KR100382713B1

KR100382713B1 - Heat spreader processing method using stamping and heat treatment

Info

Publication number: KR100382713B1
Application number: KR10-2001-0009927A
Authority: KR
Inventors: 임형빈; 류성규; 하은현; 김충식
Original assignee: 주식회사 인지디스플레이; 류성규; 임형빈; 하은현; 김충식
Priority date: 2001-02-27
Filing date: 2001-02-27
Publication date: 2003-05-09
Also published as: KR20020069636A

Abstract

본 발명은, 반도체 패키지용 히트 스프레더를 제조함에 있어 발생되는 잔존 응력을 열처리를 이용하여 제거하므로써, 에칭 공정에 비해 제조단가 매우 낮은 스템핑 공정을 통해 히트 스프레더를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것으로서, 방열체 상에 캐비티 형성 위치의 기준점이 되는 다수의 홀을 형성하고, 방열체의 소정 위치를 스템핑하여 캐비티를 형성하는 제 1 단계; 스템핑에 의해 형성된 방열체의 융기 부분을 절삭하고, 절삭한 부분과 그 주변의 높이가 균일하게 되도록 연마하는 제 2 단계; 캐비티가 형성된 방열체의 소정 위치를 스템핑하여 패턴을 형성하는 제 3 단계; 연마된 부분에 검은 잉크를 코팅하고, 캐비티와 그 주변 위치에 산화막을 코팅하는 제 4 단계; 및 코팅된 히트 스프레더를 일정 온도에서 일정 시간 동안 가열하는 제 5 단계를 포함한다.The present invention provides a method for manufacturing a heat spreader through a stamping process having a very low manufacturing cost compared to an etching process by removing residual stresses generated during the manufacture of a heat spreader for a semiconductor package using heat treatment. A first step of forming a plurality of holes serving as reference points of a cavity formation position on the heat sink, and forming a cavity by stamping a predetermined position of the heat sink; A second step of cutting the raised portion of the heat sink formed by the stamping, and polishing the cut portion and its surroundings to have a uniform height; A third step of forming a pattern by stamping a predetermined position of the radiator in which the cavity is formed; Coating a black ink on the polished portion and coating an oxide film on the cavity and its surroundings; And a fifth step of heating the coated heat spreader at a predetermined temperature for a predetermined time.

Description

Heat spreader processing method using stamping and heat treatment}

본 발명은 반도체 패키지용 히트 스프레더의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 스템핑(Stamping) 공정에서 발생되는 잔존 응력을 열처리하여 제거할 수 있는 히트 스프레더의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a heat spreader for a semiconductor package, and more particularly, to a method for manufacturing a heat spreader capable of heat-treating and removing residual stresses generated in a stamping process.

일반적으로, 반도체 패키지는 내부의 회로를 외력으로 보호받기 위하여 열경화성의 콤파운드 수지물에 의해 일정 두께로 성형되어 있기 때문에 사용중 반도체 칩에서 발생하는 열의 외부 방출을 저해하게 된다. 무엇보다도, 고집적화된 반도체 칩의 경우는 고열을 발생시키기 때문에 이 열을 외부로 얼마나 빠른 시간내에 방열시켜 주느냐에 따라 반도체 칩의 성능이 결정되는 것이다.In general, since the semiconductor package is molded to a certain thickness by a thermosetting compound resin in order to protect the internal circuit by an external force, the semiconductor package inhibits external emission of heat generated from the semiconductor chip during use. First of all, since a highly integrated semiconductor chip generates high heat, the performance of the semiconductor chip is determined by how quickly the heat is radiated to the outside.

이와 같은 히트 스프레더를 생산하기 위해 종래에는, 도 1a 내지 도 1d에 도시된 바와 같은 약품을 이용하여 제품을 성형하는 에칭(Etching) 방식을 사용하였다.In order to produce such a heat spreader, conventionally, an etching method of molding a product using chemicals as shown in FIGS. 1A to 1D has been used.

이러한 에칭 방식에 대하여 간략히 살펴보면, 도 1a에서와 같은 금속판(11)의 상단과 하단에 각각 도 1b에서의 제 1 및 제 2 감광막(12, 13)을 부착시킨 다음, 도 1c에서와 같이 동일한 소정의 형상을 갖는 두 개의 마스크를 이용해서 노광한 후 노광된 제 1 및 제 2 감광막(12, 13)을 화학용액을 이용해 현상하여, 마스크의 형상과 일치되는 감광막 패턴을 형성시킨다. 이때, 제 1 및 제 2 감광막(12, 13)에서는 동일한 패턴이 형성된다.Briefly with respect to this etching method, the first and second photosensitive films 12 and 13 in FIG. 1B are attached to the top and bottom of the metal plate 11 as in FIG. 1A, and then the same predetermined as in FIG. 1C. After exposure using two masks having the shape of, the exposed first and second photoresist films 12 and 13 are developed using a chemical solution to form a photoresist pattern that matches the shape of the mask. At this time, the same pattern is formed in the first and second photosensitive films 12 and 13.

이렇게, 형성된 감광막 패턴을 식각장벽으로 이용해서 금속판(11)의 상단과 하단을 식각하면, 도 1d와 같이 성형된 제품(14)을 얻게되는 것이다.As such, when the upper and lower ends of the metal plate 11 are etched using the formed photoresist pattern as an etch barrier, a molded product 14 as shown in FIG. 1D is obtained.

그러나, 상기한 바와 같은 에칭 방식을 이용하여 히트 스프레더를 제조할 경우, 단위 제품당 제조시간이 많이 소요되고 제품의 칫수 등의 균일성이 떨어지며, 제조 단가가 매우 비싼 문제점이 있었다.However, when the heat spreader is manufactured by using the etching method as described above, it takes a lot of manufacturing time per unit product, uniformity such as dimensions of the product, and the manufacturing cost is very expensive.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 반도체 패키지용 히트 스프레더를 제조함에 있어 발생되는 잔존 응력을 열처리를 이용하여 제거하므로써, 에칭 공정에 비해 제조단가 매우 낮은 스템핑 공정을 통해 히트 스프레더를 제조할 수 있는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, by removing the residual stress generated in the manufacture of the heat spreader for a semiconductor package using heat treatment, the stamping process is very low compared to the etching process The purpose is to provide a method for manufacturing a heat spreader through.

도 1a 및 도 1d는 에칭 공정을 이용하여 히트 스프레더를 제조하는 방법에 대한 예시도.1A and 1D are illustrations of a method of manufacturing a heat spreader using an etching process.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 적용되는 스템핑 공정에 대한 예시도.Figures 2a to 2c is an illustration of a stamping process applied to the present invention.

도 3a는 본 발명의 실시예 따라 캐비티를 형성한 캐리어 프레임의 단면도.3A is a cross-sectional view of a carrier frame forming a cavity in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a에서의 캐리어 프레임의 측단면도.3B is a side cross-sectional view of the carrier frame in FIG. 3A.

도 4는 도 3a에서의 캐비티를 형성하는 스템핑 과정에 대한 개략 예시도.4 is a schematic illustration of a stamping process of forming a cavity in FIG. 3A.

도 5a는 도 3a에서의 캐리어 프레임을 절삭하는 공정에 대한 예시도.5A is an illustration of a process of cutting the carrier frame in FIG. 3A.

도 5b는 도 5a에서 절삭된 캐리어 프레임을 연마는 공정에 대한 예시도.FIG. 5B is an exemplary view of a process of polishing the carrier frame cut in FIG. 5A. FIG.

도 6a는 도 5a에서 절삭된 캐리어 프레임의 측단면도.6A is a side cross-sectional view of the carrier frame cut in FIG. 5A.

도 6b는 도 5b에서 연마된 캐리어 프레임의 측단면도.6B is a side cross-sectional view of the carrier frame polished in FIG. 5B.

도 7은 도 5b에서 연마된 캐리어 프레임에 패턴을 형성하는 공정에 대한 예시도.7 is an exemplary view illustrating a process of forming a pattern on the carrier frame polished in FIG. 5B.

도 8a는 도 7에서 패턴이 형성된 캐리어 프레임에 검은 잉크를 코팅하는 공정에 대한 예시도.8A is an exemplary view illustrating a process of coating black ink on a patterned carrier frame in FIG. 7.

도 8b는 도 8a에서 검은 잉크가 코팅된 캐리어 프레임의 측단면도.8B is a side cross-sectional view of the carrier frame coated with black ink in FIG. 8A.

도 9a는 도 8a에서 검은 잉크가 코팅된 캐리어 프레임에 산화막을 코팅하는 공정에 대한 예시도.Figure 9a is an illustration of a process of coating an oxide film on a carrier frame coated with black ink in Figure 8a.

도 9b는 도 9a에서 산화막이 코팅된 캐리어 프레임의 측단면도.9B is a side cross-sectional view of the carrier frame coated with an oxide film in FIG. 9A.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 패키지용 히트 스프레더를 제조하는 방법에 있어서, 방열체 상에 캐비티 형성 위치의 기준점이 되는 다수의 홀을 형성하고, 상기 방열체의 소정 위치를 스템핑하여 상기 캐비티를 형성하는 제 1 단계; 상기 스템핑에 의해 형성된 상기 방열체의 융기 부분을 절삭하고, 절삭한 부분과 그 주변의 높이가 균일하게 되도록 연마하는 제 2 단계; 상기 캐비티가 형성된 방열체의 소정 위치를 스템핑하여 패턴을 형성하는 제 3 단계; 상기 연마된 부분에 검은 잉크를 코팅하고, 상기 캐비티와 그 주변 위치에 산화막을 코팅하는 제 4 단계; 및 상기 캐비티 형성시 발생된 잔존 응력을 제거하기 위해, 상기 코팅된 히트 스프레더를 일정 온도에서 일정 시간 동안 가열하는 제 5 단계를 포함한다.The present invention for achieving the above object, in the method for manufacturing a heat spreader for a semiconductor package, forming a plurality of holes to be a reference point of the cavity formation position on the heat sink, and stamping a predetermined position of the heat sink A first step of forming the cavity; A second step of cutting the raised portion of the heat sink formed by the stamping and polishing the cut portion and its surroundings to have a uniform height; A third step of forming a pattern by stamping a predetermined position of the radiator in which the cavity is formed; Coating a black ink on the polished portion and coating an oxide film on the cavity and its surroundings; And a fifth step of heating the coated heat spreader at a predetermined temperature for a predetermined time in order to remove residual stress generated when the cavity is formed.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

우선, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 본 발명에 적용되는 스템핑(Stamping) 공정에 대하여 살펴보면, 도 2a에서와 같은 소정 두께의 금속판(21)을 도 2b에서와 같은 금형(22, 23)으로 가공하여 도 2c에서와 같은 성형된 금속판(24)을 만들어 낸다.First, referring to FIGS. 2A to 2C, a stamping process applied to the present invention will be described. A metal plate 21 having a predetermined thickness as shown in FIG. 2A may be transferred to the molds 22 and 23 as shown in FIG. 2B. Processing produces a shaped metal plate 24 as in FIG. 2C.

여기서, 요철 형태로 이루어진 금형(22, 23) 사이에 금속판(21)을 집어 넣고 프레스기(25, 26)로 프레싱하면, 금형(22, 23)의 요철 부분이 맞물려 금속판(24)에 캐비티(27)가 형성되는 것이다.Here, when the metal plate 21 is inserted between the molds 22 and 23 having an uneven shape and pressed by the press machines 25 and 26, the uneven parts of the molds 22 and 23 are engaged to the cavity 27 in the metal plate 24. ) Is formed.

이와 같은 스템핑 공정을 이용하여 반도체 패키지용 히트 스프레더를 제조할 경우, 단위 제품당 제조 시간이 매우 짧고 동일한 형상의 제품의 제조시에는 그 정밀도가 에칭 방식에 비해 2배 이상 높은 장점이 있다.When the heat spreader for a semiconductor package is manufactured using the stamping process, the manufacturing time per unit product is very short, and when manufacturing a product having the same shape, the precision is two times higher than that of the etching method.

그러나, 상기한 바와 같은 스템핑 공정에서는, 가공시 가해지는 압력에 의해 제품(예를 들어, 금속 제품이 있음)에 응력이 잔존하여 제품의 형상이 변화되는 단점이 존재하므로, 본 발명에서는 이러한 응력을 제거하여 제품의 고유 형상을 유지시키는데 그 특징이 있다.However, in the stamping process as described above, the stress remains in the product (for example, there is a metal product) due to the pressure applied during processing, there is a disadvantage that the shape of the product is changed, so in the present invention such a stress Its feature is to maintain the inherent shape of the product by eliminating it.

이를 위해, 본 발명에서는 캐비티 형성을 위한 스템핑 공정, 절삭가공 공정, 소정의 패턴 형성을 위한 스템핑 공정, 코팅 공정 및 열처리 공정 순으로 히트 스프레더를 제조하며, 이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.To this end, in the present invention, a heat spreader is manufactured in the order of a stamping process for forming a cavity, a cutting process, a stamping process for forming a predetermined pattern, a coating process, and a heat treatment process. same.

먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이, 롤(Roll) 상태의 발열체인 금속재질을 플레이트(Plate) 상태로 펴 가면서, 캐비티(Cavity) 형성 위치의 기준점이 되는 홀(hole)(31)들을 형성하고, 이 홀(31)들에 핀(Pin)을 꼽아서 금속판을 반송 레일에 고정시킨 후, 도 4에서와 같은 스템핑 공정을 통해 금속판의 두께보다 낮은 깊이로 이루어진 캐비티(32)를 형성한다. 여기서, 핀을 이용하여 금속판을 반송 레일에 고정시키는 것은, 캐비티(32)를 보다 정확한 위치에 형성시키기 위한 것이다.First, as shown in FIG. 3A, while extending the metal material, which is a heating element in a roll state, into a plate state, holes 31 serving as a reference point of a cavity formation position are formed. After pinning the pins to the holes 31 to fix the metal plate to the conveying rail, a cavity 32 having a depth lower than the thickness of the metal plate is formed through a stamping process as shown in FIG. 4. Here, fixing a metal plate to a conveyance rail using a pin is for forming the cavity 32 in a more accurate position.

이러한 과정을 통해, 규정된 크기(size)의 캐리어 프레임(310)이 형성되면, 롤 상태의 금속재질과 캐비티(32)가 형성된 금속판의 연결된 부분을 절단(cutting)하여, 도면에서와 같은 스트립(Strip) 상태의 캐리어 프레임(310)을 형성시킨다.Through this process, when the carrier frame 310 having a prescribed size is formed, the connected portion of the metal plate in the roll state and the metal plate on which the cavity 32 is formed is cut, and thus, strips as shown in the drawing ( A carrier frame 310 in a strip state is formed.

이렇게 형성된 캐리어 프레임(310)은 실질적으로 다수의 히트 스프레더로 이루어지되, 본 발명에서는 예시적으로 각각 하나의 캐비티가 형성된 4 개의 히트 스프레더로 이루어진 캐리어 프레임(310)을 구현한 것이다.The carrier frame 310 formed as described above is substantially composed of a plurality of heat spreaders. In the present invention, for example, a carrier frame 310 including four heat spreaders each having one cavity is implemented.

그리고, 도 3b는 도 3a에서의 캐리어 프레임(310)을 이루는 히트 스프레더의측단면도를 나타낸 것으로서, 융기 부분 A는 스템핑 공정에 의한 캐비티(32)의 형성시 캐비티(32)의 깊이만큼 금속판이 아래 방향으로 융기된 것이다.3B illustrates a side cross-sectional view of the heat spreader forming the carrier frame 310 in FIG. 3A, wherein the raised portion A is formed by the metal plate having the depth of the cavity 32 when the cavity 32 is formed by a stamping process. It is raised downward.

도 4는 도 3a에서의 캐비티를 형성하기 위한 스템핑 공정에 대한 개략 예시도로서, 이를 참조하여 캐비티(32) 형성 과정을 설명하면 다음과 같다.FIG. 4 is a schematic illustration of a stamping process for forming a cavity in FIG. 3A. Referring to this, a process of forming a cavity 32 is as follows.

요철 형태로 이루어진 금형(41, 42) 사이에 금속판(43)을 집어 넣고 프레싱하면, 금형(41, 42)의 요철 부분이 맞물려 금속판(43)에 캐비티(32)가 형성되는 것이다. 단, 캐비티(32)의 깊이는 금속판(43)의 두께보다 작다.When the metal plate 43 is inserted and pressed between the molds 41 and 42 having the uneven shape, the uneven portions of the molds 41 and 42 are engaged to form the cavity 32 in the metal plate 43. However, the depth of the cavity 32 is smaller than the thickness of the metal plate 43.

이와 같이 히트 스프레더의 캐비티(32)가 형성되고 나면, 스템핑 공정에 의한 캐비티(32) 형성시 금속판의 융기 부분 A를 절삭하는 밀링(Bite) 공정이 이루어지며, 이에 대한 보다 상세한 과정은 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명한다.After the cavity 32 of the heat spreader is formed as described above, a milling process of cutting the ridge A of the metal plate when the cavity 32 is formed by the stamping process is performed, and a detailed process thereof is illustrated in FIG. 5A. And FIG. 5B.

먼저, 도 3b에서의 히트 스프레더의 융기 부분 A는 도 5a에서와 같은 밀링 절삭기(51)를 사용하여 제거한다.First, the raised portion A of the heat spreader in FIG. 3B is removed using a milling cutter 51 as in FIG. 5A.

이렇게, 밀링 절삭기(51)를 이용하여 융기 부분 A를 절삭하면, 히트 스프레더는 도 6a에서와 같은 히트 스프레더의 형상이 된다.In this way, when the ridge portion A is cut using the milling cutter 51, the heat spreader is in the shape of a heat spreader as shown in Fig. 6A.

도 6a에서와 같이 융기 부분 A가 제거되고 나면, 융기 부분 A가 제거된 부분과 그 주변 위치의 높이가 균일하게 되도록 하기 위해, 도 5b에서와 같이 연마 휠(52)로 융기 부분 A가 제거된 부분과 그 주변 위치를 미는 연마 공정을 수행한다.After the ridge A is removed as in FIG. 6A, the ridge A is removed with the polishing wheel 52 as in FIG. 5B to ensure that the height of the portion where the bulge A is removed and its surrounding position is uniform. A polishing process is performed to push the part and its surrounding position.

이때, 히트 스프레더의 두께의 균일성을 유지하기 위해, 홀(31)과 홀(31) 폭만큼의 홀(31) 주변 위치를 제외한 모든 위치를 연마한다.At this time, in order to maintain the uniformity of the thickness of the heat spreader, all positions except for the positions around the holes 31 and the holes 31 by the width of the holes 31 are polished.

그리고, 이러한 연마 공정이 이루어진 부분은 일정 깊이만큼 침식되어 도 6b에서와 같은 홈 B가 히트 스프레더의 일정 위치에 형성된다. 여기서, 홈 B의 깊이는 최대 20㎛ 이내이다.Then, the portion where such a polishing process is performed is eroded by a predetermined depth so that the groove B as shown in FIG. 6B is formed at a predetermined position of the heat spreader. Here, the depth of the groove B is at most 20 μm.

상기한 바와 같은 캐비티 형성 공정, 절삭 및 연마 공정이 수행되고 나면, 도 7에 도시된 바와 같은 패턴(71)을 캐리어 프레임(70)에 형성하는 공정이 이루어진다. 여기서, 패턴(71)은 도 4를 참조하여 설명한 바와 같은 스템핑 공정을 통해 수행되는데, 단 이 패턴(71)은 금속판이 관통되어 형성된 것이다.After the cavity forming process, the cutting process and the polishing process as described above are performed, a process of forming the pattern 71 on the carrier frame 70 as shown in FIG. 7 is performed. Here, the pattern 71 is performed through a stamping process as described with reference to FIG. 4, except that the pattern 71 is formed by penetrating a metal plate.

이러한 패턴(71)은 반도체 칩 제조시 주변 장치와 캐리어 프레임(70)을 고정시키기 위한 것으로서, 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.The pattern 71 is for fixing the peripheral device and the carrier frame 70 when manufacturing a semiconductor chip. More specifically, the pattern 71 is as follows.

반도체 칩 제조시, 칩은 캐비티(32) 위에 배치되며, 그리고 캐비티(32) 위에 위치한 반도체 칩은 플라스틱 재질 등으로 이루어진 주변 장치로 덮인다. 이 주변 장치의 일부분이 패턴(71)에 삽입되므로써, 제조 중인 반도체 칩이 캐리어 프레임(70) 상에 고정되는 것이다.In manufacturing a semiconductor chip, the chip is disposed above the cavity 32, and the semiconductor chip located above the cavity 32 is covered with a peripheral device made of a plastic material or the like. A portion of this peripheral device is inserted into the pattern 71 so that the semiconductor chip being manufactured is fixed on the carrier frame 70.

이와 같이, 패턴 공정이 수행되고 나면, 도 8a 및 도 8b에서와 같이 검은 잉크(Ink)를 코팅하는 공정을 수행한다.As such, after the pattern process is performed, a process of coating black ink (Ink) is performed as shown in FIGS. 8A and 8B.

코팅 공정에서, 검은 잉크는 도 8b에 도시된 바와 같이 연마 휠(52)에 의해 연마된 부분 B에 코팅된다. 이는, 열처리시 캐비티(32)가 형성된 부분의 반대 위치인 캐리어 프레임의 하단 부분이 열에 의해 변형되는 것을 방지하기 위한 것이다.In the coating process, black ink is coated on the portion B polished by the polishing wheel 52 as shown in Fig. 8B. This is to prevent the lower portion of the carrier frame from being deformed by heat during heat treatment, which is the position opposite to the portion where the cavity 32 is formed.

이어서, 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이 캐리어 프레임의 상단 부분인 캐비티(32)와 그 주변 위치 C에 산화막을 입힌다.Subsequently, as shown in FIGS. 9A and 9B, an oxide film is coated on the cavity 32, which is the upper portion of the carrier frame, and the peripheral position C thereof.

이와 같이 검은 잉크와 산화막 코팅 과정이 수행되고 나면, 캐리어 프레임의 산화막 코팅 부분을 열처리 용기인 오븐(Oven)에 넣어서 열처리한다. 이 열처리 공정에서는, 오븐 속의 캐리어 프레임을 170℃ 내지 200℃ 열로 1시간 정도 가열한다.After the black ink and the oxide coating process is performed as described above, the oxide coating portion of the carrier frame is placed in an oven, which is a heat treatment container, to be heat treated. In this heat treatment step, the carrier frame in the oven is heated for about 1 hour with 170 ° C to 200 ° C heat.

이때, 가열되는 열에 의해 캐리어 프레임이 코팅된 산화막 위치까지 팽창하게 된다. 즉, 캐비티 형성시 생긴 잔존 응력 부분이 열처리에 의해 코팅된 산화막 위치까지 팽창되므로써, 열처리 과정을 통해 균일한 캐리어 프레임을 생성할 수 있는 것이다.At this time, the heat is heated to expand the carrier frame to the coated oxide film position. That is, since the residual stress portion generated during the cavity formation is expanded to the position of the oxide film coated by the heat treatment, a uniform carrier frame can be generated through the heat treatment process.

전술한 바와 같이, 스템핑 공정에서 발생한 잔존 응력을 열처리를 통해 제거하므로써, 에칭 공정에 비해 제조단가 매우 낮은 스템핑 공정을 이용하여 정밀도가 매우 높은 히트 스프레더를 제조할 수 있는 것이다.As described above, by removing the residual stress generated in the stamping process through heat treatment, a heat spreader having a very high precision can be manufactured by using a stamping process having a very low manufacturing cost compared to the etching process.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 히트 스프레더 제조시 발생되는 응력을 열처리하여 제거하므로써, 다음과 같은 효과들을 갖는다.As described above, the present invention has the following effects by removing the stress generated during the manufacture of the heat spreader by heat treatment.

첫째, 에칭 공정에 비해 제조단가 매우 낮은 스템핑 공정을 통해 히트 스프레더를 제조할 수 있다.First, a heat spreader may be manufactured through a stamping process having a much lower manufacturing cost than an etching process.

둘째, 스템핑 공정을 이용함으로써, 히트 스프레더의 정밀성을 현저하게 높일 수 있다.Second, by using a stamping process, the precision of the heat spreader can be significantly increased.

셋째, 화학 약품의 부식에 의해 많은 시간이 소요되는 에칭 고정 대신에 스템핑 공정을 사용하므로써, 제조 시간을 대폭 줄일 수 있다.Third, by using a stamping process instead of etching fixing which takes a lot of time due to chemical corrosion, the manufacturing time can be greatly reduced.

넷째, 제조 시간을 줄이고 제조 단가를 낮추므로써, 제품의 단가를 현저하기 낮출 수 있다.Fourth, by reducing the manufacturing time and lowering the manufacturing cost, it is possible to significantly lower the unit cost of the product.

Claims

In the method of manufacturing the heat spreader for a semiconductor package,

A first step of forming a plurality of holes serving as reference points of a cavity formation position on a heat sink, and stamping a predetermined position of the heat sink to form the cavity;

A second step of cutting the raised portion of the heat sink formed by the stamping and polishing the cut portion and its surroundings to have a uniform height;

A third step of forming a pattern by stamping a predetermined position of the radiator in which the cavity is formed;

Coating a black ink on the polished portion and coating an oxide film on the cavity and its surroundings; And

A fifth step of heating the coated heat spreader at a predetermined temperature for a predetermined time in order to remove residual stress generated when forming the cavity

Method of producing a heat spreader comprising a.

The method of claim 1,

In the first step,

A method of manufacturing a heat spreader, characterized in that the heat sink is fixed to the conveyance rail by inserting a fin into the plurality of holes.

The method of claim 1,

In the first step,

The depth of the cavity is lower than the thickness of the heat sink, the manufacturing method of the heat spreader.

The method of claim 1,

In the second step,

And a raised portion of the heat sink is cut using a milling cutter.

The method of claim 1,

In the second step,

A method of manufacturing a heat spreader, wherein the cut portion and its peripheral position are polished by pushing a polishing wheel.

The method of claim 5,

And a plurality of holes and portions except the positions around the holes by the hole width are uniformly eroded to a predetermined depth.

The method of claim 1,

In the third step,

The heat spreader manufacturing method characterized in that the pattern is formed so that the heat sink passes.

The method of claim 1,

In the fifth step,

After placing the oxide coating portion of the heat spreader in an oven, a method of producing a heat spreader, characterized in that the heating for 1 hour to 170 ℃ to 200 ℃ heat.

The method according to any one of claims 1 to 8,

The said heat sink is a manufacturing method of the heat spreader characterized by the above-mentioned.