KR100450310B1 - Method for manufacturing probe for testing flat pannel display, probe thereby, probe assembly having it - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법, 이에 따른 프로브, 이를 구비한 프로브 조립체에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device, a probe according thereto, and a probe assembly having the same.

본 발명에 따른 프로브의 제조방법은, 희생기판 상에 소정간격 서로 이격된 복수의 접촉체가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 1 보호막 패턴이 형성된 상기 희생기판 상부에 상기 제 1 보호막 패턴의 개방부위를 매립하는 도전막을 형성하는 단계, 상기 도전막이 형성된 희생기판 상의 제 1 보호막 패턴을 제거하는 단계, 상기 제 1 보호막 패턴이 제거된 희생기판 상에 상기 도전막의 중앙부위를 개방 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제 2 보호막 패턴의 개방부위 내부에 보강판을 삽입 부착하는 단계 및 상기 제 2 보호막 패턴 및 희생기판을 제거함으로써 상기 도전막으로 이루어지는 접촉체를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며, 본 발명에 따른 프로브는, 보강판 하부에 소정간격 이격되어 일렬로 나열된 복수의 접촉체가 접착수단에 의해서 부착되어 있으며, 본 발명에 따른 프로브 조립체는, 검사 대상체의 검사부위와 직접 접촉하는 접촉체가 하면에 고정되는 프로브 블록과 상기 프로브 블록을 고정하는 프로브 홀더와 상기 프로브 홀더와 연결되어 물리력에 의해서 상기 프로브 블록이 상하 유동이 발생할 수 있도록 하는 매뉴플레이터(Manuplator)를 구비하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체에 있어서, 상기 프로브 블록은 내측으로 소정각도 경사진 경사면이 형성되고, 상기 프로브 블록의 경사면에 소정간격 이격되어 일렬로 나열된 복수의접촉체의 상부 중앙에 보강판이 부착된 프로브가 더 구비되어 상기 접촉체의 일단이 TCP(Tape Carrier Package)와 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.The method of manufacturing a probe according to the present invention may include forming a first passivation pattern on a sacrificial substrate, the first passivation pattern defining a region in which a plurality of contacts spaced apart from each other by a predetermined interval, on the sacrificial substrate on which the first passivation pattern is formed. Forming a conductive film filling the opening of the first protective film pattern, removing the first protective film pattern on the sacrificial substrate on which the conductive film is formed, and forming a central portion of the conductive film on the sacrificial substrate from which the first protective film pattern is removed. Forming a second protective film pattern to define an opening, inserting a reinforcing plate into an open portion of the second protective film pattern, and removing the second protective film pattern and the sacrificial substrate to form a contact member formed of the conductive film. Comprising the step of forming, the probe according to the invention, spaced at a predetermined interval below the reinforcing plate in a row A plurality of listed contacts are attached by an adhesive means, and the probe assembly according to the present invention includes a probe block fixed to a lower surface of a contact member in direct contact with an inspection part of a test object, a probe holder fixing the probe block, and the probe. In the probe assembly for inspecting a flat panel display device having a manipulator which is connected to a holder to allow the probe block to move up and down by physical force, wherein the probe block has an inclined surface inclined at a predetermined angle inwardly. And a probe having a reinforcing plate attached to an upper center of the plurality of contacts arranged in a line at predetermined intervals on an inclined surface of the probe block, wherein one end of the contact is connected to a tape carrier package (TCP). It is done.

따라서, 고집적화된 평판표시소자의 파인피치에 적극 대응할 수 있으며, 재현성 및 생산성이 뛰어난 효과가 있다.Therefore, it is possible to actively cope with the fine pitch of the highly integrated flat panel display device, and has an effect of excellent reproducibility and productivity.

Description

평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법, 이에 따른 프로브, 이를 구비한 프로브 조립체{Method for manufacturing probe for testing flat pannel display, probe thereby, probe assembly having it}Method for manufacturing probe for inspecting flat panel display device, probe according thereto, and probe assembly having same {Method for manufacturing probe for testing flat pannel display, probe hence, probe assembly having it}

본 발명은 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법, 이에 따른 프로브, 이를 구비한 프로브 조립체에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용함으로서 재현성 및 생산성이 뛰어난 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법, 이에 따른 프로브, 이를 구비한 프로브 조립체에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device, a probe according thereto, and a probe assembly having the same. More specifically, the present invention relates to a flat panel display device having excellent reproducibility and productivity by using MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology. It relates to a method for manufacturing a test probe, a probe according thereto, and a probe assembly having the same.

일반적으로, TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 평판디스플레이의 일종으로써, 무수히 많은 박막트랜지스터(TFT)와 화소전극이 배열되어 소정의 크기를 갖는 하판과, 색상을 나타내기 위한 컬러 필터 및 공통전극이 순차적으로 형성되어 하판과 소정 이격되어 있는 상판과, 상기 상판과 하판 사이의 이격공간에 채워져 있는 액정을 가지고 있다.In general, a TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) is a kind of flat panel display, in which a myriad of thin film transistors (TFTs) and pixel electrodes are arranged, a lower plate having a predetermined size, a color filter for displaying color, and The common electrode is sequentially formed to have a top plate spaced apart from the bottom plate and a liquid crystal filled in the spaced space between the top plate and the bottom plate.

이와 같은 TFT-LCD는 스위칭소자인 TFT와 상 하판 전극 사이에 있는 액정으로 인해 형성되는 충전영역(Capacitor region) 및 보조충전영역과 상기 TFT의 온-오프를 구동하는 게이트 구동전극과 외부의 영상신호를 인가하는 영상신호전극 등에 의해서 소정의 화면(동영상 포함)을 점등시키게 된다.Such a TFT-LCD includes a charge region and an auxiliary charge region formed by a liquid crystal between a TFT, which is a switching element, and an upper and lower electrodes, and a gate driving electrode for driving on and off of the TFT and an external image signal. The predetermined screen (including a video) is turned on by the video signal electrode or the like which is applied.

그리고, 이와 같은 TFT-LCD 등의 평판표시소자는 제조를 완료한 후, 평판표시소자의 패드전극에 프로브 조립체의 프로브를 접촉하여 전기신호를 인가함으로써 평판표시소자의 정상 유무를 확인하여 불량 표시소자를 조기에 제거하는테스트(Test)공정을 진행하고 있다.After manufacturing of such a flat panel display device, such as a TFT-LCD, the electrode of the probe assembly is contacted with a pad electrode of the flat panel display device to apply an electric signal to check whether the flat display device is normal and to display a defective display device. We are in the process of removing the test early.

이와 같은 평판표시소자의 테스트는, 프로브 조립체를 구비한 프로빙 장치를 이용하여 이루어지고, 이와 같은 프로빙 장치의 프로브 조립체는, 니들(Needle) 타입, 블레이드(Blade) 타입 및 필름(Film) 타입 등과 같이 다양한 형태로 개발 사용되고 있다.Such a flat panel display device is tested using a probing apparatus having a probe assembly, and the probe assembly of the probing apparatus is a needle type, a blade type, a film type, or the like. It is developed and used in various forms.

그런데, 최근에 평판표시소자가 고집적화됨에 따라 평판표시소자의 패턴의 선폭이 극도로 작아지고 있다.However, recently, as the flat panel display device is highly integrated, the line width of the pattern of the flat panel display device is extremely small.

따라서, 평판표시소자의 파인피치(Fine pitch)에 대응이 가능함과 동시에 재현성 및 생산성이 뛰어난 프로브 조립체의 개발이 절실히 요구되고 있다.Accordingly, there is an urgent need to develop a probe assembly capable of coping with fine pitch of a flat panel display device and having excellent reproducibility and productivity.

본 발명의 목적은, MEMS공정을 이용함으로써 평판표시소자 패턴의 파인피치에 적극 대응할 수 있는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법, 이에 따른 프로브, 이를 구비한 프로브 조립체를 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a flat panel display inspection probe capable of actively responding to a fine pitch of a flat panel display device pattern by using a MEMS process, a probe according thereto, and a probe assembly having the same.

본 발명의 다른 목적은, MEMS공정을 이용함으로써 재현성 및 생산성이 뛰어난 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법, 이에 따른 프로브, 이를 구비한 프로브 조립체를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device having excellent reproducibility and productivity by using a MEMS process, a probe according thereto, and a probe assembly having the same.

도 1a 내지 도 1p는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1A to 1P are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3t는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3A to 3T are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브를 설명하기 위한 분해 사시도이고, 도 5b는 단면도이다.5A is an exploded perspective view illustrating a probe according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 조립체를 설명하기 위한 사시도이다.6 is a perspective view for explaining a probe assembly according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로브 조립체를 설명하기 위한 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a probe assembly according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법은, 희생기판 상에 소정간격 서로 이격된 복수의 접촉체가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 패턴이 형성된 희생기판 상부에 상기 제 1 보호막 패턴의 개방부위를 매립하는 도전막을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 패턴을 제거함으로써 상기 희생기판 상에 상기 도전막으로 이루어지는 접촉체를 형성하는 단계; 상기 접촉체가 형성된 상기 희생기판 상에 상기 접촉체의 중앙부를 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 2 보호막 패턴 내부에 절연성 물질을 매립하여 절연판을 형성하는 단계; 상기 희생기판 후면에 상기 접촉체의 중앙부를 한정하는 제 3 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 3 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 희생기판 후면에 대해서 식각공정을 수행함으로써 상기 희생기판 전면에 형성된 접촉체를 개방하는 트렌치(Trench)를 형성하는 단계; 상기 트렌치 내부에 보강판을 삽입 부착하는 단계; 상기 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 희생기판을 제거하여 프로브를 완성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a flat panel display probe, the method including: forming a first passivation layer pattern on a sacrificial substrate, the first protective layer pattern defining a region where a plurality of contacts spaced apart from each other by a predetermined interval are formed; Forming a conductive film filling an open portion of the first passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the first passivation layer pattern is formed; Removing the first passivation layer pattern to form a contact made of the conductive layer on the sacrificial substrate; Forming a second passivation layer pattern defining a central portion of the contact on the sacrificial substrate on which the contact is formed; Forming an insulating plate by filling an insulating material in the second passivation layer pattern; Forming a third passivation layer pattern on a rear surface of the sacrificial substrate to define a central portion of the contact; Forming a trench to open a contact formed on the front surface of the sacrificial substrate by performing an etching process on the back surface of the sacrificial substrate using the third passivation pattern as a mask; Inserting a reinforcement plate into the trench; Removing the second passivation layer pattern and the third passivation layer pattern; And removing the sacrificial substrate to complete the probe.

여기서, 상기 제 1 보호막 패턴, 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴은 포토레지스트를 사용할 수 있고, 상기 도전막으로 니켈(Ni) 또는 니켈 합금 재질을 사용할 수 있다.Here, the first passivation layer pattern, the second passivation layer pattern, and the third passivation layer pattern may use a photoresist, and a nickel (Ni) or nickel alloy material may be used as the conductive layer.

그리고, 상기 희생기판 상에 제 1 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 상에 씨드층(Seed layer)을 형성하는 공정을 더 수행한 후, 상기 도전막을 도금에 의해서 형성할 수 있다.Further, before the first protective layer pattern is formed on the sacrificial substrate, a process of forming a seed layer on the sacrificial substrate may be further performed, and then the conductive layer may be formed by plating.

또한, 상기 절연판은 에폭시(Epoxy)로 이루어질 수 있고, 상기 희생기판 후면에 상기 접촉체의 중앙부를 한정하는 제 3 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 후면을 소정두께로 그라인딩(Grinding)하는 그라인딩공정이 더 수행될 수있다.In addition, the insulating plate may be made of epoxy, and grinding the rear surface of the sacrificial substrate to a predetermined thickness before forming a third passivation layer pattern defining a center portion of the contact on the rear surface of the sacrificial substrate. The process can be carried out further.

그리고, 상기 트렌치는 RIE(Reactive Ion Etching)에 의해서 형성할 수 있고, 상기 보강판은 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.The trench may be formed by Reactive Ion Etching (RIE), and the reinforcement plate may be made of a ceramic material.

또한, 상기 제 1 보호막 패턴은 상기 접촉체가 형성될 영역을 한정함과 동시에 얼라인키가 형성될 영역을 동시에 한정하는 형상으로 형성함으로써 상기 희생기판 상에 상기 접촉체와 얼라인키를 동시에 형성할 수 있다.In addition, the first passivation layer pattern may define a region where the contact body is to be formed and simultaneously define a region where the alignment key is to be formed, thereby simultaneously forming the contact body and the alignment key on the sacrificial substrate. .

이때, 상기 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴이 제거된 특정 희생기판 및 다른 특정 희생기판을 준비한 후, 상기 특정 희생기판과 다른 특정 희생기판을 상기 얼라인키를 기준으로 중첩 부착함으로써 상기 특정 희생기판 상에 구현된 프로브의 접촉체와 접촉체 사이에 다른 특정 희생기판 상에 구현된 프로브의 접촉체가 수직적으로 위치하도록 하고, 상부에 위치하는 프로브의 접촉체의 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 끝단보다 수평방향으로 돌출된 다층으로 형성할 수 있다.In this case, after preparing the specific sacrificial substrate and the other specific sacrificial substrate from which the second passivation pattern and the third passivation layer pattern are removed, the specific sacrificial substrate is overlapped with the specific sacrificial substrate and another specific sacrificial substrate based on the alignment key. The contact of the probe embodied on another specific sacrificial substrate is vertically positioned between the contact of the probe embodied on and the contact of the probe, and the end of the contact of the probe located on the upper side is lower than the end of the probe It can be formed in a multilayer projecting in the horizontal direction.

그리고, 상기 희생기판을 제거하여 완성된 상기 특정 프로브와 또 다른 특정 프로브를 준비하여 서로 중첩되게 부착함으로써 특정 프로브의 접촉체와 접촉체 사이에 다른 특정 프로브의 접촉체가 수직적으로 위치하도록 하고, 상부에 위치하는 프로브의 접촉체의 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 끝단보다 수평방향으로 돌출된 다층으로 형성할 수 있다.In addition, by removing the sacrificial substrate, the prepared specific probe and another specific probe are prepared and attached to overlap each other, such that the contact of the other specific probe is vertically positioned between the contact of the specific probe and the contact. An end of the contact body of the probe to be positioned may be formed in a multi-layer protruding in the horizontal direction than the end of the probe located below.

또한, 본 발명에 따른 다른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법은, 희생기판 상에 소정간격 서로 이격된 복수의 접촉체가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 패턴이 형성된 상기 희생기판 상부에 상기 제 1 보호막 패턴의 개방부위를 매립하는 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막이 형성된 희생기판 상의 제 1 보호막 패턴을 제거하는 단계; 상기 제 1 보호막 패턴이 제거된 희생기판 상에 상기 도전막의 중앙부위를 개방 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 2 보호막 패턴의 개방부위 내부에 보강판을 삽입 부착하는 단계; 및 상기 제 2 보호막 패턴 및 희생기판을 제거함으로써 상기 도전막으로 이루어지는 접촉체를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, another method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to the present invention may include forming a first passivation layer pattern on a sacrificial substrate, the first protective layer pattern defining a region in which a plurality of contacts spaced apart from each other by a predetermined interval are formed; Forming a conductive layer filling an open portion of the first passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the first passivation layer pattern is formed; Removing the first passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the conductive layer is formed; Forming a second passivation layer pattern on the sacrificial substrate from which the first passivation layer pattern is removed to openly define a central portion of the conductive layer; Inserting and reinforcing a reinforcing plate inside an opening of the second passivation pattern; And forming a contact body made of the conductive film by removing the second passivation layer pattern and the sacrificial substrate.

여기서, 상기 희생기판 상에 제 1 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 상에 씨드층(Seed layer)을 형성하는 공정을 더 수행한 후, 상기 도전막을 도금에 의해서 형성할 수 있다.Here, after forming a seed layer on the sacrificial substrate prior to forming the first passivation pattern on the sacrificial substrate, the conductive layer may be formed by plating.

그리고, 상기 희생기판을 제거한 후, 상기 접촉체 후면 중앙에 절연판을 부착하는 공정이 더 수행될 수 있다.After removing the sacrificial substrate, a process of attaching the insulating plate to the center of the rear surface of the contact may be further performed.

또한, 상기 희생기판을 제거하여 완성된 상기 특정 프로브와 또 다른 특정 프로브를 준비하여 서로 중첩되게 부착함으로써 특정 프로브의 접촉체와 접촉체 사이에 다른 특정 프로브의 접촉체가 수직적으로 위치하도록 하고, 상부에 위치하는 프로브의 접촉체의 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 끝단보다 수평방향으로 돌출된 다층으로 형성할 수 있다.In addition, by removing the sacrificial substrate, the prepared specific probe and another specific probe are prepared and attached so as to overlap each other so that the contact of the other specific probe is vertically positioned between the contact of the specific probe and the contact. An end of the contact body of the probe to be positioned may be formed in a multi-layer protruding in the horizontal direction than the end of the probe located below.

그리고, 본 발명에 따른 또 다른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법은, 희생기판 상에 소정간격 서로 이격된 복수의 접촉체가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 희생기판 상에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치가 형성된 희생기판 상에 상기 트렌치 영역을 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생기판 상부에 상기 제 2 보호막 패턴의 개방부위를 매립하는 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막이 형성된 희생기판 상에 상기 도전막의 중앙부를 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 2 보호막 패턴 내부에 절연성 물질을 매립하여 절연판을 형성하는 단계; 상기 희생기판 후면에 상기 도전막의 중앙부를 한정하는 제 3 보호막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 3 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 희생기판 후면에 대해서 식각공정을 수행함으로써 상기 희생기판 전면에 형성된 도전막을 개방하는 다른 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치 내부에 보강판을 삽입 부착하는 단계; 상기 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 희생기판을 제거하여 접촉체를 구비하는 프로브를 완성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.]In addition, another method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to the present invention may include forming a first passivation layer pattern on a sacrificial substrate, the first protective layer pattern defining a region in which a plurality of contacts spaced apart from each other by a predetermined interval are formed; Forming a trench on a sacrificial substrate by performing an etching process using the first passivation layer pattern as a mask; Forming a second passivation layer pattern defining the trench region on the sacrificial substrate on which the trench is formed; Forming a conductive layer on the sacrificial substrate, the conductive layer filling the open portion of the second passivation layer pattern; Forming a second passivation layer pattern defining a central portion of the conductive layer on the sacrificial substrate on which the conductive layer is formed; Forming an insulating plate by filling an insulating material in the second passivation layer pattern; Forming a third passivation layer pattern on a rear surface of the sacrificial substrate to define a center portion of the conductive layer; Forming another trench to open a conductive film formed on the entire surface of the sacrificial substrate by performing an etching process on the back surface of the sacrificial substrate using the third passivation layer pattern as a mask; Inserting a reinforcement plate into the trench; Removing the second passivation layer pattern and the third passivation layer pattern; And removing the sacrificial substrate to complete a probe including a contact body.]

여기서, 상기 제 1 보호막 패턴, 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴은 포토레지스트를 사용할 수 있고, 상기 트렌치는 건식식각에 의해서 수행할 수 있다.Here, the first passivation layer pattern, the second passivation layer pattern, and the third passivation layer pattern may use a photoresist, and the trench may be performed by dry etching.

그리고, 상기 도전막으로 니켈(Ni) 또는 니켈 합금 재질을 사용할 수 있다.In addition, nickel (Ni) or a nickel alloy material may be used as the conductive film.

또한, 상기 희생기판 상에 트렌치를 형성한 후, 상기 희생기판 상에 씨드층(Seed layer)을 형성하는 공정을 더 수행한 후, 상기 도전막을 도금에 의해서 형성할 수 있고, 상기 절연판은 에폭시(Epoxy)로 이루어질 수 있다.In addition, after the trench is formed on the sacrificial substrate, the seed layer may be further formed on the sacrificial substrate, and then the conductive layer may be formed by plating. Epoxy).

그리고, 상기 희생기판 후면에 상기 제 3 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 후면을 소정두께로 그라인딩(Grinding)하는 그라인딩공정이 더 수행되어 후속 트렌치 형성공정의 식각깊이를 조절함이 바람직하다.In addition, before the third passivation layer pattern is formed on the back side of the sacrificial substrate, a grinding process of grinding the back side of the sacrificial substrate to a predetermined thickness may be further performed to adjust the etching depth of the subsequent trench formation process.

또한, 상기 보강판이 삽입되는 트렌치는 RIE(Reactive Ion Etching)에 의해서 형성할 수 있고, 상기 보강판은 세라믹 재질로 이루어질 수 있다.In addition, the trench into which the reinforcement plate is inserted may be formed by Reactive Ion Etching (RIE), and the reinforcement plate may be made of a ceramic material.

그리고, 상기 제 1 보호막 패턴은 상기 접촉체가 형성될 영역을 한정함과 동시에 얼라인키가 형성될 영역을 동시에 한정하는 형상으로 형성함으로써 상기 희생기판 상에 상기 접촉체가 형성되는 트렌치 이외에 상기 얼라인키가 형성되는 트렌치를 동시에 형성할 수 있다.In addition, the first protective layer pattern is formed in a shape that defines a region where the contact is to be formed and simultaneously defines a region where an align key is to be formed, thereby forming the alignment key in addition to the trench in which the contact is formed on the sacrificial substrate. The trenches to be formed can be formed at the same time.

이때, 상기 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴이 제거된 특정 희생기판 및 다른 특정 희생기판을 준비한 후, 상기 특정 희생기판과 다른 특정 희생기판을 상기 얼라인키를 기준으로 중첩 부착함으로써 상기 특정 희생기판 상에 구현된 프로브의 접촉체와 접촉체 사이에 다른 특정 희생기판 상에 구현된 프로브의 접촉체가 수직적으로 위치하도록 하고, 상부에 위치하는 프로브의 접촉체의 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 끝단보다 수평방향으로 돌출된 다층으로 형성할 수 있다.In this case, after preparing the specific sacrificial substrate and the other specific sacrificial substrate from which the second passivation pattern and the third passivation layer pattern are removed, the specific sacrificial substrate is overlapped with the specific sacrificial substrate and another specific sacrificial substrate based on the alignment key. The contact of the probe embodied on another specific sacrificial substrate is vertically positioned between the contact of the probe embodied on and the contact of the probe, and the end of the contact of the probe located on the upper side is lower than the end of the probe It can be formed in a multilayer projecting in the horizontal direction.

그리고, 본 발명에 따른 평판표시소자 검사용 프로브는, 보강판 하부에 소정간격 이격되어 일렬로 나열된 복수의 접촉체가 접착수단에 의해서 부착되어 있는 것을 특징으로 한다.The probe for inspecting a flat panel display device according to the present invention is characterized in that a plurality of contact members arranged in a line are spaced apart by a predetermined distance from the lower part of the reinforcing plate by an adhesive means.

이때, 상기 접촉체 후면에 절연판이 더 부착될 수 있다.In this case, an insulating plate may be further attached to the back of the contact.

그리고, 상기 프로브가 접촉수단에 의해서 복수의 층으로 중첩되어 특정 프로브의 접촉체와 접촉체 사이에 다른 특정 프로브의 접촉체가 수직적으로 위치하도록 하고, 상부에 위치하는 프로브의 접촉체의 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 끝단보다 수평방향으로 돌출된 다층으로 형성할 수 있다.Then, the probe is overlapped in a plurality of layers by the contact means so that the contact of the other specific probe is vertically positioned between the contact and the contact of the specific probe, and the end of the contact of the probe located at the upper It may be formed as a multi-layer protruding in the horizontal direction than the end of the probe to be located.

그리고, 본 발명에 따른 평판표시소자 검사용 프로브 조립체는, 검사 대상체의 검사부위와 직접 접촉하는 접촉체가 하면에 고정되는 프로브 블록과 상기 프로브 블록을 고정하는 프로브 홀더와 상기 프로브 홀더와 연결되어 물리력에 의해서 상기 프로브 블록이 상하 유동이 발생할 수 있도록 하는 매뉴플레이터(Manuplator)를 구비하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체에 있어서, 상기 프로브 블록은 내측으로 소정각도 경사진 경사면이 형성되고, 상기 프로브 블록의 경사면에 소정간격 이격되어 일렬로 나열된 복수의 접촉체의 상부 중앙에 보강판이 부착된 프로브가 더 구비되어 상기 접촉체의 일단이 TCP(Tape Carrier Package)와 연결되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the probe assembly for inspecting a flat panel display device according to the present invention may be connected to a probe block fixed to a lower surface of a contact member in direct contact with an inspection portion of a test object, a probe holder fixing the probe block, and a probe force to a physical force. In the probe assembly for inspecting a flat panel display device having a manipulator to allow the probe block to flow up and down, the probe block is formed with an inclined surface inclined at a predetermined angle to the inside of the probe block. A probe having a reinforcing plate is further provided at an upper center of the plurality of contacts arranged in a line at predetermined intervals on an inclined surface, and one end of the contact is connected to a tape carrier package (TCP).

여기서, 상기 프로브 블록과 프로브는 접착제에 의해서 서로 접착될 수 있고, 상기 프로브의 접촉체는 TCP(Tape Carrier Package)와 가이드 필름(Guide film)를 매개로 서로 연결될 수 있다.Here, the probe block and the probe may be adhered to each other by an adhesive, and the contacts of the probe may be connected to each other through a TCP (Tape Carrier Package) and a guide film.

그리고, 상기 프로브 블록에 부착되는 프로브는 2층 이상 다층으로 이루어질 수 있다.The probe attached to the probe block may be formed of two or more layers.

이때, 상기 2층 이상 다층으로 이루어지는 프로브의 접촉체는 하측에 위치하는 프로브의 접촉체 사이에 수직적으로 위치하고, 상부에 위치하는 상기 프로브의 접촉체의 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 접촉체의 끝단보다 수평방향으로 돌출될 수 있다.In this case, the contact of the probe consisting of the two or more layers are vertically positioned between the contact of the probe located on the lower side, the end of the contact of the probe located on the lower end of the contact of the probe located on the top It can protrude more horizontally.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1p는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브를 설명하기 위한 단면도들이다.1A to 1P are cross-sectional views illustrating a probe for inspecting a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 평판표시소자 검사용 프로브는, 도 1a에 도시된 바와 같이 실리콘(Silicon) 등의 희생기판(10) 상에 스퍼터링(Sputtering) 등의 증착공정에 의해서 소정두께의 씨드층(Seed layer : 16)을 형성하고, 상기 씨드층(16) 상에 소정두께로 보호막으로 기능하는 제 1 포토레지스트(18)를 코팅(Coating)한다.The probe for inspecting a flat panel display device according to the present invention may be a seed layer having a predetermined thickness by a deposition process such as sputtering on a sacrificial substrate 10 such as silicon. : 16) and coating the first photoresist 18, which functions as a protective film, on the seed layer 16 at a predetermined thickness.

이때, 상기 씨드층(60)은 500 Å두께의 티타늄층(Ti layer : 12)과 5,000Å두께의 구리층(Cu layer : 14)으로 이루어질 수 있으며, 상기 구리층(14)은 후속 도금 공정에서 실질적으로 씨드층(16)으로 기능하며, 상기 티타늄층(12)은 희생기판(10)과 구리층(14)의 접착도를 향상시키기 위하여 형성하는 것이다.At this time, the seed layer 60 may be formed of a titanium layer (Ti layer: 12) and a copper layer (Cu layer: 14) of 5,000 Å thickness, the copper layer 14 in the subsequent plating process It functions substantially as the seed layer 16, and the titanium layer 12 is formed to improve the adhesion between the sacrificial substrate 10 and the copper layer 14.

다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이 후속공정에서 접촉체와 얼라인 키(Align key)를 형성하기 위한 소정영역을 한정하는 제 1 포토레지스트 패턴(20)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1B, a first photoresist pattern 20 is formed to define a predetermined area for forming an alignment key with the contact in a subsequent process.

이때, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(20)은 희생기판(10) 상에 형성된 제 1 포토레지스트(18)를 접촉체와 얼라인 키를 형성하기 위한 소정의 회로패턴이 설계된 마스크(Mask)를 사용하여 노광한 후, 현상함으로써 형성할 수 있다.In this case, the first photoresist pattern 20 uses a mask in which a predetermined circuit pattern is formed to form an alignment key with a contact for the first photoresist 18 formed on the sacrificial substrate 10. It can form by exposing and developing.

계속해서, 도 1c에 도시된 바와 같이 제 1 포토레지스트 패턴(20)이 형성된 희생기판(10) 상에 니켈(Ni), 니켈합금(Ni-Co, Ni-W-Co) 등의 도전성 물질을 도금에 의해서 증착하여 도전막(22)을 형성한 후, 상기 희생기판(10) 상면을 평탄화한다.Subsequently, as shown in FIG. 1C, conductive materials such as nickel (Ni) and nickel alloys (Ni-Co and Ni-W-Co) may be formed on the sacrificial substrate 10 having the first photoresist pattern 20 formed thereon. After the deposition by plating to form the conductive film 22, the top surface of the sacrificial substrate 10 is planarized.

이때, 상기 평탄화 공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing)와 그라인딩(Grinding) 등의 방법을 사용할 수 있으며, 상기 도전막(22)을 형성하기 위한 도금공정을 진행하는 과정의 씨드층(16)의 구리층(14)은 도금 물질의 씨드(Seed)로 기능한다.In this case, the planarization process may use methods such as chemical mechanical polishing (CMP) and grinding (Grinding), and the copper layer of the seed layer 16 during the plating process for forming the conductive film 22. 14 functions as a seed of the plating material.

특히, 상기 도전막(22)을 형성하기 위한 도금 공정이 이상적으로 진행되어 제 1 포토레지스트 패턴(20)의 개방부위 내부에만 도전막(22)이 형성될 경우에는 평탄화공정을 생략할 수 있다.In particular, when the plating process for forming the conductive film 22 is ideally performed and the conductive film 22 is formed only in the open portion of the first photoresist pattern 20, the planarization process may be omitted.

그리고, 상기 도전막(22)을 도금 공정 이외의 다른 방법 즉, PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 사용하는 경우에는 선행된 씨드층(16) 형성공정을 생략할 수 있다.In the case where the conductive film 22 is used in a method other than a plating process, that is, a physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD), the seed layer 16 may be omitted.

다음으로, 도 1d에 도시된 바와 같이 제 1 포토레지스트 패턴(20)을 제거함으로써 구리층(14)의 일부를 노출시킴으로써 접촉체(24)와 얼라인키(26a, 26b)를 형성한다. 이때, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(20)은 케미컬(Chemical)을 이용한 습식식각 또는 건식식각 등의 방법에 의해서 제거할 수 있다.Next, as shown in FIG. 1D, the contact 24 and the alignment keys 26a and 26b are formed by exposing a portion of the copper layer 14 by removing the first photoresist pattern 20. In this case, the first photoresist pattern 20 may be removed by a method such as wet etching or dry etching using chemical.

계속해서, 도 1e에 도시된 바와 같이 제 1 포토레지스트 패턴(20)의 제거에 의해서 노출된 구리층(14) 및 티타늄층(12)으로 이루어지는 씨드층(16)을 접촉체(24)와 얼라인키(26a, 26b)를 마스크로 사용하여 케미컬을 이용한 습식식각 등의 방법에 의해서 제거하여 접촉체(24) 및 얼라인키(26a, 26b)를 외부로 완전히노출시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 1E, the seed layer 16 composed of the copper layer 14 and the titanium layer 12 exposed by the removal of the first photoresist pattern 20 is integrated with the contact member 24. Using the inkeys 26a and 26b as a mask, the contact 24 and the alignment keys 26a and 26b are completely exposed to the outside by removal by a method such as wet etching using chemicals.

다음으로, 도 1f에 도시된 바와 같이 접촉체(24) 및 얼라인키(26a, 26b)가 외부로 완전히 노출된 희생기판(10) 상에 다시 일정량의 제 2 포토레지스트(28)를 코팅한다.Next, as shown in FIG. 1F, a predetermined amount of the second photoresist 28 is coated on the sacrificial substrate 10 having the contact 24 and the alignment keys 26a and 26b completely exposed to the outside.

이때, 상기 제 2 포토레지스트(28)는 희생기판(10)을 스핀척(Spin chuck) 상에 위치시켜 희생기판(10)을 회전시키면서 노즐(Nozzle)을 통해서 희생기판(10) 상에 일정량의 제 2 포토레지스트(28)를 분사하여 코팅할 수 있다.In this case, the second photoresist 28 is positioned on the spin chuck to rotate the sacrificial substrate 10 and rotates the sacrificial substrate 10 on the sacrificial substrate 10 through a nozzle. The second photoresist 28 may be sprayed and coated.

계속해서, 도 1g에 도시된 바와 같이 제 2 포토레지스트(28)가 코팅된 희생기판(10) 상에 일정 회로패턴이 구현된 마스크를 위치시킨 후, 노광 및 현상함으로써 접촉체(24)의 중앙부와 얼라인키(26a, 26b)를 완전히 개방하는 제 2 포토레지스트 패턴(30)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1G, a mask having a predetermined circuit pattern is positioned on the sacrificial substrate 10 coated with the second photoresist 28, and then exposed and developed to expose the center portion of the contact 24. And the second photoresist pattern 30 which completely opens the alignment keys 26a and 26b.

다음으로, 도 1h에 도시된 바와 같이 제 2 포토레지스트 패턴(30)에 의해서 개방된 접촉체(24) 중앙부에 에폭시(Epoxy) 등의 절연성 물질로 폐쇄하여 보강판(32)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1H, a reinforcing plate 32 is formed by closing an insulating material such as epoxy in the center of the contact member 24 opened by the second photoresist pattern 30.

이때, 상기 보강판(32)으로 사용되는 에폭시는 프린팅(Printing) 방식 등을 사용하여 형성할 수 있다.In this case, the epoxy used as the reinforcing plate 32 may be formed using a printing method.

이어서, 도 1i에 도시된 바와 같이 에폭시 등의 절연성 물질로 이루어지는 보강판(32)에 의해서 접촉체(24) 중앙부가 폐쇄된 희생기판(10) 상면을 소정두께로 그라인딩(Grinding)하여 평탄화한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1I, the top surface of the sacrificial substrate 10 having the center portion of the contact body 24 closed by the reinforcing plate 32 made of an insulating material such as epoxy is ground to a predetermined thickness to be flattened.

이때, 상기 그라인딩 공정은 후속되는 희생기판(10) 후면 그라인딩 공정 등을 용이하게 수행하기 위하여 수행하는 것이다.In this case, the grinding process is performed to easily perform the subsequent grinding process of the back surface of the sacrificial substrate 10.

다음으로, 도 1j에 도시된 바와 같이 희생기판(10)을 뒤집은 후, 상기 희생기판(10) 후면을 소정두께로 그라인딩함으로써 후속되는 트렌치 형상공정시 희생기판(10)의 식각깊이를 낮게 조절한다.Next, after turning the sacrificial substrate 10 as shown in FIG. 1J, the back surface of the sacrificial substrate 10 is ground to a predetermined thickness so that the etching depth of the sacrificial substrate 10 is adjusted to be lower during the subsequent trench forming process. .

계속해서, 도 1k에 도시된 바와 같이 소정두께로 그라인딩된 희생기판(10) 후면에 소정두께로 제 3 포토레지스트(34)를 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 1K, the third photoresist 34 is coated to a predetermined thickness on the back surface of the sacrificial substrate 10 ground to a predetermined thickness.

이때, 상기 제 3 포토레지스트(34)는 제 1 포토레지스트(18) 및 제 2 포토레지스트(28)와 동일한 방법에 의해서 코팅한다.In this case, the third photoresist 34 is coated by the same method as the first photoresist 18 and the second photoresist 28.

이어서, 도 1l에 도시된 바와 같이 제 3 포토레지스트(34)를 일정회로 패턴이 구현된 마스크를 사용하여 노광한 후, 현상함으로써 희생기판(10) 후면 중앙부를 개방하는 제 3 포토레지스트 패턴(36)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1L, the third photoresist 34 is exposed using a mask embodying a predetermined circuit pattern, and then developed, thereby developing a third photoresist pattern 36 which opens the rear center portion of the sacrificial substrate 10. ).

다음으로, 도 1m에 도시된 바와 같이 제 3 포토레지스트 패턴(36)을 마스크로 사용하여 식각공정을 진행함으로써 씨드층(16)을 완전 식각하여 희생기판(10)을 노출시키는 트렌치(Trench : 38)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 1M, the etching process is performed using the third photoresist pattern 36 as a mask to completely etch the seed layer 16 to expose the sacrificial substrate 10. ).

이때, 상기 식각공정은 SF6, C4F8및 O2가스가 일정비율로 혼합된 혼합가스를 사용한 건식식각공정으로 이루어진다.In this case, the etching process is a dry etching process using a mixed gas in which SF 6 , C 4 F 8 and O 2 gas is mixed at a predetermined ratio.

보다 상세히 설명하면, 상기 식각공정은 딥 트렌치(Deep Trench) 식각 방법의 하나로 소위 보쉬 프로세스(Bosh process)로 불리우는 공지의 RIE(Reactive Ion Etching)에 의해서 이루어진다.In more detail, the etching process is performed by a known Reactive Ion Etching (RIE) called a Bosch process as one of deep trench etching methods.

계속해서, 도 1n에 도시된 바와 같이 희생기판(10) 후면에 형성된 트렌치(38) 내부에 접착제(40)로 사용되는 에폭시를 소정량 투입한 후, 소정크기의 세라믹판으로 이루어지는 보강판(42)을 트렌치(38) 내부에 가압 삽입하여 보강판(42)을 트렌치(38) 내부에 매설 부착한다.Subsequently, as shown in FIG. 1N, a predetermined amount of epoxy used as the adhesive 40 is injected into the trench 38 formed on the rear surface of the sacrificial substrate 10, and then a reinforcement plate 42 made of a ceramic plate having a predetermined size is used. ) Is press-inserted into the trench 38 to embed the reinforcing plate 42 in the trench 38.

이어서, 도 1o에 도시된 바와 같이 제 2 포토레지스트 패턴(30) 및 제 3 포토레지스트 패턴(36)을 제거함으로써 보강판(42), 절연판(32) 및 접촉체(24)를 외부로 개방시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 1O, the reinforcing plate 42, the insulating plate 32, and the contact body 24 are opened to the outside by removing the second photoresist pattern 30 and the third photoresist pattern 36. .

이때, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(30) 및 제 3 포토레지스트 패턴(36)은 케미컬을 이용한 습식식각 또는 건식식각에 의해서 제거한다.In this case, the second photoresist pattern 30 and the third photoresist pattern 36 are removed by wet etching or dry etching using chemicals.

마지막으로, 도 1p에 도시된 바와 같이 희생기판(10)을 케미컬을 이용하여 습식식각 함으로써 접촉체(32) 하면 중앙부가 절연판(24)에 의해서 절연되고, 접촉체(32) 상면 중앙부가 보강판(42)에 의해서 지지되는 프로브를 완성한다.Lastly, as shown in FIG. 1P, the center portion of the contact body 32 is insulated by the insulating plate 24 by wet etching the sacrificial substrate 10 using chemicals, and the center portion of the upper surface of the contact body 32 is reinforced. The probe supported by 42 is completed.

이때, 상기 얼라인키(26a, 26b) 및 잔존하는 씨드층(16)이 제거된다.At this time, the alignment keys 26a and 26b and the remaining seed layer 16 are removed.

도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2I are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법은, 도 2a에 도시된 바와 같이 (Silicon) 등의 희생기판(50) 상에 스퍼터링(Sputtering) 등의 증착공정에 의해서 소정두께의 씨드층(Seed layer : 56)을 형성하고, 상기 씨드층(56) 상에 소정두께로 보호막으로 기능하는 제 1 포토레지스트(58)를 코팅(Coating)한다.A method for manufacturing a flat panel display inspection probe according to a second embodiment of the present invention is predetermined by a deposition process such as sputtering on a sacrificial substrate 50 such as (Silicon) as shown in FIG. 2A. A thick seed layer 56 is formed, and a first photoresist 58 functioning as a protective film is coated on the seed layer 56 at a predetermined thickness.

이때, 상기 씨드층(56)은 티타늄층(Ti layer : 52)과 구리층(Cu layer : 54)으로 이루어질 수 있으며, 상기 구리층(54)은 후속 도금 공정에서 실질적으로 씨드로 기능하며, 상기 티타늄층(52)은 희생기판(50)과 구리층(54)의 접착도를 향상시키기 위하여 형성하는 것이다.In this case, the seed layer 56 may be formed of a titanium layer (Ti layer: 52) and a copper layer (Cu layer: 54), and the copper layer 54 substantially functions as a seed in a subsequent plating process. The titanium layer 52 is formed to improve the adhesion between the sacrificial substrate 50 and the copper layer 54.

다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 후속공정에서 접촉체를 형성하기 위한 소정영역을 한정하는 제 1 포토레지스트 패턴(60)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2B, a first photoresist pattern 60 defining a predetermined region for forming a contact body in a subsequent process is formed.

이때, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(60)은 희생기판(50) 상에 형성된 제 1 포토레지스트(58) 상에 후속공정에서 접촉체를 형성하기 위한 소정의 패턴이 설계된 마스크(Mask)를 위치시킨 후, 노광 및 현상함으로써 형성할 수 있다.In this case, the first photoresist pattern 60 includes a mask on which a predetermined pattern for forming a contact body is formed on the first photoresist 58 formed on the sacrificial substrate 50 in a subsequent process. It can form by exposing and developing after that.

계속해서, 도 2c에 도시된 바와 같이 제 1 포토레지스트 패턴(60)이 형성된 희생기판(50) 상에 니켈(Ni), 니켈합금(Ni-Co, Ni-W-Co) 등의 도전성 물질을 도금에 의해서 증착하여 전촉체로 사용되는 도전막(62)을 형성한 후, 상기 희생기판(50) 상면을 평탄화한다.Subsequently, as shown in FIG. 2C, conductive materials such as nickel (Ni) and nickel alloys (Ni-Co and Ni-W-Co) may be formed on the sacrificial substrate 50 on which the first photoresist pattern 60 is formed. After the deposition by plating to form a conductive film 62 to be used as a precursor, the top surface of the sacrificial substrate 50 is planarized.

이때, 상기 평탄화 공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing)와 그라인딩(Grinding) 등의 방법을 사용할 수 있으며, 상기 도전막(62)을 형성하기 위한 도금공정 과정의 구리층(54)은 도금 물질의 씨드(Seed)로 기능한다. 특히, 상기 도전막(62)을 형성하기 위한 도금 공정이 이상적으로 진행되어 제 1 포토레지스트 패턴(60)의 개방부위 내부에만 도전막(62)이 형성될 경우에는 평탄화공정을 생략할 수 있다. 그리고, 상기 도전막(62)을 도금 공정 이외의 다른 방법 즉, PVD(Physical Vapor Deposition) 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 사용하는경우에는 선행된 씨드층(56) 형성공정을 생략할 수 있다.In this case, the planarization process may use methods such as chemical mechanical polishing (CMP) and grinding (Grinding), and the copper layer 54 of the plating process for forming the conductive layer 62 may be a seed of a plating material. Seed). In particular, when the plating process for forming the conductive film 62 is ideally performed and the conductive film 62 is formed only inside the open portion of the first photoresist pattern 60, the planarization process may be omitted. In the case where the conductive film 62 is used in a method other than a plating process, that is, a physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD), the seed layer 56 may be omitted.

다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이 제 2 포토레지스트 패턴(60)을 제거한 후, 상기 제 2 포토레지스 패턴(60)의 개방부위 내부에 형성된 도전막(62)을 자기정렬 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 제 2 포토레지스트 패턴(60) 하부에 잔존하던 구리층(54) 및 티타늄층(52)으로 이루어지는 씨드층(56)을 제거한다.Next, as shown in FIG. 2D, the second photoresist pattern 60 is removed and then etched using the conductive layer 62 formed inside the open portion of the second photoresist pattern 60 as a self-aligning mask. By performing the process, the seed layer 56 including the copper layer 54 and the titanium layer 52 remaining under the second photoresist pattern 60 is removed.

이때, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(60)은 습식 또는 건식식각 방법에 의해서 제거할 수 있으며, 상기 씨드층(56) 역시 습식 또는 건식식각 방법에 의해서 제거할 수 있다.In this case, the second photoresist pattern 60 may be removed by a wet or dry etching method, and the seed layer 56 may also be removed by a wet or dry etching method.

이어서, 도 2e에 도시된 바와 같이 제 2 포토레지스트 패턴(60)이 제거된 희생기판(50) 상에 일정량의 제 3 포토레지스트(64)를 코팅한다.Subsequently, as shown in FIG. 2E, a predetermined amount of the third photoresist 64 is coated on the sacrificial substrate 50 from which the second photoresist pattern 60 is removed.

이때, 상기 제 3 포토레지스트(64)는 일반적인 포토레지스트 스핀코팅방식 등에 의해서 코팅할 수 있다.In this case, the third photoresist 64 may be coated by a general photoresist spin coating method.

다음으로, 도 2f에 도시된 바와 같이 제 3 포토레지스트(64)가 코팅된 희생기판(50) 상에 일정 패턴이 구현된 마스크를 위치시킨 후, 노광 및 현상함으로써 접촉체로 사용되는 도전막(62)의 중앙부를 개방하는 제 3 포토레지스트 패턴(66)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2F, a mask having a predetermined pattern is positioned on the sacrificial substrate 50 coated with the third photoresist 64, and then exposed and developed to form a conductive film 62 used as a contact. A third photoresist pattern 66 is formed to open the central portion of the backsheet.

계속해서, 도 2g에 도시된 바와 같이 제 3 포토레지스트 패턴(66)에 의해서 개방된 개방부위 내부에 에폭시 등의 접착제(67)를 소정량 투입한 후, 상기 제 3 포토레지스트 패턴(66)에 의해서 개방된 개방부위 내부에 소정크기의 세라믹 등과절연재질의 보강판(68)을 삽입 부착한다.Subsequently, as shown in FIG. 2G, a predetermined amount of an adhesive 67 such as epoxy is introduced into the open portion opened by the third photoresist pattern 66, and then the third photoresist pattern 66 is introduced into the open portion. A reinforcing plate 68 of a ceramic or insulating material having a predetermined size is inserted into the open portion opened by the insert.

다음으로, 도 2h에 도시된 바와 같이 제 3 포토레지스트 패턴(66)을 제거함으로써 보강판(68) 및 도전막(62)으로 이루어지는 접촉체를 외부로 개방한다.Next, as shown in FIG. 2H, the contact body including the reinforcing plate 68 and the conductive film 62 is opened to the outside by removing the third photoresist pattern 66.

마지막으로, 도 2i에 도시된 바와 같이 보강판(68) 및 접촉체(70)가 외부로 개방된 희생기판(50) 및 도전막(62) 하부의 씨드층(56)을 습식식각 등의 방법으로 제거함으로써 접촉체(62)를 구비한 프로브를 완성한다.Lastly, as shown in FIG. 2I, the sacrificial substrate 50 having the reinforcing plate 68 and the contact member 70 open to the outside and the seed layer 56 under the conductive layer 62 are wet-etched or the like. The probe provided with the contact body 62 is completed by removing it.

이때, 상기 구리층(52) 및 티타늄층(54)으로 이루어지는 씨드층(56)과 희생기판(50)은 서로 상이한 케미컬을 이용한 일련의 습식식각공정에 의해서 순차적으로 제거함이 바람직하다.In this case, the seed layer 56 and the sacrificial substrate 50 formed of the copper layer 52 and the titanium layer 54 may be sequentially removed by a series of wet etching processes using different chemicals.

그리고, 완성된 프로브의 접촉체(62) 후면에 에폭시 등과 같은 절연물로 이루어지는 절연판(69)을 부착하는 공정이 부가적으로 수행된다.In addition, a process of attaching the insulating plate 69 made of an insulator such as epoxy to the back of the contact body 62 of the completed probe is additionally performed.

도 3a 내지 도 3t는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 사시도이다.3A to 3T are perspective views illustrating a method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법은, 도 3a에 도시된 바와 같이 실리콘(Silicon) 등의 희생기판(200) 상에 제 1 포토레지스트(202)를 코팅한다.In the method of manufacturing a flat panel display inspection probe according to a third exemplary embodiment of the present invention, as illustrated in FIG. 3A, the first photoresist 202 is coated on a sacrificial substrate 200 such as silicon. .

이때, 상기 제 1 포토레지스트(202)는 공지의 포토레지스트 스핀코팅방법에 의해서 코팅할 수 있다.In this case, the first photoresist 202 may be coated by a known photoresist spin coating method.

다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 희생기판(200) 내부에 후속공정을 수행함으로써 정렬키 및 접촉체의 형상을 한정하는 제 1 포토레지스트 패턴(204)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3B, a first photoresist pattern 204 is formed to define the shape of the alignment key and the contact by performing a subsequent process inside the sacrificial substrate 200.

이때, 상기 제 1 포토레지스트 패턴(204)은 희생기판(200) 상에 소정의 마스크를 정렬시킨 후, 노광 및 현상함으로써 형성할 수 있다.In this case, the first photoresist pattern 204 may be formed by aligning a predetermined mask on the sacrificial substrate 200, and then exposing and developing the mask.

계속해서, 도 3c에 도시된 바와 같이 희생기판(200) 상의 제 1 포토레지스트 패턴(204)을 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 희생기판(200) 내부에 정렬키 및 접촉체를 형성하기 위한 제 1 트렌치(206a, 206b) 및 제 2 트렌치(208)를 각각 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3C, an etching process is performed using the first photoresist pattern 204 on the sacrificial substrate 200 as a mask to form alignment keys and contacts in the sacrificial substrate 200. First trenches 206a and 206b and second trenches 208 are formed, respectively.

이때, 상기 제 1 트렌치(206a, 206b) 및 제 2 트렌치(208) 형성공정은 반응가스를 이용한 건식식각공정에 의해서 수행될 수 있다.In this case, the first trenches 206a and 206b and the second trench 208 forming process may be performed by a dry etching process using a reaction gas.

다음으로, 도 3d에 도시된 바와 같이 제 1 트렌치(206a, 206b) 및 제 2 트렌치(208)가 형성된 희생기판(200) 상의 제 1 포토레지스트 패턴(204)을 제거한 후, 스퍼터링(Sputtering) 등의 증착공정에 의해서 소정두께의 씨드층(Seed layer : 214)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3D, after removing the first photoresist pattern 204 on the sacrificial substrate 200 on which the first trenches 206a and 206b and the second trench 208 are formed, sputtering or the like is performed. A seed layer 214 having a predetermined thickness is formed by the deposition process.

이때, 상기 씨드층은 500 Å두께의 티타늄층(Ti layer : 210)과 5,000Å두께의 구리층(Cu layer : 212)으로 이루어질 수 있으며, 상기 구리층(212)은 후속 도금 공정에서 실질적으로 씨드층(214)으로 기능하며, 상기 티타늄층(212)은 희생기판(200)과 구리층(212)의 접착도를 향상시키기 위하여 형성하는 것이다.In this case, the seed layer may be made of a 500 500 titanium layer (Ti layer: 210) and 5,000 Å copper layer (Cu layer: 212), the copper layer 212 is substantially seeded in a subsequent plating process It functions as the layer 214, and the titanium layer 212 is formed to improve the adhesion between the sacrificial substrate 200 and the copper layer 212.

다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이 씨드층(214)이 형성된 희생기판(200) 상에 일정량의 제 2 포토레지스트(216)를 코팅한다.Next, as shown in FIG. 3E, a predetermined amount of the second photoresist 216 is coated on the sacrificial substrate 200 on which the seed layer 214 is formed.

이때, 상기 제 2 포토레지스트(216)는 공지의 포토레지스트 스핀코팅방식에의해서 형성할 수 있다.In this case, the second photoresist 216 may be formed by a known photoresist spin coating method.

계속해서, 도 3f에 도시된 바와 같이 희생기판(200) 상에 형성된 제 2 포토레지스트(216)를 노광 및 현상함으로써 제 1 트렌치(206a, 206b) 및 제 2 트렌치(208)가 형성된 영역을 한정하는 제 2 포토레지스트 패턴(218)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3F, a region in which the first trenches 206a and 206b and the second trenches 208 are formed is defined by exposing and developing the second photoresist 216 formed on the sacrificial substrate 200. The second photoresist pattern 218 is formed.

이어서, 도 3g에 도시된 바와 같이 제 2 포토레지스트 패턴(218)이 형성된 희생기판(200) 상에 니켈(Ni), 니켈합금(Ni-Co, Ni-W-Co) 등의 도전성 물질을 도금에 의해서 증착하여 도전막(220)을 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 3G, a conductive material such as nickel (Ni) and nickel alloys (Ni-Co, Ni-W-Co) is plated on the sacrificial substrate 200 on which the second photoresist pattern 218 is formed. By depositing to form a conductive film 220.

이때, 상기 도전막(220)을 형성하기 위한 도금공정을 진행하는 과정의 씨드층(214)의 구리층(212)은 도금 물질의 씨드로 기능한다.At this time, the copper layer 212 of the seed layer 214 during the plating process for forming the conductive film 220 functions as a seed of the plating material.

다음으로, 도 3h에 도시된 바와 같이 도전막(220)이 형성된 희생기판(200) 상면을 평탄화한다. 이때, 상기 희생기판(200) 상면의 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing)와 그라인딩(Grinding) 등의 방법을 사용할 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 3H, the top surface of the sacrificial substrate 200 on which the conductive film 220 is formed is planarized. In this case, the planarization process of the upper surface of the sacrificial substrate 200 may use a method such as chemical mechanical polishing (CMP) and grinding (Grinding).

그리고, 상기 도전막(220)을 형성하기 위한 도금 공정이 이상적으로 진행되어 제 2 포토레지스트 패턴(218)의 개방부위 내부에만 도전막(220)이 형성될 경우에는 평탄화공정을 생략할 수 있다.In addition, when the plating process for forming the conductive film 220 is ideally performed and the conductive film 220 is formed only inside the open portion of the second photoresist pattern 218, the planarization process may be omitted.

계속해서, 도 3i에 도시된 바와 같이 평탄화공정이 완료된 희생기판(200) 상에 일정량의 제 3 포토레지스트(222)를 코팅한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3I, a predetermined amount of the third photoresist 222 is coated on the sacrificial substrate 200 on which the planarization process is completed.

이때, 상기 제 3 포토레지스트(222)는 공지의 포토레지스트 스핀코팅방법 등에 의해서 코팅할 수 있다.In this case, the third photoresist 222 may be coated by a known photoresist spin coating method.

이어서, 도 3j에 도시된 바와 같이 희생기판(200) 상에 형성된 도전막(220)의 중앙부를 개방하는 제 3 포토레지스트 패턴(224)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3J, a third photoresist pattern 224 is formed to open a central portion of the conductive film 220 formed on the sacrificial substrate 200.

이때, 상기 제 3 포토레지스트 패턴(224)은 마스크를 이용한 노광 및 현상공정에 의해서 형성할 수 있다.In this case, the third photoresist pattern 224 may be formed by an exposure and development process using a mask.

다음으로, 도 3k에 도시된 바와 같이 제 3 포토레지스트 패턴(224)에 의해서 개방된 개방부위 내부에 에폭시 등의 절연물질을 매립함으로써 절연판(226)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3K, the insulating plate 226 is formed by filling an insulating material such as epoxy in the open portion opened by the third photoresist pattern 224.

계속해서, 도 3l에 도시된 바와 같이 절연판(226)이 형성된 희생기판(200) 상면을 평탄화한다. 이때, 상기 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing)와 그라인딩(Grinding) 등의 방법을 사용할 수 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3L, the top surface of the sacrificial substrate 200 on which the insulating plate 226 is formed is planarized. In this case, the planarization process may use methods such as chemical mechanical polishing (CMP) and grinding (Grinding).

이어서, 도 3m에 도시된 바와 같이 상기 희생기판(200)을 뒤집은 후, 희생기판(200) 후면을 소정두께로 그라인딩한다. 상기 그라인딩공정은 후속 트렌치 형성공정시 희생기판(200)의 식각높이를 낮게 조절하기 위해서 수행하는 것이다.Subsequently, as shown in FIG. 3M, the sacrificial substrate 200 is turned upside down and the back surface of the sacrificial substrate 200 is ground to a predetermined thickness. The grinding process is performed to adjust the etching height of the sacrificial substrate 200 during the subsequent trench formation process.

계속해서, 도 3n에 도시된 바와 같이 그라인딩공정이 수행된 희생기판(200) 후면에 소정두께의 제 4 포토레지스트(228)를 코팅한다. 이때, 상기 제 4 포토레지스트(228)는 공지의 포토레지스트 코팅방법에 의해서 형성할 수 있다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3N, a fourth photoresist 228 having a predetermined thickness is coated on the rear surface of the sacrificial substrate 200 on which the grinding process is performed. In this case, the fourth photoresist 228 may be formed by a known photoresist coating method.

다음으로, 도 3o에 도시된 바와 같이 희생기판(200) 상에 형성된 제 4 포토레지스트(228)를 노광 및 현상함으로써 희생기판(200)의 후면 중앙부 즉, 도전막(220)의 중앙부를 개방하는 제 4 포토레지스트 패턴(230)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3O, the fourth photoresist 228 formed on the sacrificial substrate 200 is exposed and developed to open the rear center of the sacrificial substrate 200, that is, the center of the conductive film 220. The fourth photoresist pattern 230 is formed.

계속해서, 도 3p에 도시된 바와 같이 제 4 포토레지스트 패턴(230)을 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 희생기판(200) 후면에 도전막(220)을 개방하는 트렌치(232)를 형성한다. 이때, 상기 식각공정은 SF6, C4F8및 O2가스가 일정비율로 혼합된 혼합가스를 사용한 건식식각공정으로 이루어진다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3P, an etching process is performed using the fourth photoresist pattern 230 as a mask to form a trench 232 that opens the conductive layer 220 on the back surface of the sacrificial substrate 200. . In this case, the etching process is a dry etching process using a mixed gas in which SF 6 , C 4 F 8 and O 2 gas is mixed at a predetermined ratio.

보다 상세히 설명하면, 상기 식각공정은 팁 트렌치(Deep Trench) 식각 방법의 하나로 소위보쉬프로세스(Bosh process)로 불리우는 공지의 RIE(Reactive Ion Etching)에 의해서 이루어진다.In more detail, the etching process is performed by a known reactive ion etching (RIE) called a bosch process as one of the tip trench etching methods.

이어서, 도 3q에 도시된 바와 같이 희생기판(200) 후면에 형성된 트렌치(232) 내부에 접착제(234)로 사용되는 에폭시를 소정량 투입한 후, 소정크기의 세라믹으로 이루어지는 보강판(236)을 트렌치(232) 내부에 가압 삽입하여 보강판(236)을 트렌치(232) 내부에 매설 부착한다.Subsequently, a predetermined amount of epoxy used as the adhesive 234 is introduced into the trench 232 formed on the rear surface of the sacrificial substrate 200, as shown in FIG. 3q, and then a reinforcing plate 236 made of ceramic having a predetermined size is formed. The reinforcement plate 236 is embedded in the trench 232 by press-inserting the inside of the trench 232.

다음으로, 도 3r에 도시된 바와 같이 보강판(236)이 트렌치(232) 내부에 매설된 희생기판(200) 후면을 평탄화한다.Next, as shown in FIG. 3R, the reinforcing plate 236 flattens the rear surface of the sacrificial substrate 200 embedded in the trench 232.

이때, 상기 평탄화공정은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 또는 그라인딩(Grinding)공정을 사용할 수 있다.In this case, the planarization process may use a chemical mechanical polishing (CMP) or grinding process.

이어서, 도 3s에 도시된 바와 같이 제 3 포토레지스트 패턴(224) 및 제 4 포토레지스트 패턴(230) 및 씨드층(214)을 제거하한다.Subsequently, as shown in FIG. 3S, the third photoresist pattern 224 and the fourth photoresist pattern 230 and the seed layer 214 are removed.

마지막으로, 도 3t에 도시된 바와 같이 희생기판(200)을 식각 제거함으로써 접촉체(238) 상부에 접착제(234)에 의해서 보강판(236)이 구비되고, 접촉체(238) 하부에 절연판이 구비된 프로브를 완성한다.Finally, as illustrated in FIG. 3T, the sacrificial substrate 200 is etched away to provide a reinforcing plate 236 by the adhesive 234 on the contact 238, and an insulating plate below the contact 238. Complete the provided probe.

도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법은, 제 1 실시예의 도 1o에 도시된 접촉체가 외부로 완전히 개방된 제 1 희생기판(70) 및 제 2 희생기판(72) 또는 제 2 실시예의 도 2 f에 도시된 접촉체가 외부로 완전히 개방된 제 1 희생기판(70) 및 제 2 희생기판(72) 또는 제 3 실시예의 도 3 s에 도시된 접촉체가 외부로 완전히 개방된 제 1 희생기판(70) 및 제 2 희생기판(72)을 각각 준비한다.In the method for manufacturing a flat panel display inspection probe according to the present invention, the first sacrificial substrate 70 and the second sacrificial substrate 72 or the second embodiment in which the contact body shown in FIG. Example of a first sacrificial substrate 70 and a second sacrificial substrate 72 with the contact shown in FIG. 2F fully open to the outside or a first sacrificial substrate with the contact shown in FIG. 3S of the third embodiment fully open to the outside The substrate 70 and the second sacrificial substrate 72 are prepared, respectively.

이때, 제 1 실시예 및 제 3 실시예의 상기 제 1 희생기판(70) 및 제 2 희생기판(72) 상에는 각각 얼라인키(78), 절연판(74) 및 접촉체(76)가 외부로 노출되어 있고, 제 2 실시예의 상기 제 1 희생기판(70) 및 제 2 희생기판(72) 상에는 보강판(74) 및 접촉체(76)가 외부로 노출되어 있다.At this time, the alignment key 78, the insulating plate 74 and the contact member 76 are exposed to the outside on the first sacrificial substrate 70 and the second sacrificial substrate 72 of the first and third embodiments, respectively. The reinforcing plate 74 and the contact body 76 are exposed to the outside on the first sacrificial substrate 70 and the second sacrificial substrate 72 of the second embodiment.

다음으로, 제 1 실시예 및 제 3 실시예의 제 1 희생기판(70) 및 제 2 희생기판(72)은 얼라인키(78)를 기준으로 하거나 2 실시예(얼라인키가 형성되어 있지 않은 상태임)는 육안으로 제 1 희생기판(70) 및 제 2 희생기판(72)의 절연판(74)을 서로 일치시킨 후, 접착제를 이용하여 서로 부착한다.Next, the first sacrificial substrate 70 and the second sacrificial substrate 72 of the first and third embodiments are based on the align key 78 or the second embodiment (the align key is not formed). ) Is visually matched with the insulating plate 74 of the first sacrificial substrate 70 and the second sacrificial substrate 72, and then attached to each other using an adhesive.

이때, 상기 제 1 희생기판(70) 상에 형성된 복수의 접촉체(76)와 접촉체(76) 사이의 이격공간에 제 2 희생기판(72) 상에 형성된 복수의 접촉체(76)가 각각 수직적으로 위치하도록 함으로써 제 1 희생기판(70)의 접촉체(76)와 접촉체(76) 사이에 제 2 희생기판(72)의 접촉체(76)가 수직적으로 위치하도록 하고, 제 2 희생기판(70)의 접촉체(76)의 끝단이 제 1 희생기판(70)의 접촉체(76)의 끝단보다 수평방향으로 돌출된 다층으로 형성한다.In this case, each of the plurality of contacts 76 formed on the second sacrificial substrate 72 is disposed in the space between the plurality of contacts 76 formed on the first sacrificial substrate 70 and the contact 76. By vertically positioning the contact 76 of the second sacrificial substrate 72 is positioned vertically between the contact 76 and the contact 76 of the first sacrificial substrate 70, the second sacrificial substrate An end of the contact body 76 of 70 is formed in a multi-layer protruding in a horizontal direction than the end of the contact body 76 of the first sacrificial substrate 70.

이후, 상기 제 1 및 제 2 희생기판(70, 72)을 전술한 제 1 실시예, 제 2 실시예 및 제 3 실시예에 설명한 바와 같은 습식식각에 의해서 제거함으로써 프로브와 프로브가 서로 적층된 구조의 다층 프로브를 제작할 수 있다.Thereafter, the first and second sacrificial substrates 70 and 72 are removed by wet etching as described above in the first, second and third embodiments, thereby stacking the probe and the probe. Multilayer probes can be produced.

이때, 본 실시예에서는 2층 구조의 프로브에 한정하여 설명하였지만 제작자에 따라 3층 이상의 다층 프로브를 제작할 수 있음은 당연하다할 것이다.In this case, the present embodiment has been described as being limited to a two-layered probe, but it will be obvious that a multilayer probe having three or more layers can be manufactured according to the manufacturer.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자 검사용 프로브를 설명하기 위한 사시도이고, 도 5b는 단면도이다.5A is a perspective view illustrating a probe for inspecting a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view.

본 발명에 따른 프로브는, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이 제 1 프로브(80)의 와 제 2 프로브(90)에 형성된 절연판(84, 96)이 접착제 등의 접착수단에 의해서 서로 부착되어 제 1 프로브(80) 및 제 2 프로브(90)가 2중으로 적층된 구조로 이루어진다.In the probe according to the present invention, as shown in FIGS. 5A and 5B, the insulating plates 84 and 96 formed on the first probe 80 and the second probe 90 are attached to each other by an adhesive means such as an adhesive. The first probe 80 and the second probe 90 are stacked in a double structure.

이때, 상기 제 1 프로브(80) 및 제 2 프로브(90)는 세라믹 등의 재질로 이루어지는 보강판(86, 98) 하부에 복수의 접촉체(82, 92)가 수평방향으로 소정간격 이격되어 에폭시 등의 접착제(84, 94)에 의해서 부착되어 있으며, 상기 접촉체(82, 92) 하부 중앙에는 에폭시 등과 같은 절연성 재질의 절연판(84, 96)이 부착되어 있다.In this case, the first probe 80 and the second probe 90 may be a plurality of contact members 82 and 92 spaced apart a predetermined distance in the horizontal direction under the reinforcement plates 86 and 98 made of a material such as ceramic. It is attached by adhesives 84 and 94 such as, and the insulating plates 84 and 96 made of an insulating material such as epoxy are attached to the lower center of the contact bodies 82 and 92.

보다 상세히 설명하면, 제 1 프로브(80)의 특정 접촉체(82)와 이웃하는 다른 특정 접촉체(82) 사이의 이격공간에 제 2 프로브(90)의 특정 접촉체(92)가 수직적으로 각각 위치함으로써 다층형 프로브의 접촉체(82)와 접촉체(92) 사이의 간격이 극도로 조밀하게 조절되어 있다.In more detail, the specific contact 92 of the second probe 90 is perpendicular to each other in the space between the specific contact 82 of the first probe 80 and another neighboring specific contact 82, respectively. By positioning, the spacing between the contact body 82 and the contact body 92 of the multilayer probe is extremely tightly controlled.

그리고, 상기 제 2 프로브(90)의 접촉체(92)의 끝단이 제 1 프로브(80)의 접촉체(82)의 끝단보다 수평방향으로 소정길이 돌출되도록 적층되어 있다.In addition, the ends of the contact bodies 92 of the second probe 90 are stacked to protrude a predetermined length in the horizontal direction than the ends of the contact bodies 82 of the first probe 80.

또한, 다른 실시예로 제 1 프로브(80)의 와 제 2 프로브(90)에 형성된 보강판(88, 98)이 접착제 등의 접착수단에 의해서 서로 부착되어 제 1 프로브(80) 및 제 2 프로브(90)가 2중으로 적층된 구조로 제작할 수도 있다.In another embodiment, the reinforcing plates 88 and 98 formed on the first probe 80 and the second probe 90 are attached to each other by an adhesive means such as the first probe 80 and the second probe. It is also possible to produce a structure in which 90 is stacked in two layers.

그리고, 또 다른 실시예로 제 1 프로브(80) 또는 제 2 프로브(90)의 절연판(84, 96)과 제 1 프로브(80) 또는 제 2 프로브(90)의 보강판(88, 98)을 접착제 등의 접착수단에 의해서 서로 부착되어 제 1 프로브(80) 및 제 2 프로브(90)가 2중으로 적층된 구조로 제작할 수도 있다.In another embodiment, the insulating plates 84 and 96 of the first probe 80 or the second probe 90 and the reinforcement plates 88 and 98 of the first probe 80 or the second probe 90 may be removed. The first probe 80 and the second probe 90 may be attached to each other by an adhesive means such as an adhesive, and may be manufactured in a double stacked structure.

따라서, 상기 제 1 프로브(80) 및 제 2 프로브(90)가 적층된 구조로 이루어지는 다층형 프로브는 프로브 조립체(도시되지 않음)에 장착되어 일련의 공정에 의해서 완성된 평판표시소자의 정상 유무를 테스트하게 된다.Therefore, the multilayer probe having a structure in which the first probe 80 and the second probe 90 are stacked is mounted on a probe assembly (not shown) to check whether the flat panel display device is completed by a series of processes. Will be tested.

이때, 상기 프로브의 접촉체(82, 92)의 일단은 평판표시소자의 검사부위 즉, 패드전극과 접촉하고 다른 일단은 구동칩(Drive chip)과 연결된 TCP(Tape Carrier Package)와 연결되어 평판표시소자의 정상유무를 검사하게 된다.At this time, one end of the contact body (82, 92) of the probe is in contact with the inspection portion of the flat panel display element, that is, the pad electrode and the other end is connected to the Tape Carrier Package (TCP) connected to the drive chip (flat chip display) It checks whether the device is normal.

도 6은 전술한 바와 같은 본 발명에 따른 평판표시소자 검사용 프로브를 구비한 프로브 조립체를 설명하기 위한 사시도이고, 도 7은 이의 단면도이다.FIG. 6 is a perspective view illustrating a probe assembly having a probe for inspecting a flat panel display device according to the present invention as described above, and FIG. 7 is a cross-sectional view thereof.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 프로브 조립체는 도 5에 도시된 바와 같은 제 1 프로브(넘버링되지 않음) 및 제 2 프로브(넘버링되지 않음)가 적층된 구조로 이루어지는 다층형 프로브가 내측면으로 소정각도 경사면을 지닌 프로브블록(Probe block : 110) 하부에 고정되어 있다.6 and 7, the probe assembly according to the present invention includes a multilayer probe having a structure in which a first probe (not numbered) and a second probe (not numbered) as shown in FIG. 5 are stacked. The inner side is fixed to the bottom of the probe block (Probe block: 110) having a predetermined angle inclined surface.

상기 적층된 구조로 이루어지는 다층형 프로브는, 전술한 바와 같이 제 1 프로브와 제 2 프로브에 형성된 절연판(92, 93)이 접착체 등의 접착수단에 의해서 서로 부착 적층된 구조로 이루어진다.As described above, the multilayer probe having the laminated structure has a structure in which the insulating plates 92 and 93 formed on the first probe and the second probe are attached to each other by an adhesive means such as an adhesive.

이때, 상기 제 1 프로브 및 제 2 프로브는 세라믹 등의 재질로 이루어지는 보강판(96, 102) 하부에 복수의 접촉체(93, 104)가 수평방향으로 소정간격 이격되어 에폭시 등의 접착제(94, 103)에 의해서 부착되어 있으며, 상기 접촉체(93, 104) 하부 중앙에는 에폭시 등과 같은 절연성 재질의 절연판(92, 106)이 부착되어 있다.In this case, the first probe and the second probe have a plurality of contact members 93 and 104 spaced apart at predetermined intervals in the horizontal direction under the reinforcing plates 96 and 102 made of a material such as ceramics. 103, and the insulating plates 92 and 106 made of an insulating material such as epoxy are attached to the lower center of the contact bodies 93 and 104.

보다 상세히 설명하면, 제 1 프로브의 특정 접촉체(93)와 이웃하는 다른 특정 접촉체(93) 사이의 이격공간에 제 2 프로브의 특정 접촉체(104)가 수직적으로 각각 위치함으로써 다층형 프로브의 접촉체(93)와 접촉체(104) 사이의 간격이 극도로 조밀하게 조절되어 있다.In more detail, the specific contact 104 of the second probe is vertically positioned in a space between the specific contact 93 of the first probe and another neighboring specific contact 93 so that the multi-layer probe The gap between the contact 93 and the contact 104 is extremely tightly adjusted.

그리고, 상기 제 2 프로브의 접촉체(104)의 끝단이 제 1 프로브의 접촉체(93)의 끝단보다 수평방향으로 소정길이 돌출되도록 적층되어 있다.The end of the contact body 104 of the second probe is laminated so as to protrude a predetermined length in the horizontal direction than the end of the contact body 93 of the first probe.

또한, 상기 적층된 구조의 프로브는 프로브 블록(110)의 경사면에 접착제 또는 고정나사 등의 부착 고정수단에 의해서 서로 고정되어 있으며, 상기 프로브 블록(110)은 투명성을 확보하기 위해 아크릴(Acryle) 등과 투명재질로 제작할 수도 있다.In addition, the stacked structures of the probes are fixed to each other by an attachment fixing means such as an adhesive or a fixing screw on the inclined surface of the probe block 110, the probe block 110 is acrylic (Acryle) and the like to secure transparency It can also be made of a transparent material.

즉, 상기 프로브 블록(110)의 경사면에 고정되는 프로브는 접착제를 이용하거나 프로브를 관통하여 프로브 블록(110)과 체결되는 고정나사에 의해서도 서로체결될 수 있다.That is, the probes fixed to the inclined surface of the probe block 110 may be fastened to each other by a fixing screw fastened to the probe block 110 by using an adhesive or penetrating the probe.

또한, 상기 프로브 블록(110) 상부에 제 1 인터페이스 보드(112)가 위치되고, 상기 제 1 인테페이스 보드(112) 상부에 프로브 홀더(116)가 위치되어 고정나사(118)에 의해서 서로 체결 고정되어 있다.In addition, a first interface board 112 is positioned on the probe block 110, and a probe holder 116 is positioned on the first interface board 112 and fastened to each other by a fixing screw 118. have.

이때, 상기 제 1 인터페이스 보드(112)와 프로브 홀더(116)는 고정핀(122)에 의해서 서로 체결됨으로써 더욱 체결력이 강화되도록 되어 있다.At this time, the first interface board 112 and the probe holder 116 are fastened to each other by being fastened to each other by the fixing pin 122.

그리고, 상기 프로브 블록(110) 내측방향의 제 1 인터페이스 보드(112) 하측면에 제 2 인터페이스 보드(114)가 역시 고정핀(120)에 의해서 체결 고정되어 있고, 상기 제 2 인터페이스 보드(114) 하측면에 TCP(Tape Carrier Package : 124))가 부착 고정되어 있다.In addition, the second interface board 114 is fastened to the lower surface of the first interface board 112 in the probe block 110 by the fixing pin 120, and the second interface board 114 is fixed. TCP (Tape Carrier Package: 124) is attached and fixed to the lower side.

여기서, 상기 프로브 블록(110)의 경사면에 부착 고정된 다층형 프로브의 접촉체(93, 104)의 일단과 TCP(124)의 연결 관계를 보다 상세히 살펴보면, 다층형 프로브의 접촉체(93, 104) 일단이 가이드 필름(126)에 형성된 홀(넘버링되지 않음)을 통해서 안내를 받으며 TCP(124)에 구현된 패턴과 연결되어 있다.Here, the connection relation between one end of the contacts 93 and 104 of the multilayer probe attached to the inclined surface of the probe block 110 and the TCP 124 will be described in more detail. One end is guided through a hole (not numbered) formed in the guide film 126 and connected to a pattern implemented in the TCP 124.

그리고, 상기 프로브 홀더(116)와 메뉴플레이터(128)가 고정나사(132)에 의해서 서로 체결되어 있으며, 상기 메뉴플레이터(128)와 연결된 프로브 홀더(116)는 테스트 과정의 상하 물리력(F)에 의해서 상하로 유동이 발생할 수 있도록 되어 있다.In addition, the probe holder 116 and the menu plater 128 are fastened to each other by the fixing screw 132, and the probe holder 116 connected to the menu plater 128 has a vertical force F of a test process. ) Can flow up and down.

보다 상세히 설명하면, 상기 프로브 홀더(116) 일측과 메뉴플레이터(128) 타측이 가이드 레일(Guide rale : 130)에 의해서 서로 체결됨으로써 테스트 과정의상하 물리력(F)에 의해서 프로브 홀더(116)와 연결된 제 1 인터페이스 보드(112), 프로브 블록(110)이 상하로 유동할 수 있도록 되어 있다.In more detail, one side of the probe holder 116 and the other side of the menu plate 128 are fastened to each other by a guide rail 130, and the probe holder 116 and the upper and lower physical force F of the test process. The first interface board 112 and the probe block 110 connected to each other may flow upward and downward.

특히, 상기 프로브 홀더(116)와 메뉴플레이터(128)를 연결하는 고정나사(132) 주변부에는 소정의 탄성력을 지닌 스프링(134)이 내설됨으로써 테스트 과정의 상하 물리력(F)에 의해서 상하로 유동된 프로브 홀더(116)와 연결된 제 1 인터페이스 보드(112) 및 프로브 블록(110)이 스프링(134)의 탄성력에 의해서 원래의 위치로 복원되도록 되어 있다.In particular, a spring 134 having a predetermined elastic force is installed in the periphery of the fixing screw 132 connecting the probe holder 116 and the menu plate 128 to flow up and down by the vertical force F of the test process. The first interface board 112 and the probe block 110 connected to the probe holder 116 are restored to their original positions by the elastic force of the spring 134.

따라서, 일련의 평판표시소자 제조공정의 수행에 의해서 제조된 평판표시소자를 프로빙 장치로 이동시킨 후, 프로브 블록(40)을 다른 이동수단에 의해서 상하로 이동하며 평판표시소자의 전극패드에 소정의 물리력(F)을 가하며 평판표시소자에 대한 전기적 테스트 공정을 수행한다.Therefore, after the flat panel display device manufactured by performing a series of flat panel display device manufacturing processes is moved to the probing apparatus, the probe block 40 is moved up and down by other moving means, and the predetermined electrode pad of the flat panel display device is moved. Applying a physical force (F) to perform an electrical test process for the flat panel display device.

이때, 상기 프로브 블록(40) 하부의 다층형 프로브의 접촉체(93, 104)는 평판표시소자의 전극패드와 접촉하게 되고, 프로빙 장치에서 인가되는 전기신호는 TCP(Tape Carrier Package : 124)를 통해서 프로브의 접촉체(93, 104)를 통해서 평판표시소자의 전극패드에 인가된다.In this case, the contacts 93 and 104 of the multi-layered probe under the probe block 40 are in contact with the electrode pad of the flat panel display device, and the electrical signal applied from the probing device is a TCP (Tape Carrier Package) 124. It is applied to the electrode pad of the flat panel display device through the contact (93, 104) of the probe through.

본 발명에 의하면, 패턴과 패턴 사이의 간격을 극도로 조밀하게 형성할 수 있는 포토리소그래피(Photolithography)공정을 포함하는 MEMS(Micro Electro Mechanical System)기술에 의해서 복수의 접촉체를 구비한 프로브를 구현함으로써 최근에 고집적화된 평판표시소자의 파인피치에 적극 대응할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by implementing a probe having a plurality of contacts by the MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology including a photolithography process that can form a pattern and the gap between the patterns extremely densely Recently, there is an effect that can actively cope with the fine pitch of the highly integrated flat panel display device.

그리고, MEMS기술을 이용함으로써 재현성 있는 제품을 대량 생산할 수 있는 효과가 있다.In addition, the use of MEMS technology has the effect of mass production of reproducible products.

이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the spirit of the present invention, and it is obvious that such changes and modifications belong to the appended claims.

Claims (35)

희생기판 상에 소정간격 서로 이격된 복수의 접촉체가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer pattern on a sacrificial substrate, the first passivation layer pattern defining a region in which a plurality of contacts spaced apart from each other by a predetermined interval are formed; 상기 제 1 보호막 패턴이 형성된 희생기판 상부에 상기 제 1 보호막 패턴의 개방부위를 매립하는 도전막을 형성하는 단계;Forming a conductive film filling an open portion of the first passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the first passivation layer pattern is formed; 상기 제 1 보호막 패턴을 제거함으로써 상기 희생기판 상에 상기 도전막으로 이루어지는 접촉체를 형성하는 단계;Removing the first passivation layer pattern to form a contact made of the conductive layer on the sacrificial substrate; 상기 접촉체가 형성된 상기 희생기판 상에 상기 접촉체의 중앙부를 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a second passivation layer pattern defining a central portion of the contact on the sacrificial substrate on which the contact is formed; 상기 개방된 접촉체의 중앙부에 절연성 물질을 매립하여 절연판을 형성하는 단계;Embedding an insulating material in a central portion of the open contact to form an insulating plate; 상기 희생기판 후면에 상기 접촉체의 중앙부를 한정하는 제 3 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a third passivation layer pattern on a rear surface of the sacrificial substrate to define a central portion of the contact; 상기 제 3 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 희생기판 후면에 대해서 식각공정을 수행함으로써 상기 희생기판 전면에 형성된 접촉체를 개방하는 트렌치(Trench)를 형성하는 단계;Forming a trench to open a contact formed on the front surface of the sacrificial substrate by performing an etching process on the back surface of the sacrificial substrate using the third passivation pattern as a mask; 상기 트렌치 내부에 보강판을 삽입 부착하는 단계;Inserting a reinforcement plate into the trench; 상기 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴을 제거하는 단계; 및Removing the second passivation layer pattern and the third passivation layer pattern; And 상기 희생기판을 제거하여 프로브를 완성하는 단계;Removing the sacrificial substrate to complete a probe; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.Method of manufacturing a flat display device inspection probe comprising a. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보호막 패턴, 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴은 포토레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first passivation layer pattern, the second passivation layer pattern, and the third passivation layer pattern use a photoresist. 제 1 항에 있어서, 상기 도전막으로 니켈(Ni) 또는 니켈 합금 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 1, wherein a nickel (Ni) or a nickel alloy material is used as the conductive film. 제 1 항에 있어서, 상기 희생기판 상에 제 1 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 상에 씨드층(Seed layer)을 형성하는 공정을 더 수행한 후, 상기 도전막을 도금에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 1, further comprising forming a seed layer on the sacrificial substrate prior to forming the first passivation pattern on the sacrificial substrate, and then forming the conductive layer by plating. A method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device. 제 1 항에 있어서, 상기 절연판은 에폭시(Epoxy)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 1, wherein the insulating plate is made of epoxy. 제 1 항에 있어서, 상기 희생기판 후면에 상기 접촉체의 중앙부를 한정하는 제 3 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 후면을 소정두께로그라인딩(Grinding)하는 그라인딩공정이 더 수행되는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The grinding process of claim 1, wherein a grinding process of grinding the rear surface of the sacrificial substrate is performed prior to forming a third passivation layer pattern defining a central portion of the contact on the rear surface of the sacrificial substrate. A method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device. 제 1 항에 있어서, 상기 트렌치는 RIE(Reactive Ion Etching)에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 1, wherein the trench is formed by Reactive Ion Etching (RIE). 제 1 항에 있어서, 상기 보강판은 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 1, wherein the reinforcing plate is made of a ceramic material. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보호막 패턴은 상기 접촉체가 형성될 영역을 한정함과 동시에 얼라인키가 형성될 영역을 동시에 한정하는 형상으로 형성함으로써 상기 희생기판 상에 상기 접촉체와 얼라인키를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 1, wherein the first passivation layer pattern is formed in a shape that defines a region where the contact is to be formed and simultaneously defines an area where an align key is to be formed, thereby simultaneously forming the contact and the align key on the sacrificial substrate. Method for manufacturing a flat panel display inspection probe characterized in that it is formed. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 2 보호막 패턴 및 제 3 보호막 패턴을 제거하는 단계;와 상기 희생기판을 제거하여 프로브를 완성하는 단계; 사이에 개재하는 단계로서,Removing the second passivation layer pattern and the third passivation layer pattern; and completing the probe by removing the sacrificial substrate; As a step intervening between 상기 제3,4 보호막 패턴을 제거하는 단계까지 수행함으로써 형성되는 제 1 희생기판 및 제 2 희생기판을 준비하는 단계;Preparing a first sacrificial substrate and a second sacrificial substrate formed by removing the third and fourth passivation layer patterns; 상기 제 1 희생기판과 제 2 희생기판을 상기 얼라인키를 기준으로 중첩 부착함으로써 상기 제1,2 희생기판 상에 구현된 프로브의 접촉체가 상하로 일정간격 이격되어 위치하고, 상부에 위치하는 상기 제 1 프로브의 접촉체 끝단이 하부에 위치하는 상기 제 2 프로브의 접촉체 끝단보다 돌출되도록 형성하는 단계;The first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate are overlapped with each other based on the alignment key so that the contact bodies of the probes implemented on the first and second sacrificial substrates are spaced up and down at regular intervals, and the first and second sacrificial substrates are positioned above each other. Forming a contact end of the probe to protrude from a contact end of the second probe located below; 를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.Method of manufacturing a probe for flat panel display device characterized in that it further comprises. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 각 단계를 거쳐 완성되는 제 1 프로브와 제 2 프로브를 준비하는 단계;Preparing a first probe and a second probe completed through the above steps; 상기 제 1 프로브와 제 2 프로브를 서로 중첩되게 부착함으로써 상기 각 프로브 상에 구현된 프로브의 접촉체가 상하로 일정간격 이격되어 위치하고, 상부에 위치하는 상기 제 1 프로브의 접촉체 끝단이 하부에 위치하는 상기 제 2 프로브의 접촉체 끝단보다 돌출되도록 형성하는 단계;By attaching the first and second probes overlap each other, the contacts of the probes implemented on the respective probes are spaced up and down at regular intervals, and the contact ends of the first probes located at the top of the contacts are located below. Forming a protrusion to protrude from a contact end of the second probe; 를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.Method of manufacturing a probe for flat panel display device characterized in that it further comprises. 희생기판 상에 소정간격 서로 이격된 복수의 접촉체가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer pattern on a sacrificial substrate, the first passivation layer pattern defining a region in which a plurality of contacts spaced apart from each other by a predetermined interval are formed; 상기 제 1 보호막 패턴이 형성된 상기 희생기판 상부에 상기 제 1 보호막 패턴의 개방부위를 매립하는 도전막을 형성하는 단계;Forming a conductive layer filling an open portion of the first passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the first passivation layer pattern is formed; 상기 도전막이 형성된 희생기판 상의 제 1 보호막 패턴을 제거하는 단계;Removing the first passivation layer pattern on the sacrificial substrate on which the conductive layer is formed; 상기 제 1 보호막 패턴이 제거된 희생기판 상에 상기 도전막의 중앙부위를 개방 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a second passivation layer pattern on the sacrificial substrate from which the first passivation layer pattern is removed to openly define a central portion of the conductive layer; 상기 제 2 보호막 패턴의 개방부위 내부에 보강판을 삽입 부착하는 단계; 및Inserting and reinforcing a reinforcing plate inside an opening of the second passivation pattern; And 상기 제 2 보호막 패턴 및 희생기판을 제거함으로써 상기 도전막으로 이루어지는 접촉체를 형성하는 단계;Forming a contact made of the conductive film by removing the second passivation layer pattern and the sacrificial substrate; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의제조방법.Method of manufacturing a probe for flat panel display element comprising a. 제 12 항에 있어서, 상기 희생기판 상에 제 1 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 상에 씨드층(Seed layer)을 형성하는 공정을 더 수행한 후, 상기 도전막을 도금에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 12, further comprising forming a seed layer on the sacrificial substrate before forming the first passivation pattern on the sacrificial substrate, and then forming the conductive layer by plating. A method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device. 제 12 항에 있어서, 상기 희생기판을 제거한 후, 상기 접촉체 후면 중앙에 절연판을 부착하는 공정이 더 수행되는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 12, wherein after the removal of the sacrificial substrate, a process of attaching an insulating plate to a center of a rear surface of the contact is further performed. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 각 단계를 거쳐 완성되는 제 1 프로브와 제 2 프로브를 준비하는 단계;Preparing a first probe and a second probe completed through the above steps; 상기 제 1 프로브와 제 2 프로브를 서로 중첩되게 부착함으로써 상기 각 프로브 상에 구현된 프로브의 접촉체가 상하로 일정간격 이격되어 위치하고, 상부에 위치하는 상기 제 1 프로브의 접촉체 끝단이 하부에 위치하는 상기 제 2 프로브의 접촉체 끝단보다 돌출되도록 형성하는 단계;By attaching the first and second probes overlap each other, the contacts of the probes implemented on the respective probes are spaced up and down at regular intervals, and the contact ends of the first probes located at the top of the contacts are located below. Forming a protrusion to protrude from a contact end of the second probe; 를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.Method of manufacturing a probe for a flat panel display device characterized in that it further comprises. 희생기판 상에 소정간격 서로 이격된 복수의 접촉체가 형성될 영역을 한정하는 제 1 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer pattern on a sacrificial substrate, the first passivation layer pattern defining a region in which a plurality of contacts spaced apart from each other by a predetermined interval are formed; 상기 제 1 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 희생기판 상에 접촉체를 한정하는 트렌치를 형성하는 단계;Forming a trench defining a contact on a sacrificial substrate by performing an etching process using the first passivation layer pattern as a mask; 상기 희생기판 상에 상기 트렌치가 형성된 영역을 한정하는 제 2 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a second passivation layer pattern defining a region in which the trench is formed on the sacrificial substrate; 상기 제 2 보호막 패턴의 개방부위를 매립하는 도전막을 형성하는 단계;Forming a conductive film filling the open portion of the second protective film pattern; 상기 희생기판 상에 상기 도전막의 중앙부를 개방하는 제 3 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a third passivation layer pattern on the sacrificial substrate to open a central portion of the conductive layer; 상기 제 3 보호막 패턴의 개방부위에 절연물질을 매립함으로써 절연판을 형성하는 단계;Forming an insulating plate by filling an insulating material in an open portion of the third passivation layer pattern; 상기 희생기판 후면에 상기 도전막 중앙부에 해당하는 부분을 개방하는 제 4 보호막 패턴을 형성하는 단계;Forming a fourth passivation layer pattern on a rear surface of the sacrificial substrate to open a portion corresponding to a center portion of the conductive layer; 상기 제 4 보호막 패턴을 마스크로 사용하여 식각공정을 수행함으로써 희생기판 후면에 상기 도전막을 개방하는 트렌치를 형성하는 단계;Forming a trench for opening the conductive layer on the back surface of the sacrificial substrate by performing an etching process using the fourth passivation layer pattern as a mask; 상기 트렌치 내부에 접착제를 투입하고, 상기 접착제 상에 절연성 물질로 이루어진 보강판을 매설 부착하는 단계;Injecting an adhesive into the trench and embedding a reinforcing plate made of an insulating material on the adhesive; 상기 제 3, 4 보호막 패턴을 제거하는 단계; 및Removing the third and fourth passivation layer patterns; And 상기 희생기판을 제거하여 접촉체를 구비하는 프로브를 완성하는 단계;Removing the sacrificial substrate to complete a probe including a contact; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.Method of manufacturing a flat display device inspection probe comprising a. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1, 2, 3, 4 보호막 패턴은 포토레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.17. The method of claim 16, wherein the first, second, third, and fourth protective layer patterns use photoresist. 제 16 항에 있어서, 상기 트렌치는 건식식각에 의해서 수행하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.17. The method of claim 16, wherein the trench is performed by dry etching. 제 16 항에 있어서, 상기 도전막으로 니켈(Ni) 또는 니켈 합금 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.17. The method of claim 16, wherein nickel (Ni) or a nickel alloy material is used as the conductive film. 제 16 항에 있어서, 상기 희생기판 상에 트렌치를 형성한 후, 상기 희생기판 상에 씨드층(Seed layer)을 형성하는 공정을 더 수행한 후, 상기 도전막을 도금에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 16, wherein after forming a trench on the sacrificial substrate, and further performing a process of forming a seed layer on the sacrificial substrate, the conductive film is formed by plating. Method of manufacturing a probe for flat panel display device inspection. 제 16 항에 있어서, 상기 절연판은 에폭시(Epoxy)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 16, wherein the insulating plate is made of epoxy. 제 16 항에 있어서, 상기 희생기판 후면에 상기 제 4 보호막 패턴을 형성하기 이전에 상기 희생기판 후면을 소정두께로 그라인딩(Grinding)하는 그라인딩공정이 더 수행되는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.17. The probe for inspecting a flat panel display device according to claim 16, wherein a grinding process of grinding the back surface of the sacrificial substrate to a predetermined thickness is further performed before the fourth passivation layer pattern is formed on the back surface of the sacrificial substrate. Manufacturing method. 제 16 항에 있어서, 상기 보강판이 삽입되는 트렌치는 RIE(Reactive Ion Etching)에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.17. The method of claim 16, wherein the trench into which the reinforcing plate is inserted is formed by Reactive Ion Etching (RIE). 제 16 항에 있어서, 상기 보강판은 세라믹 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.17. The method of claim 16, wherein the reinforcing plate is made of a ceramic material. 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 보호막 패턴은 상기 접촉체가 형성될 영역을 한정함과 동시에 얼라인키가 형성될 영역을 동시에 한정하는 형상으로 형성함으로써 상기 희생기판 상에 상기 접촉체가 형성되는 트렌치 이외에 상기 얼라인키가 형성되는 트렌치를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.The method of claim 16, wherein the first passivation layer pattern has a shape defining a region where the contact is to be formed and simultaneously defining a region where an align key is to be formed, in addition to the trench in which the contact is formed on the sacrificial substrate. A method of manufacturing a probe for inspecting a flat panel display device, characterized in that simultaneously forming a trench in which an alignment key is formed. 제 25 항에 있어서,The method of claim 25, 상기 제 3, 4 보호막 패턴을 제거하는 단계까지 수행함으로써 형성되는 제 1 희생기판 및 제 2 희생기판을 준비하는 단계;Preparing a first sacrificial substrate and a second sacrificial substrate formed by performing the steps of removing the third and fourth passivation layer patterns; 상기 제 1 희생기판과 제 2 희생기판을 상기 얼라인키를 기준으로 중첩 부착함으로써 상기 제 1, 2 희생기판 상에 구현된 프로브의 접촉체가 상하로 일정간격 이격되어 위치하고, 상부에 위치하는 상기 제 1 프로브의 접촉체 끝단이 하부에 위치하는 상기 제 2 프로브의 접촉체 끝단보다 돌출되도록 형성하는 단계;The first sacrificial substrate and the second sacrificial substrate are overlapped with each other based on the alignment key so that the contact bodies of the probes implemented on the first and second sacrificial substrates are spaced up and down by a predetermined distance, and the first sacrificial substrate is positioned above the first sacrificial substrate. Forming a contact end of the probe to protrude from a contact end of the second probe located below; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브의 제조방법.Method of manufacturing a flat display device inspection probe comprising a. 보강판 하부에 소정간격 이격되어 일렬로 나열된 복수의 접촉체가 접착수단에 의해서 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브.A probe for inspecting a flat panel display device, characterized in that a plurality of contacts arranged in a row spaced apart from the reinforcement plate by a predetermined interval are attached by an adhesive means. 제 27 항에 있어서, 상기 접촉체 후면에 절연판이 더 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브.28. The probe of claim 27, wherein an insulating plate is further attached to a rear surface of the contact. 제 27 항에 있어서,The method of claim 27, 상기 프로브를 복수개 중첩함으로써 형성되되,Is formed by overlapping a plurality of the probe, 상기 프로브의 절연판이 서로 부착되어, 상기 복수개의 프로브의 접촉체가 상하로 일정간격 이격되어 위치하고, 상부에 위치하는 프로브의 접촉체 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 접촉체 끝단보다 돌출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브.The insulation plates of the probes are attached to each other, and the contact bodies of the plurality of probes are spaced apart by a predetermined interval up and down, and the contact ends of the probes located on the upper side of the probes protrude more than the contact ends of the probes on the lower side of the probe. Probe for inspecting flat panel display elements. 검사 대상체의 검사부위와 직접 접촉하는 접촉체가 하면에 고정되는 프로브 블록과 상기 프로브 블록을 고정하는 프로브 홀더와 상기 프로브 홀더와 연결되어 물리력에 의해서 상기 프로브 블록이 상하 유동이 발생할 수 있도록 하는 매뉴플레이터(Manuplator)를 구비하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체에 있어서,Manipulator which is connected to the probe block which is in direct contact with the test part of the test object is fixed to the lower surface, the probe holder for fixing the probe block and the probe holder is connected to the probe holder so that the vertical flow of the probe block can be caused by the physical force In the probe assembly for inspecting a flat panel display device having a (Manuplator), 상기 프로브 블록은 내측으로 소정각도 경사진 경사면이 형성되고, 상기 프로브 블록의 경사면에 소정간격 이격되어 일렬로 나열된 복수의 접촉체의 상부 중앙에 보강판이 부착된 프로브가 더 구비되어 상기 접촉체의 일단이 TCP(Tape Carrier Package)와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체.The probe block has an inclined surface that is inclined at a predetermined angle inward, and a probe having a reinforcing plate is further provided at an upper center of the plurality of contacts arranged in a line at predetermined intervals on the inclined surface of the probe block. A probe assembly for inspecting a flat panel display device, which is connected to the Tape Carrier Package (TCP). 제 30 항에 있어서, 상기 프로브 블록과 프로브는 접착제에 의해서 서로 접착되어 있는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체.The probe assembly of claim 30, wherein the probe block and the probe are adhered to each other by an adhesive. 제 30 항에 있어서, 상기 프로브 블록과 프로브는 고정나사에 의해서 서로 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체.31. The probe assembly of claim 30, wherein the probe block and the probe are fixed to each other by a fixing screw. 제 30 항에 있어서, 상기 프로브의 접촉체는 TCP(Tape Carrier Package)와 가이드 필름(Guide film)를 매개로 서로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체.31. The probe assembly of claim 30, wherein the contacts of the probe are connected to each other through a tape carrier package (TCP) and a guide film. 제 30 항에 있어서, 상기 프로브 블록에 부착되는 프로브는 2층 이상 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체.The probe assembly of claim 30, wherein the probe attached to the probe block comprises two or more layers and multiple layers. 제 34 항에 있어서, 상기 2층 이상 다층으로 이루어지는 프로브는,The probe according to claim 34, wherein the probe consisting of two or more layers, 상기 각 프로브 상에 구현된 접촉체가 상하로 일정간격 이격되어 위치하고,The contacts implemented on each of the probes are spaced apart by a predetermined interval up and down, 상기 각 프로브는 상부에 위치하는 프로브의 접촉체 끝단이 하부에 위치하는 프로브의 접촉체 끝단보다 돌출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평판표시소자 검사용 프로브 조립체.The probe assembly of claim 1, wherein each of the probes is formed such that the contact end of the probe located above the protrusion protrudes from the contact end of the contact located below the probe.
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