KR100400283B1 - Illumination method used in lithography processing - Google Patents

Illumination method used in lithography processing Download PDF

Info

Publication number
KR100400283B1
KR100400283B1 KR1019960049040A KR19960049040A KR100400283B1 KR 100400283 B1 KR100400283 B1 KR 100400283B1 KR 1019960049040 A KR1019960049040 A KR 1019960049040A KR 19960049040 A KR19960049040 A KR 19960049040A KR 100400283 B1 KR100400283 B1 KR 100400283B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dummy
pattern
transparent substrate
mask
chrome
Prior art date
Application number
KR1019960049040A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19980029719A (en
Inventor
임동규
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1019960049040A priority Critical patent/KR100400283B1/en
Publication of KR19980029719A publication Critical patent/KR19980029719A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100400283B1 publication Critical patent/KR100400283B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE: An illumination method used in lithography processing is provided to be capable of minimizing the reduction of light intensity generated at pattern boundary of a dummy diffraction layer. CONSTITUTION: A dummy diffraction mask including a dummy diffraction pattern(30) is mounted on a reticle blind(41), so that phase formed by the dummy diffraction pattern(30) is illuminated in a transparent substrate with a chrome pattern. At this time, the reticle blind(41) is formed between a fly eye lens(40) and a zoom lens(43). Also, the dummy diffraction pattern(30) is provided with a plurality of grooves.

Description

리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법Illumination method used in lithography process

본 발명은 반도체 소자의 리소그라피 공정에 이용되는 조명방법에 관한것으로, 더미 디프렉션(Dummy Diffraction) 마스크에서 더미 디프렉션 층과 크롬 마스크 간의 간격을 최소화하여 덤 디프렉션 패턴의 경계부에서 빛의 세기가 감소되는 것을 최소화할 수 있는 조명 방법에 관한것이다.The present invention relates to an illumination method used in a lithography process of a semiconductor device, in which the distance between a dummy diffusion layer and a chromium mask is minimized in a dummy diffusion mask, To a lighting method capable of minimizing illumination.

반도체 리소그라피 공정에서 공정 마진을 증대시키기 위한 조명 방법에 더미 디프렉션 마스크 이용하는 방법이 있다.There is a method of using a dummy diffusion mask in an illumination method for increasing a process margin in a semiconductor lithography process.

도1은 크롬 패턴(2)이 구비된 투명 기판(1)의 후면에 위상이 시프트되도록 홈(3)으로 이루어진 더미 디프렉션 패턴이 구비된 더미 디프렉션 마스크를 도시한 것이다.1 shows a dummy de-refection mask provided with a dummy deflection pattern consisting of grooves 3 so that the rear surface of the transparent substrate 1 provided with the chrome pattern 2 is shifted in phase.

투명 기판상에 크롬 패턴만 구비된 크롬 마스크를 사용하여 변형조명을 꾸미는 조명 방법은 도2에 도시된 바와같이 광축에서 벗어난 유효 소오스(10)로 부터 집속 렌즈(11)를 통해 크롬 마스크(12)를 통해 스테퍼 렌즈의 엔트란스 푸필(Entrance Pupil)에 유효소스와 동일한 이미지(13)를 얻는 방식이다.The illumination method using the chrome mask having only the chrome pattern on the transparent substrate is performed by using the chrome mask 12 through the focusing lens 11 from the effective source 10 deviated from the optical axis as shown in FIG. To obtain an image 13 identical to an effective source to an Entrance Pupil of a stepper lens.

그러나, 더미 디프렉션 마스크를 사용하는 조명 방법은 도3에 도시된 바와같이 유효 소오스(20)로 부터 접속 렌즈(21)를 통해 더미 디프렉션 층과 크롬 마스크에 구비된 더미 디프렉션 마스크(22)를 통해 오프 축 조명과 같은 이미지(23)를 얻는 방식이다.However, the illumination method using the dummy modification mask uses a dummy modification mask 22 provided on the dummy diffusion layer and the chromium mask from the effective source 20 through the connection lens 21 as shown in Fig. 3, To obtain an image 23 such as off-axis illumination.

더미 디프렉션 마스크를 공정에 적용 할때 문제가 되는 것은 더미 디프렉션 마스크와 크롬 마스크와의 거리 즉 투명 기판의 두께가 커서 더미 디프렉션 패턴의 에지 에서 광세기 드롭(Drop)이 발생되는 문제가 있다.A problem in applying the dummy modification mask to the process is that the distance between the dummy modification mask and the chrome mask, that is, the thickness of the transparent substrate, is large, resulting in a drop in light intensity at the edge of the dummy modification pattern .

참고로, 더미 디프렉션 패턴의 경계에서 광 세기가 저하되는 폭(△W)은 √λD 에 비례한다. 여기서 λ는 광원 파장, D는 더미 디프렉션 마스크의 투명 기판 두께이다.For reference, the width (? W) at which the light intensity decreases at the boundary of the dummy deflection pattern is proportional to? D. Where? Is the wavelength of the light source, and D is the thickness of the transparent substrate of the dummy deflection mask.

그러나, 투명 기판의 두께를 줄이는데는 한계가 있다.However, there is a limit in reducing the thickness of the transparent substrate.

본 발명은 상기와 같이 더미 디프렉션 마스크를 이용 할때 더미 디프렉션 패턴을 통과하는 광의 광세기가 저하되는 폭을 작게하기 위하여 별도로 제작된 투명 기판에 더미 디프렉션 패턴이 구비된 마스크를 레티클 블라인더의 위치에 장치하여 노광공정을 실시하는 조명 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.In order to reduce the width at which the light intensity of the light passing through the dummy deflection pattern decreases when using the dummy reflection mask as described above, a mask provided with a dummy deflection pattern on a separately prepared transparent substrate is used as a mask So that the exposure process is performed.

도 1은 크롬 패턴이 구비된 투명 기판의 후면에 위상이 시프트 되도록 홈을 구비한 더미 디프렉션 마스크를 도시한 것이다.FIG. 1 shows a dummy diffusion mask having grooves for shifting the phase to the rear surface of a transparent substrate provided with a chrome pattern.

도2는 투명 기판상에 크롬 패턴만 구비된 일반적인 마스크에서 변형조명을 사용하는 조명 방법을 도시한 것이다.Fig. 2 shows a lighting method using deformation illumination in a general mask with only a chrome pattern on a transparent substrate.

도3은 도1에 구비된 더미 디프렉션 마스크를 사용하는 조명 방법을 도시한 것이다.FIG. 3 illustrates a lighting method using the dummy diffusion mask provided in FIG.

도4는 투명 기판 상부면에 위상이 시프트 되도록 다수의 홈을 구비한 더미 디프렉션 층을 도시한 것이다.FIG. 4 illustrates a dummy diffusion layer having a plurality of grooves such that the phase shifts to the upper surface of the transparent substrate.

도5는 본 발명에 의해 제조되는 더미 더프렉션 층을 조명 장치에 장착하여 크롬이 구비된 투명기판 내(크롬 패턴 바로 위)에 더미 디프렉션 상이 맺히는 것을 도시한 것이다.FIG. 5 shows a dummy depletion layer formed in a transparent substrate provided with chromium (immediately above a chromium pattern) by mounting a dummy duplication layer produced by the present invention in a lighting apparatus.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

1,31 : 투명기판 2,31 : 크롬 패턴1, 31: transparent substrate 2, 31: chrome pattern

10,20 : 유효 소오스 11,21 : 집속 렌즈10,20: Effective source 11,21: Focusing lens

13 : 크롬 마스크 22 : 더미 디프렉션 마스크13: Chrome mask 22: Dummy variation mask

13,23 : 이미지 30 : 더미 디프렉션 패턴13,23: Image 30: Dummy Diffraction Pattern

40 : 파리 눈 렌즈 41 : 레티클 블라인더40: Paris eye lens 41: Reticle blind

43 : 줌 렌즈 44 : 집속 렌즈43: Zoom lens 44: Focusing lens

45 : 크롬 마스크45: Chrome mask

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 리소그라피 공정의 조명 방법에 있어서,According to an aspect of the present invention, there is provided an illumination method for a lithography process,

투명 기판 상에 다수의 위상이 시프트 되도록 홈이 구비되는 디프렉션 패턴이 구비된 마스크를 레티클 블라인더가 있는 면에 장착시켜서 상기 더미 디프렉션마스크에 의해 형성되는 더미 디프렉션 패턴의 상이 크롬 패턴이 구비된 투명 기판의 내부에 맺히도록 하는 것이다.A mask provided with a deflection pattern having grooves so that a plurality of phases are shifted on a transparent substrate is mounted on a surface of the reticle blinder so that the phase of the dummy deflection pattern formed by the dummy deflection mask So as to be formed inside the transparent substrate.

본 발명은 더미 디프렉션 패턴을 크롬 패턴이 구비된 투명 기판의 상부면에 형성하지 않고 별도의 투명 기판에 구비한 마스크를 제조하고, 조명 방법에 의해 크롬 패턴과 인접되는 투명 기판의 내부에 상이 맺히도록 함으로써 더미 디프렉션 마스크의 경계에서 빛의 세기가 감소되는 문제를 최소화하는 것이다.The present invention is characterized in that a dummy deflection pattern is not formed on the upper surface of a transparent substrate provided with a chrome pattern but a mask provided on a separate transparent substrate is manufactured and a phase is formed inside the transparent substrate adjacent to the chrome pattern Thereby minimizing the problem of reducing the light intensity at the boundary of the dummy variation mask.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 발명의 실시예에 의해 제조되는 마스크와 조명 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a mask and an illumination method according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도4는 본 발명의 실시예에 의해 투명 기판에 다수의 홈으로 이루어지는 더미 디프렉션 패턴이 구비된 더미 디프렉션 마스크(30)를 도시한 도면이다.FIG. 4 is a view showing a dummy modification mask 30 provided with a dummy diffusion pattern composed of a plurality of grooves in a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.

도5는 본 발명의 조명 방법에 의해 제작된 더미 디프렉션 마스크를 레티클 블라인더가 있는 면에 장착시키고, 상기 더미 디프렉션 마스크에 의해 형성되는 상이 크롬 패턴이 구비된 투명기판의 내부에 형성 되도록 하는 것을 도시한 것으로, 파리 눈 렌즈(Fly Eye Lens, 40)를 통해 전달되는 광이 레티클 블라인더(41)의 위치에 장착된 더미 디프렉션 패턴(30)을 통과하게 되고 더미 디프렉션 패턴과 접속렌즈(44) 사이에 줌렌즈를 장착하여 더미 디프렉션 패턴의 상이 집속렌즈(44)를 통해 크롬 패턴이 구비된 투명 기판(45)의 내부에 맺히게 된다.Fig. 5 is a schematic view of a method of mounting a dummy reflection mask produced by the illumination method of the present invention on a surface of a reticle blind and forming a phase formed by the dummy reflection mask inside a transparent substrate provided with a chrome pattern The light transmitted through the fly eye lens 40 passes through the dummy deflection pattern 30 mounted at the position of the reticle blind 41 and the dummy deflection pattern and the connection lens 44 And the image of the dummy depletion pattern is formed on the inside of the transparent substrate 45 provided with the chrome pattern through the focusing lens 44.

참고로, 상기 더미 디프렉션 패턴(30)의 위치 이동이나 전후에 있는 렌즈의 이동은 가능하며 그로인해 더미 디프렉션 패턴에 의해 투명 기판의 내부에 맺히는 상의 위치를 크롬 패턴에 인접되도록 조절할 수가 있다.For reference, the position of the dummy deflection pattern 30 and the movement of the lens before and after the dummy deflection pattern 30 can be adjusted so that the position of the image formed inside the transparent substrate can be adjusted to be adjacent to the chrome pattern by the dummy deflection pattern.

이와같이 더미 디프렉션 패턴의 상이 크롬 패턴에 인접되는 투명 기판에 맺히도록 함에 따라 더미 디프렉션 마스크를 통과할때 패턴의 경계에서 빛의 세기가 감소되는 폭을 최소화 할 수가 있는 것이다.As such, when the image of the dummy deflection pattern is formed on the transparent substrate adjacent to the chrome pattern, the width at which the intensity of the light is reduced at the boundary of the pattern when passing through the dummy reflection mask can be minimized.

본 발명은 더미 디프렉션 마스크 층을 크롬 패턴이 구비된 투명 기판의 상부면에 형성하지 않고 별도의 투명 기판에 구비한 다음, 조명 방법에 의해 크롬 패턴과 인접되는 투명 기판의 내부에 상이 맺히도록 할 수 있다. 투명기판의 내부에 맺히는 더미 디프렉션 패턴의 상은 투명기판의 상부에 구비된 더미 디프렉션 패턴과 동일기능을 하는 동시에 크롬 패턴간 더미 디프렉션 패턴 간의 간격을 최소화시킴으로써 더미 디프렉션 패턴의 경계에서 빛의 세기가 감소되는 폭을 최소화 할수가 있다.The present invention is characterized in that a dummy reflection mask layer is formed on a separate transparent substrate instead of being formed on the upper surface of the transparent substrate provided with the chrome pattern and then a phase is formed inside the transparent substrate adjacent to the chrome pattern by the illumination method . The image of the dummy deflection pattern formed inside the transparent substrate has the same function as the dummy deflection pattern provided on the top of the transparent substrate and minimizes the interval between the dummy deflection patterns between the chrome patterns, The width at which the intensity decreases can be minimized.

그로인해 고집적 반도체 소자에서 미세 크기의 패턴 형성이 가능하게 된다.Thus, it becomes possible to form a fine size pattern in a highly integrated semiconductor device.

Claims (4)

리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법에 있어서,In an illumination method used in a lithography process, 투명 기판 상에 다수의 위상이 시프트 되도록 디프렉션 패턴이 구비된 더미 디프렉션 마스크를 레티클 블라인더가 있는 면에 장착시켜 상기 더미 디프렉션 패턴에 의해 형성되는 상이 크롬 패턴이 구비된 투명 기판의 내부에 맺히도록 하는 것을 특징으로 리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법.A dummy modification mask provided with a deflection pattern such that a plurality of phases are shifted on a transparent substrate is mounted on a surface of the reticle blinder so that an image formed by the dummy diffraction pattern is formed in a transparent substrate provided with a chrome pattern Wherein the light source is a light source. 상기 제1항에 있어서, 상기 더미 디프렉션 패턴과 크롬 마스크의 전후에 있는 렌즈를 이동시켜 상기 크롬 패턴이 구비된 투명 기판에서 상기 크롬 패턴에 인접되도록 더미 디프렉션 패턴의 상이 맺혀 지도록 하는 것을 특징으로 하는 리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법.2. The method of claim 1, wherein the dummy deflection pattern and the lenses before and after the chrome mask are moved to form an image of the dummy deflection pattern adjacent to the chrome pattern on the transparent substrate provided with the chrome pattern. Gt; a &lt; / RTI &gt; lithography process. 상기 제1항에 있어서, 상기 레티클 블라인더는 파리 눈 렌즈와 줌 렌즈의 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법.The illumination method according to claim 1, wherein the reticle blind is provided between a fly-eye lens and a zoom lens. 상기 제1항에 있어서, 상기 더미 디프렉션 패턴은 투명 기판의 일정 깊이를 식각하여 형성된 홈으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그라피 공정에 이용되는 조명 방법.The illumination method according to claim 1, wherein the dummy deflection pattern is a groove formed by etching a predetermined depth of a transparent substrate.
KR1019960049040A 1996-10-28 1996-10-28 Illumination method used in lithography processing KR100400283B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960049040A KR100400283B1 (en) 1996-10-28 1996-10-28 Illumination method used in lithography processing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960049040A KR100400283B1 (en) 1996-10-28 1996-10-28 Illumination method used in lithography processing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980029719A KR19980029719A (en) 1998-07-25
KR100400283B1 true KR100400283B1 (en) 2003-12-31

Family

ID=37422339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960049040A KR100400283B1 (en) 1996-10-28 1996-10-28 Illumination method used in lithography processing

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100400283B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5320918A (en) * 1992-12-31 1994-06-14 At&T Bell Laboratories Optical lithographical imaging system including optical transmission diffraction devices
JPH07283121A (en) * 1994-04-15 1995-10-27 Fujitsu Ltd Aligner
KR0135355B1 (en) * 1993-11-26 1998-04-22 가네꼬 히사시 Pronjection exposure apparatus
KR0183720B1 (en) * 1995-06-30 1999-04-01 김광호 Projection exposure apparatus using assistant mask

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5320918A (en) * 1992-12-31 1994-06-14 At&T Bell Laboratories Optical lithographical imaging system including optical transmission diffraction devices
KR0135355B1 (en) * 1993-11-26 1998-04-22 가네꼬 히사시 Pronjection exposure apparatus
JPH07283121A (en) * 1994-04-15 1995-10-27 Fujitsu Ltd Aligner
KR0183720B1 (en) * 1995-06-30 1999-04-01 김광호 Projection exposure apparatus using assistant mask

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980029719A (en) 1998-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6611316B2 (en) Method and system for dual reticle image exposure
KR970060356A (en) Pattern Forming Method, Projection Exposure Device, and Manufacturing Method of Semiconductor Device
US5935736A (en) Mask and method to eliminate side-lobe effects in attenuated phase shifting masks
GB2299411A (en) Mask for off-axis illumination
KR20010030209A (en) Exposure method and scanning exposure apparatus
KR20080049673A (en) Exposure apparatus and device fabrication method
US6917411B1 (en) Method for optimizing printing of an alternating phase shift mask having a phase shift error
JPH0722308A (en) Exposure of semiconductor element and dummy mask
JP3096841B2 (en) Photolithography method and photolithography system used therefor
KR100400283B1 (en) Illumination method used in lithography processing
KR970077115A (en) Methods and Systems for Enhanced Optical Imaging of Microlithography
JP2000031028A (en) Exposure method and exposure apparatus
KR100551206B1 (en) Lithographic projection apparatus
GB9515230D0 (en) Method of manufacturing a photo mask for manufacturing a semiconductor device
US6897943B2 (en) Method and apparatus for aerial image improvement in projection lithography using a phase shifting aperture
JP2894922B2 (en) Projection exposure method and apparatus
JPH06204114A (en) Lighting system and projection aligner using same
KR0146399B1 (en) Semiconductor pattern forming method
KR0183706B1 (en) Projection exposure method, the mask thereof
JP7446068B2 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
KR970004421B1 (en) Photolithography apparatus in semiconductor
JPH06161092A (en) Mask for exposure
JPH09138497A (en) Resist exposure method and exposure mask
KR0144940B1 (en) Projection exposure method and mask used therein
KR0134583Y1 (en) Piezoelectric device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100825

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee