 기초로 상기 제 2 결과로서 미리 설정되는 신호와의 출력치 차를 산출하고, 그 출력치 차에 기초하여 검사 대상의 배선 패턴의 단락 판정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 방법.On the basis of the second result, in the short circuit determination, based on the signal concerning the wiring pattern of the inspection object obtained as the second result by the synchronous detection by the second detection means, and the wiring pattern of the good product as a reference. A substrate inspection method comprising calculating an output value difference from a signal preset as a second result and performing a short circuit determination of the wiring pattern to be inspected based on the output value difference.
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