KR100437494B1 - 트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (6)
- P-형 실리콘층, N+형 매립층 및 N-형 에피층이 순차적으로 형성되고, 상기 매립층의 외주연인 에피층 및 실리콘층에는 소자 분리 영역이 형성된 기판과;상기 소자 분리 영역 내측의 에피층 표면에 일정 폭의 개구가 형성되며, 성장된 P-형 폴리 실리콘층과;상기 폴리 실리콘층의 개구를 통해 노출된 에피층과 상기 폴리 실리콘층의 일부를 덮을 수 있도록 일정 두께로 실리콘/게르마늄이 성장되어 형성된 베이스 영역과;상기 베이스 영역에 일정 두께로 형성된 N+형 폴리 실리콘층과;상기 N+형 폴리 실리콘층 및 이를 중심으로 양측의 P-형 폴리 실리콘층에 개구가 형성되도록 일정 두께로 형성된 산화막과;상기 산화막을 통하여 노출된 N+형 폴리 실리콘층 및 P-형 폴리 실리콘층에 에미터용 및 베이스용 전극으로서 형성된 다수의 메탈층을 포함하여 이루어진 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 P-형 폴리 실리콘층은 소자 분리 영역과 일부 영역이 중첩되어 있으며, 상기 소자 분리 영역과 대응되는 P-형 폴리 실리콘층에 메탈층이 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘/게르마늄이 성장되어 형성된 베이스 영역과 상기 N+형 폴리 실리콘층은 동일한 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 매립층에는 상기 에피층을 관통하는 N+형 싱커가 형성되어 있고, 상기 싱커 표면에는 콜렉터용 전극으로서 메탈층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- P-형 실리콘층 표면에 N+형 매립층 및 N-형 에피층을 순차적으로 형성하고, 상기 매립층의 외주연인 에피층 및 실리콘층에는 소자 분리 영역을 형성하여 기판을 제공하는 단계와;상기 소자 분리 영역 내측의 에피층 표면에 일정 폭의 개구가 형성되도록 P-형 폴리 실리콘층을 성장시키는 단계와;상기 폴리 실리콘층의 개구를 통해 노출된 에피층과 상기 폴리 실리콘층의 일부를 덮도록 일정 두께로 실리콘/게르마늄을 성장시켜 베이스 영역을 형성하는 단계와;상기 P-형 폴리 실리콘층 및 베이스 영역에 개구가 형성되도록 일정 두께로 산화막을 형성하는 단계와;상기 산화막의 개구를 통해 노출된 베이스 영역에 일정 두께로 N+형 폴리 실리콘층을 형성하는 단계와;상기 산화막을 통하여 노출된 N+형 폴리 실리콘층 및 P-형 폴리 실리콘층에에미터용 및 베이스용 전극으로서 다수의 메탈층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 트랜지스터의 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 N+형 폴리 실리콘층 형성 단계는 상기 N+형 폴리 실리콘층의 폭을 베이스 영역의 폭과 동일하게 형성함을 특징으로 하는 트랜지스터의 제조 방법.
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