KR100430088B1 - 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치 - Google Patents

평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화소셀에 흐르는 미세전류를 측정할 수 있도록 한 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치에 관한 것이다.
본 발명의 평면 전계방출 표시소자의 전류 측정장치는 스캔전극으로 구동펄스를 공급하기 위한 전원부와; 측정하려는 전류값 범위의 절반에 해당하는 기준전압을 생성하기 위한 기준전압 생성부와; 전원부의 구동펄스의 전압과 기준전압을 비교하여 기준전압의 전압이 높다면 제 1전압을 출력하고 그 외의 경우에는 제 2전압을 출력하기 위한 비교부와; 비교부의 출력단자에 접속되는 인버터 및 버퍼와; 데이터전극과 기저전압원 사이에 접속됨과 아울러 인버터에 접속되어 비교부로부터 제 1전압이 출력될 때 턴-온되는 제 1스위치와, 데이터전극과 기저전압원 사이에 접속됨과 아울러 상기 버퍼에 접속되어 비교부로부터 제 2전압이 출력될 때 턴-온되는 제 2스위치와; 제 1스위치와 기저전압원 사이에 설치되는 제 1저항과; 제 2스위치와 기저전압원 사이에 설치됨과 아울러 제 1저항과 상이한 저항값을 가지는 제 2저항과; 데이터전극, 제 1스위치 및 제 2스위치에 접속되도록 설치됨과 아울러 제 1 및 제 2스위치 소자 중 어느 하나가 턴-온될 때 제 1저항 또는 제 2저항에 인가된 전압값을 검출하기 위한 적분회로를 구비한다.

Description

평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치{APPARATUS OF CURRENTING MEASUREMENT FOR METAL INSULATOR METAL FIELD EMISSION DIAPLAY}
본 발명은 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치에 관한 것으로 특히, 화소셀에 흐르는 미세전류를 측정할 수 있도록 한 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한, 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : PDP), 일렉트로 루미네센스(Electro-Luminescence : EL) 등이 있다. 표시품질을 개선하기 위하여 평판 표시장치의 휘도, 콘트라스트 및 색순도를 높이기 위한 연구개발이 활발이 진행되고 있다.
이중 FED는 첨예한 음극(에미터)에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자를 방출시키는 팁형 FED와, 소정 면적을 가지는 금속에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널 효과에 의해 전자를 방출시키는 평면형(Metal Insulator Metal : MIM) FED로 나뉘어진다.
팁형 FED는 전자를 방출하는 에미터의 특성에 따라서 전자의 방출량이 결정된다. 따라서, 팁형 FED에 포함되는 모든 에미터를 균일하게 제작해야 하는 공정상의 어려움이 있다. 실제로, 팁형 FED에 포함되어 있는 모든 에미터를 균일하게 제작하기는 불가능하다. 또한, 팁형 FED는 수십 V에서 수백 V정도의 고압의 구동전압이 필요하다는 단점이 있다.
평면형 FED는 금속(metal), 절연층(insulator) 및 반도체층(metal)이 적층된 구조를 가지며, 터널효과를 이용하여 전자를 방출한다. 평면형 FED는 팁형 FED보다 낮은 수 V에서 최고 10V 정도의 낮은 구동전압이 인가되는 반면, 팁형 FED보다 높은 구동전류가 흐른다. 이러한, 평면형 FED에서는 전자가 직진성으로 방출되어 방출효율이 높다는 장점이 있다. 따라서, 최근에는 평면형 FED의 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 일반적인 평면형 전계방출 표시장치의 화소셀을 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 평면형 FED의 화소셀은 애노드전극(6) 및 형광체(12)가 적층된 상부기판(2)과, 하부기판(4) 상에 형성되는 전계방출어레이(16)를 구비한다.
전계방출어레이(16)는 하부기판(4) 상에 형성되는 스캔전극(10)과,스캔전극(10)상에 형성되는 절연체층(14)과, 절연체층(14)에 형성되는 데이터전극(8)을 구비한다. 스캔전극(10)은 도시되지 않은 스캔 구동부로부터 스캔펄스를 공급받는다. 데이터전극(8)은 도시되지 않은 데이터 구동부로부터 데이터펄스를 공급받는다. 절연체층(14)은 스캔전극(10)과 데이터전극(8)을 절연시킨다.
화상을 표시하기 위하여, 상부기판(2) 상의 애노드전극(6)에는 정극성(+)의 전압이 인가된다. 그리고, 하부기판(4) 상의 스캔전극(10)에는 부극성(-)의 스캔펄스가 인가되고, 데이터전극(8)에는 정극성(+)의 데이터펄스가 인가된다. 이와 같이 스캔펄스 및 데이터펄스가 각각 스캔전극(10) 및 데이터전극(8)에 인가되면 스캔전극(10)의 일부전자가 절연체층(14)을 터널링(tunneling)하여 형광체(12)로 가속된다. 이와 같이 가속된 전자는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 형광체(12)와 충돌하여 형광체(12)를 여기시키게 된다. 이때, 형광체(12)에 따라 적색(R), 녹색(G) 또는 청색(B) 중 어느 한색의 가시광이 발생되어 화상을 표시하게 된다.
이와 같은 평면형 FED의 화소셀은 높은 구동전류에 의하여 동작하기 때문에 평면형 FED의 제작시에 구동전류의 적정여부를 측정되게 된다.
도 2는 종래의 전류측정장치를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 종래의 전류측정장치는 스캔전극(S)에 소정의 구동전압을 공급하기 위한 전원부(18)와, 데이터전극(D)과 기저전압원(GND)의 사이에 접속되는 전류계(22)를 구비한다.
스캔전극(S)과 데이터전극(D)의 교차부에는 화소셀(20)이 위치된다. 전원부(18)는 도 3과 같이 시간이 지날 수록 점차 증가하는 DC 전압을 스캔전극(S)으로 공급한다. 이와 같은 DC 전압이 스캔전극(S)에 공급되면 데이터전극(D) 및 전류계(22)를 경유하여 기저전압원(GND)으로 소정의 전류가 흐르게 된다. 다시 말하여, 스캔전극(S)으로부터 공급되는 DC 전압에 의하여 화소셀(20)에 소정의 전압이 충전되고, 화소셀(20)에 전압이 충전될 때 DC 전압에 대응하는 소정의 전류가 기저전압원(GND)으로 흐르게 된다. 이때, 전류계(22)에는 기저전압원(GND)으로 공급되는 전류의 값의 표시된다.
도 4는 화소셀에 공급되는 전압값에 따른 전류값을 표시하는 전류-전압 곡선이다.
도 4를 참조하면, 화소셀(20)에 문턱전압(Vth) 미만의 전압값이 공급될 때 화소셀(20)에는 일정한 전류가 흐르게 된다. 이후, 화소셀(20)에 공급되는 전압값이 문턱전압(Vth) 이상이 되면 전류값은 급격히 증가하게 된다. 이와 같은 전류-전압 곡선은 모든 화소셀(20)에서 측정되고, 측정된 전류-전압 곡선을 이용하여 화소셀(22)의 불량 유무를 판단하게 된다. 불량으로 판단된 화소셀(20)은 후 공정에서 수정되거나 제거된다.
한편, 종래의 전류측정장치에서는 10-3㎃/㎤ 내지 10-6㎃/㎤ 범위의 전류값이 측정된다. 이와 같은 전류값의 측정범위는 전류계(22)의 해상도(분해능)에 의해서 결정되고, 현재 일반적으로 이용되고 있는 전류계(22)는 10-3㎃/㎤ 내지 10-6㎃/㎤ 범위 내의 전류값만을 측정할 수 있다.
하지만, 화소셀(20)에 공급되는 전압값이 문턱전압(Vth) 이하일 때 화소셀에는 10-9㎃/㎤ 정도의 전류값이 흘러야 한다. 따라서, 종래의 전류측정장치에서는 화소셀(20)의 정상유무를 정확히 판단할 수 없다. 다시 말하여, 10-3㎃/㎤ 내지 10-6범위의 전류값을 측정할 수 있는 종래의 전류측정장치로는 화소셀의 정상 동작전류인 10-9㎃/㎤의 전류값을 측정할 수 없다.
예를 들어, 특정 화소셀에 문턱전압(Vth) 이하의 전압값이 공급될 때 10-6㎃/㎤ 의 전류가 흐르게 되면 절연체층(14)에 정상동작 상태일 때 보다 많은 전류가 충전되어 절연체층(14)이 손상을 입게된다. 즉, 특정 화소셀의 동작시에 항상 절연체층(14)에는 많은 전류가 공급되고, 이와 같은 과정을 소정횟수 반복됨으로써 절연체층(14)이 손상되게 된다. 절연체층(14)이 손상을 입게되면 평면형 FED의 수명이 단축됨과 아울러 신뢰성이 저하되게 된다.
한편, 종래의 전류측정장치의 전원부(18)는 도 3과 같은 DC 전압을 화소셀(20)에 공급한다. 하지만, 이와 같은 DC 전압은 실제 화소셀(20)의 구동에 사용되는 구동펄스와 상이하므로 실제 구동시에 나타나는 전류값을 측정할 수 없다. 아울러, 화소셀(20)에 계단 형태로 증가하는 DC 전압이 인가되면 화소셀(20)에 충전된 전압은 방전되지 못하고, 이에 따라 화소셀(20)이 파손될 염려가 있다. 아울러, 화소셀(20)에 충전된 전압이 방전되지 못하므로 정확한 전류값을 측정하기기 곤란하다.
따라서, 본 발명의 목적은 화소셀에 흐르는 미소전류를 측정할 수 있도록 한 전계방출 표시소자의 전류측정장치를 제공하는데 있다.
도 1은 일반적인 평면형 전계방출 표시소자를 나타내는 단면도.
도 2는 종래의 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치를 나타내는 블록도.
도 3은 도 2에 도시된 전원부에서 인가되는 구동전압을 나타내는 도면.
도 4는 도 2의 전류측정장치에서 측정되는 전류-전압 특성곡선을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치를 나타내는 회로도.
도 6은 도 5의 전류측정장치에서 측정되는 전류-전압 특성곡선을 나타내는 도면.
도 7은 도 5에 도시된 전원부에서 인가되는 구동펄스를 나타내는 도면.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2 : 상부기판 4 : 하부기판
6 : 애노드전극 8 : 데이터전극
10 : 스캔전극 12 : 형광체
14 : 절연체층 16 : 전계방출어레이
18,24 : 전원부 20,26 : 화소셀
22 : 전류계 28 : 기준전압 공급부
30 : 비교기 32 : 인버터
34 : 버퍼 36 : RC 적분회로
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 평면 전계방출 표시소자의 전류 측정장치는 스캔전극으로 구동펄스를 공급하기 위한 전원부와; 측정하려는 전류값 범위의 절반에 해당하는 기준전압을 생성하기 위한 기준전압 생성부와; 전원부의 구동펄스의 전압과 기준전압을 비교하여 기준전압의 전압이 높다면 제 1전압을 출력하고 그 외의 경우에는 제 2전압을 출력하기 위한 비교부와; 비교부의 출력단자에 접속되는 인버터 및 버퍼와; 데이터전극과 기저전압원 사이에 접속됨과 아울러 인버터에 접속되어 비교부로부터 제 1전압이 출력될 때 턴-온되는 제 1스위치와, 데이터전극과 기저전압원 사이에 접속됨과 아울러 상기 버퍼에 접속되어 비교부로부터 제 2전압이 출력될 때 턴-온되는 제 2스위치와; 제 1스위치와 기저전압원 사이에 설치되는 제 1저항과; 제 2스위치와 기저전압원 사이에 설치됨과 아울러 제 1저항과 상이한 저항값을 가지는 제 2저항과; 데이터전극, 제 1스위치 및 제 2스위치에 접속되도록 설치됨과 아울러 제 1 및 제 2스위치 소자 중 어느 하나가 턴-온될 때 제 1저항 또는 제 2저항에 인가된 전압값을 검출하기 위한 적분회로를 구비한다.상기 적분회로에서 검출된 전압은 평균값으로 변환된다.상기 제 1전압은 "0"의 논리값에 해당하는 전압이고, 제 2전압은 "1"의 논리값에 해당하는 전압이다.상기 기준전압 생성부는 기준전압보다 높은 전압값을 가지는 정격 전압원과, 정격 전압원과 기저전압원의 사이에 직렬로 접속되는 제 3 및 제 4분압저항을 구비한다.상기 제 3 및 제 4분압저항의 저항값은 기준전압이 제 4분압저항에 인가될 수 있도록 설정된다.상기 전원부에서 공급되는 구동펄스는 교류이다.상기 제 2저항의 저항값은 제 1저항의 저항값보다 크게 설정된다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하 도 5 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 전류측정장치를 나타내는 회로도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 전류측정장치는 스캔전극(S)에소정의 구동전압을 공급하기 위한 전원부(24)와, 데이터전극(D)과 기저전압원(GND)의 사이에 병렬로 접속되는 제 1 및 제 2스위치(S1,S2)와, 소정의 기준전압을 생성하기 위한 기준전압 공급부(28)와, 기준전압 공급부(28)의 전압과 전원부(24)의 전압을 비교하기 위한 비교기(30)와, 비교기(30)와 제 1스위치(S1) 사이에 설치되는 인버터(32)와, 비교기(30)와 제 2스위치(S2) 사이에 설치되는 버퍼(34)와, 데이터전극(D)과 기저전압원(GND)의 사이에 설치되는 RC 적분회로(36)를 구비한다.
스캔전극(S)과 데이터전극(D)의 교차부에는 화소셀(26)이 위치된다. 전원부(24)는 도 7과 같이 화소셀(26)의 실제 구동시와 동일한 구동펄스(AC전압)를 스캔전극(S)으로 공급한다. 전원부(24)에서 공급되는 구동펄스의 전압값은 시간에 비례하여 큰 값을 갖게 된다. 이와 같이 AC 전압의 구동펄스가 화소셀(26)에 공급되면 화소셀(26)에 충전된 전압이 방전될 수 있고, 이에 따라 화소셀(26)의 파손을 방지할 수 있다.
기준전압 공급부(28)는 정격전압원(Vs)과 기저전압원(GND) 사이에 직렬로 접속되는 제 1 및 제 2저항(R1,R2)을 구비한다. 이와 같은 제 1 및 제 2저항(R1,R2)은 분압저항으로써 정격전압원(Vs)의 전압을 분압하게 된다. 한편, 제 1 및 제 2저항(R1,R2)의 저항값은 도 6과 같이 측정하려는 전류값 범위의 절반값에 해당하는 전압(Vr)이 제 2저항(R2)에 인가될 수 있도록 설정된다. 다시 말하여, 10-3㎃/㎤ 내지 10-9㎃/㎤의 전압값을 측정할 때 제 1 및 제 2저항(R1,R2)의 저항값은 10-6㎃/㎤에 해당하는 전압이 제 2저항(R2)에 인가될 수 있도록 설계된다.
비교기(30)는 기준전압 공급부(28)로부터 공급되는 기준전압(Vr)과 전원부(24)로부터 구동전압의 전압값을 비교한다. 여기서, 비교기(30)는 기준전압 공급부(28)로부터 공급되는 기준전압(Vr)이 전원부(24)로부터 공급되는 구동전압의 전압값보다 높다면 "0"의 논리에 해당하는 제 1전압을 출력한다. 또한, 비교기(30)는 기준전압 공급부(28)로부터 공급되는 기준전압(Vr)이 전원부(24)로부터 공급되는 구동전압의 전압값보다 낮다면 "1"의 논리에 해당하는 제 2전압을 출력한다.
RC 적분회로(36)는 데이터전극(D)과 기저전압원(GND) 사이에 직렬로 접속되는 제 5저항(R5)과 커패시터(C)를 구비한다. 이와 같은 RC 적분회로(36)는 제 1 및 제 2 노드점(N1,N2)에 인가된 전압값을 적분한다. RC 적분회로(36)에서 적분된 전압값은 제 3노드점(N3)에 인가된다. 한편, 제 1 및 제 2스위치(S1,S2)와 기저전압원(GND)의 사이에는 제 3 및 제 4저항(R3,R4)이 설치된다.
이와 같은 전류측정장치의 동작과정을 상세히 설명하면, 먼저 전원부(24)로부터 도 7과 같은 구동전압이 스캔전극(S) 및 비교기(30)로 공급된다. 비교기(30)는 기준전압 공급부(28)로부터 공급되는 기준전압(Vr)과 전원부(24)로부터 공급되는 구동전압을 비교한다. 여기서, 비교기(30)는 기준전압(Vr)이 구동전압의 전압값보다 크다면 "0"의 논리에 해당하는 제 1전압을 출력한다. 비교기(30)로부터 출력된 제 1전압은 비교기(30)에 병렬로 접속되어 있는 인버터(32) 및 버퍼(34)로 공급된다.
제 1전압을 공급받은 인버터(32)는 제 1전압을 "1"의 논리에 해당하는 제 2전압으로 변경하여 제 1스위치(S1)로 공급한다. 이때, 제 2전압을 공급받은 제 1스위치(S1)는 턴-온되어 데이터전극(D)의 전류 통로를 제공한다. 제 1전압을 공급받은 버퍼(34)는 자신에게 공급된 제 1전압을 중계하여 제 2스위치(S2)로 공급한다. 이때, 제 1전압을 공급받은 제 2스위치(S2)는 턴-오프 상태를 유지한다.
한편, 스캔전극(S)에 구동전압이 공급되면 구동전압에 해당하는 소정의 전류가 전류 통로를 형성한 제 1스위치(S1) 및 제 3저항(R3)을 경유하여 기저전압원(GND)으로 공급된다. 이때, 제 3저항(R3)에는 소정의 전류에 해당하는 전압값이 인가된다. 제 3저항(R3), 즉 제 1노드점(N1)에 인가된 전압값은 RC 적분회로(36)에서 적분되어 평균값으로 출력된다.
(여기서, Vavg는 제 3노드점(N3)에 인가된 전압, 듀티 팩터(duty factor)는 구동펄스의 듀티 팩터 값을 나타낸다.) RC 적분회로(36)에서 출력된 평균값은 수학식 1에 의하여 전류값으로 변환된다. 이와 같은 과정을 거쳐 도 6과 같이 10-6㎃/㎤ 내지 10-9㎃/㎤범위의 전류값을 측정한다. 한편, 제 1스위치(S1)와 기저전압원(GND) 사이에 설치되는 제 3저항(R3)에는 미세전류에 대응하는 전압값이 인가되어야 한다. 따라서, 제 3저항(R3)은 낮은 저항값을 가질 수 있도록 대략 1000Ω이하로 설정된다.
한편, 전원부(24)로부터 출력되는 구동전압이 기준전압(Vr)의 전압값보다 크다면 비교기(30)는 "1"의 논리에 해당하는 제 2전압을 출력한다. 비교기(30)로부터 출력된 제 2전압은 비교기(30)에 병렬로 접속되어 있는 인버터(32) 및 버퍼(34)로 공급된다.
제 2전압을 공급받은 인버터(32)는 제 2전압을 "0"의 논리에 해당하는 제 1전압으로 변경하여 제 1스위치(S1)로 공급한다. 이때, 제 1전압을 공급받은 제 1스위치(S1)는 턴-오프된다. 제 2전압을 공급받은 버퍼(34)는 자신에게 공급된 제 2전압을 중계하여 제 2스위치(S2)로 공급한다. 이때, 제 2전압을 공급받은 제 2스위치(S2)는 턴-온되어 데이터전극(D)의 전류 통로를 제공한다.
한편, 데이터전극(D)으로 흐르는 전류는 전류 통로를 형성한 제 2스위치(S2) 및 제 4저항(R4)을 경유하여 기저전압원(GND)으로 공급된다. 이때, 제 4저항(R4)에는 소정의 전류에 해당하는 전압값이 인가된다. 제 4저항(R4), 즉 제 1노드점(N2)에 인가된 전압값은 RC 적분회로(36)에서 적분되어 평균값으로 출력된다.
RC 적분회로(36)에서 출력된 평균값은 수학식 1에 의하여 전류값으로 변환된다. 이와 같은 과정을 거쳐 도 6과 같이 10-3㎃/㎤ 내지 10-6㎃/㎤범위의 전류값을 측정한다. 한편, 제 2스위치(S2)와 기저전압원(GND) 사이에 설치되는 제 4저항(R4)에는 비교적 높은 전류에 대응하는 전압값이 인가되어야 한다. 따라서, 제 4저항(R4)은 제 3저항(R3)보다 높은 저항값을 갖도록 설정되며, 대략 5Ω이상으로 설정된다. 예를 들어, 제 3저항(R3)의 저항값이 100Ω으로 설정되면 제 4저항(R4)의 저항값은 101Ω이상으로 설정된다. 또한, 제 3저항(R3)의 저항값이 1Ω으로 설정되면 제 4저항(R4)의 저항값은 5Ω으로 설정된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치에 의하면 미세전류를 측정할 수 있는 제 1전류흐름통로와, 미세전류보다 높은 전류를 측정할 수 있는 제 2전류흐름통로를 구비하여 미세전류를 측정할 수 있다. 따라서, 본원에서는 평면 전계방출 표시소자의 구동전류값을 정확히 측정할 수 있고, 이에 따라 평면 전계방출 표시소자의 수명을 연장함과 아울러 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본원에서는 화소셀의 전류측정시에 스캔전극에 AC의 구동전압을 공급하므로써 화소셀에 충전된 전압이 방전될 수 있고, 이에 따라 화소셀의 파손을 방지할 수 있다. 아울러, 실제구동전압과 동일한 구동전압을 공급하므로써 정확한 전류를 측정할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (9)

  1. 다수의 스캔전극과, 상기 스캔전극과 교차되는 방향으로 형성되는 다수의 데이터전극과, 상기 스캔전극과 데이터전극의 교차부에 형성된 화소셀에 흐르는 전류를 측정하기 위한 평면형 전계방출 표시소자의 전류측정장치에 있어서;
    상기 스캔전극으로 구동펄스를 공급하기 위한 전원부와;
    측정하려는 전류값 범위의 절반에 해당하는 기준전압을 생성하기 위한 기준전압 생성부와;
    상기 전원부의 구동펄스의 전압과 상기 기준전압을 비교하여 상기 기준전압의 전압이 높다면 제 1전압을 출력하고 그 외의 경우에는 제 2전압을 출력하기 위한 비교부와;
    상기 비교부의 출력단자에 접속되는 인버터 및 버퍼와;
    상기 데이터전극과 기저전압원 사이에 접속됨과 아울러 상기 인버터에 접속되어 상기 비교부로부터 제 1전압이 출력될 때 턴-온되는 제 1스위치와, 상기 데이터전극과 기저전압원 사이에 접속됨과 아울러 상기 버퍼에 접속되어 상기 비교부로부터 제 2전압이 출력될 때 턴-온되는 제 2스위치와;
    상기 제 1스위치와 상기 기저전압원 사이에 설치되는 제 1저항과;
    상기 제 2스위치와 상기 기저전압원 사이에 설치됨과 아울러 상기 제 1저항과 상이한 저항값을 가지는 제 2저항과;
    상기 데이터전극, 제 1스위치 및 제 2스위치에 접속되도록 설치됨과 아울러 상기 제 1 및 제 2스위치 소자 중 어느 하나가 턴-온될 때 상기 제 1저항 또는 제 2저항에 인가된 전압값을 검출하기 위한 적분회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 적분회로에서 검출된 전압은 평균값으로 변환되는 것을 특징으로 하는 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1전압은 "0"의 논리값에 해당하는 전압이고, 상기 제 2전압은 "1"의 논리값에 해당하는 전압인 것을 특징으로 하는 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기준전압 생성부는,
    상기 기준전압보다 높은 전압값을 가지는 정격 전압원과,
    상기 정격 전압원과 기저전압원의 사이에 직렬로 접속되는 제 3 및 제 4분압저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 및 제 4분압저항의 저항값은 상기 기준전압이 상기 제 4분압저항에 인가될 수 있도록 설정되는 것을 특징으로 하는 평면 전계방출 표시소자의 전류측정장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원부에서 공급되는 구동펄스는 교류인 것을 특징으로 하는 평면 전계방출 표시소자의 전류 측정장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2저항의 저항값은 상기 제 1저항의 저항값보다 크게 설정되는 것을 특징으로 하는 평면 전계방출 표시소자의 전류 측정장치.
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