KR0144940B1 - Projection exposure method and mask used therein - Google Patents
Projection exposure method and mask used thereinInfo
- Publication number
- KR0144940B1 KR0144940B1 KR1019940030040A KR19940030040A KR0144940B1 KR 0144940 B1 KR0144940 B1 KR 0144940B1 KR 1019940030040 A KR1019940030040 A KR 1019940030040A KR 19940030040 A KR19940030040 A KR 19940030040A KR 0144940 B1 KR0144940 B1 KR 0144940B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- light
- refractive index
- substrate
- diffracted light
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
마스크의 차광 패턴층사이에서 발생하는 회절광의 회절각도를 줄여서 해상도를 높이는 투영 노광 방법, 이에 사용되는 마스크를 개시한다. 본 발명은 마스크를 이용한 노광 대상물의 투영 노광 방법에 있어서, 상기 마스크의 차광 패턴층 사이의 기판 내부에 굴절율 조절렌즈를 형성하여 광원으로부터 조사되고 상기 마스크를 통과한 회절광의 회절각돌르 줄이는 단계; 및 상기 회절광을 이용하여 상기 노광 대상물을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법을 제공한다. 따라서 본 발명은 투영 광학계로 입사하는 회절광의 회절각도를 줄여 웨이퍼에 이미지를 형성하는 광의 정보량을 크게 하기 때문에 해상도를 향상시킬수 있다.Disclosed are a projection exposure method for reducing the diffraction angle of diffracted light generated between light shielding pattern layers of a mask to increase resolution, and a mask used therefor. The present invention provides a projection exposure method using a mask, the method comprising: forming a refractive index adjusting lens inside a substrate between light blocking pattern layers of the mask to reduce diffraction angles of diffracted light emitted from a light source and passing through the mask; And exposing the exposure object using the diffracted light. Therefore, the present invention can improve the resolution because the information amount of light forming the image on the wafer is increased by reducing the diffraction angle of the diffracted light incident on the projection optical system.
Description
제1도는 종래의 투영 노광 방법의 노장 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining a lamination method of a conventional projection exposure method.
제2도 본 발명에 의한 해상도 개선 마스크의 일례를 사용한 투영 노광 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.2 is a diagram for explaining a projection exposure method using an example of a resolution improving mask according to the present invention.
제3도는 본 발명에 의하여 굴절율 조절렌즈를 포함하는 해상도 개선 마스크의 회절광의 회절 각도를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.FIG. 3 is a diagram for explaining the diffraction angle of diffracted light of a resolution improving mask including a refractive index adjusting lens according to the present invention.
제4a도 내지 제4d도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 해상도 개선 마스크의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.4A to 4D are views for explaining a method of manufacturing a resolution improving mask according to a first embodiment of the present invention.
본 발명은 리소그래피(Lithography)기술에 관한 것으로, 특히 마스크의 차광 패턴층 사이에서 발생하는 회절광의 회절각도를 줄여서 해상도를 높이는 투영 노광 방법 및 이에 사용되는 마스크에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to lithography technology, and more particularly, to a projection exposure method for increasing resolution by reducing the diffraction angle of diffracted light generated between light shielding pattern layers of a mask and a mask used therein.
일반적으로 반도체 장치의 각종 패턴은 포토 리소그래피 기술에 의하여 형성된다는 것은 널리 알려져 있다. 상기 포토 리소그래피 기술에 의하면, 반도체 웨이퍼상의 절연막이나 도전막등, 패턴을 형성하여야 할 막위에 X선이나 자외선등과 같은 광선의 조사에 의해 용해도가 변화하는 감광막을 형성하고, 이 감광막의 소정 부위를 노광시킨 후, 현상액에 대하여 용해도가 큰 부분을 제거하여 감광막 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 형성하여야 할 막의 노출된 부분을 에칭에 의해 제거하여 배선이나 적극등 각종 패턴을 형성한다.It is generally known that various patterns of semiconductor devices are formed by photolithography techniques. According to the photolithography technique, a photosensitive film whose solubility is changed by irradiation with light such as X-rays or ultraviolet rays is formed on an insulating film, a conductive film or the like on a semiconductor wafer to form a pattern, and a predetermined portion of the photosensitive film is formed. After exposure, a portion having a high solubility is removed from the developer to form a photosensitive film pattern, and an exposed portion of the film which should form the pattern is removed by etching to form various patterns such as wiring and positive electrode.
그리고 상술한 노광에 사용되는 노장 장치는 상기 패턴형성에 중요한 장치로서, 노광 방식에 따라 밀착(Contact) 노광 방식, 근사(Proximity) 노광 방식, 반사식 투영 노광 방식, 축소 투영 노광 방식등이 있다. 상기 노광 장치 가운데 축소 투영 노광 방식은 미국의 GCA사, 일본의 NIKON사 및 일본의 CANNON사로부터 발매되고 있는 스테퍼(Stepper)가 주종을 이루고 있으며, 최근에 가장 높은 해상도의 패턴 형성이 가능하여 널리 사용되고 있다.The apparatus for exposing the above-described exposure is an important apparatus for forming the pattern, and there are a contact exposure method, a proximity exposure method, a reflective projection exposure method, a reduced projection exposure method, and the like depending on the exposure method. Among the exposure apparatuses, a reduced projection exposure method is mainly used by steppers released by GCA in USA, NIKON in Japan, and CANNON in Japan, and has been widely used since it is possible to form a pattern with the highest resolution in recent years. have.
한편 반도체 집적회로의 고집적화가 거듭됨에 따라 요구되는 최소 가공 크기는 미세화되고 있으며, 이의 실현을 위하여 노장장비의 광원은 i라인 파장(0.365㎛)에서 Deep UV(0.248㎛)으로 단파장화 되고 있다. 일례로 256Mega DRAM의 경우 요구되는 최소 가공크기는 약 0.25㎛정도이며, 이는 KrF 엑시머 레이저를 광원으로 사용하는 스테퍼 장비의 노광 파장과 거의 같은 수준이다. 이 경우 마스크에 의한 입사광의 회절 및 간섭현상으로 인하여 웨이퍼상의 포토레지스트 패턴은 심하게 변형되며 특히 노광 광원의 파장과 비슷한 크기의 미세 패턴은 더욱더 심한 변형을 일으킨다. 이러한 문제를 해결하고자 위상반전 마스크, 하프톤형 위상반전 마스크등의 제안되었으나 근본적으로 주어진 광원에서 최소 가공 크기의 미세화에 따른 회절현상(회절각)을 줄일수 있는 대책이 되지 못한다.On the other hand, as high integration of semiconductor integrated circuits is required, the minimum processing size required is miniaturized, and in order to realize this, the light source of the old equipment is shortened to deep UV (0.248 μm) at an i-line wavelength (0.365 μm). For example, the minimum processing size required for 256 Mega DRAM is about 0.25 µm, which is about the same as the exposure wavelength of stepper equipment using KrF excimer laser as a light source. In this case, the photoresist pattern on the wafer is severely deformed due to the diffraction and interference of incident light by the mask, and in particular, a fine pattern of a size similar to that of an exposure light source causes even more severe deformation. In order to solve this problem, a phase inversion mask and a halftone phase inversion mask have been proposed, but fundamentally, a countermeasure for reducing the diffraction phenomenon (diffraction angle) due to the miniaturization of the minimum processing size in a given light source is not possible.
제1도는 종래의 투영 노광 방법의 노광 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining an exposure method of a conventional projection exposure method.
종래의 투영 노광 방법에 있어서는, 광원에서 조사된 광(1)은 마스크(3)를 통과하고 투영광학계(5: 투영계 렌즈)를 거쳐 웨이퍼(7)에 상을 맺게 된다. 상기 조사된 광(1)은 투명한 기판(9)에 형성된 차광 패턴층(11)사이의 투과영역을 지날 때 회절 현상(회절광)이 일어나며, 회절각은 광원의 파장에 비례하고 투과영역의 크기에 반비례한다.In the conventional projection exposure method, the light 1 irradiated from the light source passes through the mask 3 and forms an image on the wafer 7 via the projection optical system 5: the projection system lens. When the irradiated light 1 passes through the transmission region between the light shielding pattern layers 11 formed on the transparent substrate 9, diffraction phenomenon (diffraction light) occurs, and the diffraction angle is proportional to the wavelength of the light source and the size of the transmission region. Inversely proportional to
그런데, 마스크(3)를 통과한 회절광(13)은 스테퍼 장비내의 투영계 렌지(5)로 집속되는데 투영계 렌즈(5)의 유한한 개구수(Numerical Aperature)로 인하여 투영계 렌즈(5)의 주변으로 회절광(13)의 일부가 집속되지 못한채 웨이퍼상에 조명된다. 이때 제외된 광속들은 공간 주파수 분포상 고주파수 영역(15)에 해당되어 결과적으로는 스테퍼의 투영계 렌즈는 저주파수 필터의 역할을 하게된다. 따라서 웨이퍼 상에 조명된 회절광(13)은 고주파수 요소가 배재된 가운데 패턴이 형성되므로 패턴의 변형 또는 일그러짐이 생기게 된다. 이러한 변형은 스테퍼의 투영계 렌즈의 개구수가 1일때는 피할 수 있으나, 실제로는 개구수를 높이는데 한계가 있다.By the way, the diffracted light 13 which has passed through the mask 3 is focused on the projection system range 5 in the stepper equipment, and the projection system lens 5 is caused by the finite numerical aperture of the projection system lens 5. A portion of the diffracted light 13 is illuminated on the wafer without focusing around. At this time, the excluded luminous fluxes correspond to the high frequency region 15 in the spatial frequency distribution, and as a result, the projection lens of the stepper serves as a low frequency filter. Accordingly, the diffracted light 13 illuminated on the wafer has a pattern formed in the center of the high frequency element, so that the pattern is deformed or distorted. This deformation can be avoided when the numerical aperture of the projection system lens of the stepper is 1, but there is a limit in actually increasing the numerical aperture.
이상의 종래기술에 의한 투영 노광방법은 회절각(θ)이 커서 웨이퍼에 전달되는 광속의 고주파수 요소가 배제되어 해상도를 향상시키는데 문제점이 있다.The projection exposure method according to the related art has a problem in that the high diffraction angle θ is large and the high frequency component of the light beam transmitted to the wafer is excluded, thereby improving the resolution.
따라서 본 발명의 제1의 목적은 상술한 해상도를 높이기 위하여, 회절각을 줄여서 상대적으로 렌즈 개구수의 상승효과를 얻을 수 있는 신규한 해상도 개선 마스크를 사용한 새로운 투영 노광 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a novel projection exposure method using a novel resolution enhancement mask which can obtain a synergistic effect of the lens numerical aperture by reducing the diffraction angle in order to increase the above-mentioned resolution.
또한 본 발명의 제2의 목적은 상기 투영 노광방법에 사용되는 해상도 개선 마스크를 제공하는 것이다.It is also a second object of the present invention to provide a resolution improving mask used in the projection exposure method.
상기 제1의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 마스크를 이용한 노광 대상물의 투영 노광 방법에 있어서, 마스크를 이용한 노광 대상물의 투영 노광 방법에 있어서, 상기 마스크의 차광 패턴층 사이의 기판 내부에 굴절을 조절렌즈를 형성하여 광원으로부터 조사되어 상기 마스크를 통과하는 회절광의 회절각도를 줄이는 단계; 및 상기 회절광을 이요하여 상기 노광 대상물을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법을 제공한다.In order to achieve the said 1st objective, this invention is a projection exposure method of the exposure object using a mask, The projection exposure method of the exposure object using a mask WHEREIN: Refraction is made in the board | substrate between the light shielding pattern layers of the said mask. Forming an adjusting lens to reduce a diffraction angle of diffracted light emitted from the light source and passing through the mask; And exposing the exposure object by utilizing the diffracted light.
상기 제2의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 투명한 기판; 및 상기 기판에 규칙적으로 형성되어 광 경로상의 회절광의 회절각도를 줄이는 굴절율 조절렌즈를 포함한는 것을 특징으로 하는 마스크를 제공한다.In order to achieve the second object, the present invention is a transparent substrate; And a refractive index adjusting lens formed on the substrate regularly to reduce the diffraction angle of the diffracted light on the optical path.
상기 굴절율 조절렌즈는 마스크의 노광영역을 한정하는 차광 패턴층 사이의 기판 내부에 규칙적으로 형성된다. 또한, 상기 굴절율 조절렌즈는 볼록렌즈 구조의 원통형으로 형성할 수 있다.The refractive index adjusting lens is regularly formed in the substrate between the light shielding pattern layers defining the exposure area of the mask. In addition, the refractive index adjusting lens may be formed in a cylindrical shape of a convex lens structure.
또한, 본 발명의 제2의 목적을 달성하기 위한 구체적인 유형의 마스크는, 투명한 기판: 상기 기판상에 노광영역을 한정하기 위해 형성한 차광 패턴층; 및 상기 차광 패턴층 사이의 기판 내부에 형성되고, 볼록렌즈 형태의 원통형 구조로 굴절율 조절렌즈를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크를 제공한다.In addition, a specific type of mask for achieving the second object of the present invention, a transparent substrate: a light shielding pattern layer formed to define an exposure area on the substrate; And a refractive index adjusting lens formed in the substrate between the light shielding pattern layers and having a cylindrical structure in the form of a convex lens.
본 발명에 따라 해상도 개선 마스크를 사용할 투영 노광방법은 마스크를 통과하는 회절광의 회절각도를 줄여 해상도를 향상시킬 수 있다.The projection exposure method using the resolution enhancement mask according to the present invention can improve the resolution by reducing the diffraction angle of the diffracted light passing through the mask.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.
제2도는 본 발명에 의한 해상도 개선 마스크의 일례를 사용한 투명 노광 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.2 is a diagram for explaining a transparent exposure method using an example of a resolution-improving mask according to the present invention.
제2도에서, 광원(도시 안됨)으로부터 조사된 광(10)은 마스크로 입사되며, 입사한 광(10)은 투명한 기판(90)에 형성된 차광 패턴층(110)사이의 투과영역을 지날 때 회절(회절광)이 일어나며 투영 광학계(50: 투영계 렌즈)를 거쳐 웨이퍼(70)에 상을 맺게 된다.In FIG. 2, when light 10 irradiated from a light source (not shown) is incident with a mask, the incident light 10 passes through a transmission region between light shielding pattern layers 110 formed on a transparent substrate 90. Diffraction (diffraction light) occurs and forms an image on the wafer 70 via a projection optical system 50 (projection lens).
그런데 본 발명의 해상도 개선 마스크(30)을 통과한 회절광(130)은 스테퍼 장비내의 투영계 렌즈(50)로 집속될 때, 투광영역에 형성된 굴절율 조절렌즈(170)로 인하여 회절각(θ2)이 종래 마스크에 의한 회절광(150)의 회절각(θ1)보다 작아 투영계 렌즈(50)의 주변으로 회절광(150)의 고주파수 요소가 집속되지 못하는 종래기술의 문제점을 해결할 수 있다. 따라서 웨이퍼(70)상에 조명된 회절광(130)은 고주파수 요소를 포함하기 때문에 패턴의 변형 또는 일그러짐을 억제시킬 수 있다.However, when the diffracted light 130 passing through the resolution improving mask 30 is focused onto the projection lens 50 in the stepper device, the diffraction angle θ2 is due to the refractive index adjusting lens 170 formed in the light transmitting area. The problem of the prior art in which the high frequency component of the diffracted light 150 is not focused around the projection system lens 50 is smaller than the diffraction angle θ1 of the diffracted light 150 by the conventional mask. Accordingly, since the diffracted light 130 illuminated on the wafer 70 includes high frequency components, the deformation or distortion of the pattern can be suppressed.
여기서, 상기 제2도에 도시한 본 발명의 해상도 개선 마스크에 의한 회절광의 회절각도를 설명한다.Here, the diffraction angle of the diffracted light by the resolution improving mask of the present invention shown in FIG. 2 will be described.
제3도는 본 발명에 의하여 굴절율 조절렌즈를 포함하는 해상도 개선 마스크의 회절광의 회절 각도를 설명하기 위하여 도시한 도면이다.FIG. 3 is a diagram for explaining the diffraction angle of diffracted light of a resolution improving mask including a refractive index adjusting lens according to the present invention.
먼저, 본 발명에 의한 해상도 개선 마스크는 제3도에 도시한 바와 같이 유리도 이루어진 투명한 기파(90)과 상기 기판(90)상에 차광 패턴층(110)이 형성되어 있으며, 상기 차광 패턴층(110)의 사이에 불순물의 주입에 의하여 형성된 굴절율 조절렌즈(230)가 마련된 구조로 되어 있다.First, in the resolution improving mask according to the present invention, as shown in FIG. 3, a transparent wave wave 90 made of glass and a light shielding pattern layer 110 are formed on the substrate 90. The refractive index adjusting lens 230 formed by implantation of impurities is formed between the 110.
다음에, 상기 본 발명에 의한 해상도 개선 마스크의 회절광의 회절 각도를 설명한다.Next, the diffraction angle of the diffracted light of the resolution improvement mask by the said invention is demonstrated.
일반적으로, 유리로 이루어진 기판(90)의 굴절율은 불순물 주입에 의하여 커질 수 있다는 것이 잘 알려져 있다. 따라서 마스크이 광투과영역에 형성된 불순물 영역(230, 굴절율 조절렌즈)으로써 굴절율을 높일 경우 인접한 비투과 영역과의 굴절율 차이에 의하여 불순물 영역(230)은 굴절율 조절 렌지 역할을 하게 된다. 따라서, 상기 제3도에 도시한 바와 같이, 본 발명의 회절광의 회절각도의 감소는 광속의 굴절율이 다른 매질을 통과할 때 일어나는 굴저로써 설명할 수 있다. 즉 마스크로 조사된 광(10)은 기파(90)의 표면 부위를 통과할 대 회절이 된 수 불순물 영역(230)을 통과하고, 이 불분물 영역(230)은 통상의 유리기판(90)보다 굴절율이 크므로 불순물영역(230)과 유리 기판(90)과의 경계면을 광속(210)이 지날 때 굴절을 일으킨다. 이때 스넬의 법칙에 의해 투과각(θ4)은 입사각(θ3)보다 커지므로 실제로 불순물 영역(230)은 굴절율 조절 렌즈 역할을 하게 된다. 따라서 제3도에 도시한 바와 같이 본 발명에 의한 회절광의 회절각은 종래기술에 의한 회절광(190)의 회절각보다 줄어드는 효과를 얻을 수 있다.In general, it is well known that the refractive index of the substrate 90 made of glass can be increased by impurity implantation. Therefore, when the mask increases the refractive index with the impurity region 230 (refractive index adjusting lens) formed in the light transmissive region, the impurity region 230 serves as a refractive index adjusting range due to a difference in refractive index between adjacent non-transmissive regions. Thus, as shown in FIG. 3, the reduction in the diffraction angle of the diffracted light of the present invention can be explained by the depression that occurs when the refractive index of the light beam passes through different media. That is, the light 10 irradiated with the mask passes through the water impurity region 230 which is diffracted when passing through the surface portion of the wave 90, and the impurity region 230 is larger than that of the conventional glass substrate 90. Since the refractive index is large, refractive is caused when the light beam 210 passes through the interface between the impurity region 230 and the glass substrate 90. At this time, since the transmission angle θ 4 is larger than the incident angle θ 3 by Snell's law, the impurity region 230 actually serves as a refractive index adjusting lens. Therefore, as shown in FIG. 3, the diffraction angle of the diffracted light according to the present invention can be obtained to be smaller than the diffraction angle of the diffracted light 190 according to the prior art.
이하 본 발명의 투영 노광 방법에 사용한 해상도 개선 마스크의 개조방법을 하기 실기예로써 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the remodeling method of the resolution improving mask used for the projection exposure method of the present invention will be described in detail with the following practical examples.
[실시예1]Example 1
제4a도 내지 제4d도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 해상도 개선 마스크의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.4A to 4D are views for explaining a method of manufacturing a resolution improving mask according to a first embodiment of the present invention.
제4a도는 투명한 기판(300)상에 차광층(310) 및 포토레지스트 패턴(330)을 형성하는 단계를 나타낸다.FIG. 4A illustrates forming the light blocking layer 310 and the photoresist pattern 330 on the transparent substrate 300.
제4a도에서, 유리와 같은 투명한 기판(300)상에 크롬(Cr)등과 같은 물질로 약 1000Å정도로 차광층(310)을 형성한다. 이어서, 상기 차광층(110)에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하여 포토레지스트 패턴(330)을 형성한다.In FIG. 4A, the light shielding layer 310 is formed on a transparent substrate 300 such as glass by using a material such as chromium (Cr) or the like. Subsequently, a photoresist is applied to the light blocking layer 110 and then patterned to form a photoresist pattern 330.
제4b도는 상기 차광 패턴층을 형성하는 단계를 나타낸다.4B illustrates forming the light shielding pattern layer.
제4b도에서, 상기 포토레지스트 패턴(330)을 식각 마스크로하여 상기 차광층(310)을 식각하여 차광 패턴층(310a)을 형성한다.In FIG. 4B, the light blocking layer 310 is etched using the photoresist pattern 330 as an etching mask to form the light blocking pattern layer 310a.
제4c도에서, 상기 차광 패턴층(310a)에 의해 노출된 기판(300)에 상기 포토레지스트 패턴(330)을 마스크로 하여 통상의 불순물(35), 예컨대 보론(B), 인(P) 또는 비소(As)를 주입함으로써 불순물영역(370)을 형성한다. 상기 불순물 영역(370)은 굴절율 조절렌즈로 사용되며, 차광 패턴층(310a) 사이의 기판내에 형성된다.In FIG. 4C, a typical impurity 35 such as boron (B), phosphorus (P), or the like is formed using the photoresist pattern 330 as a mask on the substrate 300 exposed by the light shielding pattern layer 310a. The impurity region 370 is formed by implanting arsenic As. The impurity region 370 is used as a refractive index adjusting lens and is formed in a substrate between the light blocking pattern layers 310a.
제4d도는 포토레지스트 패턴(330)을 제거하는 단계를 나타낸다/4d illustrates removing the photoresist pattern 330
제4d도에서, 상기 차광층(310)의 식각마스크 및 불순물 주입 마스크로 사용되었던 포토레지스트 패턴(330)을 제거하여 본 발명의 제1실시예에 의한 해상도 개선 마스크를 완성한다.In FIG. 4D, the resolution improvement mask according to the first embodiment of the present invention is completed by removing the photoresist pattern 330 used as an etch mask and an impurity implantation mask of the light blocking layer 310.
실시예2Example 2
먼저, 본 발명의 제2 실시예는 먼저 상기 제1 실시예의 제4a도 및 제4b도의 단계를 동일하게 실시한다.First, the second embodiment of the present invention first performs the steps of FIGS. 4A and 4B of the first embodiment in the same manner.
다음에, 상기 제1 실시예와는 다르게 차광층(310)의 식각마스크에 사용되었던 포토레지스트 패턴을 제거한다. 이어서, 상기 차광 패턴층(310a)을 마스크로 하여 통상의 불순물, 예컨대 보로(B), 인(P) 또는 비소(As)를 주입하여 상기 제4d도에 도시한 바와 같은 본 발명의 제2 실시예에 의한 해상도 개선 마스크를 완성한다.Next, unlike the first embodiment, the photoresist pattern used for the etching mask of the light blocking layer 310 is removed. Next, a second embodiment of the present invention as shown in FIG. 4D is performed by implanting ordinary impurities such as boro (B), phosphorus (P) or arsenic (As) using the light shielding pattern layer 310a as a mask. The resolution improvement mask by an example is completed.
이상의 본 발명의 투영 노광 방법에 사용되는 해상도 개선 마스크는 광원으로부터 입사되는 광이 마스크를 통과하면서 마스크의 차광 패턴층 사이에서 회절광이 발생하때, 상기 차광 패턴층 사이의 기판내에 굴절율 조절렌즈를 형성함으로써 광학 투영계로 입사하는 회절광의 회절각도를 줄여 해상도를 향상시킬 수 있다.The resolution improving mask used in the projection exposure method of the present invention forms a refractive index adjusting lens in the substrate between the light shielding pattern layers when diffracted light is generated between the light shielding pattern layers of the mask while the light incident from the light source passes through the mask. As a result, the diffraction angle of the diffracted light incident on the optical projection system can be reduced to improve the resolution.
이상, 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 당업자의 통상적인 지식의 범위에서 그 변형이나 개량이 가능하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated concretely, this invention is not limited to this, A deformation | transformation and improvement are possible in the range of the common knowledge of a person skilled in the art.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030040A KR0144940B1 (en) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | Projection exposure method and mask used therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940030040A KR0144940B1 (en) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | Projection exposure method and mask used therein |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960018766A KR960018766A (en) | 1996-06-17 |
| KR0144940B1 true KR0144940B1 (en) | 1998-07-01 |
Family
ID=66648503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940030040A KR0144940B1 (en) | 1994-11-16 | 1994-11-16 | Projection exposure method and mask used therein |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0144940B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020063960A (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for manufacturing mask |
-
1994
- 1994-11-16 KR KR1019940030040A patent/KR0144940B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020063960A (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for manufacturing mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960018766A (en) | 1996-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100306415B1 (en) | Photomask used for a projection exposure equipment | |
| US5863677A (en) | Aligner and patterning method using phase shift mask | |
| KR100215354B1 (en) | Pattern formation method | |
| KR100386231B1 (en) | Method for formation of semiconductor device pattern, method for designing photo mask pattern, photo mask and process for photo mask | |
| US7629087B2 (en) | Photomask, method of making a photomask and photolithography method and system using the same | |
| US5642183A (en) | Spatial filter used in a reduction-type projection printing apparatus | |
| KR100190762B1 (en) | Mask for off-axis illumination | |
| KR20030038327A (en) | Pattern forming method and method of fabricating device | |
| KR100346448B1 (en) | Exposure mask for semi-conductor device | |
| KR100399444B1 (en) | Edge reinforced phase reversal mask and its manufacturing method | |
| JPH0722308A (en) | Exposure of semiconductor element and dummy mask | |
| KR0144940B1 (en) | Projection exposure method and mask used therein | |
| US7348107B2 (en) | Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP3133618B2 (en) | Spatial filter used in reduction projection exposure apparatus | |
| JPH0815848A (en) | Photoreticle | |
| US5776638A (en) | Projection exposure method and mask employed therein | |
| KR20060135156A (en) | Photomask and exposing method using the same | |
| KR100278917B1 (en) | Method for manufacturing contact mask of semiconductor device | |
| JPH04212154A (en) | Photomask | |
| KR970004421B1 (en) | Photolithography apparatus in semiconductor | |
| KR0146399B1 (en) | Semiconductor pattern forming method | |
| KR100304499B1 (en) | Reflective mask for etching photograph and method for pattern-exposing semiconductor using the same | |
| KR940008361B1 (en) | Manufacturing method of lens type mask | |
| US7008729B2 (en) | Method for fabricating phase mask of photolithography process | |
| KR100310419B1 (en) | exposing method using phase shift mask |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100413 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |