KR100415614B1

KR100415614B1 - 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법

Info

Publication number: KR100415614B1
Application number: KR10-2001-0033093A
Authority: KR
Inventors: 문성학
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2001-06-13
Filing date: 2001-06-13
Publication date: 2004-01-24
Also published as: KR20020094708A

Abstract

본 발명은 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자에 관한 것이다.

본 발명의 액티브 형 평면 전계방출 표시소자는 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 스캔라인으로부터 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 스위칭소자와, 스위칭소자와 공통단자 사이에 접속되어 스위칭소자가 턴-온되었을 때 데이터라인으로부터 스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스와 공통단자로부터 공급되는 공통펄스의 전압차에 대응하는 빛을 발생하는 셀소자를 구비하며, 공통펄스는 데이터펄스에 동기되도록 공급된다.

Description

액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법{Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof}

본 발명은 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 관한 것으로 특히, 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 관한 것이다.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(FieldEmission Display : 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel), 일렉트로 루미네센스(Electro-Luminescence : 이하 "EL"이라 함) 등이 있다. 표시품질을 개선하기 위하여, 평판 표시장치의 휘도, 콘트라스트 및 색순도를 높이기 위한 연구개발이 활발이 진행되고 있다.

이중 FED는 첨예한 음극(에미터)에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자를 방출시키는 팁형 FED와, 소정 면적을 가지는 금속에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자를 방출시키는 평면형(Metal Insulator Metal : MIM) FED로 나뉘어진다.

도 1 및 도 2는 종래의 팁형 전계 방출 표시장치를 나타내는 도면이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 애노드 전극(4) 및 형광체(6)가 적층된 상부 유리기판(2)과, 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 전계방출 어레이(32)를 구비한 FED가 도시되어 있다. 전계방출 어레이(32)는 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 캐소드 전극(10) 및 저항층(12)과, 저항층(12)상에 형성되는 게이트 절연층(14) 및 에미터(22)와, 게이트 절연층(14) 상에 형성되는 게이트 전극(16)을 구비한다.

캐소드 전극(10)은 에미터(22)에 전류를 공급하게 되며, 저항층(12)은 캐소드 전극(10)으로부터 에미터(22) 쪽으로 인가되는 과전류를 제한하여 에미터(22)에 균일한 전류를 공급하는 역할을 하게 된다.

게이트 절연층(14)은 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(16) 사이를 절연하게 된다. 게이트 전극(16)은 전자를 인출시키기 위한 인출전극으로 이용된다. 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 사이에는 스페이서(40)가 설치된다.

스페이서(40)는 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 사이의 고진공 상태를 유지할 수 있도록 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8)을 지지한다.

화상을 표시하기 위하여, 캐소드 전극(10)에 부극성(-)의 캐소드전압이 인가되고 애노드 전극(4)에 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그리고 게이트 전극(16)에는 정극성(+)의 게이트 전압이 인가된다. 그러면, 에미터(22)로부터 방출된 전자빔(30)이 적색·녹색·청색의 형광체(6)에 충돌하여 형광체(6)를 여기시키게 된다. 이때, 형광체(6)에 따라 적색·녹색·청색 중 어느 한 색의 가시광이 발광된다.

이와 같은 팁형 FED는 전자 방출에 이용되는 에미터의 특성에 따라서 전자의 방출량이 결정된다. 따라서, 하나의 FED에 포함되는 모든 에미터를 균일하게 제작해야 한다. 하지만, 현재의 제조공정으로는 하나의 FED에 포함되는 모든 에미터가 균일한 특성을 갖도록 제작하기 곤란하다. 아울러, 에미터를 제작하기 위해 많은 공정시간이 소모되는 단점이 있다.

또한, 팁형 FED는 첨예한 이미터에서 전자가 방출되기 때문에 캐소드 전극(10) 및 게이트전극(16)에 수십 내지 백 볼트 사이의 전압이 인가되야 된다. 따라서, 캐소드전극(10) 및 게이트전극(16)에 인가되는 전압에 의해 많은 소비전력이 소모된다.

도 3은 종래의 평면형 전계 방출 표시장치의 화소셀을 나타내는 도면이다.

도 3을 참조하면, 종래의 평면형 전계 방출 표시소자의 화소셀(100)은 애노드전극(44) 및 형광체(46)가 적층된 상부기판(42)과, 하부기판(48) 상에 형성되는전계 방출 어레이(56)를 구비한다.

전계 방출 어레이(56)는 하부기판(48) 상에 형성되는 스캔전극(50), 절연층(52) 및 데이터전극(54)을 구비한다. 절연층(52)은 스캔전극(50)으로부터의 전자가 터널링할 수 있도록 박막으로 형성된다.

화상을 표시하기 위하여, 스캔전극(50)에 부극성(-)의 스캔펄스가 인가되고 데이터전극(54)에 정극성(+)의 데이터펄스가 인가된다. 그리고, 애노드전극(44)에 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그러면, 전자가 스캔전극(50)으로부터 데이터전극(54)으로 터널링(Tunneling)하여 애노드전극(44) 쪽으로 가속된다.

이 전자들은 적색, 녹색 및 청색의 형광체(46)에 충돌하여 형광체(46)를 여기시키게 된다. 이때, 형광체(46)에 따라 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색의 가시광이 발생된다.

이와 같은 평면형 FED는 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)이 소정면적을 가지고 대향되게 설치되기 때문에 팁형 FED에 비해 저전압 구동이 가능하다. 즉, 평면형 FED의 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)에는 수 내지 10V 사이의 전압이 인가된다. 또한, 평면형 FED는 전자를 방출하는 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)이 소정면적을 가지기 때문에 팁형 FED에 비해 간단한 제조공정으로 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)을 제조할 수 있다.

한편, 이와 같은 평면형 FED는 절연층(52)이 박막으로 형성되기 때문에 캐패시턴스 성분이 매우 커지게 된다. 다시 말하여, C=ε×s/d(여기서 ε은 유전율, d는 유전율 두께, s는 셀 면적)의 식에서 유전율의 두께가 박막으로 되어 있기 때문에 캐패시턴스 성분이 매우 커지게 된다. 따라서, 평면형 FED의 화소셀(100)에는 높은 전류가 인가된다.

도 4는 종래의 평면형 전계 방출 표시장치에 공급되는 구동파형을 나타내는 파형도이다.

도 4를 참조하면, 종래의 평면형 FED의 스캔라인(S)에는 부극성의 스캔펄스(SP)가 순차적으로 공급되고 데이터라인(D)에는 부극성의 스캔펄스(SP)에 동기되는 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 스캔펄스(SP) 및 데이터펄스(DP)가 공급된 화소셀에서는 스캔펄스(SP) 및 데이터펄스(DP)의 전압차에 의해 전자가 방출된다.

예를 들어, 도 5와 같이 제 1 스캔라인(S1)에 -5V의 스캔펄스(SP)가 인가되고, 데이터라인(D)에 5V의 데이터펄스(DP)가 인가되면 제 1 스캔라인(S1)에 형성되어 있는 제 1 화소셀들(P1)에서 10V의 전압차가 발생된다. 따라서, 데이터펄스(DP)가 공급된 제 1 화소셀들(P1)에서 전자가 방출된다.

이때, 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 계조에 따라 상이하게 설정된다. 예를 들어, 높은 계조를 표현할 때 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 넓거나 높게 설정되고, 낮은 계조를 표현할 때 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 좁거나 낮게 설정된다.

한편, 제 2 내지 제 m 스캔라인(S2 내지 Sm)에 형성되어 있는 제 2 내지 제 m 화소셀들(P2 내지 Pm)에서는 5V, 즉 데이터펄스(DP)만이 인가되기 때문에 전자가 방출되지 않는다.

이후, 이와 같은 과정을 반복하여 제 m 스캔라인(Sm)까지 순차적으로 스캔펄스(SP) 및 데이터펄스(DP)를 인가하여 제 1 내지 제 m 화소셀(P1 내지 Pm)을 구동하여 화상을 표시한다. 화상이 표시된 후 제 1 내지 제 m 스캔라인(S1 내지 Sm)에는 정극성의 리셋펄스(RP)가 인가된다. 제 1 내지 제 m 스캔라인(S1 내지 Sm)에 리셋펄스(RP)가 인가되면 제 1 내지 제 m 화소셀(P1 내지 Pm)에 충전된 전하들이 제거된다.

하지만, 이와 같은 종래의 평면형 FED에서 제 1 데이터라인(D1)에 인가되는 전압과 제 n 데이터라인(Dn)에 인가되는 전압이 상이하게 된다. 다시 말하여, 종래의 평면형 FED는 패시브 형(Passive type)으로 구성되고, 이에 따라 높은 전압강하가 발생되게 된다. 이를 도 6을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 6을 참조하면, 화소셀(100)은 데이터라인(D)과 스캔라인(S)의 교차부에 위치된다. 스캔라인(S)에 스캔펄스(SP)가 인가되고, 데이터라인(D)에 데이터펄스(DP)가 인가될 때 화소셀(100)들에는 소정의 전압이 인가된다. 따라서, 스캔라인(S)의 위치에 따라서 인가되는 전압이 상이하게 된다.

제 1 스캔라인(S1)에 스캔펄스(SP)가 공급되고 모든 데이터라인(D1 내지 Dn)에 데이터펄스(DP)가 공급될 때 화소셀(100)에 1㎃의 전류가 인가된다고 가정하여 스캔라인(S)의 전압강하를 상세히 설명하기로 한다. 이때, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 1 위치(70)까지의 저항을 R1으로 하고, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 2 위치(72)까지의 저항을 R2라고 가정한다. 또한, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 3 위치(74) 까지의 저항을 R3이라고 가정한다.

먼저, 제 1 스캔라인(S1)의 제 1 위치(70)에는 옴의 공식(V=IR)에 의해 1㎃×R1의 전압강하가 발생된다. 또한, 제 1 스캔라인(S1)의 제 2 위치(72)에는 4㎃×R2의 전압강하가 발생된다. 아울러, 제 1 스캔라인(S1)의 제 3 위치(74)에는 100㎃×R3의 전압강하가 발생된다. 이와 같이 스캔라인(S)의 위치마다 상이한 전압이 인가되면 화면의 위치에 따라 상이한 밝기의 영상이 표현된다. 다시 말하여, 종래의 평면형 FED는 전압강하에 의하여 균일한 영상을 표현하지 못하였다.

특히, 이러한 전압강하 현상은 평면형 FED가 대면적으로 갈수록 더욱 크게 발생된다. 따라서, 현재에는 평면형 FED를 대면적으로 제작하기 곤란하다.

따라서, 본 발명의 목적은 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법을 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 팁형 전계 방출 표시소자를 나타내는 사시도.

도 2는 도 1에 도시된 팁형 전계 방출 표시소자를 나타내는 단면도.

도 3은 종래의 평면형 전계 방출 표시소자를 나타내는 단면도.

도 4는 도 1 및 도 3에 도시된 전계 방출 표시소자의 구동방법을 나타내는 파형도.

도 5는 도 1 및 도 3에 도시된 전계 방출 표시소자의 화소셀의 배치를 나타내는 도면.

도 6은 도 3에 도시된 평면형 전계 방출 표시소자의 화소셀을 등가적으로 나타내는 도면.

도 7은 본 발명의 실시예에 의한 화소셀의 구조를 나타내는 도면.

도 8은 도 7에 도시된 화소셀들에 인가되는 구동파형을 나타내는 도면.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의하여 도 7에 도시된 화소셀들에 인가되는 구동파형을 나타내는 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

2,42 : 상부기판 4,44 : 애노드전극

6,46 : 형광체 8,48 : 하부기판

10 : 캐소드전극 12 : 저항층

14 : 게이트 절연층 16 : 게이트전극

22 : 에미터 30 : 전자빔

32,56 : 전계방출 어레이 40 : 스페이서

50 : 스캔전극 52 : 절연층

54 : 데이터전극 78 : MIM 셀

80,100 : 화소셀

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 액티브 형 평면 전계방출 표시소자는 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 스캔라인으로부터 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 스위칭소자와, 스위칭소자와 공통단자 사이에 접속되어 스위칭소자가 턴-온되었을 때 데이터라인으로부터 스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스와 공통단자로부터 공급되는 공통펄스의 전압차에 대응하는 빛을 발생하는 셀소자를 구비하며, 공통펄스는 데이터펄스에 동기되도록 공급된다.상기 공통펄스가 공급되지 않을 때 공통단자에는 셀소자를 초기화시키기 위한 리셋펄스가 공급된다.상기 스위칭소자에 접속되어 리셋펄스가 공급될 때 셀 소자로부터 데이터라인으로 전류의 이동경로를 형성하는 다이오드를 구비한다.본 발명의 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법은 스캔라인에 공급되는 스캔펄스에 의하여 스위칭소자가 턴-온되는 단계와, 데이터라인으로 공급되는 데이터펄스가 스위칭소자를 경유하여 셀소자로 공급되는 단계와, 공통단자에 데이터펄스와 동기되는 공통펄스가 공급되는 단계와, 데이터펄스와 공통펄스의 전압차에 해당하는 전하가 셀소자로부터 방출되는 단계를 포함한다.상기 데이터펄스는 셀 소자의 데이터전극에 공급되고, 공통펄스는 셀 소자의 스캔전극에 공급된다.상기 데이터펄스는 정극성의 전압을 가지며, 공통펄스는 부극성의 전압을 갖는다.상기 모든 스캔라인들에 스캔펄스가 공급된 후 공통전극에 정극성의 리셋펄스가 공급되는 단계를 포함한다.상기 하나의 스캔라인에 스캔펄스가 공급된 후 공통전극에 정극성의 리셋펄스가 공급되는 단계를 포함한다.상기 리셋펄스가 공급될 때 다이오드는 셀소자로부터 데이터라인으로의 전류 이동경로를 형성한다.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.

이하 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.

도 7은 본 발명의 실시예에 의한 평면형 FED의 화소셀의 구조를 나타내는 도면이다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 평면형 FED의 화소셀들(80)은 데이터라인들(D1 내지 Dn) 및 스캔라인들(S1 내지 Sm)의 교차부에 위치된다.

화소셀들(80) 각각은 데이터라인(D) 및 스캔라인(S)의 교차부에 위치되는 스위칭소자(T)와, 스위칭소자(T)의 소오스전극 및 드레인전극의 사이에 접속되는 다이오드(D) 및 스위칭소자(T)의 드레인전극과 공통전극(Vcom) 사이에 접속되는 MIM 셀(78)로 구성된다.

스위칭소자(T)의 게이트전극은 스캔라인(S)에 접속된다. 따라서, 스위칭소자(T)는 스캔라인(S)으로부터 스캔펄스가 공급되는 기간에 턴-온된다. 스위칭소자(T)의 소오스전극은 데이터라인(D)에 접속된다. 스위칭소자(T)는 자신이 턴-온되었을 때 데이터라인(D)으로부터 공급되는 데이터펄스를 MIM 셀(78)로 공급한다.

MIM 셀(78)의 구조는 도 3에 도시되어 있는 셀의 구조와 동일하다. 공통전극(Vcom)에는 데이터펄스에 동기될 수 있도록 MIM 셀(78)에 부극성의 공통펄스가 공급된다. 또한, 공통전극(Vcom)에는 MIM 셀(78)을 초기화하기 위한 정극성의 리셋펄스가 공급된다. 이러한 공통전극(Vcom)은 모든 화소셀들(80)에 형성되어 있는 MIM 셀들(78)에 공통적으로 접속된다. 다이오드(D)는 MIM 셀(78)에 리셋펄스가 인가되었을 때 전류가 흐를수 있는 경로를 제공해준다.

도 8은 본 발명의 실시예에 의한 구동방법을 나타내는 파형도이다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 평면형 FED의 스캔라인(S)에는 스캔펄스(SP)가 순차적으로 공급되고 데이터라인(D)에는 스캔펄스(SP)에 동기되는 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 공통전극(Vcom)에는 데이터펄스(DP)에 동기되는 부극성의 공통펄스(CP)가 공급된다. 또한, 공통전극(Vcom)에는 공통펄스(CP)가 공급된 후 MIM 셀(78)을 초기화하기 위한 리셋펄스(RP)가 공급된다.

스캔라인(S)에 스캔펄스(SP)가 공급되면 화소셀(80)에 형성되어 있는 스위칭소자(T)가 턴-온된다. 스위칭소자(T)가 턴-온되었을 때 데이터라인(D)에는 데이터펄스(DP)가 공급된다. 데이터라인(D)에 공급된 데이터펄스(DP)는 스위칭소자(T)를 거쳐 MIM 셀(78)로 공급된다. 즉, MIM 셀(78)에 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 이와 같은 데이터펄스(DP)는 MIM 셀(78)의 데이터전극에 공급된다.

한편, MIM 셀(78)에 데이터펄스(DP)가 공급될 때 공통전극(Vcom)에는 부극성의 공통펄스(CP)가 인가된다. 공통전극(Vcom)에 공급된 부극성의 공통펄스(CP)는 MIM 셀(78)로 공급된다. 이와 같은 공통펄스(CP)는 MIM 셀(78)의 스캔전극에 공급된다. 정극성의 데이터펄스(DP) 및 부극성의 공통펄스(CP)를 공급받은 MIM 셀(78)은 데이터펄스(DP) 및 공통펄스(CP)의 전압차에 의하여 전자를 방출하게 된다. 다시 말하여, MIM 셀(78)은 소정의 전자를 방출하여 화상을 표시하게 된다.

모든 스캔라인들(S1 내지 Sm)에 순차적으로 스캔펄스(SP)가 공급된 후 공통전극(Vcom)에 리셋펄스(RP)가 공급된다. 공통전극(Vcom)에 공급된 리셋펄스(RP)는 MIM 셀(78)로 공급된다. 이와 같이 MIM 셀(78)에 리셋펄스(RP)가 공급되면 MIM 셀(78)에 충전되었던 전하들이 다아오드(D)를 거쳐 방전되게 된다.

이와 같은 본 발명의 실시예에서는 스위칭소자들(T)이 턴-오프된 상태에서 스캔라인(S)에 스캔펄스(SP)가 된다. 다시 말하여, 스캔펄스(SP)가 인가될 때 MIM 셀(78)에 전류가 인가되지 않기 때문에 스캔라인(S)의 전압강하를 최소화할 수 있다.

예를 들어, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 1 위치(81)까지의 저항을 R1으로 하고, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 2 위치(82)까지의 저항을 R2라고 가정하면 제 1 위치에서는 R1 만큼의 전압강하가 발생된다. 또한, 제 2 위치(82) 까지는 R2 만큼의 전압강하가 발생된다.

다시 말하여, 본 발명에서는 스캔라인(S)의 저항값에 의하여 전압강하가 발생된다. 이를 종래와 비교해 보면, 종래에는 스캔라인(S)의 저항값 및 셀에 인가되는 전류값에 의하여 전압강하가 발생하였다. 하지만, 본 발명에서는 셀에 인가되는 전류값과 상관없이 스캔라인(S)의 저항값에 의하여 전압강하가 결정되기 때문에 전압강하량을 최소화할 수 있다.

따라서, 본 발명에서는 평면형 FED의 균일성을 향상시켜 화면의 위치에 관계없이 동일한 밝기의 영상을 표현할 수 있다. 아울러, 대면적의 평면형 FED를 구현할 수 있다.

한편, 도 8과 같은 구동파형이 화소셀들(80)에 인가될 때 모든 화소셀에 포함되어 있는 MIM 셀(78)에 공통펄스가 인가된다.

예를 들어, 제 1 스캔라인(S1)에 스캔펄스(SP)가 인가될 때 제 1 스캔라인(SP)에 형성되어 있는 화소셀들 뿐만 아니라 제 2 내지 제 n 스캔라인(S2 내지 Sm)에 형성되어 있는 화소셀들에도 공통펄스(CP)가 인가된다. 따라서, 제 2 내지 제 n 스캔라인(S2 내지 Sm)에 형성되어 있는 MIM 셀(78)들에는 공통펄스(CP)의 전압값에 해당하는 전자들이 충전되게 된다. 즉, 제 1 스캔라인(SP)에 형성되어 있는 MIM 셀(78)들의 구동상태와, 제 2 내지 제 n 스캔라인(S2 내지 Sm)에 형성되어 있는 MIM 셀(78)들의 구동상태가 상이하게 된다. 한편, 이러한 현상들은 제 2 내지 제 n 스캔라인(S2 내지 Sm)에 형성되어 있는 화소셀들이 구동될 때에도 동일하게 발생된다.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의한 구동파형을 나타내는 파형도이다.

도 9를 참조하면, 본 발명으니 다른 실시예에 의한 구동파형에서 스캔라인들(S)에는 스캔펄스(SP)가 순차적으로 공급되고, 데이터라인들(D)에는 스캔펄스(SP)에 동기되는 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 공통전극(Vcom)에는 데이터펄스(DP)에 동기되는 부극성의 공통펄스(CP)가 공급된다. 데이터라인들(D)에 공급되는 데이터펄스(DP)는 FED에 표시되어질 화상에 의해서 공급 유/무가 결정된다.

데이터라인(D)에 데이터펄스(DP)가 공급된 후 모든 공통전극들(Vcom)에는 리셋펄스(RP)가 공급된다. 이러한, 리셋펄스(RP)는 어느 하나의 스캔라인(Si)에 공급되는 스캔펄스(SP) 및 다음 스캔라인(Si+1)에 공급되는 스캔펄스(SP)의 사이에 공급된다. 다시 말하여, 리셋펄스(RP)는 스캔펄스(SP)들 사이의 소정의 시간(블랭킹 기간)에 공급된다.

이와 같이, 하나의 스캔라인(Si)이 구동된 후 모든 공통전극들(Vcom)에 리셋펄스가 공급되면 MIM 셀(78)들에 충전된 전하들을 제거할 수 있다. 다시 말하여,본 발명의 다른 실시예에 의한 구동파형에 의하면 하나의 스캔라인(Si)이 구동된 후 모든 화소셀들(80)에 충전된 전하를 제거함으로써 셀의 균일성을 확보할 수 있다. 또한, 모든 화소셀들에 충전된 전하를 제거함으로써 구동속도 및 효율을 향상시킬 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 의하면 스캔라인에 위치에 따라서 상이하게 발생하는 전압강하량을 최소화할 수 있다. 따라서, 전계방출 표시소자의 균일성을 향상시킴과 아울러 균일한 휘도를 가지는 영상을 표현할 수 있다. 아울러, 스캔라인의 전압강하량이 최소화되므로 대면적의 평면형 전계방출 표시소자를 제작할 수 있다. 또한, 스캔라인에 스캔펄스가 공급된 후 공통전극에 리셋펄스가 공급되기 때문에 셀의 균일성을 확보할 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims

데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 상기 스캔라인으로부터 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 스위칭소자와,

상기 스위칭소자와 공통단자 사이에 접속되어 상기 스위칭소자가 턴-온되었을 때 상기 데이터라인으로부터 상기 스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스와 상기 공통단자로부터 공급되는 공통펄스의 전압차에 대응하는 빛을 발생하는 셀소자를 구비하며,

상기 공통펄스는 상기 데이터펄스에 동기되도록 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자.
제 1 항에 있어서,

상기 공통펄스가 공급되지 않을 때 상기 공통단자에는 상기 셀소자를 초기화시키기 위한 리셋펄스가 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자.
제 2 항에 있어서,

상기 스위칭소자에 접속되어 상기 리셋펄스가 공급될 때 상기 셀 소자로부터 상기 데이터라인으로 전류의 이동경로를 형성하는 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자.
데이터라인들 및 스캔라인들과, 상기 데이터라인들 및 스캔라인들의 교차부마다 형성되는 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 공통단자 사이에 접속되도록 설치되는 셀소자와, 상기 스위칭소자와 접속되도록 설치되는 다이오드를 포함하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법에 있어서,

상기 스캔라인에 공급되는 스캔펄스에 의하여 상기 스위칭소자가 턴-온되는 단계와,

상기 데이터라인으로 공급되는 데이터펄스가 상기 스위칭소자를 경유하여 상기 셀소자로 공급되는 단계와,

상기 공통단자에 상기 데이터펄스와 동기되는 공통펄스가 공급되는 단계와,

상기 데이터펄스와 상기 공통펄스의 전압차에 해당하는 전하가 상기 셀소자로부터 방출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.
제 4 항에 있어서,

상기 데이터펄스는 상기 셀 소자의 데이터전극에 공급되고, 상기 공통펄스는 상기 셀 소자의 스캔전극에 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.
제 4 항에 있어서,

상기 데이터펄스는 정극성의 전압을 가지며, 상기 공통펄스는 부극성의 전압을 가지는 것을 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.
제 4 항에 있어서,

상기 모든 스캔라인들에 스캔펄스가 공급된 후 상기 공통전극에 정극성의 리셋펄스가 공급되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계 방출 표시소자의 구동방법.
제 4 항에 있어서,

상기 하나의 스캔라인에 스캔펄스가 공급된 후 상기 공통전극에 정극성의 리셋펄스가 공급되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계 방출 표시소자의 구동방법.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,

상기 리셋펄스가 공급될 때 상기 다이오드는 상기 셀소자로부터 상기 데이터라인으로의 전류 이동경로를 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계 방출 표시소자의 구동방법.