KR100442309B1 - Continuous surface-treating apparatus for film shape of polymer and continuous surface-treating method thereof - Google Patents

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KR100442309B1 KR10-2003-0050175A KR20030050175A KR100442309B1 KR 100442309 B1 KR100442309 B1 KR 100442309B1 KR 20030050175 A KR20030050175 A KR 20030050175A KR 100442309 B1 KR100442309 B1 KR 100442309B1
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Abstract

본 발명은 음전압 펄스에 의한 플라즈마 이온주입에 의해 필름의 형상을 갖는 중합체의 표면의 대전방지 및 전도성 등의 향상을 위한 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법에 관한 것으로서, 플라즈마를 발생시켜 이온주입하기 위하여 고주파전력공급장치(27)와 매칭박스(26) 및 안테나(28)를 포함하는 고주파공급부와, 플라즈마를 구성하기 위한 이온화될 공정가스를 공급하는 가스도입장치(71)와 이에 연결되는 가스공급원(72)과, 진공펌프 등이 구비되는 처리실(21)을 포함하는 표면처리장치에 있어서, 상기 처리실(21)의 전, 후에 서로 인접하게 취부되는, 탈기 가능한 인입실(11)과 탈기 가능한 인출실(41)들과, 상기 인입실(11)과 처리실(21) 사이의 격벽 및 상기 처리실(21)과 인출실(41) 사이의 격벽들에 상기 필름상 중합체(52)가 통과할 수 있는 홈이 형성되어 있으며, 상기 처리실(21)에는 필름상 중합체(52)를 지지하는 원통플레이트(25)와 상기 원통플레이트(25) 주위에 위치하는 원통형의 그리드(24)가 포함되며, 상기 원통플레이트(25)와 원통형의 그리드(24)가 고전압펄스발생장치(23)에 전기적으로 연결되어 이루어짐을 특징으로 한다.The present invention relates to a continuous surface treatment apparatus and a continuous surface treatment method for improving the antistatic and conductivity of the surface of the polymer having a film shape by plasma ion implantation by a negative voltage pulse, ion implantation by generating a plasma To this end, a high frequency power supply unit including a high frequency power supply device 27, a matching box 26, and an antenna 28, a gas introduction device 71 for supplying a process gas to be ionized for composing a plasma, and a gas connected thereto. In the surface treatment apparatus including the supply source 72 and the processing chamber 21 provided with a vacuum pump etc., the degassing drawing-in chamber 11 and the degassable which are attached adjacent to each other before and after the said processing chamber 21 are provided. The film-like polymer 52 may pass through the extraction chambers 41 and the partition walls between the extraction chamber 11 and the processing chamber 21 and the partition walls between the processing chamber 21 and the extraction chamber 41. Grooves formed The processing chamber 21 includes a cylindrical plate 25 supporting the film-like polymer 52 and a cylindrical grid 24 positioned around the cylindrical plate 25, wherein the cylindrical plate 25 is provided. And the cylindrical grid 24 is electrically connected to the high voltage pulse generator 23.

Description

필름상 중합체의 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법 {Continuous surface-treating apparatus for film shape of polymer and continuous surface-treating method thereof}Continuous surface-treating apparatus for film shape of polymer and continuous surface-treating method

본 발명은 필름상 중합체의 연속 표면처리에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 음전압 펄스에 의한 플라즈마 이온주입에 의해 필름의 형상을 갖는 중합체의 표면의 대전방지 및 전도성 등의 향상을 위한 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to continuous surface treatment of film-like polymers. More specifically, the present invention relates to a continuous surface treatment apparatus and a continuous surface treatment method for improving the antistatic and conductivity of the surface of the polymer having a film shape by plasma ion implantation by a negative voltage pulse.

고분자 소재는 경량성, 성형성 및 가공성, 투명성, 전기절연성 등의 특징으로 인하여 그 용도가 매우 다양하고 광범위한 소재이다. 고분자 소재는 사용 목적에 따라 고분자 소재 전체의 성질은 변화시키지 않으면서 표면 특성만을 개선시킬 필요성이 있는데, 특히 표면의 친수 또는 소수 특성은 고분자 소재의 젖음성(wettability), 인쇄성(printability), 착색성(colorability), 생체 적합성, 정전기 방지성, 접착성, 방수성, 방습성 등에 결정적인 영향을 미치므로, 이를 향상시키기 위한 여러 가지 방법이 이용되고 있다.Polymer materials have a wide variety of applications due to their light weight, formability and processability, transparency, and electrical insulation. The polymer material needs to improve only the surface properties without changing the properties of the entire polymer material depending on the purpose of use. Particularly, the hydrophilicity or hydrophobicity of the surface may affect the wettability, printability, and colorability of the polymer material. colorability), biocompatibility, antistatic, adhesiveness, waterproof, moisture-proof, etc. have a decisive effect, various methods for improving this have been used.

이러한 고분자 소재의 표면개질방법으로는 화학적 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 화학적 처리방법의 대표적인 예로는 Na/NH3를 이용하는 불소계 고분자 표면처리법(미합중국 특허 제2,789,063호, 영국 특허 제793,731호 참조)등이 있다. 이 방법은 일반적인 화학반응으로 표면에 형성되는 작용기를 예측할 수 있다는 장점은 있으나, 처리공정이 번거롭고 오염물질인 폐기액의 문제를 야기하는 단점이 있다.Examples of the surface modification method of the polymer material include chemical treatment, corona treatment, plasma treatment, and the like. Representative examples of chemical treatment methods include fluorine-based polymer surface treatment using Na / NH 3 (see US Pat. No. 2,789,063 and UK Pat. No. 793,731). This method has the advantage of predicting the functional groups formed on the surface by a general chemical reaction, but has the disadvantage that the treatment process is cumbersome and causes the problem of waste liquid, which is a contaminant.

한편, 대기압에서 행해지는 코로나 방전처리는 포장용재인 폴리올레핀이나 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 표면처리(J. Pochan, L. Gerenser, and J. Elman, Polymer, 제27권, 1058페이지, 1986년 발행 참조) 등에 사용되고 있으나, 개질층이 매우 얇아 처리 후, 시간에 따라 쉽게 열화(aging)되는 문제가 있고 대기 중의 습도 등 처리공정 변수의 최적화가 어려운 단점이 있다.Corona discharge treatment at atmospheric pressure, on the other hand, is a surface treatment of packaging materials such as polyolefin and polyethylene terephthalate films (see J. Pochan, L. Gerenser, and J. Elman, Polymer, Vol. 27, p. 1058, issued in 1986). Although the modified layer is very thin, there is a problem in that after treatment, it is easily deteriorated with time and it is difficult to optimize processing process parameters such as humidity in the air.

낮은 압력에서의 플라즈마를 이용한 고분자 표면처리방법에는 산소 플라즈마를 이용하여 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등의 친수성을 향상시키는 것(M. Morra, E. Occhiello, and F. Garbassi, Journal of Applied Polymer Science, 제39권, 249페이지, 1990년 발행 참조) 등이 있다.Polymer surface treatment method using plasma at low pressure is to improve the hydrophilicity of polypropylene, polyethylene, polystyrene, etc. using oxygen plasma (M. Morra, E. Occhiello, and F. Garbassi, Journal of Applied Polymer Science, 39, page 249, published in 1990).

플라즈마는 물질의 제4상태로 간주되며, 부분적으로 이온화된 기체를 의미한다. 그 구성성분은 전자, 양이온 그리고 중성원자 및 중성분자 등이다. 기체입자에 에너지가 가해지면 최외각 전자가 궤도를 이탈해서 자유전자가 되기 때문에 기체입자는 양전하를 갖게 된다. 이렇게 형성된 전자들과 이온화된 기체들 다수가 모여 전체적으로 전기적인 중성을 유지하며, 그 구성입자들 간의 상호작용에 의해서 독특한 빛을 방출하고 입자들이 활성화되어 높은 반응성을 갖게 된다. 이러한 플라즈마 처리는 코로나 처리에 비해 반응가스를 선택할 수 있고 처리 압력 등 공정 변수를 조절할 수 있다는 장점은 있으나, 역시 개질된 표면층이 얇아 처리 후 시간에따른 열화가 문제로 알려져 있다.Plasma is considered a fourth state of matter and means a partially ionized gas. Its constituents are electrons, cations and neutral and heavy atoms. When energy is applied to the gas particles, the gas particles have a positive charge because the outermost electrons move out of the orbit and become free electrons. Thus formed electrons and a large number of ionized gases gather to maintain electrical neutrality as a whole, by the interaction between the constituent particles emit a unique light and the particles are activated to have a high reactivity. The plasma treatment has advantages in that the reaction gas can be selected and the process pressure and the like can be adjusted as compared to the corona treatment. However, the modified surface layer is thin, and deterioration with time after the treatment is known as a problem.

또한, 최근에는 산소 분위기 내에서 불활성원소(Ar)의 이온빔을 고분자 시료에 입사시켜서 친수성을 개선한 방법이 보고되고 있으나(S. Koh, S. Song, W. Choi, and H. Jung, Journal of Materials Research, 제10권, 2390페이지, 1995년 발행 참조), 이 방법도 역시 시간에 따른 친수 특성의 급격한 저하가 문제되고 있고 이온빔을 사용해야 하므로 장치가 복잡하고 대면적의 균일처리가 어려운 단점이 있다.In addition, recently, a method of improving hydrophilicity by injecting an ion beam of an inert element (Ar) in a polymer sample in an oxygen atmosphere has been reported (S. Koh, S. Song, W. Choi, and H. Jung, Journal of Materials Research, Vol. 10, pp. 2390, published in 1995), also suffers from a sharp drop in hydrophilicity over time and the use of ion beams, making the device complex and difficult to uniformize large areas. .

한편, 3차원 물체의 이온주입에 적합한 기술로서, 미합중국 특허 제4,764,394호에 기재된 플라즈마원 이온주입방법 및 장치가 알려져 있다.On the other hand, as a technique suitable for ion implantation of a three-dimensional object, the plasma source ion implantation method and apparatus described in US Pat. No. 4,764,394 are known.

대한민국 특허공개공보 공개번호 제1987-7562호에는 반도체, 금속 또는 절연물의 표면의 에칭, 표면의 개질(modification), 표면 청정화, 표면으로의 불순물 주입, 표면으로의 박막퇴적 등의 각종 처리를 실행하는 표면처리방법 및 그것에 사용하는 표면처리장치가 개시되어 있으며, 여기에서는 적어도 1종류의 원소를 포함하는 이온빔을 고체타겟의 표면으로 입사시켜서 입자를 전방으로 산란시키고, 상기 적어도 1종류의 원소를 포함하는 전방 산란입자빔을 생성한 후, 전방 산란입자빔을 피가공물의 표면을 향해서 입사시켜서 상기 피가공물의 표면을 에칭 또는 개질하거나 상기 피가공물의 표면상에 막을 퇴적하는 공정을 포함하는 표면처리방법을 기술하고 있다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 1987-7562 discloses various processes such as etching the surface of semiconductors, metals or insulators, modifying the surface, cleaning the surface, implanting impurities into the surface, and depositing thin films on the surface. A surface treatment method and a surface treatment apparatus for use therein are disclosed, wherein an ion beam containing at least one type of element is incident on a surface of a solid target to scatter particles forward, and include the at least one type of element. After generating the forward scattering particle beam, injecting the forward scattering particle beam toward the surface of the workpiece to etch or modify the surface of the workpiece or to deposit a film on the surface of the workpiece. It is describing.

대한민국 공개특허공보 공개번호 제1997-73239호에는 플라즈마 이온주입에 의하여 고분자 소재 표면의 친수 특성 또는 소수 특성을 향상시키는 표면개질방법 및 그에사용되는 장치가 개시되어 있으며, 여기에서는 진공조 내에 위치한 시료대 위에 판상의 고분자 소재를 위치시키는 단계, 진공조 내에 플라즈마원 가스를 도입하는 단계, 도입된 플라즈마원 가스로부터 이온 플라즈마를 발생시키는 단계, 펄스 전압이 -1kV 내지 -20kV이고, 펄스-오프 시의 전압이 0V 내지 -1kV이고, 펄스 폭이 1㎲ 내지 50㎲이고, 펄스 주파수가 10㎐ 내지 500㎑인 부(負)의 고전압 펄스를 상기 고분자 소재 시료에 가하여, 플라즈마로부터 추출된 이온이 고에너지를 보유한 채 상기 시료의 표면에 주입되도록 하는 단계로 이루어진 것이 특징인 고분자 소재의 표면개질방법이 기술되어 있다.Korean Unexamined Patent Publication No. 1997-73239 discloses a surface modification method for improving the hydrophilicity or hydrophobicity of a surface of a polymer material by plasma ion implantation, and a device used therein, wherein the sample table located in a vacuum chamber is disclosed. Positioning a plate-like polymer material thereon; introducing a plasma source gas into a vacuum chamber; generating an ion plasma from the introduced plasma source gas; a pulse voltage of -1 kV to -20 kV, the voltage at pulse-off A negative high voltage pulse having a pulse width of 0 V to -1 kV, a pulse width of 1 Hz to 50 Hz, and a pulse frequency of 10 Hz to 500 Hz is applied to the sample of the polymer material, and ions extracted from the plasma generate high energy. Method for surface modification of a polymer material, characterized in that it consists of the step of being injected to the surface of the sample while retaining There.

그러나, 상기한 방법들은 모두 고분자 소재의 친수성 또는 소수성을 증감시키기 위한 것으로서, 대전방지 및 전도성 등의 향상을 위한 것은 아니다.However, all of the above methods are intended to increase or decrease the hydrophilicity or hydrophobicity of the polymer material, and are not intended to improve antistatic properties and conductivity.

대전방지 및 전도성 중합체의 경우, 중합체에 전도성 탄소(conductive carbon) 및 탄소섬유(carbon fiber)를 혼련하여 사용하고 있으나, 이들 대전방지용 중합체 및 전도성 중합체의 경우, 성형 후 탄소 및 탄소섬유의 입자들이 박리되어 제품이 큰 손상을 초래할 뿐만 아니라, 전자제품, 반도체 및 액정표시장치(LCD(liquid crystal display)기판)에 입자들이 달라붙어 패턴이나 칩에 큰 손상을 초래하고 있다. 이러한 대전방지를 위한 대전방지제의 사용은 그 자체의 대전방지효과가 일정 시간이 지나면 소멸되는 현상을 초래하고 있어 대전방지효과를 기대할 수 없게 되는 경우가 있다.In the case of antistatic and conductive polymers, conductive carbon and carbon fiber are kneaded in the polymer, but in the case of these antistatic polymers and conductive polymers, particles of carbon and carbon fibers are peeled off after molding. As well as causing a great damage to the product, particles are stuck to electronic products, semiconductors and liquid crystal display (LCD) substrates, causing large damage to the pattern or chip. The use of an antistatic agent for antistatic may cause the antistatic effect of its own to disappear after a certain period of time, thus preventing the antistatic effect.

폴리피롤 및 폴리아닐린의 전도성 중합체를 용해한 수용액이나 방향족 중합체 및 어택틱 중합체 용액을 사용하여 이러한 용액에 함침시켰다가 꺼내어 건조시킨 제품의 경우, 긁힘(scratch)이나 수분 등에 민감하여 대전방지효과 및 전도성이 손실되는 현상을 초래하는 문제점이 있다.In the case of an aqueous solution in which a conductive polymer of polypyrrole and polyaniline is dissolved or an aromatic polymer and an atactic polymer solution, the solution is impregnated and dried to be sensitive to scratches, moisture, etc. There is a problem that causes the phenomenon.

또한, 이온빔을 이용한 중합체의 표면개질의 경우, 빔을 가속시키고, 빔을 퍼뜨려 중성자가 존재하는 영역을 이격시켜 제품을 처리하여야 하며, 기구상으로 입체적인 플라즈마 이온주입을 할 수 없어 제품을 회전시키는 지그를 사용하여 하며, 제품의 수율 상에 있어서 양산화의 연속공정을 하기에는 매우 어려움을 안고 있다.In addition, in the case of the surface modification of the polymer using the ion beam, the product should be processed by accelerating the beam, spreading the beam, and spaced apart from the region where the neutron is present. It is used, and it is very difficult to carry out the continuous process of mass production in the yield of the product.

또한, 대한민국 공개특허공보 공개번호 제2002-20010호에는 3차원 입체 고분자 소재 및 제품의 표면특성 및 표면의 전기전도도를 향상시키기 위하여 플라즈마 이온주입 기술을 이용하는 표면개질방법 및 그 장치가 개시되어 있으며, 여기에서는 (a) 진공조 내의 그리드 내에 입체 고분자 재료를 위치시키는 단계; (b) 진공조 내의 상기 재료 표면으로부터 일정거리 떨어진 곳에 그리드를 위치시키는 단계; (c) 진공조 내의 상기 재료 표면에 저항도를 낮추는 흑연층 형성을 위하여 기체 플라즈마 이온을 형성하는 단계, (d) 상기 그리드에 음전압 펄스를 가하여 기체 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는 그리드를 이용한 입체고분자의 플라즈마 이온주입에 의한 입체 고분자 재료의 표면처리방법이 기술되어 있다. 그러나, 상기의 방법은 대량생산에 적합지 않다는 문제점이 있다.In addition, Korean Laid-Open Patent Publication No. 2002-20010 discloses a surface modification method and apparatus using plasma ion implantation technology to improve the surface properties and electrical conductivity of the three-dimensional solid polymer material and products, (A) placing a stereoscopic polymeric material in a grid in a vacuum chamber; (b) positioning a grid at a distance from the material surface in the vacuum chamber; (c) forming gas plasma ions to form a graphite layer having a lower resistance on the material surface in the vacuum chamber, and (d) injecting gas plasma ions to the surface of the material by applying a negative voltage pulse to the grid. A surface treatment method of a three-dimensional polymer material by plasma ion implantation of a three-dimensional polymer using a grid comprising a. However, there is a problem that the above method is not suitable for mass production.

본 발명의 목적은 본 발명은 음전압 펄스에 의한 플라즈마 이온주입에 의해 필름의 형상을 갖는 중합체의 표면의 대전방지 및 전도성 등의 향상을 위한 연속 표면처리방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a continuous surface treatment method for improving the antistatic and conductivity of the surface of the polymer having the shape of the film by plasma ion implantation by a negative voltage pulse.

도 1은 본 발명에 따른 필름상 중합체의 연속 표면처리장치의 하나의 구체적인 실시예를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing one specific embodiment of the continuous surface treatment apparatus of the film polymer according to the present invention.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※※ Explanation of code about main part of drawing ※

11 : 인입실 12 : 진공펌프11: drawing room 12: vacuum pump

21 : 처리실 22 : 진공펌프21: process chamber 22: vacuum pump

23 : 고전압펄스발생장치 24 : 그리드23: high voltage pulse generator 24: grid

25 : 원통플레이트 26 : 매칭박스25: cylindrical plate 26: matching box

27 : 고주파전력공급장치 28 : 안테나27: high frequency power supply device 28: antenna

31 : 제2처리실 32 : 진공펌프31: second processing chamber 32: vacuum pump

33 : 제2고전압펄스발생장치 34 : 제2그리드33: second high voltage pulse generator 34: second grid

35 : 제2원통플레이트 36 : 제2매칭박스35: second cylindrical plate 36: the second matching box

37 : 제2고주파전력공급장치 38 : 제2안테나37: second high frequency power supply device 38: the second antenna

41 : 인출실 42 : 진공펌프41: withdrawal chamber 42: vacuum pump

51 : 미처리원단롤 52 : 필름상 중합체51: untreated fabric roll 52: film polymer

61 : 처리원단롤 71 : 가스도입장치61: processing fabric roll 71: gas introduction device

72 : 가스공급원72: gas supply source

본 발명에 따른 필름상 중합체의 연속 표면처리장치는, 플라즈마를 발생시켜 이온주입하기 위하여 고주파전력공급장치와 매칭박스 및 안테나를 포함하는 고주파공급부와, 플라즈마를 구성하기 위한 이온화될 공정가스를 공급하는 가스도입장치와 이에 연결되는 가스공급원과, 진공펌프 등이 구비되는 처리실을 포함하는 표면처리장치에 있어서, 상기 처리실의 전, 후에 서로 인접하게 취부되는, 탈기 가능한 인입실과 탈기 가능한 인출실들과, 상기 인입실과 처리실 사이의 격벽 및 상기 처리실과 인출실 사이의 격벽들에 상기 필름상 중합체가 통과할 수 있는 홈이 형성되어 있으며, 상기 처리실에는 필름상 중합체를 지지하는 원통플레이트와 상기 원통플레이트 주위에 위치하는 원통형의 그리드가 포함되며, 상기 원통플레이트와 원통형의 그리드가 고전압펄스발생장치에 전기적으로 연결되어 이루어진다.A continuous surface treatment apparatus for a film polymer according to the present invention is to supply a high frequency power supply including a high frequency power supply, a matching box and an antenna for generating plasma and ion implantation, and supplying a process gas to be ionized to construct a plasma. A surface treatment apparatus comprising a gas introduction device, a gas supply source connected thereto, and a treatment chamber provided with a vacuum pump, the surface treatment apparatus comprising: a degassable drawing chamber and a degassing drawing chamber which are mounted adjacent to each other before and after the treatment chamber; Grooves through which the film-like polymer can pass are formed in the partition walls between the drawing chamber and the processing chamber and the partition walls between the processing chamber and the drawing chamber, and the processing chamber is formed around the cylindrical plate and the cylindrical plate supporting the film-like polymer. It includes a cylindrical grid located, the cylindrical plate and the cylindrical grid It is made is electrically connected to the high-voltage pulse generating device.

상기 처리실은 필름상 중합체의 양면처리를 위하여 2개 병렬로 형성될 수 있으며, 이를 위해서는 상기 처리실에 더해 상기 처리실과 동일 또는 유사한 구성의 제2처리실이 병설될 수 있다.The treatment chamber may be formed in two parallel to the double-sided treatment of the film-like polymer, in addition to this treatment chamber may be provided with a second treatment chamber of the same or similar configuration as the treatment chamber.

상기 인입실에는 상기 필름상 중합체를 처리실로 이송시키기 위하여 미처리원단이 감겨진 미처리원단롤과 이를 회전시키는 회전수단이 구비된다.The draw chamber is provided with an unprocessed fabric roll on which an unprocessed fabric is wound and a rotating means for rotating the film polymer to transfer the film-like polymer to the process chamber.

상기 인출실에는 처리실에서 표면처리된 원단이 감겨지는 처리원단롤과 이를 회전시키는 회전수단이 구비된다.The withdrawal chamber is provided with a processing fabric roll on which the fabric treated in the processing chamber is wound and a rotating means for rotating it.

바람직하게는 상기 인입실의 회전수단과 상기 인출실의 회전수단은 일정한 속도로 필름상 중합체를 풀어내고 감을 수 있도록 그 회전속도가 서로 동기화될 수 있다.Preferably, the rotation means of the draw chamber and the rotation means of the draw chamber may be synchronized with each other so that the rotation speed of the draw chamber can be released and wound at a constant speed.

또한, 본 발명에 따른 필름상 중합체의 연속 표면처리방법은, 플라즈마 이온주입 기술을 이용하는 표면개질에 있어서, (1) 탈기 가능한 인입실 내에 처리하고자 하는 필름상 중합체가 감긴 형태의 미처리원단롤을 장착하고, 탈기 가능한 인출실 내에 표면처리가 완료된 필름상 중합체가 감기는 처리원단롤을 장착하는 인입단계; (2) 상기 미처리원단롤이 장착된 인입실 내부 및 표면처리가 완료된 필름상 중합체가 감기는 처리원단롤이 장착된 인출실 내부를 감압, 탈기시키는 제1진공화단계; (3) 상기 인입실 내의 미처리원단롤로부터 필름상 중합체를 상기 처리실로 이송시키는 제1이송단계; (4) 상기 처리실 내로 이송된 필름상 중합체에 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 표면처리단계; (5) 표면처리가 완료된 필름상 중합체를 진공화된 상기 인출실 내로 이송시키는 제2이송단계; 및 (6) 상기 미처리원단롤의 필름상 중합체가 소진된 후, 상기 인출실 내에 장착된 처리원단롤을 외부로 인출하는 인출단계;들을 포함하여 이루어진다.In addition, in the continuous surface treatment method of the film polymer according to the present invention, in the surface modification using the plasma ion implantation technique, (1) the untreated raw roll of the film polymer to be treated in the degassable draw chamber is mounted; And a drawing step of mounting a processing fabric roll on which the film-like polymer whose surface treatment is completed is wound in a degassing drawer chamber; (2) a first vacuuming step of depressurizing and degassing the inside of the drawing chamber equipped with the unprocessed fabric roll and the inside of the drawing chamber equipped with the processed fabric roll on which the surface-finished film polymer is wound; (3) a first transfer step of transferring the film-like polymer from the raw fabric roll in the draw chamber to the processing chamber; (4) a surface treatment step of surface-treating the plasma on the film-form polymer transferred into the treatment chamber; (5) a second transfer step of transferring the surface-treated film-like polymer into the evacuated drawing chamber; And (6) a withdrawal step of withdrawing the treated fabric roll mounted in the withdrawal chamber to the outside after the film-like polymer of the untreated fabric roll is exhausted.

상기 (2)의 제1진공화단계 전, 후에서 상기 인입실 내의 필름상 중합체에 열풍을 가하여 필름상 중합체로부터 수분을 제거하는 전처리단계;를 더 수행할 수 있다.A pretreatment step of removing moisture from the film polymer by applying hot air to the film polymer in the drawing chamber before and after the first vacuuming step of (2).

상기 (4)의 표면처리단계는 아르곤, 질소 또는 이들의 혼합물들로 이루어지는 공정가스를 15 내지 100sccm의 양으로 연속적으로 상기 처리실로 공급하면서 펄스 폭 15 내지 25㎳, 플라즈마 발생을 위한 고주파의 주파수 500 내지 1,500㎐ 및 고전압펄스 26 내지 30KV의 공정조건으로 표면처리를 수행하는 것으로 이루어진다.The surface treatment step (4) is a pulse width of 15 to 25 kHz, a high frequency frequency 500 for plasma generation while continuously supplying a process gas consisting of argon, nitrogen or mixtures thereof in an amount of 15 to 100 sccm. To surface treatment at a process condition of 1 to 1500 kHz and a high voltage pulse of 26 to 30 KV.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 필름상 중합체의 연속 표면처리장치는,플라즈마를 발생시켜 이온주입하기 위하여 고주파전력공급장치(27)와 매칭박스(26) 및 안테나(28)를 포함하는 고주파공급부와, 플라즈마를 구성하기 위한 이온화될 공정가스를 공급하는 가스도입장치(71)와 이에 연결되는 가스공급원(72)과, 진공펌프 등이 구비되는 처리실(21)을 포함하는 표면처리장치에 있어서, 상기 처리실(21)의 전, 후에 서로 인접하게 취부되는, 탈기 가능한 인입실(11)과 탈기 가능한 인출실(41)들과, 상기 인입실(11)과 처리실(21) 사이의 격벽 및 상기 처리실(21)과 인출실(41) 사이의 격벽들에 상기 필름상 중합체(52)가 통과할 수 있는 홈이 형성되어 있으며, 상기 처리실(21)에는 필름상 중합체(52)를 지지하는 원통플레이트(25)와 상기 원통플레이트(25) 주위에 위치하는 원통형의 그리드(24)가 포함되며, 상기 원통플레이트(25)와 원통형의 그리드(24)가 고전압펄스발생장치(23)에 전기적으로 연결되어 이루어짐을 특징으로 한다.As shown in FIG. 1, the continuous surface treatment apparatus of the film polymer according to the present invention includes a high frequency power supply device 27, a matching box 26, and an antenna 28 for generating plasma and ion implantation. And a high frequency supply unit, a gas introduction unit 71 for supplying a process gas to be ionized to construct a plasma, a gas supply source 72 connected thereto, and a processing chamber 21 including a vacuum pump. In the above, the degassing drawing chamber 11 and the degassing drawing chamber 41 which are mounted adjacent to each other before and after the processing chamber 21, and the partition wall between the drawing chamber 11 and the processing chamber 21. And grooves through which the film-like polymer 52 can pass through the partition walls between the processing chamber 21 and the drawing chamber 41, and the film-forming polymer 52 is supported in the processing chamber 21. The cylindrical plate 25 and the cylindrical plate 25 PL is included in a cylindrical grid 24, the cylindrical plate 25 and the grid 24 of the cylinder is characterized by being electrically connected to the high voltage pulse generating device yirueojim 23.

상기에서 플라즈마를 발생시켜 이온주입하기 위하여 고주파전력공급장치(27)와 매칭박스(26) 및 안테나(28)를 포함하는 고주파공급부와, 플라즈마를 구성하기 위한 이온화될 공정가스를 공급하는 가스도입장치(71)와 이에 연결되는 가스공급원(72)과, 진공펌프 등이 구비되는 처리실(21)을 포함하는 표면처리장치는 당업자에게는 상용적으로 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것으로 이해될 수 있다. 이러한 플라즈마를 이용하는 표면처리장치는 진공화된 처리실(21) 내에 이온화될 공정가스를 공급하고, 강한 자장 중에서 고주파전력을 인가하여 공정가스를 부분적으로 이온화시켜 제4의 물질상태라 일컬어지는 플라즈마를 형성시키고, 이를 고전압으로 대전된 시료대 등에 피가공물을 올려놓거나 또는 그리드(24) 내에 피가공물을 위치시키고, 플라즈마를 구성하는 이온들 중 상기 시료대 또는 그리드(24)에 인가된 전류의 극성에 대향되는 이온들이 주로 그리드(24) 등에 고전압펄스를 인가하는 것에 의해 정전기적으로 유도되어 피가공물의 표면에 적용되도록 함으로써 피가공물의 표면에 이온주입이 이루어지도록 하는 것이다. 즉, 본 발명에서는 이러한 공지의 표면처리장치에서 피가공물, 특히 필름상 중합체(52)를 연속적으로 처리할 수 있도록 하기 위하여 상기 처리실(21)의 전, 후에 서로 인접하게 취부되는, 탈기 가능한 인입실(11)과 탈기 가능한 인출실(41)들을 설치하고, 상기 인입실(11)에는 피가공물로서 필름상 중합체(52)가 권취된 미처리원단롤(51)을 장착하고, 상기 인출실(41)에는 표면처리된 필름상 중합체(52)가 권취되는 처리원단롤(61)을 장착한 다음, 상기 인입실(11), 처리실(21) 및 인출실(41)을 각각 진공펌프(12), 진공펌프(22) 및 진공펌프(32)에 의해 진공화시킨 후, 상기 미처리원단롤(51)로부터 필름상 중합체(52)를 풀어서 이를 상기 인입실(11)과 처리실(21) 사이의 격벽 및 상기 처리실(21)과 인출실(41) 사이의 격벽들에 상기 필름상 중합체(52)가 통과할 수 있는 홈을 통해 통과시켜 처리실(21)에서 플라즈마 이온주입에 의한 표면처리를 수행한 다음, 인출실(41) 내의 처리원단롤(61)에 표면처리된 필름상 중합체(52)를 권취시키는 방법으로 하여 필름상 중합체(52)를 연속적으로 표면처리하도록 한 점에 특징이 있는 것이다.A high frequency power supply unit including a high frequency power supply device 27, a matching box 26 and an antenna 28 to generate plasma and ion implantation therein, and a gas introduction device supplying a process gas to be ionized to construct a plasma. Surface treatment apparatus including the 71 and the gas supply source 72 connected thereto, and the processing chamber 21 provided with a vacuum pump, etc. can be understood to be known to those skilled in the art to be commercially available. The surface treatment apparatus using such a plasma supplies the process gas to be ionized in the vacuumized processing chamber 21 and applies high frequency power in a strong magnetic field to partially ionize the process gas to form a plasma called a fourth material state. The workpiece is placed on a specimen table charged with a high voltage, or the workpiece is placed in the grid 24, and the polarity of the current applied to the specimen table or the grid 24 among the ions constituting the plasma is opposed to the workpiece. The ions to be applied are mainly electrostatically induced by applying a high voltage pulse to the grid 24 to be applied to the surface of the workpiece so that ion implantation is performed on the surface of the workpiece. That is, in the present invention, in order to be able to continuously process the workpiece, in particular the film-like polymer 52, in such a known surface treatment apparatus, a degassing draw-in chamber installed adjacent to each other before and after the treatment chamber 21. (11) and degassing extraction chambers (41) are provided, and the extraction chamber (11) is equipped with an unprocessed fabric roll (51) wound with a film-like polymer (52) as a work piece, and the extraction chamber (41) The processing fabric roll 61 in which the surface-treated film-like polymer 52 is wound is mounted, and then the drawing chamber 11, the processing chamber 21, and the drawing chamber 41 are respectively vacuum pump 12 and vacuum. After being evacuated by the pump 22 and the vacuum pump 32, the polymer film 52 is released from the raw fabric roll 51, and the partition wall between the drawing chamber 11 and the processing chamber 21 and the Through the grooves through which the film-like polymer 52 can pass through the partition walls between the processing chamber 21 and the drawing chamber 41. After passing through the surface treatment by plasma ion implantation in the processing chamber 21, the film-like polymer 52 was wound on the processing fabric roll 61 in the extraction chamber 41. This feature is characterized in that (52) is continuously surface treated.

상기 처리실(21)에는 필름상 중합체(52)를 지지하는 원통플레이트(25)와 상기 원통플레이트(25) 주위에 위치하는 원통형의 그리드(24)가 포함되며, 표면처리될 필름상 중합체(52)는 상기 원통플레이트(25)에 면접한 상태로 이송되면서 그리드(24)의하방을 지나면서 그리드(24)에 의해 유도된 이온들이 주입되어 표면처리가 된다.The treatment chamber 21 includes a cylindrical plate 25 for supporting the film-like polymer 52 and a cylindrical grid 24 positioned around the cylindrical plate 25, and the film-like polymer 52 to be surface treated. While being transported in the state interviewed with the cylindrical plate 25, the ions induced by the grid 24 are implanted while passing under the grid 24 to be surface treated.

상기 원통플레이트(25)와 원통형의 그리드(24)가 고전압펄스발생장치(23)에 전기적으로 연결된다. 이에 의해, 플라즈마 중의 이온들이 그리드(24) 및 원통플레이트(25)에 의해 정전기적으로 유도되어 상기 그리드(24)와 원통플레이트(25) 사이를 지나는 필름상의 중합체의 표면에 주입되게 된다.The cylindrical plate 25 and the cylindrical grid 24 are electrically connected to the high voltage pulse generator 23. As a result, ions in the plasma are electrostatically induced by the grid 24 and the cylindrical plate 25 to be injected into the surface of the film-like polymer passing between the grid 24 and the cylindrical plate 25.

또한, 상기 인입실(11)에서는 표면처리될 필름상 중합체(52)에 70 내지 85℃의 온도의 건조열풍을 분사시켜 전처리하기 위한 전처리장치가 더 포함되며, 상기 전처리장치에는 열풍을 공급하기 위한 송풍기가 될 수 있으며, 상기 전처리장치에는 열풍의 흐름을 단속하기 위한 단속밸브와 열풍을 발생시키기 위한 공기압축기 등이 연결될 수 있다. 상기 전처리장치에 의한 전처리는 표면처리될 필름상 중합체(52) 물품을 사전 가열하여 필름상 중합체(52) 물품의 표면에로의 이온의 주입을 보다 깊은 곳까지 가능하도록 한다. 상기 전처리는 70 내지 85℃의 온도의 열풍을 적용시켜 수분을 제거하며, 부분적으로 필름상 중합체(52)를 가열시키며, 가열온도는 중합체 물품을 구성하는 중합체의 종류와 물성 및 크기 등에 따라 달라질 수 있으며, 당업자에게는 적절한 가열온도를 이론적으로나 경험칙에 의해 실험적으로 결정할 수 있다.In addition, the draw chamber 11 further includes a pretreatment apparatus for spraying and pretreating dry hot air at a temperature of 70 to 85 ° C. to the film-like polymer 52 to be surface treated, and the pretreatment apparatus for supplying hot air. It may be a blower, the pre-treatment device may be connected to an intermittent valve for regulating the flow of hot air and an air compressor for generating hot air. Pretreatment by the pretreatment device preheats the film-like polymer 52 article to be surface treated to allow the implantation of ions into the surface of the film-like polymer 52 article to a deeper level. The pretreatment removes moisture by applying hot air at a temperature of 70 to 85 ° C., partially heats the film polymer 52, and the heating temperature may vary depending on the type, physical properties and size of the polymer constituting the polymer article. Those skilled in the art can determine the appropriate heating temperature experimentally by theory or by empirical rule.

상기 처리실(21)은 필름상 중합체(52)의 양면처리를 위하여 2개 병렬로 형성될 수 있으며, 이를 위해서는 상기 처리실(21)에 더해 상기 처리실(21)과 동일 또는 유사한 구성의 제2처리실(31)이 병설될 수 있다. 즉, 제2처리실(31)에는 진공펌프(32)와 제2고전압펄스발생장치(33), 제2그리드(34), 제2원통플레이트(35),제2매칭박스(36), 제2고주파전력공급장치(37) 및 제2안테나(38) 등 상기한 처리실(21)과 동일 또는 유사한 구성을 가지며, 처리실(21)에서 필름상 중합체(52)의 표면 즉 상면을 표면처리한 후, 계속해서 제2처리실(31)에서는 이면을 표면처리하게 된다. 따라서, 어느 하나의 처리실(21)의 동작에 의해 일면만을 표면처리하는 것과, 처리실(21) 및 제2처리실(31) 모두의 동작에 의해 양면을 모두 표면처리하는 것이 가능하게 된다.The treatment chamber 21 may be formed in two parallel to the double-sided treatment of the film-like polymer 52, for this purpose, in addition to the treatment chamber 21, a second treatment chamber having the same or similar configuration as the treatment chamber 21 ( 31) may be added together. That is, in the second processing chamber 31, the vacuum pump 32, the second high voltage pulse generator 33, the second grid 34, the second cylindrical plate 35, the second matching box 36, and the second After the high frequency power supply device 37 and the second antenna 38 have the same or similar configuration as the above-described processing chamber 21, the surface of the film-like polymer 52, i.e., the upper surface of the film-like polymer 52 in the processing chamber 21, Subsequently, the second surface of the second processing chamber 31 is surface treated. Therefore, it is possible to surface-treat both surfaces by the surface treatment of only one surface by the operation of any one of the processing chambers 21 and the operation of both the processing chamber 21 and the second processing chamber 31.

상기 인입실(11)에는 상기 필름상 중합체(52)를 처리실(21)로 이송시키기 위하여 미처리원단이 감겨진 미처리원단롤(51)과 이를 회전시키는 회전수단이 구비되며, 상기 인출실(41)에는 처리실(21)에서 표면처리된 원단이 감겨지는 처리원단롤(61)과 이를 회전시키는 회전수단이 구비된다. 상기 회전수단으로는 통상의 기어드 모터(geared motor) 등으로 구성될 수 있다. 이러한 기어드 모터 역시 당업자에게는 상용적으로 이를 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것으로 이해될 수 있는 것이다. 바람직하게는 상기 인입실(11)의 회전수단과 상기 인출실(41)의 회전수단은 일정한 속도로 필름상 중합체(52)를 풀어내고 감을 수 있도록 그 회전속도가 서로 동기화될 수 있다. 동기화에 의해 필름상 중합체(52)를 일정하게 처리실(21)( 및 제2처리실(31))을 경유하여 원활히 처리원단롤(61)에 감겨지도록 하게 된다.The draw chamber 11 is provided with an unprocessed fabric roll 51 on which an unprocessed fabric is wound so as to transfer the film-like polymer 52 to the process chamber 21, and a rotating means for rotating the film 42, and the draw chamber 41. In the processing chamber 21 is provided a processing fabric roll 61 is wound around the fabric treated surface and the rotating means for rotating it. The rotating means may be composed of a conventional geared motor or the like. Such a geared motor can also be understood to be well known to those skilled in the art to purchase and use it commercially. Preferably, the rotating means of the drawing chamber 11 and the rotating means of the drawing chamber 41 may be synchronized with each other so that the rotating means may unwind and wind the film-like polymer 52 at a constant speed. By synchronizing, the film-like polymer 52 is constantly wound on the processing fabric roll 61 via the processing chamber 21 (and the second processing chamber 31).

도 1을 기준으로 설명하면, 상기한 구성에 의해 필름상 중합체(52)가 권취된 미처리원단롤(51)을 인입실(11)에 장착하고, 표면처리된 필름상 중합체(52)가 권취될 처리원단롤(61)을 인출실(41)에 장착하고, 상기 인입실(11), 처리실(21) 및 인출실(41)을 모두 진공화시킨 다음, 필름상 중합체(52)가 인입실(11)로부터 전처리장치를 거쳐 처리실(21) 내의 원통플레이트(25)와 그리드(24) 사이를 통과하도록 하여 인출실(41) 내의 처리원단롤(61)에 감기도록 하면서 표면처리공정을 수행한다. 플라즈마 처리는 종래의 플라즈마 처리와 동일 또는 유사한 것으로서, 처리가스를 유입시키고, 고주파전력공급장치(27)와 매칭박스(26) 및 고전압펄스발생장치(23) 등을 구동시켜 안테나(28)를 경유하여 고주파전력이 공급되도록 함으로써 플라즈마를 발생시켜 고전압펄스가 인가되는 그리드(24) 쪽으로 양이온을 정전기적으로 끌어들여 그리드(24) 내에 위치하는 필름상 중합체(52)의 표면에 주입되도록 한다. 이후, 상기 인입실(11) 내의 미처리원단롤(51)이 소진되면, 상기 인출실(41)에 장착된 처리원단롤(61)을 인출하는 것으로 필름상 중합체(52)를 연속적으로 표면처리할 수 있게 된다.Referring to FIG. 1, the raw fabric roll 51 on which the film-like polymer 52 is wound is mounted in the drawing chamber 11 by the above-described configuration, and the film-like polymer 52 on which the surface-treated polymer is wound may be wound. The processing fabric roll 61 is mounted in the withdrawal chamber 41, and the drawing chamber 11, the processing chamber 21, and the drawing chamber 41 are all evacuated, and then the film polymer 52 is drawn into the drawing chamber ( 11) the surface treatment process is performed while passing between the cylindrical plate 25 and the grid 24 in the processing chamber 21 via the pretreatment apparatus and wound around the processing fabric roll 61 in the drawing chamber 41. Plasma processing is the same as or similar to that of the conventional plasma processing. The processing gas is introduced, and the high frequency power supply device 27, the matching box 26, the high voltage pulse generator 23, and the like are driven through the antenna 28. The high frequency power is supplied to generate a plasma to electrostatically attract positive ions toward the grid 24 to which the high voltage pulse is applied, and to inject the cations into the surface of the film-like polymer 52 located in the grid 24. Subsequently, when the raw fabric roll 51 in the draw chamber 11 is exhausted, the film-like polymer 52 may be continuously surface-treated by taking out the processed fabric roll 61 mounted on the drawing chamber 41. It becomes possible.

또한, 본 발명에 따른 필름상 중합체의 연속 표면처리방법은, 플라즈마 이온주입 기술을 이용하는 표면개질에 있어서, (1) 탈기 가능한 인입실(11) 내에 처리하고자 하는 필름상 중합체(52)가 감긴 형태의 미처리원단롤(51)을 장착하고, 탈기 가능한 인출실(41) 내에 표면처리가 완료된 필름상 중합체(52)가 감기는 처리원단롤(61)을 장착하는 인입단계; (2) 상기 미처리원단롤(51)이 장착된 인입실(11) 내부 및 표면처리가 완료된 필름상 중합체(52)가 감기는 처리원단롤(61)이 장착된 인출실(41) 내부를 감압, 탈기시키는 제1진공화단계; (3) 상기 인입실(11) 내의 미처리원단롤(51)로부터 필름상 중합체(52)를 상기 처리실(21)로 이송시키는 제1이송단계; (4) 상기 처리실(21) 내로 이송된 필름상 중합체(52)에 플라즈마를 이용하여 표면처리하는 표면처리단계; (5) 표면처리가 완료된 필름상 중합체(52)를 진공화된 상기 인출실(41) 내로 이송시키는 제2이송단계; 및 (6) 상기 미처리원단롤(51)의 필름상 중합체(52)가 소진된 후, 상기 인출실(41) 내에 장착된 처리원단롤(61)을 외부로 인출하는 인출단계;들을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.In addition, the continuous surface treatment method of the film polymer according to the present invention, in the surface modification using the plasma ion implantation technique, (1) the form in which the film polymer 52 to be treated in the degassing draw chamber 11 is wound An unprocessed fabric roll 51 of the unprocessed fabric roll and a process fabric roll 61 on which the film-like polymer 52 whose surface treatment is completed is wound in a degassing drawer chamber 41; (2) Pressure-reducing the inside of the drawing chamber 11 equipped with the raw fabric roll 51 and the inside of the drawing chamber 41 equipped with the processing fabric roll 61 on which the film-like polymer 52 on which surface treatment is completed is wound. , Degassing the first vacuuming step; (3) a first transfer step of transferring the film polymer (52) from the raw fabric roll (51) in the drawing chamber (11) to the processing chamber (21); (4) a surface treatment step of performing surface treatment on the film-like polymer 52 transferred into the treatment chamber 21 by using plasma; (5) a second transfer step of transferring the surface-treated film-like polymer 52 into the evacuated drawing chamber 41; And (6) a withdrawal step of withdrawing the treated fabric roll 61 mounted in the drawing chamber 41 to the outside after the film-like polymer 52 of the raw fabric roll 51 is exhausted. It is characterized by.

상기 (1)의 인입단계는 탈기 가능한 인입실(11) 내에 처리하고자 하는 필름상 중합체(52)가 감긴 형태의 미처리원단롤(51)을 장착하고, 탈기 가능한 인출실(41) 내에 표면처리가 완료된 필름상 중합체(52)가 감기는 처리원단롤(61)을 장착하는 단계이다.In the drawing step of (1), the untreated raw roll 51 having the form in which the film-like polymer 52 to be treated is wound in the degassing drawing chamber 11 is mounted, and the surface treatment is carried out in the degassing drawing chamber 41. The finished film-like polymer 52 is a step of mounting the processing roll 61 is wound.

상기 (2)의 제1진공화단계는 상기 미처리원단롤(51)이 장착된 인입실(11) 내부 및 표면처리가 완료된 필름상 중합체(52)가 감기는 처리원단롤(61)이 장착된 인출실(41) 내부를 감압, 탈기시키는 단계로서 플라즈마에 의한 표면처리를 위한 진공을 달성하는 단계이다.In the first vacuuming step of (2), the processing fabric roll 61 in which the unprocessed fabric roll 51 is mounted inside the drawing chamber 11 and the surface-finished film-like polymer 52 is wound is mounted. A step of depressurizing and degassing the inside of the drawing chamber 41 is a step of achieving a vacuum for surface treatment by plasma.

상기 (3)의 제1이송단계는 상기 인입실(11) 내의 미처리원단롤(51)로부터 필름상 중합체(52)를 상기 처리실(21)로 이송시키는 단계이며, 이후 (4)의 표면처리단계에서 상기 처리실(21) 내로 이송된 필름상 중합체(52)에 플라즈마를 이용하여 표면처리를 수행하게 된다.The first transfer step of (3) is a step of transferring the film-like polymer 52 from the raw fabric roll 51 in the draw chamber 11 to the processing chamber 21, and then the surface treatment step of (4) In the surface treatment is performed using a plasma to the film-like polymer 52 transferred into the treatment chamber 21 in the.

이후, 상기 (5)의 제2이송단계에서는 표면처리가 완료된 필름상 중합체(52)를 진공화된 상기 인출실(41) 내로 이송시키는 단계이며, (6)의 인출단계에서는 상기 미처리원단롤(51)의 필름상 중합체(52)가 소진된 후, 상기 인출실(41) 내에 장착된 처리원단롤(61)을 외부로 인출하는 단계이며, 이들에 의해 미처리원단롤(51)에 감겨진 연속된 필름상 중합체(52)를 연속적으로 표면처리할 수 있게 된다.Subsequently, in the second transfer step (5), the film-like polymer 52 on which the surface treatment is completed is transferred into the evacuated drawing chamber 41, and in the withdrawal step (6), the raw fabric roll ( After the film-like polymer 52 of 51 is exhausted, the process fabric roll 61 mounted in the drawing chamber 41 is taken out to the outside, whereby the continuous wound on the raw fabric roll 51 is carried out. The film-like polymer 52 thus obtained can be continuously surface treated.

상기 (2)의 제1진공화단계 전, 후에서 상기 인입실(11) 내의 중합체 물품에 열풍을 가하여 수분 등을 제거하는 전처리단계를 더 수행할 수 있다. 상기 전처리단계는 상기 인입실(11) 내의 중합체 물품을 사전 가열하여 중합체 물품의 표면에로의 이온의 주입을 보다 깊은 곳까지 가능하도록 한다. 상기 전처리단계에서는 70 내지 85℃의 온도의 열풍을 적용시켜 수분을 제거하며, 부분적으로 필름상 중합체(52)를 가열시키며, 가열온도는 중합체 물품을 구성하는 중합체의 종류와 물성 및 크기 등에 따라 달라질 수 있으며, 당업자에게는 적절한 가열온도를 이론적으로나 경험칙에 의해 실험적으로 결정할 수 있다.Before and after the first vacuuming step of (2), a pretreatment step of removing moisture and the like by applying hot air to the polymer article in the drawing chamber 11 may be further performed. The pretreatment step preheats the polymer article in the draw chamber 11 to allow the implantation of ions into the surface of the polymer article to a deeper level. In the pretreatment step, hot air at a temperature of 70 to 85 ° C. is applied to remove moisture, and the film polymer 52 is partially heated, and the heating temperature varies depending on the type, physical properties and size of the polymer constituting the polymer article. Those skilled in the art can determine the appropriate heating temperature experimentally by theory or by empirical rule.

상기 (4)의 표면처리단계는 아르곤, 질소 또는 이들의 혼합물들로 이루어지는 공정가스를 15 내지 100sccm의 양으로 연속적으로 상기 처리실(21)로 공급하면서 펄스 폭 15 내지 25㎳, 플라즈마 발생을 위한 고주파의 주파수 500 내지 1,500㎐ 및 고전압펄스 26 내지 30KV의 공정조건으로 표면처리를 수행하는 것으로 이루어진다. 이러한 공정조건은 필름상 중합체(52)의 종류, 크기 및 형상 등에 따라 달라질 수 있으며, 당업자에게는 이론적으로나 경험적으로 적절한 공정조건을 결정하여 표면처리에 의한 이온주입을 수행할 수 있음은 당연히 이해될 수 있는 것이다.Surface treatment step (4) is a high-frequency for generating a pulse width of 15 to 25 kHz, while supplying a process gas consisting of argon, nitrogen or mixtures thereof to the processing chamber 21 continuously in an amount of 15 to 100 sccm The surface treatment is performed under process conditions of a frequency of 500 to 1,500 kHz and a high voltage pulse of 26 to 30 kV. These process conditions may vary depending on the type, size and shape of the film-like polymer 52, and those skilled in the art can be understood that the appropriate process conditions can be theoretically and empirically determined to perform ion implantation by surface treatment. It is.

상기한 바의 본 발명에 따른 표면처리장치 및 표면처리방법에 의해 가공되는 피가공물로서의 필름상 중합체(52)로서는 공지된 모든 종류의 중합체들이 가능하며, 바람직하게는 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 선형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS) 등의 비닐중합체(41)류, 나일론 6, 나일론 11, 나일론 12, 나일론 66 등의 나일론류, 기타 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체(ABS), 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체(SAN), 폴리페닐렌설피드(PPS), 폴리에테르이미드수지(PEI), 폴리이미드(PI), 변성 폴리페닐렌 옥사이드(MPPO), 변성폴리설폰(MPSU ; Modified polysulfone), 변성폴리에테르(MPES ; Modified polyether) 및 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 들이 될 수 있다.As the film-like polymer 52 as the workpiece to be processed by the surface treatment apparatus and the surface treatment method according to the present invention as described above, all kinds of known polymers are possible, and preferably, low density polyethylene (LDPE), linear low density Vinyl polymers 41 such as polyethylene (LLDPE), high density polyethylene (HDPE), polypropylene (PP), polystyrene (PS), nylon 6 such as nylon 6, nylon 11, nylon 12, nylon 66, and other polycarbonates PC), polyethylene terephthalate (PET), acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer (ABS), styrene-acrylonitrile copolymer (SAN), polyphenylene sulfide (PPS), polyetherimide resin (PEI), Polyimide (PI), modified polyphenylene oxide (MPPO), modified polysulfone (MPSU; Modified polysulfone), modified polyether (MPES) and polyether ether ketone (PEEK).

이하에서 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예들이 기술되어질 것이다.Hereinafter, preferred embodiments and comparative examples of the present invention will be described.

이하의 실시예들은 본 발명을 예증하기 위한 것으로서 본 발명의 범위를 국한시키는 것으로 이해되어져서는 안될 것이다.The following examples are intended to illustrate the invention and should not be understood as limiting the scope of the invention.

실시예 1 내지 3Examples 1 to 3

도 1에 도시한 바와 같은 장치를 이용하여 인입실(11) 내로 처리하고자 하는 피가공물로서 폴리에틸렌제의 필름상 중합체(52)를 미처리원단롤(51) 상태로 장착시키고, 인출실(41)에는 표면처리된 필름상 중합체(52)가 권취되는 처리원단롤(61)을 장착시킨 후, 인입실(11), 처리실(21) 및 인출실(41) 내를 감압, 탈기시켜 진공화하고, 진공화가 완료된 후, 계속해서 인입실(11) 내의 미처리원단롤(51)로부터 필름상 중합체(52)를 풀어서 처리실(21)의 원통플레이트(25)와 그리드(24) 사이를 통과시키면서 표면처리를 수행하되, 표면처리의 공정조건을 하기 표 1과 같이 수행한 후, 인입실(11) 내의 미처리원단롤(51)이 소진되면 진공상태를 해제하고, 인출실(41)로부터 처리원단롤(61)을 인출하여 표면처리를 수행하였으며, 그 결과로서, 공정시의 이온밀도 및 처리 후의 피가공물의 표면저항을 측정하여 역시 표 1에나타내었다.A film-like polymer 52 made of polyethylene is mounted in the unprocessed fabric roll 51 as a workpiece to be processed into the drawing chamber 11 using the apparatus as shown in FIG. After attaching the processing fabric roll 61 on which the surface-treated film-like polymer 52 is wound, the inside of the drawing chamber 11, the processing chamber 21, and the drawing chamber 41 are vacuum-depressurized, degassed, and vacuumed. After finishing, the surface treatment is carried out while releasing the film-like polymer 52 from the raw fabric roll 51 in the drawing chamber 11 and passing between the cylindrical plate 25 and the grid 24 of the processing chamber 21. However, after performing the process conditions of the surface treatment as shown in Table 1, when the unprocessed fabric roll 51 in the draw chamber 11 is exhausted, the vacuum state is released, the processing fabric roll 61 from the take-out chamber 41 The surface treatment was carried out by extracting, and as a result, the ion density during the process and the workpiece after the treatment The surface resistance of water was measured and also shown in Table 1.

구 분division 공정기체(아르곤, sccm)Process gas (argon, sccm) 공정기체(질소, sccm)Process gas (nitrogen, sccm) 펄스 폭(㎳)Pulse width 주파수(㎐)Frequency 고전압(KV)High voltage (KV) 이온밀도(ea/㎠)Ion Density (ea / ㎠) 표면저항(Ω/㎠)Surface resistance (Ω / ㎠) 실시예 1Example 1 1515 -- 2020 500500 2828 1010 10 10 107- 108 10 7-10 8 실시예 2Example 2 2525 99 2020 750750 26.526.5 1011 10 11 107- 108 10 7-10 8 실시예 3Example 3 3838 -- 2020 500500 3030 1011 10 11 107- 108 10 7-10 8

따라서, 본 발명에 의하면 107내지 108Ω/㎠의 낮은 표면저항을 달성하여 중합체의 표면의 대전방지 및 전도성 등을 향상시킬 수 있으며, 특히 필름상 중합체(52)를 연속적으로 표면처리하는 것을 가능하게 함으로써 대량생산을 용이하게 하는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, a low surface resistance of 10 7 to 10 8 kW / cm 2 can be achieved to improve the antistatic property and conductivity of the surface of the polymer, and in particular, it is possible to continuously surface-treat the film-like polymer 52. By doing so, there is an effect of facilitating mass production.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims (8)

플라즈마를 발생시켜 이온주입하기 위하여 고주파전력공급장치와 매칭박스 및 안테나를 포함하는 고주파공급부와, 플라즈마를 구성하기 위한 이온화될 공정가스를 공급하는 가스도입장치와 이에 연결되는 가스공급원과, 진공펌프 등이 구비되는 처리실을 포함하는 표면처리장치에 있어서,A high frequency power supply unit including a high frequency power supply device, a matching box and an antenna to generate plasma and ion implantation, a gas introduction device supplying a process gas to be ionized to construct a plasma, a gas supply source connected thereto, a vacuum pump, etc. In the surface treatment apparatus including the processing chamber provided, 상기 처리실의 전, 후에 서로 인접하게 취부되는, 탈기 가능하고 롤 형상으로 감겨진 필름상 중합체가 기어드 모터의 회전에 따라 공급되는 인입실과 탈기 가능하고 이온주입과정을 마친 필름상 중합체가 기어드 모터의 회전에 따라 롤 형상으로 감겨지는 인출실들과, 상기 인입실과 처리실 사이의 격벽 및 상기 처리실과 인출실 사이의 격벽들에 상기 필름상 중합체가 통과할 수 있는 홈이 형성되어 있으며, 상기 처리실에는 필름상 중합체의 이송을 유도하기 위한 원통 플레이트와 상기 원통 플레이트의 외주면과 일정거리를 두고 원통 형상의 그리드가 배치되며, 상기 원통 플레이트와 원통형상의 그리드가 이온들을 집속시키기 위한 고전압 펄스를 공급하는 고전압펄스 발생장치에 전기적으로 연결되어 이루어짐을 특징으로 하는 필름상 중합체의 연속 표면 처리장치.Degassing and roll-shaped film polymers, which are mounted adjacent to each other before and after the treatment chamber, are supplied in accordance with the rotation of the geared motor, and degassable and film-form polymers which have undergone ion implantation process are rotated by the geared motor. Grooves through which the film-like polymer can pass are formed in the drawing chambers wound in a roll shape, the partition walls between the drawing chamber and the processing chamber, and the partition walls between the processing chamber and the drawing chamber. Cylindrical plate for inducing the transfer of polymer and a cylindrical grid is arranged at a certain distance from the outer peripheral surface of the cylindrical plate, the high voltage pulse generator for supplying a high voltage pulse for focusing the ions of the cylindrical plate and the cylindrical grid Characterized in that it is electrically connected to In the surface treatment apparatus. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리실의 후단에 상기 처리실에서 한쪽 면에 이온이 주입된 필름상 중합체의 또 다른 면에 이온주입을 하기 위한 제2처리실을 설치하되, 상기 제2처리실은, 상기 처리실에서 이온 주입된 필름상 중합체의 면이 원통 플레이트의 외주면에 닿도록 감싸면서 이송되도록 배치되고, 상기 원통 플레이트와 일정간격을 두고 원통형상의 그리드가 설치되며, 상기 원통 플레이트와 상기 그리드에 고전압펄스 발생장치가 연결되며, 상기 플라즈마 형성을 위한 공정가스와 고주파전력이 인가되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 필름상 중합체의 연속 표면 처리장치.A second processing chamber for implanting ions into another side of the film-like polymer implanted with ions on one side of the processing chamber at the rear end of the processing chamber, wherein the second processing chamber, the film-like polymer implanted in the processing chamber Is disposed to be transported while wrapping the surface of the cylindrical plate to touch the outer circumferential surface of the cylindrical plate, and a cylindrical grid is installed at a predetermined distance from the cylindrical plate, and a high voltage pulse generator is connected to the cylindrical plate and the grid to form the plasma. Apparatus for continuous surface treatment of the film-like polymer, characterized in that configured to be applied to the process gas and high frequency power. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인입실의 기어드 모터와 상기 인출실의 기어드 모터는 일정한 속도로 필름상 중합체를 풀어내고 감을 수 있도록 그 회전속도가 서로 동기화되도록 이루어짐을 특징으로 하는 필름상 중합체의 연속 표면처리장치.The geared motor of the drawer chamber and the geared motor of the drawer chamber is a continuous surface treatment apparatus of the film-like polymer, characterized in that the rotational speed is synchronized with each other so as to release and wind the film-like polymer at a constant speed. 플라즈마 이온주입 기술을 이용하는 표면개질에 있어서,In surface modification using plasma ion implantation technology, (1) 탈기 가능한 인입실 내에 처리하고자 하는 필름상 중합체가 미처리원단롤 형태로 감겨져 기어드 모터의 회전에 따라 회전하도록 장착되고, 탈기 가능한 인출실 내에 표면처리가 완료된 필름상 중합체가 기어드 모터의 회전에 의해 처리원단롤 형태로 감겨지도록 장착되는 제1단계;(1) The film-like polymer to be treated in the degassing drawer chamber is wound in the form of an unprocessed fabric roll and mounted to rotate in accordance with the rotation of the geared motor. A first step of being mounted to be wound in the form of a processing roll; (2) 상기 미처리원단롤이 장착된 인입실 내부 및 표면처리가 완료된 필름상 중합체가 감기는 처리원단롤이 장착된 인출실 내부를 감압, 탈기시키는 제2단계;(2) a second step of depressurizing and degassing the inside of the drawing chamber equipped with the unprocessed fabric roll and the inside of the drawing chamber equipped with the treated fabric roll to which the film-like polymer whose surface treatment is completed is wound; (3) 상기 인입실의 미처리원단롤과 인출실의 처리원단롤에 장착된 기어드 모터를 회전시켜 미처리원단롤에 감겨진 필름상 중합체를 상기 처리실 내의 원통 플레이트와 그리드 사이의 공간으로 이송시키는 제3단계;(3) a third motor for rotating the geared motor mounted on the raw fabric roll of the drawing chamber and the processing fabric roll of the drawing chamber to transfer the film-like polymer wound on the raw fabric roll to the space between the cylindrical plate and the grid in the processing chamber. step; (4) 상기 필름상 중합체가 이송된 처리실 내에 공정가스를 도입하고 고주파 전력을 가해 플라즈마를 형성한 후 상기 원통 플레이트와 그리드에 고전압 펄스를 가해 이온을 집속시켜 필름상 중합체의 표면을 처리하는 제4단계;(4) a fourth process of introducing a process gas into the processing chamber to which the film polymer is transferred, applying high frequency power to form a plasma, and then applying high voltage pulses to the cylindrical plate and the grid to focus ions to treat the surface of the film polymer. step; (5) 상기 인입실의 미처리원단롤과 인출실의 처리원단롤에 장착된 기어드 모터를 회전시켜 상기 처리실에서 표면 처리가 완료된 필름상 중합체를 인출실로 이송시켜 처리원단롤에 감는 제5단계; 및(5) a fifth step of rotating the geared motor mounted on the raw fabric roll of the drawing chamber and the processing fabric roll of the drawing chamber to transfer the film-treated polymer having the surface treatment from the processing chamber to the drawing chamber and winding it to the processing fabric roll; And (6) 상기 미처리원단롤의 필름상 중합체가 소진된 후 상기 인출실 내에 장착된 처리원단롤을 외부로 인출하는 제6단계;(6) a sixth step of drawing out the treated fabric roll mounted in the drawing chamber after the film-like polymer of the raw fabric roll is exhausted; 들을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 필름상 중합체의 연속 표면처리방법.Continuous surface treatment method of the film-like polymer, characterized in that consisting of. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제2단계의 전후에서 상기 인입실 내의 필름상 중합체에 열풍을 가하여 필름상 중합체로부터 수분을 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 필름상 중합체의 연속 표면처리방법.And removing the water from the film-like polymer by applying hot air to the film-like polymer in the draw chamber before and after the second step. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제4단계는 아르곤, 질소 또는 이들의 혼합물들로 이루어지는 공정가스를 15 내지 100sccm의 양으로 연속적으로 상기 처리실로 공급하면서 펄스 폭 15 내지 25ms, 플라즈마 발생을 위한 고주파의 주파수 500 내지 1,500㎐ 및 고전압펄스 26 내지 30KV의 공정조건으로 표면처리를 수행하는 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 필름상 중합체의 연속 표면처리방법.The fourth step is to supply a process gas consisting of argon, nitrogen or a mixture thereof to the process chamber continuously in an amount of 15 to 100 sccm, pulse width 15 to 25 ms, high frequency frequency 500 to 1,500 kHz and high voltage for plasma generation Process for the surface treatment of the film-like polymer, characterized in that the surface treatment is performed under a pulse condition of 26 to 30KV.
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