KR100358565B1 - Semiconductor device having overlay mark - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A semiconductor device having an overlay mark is provided to be capable of improving the accuracy of stage motion by measuring the overlay extent between a mother box vernier key and a son box vernier key. CONSTITUTION: A four-square mother box vernier key(5) is formed on the first wafer scribe line formed at the first side of a field and a son box vernier key(7) is formed on the second wafer scribe line formed at the second side of the field. At this time, the son box vernier key has a smaller size than that of the mother box vernier key. When the mother and son box vernier key are overlayed with each other on the first or second wafer scribe line between fields, the moving distance of a wafer stage is exactly corrected by measuring the distance between the mother and son box vernier key.

Description

중첩마크가 구비된 반도체 장치Semiconductor device with overlap mark

본 발명은 중첩마크가 구비된 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 스크라이브 라인상에 측정용 모 버어니어 키와 측정용 자 버어니어 키로 구성되어 반도체 소자 제조의 공정수율을 향상시키는 중첩마크가 구비된 반도체 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a semiconductor device having an overlap mark, and more particularly, to a semiconductor having an overlap mark for improving a process yield of semiconductor device fabrication by being composed of a measuring parentier key and a measuring driver vernier key on a wafer scribe line. Relates to a device.

반도체 소자제조공정에 있어서 N-웰을 형성하기 위한 첫번째 마스크공정에서는, 노광장비에서 얼라인할 수 있는 어떠한 기준이 없으므로 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지 상에서 이동한 다음, 그대로 작업이 진행되어 상기 N-웰 마스크 공정에서 웨이퍼가 회전되는 쉬프트(Shift), 이동시 점점 밀려나는 스케일(Scale) 현상 발생시에는 이후 공정이 진행됨에 따라 노광장비가 이를 교정할 수 있는 수정한계를 벗어나게 되어 웨이퍼의 손실을 초래하게 된다.In the first mask process for forming the N-well in the semiconductor device manufacturing process, since there is no standard that can be aligned in the exposure equipment, the wafer is moved on the wafer stage, and the operation is proceeded as it is. When the shift of the wafer rotates and the scale phenomenon that is gradually pushed out during the movement occurs, the exposure equipment is out of the modification limit that can be corrected by the exposure process, resulting in the loss of the wafer.

또한, 노광장비의 웨이퍼 스테이지 이동시, 스테이지의 이동거리를 정확히 확인할 수 있는 수단이 구비되지 못함으로 실제 스테이지 이동에 따른 오차 발생 시에는 재작업을 진행하게되는 등의 문제점이 발생하게 된다.In addition, when moving the wafer stage of the exposure equipment, a means for accurately checking the moving distance of the stage is not provided, and thus, a problem such as reworking is performed when an error occurs due to the actual stage movement.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 노광장비에 의해 노광이 한번 실시될 경우 형성되는 웨이퍼 상의 영역인 한 필드에서, 스크라이브 라인상에 형성된 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키로 구성되어 웨이퍼 스테이지 이동시, 스테이지의 이동거리를 정확도를 측정하기 위한 측정용 중첩마크를 설치하므로 중첩도 측정장비에 의해 상기 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키간의 중첩 정도를 측정함으로써 스테이지 이동의 정확도를 향상시키는 중첩마크가 구비된 반도체 장치를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, in order to solve the above problem, the present invention provides a measuring mother box vernier key and a measuring ruler box formed on a scribe line in a field which is an area on a wafer formed when exposure is performed once by an exposure apparatus. It is composed of vernier key, so that when the wafer stage moves, a superimposition mark for measuring the movement distance of the stage is installed so that the superimposition between the measuring box and the vernier key for measuring SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device with an overlap mark that improves the accuracy of stage movement by measuring the degree.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 노광 장비의 한 필드 제 1 측의 웨이퍼 스크라이브 라인 상에 정사각형의 측정용 모 박스 버어니어 키가 형성되고, 상기 필드 제 2 측의 웨이퍼 스크라이브 라인 상에 상기 측정용 모 박스 버어니어 키보다 작은 정사각형의 측정용 자 박스 버어니어 키가 형성되어,According to the present invention for achieving the above object, a square measuring box vernier key is formed on a wafer scribe line on a field first side of an exposure apparatus, and the measurement is performed on a wafer scribe line on a field second side. A square measuring magnet box vernier key smaller than the parent box vernier key is formed,

상기 필드와 필드간의 스크라이브 라인 상에서 상기 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키간에 중첩될 경우, 상기 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키 사이의 거리를 측정하여 웨이퍼 스테이지 이동시, 스테이지의 이동거리를 정확히 하는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치를 제공하게 된다.When overlapping between the measuring parent box vernier key and the measuring child box vernier key on the scribe line between the field, the distance between the measuring parent box vernier key and the measuring child box vernier key is measured. Thus, when the wafer stage is moved, the semiconductor device provided with an overlap mark is characterized in that the movement distance of the stage is correct.

상기 본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 본 발명은 노광 장비의 한 필드 주변둘레의 웨이퍼의 스크라이브 라인 상에 정사각형의 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키와, 상기 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키보다 작은 정사각형의 측정용 제 1자 박스 버어니어 키가 형성되어,According to another embodiment of the present invention, the present invention provides a square measuring first parent box vernier key and a measuring first mother box vernier key on a scribe line of a wafer around a field of exposure equipment. A smaller square first-order box vernier key for measurement is formed,

상기 필드와 필드간의 스크라이브 라인 상에서 상기 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 1 자 박스 버어니어 키간에 중첩될 경우, 상기 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 1 자 박스 버어니어 키 사이의 거리를 측정하고,When overlapping between the measurement first parent box vernier key and the measurement first child box vernier key on the scribe line between the field and the field, the first mother box vernier key for measurement and the first child box for measurement Measure the distance between the vernier keys,

상기 필드의 내부 중앙부에 정사각형의 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와, 상기 측정용 필드 중앙부의 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와 조금 떨어진 위치에 정사각형의 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키가 형성되어,A square second measuring box vernier key for measuring a square at a position far from the square second measuring box vernier key for measuring the center of the field and the second measuring box vernier key for measuring the center of the field. Is formed,

상기 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키만 노출시키는 레티클을 사용하여 상기 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키에 상기 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키를 찍어 상기 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키간에 중첩될 경우, 상기 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키 사이의 거리를 측정하여 웨이퍼 스테이지 이동시, 스테이지의 이동거리를 정확히 하는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치를 제공한다.The second second box vernier key for measurement by dipping the second second box vernier key for measurement by using a reticle exposing only the second second box vernier key for measurement When overlapping between the measurement second child box vernier key, the distance between the measurement second parent box vernier key and the measurement second child box vernier key is measured so that the movement distance of the stage can be accurately measured when the wafer stage is moved. Provided is a semiconductor device provided with an overlap mark.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 상세한 설명을 하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

제 1A 도 내지 제 1C 도는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 중첩마크가 구비된 반도체 장치를 도시한 도면이다.1A to 1C are diagrams illustrating a semiconductor device having an overlap mark according to a first embodiment of the present invention.

제 1A 도는 노광장비의 한 필드 양측의 스크라이브 라인에 정렬용 중첩마크와 별도로 형성되는 측정용 중첩마크가 형성된 상태의 도면이다.FIG. 1A is a view of a state in which a measurement overlap mark formed separately from an alignment overlap mark is formed on scribe lines on both sides of one field of an exposure apparatus.

상기 도면에 있어서, 필드의 우측 중첩영역(3) 내에 정사각형의 측정용 모 박스 버어니어 키(5)가 형성되어 있고, 필드의 좌측 중첩영역(3)에는 상기 측정용 모박스 버어니어 키(5) 보다 작은 정사각형의 측정용 자 박스 버어니어 키(7)가 형성되어 있다. 여기서, 하나의 필드와 또 다른 필드가 중첩되는 영역(3)이 예를들어, 50㎛라고 하면, 상기 필드의 오른쪽 중첩영역(3) 50㎛ 내에 한 변이 25㎛ 의 크기가 되는 측정용 모 버어니어 키(5)가 형성되고, 필드의 왼쪽 중첩영역(3) 50㎛내에 한 변이 12.5㎛인 정사각형상의 측정용 자 버어니어 키(7)가 형성된다.In the figure, a square measurement parent box vernier key 5 is formed in the right overlap region 3 of the field, and the measurement mock box vernier key 5 is formed in the left overlap region 3 of the field. A square magnetic measuring box vernier key 7 is formed. Here, if the area 3 where one field overlaps with another field is, for example, 50 µm, the measurement mower has a size of 25 µm on one side within 50 µm of the right overlap region 3 of the field. The near key 5 is formed, and a square measuring magnetic vernier key 7 is formed in which one side is 12.5 占 퐉 within 50 占 퐉 of the left overlapping region 3 of the field.

제 1B 도와 제 1C 도는 노광장비에서 노광이 진행됨에 따라 필드의 중첩영역내에서 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키간에 중첩되어 있는 상태를 도시한 도면이다.1B and 1C are diagrams showing a state in which an overlap between a measuring parent box vernier key and a measuring child box vernier key in an overlapping area of a field as the exposure progresses in the exposure apparatus.

상기 도면에서 알 수 있는 바와같이, 필드의 중첩된 지역(3)에서는 하나의 측정용 모 박스 버어니어 키(5)와 측정용 자 박스 버어니어 키(7)가 중첩되어, 측정용 자 박스 버어니어 키(7)를 측정용 모 박스 버어니어 키(5)가 둘러싸는 박스 인 박스 형태로 중첩되어 있음을 알 수 있다. 따라서, 상기 측정용 모 박스 버어니어 키(5)와 측정용 자 박스 버어니어 키(7)간의 중첩 정도를 측정함으로써 웨이퍼스테이지의 정확한 이동상태를 확인할 수 있으며, 또한 이동오차가 발생한 경우에는 웨이퍼의 이동상태를 보정한다.As can be seen from the figure, in the overlapped area 3 of the field, one measuring parent box vernier key 5 and the measuring jar box vernier key 7 overlap each other, and the measuring jar box burr It can be seen that the near key 7 is superimposed in the form of a box that is a box surrounded by the measurement parent box vernier key 5. Therefore, by measuring the degree of overlap between the measurement parent box vernier key 5 and the measurement box vernier key 7, the accurate movement state of the wafer stage can be confirmed. Correct the movement.

제 1C 도는 측정용 중첩마크인 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키간에 중첩되어 박스 인 박스 형태를 이룬 상태의 도면이다.1C is a state in which a box-in-box form is overlapped between a measurement parent box vernier key and a measurement child box vernier key, which are overlapping marks for measurement.

상기 도면에서, 웨이퍼상에서 한번 노광시 형성되는 노광영역인 하나의 필드와 다른 필드가 서로 중첩됨에 따라 측정용 모 박스 버어니어 키(5)와 측정용 자 박스 버어니어 키(7)간에 중첩된다. 여기서, 만약 중첩이 올바로 이뤄지지 않은 경우에는, 측정용 모 박스 버어니어 키(5)와 측정용 자 박스 버어니어 키(7)간의 수평축(X축)과 수직축(Y축) 에서의 중첩 편위값이 발생된다. 즉 제 1C 도에서, X축의 편위값은 (X1- X2)이 되고, Y축 편위값은 (Y2- Y1)이 된다.In this figure, as one field and another field, which are exposure areas formed upon one exposure on the wafer, overlap each other, the measurement parent box vernier key 5 and the measurement child box vernier key 7 overlap. Here, if the superimposition is not performed correctly, the overlap deviation value on the horizontal axis (X axis) and the vertical axis (Y axis) between the measurement parent box vernier key 5 and the measurement child box vernier key 7 is Is generated. That is, in FIG. 1C, the X axis deviation value is (X 1 -X 2 ), and the Y axis deviation value is (Y 2 -Y 1 ).

제 1D 도는 제 1B 도의 측정용 모 박스 버어니어 키(5)와 측정용 자 박스 버어니어 키(7)간의 중첩 정도를 측정하여 웨이퍼 얼라인을 실시하는 상태를 도시한 도면이다.FIG. 1D is a view showing a state in which wafer alignment is performed by measuring the degree of overlap between the measuring parent box vernier key 5 and the measuring magnetic box vernier key 7 of FIG.

상기 도면에 있어서, 웨이퍼(17)의 회전정도를 측정하는 방법은 먼저, 웨이퍼 센터 필드에 위치한 중첩마크(E)의 중첩 편위값을 0 으로 가정했을 때 웨이퍼(17)의 오른쪽에 위치한 제 3 측정용 중첩마크(C)의 중첩 편위값과의 차이로 계산하고, 수평축(X축)으로의 밀림정도(Scale 값)는 제 3 측정용 중첩마크(C)의 X축 편위값과 제 4 측정용 중첩마크(D)의 X축 편위값과의 차로 계산이 된다. 수직방향(Y축)으로의 밀림정도는 제 1 측정용 중첩마크(A)의 Y축 편위값과 중첩도 제 1측정용 중첩마크(B)의 Y축 편위값과의 차이로 계산된다. 이와같이 계산된 값은 노광장비인 스테퍼에 그 보정치를 입력하여 웨이퍼의 상태를 재 얼라인하게 된다.In the figure, a method of measuring the degree of rotation of the wafer 17 is first a third measurement located on the right side of the wafer 17 when assuming that the overlap deviation value of the overlap mark E located in the wafer center field is 0. Calculated by the difference between the overlapping deviation value of the overlapping mark C, and the sliding accuracy (Scale value) on the horizontal axis (X axis) is the X-axis deviation value of the third measurement overlapping mark C and the fourth measurement value. It is calculated by the difference from the X-axis deviation value of the overlap mark D. The degree of sliding in the vertical direction (Y axis) is calculated by the difference between the Y axis deviation value of the first measurement overlap mark A and the overlapping degree Y axis deviation value of the first measurement overlap mark B. FIG. The calculated value is then realigned to the state of the wafer by inputting the correction value to the stepper which is the exposure equipment.

제 2A 도 내지 제 2C 도는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 측정용 중첩마크가 구비된 반도체 장치를 도시한 도면이다.2A to 2C are diagrams illustrating a semiconductor device having an overlap mark for measurement according to a second exemplary embodiment of the present invention.

제 2A 도는 노광장비에 있어서 웨이퍼 스테이지가 이동하여 한번 노광이 실시되는 웨이퍼상의 영역인 한 필드와 다음 필드의 간의 일정영역이 X,Y축 방향으로 중첩된 영역내에 측정용 중첩마크를 형성시킨 상태의 도면이다. 여기서, 상기 웨이퍼는 측정용 웨이퍼로 그에 따라 상기 필드도 측정용 필드가 된다.FIG. 2A is a state in which an overlapping mark for measurement is formed in an area in which a predetermined area between one field, which is an area on the wafer, to which exposure is performed once and the next field is overlapped in the X- and Y-axis directions in the exposure apparatus. Drawing. Here, the wafer is a measuring wafer, and thus the field is also a measuring field.

즉, 상기 도면에 있어서, 본 발명의 실시 예는 필드의 오른쪽과 아래에 정사각형의 측정용 모 박스 버어니어 키(5)를 형성하고 왼쪽과 위쪽에 정사각형의 측정용 자 박스 버어니어 키(7)가 형성되어 있으며, 필드의 내부 중앙부에 다시 정사각형의 측정용 모 박스 버어니어 키(11)를 형성하고 상기 측정용 모 박스 버어니어 키(11)로 부터 X축으로 조금 떨어진 위치, 예를 들어 5mm - 7mm 정도 떨어진 곳에 측정용 자 박스 버어니어 키(13)를 형성하였다.That is, in the drawings, the embodiment of the present invention forms a square measuring parent box vernier key 5 on the right and bottom of the field, and a square measuring vernier key 7 on the left and top of the field. And a square measuring parent box vernier key 11 is formed again in the inner center of the field, and is slightly away from the measuring mother box vernier key 11 on the X axis, for example, 5 mm. A measuring box vernier key (13) was formed at a distance of about 7 mm.

웨이퍼 스테이지가 이동하여 노광되는 한 필드와 다음 필드에서의 중첩되는 영역(3)은 예를 들어, 80㎛라고 하면, 상기 필드의 오른쪽과 아래쪽에 형성되는 정사각형의 측정용 모 박스 버어니어 키(5)와 필드 내부의 측정용 모 박스 버어니어 키(11)는 한변이 25㎛ - 40㎛의 크기가 되도록 형성하고, 필드의 왼쪽과 상부에 형성되는 측정용 자 박스 버어니어 키(7)와 필드 내부의 측정용 자 박스 버어니어 키(13)는 한변이 12.5㎛ - 20㎛의 크기가 되도록 형성한다.One field to which the wafer stage is moved and exposed and the overlapping area 3 in the next field are, for example, 80 µm, and a square measurement parent box vernier key 5 formed at the right and the bottom of the field. ) And the parent box vernier key 11 for measurement inside the field are formed so that one side has a size of 25 μm to 40 μm, and the measurement box vernier key 7 and the field formed on the left and upper sides of the field. The internal measuring vernier vernier key 13 is formed so that one side has a size of 12.5 μm-20 μm.

제 2B 도는 노광장비의 웨이퍼 스테이지가 필드 크기만큼 이동하여 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키간에 중첩된 상태를 도시한 도면이다.2B is a view showing a state in which the wafer stage of the exposure equipment is moved by a field size and overlapped between the measurement parent box vernier key and the measurement child box vernier key.

상기 도면에 도시된 바와같이, 본 발명에 따른 제 2 실시 예에서는 측정용 중첩마크(9)가 필드주변 둘레의 4면 모두에 설치되어 있어 1차적으로 상기 필드의 주변둘레에 설치된 측정용 중첩마크(9)의 중첩도를 측정장비에 의해 측정하여 웨이퍼 스테이지 이동오차를 파악하고, 다음 2차로 제 2C 도에서와 같이, 상기 측정용 자 박스 버어니어 키(7)만 노출시키는 레티클을 사용하여 상기 측정용 모 박스 버어니어 키(5)에 상기 측정용 자 박스 버어니어 키(7)를 찍어 상기 필드의 가운데 설치된 측정용 중첩마크(15)에 의한 중첩도 측정으로 스테이지 이동의 재현성을 파악할 수 있다.As shown in the drawing, in the second embodiment according to the present invention, the overlap marks 9 for measurement are installed on all four sides of the periphery of the field so that the overlap marks for measurement are primarily installed on the periphery of the field. (9) was measured using a measuring device to determine the wafer stage movement error, and using a reticle exposing only the measurement vernier vernier key 7 as shown in FIG. The reproducibility of stage movement can be grasped by measuring the superimposition degree by the measurement superimposition mark 15 installed in the center of the field by imposing the measurement box vernier key 7 on the measurement mother box vernier key 5. .

이상에서 설명한 바와같이, 노광장비의 한 필드에서 웨이퍼 스크라이브 라인상에 정사각형의 측정용 모 박스 버어니어 키와 정사각형의 측정용 자 박스 버어니어 키로 구성되는 측정용 중첩마크를 설치하여, 상기 필드와 필드간의 스크라이브라인 상에서 상기 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키간의 중첩 정도를 측정장비에 의해 측정한 후 그 오차만큼 웨이퍼 스테이지를 보정시켜 줌으로써, 노광장비의 웨이퍼 스테이지 이동 상태를 사전에 모니터링 할 수 있게 하고 또한, 사전 모니터링으로 인한 장비의 가동률을 향상시키며, 스테이지 이동의 오차로 웨이퍼 재작업을 줄임과 동시에, 정확한 스테이지 이동의 실현으로 반도체 소자 제조의 공정수율을 향상시키는 효과가 있다.As described above, in one field of the exposure equipment, a measurement overlap mark composed of a square measurement parent box vernier key and a square measurement child box vernier key is provided on the wafer scribe line. By measuring the degree of overlap between the measuring parent box vernier key and the measuring jar box vernier key on the scribe brain by means of a measuring device, the wafer stage is corrected by the error, thereby preliminary the wafer stage movement state of the exposure equipment. It is possible to monitor and improve the operation rate of equipment by pre-monitoring, reduce wafer rework due to error of stage movement, and improve process yield of semiconductor device manufacturing by realizing accurate stage movement. .

제 1A 도 내지 제 1D 도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 측정용 중첩마크가 구비된 반도체 장치를 도시한 도면.1A to 1D show a semiconductor device with a superimposition mark for measurement according to a first embodiment of the present invention.

제 2A 도 내지 제 2C 도는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 측정용 중첩마크가 구비된 반도체 장치를 도시한 도면.2A to 2C are diagrams illustrating a semiconductor device with a superimposition mark for measurement according to a second embodiment of the present invention.

〈 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 〉<Description of the reference numerals for the main parts of the drawings>

1 : 셀영역 3 : 중첩영역1: cell area 3: overlap area

5,11 : 측정용 모 박스 버어니어 키5,11: Morbox vernier key for measurement

7,13 : 측정용 자 박스 버어니어 키7,13: measuring box vernier key

Claims (9)

노광 장비의 한 필드 제 1 측의 웨이퍼 스크라이브 라인 상에 정사각형의 측정용 모 박스 버어니어 키가 형성되고, 상기 필드 제 2 측의 웨이퍼 스크라이브 라인 상에 상기 측정용 모 박스 버어니어 키보다 작은 정사각형의 측정용 자 박스 버어니어 키가 형성되어,A square measuring parent box vernier key is formed on the wafer scribe line on one field first side of the exposure equipment and a square smaller than the measuring parent box vernier key on the wafer scribe line on the field second side. The measuring box vernier key is formed, 상기 필드와 필드간의 스크라이브 라인 상에서 상기 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키간에 중첩될 경우, 상기 측정용 모 박스 버어니어 키와 측정용 자 박스 버어니어 키 사이의 거리를 측정하여 웨이퍼 스테이지 이동시, 스테이지의 이동거리를 정확히 하는 것을 특징으로 하는 충첩마크가 구비된 반도체 장치.When overlapping between the measuring parent box vernier key and the measuring child box vernier key on the scribe line between the field, the distance between the measuring parent box vernier key and the measuring child box vernier key is measured. The semiconductor device with a puff mark, characterized in that to accurately move the stage when the wafer stage moves. 제 1 항에 있어서The method of claim 1 상기 필드와 필드간의 중첩영역은 50㎛ - 80㎛ 의 범위인 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.And a superimposition region between the field and the field is in the range of 50 µm to 80 µm. 제 1 항에 있어서The method of claim 1 상기 측정용 모 박스 버어니어 키의 한 변의 길이는 25μ - 40㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.The length of one side of the measurement parent box vernier key is a semiconductor device having a superimposed mark, characterized in that the range of 25μ-40㎛. 제 1 항에 있어서The method of claim 1 상기 측정용 자 박스 버어니어 키의 한 변의 길이는 12.5㎛ - 20㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.And a length of one side of the measuring vernier vernier key is in a range of 12.5 μm to 20 μm. 노광 장비의 한 필드 주변둘레의 웨이퍼의 스크라이브 라인 상에 정사각형의 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키와, 상기 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키보다 작은 정사각형의 측정용 제 1 자 박스 버어니어 키가 형성되어,A first measurement box vernier key for square measurement on a scribe line of a wafer around a field of the exposure equipment, and a first measurement box vernier key for measurement of square smaller than the first measurement box vernier key for measurement Is formed, 상기 필드와 필드간의 스크라이브 라인 상에서 상기 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 1 자 박스 버어니어 키간에 중첩될 경우, 상기 측정용 제 1 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 1 자 박스 버어니어 키 사이의 거리를 측정하고,When overlapping between the measurement first parent box vernier key and the measurement first child box vernier key on the scribe line between the field and the field, the first mother box vernier key for measurement and the first child box for measurement Measure the distance between the vernier keys, 상기 필드의 내부 중앙부에 정사각형의 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와, 상기 측정용 필드 중앙부의 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와 조금 떨어진 위치에 정사각형의 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키가 형성되어,A square second measuring box vernier key for measuring a square at a position far from the square second measuring box vernier key for measuring the center of the field and the second measuring box vernier key for measuring the center of the field. Is formed, 상기 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키만 노출시키는 레티클을 사용하여 상기 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키에 상기 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키를 찍어 상기 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키간에 중첩될 경우, 상기 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키 사이의 거리를 측정하여 웨이퍼 스테이지 이동시, 스테이지의 이동거리를 정확히 하는 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.The second second box vernier key for measurement by dipping the second second box vernier key for measurement by using a reticle exposing only the second second box vernier key for measurement When overlapping between the measurement second child box vernier key, the distance between the measurement second parent box vernier key and the measurement second child box vernier key is measured so that the movement distance of the stage can be accurately measured when the wafer stage is moved. A semiconductor device provided with an overlap mark, characterized in that. 제 5 항에 있어서The method of claim 5 상기 측정용 제 2 모 박스 버어니어 키와 측정용 제 2 자 박스 버어니어 키와의 간격은 5㎛ - 7㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.The semiconductor device with a superimposed mark, characterized in that the interval between the measurement second mother box vernier key and the measurement second child box vernier key is in the range of 5 μm to 7 μm. 제 5 항에 있어서The method of claim 5 상기 필드와 필드간의 중첩영역은 50㎛ - 80㎛ 의 범위인 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.And a superimposition region between the field and the field is in the range of 50 µm to 80 µm. 제 5 항에 있어서The method of claim 5 상기 측정용 제 1, 제 2 모 박스 버어니어 키의 한 변의 길이는 25μ - 40㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.The length of one side of the said 1st, 2nd mother box vernier key for a measurement is 25 micrometers-40 micrometers, The semiconductor device provided with the superposition mark characterized by the above-mentioned. 제 5 항에 있어서The method of claim 5 상기 측정용 제 1, 제 2 자 박스 버어니어 키의 한 변의 길이는 12.5㎛ - 20㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 중첩마크가 구비된 반도체 장치.The length of one side of the said 1st, 2nd magnetic box vernier key for a measurement is 12.5 micrometers-20 micrometers, The semiconductor device provided with the superposition mark characterized by the above-mentioned.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0346316A (en) * 1989-07-14 1991-02-27 Oki Electric Ind Co Ltd Formation of resist pattern
KR940016651A (en) * 1992-12-30 1994-07-23 김주용 Superposition error measurement mark manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0346316A (en) * 1989-07-14 1991-02-27 Oki Electric Ind Co Ltd Formation of resist pattern
KR940016651A (en) * 1992-12-30 1994-07-23 김주용 Superposition error measurement mark manufacturing method

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