KR100452794B1 - 고온 탐지기 및 그 제조 방법 - Google Patents

고온 탐지기 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

고온 탐지기는 고온 계측 소자 (100)와, 고온에 안전한 물질로 만들어지고 계측 소자에 연결된 제 1과 제 2 연결단을 포함하여 구성된 온도 센서를 포함하여 이루어진다. 고온 센서는 그것의 제 1 끝단 근처에 있는 길다란 하우징 (300) 안에 배치되고, 하우징 (300)은 고온에 안전한 물질로 만들어진 제 1과 제 2 도체 트랙을 포함하여 구성되고, 도체 트랙은 제 1과 제 2 연결단으로 연결되며 하우징의 제 2 끝단 방향으로 연장되어 있다. 그리고, 연결 점 (214, 302)이 제공되는데, 이것은 고온 센서에 의해 만들어진 신호를 입력시키기 위해 사용되고 하우징의 제 2 끝단 근처에 배치된다. 그러한 장치를 제조하기 위하여, 맨 먼저 센서 (100)가 제공되고 이어서 제 1 기판의 제 1 끝단 근처에 있는 구멍 안에 배치된다. 그 다음, 제 2와 제 3 세라믹 기판에 형성된 도체 트랙이 센서의 연결단으로 연결되도록 제 2와 제 3 세라믹 기판 (200, 260)이 제 1 세라믹 기판과 결합된다. 도체 트랙은 제 2와 제 3 세라믹 기판 각각의 제 2 끝단으로 연장되어 있다.

Description

고온 탐지기 및 그 제조 방법{HIGH TEMPERATURE DETECTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF}
선행 기술에서는, 박막 기술에서 사용되고 600℃까지의 온도 범위 내에서 사용되는 백금 계측용 저항들이 널리 알려져 있다. 온도 범위와 사용 분야에 따라, 다른 구현 방법들이 개발되어 왔다. 최근 몇 년 동안, 고온 (즉, 800℃까지 또는 심지어는 1,000℃ 이상까지)에서 사용되기에 적합한 구현 방법들을 위해 요구사항이 증가하고 있다. 그러한 백금 계측용 저항들이 예로써 독일 특허공개공보 DE 1999 01 183A와 DE 199 01 184에 설명되어 있다.
한 물품이 대량 생산품 특히, 신뢰할만한 기능을 가질 뿐만 아니라 가격도 저렴한 제품에 적용될 때, 그러한 백금 계측용 저항들은 매우 중요한 것이 된다.
유럽 특허공개공보 EP-A-0 017 359는 세라믹 재료로 만들어진 절연 기판으로 구성된 세라믹 센서를 설명하고 있다. 한 쌍의 도선이 절연 기판에 구성되고 절연 커버로 커버된다. 기판의 한 쪽 끝에는 한 쌍의 출력단이 제공되고, 기판의 다른 끝에는 센서 소자가 배치되며, 이 센서 소자는 상기 도선을 통해 출력단에 연결된다.
본 발명은 고온 탐지기 및 그러한 고온 탐지기의 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 백금 SMD(표면실장부품) 칩을 보여준다.
도 2A 내지 2D는 하우징을 만들기 위해 사용된 개개의 세라믹 기판을 보여준다.
도 3은 세라믹 기판으로 구성된 하우징을 보여준다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 고온 센서를 보여준다.
본 발명의 목적은 단순하고 경제적 가격의 고온 탐지기 및 고온 탐지기의 제조 시 단순하고 경제적 가격의 제조 방법을 제공하는 것이다.
이 목적은 청구항 1에 따른 장치와, 청구항 8에 따른 방법에 의해 달성된다.
본 발명은 고온 측정 필름과, 고온 측정 필름에 연결되며 고온에 안전한 물질로 만들어진 제 1 연결단과, 고온 측정 필름에 연결되며 고온에 안전한 물질로 만들어진 제 2 연결단을 포함하여 구성되는 고온 센서와; 제 1의 길다란 세라믹 기판과, 제 2의 길다란 세라믹 기판과, 제 3의 길다란 세라믹 기판을 포함하여 구성되는 길다란 하우징(세 개의 길다란 세라믹들은 서로 중첩되며, 제 1의 길다란 세라믹 기판은 제 2의 길다란 세라믹 기판과 제 3의 길다란 세라믹 기판 사이에 배치되며 하우징의 제 1 끝단 근처에 위치하고 있고 그 안에는 고온 센서가 들어가게 되는 관통-구멍을 포함하고 있으며, 제 2와 제 3 세라믹 기판은 제 1 세라믹 기판에 있는 구멍이 완전히 덮여지도록 배치된다)과; 고온 센서의 제 1 연결단으로 연결되고 하우징의 제 2 끝단 방향으로 연장되어 있으며 고온에 안전한 물질로 이루어진, 제 2의 길다란 세라믹 기판 위의 제 1 도체 트랙과; 고온 센서의 제 2 연결단으로 연결되고 하우징의 제 2 끝단 방향으로 연장되어 있으며 고온에 안전한 물질로 이루어진, 제 3의 길다란 세라믹 기판 위의 제 2 도체 트랙과; 하우징의 제 2 끝단 근처에 위치하며 고온에 안전하지 않은 물질을 통해 전기적 리드가 연결되도록 형성되는 연결점 - 고온 센서에 의해 만들어진 신호가 연결점을 통해 입력된다 - 을 가지고 있는 하이브리드 고온 탐지기이다.
본 발명은 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법이며, 이것은 고온 측정 필름과, 고온 측정 필름에 연결되며 고온에 안전한 물질로 만들어진 제 1 연결단과, 고온 측정 필름에 연결되며 고온에 안전한 물질로 만들어진 제 2 연결단을 포함하여 구성되는 고온 센서를 제공하는 단계와; 제 1 세라믹 기판의 제 1 끝단 근처에 형성된 관통홀 안에 고온 센서를 배치시키는 단계와; 제 2 세라믹 기판 상에 형성되고 제 2 세라믹 기판의 제 2 끝단으로 연장되는 도체 트랙이 제 2 세라믹 기판의 제 1 끝단에서 고온 센서의 제 1 연결단과 연결되도록 제 1 세라믹 기판과 제 2 세라믹 기판을 결합시키는 단계와; 제 3 세라믹 기판 상에 형성되고 제 3 세라믹 기판의 제 2 끝단으로 연장되는 도체 트랙이 제 3 세라믹 기판의 제 1 끝단에서 고온 센서의 제 2 연결단과 연결되도록 제 1 세라믹 기판과 제 3 세라믹 기판을 결합시키는 단계와; 고온 센서에 의해 만들어진 신호를 입력하도록 고온에 안전하지 않은 물질을 통해 전기적 리드를 연결하기 위해 제 1 연결 영역을 제 2의 길다란 세라믹 기판에 부착시키고 제 2 연결 영역을 제 3의 길다란 세라믹 기판에 부착시키는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명의 바람직한 실시예가 종속항에서 규정된다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예가 다음에서 더 상세히 설명될 것이다.
다음에 설명되는 본 발명의 바람직한 실시예에서는, 동일한 인용부호가 다른 도면에 있는 유사하거나 동일한 소자를 위해 사용된다.
본 발명은 적당한 가격으로 제조할 수 있고 납땜 가능한 콘택이 있으며, 예를 들어, 150℃까지의 낮은 온도 범위에 적용할 수 있다고 알려진 소위 SMD (Surface Mounted Device : 표면실장부품) 칩으로부터 시작한다. 그러나, 매우 고온에서 사용되는 경우에는, 도선을 측정 전류에 확실히 접촉시키기 위해 (문제의 외부 물질이 백금 쪽으로 확산되는 것을 방지하는) 좋지 않은 주위 조건에서 백금 저항 층을 확실하게 보호해야할 필요가 있다. 사용된 물질이 사용된 목표의 고온에서, 필요한 측정 전류에 의해, 전기적으로 분해되지 않을 적합한 물질이어야 한다는 사실에 특별히 주의해야 한다.
맨 먼저, 세라믹 기판에 사용되고 이미 패터닝된 백금이 프로텍티브 글레이즈(protective glaze)에 의해 커버되지 않는 한, 그리고 접촉 영역이 은이나 은 합금(예를 들어, Ag/Pd)으로 구성되지 않고 순수 백금으로 구성되는 한, 종래 실시예와는 다르게 적절한 SMD 칩이 제조될 것이다.
도 1은 예를 들어, AL2O3로 제조된 세라믹 기판 (102)을 포함하여 구성된 SMD 칩 (100)을 보여준다. 세라믹 기판 (102)의 제 1 주표면 (104)은 예를 들어, 백금이나 로듐과 약간 합금된 백금 필름으로 구성된 패터닝된 계측용 필름 (106)과 맞붙는다. 제 1 연결단 (108)이 형성되고, 이것은 계측용 필름 (106)의 제 1 끝단 (110)과 연결된다. 도 1에서 볼 수 있듯이, 제 1 연결단 (108)은 세라믹 기판 (102)의제 1 주표면 (104)으로부터 세라믹 기판 (102)의 측면을 가로질러 제 2 주표면으로 뻗어 있다. 계측용 필름 (106)의 제 2 끝단 (114)과 연결된 제 2 연결단 (112)이 같은 방법으로 구성된다.
도 1에서 보여진 실시예에서, 계측용 필름(106)과, 제 1 연결단(108)과, 제 2 연결단(112)은 고온에 안전한 동일 물질, 예를 들어, 백금으로 만들어진다. 여기서 고온이란 고온 탐지기의 센서가 작동되는 온도 이상을 의미한다. 그러나, 다른 실시예의 경우, 다른 물질도 사용될 수 있는데, 이는 필요한 고온 안전성을 갖춘다는 조건 하에서 가능하다. 간단한 응용(약 800℃)을 위해, 센서 작동온도가 약 800℃일 경우 가능한 물질은 백금 합금, 니켈 및 니켈 합금이다.
따라서, 도 1에 보여진 SMD 칩(100)은 고온 센서, 즉 필름 (016)에 의해 규정지어 진 고온 계측용 소자이다.
도 2를 참조하여, 본 발명에 따른 장치의 하우징을 제조하기 위해 사용된 개개의 세라믹 기판이 아래에서 상세히 설명될 것이다.
도 2A는 첫 번째 세라믹 덮개 판 (200)을 보여준다. 여기에 보여진 면은 하우징이 조립된 상태에서 고온 센서 또는 SMD 칩과 대향하여 위치하고 있는 면이다. 더 쉽게 설명하기 위해, 이 면을 "내측 (inner side)"이라 한다. 도 2A에서, 세라믹 기판 (200)과 SMD 칩 (100)이 중첩된 형태로 배치된 영역이 점선으로 표현되어 있다. 세라믹 기판 (200)의 제 2 끝단은 인용부호 (204)에 의해 지정된다. 세라믹 기판 (200)의 내측은 백금이나 백금 합금 (예를 들면, PtRh)과 같은, 고온에 안전한 물질로 구성된 도체 트랙 (206) 위에 형성된다.
도체 트랙 (206)은 세라믹 기판 (200)의 제 1 끝단 (202) 근처에, 접촉 패드 (208)를 가지고 있어서, 탐지기가 조립되고 있을 때 도체 트랙 (206)이 접촉 패드 (208)를 통해 SMD 칩 (100)의 제 1 연결단 (108) (도 1 참조)과 접촉된다.
도면에서 볼 수 있듯이, 도체 트랙 (206)은 접촉점 (208)으로부터 세라믹 기판 (200)의 제 2 끝단 (204) 방향으로 뻗어 있고, 관통-접촉 수단(210)은 세라믹 기판 (200)의 제 2 끝단 (204) 근처에 배치된 도체 트랙 끝단에 제공되며, 도체 트랙 (206)은 이 관통-접촉 수단 (210)의 도움으로 도 2A에서 보여진 세라믹 기판 (200)의 "내측"으로부터 도 2B에서 부분적으로 보여진 세라믹 기판 (200)의 "외측 (outer side)" (212)으로 나아가게 된다. 도 2B에서 볼 수 있듯이, 연결 영역 (214)은 세라믹 기판 (200)의 "외측" (212) 위에 배치된다.
도체 트랙을 다르게 실행시킨 경우에는, 관통-접촉 수단이 불필요하다 (도 4 참조). 여기서 첫 번째 (중앙) 세라믹 기판은 제 2 끝단에 기판의 앞과 뒤에 약 3㎜의 금속체를 포함하여 구성된다. 이번 실시예에서는 두 개의 세라믹 기판 (두 번째와 세 번째 세라믹 기판)이 포함되어서 그것들은 약 2㎜로 좀 더 짧다. 이는 두 번째와 세 번 째 세라믹 기판의 제 2 끝단 영역에, 첫 번째 세라믹 기판의 금속체와 각각 중첩되는 구역이 존재하는 효과를 가지며, 중첩 구역의 바깥쪽인 첫 번째 세라믹 기판의 금속체들 각각은 용접으로 연결 선을 붙이기 위해 사용되는 연결 영역을 규정짓는다.
완성된 센서 소자의 한쪽 면에 두 개의 (도선) 접촉점이 위치하게 되는 한 실시예에서는, 상술한 도체 트랙 실행 방법을 조합하여 사용할 수 있다 (1 x 관통-접촉 - 1 x 중첩).
세라믹 기판(200)의 가장자리에는 글레이즈(216)를 가지고 있으며, 하우징의 각 소자들이 조립될 때, 이 글레이즈(216)는 아직 설명되어야 할 각각의 세라믹 소자들이 결합하면서 밀폐되는 효과를 낼 것이다.
도 2C에서 두 번째 세라믹 기판 (230)이 보여지는데, 이것은 도 2A와 2B를 참조하여 설명된 첫 번째 세라믹 기판 (200)과 동일한 물질로 만들어진다. 이 중앙 세라믹 기판 (230)은 도체 트랙 구조로 형성되지 않고, 단지 하나의 구멍 또는 컷-아웃 부분 (232)만을 갖는데, 이 구멍 안으로 도 1을 참조하여 설명된 SMD 칩 (100) (점선으로 표시됨)이 삽입된다. 구멍 (232)은 제 2 세라믹 기판 (230)의 제 1 끝단 (234) 근처에 배치되고, 세라믹 기판 (230)의 제 2 끝단은 인용부호 (236)에 의해 지정된다.
도 2D는 세 번째 세라믹 기판 (260)을 보여주고 있으며, 그것의 구조적 설계는 도 2A를 참조하여 설명된 세라믹 판 (200)의 그것과 실질적으로 동일하다. 단 한 가지 다른 점은 SMD 칩 (100)의 제 2 연결단 (112) (도 1 참조)을 접촉하기 위해 사용된 접촉 영역 (262)이 제 3 세라믹 기판 (260)의 제 1 끝단 (264)으로부터 훨씬 멀리 떨어져 있다는 것이다. 이것은 SMD 칩 (100) 상의 개개의 연결단들이 다른 형태로 배치되기 때문이다. 도 2A를 참조하여 설명된 접촉 패드 (208)와 같이, 접촉 패드 (262) 역시 제 2 연결단 (112) (도 1 참조)를 통해 SMD 칩 (100)을 전기적으로 접촉하기 위해 사용된다. 접촉 패드 (262)에서 시작하여, 도체 트랙 (266)이 제 3 기판 (260)의 제 2 끝단 (268) 방향으로 뻗어나가고, 도체 트랙 (266)은 도 2A와 관련하여 설명된 도체 트랙과 일치하는 물질로 제조될 수 있다. 도 2A와 유사하게,도 2D는 세라믹 기판 (260)의 "내측"을 보여준다. 다시 말해, 이 측면은 조립된 상태에서 제 2 기판 (230)과 대향하는 위치에 있다. 관통-접촉 수단 (270)은 제 3 기판 (260)의 제 2 끝단 (268) 근처에 제공된다. 제 1 세라믹 기판과 유사하게, 이 관통-접촉 수단 (270)은 도체 트랙 (266)이 "외측"으로 뻗어 나가서 도 2D에 나타나 있지 않은 연결단으로 연결되는데 일조 한다.
위에서 설명한 바와 같이, 도 1을 기초로 하여 설명된 SMD 칩 (100)은 제 1 내지 제 3 세라믹 기판 (200, 230, 260)을 포함하는 특별한 세라믹 구조를 갖는 하우징내에 안착된다. 이럴 때, 칩 연결 및 접촉 영역 (108, 112)은 하부와 상부 덮개 판 (200, 260) 각각의 백금 도체 트랙 (206, 266)과 접촉된다. 그러나, 세라믹 하우징의 구조적 설계는 세 개의 중첩된 판 (200, 230, 260) 전부를 포함하는 것으로써, 그것의 전형적인 치수는 25 ㎜ x 3 ㎜ x 0.3 ㎜ (길이, 폭, 두께)이다. 하부와 상부 덮개 판 (200, 260)의 길이 방향으로 백금 도체 트랙 (206, 266)이 각 판을 포위를 하고 있다. 도 2A와 2D에서 볼 수 있듯이, 이 도체 트랙 (206, 266) 각각은 각 끝단에서 외부 접촉 영역 (214)과 관통하여 접촉한다. 중앙 판 (230)에는 직사각형의 컷-아웃 부분 (232)이 있는데, 이 안으로 도 2C에서 보여진 방법대로 SMD 칩 (100)이 삽입될 수 있다.
도 3은 세 개의 세라믹 판 (200, 230, 260)이 조합되어 얻어진 하우징 (300)을 보여준다. 도 2를 참조하여 이미 설명된 소자들에 추가하여, 제 3 기판 (260)의 외측 상에 있는 연결단 (302)이 도 3에서 보여진다. 제 3 기판 (260)에 있는 도체 트랙은 관통-접촉 수단 (270)을 통해 외측에 있는 연결단 (302)으로 연장된다.
하우징 제조단계에 있어서, 맨 먼저 하부 세라믹 판 (260)이 예를 들어, 하부 덮개 판 부분에 발려진 글레이즈 페이스트 (glaze paste) (272) (도 2D 참조)에 의해 중앙 세라믹 판 (230)과 결합된다. 하부 판 (260)의 내측 또는 상측에 백금 도체 트랙 (266)이 존재하는데, 그것은 SMD 칩 (100)의 "앞쪽 (front)" 접촉 위치까지 이 하부 판 (260) 위에 놓여진 중앙 판 (230)의 컷-아웃 부분 (232) 안으로 돌출하고 있다.
이제, 컷-아웃 부분 (232) 내에 위치하는 이 도체 트랙 부분에 후박 도체 페이스트(예를 들면, 백금)의 작은 한 방울이 발려지고, 연속해서, SMD 칩 (100)의 접촉 연결단 (112)이 이 하부 도체 트랙 (266)과 전기적으로 연결되도록 SMD 칩이 컷-아웃 부분에 놓여진다. 이제, SMD 칩 (100)의 반대편 접촉 연결단 (108)에는 백금 후박 페이스트 한 "방울"이 연결단 상측에 발려지고, 삽입된 SMD 칩 (100)이 앞서 발려진 백금 페이스트에 의해 아래로 향하고 있는 상부 세라믹 판 (200)의 도체 트랙 (206)과 전기적으로 연결되도록 상부 세라믹 덮개 판 (200) (이 판의 도체 트랙 (206)은 아래로 향해있다.)이 중앙 세라믹 판 (230) 위에 놓여진다. 상부 세라믹 덮개 판 (200)의 하부 또는 내부 측면 부분에는 이미 앞 진행 단계에서 글레이즈 층 (216)이 형성되었으므로 버닝 처리 (burning process) 중에 덮개 판 (200)이 SMD 칩 (100)을 포함하여 중앙 판 (230)과 퓨징(fusing)되어 단단히 결합할 수 있다. 방금 설명한 버닝 처리는 1,200℃ 내지 1,450℃ 사이의 온도에서 약 30분 (최고 시간) 동안 행해진다. 글레이즈 페이스트를 위해서는, SiO2(46.6％), BaO (39.2％), Al2O3(12.7％), CaO (0.5％), SrO (0.5％)로 구성된 제 1 원료나 SiO2(20.5％), Al2O3(55.0％), CaO (19.0％), MgO (5.5％)로 구성된 제 2 원료가 사용된다 (괄호 안에는 무게 퍼센트).
앞서 설명한 방법으로 세 개의 세라믹 판 (200, 230, 260) 안에 SMD 소자가 밀봉되고, 도체 트랙 (206, 266)과 관통-접촉 수단 (210, 270)을 통해 전기적 연결이 외부 접촉 영역 (214, 302)과 이루어진다.
제 1, 제 2, 제 3 세라믹 판을 대신하여 소위 "그린 세라믹"이 사용될 때 다른 실시예가 주어진다. 세라믹 판을 결합하기 위해 요구되는 글레이즈 페이스트는 이 경우 프린트되지 않아야 하는데, 그 이유는 층을 이룬 구조물 전체에 적절한 온도 처리(T ＞1,200℃)를 행할 때 그것들이 밀봉된 유닛로 확실히 되도록 세 개의 그린 세라믹 포일(foil)(SMD 칩을 이미 갖추고 있고 그 위에 백금 도체 페이스트가 이미 프린트되어 있는)이 소결(신터링:sintering)된다.
하우징 (300)은 적절한 총 길이를 제공하고, 이 구조적 설계는 외부 접촉 연결단이 센서 팁 (SMD 칩) 보다 훨씬 낮은 온도를 갖는 것을 가능하게 한다.
다음에서 도 4를 참조하여 설명되는 바와 같이, 이 효과는 "칸막이"가 대체로 디바이스의 중앙에서 효과적일 때 더욱 큰 지지를 얻을 수 있다. 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센서 (400)를 보여준다. 이 센서는 도 3에 따라 설명된 하우징 (300)을 포함하고 있다. 도면에서 볼 수 있듯이, 각 리드는 도 4에서 보여진 예에서 SMD 칩 (100)과 기묘한 관계로 위치하고 있는 하우징 (300)의 끝단에 부착된다. 이 리드는 제 1과 제 2 리드-인 와이어 (402, 404)의 형태로 형성된다.
연결부 (210, 302)로부터 약간 떨어져서 하우징 (300)을 따라가는 위치에, 금속 (예를 들면, Cr 스틸) 또는 세라믹 (예를 들면, Al2O3또는 세라믹 221)으로 구성된 칸막이 (406)가 배치된다. 밀봉 혼합물(408)이 하우징 (300)과 칸막이 (406) 사이에 배치된다. 밀봉 혼합물은 예를 들어, 적당한 열 팽창 계수를 갖는 글레이즈 (제 1 원료)나 세라믹 페이스트 (예를 들면, Cotronics 989)로 만들어진다.
본 발명에 따른 장치의 본질적인 장점은 전기적 리드 (402, 404)를 위한 접촉 점 (210, 302)이 적당한 가격으로, 온도가 훨씬 더 낮은 영역에 형성된다는 것이다. 상기 접촉 점은 현재의 연결 상태에서 상당한 온도 부하 특히 극도의 고온에 처하게 된다. 하우징(300)의 "긴(long)" 세라믹 판 (200, 230, 260)을 위한 가격은 단위 면적 당, 온도 센서나 고온 센서 (100)용으로 백금이 코팅된 박막 세라믹의 가격 보다 훨씬 낮은 반면, 민감한 부품인 SMD 소자 (100)의 크기는 비교적 작게 유지될 수 있고 따라서 가격 면에서 적당하다.
또 다른 장점은 - 이 역시 매우 중요하다 - 온도 센서에 대한 짧은 응답이 요구되는 경우에 있어서 상술한 구조적 설계에 의해 성취된다. 이 경우에, 계측 매개물에 연결되는 최적 조건은 특히, 온도 센서를 위한 추가의 보호 튜브가 불필요하다는 가능성에 의해서 뿐만 아니라, 유리하게 선택된 치수 (얇은 세라믹 판)에 의해 획득될 수 있다.
본 발명은 고온 탐지기 및 그러한 고온 탐지기의 제조 방법에 관한 것이다.

Claims (17)

  1. 하이브리드 고온 탐지기로서,
    고온 센서(100)이며, 고온 측정 필름 (106)과, 상기 고온 측정 필름 (106)에 연결되며 상기 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 제 1 연결단 (108)과, 상기 고온 측정 필름 (106)에 연결되며 상기 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 제 2 연결단 (112)을 포함하여 구성되는 고온 센서 (100)와;
    길다란 하우징 (300)으로서, 제 1의 길다란 세라믹 기판 (230)과, 제 2의 길다란 세라믹 기판 (200)과, 제 3의 길다란 세라믹 기판 (260)을 포함하여 구성되고, 상기 세 개의 길다란 세라믹들은 서로 결함되며, 상기 제 1의 길다란 세라믹 기판 (230)은 제 2의 길다란 세라믹 기판 (200)과 제 3의 길다란 세라믹 기판 (260) 사이에 배치되고, 상기 하우징 (300)의 제 1 끝단 (234) 근처에 위치하고 있고 그 안에는 고온 센서 (100)가 들어가게 되는 관통-구멍 (232)을 포함하고 있으며, 상기 제 2와 제 3의 길다란 세라믹 기판 (200, 260)은 상기 제 1 세라믹 기판 (230)에 있는 구멍 (232)이 완전히 덮여지도록 배치되는 하우징(300)과;
    상기 고온 센서의 제 1 연결단 (108)으로 연결되고 상기 하우징 (300)의 제 2 끝단 방향으로 연장되어 있으며 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 이루어진, 상기 제 2의 길다란 세라믹 기판 (200) 위의 제 1 도체 트랙 (206)과,
    상기 고온 센서 (100)의 제 2 연결단 (112)으로 연결되고 상기 하우징 (300)의 제 2 끝단 방향으로 연장되어 있으며 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 이루어진, 상기 제 3의 길다란 세라믹 기판 (260) 위의 제 2 도체 트랙 (266)과,
    상기 하우징 (300)의 제 2 끝단 근처에 위치하며, 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전하지 않은 물질을 통해 전기 리드(402, 404)가 연결되도록 형성되고, 상기 고온 센서 (100)에 의해 만들어진 신호가 출력되는 연결점(214, 302)을 포함하는 하이브리드 고온 탐지기.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 측정 필름 (106)은 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 패터닝된 필름이며, 상기 제 1 연결단 (108)과 상기 제 2 연결단 (112)과 상기 패터닝된 필름 (106)은 상기 안전한 물질과 동일한 물질로부터 만들어지고 세라믹 기판 (102)에 형성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제 1과 제 2 도체 트랙 (206, 266)은 상기 제 1 연결단 (108)과 상기 제 2 연결단 (112)과 상기 패터닝된 필름 (106)을 만들기 위해 사용된 것과 동일한 물질로 만들어지는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 도체 트랙 (206)은 상기 제 1 세라믹 기판 (230)과 마주하고 있는 상기 제 2의 길다란 세라믹 기판 (200)의 제 1 표면 상에 형성되고, 상기 제 1 도체 트랙 (206)은 상기 제 2 끝단 (204) 근처에 위치하고 있는 관통-접촉 수단 (210)을 통해 상기 제 2의 길다란 세라믹 기판 (200)의 제 2 표면 상에 있는 연결점인 제 1 연결 영역 (214)으로 연결되고,
    상기 제 2 도체 트랙 (266)은 상기 제 1 세라믹 기판 (230)과 마주하고 있는 상기 제 3의 길다란 세라믹 기판 (260)의 제 1 표면 상에 형성되고, 상기 제 2 도체 트랙 (266)은 상기 제 2 끝단 (268) 근처에 위치하고 있는 관통-접촉 수단 (270)을 통해 상기 제 3의 길다란 세라믹 기판 (260)의 제 2 표면 상에 있는 연결점인 제 2 연결 영역 (302)으로 연결되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징 위에 있는 열 쉴드 (406)가 더 포함되어 구성되며, 상기 열 쉴드 (406)는 상기 하우징 (300)의 제 1 끝단과 제 2 끝단 사이의 한 위치에 형성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 열 쉴드 (406)는 금속이나 세라믹 물질로 만들어지는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질은 백금인 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기.
  8. 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법에 있어서,
    a) 고온 센서 (100)를 제공하는 단계로서, 고온 측정 필름 (106)과, 상기 고온 측정 필름 (106)에 연결되며 상기 고온 센서(100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 제 1 연결단 (108)과, 상기 고온 측정 필름 (106)에 연결되며 상기 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 제 2 연결단 (112)을 포함하여 구성되는 고온 센서 (100)를 제공하는 단계와,
    b) 제 1 세라믹 기판 (230)의 제 1 끝단 (234) 근처에 형성된 관통-홀 (232) 안에 상기 고온 센서 (100)를 배치시키는 단계와,
    c) 상기 제 1 세라믹 기판 (230)과 제 2 세라믹 기판 (200)을 결합시켜서 상기 제 2 세라믹 기판 상에 형성되고 상기 제 2 세라믹 기판 (200)의 제 2 끝단으로 연장되어 있는 도체 트랙 (206)이 상기 제 2 세라믹 기판의 제 1 끝단 (264)에서 상기 고온 센서 (200)의 제 1 연결단 (108)과 연결되도록 하기 위하여 상기 제 1 세라믹 기판 (230)과 제 2 세라믹 기판 (200)을 접합하는 퓨징단계와,
    d) 상기 제 1 세라믹 기판 (230)과 제 3 세라믹 기판 (260)을 결합시켜서 상기 제 3 세라믹 기판 (260) 상에 형성되고 상기 제 3 세라믹 기판 (260)의 제 2 끝단으로 연장되어 있는 도체 트랙 (266)이 상기 제 3 세라믹 기판의 제 1 끝단 (264)에서 상기 고온 센서 (200)의 제 2 연결단 (112)과 연결되도록 상기 제 1 세라믹 기판 (230)과 제 3 세라믹 기판 (260)을 접하는 퓨징단계와,
    e) 상기 고온 센서 (100)에 의해 만들어진 신호를 출력할 수 있도록 고온 센서(100)의 작동 온도에서 안전하지 않은 물질을 통해 전기적 리드 (402, 404)를 연결하기 위해 제 1 연결 영역 (214)을 상기 제 2 세라믹 기판 (200)에 부착시키고 제 2 연결 영역 (302)을 상기 제 3 세라믹 기판 (260)에 부착시키는 단계를 포함하여 구성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제 1과 제 2 도체 트랙 (206, 266)을 상기 제 2와 제 3 세라믹 기판 (200, 260) 각각의 제 2 끝단 (204, 268) 근처에 있는 제 1과 제 2 연결 영역 (214, 302)과 접촉시키는 단계를 더 포함하여 구성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 제 1, 제 2, 제 3 세라믹 기판을 결합시킴으로써 얻어지는 하우징의 제 1과 제 2 끝단 사이의 한 위치 상에 열 쉴드 (406)를 배치시키는 단계를 더 포함하여 구성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  11. 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법에 있어서,
    a) 고온 센서 (100)를 제공하는 단계로서, 고온 측정 필름 (106)과, 상기 고온 측정 필름 (106)에 연결되며 상기 고온 센서 (100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 제 1 연결단 (108)과, 상기 고온 측정 필름 (106)에 연결되며 상기 고온 센서(100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 제 2 연결단 (112)을 포함하여 구성되는 고온 센서 (100)를 제공하는 단계와,
    b) 제 1 세라믹 그린시트 (230)의 제 1 끝단 (234) 근처에 형성된 관통-홀 (232) 안에 상기 고온 센서 (100)를 배치시키는 단계와,
    c) 상기 제 1 세라믹 그린시트 (230)과 제 2 세라믹 그린시트 (200) 및 제 3 세라믹 그린시트를 소결하는 단계로서, 상기 제 2 세라믹 그린시트 (200) 상의 제 2 끝단으로 연장되어 있는 도체 트랙 (206)이 상기 제 2 세라믹 그린시트의 제 1 끝단 (264)에서 상기 고온 센서 (100)의 제 1 연결단 (108)과 연결되도록 하고, 상기 제 3 세라믹 그린시트 상의 제 2 끝단으로 연장되어 있는 도체 트랙 (266)이 상기 제 3 세라믹 그린시트의 제 1 끝단 (264)에서 상기 고온 센서 (100)의 제 2 연결단 (112)과 연결되도록 하는 소결단계와
    d) 상기 고온 센서 (100)에 의해 만들어진 신호를 인출라기 위하여 상기 고온 센서(100)의 작동 온도에서 안전하지 않은 물질을 통해 전기적 리드 (402, 404)를 연결하기 위해 제 1 연결점(214)과 제 2 연결점(302)를 상기 하우징에 부착시키는 단계를 포함하여 구성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제 1, 제 2, 제 3 세라믹 그린시트을 소결시킴으로써 얻어지는 하우징의 제 1과 제 2 끝단 사이의 한 위치 상에 열 쉴드 (406)를 배치시키는 단계를 더 포함하여 구성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 열 쉴드 (406)는 금속이나 세라믹 물질로 만들어지는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 고온 측정 필름 (106)은 상기 고온 센서(100)의 작동 온도에서 안전한 물질로 만들어진 패터닝된 필름이며, 상기 제 1 연결단 (108)과 상기 제 2 연결단 (112)과 상기 패터닝된 필름 (106)은 상기 안전한 물질과 동일한 물질로부터 만들어지고 세라믹 기판 (102)에 형성되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제 1과 제 2 도체 트랙 (206, 266)은 상기 제 1 연결단 (108)과 상기 제 2 연결단 (112)과 상기 패터닝된 필름 (106)을 만들기 위해 사용된 것과 동일한 물질로 만들어지는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  16. 청구항 11에 있어서,
    상기 제 1 도체 트랙 (206)은 상기 제 1 세라믹 그린시트 (230)과 마주하고 있는 상기 제 2의 세라믹 그린시트 (200)의 제 1 표면 상에 형성되고, 상기 제 1 도체 트랙 (206)은 상기 제 2 끝단 (204) 근처에 위치하고 있는 관통-접촉 수단 (210)을 통해 제 1 연결점 (214)으로 연결되고,
    상기 제 2 도체 트랙 (266)은 상기 제 1 세라믹 그린시트 (230)과 마주하고 있는 상기 제 3의 세라믹 그린시트 (260)의 제 1 표면 상에 형성되고, 상기 제 2 도체 트랙 (266)은 상기 제 2 끝단 (268) 근처에 위치하고 있는 관통-접촉 수단 (270)을 통해 제 2 연결점 (302)으로 연결되는 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
  17. 청구항 11에 있어서,
    상기 고온 센서(100)의 작동 온도에서 안전한 물질은 백금인 것이 특징인 하이브리드 고온 탐지기 제조 방법.
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