KR100394811B1 - 고주파 회로 모듈, 필터, 듀플렉서 및 통신 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 고주파 회로 모듈은, 유전체판의 상부면에 첫번째 무전극부를 갖는 첫번째 전극층이 형성되고, 두번째 유전체판의 하부면에 상기 첫번째 무전극부에 대향하는 두번째 무전극부을 갖는 두번째 전극층, 첫번째와 두번째 전극층 사이의 중간 전극층에 의해 전기 선로가 형성되어 있다.

Description

고주파 회로 모듈, 필터, 듀플렉서 및 통신 장치 {High-frequency circuit module, filter, duplexer, and communication device}

본 발명은 마이크로파 대역과 밀리파 대역에 쓰이는 발진기, 필터, 듀플렉서(duplexer)등의 고주파 회로 모듈과 이 모듈을 사용한 통신 장치에 관한 것이다.

본 발명자들은 일본 특허공개공보 제 8-265015호에서, 유전체 기판의 양 표면상에 서로 대향하는 무전극부를 가진 전극을 형성함으로써 유전체 기판에 있어서 이들 두 무전극부 사이에 끼워진 영역과 그 주변에 TE010 모드 공진기가 형성될 수있다는 것을 개시하고 있다.

더욱이, IEICE 전자공학회의(1997년 9월)의 프로그램 C2-68, 일본 특허공개공보 제 11-214908호 및 일본 특허공개공보 제 10-145117호에서는, 상술한 TE010 모드 공진기를 사용하는 필터, 발진기 등과 같은 고주파 회로 모듈이 개시되어 있다.

상술한 종래의 TE010 모드 공진기를 사용하는 고주파 회로 모듈에 있어서, TE010 모드 공진기를 구성하는 공진기 기판을, 선로가 형성된 회로 기판의 윗면 또는 이면에 적층(stacking)함으로써, 회로 기판위의 선로들이 상술한 공진기에 결합된다.

그러나, 공진기를 구성하는 공진기 기판이 회로기판의 이면에 실장된 경우, 공진기 기판의 전극들이 판 스프링에 의해서 회로 기판의 접지 전극과 접촉하도록 배치될 수 있으며, 도전성 접착제에 의해서 접합될 수 있다. 이 경우, 온도 변동 및 시간에 따른 변화 때문에 전극간의 접촉 상태가 변화되고, 회로 기판의 선로들과 공진기 간의 결합(coupling)이 불안정하게 되어 특성의 변화를 가져올 수 있다.

더욱이, 상술한 공진기 기판이 회로기판상에 실장되는 구조에서는, 두 기판 사이에 스페 이서(spacer)를 두어야, 공진기 기판의 이면의 전극들이 회로 기판의 선로 등과 닿지 않게 된다.

회로 기판상의 선로과 상술한 공진기 기판에 형성된 공진기 간의 결합량은 회로 기판상의 선로 위치에서의 공진 모드의 자속(magnetic flux)의 크기에 비례한다. 그러나, 공진기의 상당수 공진 에너지가 공진기 기판내에 구금되어 있기 때문에, 공진기 기판과 떨어져 있는 회로 기판의 선로에서는 큰 결합량이 얻어지지 않는다. 더욱이, 결합량을 증가시키기 위해서 회로 기판 상의 선로는 공진기 중앙에 보다 근접하도록 배열되지만, 이로 인하여, 공진 모드의 전자기장(electromagnetic field)이 교란되어, Q값이 나빠지고, 원하지 않는 공진모드가 생기게 된다.

상술한 문제점을 감안하여, 본 발명의 목적은, 전극층 사이에 끼워진 유전체층으로 구성된 공진기와 선로의 결합량을 용이하게 증가시킬 수 있으며, 신뢰성이 개선되며, 스페이서 등이 필요없고, 또한 높은 Q값이 얻어져서, 원하지 않는 모드가 발생하지 않는 고주파 회로 모듈을 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은, 상술한 고주파 회로 모듈의 구성을 이용하여 발진기, 필터, 듀플렉서 및 이들을 사용한 통신 장치를 제공하는데 있다.

도 1a 및 1b는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 필터의 구조를 도시한 도이다.

도 2는 제 1 실시형태에 따른 필터의 단면도이다.

도 3은 제 2 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 분해 사시도이다.

도 4는 제 2 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 사시도이다.

도 5는 제 3 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 구조를 도시한 도이다.

도 6은 제 3 실시형태에 따라 필터로서 제공된 고주파 회로 모듈의 단면도이다.

도 7은 제 4 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 구조를 도시한 도이다.

도 8은 제 4 실시형태에 따른, 필터로서의, 고주파 회로 모듈의 단면도이다.

도 9는 제 5 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 구조를 도시한 도이다.

도 10은 제 5 실시형태에 따라 필터로서 제공된 고주파 회로 모듈의 단면도다.

도 11a, 11b 및 11c는 제 6 실시형태에 따른 듀플렉서(duplexer)의 구조를 도시한 도이다.

도 12는 제 7 실시형태에 따른 발진기의 등가회로도이다.

도 13은 제 8 실시형태에 따른 통신 장치(communication device)의 구조를 보여주는 블록도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>

1,2 ... 유전체판 11 ... 박막저항

3 ..... 첫번째 전극층 12, 13, 14, 7', 12', 13', 14' ... 전극

4 ..... 두번째 전극층 15 ... 개구부

5, 6 .. 무전극부 16 ... FET

7, 8 .. 선로 17 ... 가변 리액턴스 소자

9 ..... 베이스 S .... 관통구멍

10 .... 캡(cap)

본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈에서, 서로 대향하는 무전극부가 유전체의 사이에 끼워진 두 개의 전극층에 형성되고, 적어도 하나의 중간 전극층이 두 전극층 사이에 형성되고, 두 무전극부 사이에 끼워진 영역과 그 주변에서 생성된 공진 모드에 결합된 전기 선로가 중간 전극층에 형성된다.

이러한 구조로 인해서, 서로 대향하는 무전극부 사이에 끼워진 공진 영역에서 생성된 공진 모드와 중간 전극층의 선로가 결합된다. 선로는 강한 공진 에너지가 구금되는 공진 영역내에 있기 때문에, 높은 결합량이 실현될 수 있다.

더욱이, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈에서, 중간전극층의 일부가 노출되고, 예를 들어, 상술한 선로에 전기적으로 연결된 실장부가 모듈에 설치된다. 이러한 구조로 인해, 실장부는 용이하게 실장될 수 있고, 서로 대향하는 무전극부 사이에 끼워진 영역에 구성되는 상기 공진기와 결합하는 선로에 접속될 수 있다.

더욱이, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈에 있어서, 두 전극층 중 적어도 하나에는 중간 전극층의 전극들에 접속되는 전극이 형성될 수 있으며, 실장부는 용이하게 전극위에 배치될 수 있다. 이러한 구조로 인해, 복수의 유전체층을 포함하는 다층 기판에 특별한 가공을 할 필요가 없으며, 실장부가 기판의 일면에 실장될 수 있어 생산성이 향상된다.

더욱이, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈에 있어서, 관통구멍(through hole)은 유전체층에 형성된 적어도 두 개의 전극층을 접속할 수 있다. 이러한 방식으로, 유전체층 내부의 관통구멍 부분은 접지 전기 전위(grounded electric potential)인 두 전극층과 동일한 전기 전위를 가지게 되며, 상기 전극층 사이에서 전파되는 평행판 모드(parallel-plate modes)와 같은 스퓨리어스 모드가 억제된다.

더욱이, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈에 있어서, 두 전극층과 사이에 끼워진 두 유전체층과 중간 전극층의 래터럴 폭은 서로 다르게 할 수 있다. 이러한 구조의 특성상, 두 전극층이 서로 대향하는 영역에서의 공진기는 두 전극층 사이에 끼워진 공진영역에만 형성되므로, 평행 판 모드와 같은 스퓨리어스 모드의 주파수는 스퓨리어스 모드가 실제로 중요하지 않은 고주파수 영역으로 옮겨질 수 있다. 더욱이, 두 전극 층 중의 한 전극층과 중간 전극층 사이에 끼워진 유전체층의 폭이 좁아지기 때문에, 다른 유전체층의 노출면에의 전극 배열 및 실장부 배열은 쉬워지게 되며, 따라서 고성능화 및 다기능화가 가능해진다. 또한 트리밍(trimming)을 통해 노출면 상의 전극 패턴을 조절하는 것이 더욱 쉬워진다. 더욱이, 유전 재료의 양을 줄일 수 있어, 중량 및 비용을 줄일 수 있다.

본 발명의 발진기에 있어서, 리플렉터 증폭기(reflector amplifier)가 상술한 고주파 회로 모듈의 전기 선로에 접속되어 있다.

본 발명의 필터에 있어서, 상술한 고주파 회로 모듈의, 전기 선로의 일부가 입출력 단자로서 인출되거나 또는 이러한 전기 선로에 결합되어 있는 전극이 입출력 단자로서 외부에 인출되어 있다.

본 발명의 듀플렉서에 있어서, 복수의 공진 영역이 있으며, 이들 두 공진 영역의 공진 모드에 결합된 전기 선로가 공통 입출력 단자로서 인출되어 있거나 상술한 전기 선로에 결합된 전극이 공통 입출력 단자로서 외부에 인출되어 있다.

본 발명의 통신 장치에 있어서, 상술한 필터 또는 듀플렉서는, 예를 들어, 고주파 회로의 송신 신호 및 수신 신호를 전달하기 위한 신호 처리부 또는 안테나 공유기로서 사용된다.

본 발명의 다른 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조하는 발명의 실시형태의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 도면에서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.

<발명의 실시형태의 상세한 설명>

도 1a, 1b 및 2를 참조하여 제 1 실시형태에 따른 필터의 구조를 설명하겠다.

도 1a는 필터의 주요부분의 분해 사시도이다. 도 1a에서는 유전체 판 (1) 및 (2)를 도시하고 있다. 유전체판(1)의 상부면에는 일부가 원형 무전극부(5)인 첫번째 전극층(3)이 형성되어 있다. 더욱이, 첫번째 전극층(3)은 유전체판(1)의 네개의 측면까지 연장되어 있다. 유전체 판(1)의 하부면에는 아무런 전극도 형성되어 있지 않다. 도 1b는 유전체 판(2)의 저면도이고, 유전체 판(2)의 하부면에는 유전체판(2)와 유전체판(1)이 적층되는 경우, 무전극부(5)에 대향하는 영역인 무전극부(6)를 갖는 두번째 전극층(4)이 형성된다. 유전체판(2)의 상부면에는, 전기선로(7)과 (8)이 형성된다. 유전체판(2)의 상부면에 형성되는 선로(7, 8)등과 같은 전극들은 본 발명의 "중간 전극"에 해당하게 된다. 선로(7)과 (8)의 단부는 유전체판(2)의 측면들 중 하나 이상으로부터 상부면의 일부분에까지 각각 연장되어 있다. 유전체판(2)의 네 측면은 선로(7)과 (8)이 각 측면을 가로질러 연장되는 영역을 제외하고는, 하부면으로부터 연장되는 두번째 전극층(4)로 둘러싸여 있다.

유전체 판(1)과 (2) 각각을 독립적으로 소성한 후, 상술한 전극층을 형성시키고 나서, 두 판을 적층하고, 베이킹(baking) 과정을 통해 일체화한다. 베이킹 과정에서, 밀납(wax), 도전성 접착제, 또는 은 전극 재료를 사용하여 층들을 일체화한다. 다른 한편으로, 두 층들이 그린 시트의 형태로 적층될 수 있고, 적층한 후에 소성을 통해 일체화시킬 수 있다.

도 1a 및 1b에 도시된 구성에 따르면, 유전체판(2)의 하부면의 무전극부(6)와 상부면의 선로(7)과 (8)은 유전체판(2)에 대한 포토리소그래피에 의해 형성되므로, 무전극부와 상부면의 선로(7)과 (8)은 매우 높은 상대 위치 정밀도로 패턴화될 수 있다.

도 2는 상술한 필터의 중앙부의 세로단면도이다. 도 2에서, 단자 전극이 형성된 세라믹판으로 구성된 베이스(9) 및 베이스의 윗부분을 덮고 있는 금속 캡(10)이 도시되어 있다. 도 1의 두 유전체 판(1)과 (2)가 적층된 상태에서, 무전극부(5)와 (6)에 의해 끼워진 유전체판(1) 및 (2)의 유전체층이 공진 영역이 되고 TE010 모드 공진기로 작동한다. 더욱이, 상술한 유전체판(1)과 (2)의 적층체를 베이스(9)의 상부에 실장하고, 캡(10)으로 적층체를 피폭함으로써, 공진영역을 만들고 자기적으로 적층체를 차폐하게 된다.

도 2에는 도시되어 있지 않지만, 선로(7) 및 (8)로부터 유전체판(2)의 하부면까지 인출된 전극이 베이스(9)에 형성된 단자전극에 전기전도적으로 접속되고, 이들 전극이 베이스(9)의 측면을 거쳐서 하부면의 일부로 인출된다. 이러한 방식으로, 표면에 실장할 수 있는 필터가 만들어진다.

상기와 같이 구성함으로써, 선로(7)과 (8)은 TE010 모드로 발생하는 고자기장을 지나므로 TE010 모드와 강하게 결합될 수 있다.

또한, 선로(7)과 (8)은 무전극부의 외주에 가깝게 설치되고, 따라서 선로(7)과 (8)에 의해서 생긴 공진 전자기장의 산란을 최소화시켜서, 손실이 종래의 공진기에 비교하여 감소된다.

도 1a와 1b의 예에서, 선로(7)과 (8)의 단부는 직접 바깥으로 인출되지만,선로 7과 8을 직접 공진기의 외부에 인출하는 대신, 선로 (7)과 (8)에 결합된 다른 선로들이 외부로 인출될 수 있다.

다음으로, 제 2실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 구조를 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하겠다.

도 3은 고주파 회로 모듈의 분해사시도이다. 제 1실시형태와 같이, 유전체판(1)의 상부면에는 소정 영역이 무전극부(5)인 첫번째 전극층(3)이 형성된다. 유전체판(2)의 하부면에는, 상술한 무전극부(5)에 대향하는 무전극부(6)를 갖는 두번째 전극층(4)이 형성되어 있다. 유전체판(2)의 상부면에는, 선로(7), 박막 저항(11), 전극 (12), (13) 및 (14)등을 포함하는 회로 패턴이 형성되어 있다. 이들 전극 패턴 중에서, 선로(7)는 유전체판 (1)과 (2)가 적층될 때 생성되는 무전극 영역 (5)와 (6) 사이에 끼인 공진 영역에서 발생하는 TE010 모드와 결합되게 된다.

도 3에 도시된 바와 같이, 유전체판(1)에서, 개구부(15)가 형성되어 있어, 유전체 판(1)과 유전체 판(2)가 적층되어 있을 때, 선로(7), 전극 (12), (13) 및 (14)의 일부가 외부로 노출된다.

도 4에 도시된 바와 같이, 도 3에 도시된 유전체 판(1)과 (2)는 적층되고, FET(16)(이하, 실장부라 함)이 개구부(15)를 통해 유전체판(2)의 상부면에 실장되게 된다. 이런 방식으로, 중간 전극층의 일부를 노출시키고, 실장부를 노출 영역에 배치함으로써, 공진기에 결합된 회로에의 실장부 접속이 쉬워지게 된다.

다음으로, 제 3 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 구조를 도 5 및 6을 참조하여 설명하겠다.

도 5는 고주파 회로 모듈의 분해사시도이고, 도 6은 모듈의 주요부분의 단면도이다. 도 5-6과 도 3-4 간의 차이점은, 유전체 판(1)에 개구부를 형성하는 대신에, 유전체판(2)의 상부면의 전극에 도전적으로 접속되는 관통구멍이 형성되고, 실장부가 유전체판(1)의 상부면에 실장된다는 것이다.

즉, 도 5에 관통구멍(S)이 도시되어 있으며 관통구멍(S)은 선로(7), 전극 (12), (13) 및 (14)에 접속되고, 선로(7)와 전극 (12), (13) 및 (14)는 유전체판(1)의 상부면의 전극 (7'), (12'), (13') 및 (14')에 각각 접속되어 있다. FET(16)은 유전체 판(1)의 상부면의 전극 (7'), (12'), (13') 및 (14')에 각각 접속되어 있다.

다음으로, 제 4 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈을 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하겠다.

도 7은 고주파 회로 모듈의 분해사시도이고, 도 8은 모듈의 주요 부분의 단면도이다. 도 3에 도시된 구성과의 차이점은, 유전체판(1)의 상부면에 형성된 첫번째 전극층(3) 및 유전체 판(4)의 하부면에 형성된 두번째 전극층(4)의 소정의 부위가 관통구멍(S)에 의해 서로 접속되어 있다.

따라서, 첫번째와 두번째 전극층 사이를 관통구멍에 의해서 소정 부위에서 접속함으로써, 첫번째와 두번째 전극층 사이에서 생긴 평행판 모드와 같은 스퓨리어스 모드를 억제할 수 있으며, 작동이 안정화될 수 있다.

다음으로, 제 5 실시형태에 따른 고주파 회로 모듈의 구조를 도 9와 10을 참조하여 설명하겠다.

도 9는 모듈의 사시도이고, 도 10은 모듈의 주요 부분의 단면도이다. 본 예에서는, 유전체 판(1)에, 무전극부가 대략 중앙부에 형성된 첫번째 전극층(3)이 형성되고, 유전체판(1)의 세로 폭 및 가로 폭이 유전체판(2)의 폭보다 좁게 만들어진다. 유전체 판(2)의 하부면에, 무전극부(5)와 대향하는 영역에 무전극부(6)을 갖는 두번째 전극층(4)가 형성된다. 이렇게 하여, 상부와 하부의 무전극부 사이에 끼인 영역과 그 근방은 TE010 모드의 공진 영역으로 작동하도록 만들어진다. 유전체판(2)의 상부면의 노출영역에는, FET(16)등과 같은 실장부가 장착된다.

유전체 판(1)의 세로 폭 및 가로 폭을 상술한 공진 영역과 같이 좁게 함으로써, 첫번째와 두번째 전극층 사이에 끼인 영역의 세로 폭과 가로 폭이 적어지고, 따라서 이 영역에서 발생하는 스퓨리어스 모드가 고주파 영역으로 이동되게 된다. 이러한 이유로, 스퓨리어스 모드에 대한 응답이 사용되는 주파수 대역과 멀어지게 되고, 모듈은 스퓨리어스 모드의 영향을 거의 받지 않게 된다. 더욱이, 하나의 유전체판을 다른 판보다 좁게 만들고 다른 유전체판의 노출 영역에 실장부를 장착하여, 다른 유전체판에 많은 실장부를 배치할 수 있으며, 고주파 회로 모듈이 고성능, 다기능의 특성을 띠게 된다. 더욱이, 사용하는 유전재료가 필요한 최소 양만 요구되므로, 경량화 및 저가격화가 가능하다.

다음으로, 제 6 실시형태에 따른 듀플렉서의 구조를 도 11을 참조하여 설명하겠다.

도 11a는 상부 유전체판의 상면도이다. 도 11b는 하부 유전체 판의 상면도이고, 도 11c는 적층된 두 유전체판으로 구성된 듀플렉서의 후면도이다. 유전체층(1)의 상부에는, 무전극부(5a)와 (5b)를 갖는 첫번째 전극층(3)이 형성되어 있다. 하부면에는, 아무런 전극도 형성되어 있지 않다. 유전체 층(2)의 상부면에는, 선로 (7a), (7b) 및 (8)이 형성되어 있고, 하부면에는 상기 무전극부 (5a)와 (5b)에 대향하는 영역에 무전극부 (6a)와 (6b)가 형성되어 있는 두번째 전극층이 형성되어 있다. 이들 상부와 하부 유전체판(1)과 (2)가 적층되면, 선로(7a)는 무전극부 (5a)와 (6a)사이의 영역과 그 부근의 공진 모드와 결합되고, 선로(7b)는 무전극부(5a)와 (6a) 사이에 끼워진 영역과 그 부근의 공진 모드와 결합된다. 더욱이, 선로(8)은 상기 두 공진 모드들 각각에 결합되어 있다. 선로 (7a) 및 (7b)의 단부는 각각 유전체판(2)의 측면들을 가로질러 하부면의 일부분까지 인출되어 있다. 더욱이, 선로(8)의 소정의 위치는 유전체판(2)의 한 측면을 가로질러 하부면의 일부분까지 인출된다. 여기서, 선로(7a)의 단부는 송신 신호의 입력 단자로 사용되며, 선로(7b)의 단부는 수신 신호의 출력 단자로 사용되며, 선로(8)로부터 분기된 선로의 단부는 안테나 단자로 사용된다.

따라서, 일단공진기(one-stage resonator)가 송신 필터와 수신 필터로 각각 사용된 듀플렉서가 구현되어 있다.

더욱이, 도 11a, 11b 및 11c에 도시된 예에서, 단지 두 개의 공진기가 형성되어 있으나, 복수 쌍의 대향 무전극부를 배열하고, 이웃하는 공진기를 결합함으로써, 송신 필터와 수신 필터를 복수 단의 공진기들로 구성해도 된다. 도 11a, 11b, 11c의 예에서, 각 선로의 단부는 직접 외부로 인출되지만, 공진기와 결합하는 선로들과 결합된 다른 선로들을 형성함으로써, 이들 다른 선로들을 외부로 인출해도 된다.

다음으로, 제 7 실시형태에 따른 발진기의 구조를 도 12를 참조하여 설명하겠다.

도 12는 도 3 내지 10에 도시된 고주파 회로 모듈들 중 하나를 사용하여 구성된 발진기의 실시형태의 구현 등가 회로도이다. 도 12에서, 공진기는 상술한 두 무전극부 사이에 끼워진 영역과 그 근방에 구성된 TE010 모드 공진기이며, 선로 (7)과 (8)은 첫번째 전극 층과 두번째 전극층 사이를 지나는 중간 전극층에 형성되며, 공진기와 결합되어 있다. 선로(7)의 일단은 도면에 도시된 박막 저항(11)에 의해서 종단되며, 타단에 FET(16)의 게이트가 접속되어 있다. FET(16)의 드레인에는, 바이어스 전압(Vd)가 인덕터 및 커패시터의 등가회로를 거쳐 인가된다. FET(16)의 소스에는, 일단이 접지된 저항이 연결되고, 소스로부터 발진기 신호는 커패시터를 거쳐 출력된다. 선로(8)에, 버랙터 다이오드(varactor diode)등과 같은 가변 리액턴스 소자(17)가 연결되고, 가변 리액턴스 소자(17)에 제어 전압 Vc를 공급하는 회로가 연결되어 있다.

이러한 회로구성으로 인해, FET(16)은 리플렉터 증폭기로 작용하고, 밴드-반사형 발진기 회로(band-reflection type oscillation circuit)는 증폭기, 선로(7) 및 공진기로 구성된다. 본 예에서, 가변 리액턴스 소자(17)에 대한 제어전압 Vc를 바꿈으로써, 커패시턴스가 변화되고, 공진기 내에 장하되는 커패시턴스 성분이 변하여 공진 주파수가 변동된다. 결론적으로, 발진기 주파수는 전압제어된다.

상술한 바와 같이, 선로 (7)과 (8)이 공진기에 강하게 결합되어 있기 때문에, 가변 리액턴스 소자(17)의 리액턴스의 조정 범위에 상응한 광범위한 발진기 주파수의 범위를 얻을 수 있다.

다음으로, 제 8 실시형태에 따른 통신 장치의 구조를 도 13을 참조하여 설명하겠다. 도면에서, 송수신 안테나 ANT, 듀플렉서 DPX, 밴드패스 필터 BPFa, BPFb 및 BPFc, 증폭기 AMPa 및 AMPb, 믹서 MIXa 및 MIXb, 발진기 OSC, 분배기 DIV가 도시되어 있다. 전압-제어 발진기 VCO는, 송신 신호, 즉 손실 데이타에 따른 신호에 의해 발진 주파수를 변조시킨다.

믹서 MIXa는 전압 제어 발진기 VCO에 의해 변조된 신호 및 발진기 OSC에서 출력되어 분배기 DIV에 의해서 분배되는 신호를 혼합하고, 밴드패스 필터 BPFa는 믹서 MIXa로부터의 혼합 출력 신호 중에서 송신 주파수 밴드만을 보내고, 증폭기 AMPa는 송신 주파수 대역 신호를 전력 증폭시키고, 이 신호를 송수신 안테나 ANT로부터 듀플렉서 DPX를 통해 보낸다. 밴드패스 필터 BPFb는 듀플렉서 DPX에서 출력되는 수신 신호 중에서 수신 주파수 대역만을 통과시키고, 증폭기 AMPb는 수신주파수 대역 신호를 증폭시킨다. 믹서 MIXb는 발진기 OSC에서 출력되어 분배기 DIV에 의해 분배되어, 밴드패스 필터 BPFc에서 출력되는 수신 신호 및 주파수 신호를 혼합하여, 중간 주파(IF)신호를 출력한다.

도 13의 듀플렉서 DPX에는, 도 11a, 11b 및 11c에서 구현된 듀플렉서가 사용된다. 밴드 패스 필터 BPFa, BPFb, BPFc에는, 도 1a, 1b 및 2에서 구현된 유전체 필터가 사용된다. 전압-제어 발진기 VCO에는, 도 12의 전압-제어 발진기가 사용된다.

이와 같이, 고 신뢰도와 적은 삽입 손실의 필터와 듀플렉서를 사용하고, 탁월한 C/N 특성을 지닌 전압-제어 발진기를 사용함으로써, 탁월한 고주파 회로 특성을 갖는 소형의 통신 장치가 얻어진다.

본 발명은 바람직한 실시형태를 참조하여 구체적으로 설명하였으나, 본 기술 분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지와 범위를 벗어나지 않는 한 여러가지 변화가 가능하다는 것을 알 것이다.

전극층 사이에 끼워진 유전체층으로 구성된 공진기와 선로의 결합량을 용이하게 증가시킬 수 있으며, 신뢰성이 개선되며, 스페이서 등이 필요없고, 또한 높은 Q값이 얻어져서, 원하지 않는 모드가 발생하지 않는 고주파 회로 모듈을 얻을 수 있다. 또한, 상술한 고주파 회로 모듈의 구성을 이용하여 발진기, 필터, 듀플렉서 및 이들을 사용한 통신 장치를 구성할 수 있다.

Claims (10)

1. 유전체 층을 사이에 끼운 두개의 전극층에 형성되는 서로 대향하는 무전극부(electrodeless portions);

   상기 두개의 전극층사이에 형성되는 적어도 하나의 중간 전극층; 및

   상기 중간 전극층에 형성되며, 상기 두개의 무전극부 사이에 끼워진 영역 및 그 근방에서 발생하는 공진모드와 결합하는 전기 선로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 회로 모듈.
2. 제 1항에 있어서, 상기 중간 전극층의 일부가 노출되고, 이 노출부 상에 실장부가 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 회로 모듈.
3. 제 1항에 있어서, 상기 두개의 전극층 중의 적어도 하나에는 중간 전극층의 전극에 접속되는 실장 전극이 형성되고, 이 실장 전극상에 실장부가 배치되는 것을 특징으로 하는 고주파 회로 모듈.
4. 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 적어도 두개의 전극층을 전기전도적으로 접속하는 관통구멍이 상기 유전체층에 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 회로 모듈.
5. 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 두개의 전극층 사이에 끼워진 유전체층은 두개의 유전체층을 포함하며, 상기 두개의 유전체층 중의 하나의 면적은 다른 유전체층의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 고주파 회로 모듈.
6. 제 4항에 있어서, 상기 두개의 전극층 사이에 끼워진 유전체층은 두개의 유전체층을 포함하며, 상기 두개의 유전체층 중의 하나의 면적은 다른 유전체층의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 고주파 회로 모듈.
7. 제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 기재된 고주파 회로 모듈의 전기 선로에 접속되는 리플렉터 증폭기를 포함하는 것을 특징으로 하는 발진기.
8. 제 1항 내지 제 6항 중의 어느 한 항에 기재된 고주파 회로 모듈을 포함하는 필터로, 상기 전기 선로와 결합하는 전극이 입출력 단자로서 외부에 인출되는 것을 특징으로 하는 필터.
9. 각각 제 8항에 기재된 한 쌍의 필터를 포함하며,

   상기 한 쌍의 필터의 각각의 공진 모드와 결합되는 전기 선로의 일부 및 상기 전기 선로와 결합하는 전극이 공통 안테나 입출력 단자로서 외부에 인출되어 있는 것을 특징으로 하는 듀플렉서.
10. 제 7항에 기재된 발진기, 제 8항에 기재된 필터 및 제 9항에 기재된 듀플렉서 중의 적어도 하나를 포함하는 통신 장치.