KR100351230B1 - Conductive paste composition for electrodes - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전극용 도전 페이스트에 관한 것으로, 평균입경 0.8 내지 4 ㎛ 범위의 도전성 분말 100 중량부, 평균입경 0.02 내지 0.1 ㎛ 범위의 도전성 미립자 3 내지 30 중량부, 유리 프릿(glass frit) 0 내지 10 중량부 및 유기 비히클 3 내지 30 중량부를 포함하는 본 발명의 도전 페이스트 조성물은, 저온에서 소성가능하고 기재에 대한 접착성이 좋고 저 저항성인 미세 전극 패턴을 제공할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive paste for electrodes, comprising 100 parts by weight of conductive powder in an average particle diameter of 0.8 to 4 μm, 3 to 30 parts by weight of conductive fine particles in an average particle diameter of 0.02 to 0.1 μm, and glass frit 0 to 10. The electrically conductive paste composition of this invention containing a weight part and 3-30 weight part of organic vehicles can provide the microelectrode pattern which is calcinable at low temperature, is good adhesiveness with respect to a base material, and is low resistance.

Description

전극용 도전 페이스트 조성물{CONDUCTIVE PASTE COMPOSITION FOR ELECTRODES}Conductive paste composition for electrodes {CONDUCTIVE PASTE COMPOSITION FOR ELECTRODES}

본 발명은 전극용 도전 페이스트 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 디스플레이용 기판의 전극 형성, 세라믹 기판, 열 헤드(thermal head) 또는 집적회로 등의 각종 전자기기(電子機器) 상에 도체(導體) 회로를 형성하는데 이용되는 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive paste composition for electrodes, and more particularly, to a conductor circuit on various electronic devices such as electrode formation of a display substrate, ceramic substrate, thermal head, or integrated circuit. It relates to a conductive paste composition used to form a.

최근, 디스플레이나 회로 기판 등에 있어서, 도체 회로 패턴의 저온 소성, 도체의 저 저항화, 고 세밀화 및 고 밀도화에 대한 요구가 증가되어 왔으며, 무거운 브라운관을 대체하는 화상표시장치로서 가벼운 박형(薄型)의 평면 디스플레이가 개발되었다. 평면 디스플레이로서 액정 디스플레이(LCD)가 활발히 개발되고 있는데, 이 액정 디스플레이는 화상이 어둡고 시야각이 좁다는 문제를 갖고 있다.In recent years, there has been an increasing demand for low-temperature firing of conductor circuit patterns, low resistance of conductors, high refinement and high density in displays and circuit boards, and is a light and thin type as an image display device replacing heavy CRTs. Flat display was developed. Liquid crystal displays (LCDs) are being actively developed as flat panel displays, which have problems of dark images and narrow viewing angles.

이 액정 디스플레이에 대체되는 것으로, 스스로 발광하는 형태(自發光型)의 방전형 디스플레이인 플라즈마 디스플레이 패널(이하, PDP) 또는 전자방출 소자를 이용한 화상 표시 장치가 있는데, 이들은 액정 디스플레이에 비해 밝은 화상이 얻어지면서도 시야각이 넓고 또한 대화면화, 고 정세화 요구에 부응하기 때문에 그 요구가 높아져 가고 있다.As an alternative to the liquid crystal display, there is an image display device using a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) or an electron-emitting device that is a self-emitting discharge type display. In addition, the demand is increasing because the viewing angle is wide and the screen meets the demand for large screen and high resolution.

전자방출 소자에는 냉음극 전자 방출 소자로 대표되는 전계 방출형(FED)이 있고, 냉음극 전자원을 이용한 화상형성 장치는 전자방출소자로부터 방출되는 전자 빔(beam)을 형광체에 조사하여 형광을 일으키는 것으로 화상을 표시하는 것이다. 이 장치에서는 전면 유리 기판과 배면 유리 기판에 각각 기능을 부여하여 이용하는데, 배면 유리 기판에는 복수의 전자방출 소자와 그들 소자의 전극을 접속하는 매트릭스상의 배선이 설계되어 있다. 이러한 배선은 전자방출 소자의 전극 부분에서 교차하게 되기 때문에 절연하기 위한 유전체층이 설계되어 있다. 또한 양 기판의 사이에 내대기압 지지 부재로서 스페이서(spacer)가 형성되어 있다.The electron emitting device has a field emission type (FED) represented by a cold cathode electron emitting device, and an image forming apparatus using a cold cathode electron source emits fluorescence by irradiating an electron beam emitted from the electron emitting device to a phosphor. To display an image. In this apparatus, the front glass substrate and the back glass substrate are provided with functions, respectively, and the back glass substrate is designed with matrix wirings for connecting a plurality of electron-emitting devices and electrodes of those devices. Since these wirings intersect at the electrode portion of the electron-emitting device, a dielectric layer for insulating is designed. In addition, a spacer is formed between the substrates as an internal air pressure supporting member.

PDP는 액정 디스플레이에 비해 고속 표시가 가능하며 대형화가 용이하기 때문에 OA 기기 및 정보표시장치 등의 분야에서 수요가 늘고 있다. PDP와 관련하여, 도 1에 교류형의 가스표시패널을 나타내었다. 도 1에서와 같이 PDP는 2장의 대향하는 유리 기판에 규칙적으로 배향된 1쌍의 전극을 위치시키고, 양 기판의 사이에 네온, 헬륨, 크세논 등의 불활성 가스를 봉입한 구조를 갖고 있으며, 이들 전극의 사이에 전압을 인가하고 전극 주변의 미소한 셀 내에서 방전시키는 것에 의해 각셀을 발광시켜서 표시를 행하게 되어 있다. 한편, 상기 양 기판은 유리와 같은 투명 재료로 이루어진 표시측면 기판(1) (이하, 전면 기판으로 칭함)과 배면측 기판(2)로 구성되어 있다. 일반적으로 전면 기판에는 투명 전극(3)과 바스(bus) 전극(4)로 구성되고 횡방향으로 연장되며 서로 평행한 한 쌍의 방전유지전극으로 이루어진 방전유지전극쌍이 위치되어 있다. 이들은 투명한 유전체층(5), 나아가서는 투명한 보호층(6)으로 피복된다. 유사하게 유전체층(7)로 피복된 배면측 기판에는 상기 방전유지전극쌍과 직교하는 다수의 어드레스(address) 전극(8)이 위치되어 있다. 이들 방전유지전극쌍과 어드레스 전극(8)과의 교차부, 또는 그의 근방에는 간벽(9)에 의해 방전 셀이 화소화되어 이들 각 방전 셀을 선택적으로 방전시켜 형광체(10)을 발광시키는 것에 의해 표시가 행해진다.PDPs are capable of high-speed display and large-sized displays compared to liquid crystal displays, and thus, demand for OA devices and information display devices is increasing. Regarding the PDP, an AC type gas display panel is shown in FIG. As shown in Fig. 1, the PDP has a structure in which a pair of electrodes regularly aligned are placed on two opposing glass substrates, and an inert gas such as neon, helium, and xenon is enclosed between the two substrates. Each cell is made to emit light by displaying a voltage by applying a voltage between the cells and discharging the cells in a small cell around the electrode. On the other hand, the both substrates are composed of a display side substrate 1 (hereinafter referred to as a front substrate) and a back side substrate 2 made of a transparent material such as glass. In general, a discharge holding electrode pair composed of a transparent electrode 3 and a bus electrode 4 and extending in a lateral direction and parallel to each other is disposed on the front substrate. They are covered with a transparent dielectric layer 5, furthermore a transparent protective layer 6. Similarly, a plurality of address electrodes 8 orthogonal to the discharge sustaining electrode pair are located on the back side substrate covered with the dielectric layer 7. The discharge cells are pixelated by the partition wall 9 at the intersections of the discharge sustaining electrode pairs with the address electrodes 8, or in the vicinity thereof, to selectively discharge these discharge cells to emit the phosphors 10. Display is performed.

상술한 PDP에 있어서 전면판 및 배면판의 전극은 예를 들면 은 페이스트로 형성하고 있는데, 종래의 은 페이스트는 평균입경이 1 내지 4 ㎛의 은 분말을 단독으로 시용하고 있다. 그러나, 이 경우는 400 내지 500 ℃의 저온에서 소성하는 경우 치밀한 막이 얻어지지 않으며, 그에 따라 도체의 저항도 높아지는 문제가 발생하고 샤프(sharp)한 에지(edge)의 형성이 곤란하였다. 그 원인은 도전 페이스트에 이용되는 도전 분말의 입경의 분포가 적정화되어 있지 않고 입자 크기가 크기 때문에 저온에서 소성하는 경우 소결이 진행되지 않고 조면화되어 핀홀(pin hole)이 증가하기 때문으로 추정된다.In the above-described PDP, the electrodes of the front plate and the back plate are formed of, for example, silver paste. In the conventional silver paste, silver powder having an average particle diameter of 1 to 4 µm is used alone. However, in this case, when firing at a low temperature of 400 to 500 ° C., a dense film is not obtained, thereby causing a problem that the resistance of the conductor is also high, and it is difficult to form sharp edges. The reason for this is presumably because the distribution of the particle size of the conductive powder used for the conductive paste is not optimized and the particle size is large, so that when firing at a low temperature, the sintering is not performed and the roughening increases, thereby increasing the pin hole.

따라서 본 발명의 목적은 세라믹 및 유리 기판 상에, 저온에서 소성될 수 있고 기판에 대한 접착 강도가 높고 저 저항성인 박막 전극 패턴을 제공하는데 매우 적합한 도전 페이스트 조성물을 제공하는데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a conductive paste composition that is very suitable for providing thin film electrode patterns on ceramic and glass substrates that can be baked at low temperatures and have high adhesion strength to the substrate and low resistance.

도 1은 전형적인 가스방전 디스플레이 패널의 기본 구조를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing the basic structure of a typical gas discharge display panel.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 한 태양에서는, 평균입경 0.8 내지 4 ㎛의 도전성 분말 100 중량부, 평균입경 0.02 내지 0.1 ㎛의 도전성 미립자 3 내지 30 중량부, 유리 프릿 0 내지 10 중량부 및 유기 비히클 3 내지 30 중량부를 포함하는, 전극용 도전 페이스트 조성물 ("일반 도전 페이스트")을 제공한다.In order to achieve the above object, in one embodiment of the present invention, 100 parts by weight of conductive powder having an average particle size of 0.8 to 4 μm, 3 to 30 parts by weight of conductive fine particles having an average particle diameter of 0.02 to 0.1 μm, 0 to 10 parts by weight of glass frit, and organic Provided is a conductive paste composition for electrodes (“generic conductive paste”) comprising 3 to 30 parts by weight of a vehicle.

본 발명에서는 또한, 상기 일반 도전 페이스트에서 유기 비히클 성분으로서 감광성 유기 성분을 포함하는, 전극용 감광성 도전 페이스트 조성물 ("감광성 도전 페이스트")을 제공한다.This invention also provides the photosensitive electrically conductive paste composition ("photosensitive electrically conductive paste") for electrodes which contains the photosensitive organic component as an organic vehicle component in the said normal electrically conductive paste.

본 발명의 도전 페이스트 조성물은 통상의 도전 분말 외에 도전성 미립자를 함유하는 것을 특징으로 한다.The electrically conductive paste composition of this invention contains electroconductive fine particles other than a normal electrically conductive powder.

본 발명에 대해 이하에서 구체적으로 설명한다.This invention is demonstrated concretely below.

(1) 도전성 분말(1) conductive powder

본 발명의 도전 페이스트에 사용되는 도전성 분말은 Ag, Cu, Au, Pd, Ni 및 Pt로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상을 함유하는 분말이다. 이들 분말의 형상은 구상, 판상, 괴상, 봉상 등일 수 있으며, 응집성이 적고 분산성이 좋은 구상분말이 바람직하게 사용될 수 있다.The electroconductive powder used for the electrically conductive paste of this invention is a powder containing 1 or more types chosen from the group which consists of Ag, Cu, Au, Pd, Ni, and Pt. The shape of these powders may be spherical, plate-like, blocky, rod-like, or the like, and spherical powders having low cohesiveness and good dispersibility may be preferably used.

상기 도전성 분말의 평균입경은 0.8 내지 4 ㎛ 범위, 바람직하게는 1 내지 3 ㎛ 범위이다. 이 범위를 벗어나 입경이 0.8 ㎛ 미만이면, 입자가 너무 미세하게 되어 소결시 수축률이 커지고 막에 크랙이 생기기 쉬우며, 입자가 응집되기 쉽고 페이스트 중에 안정된 분산상태를 얻기가 곤란하고 인쇄 특성이 저하한다. 또한 입경이 4 ㎛ 보다 크면 페이스트 도포막의 표면이 거칠게 되고 매우 미세한 패턴을 얻기가 어려우며 또한 소결성이 저하되어 치밀한 박막이 얻어지기 어려워 바람직하지 않다.The average particle diameter of the conductive powder is in the range of 0.8 to 4 μm, preferably in the range of 1 to 3 μm. If the particle size is less than 0.8 µm outside of this range, the particles become too fine to increase the shrinkage rate during sintering and easily cause cracks in the film, the particles are agglomerated, it is difficult to obtain a stable dispersion state in the paste, and the printing characteristics are deteriorated. . In addition, when the particle diameter is larger than 4 µm, the surface of the paste coating film becomes rough, it is difficult to obtain a very fine pattern, and the sintering property is lowered, which makes it difficult to obtain a dense thin film, which is not preferable.

또한, 감광성 도전 페이스트의 경우, 도전성 분말의 형상은 노광시의 광투과성 및 도전 페이스트의 분산성을 좋게 하기 위해서는 구상 및 입자상이 바람직하며, 평균 입경이 0.8 ㎛ 미만이면 입자가 너무 미세하여 노광시에 광산란되어 소정의 해상도가 얻어지기 어렵고, 4 ㎛를 초과하면 전극 패턴의 에지 단절이 악화되어 도체 표면의 평활성이 저하된다.In the case of the photosensitive conductive paste, the shape of the conductive powder is preferably spherical and particulate in order to improve the light transmittance at the time of exposure and the dispersibility of the conductive paste, and when the average particle diameter is less than 0.8 µm, the particles are too fine and are exposed at the time of exposure. It is difficult to obtain a predetermined resolution due to light scattering, and when it exceeds 4 µm, edge breakage of the electrode pattern is deteriorated, and the smoothness of the conductor surface is lowered.

본 발명에 사용되는 도전성 분말의 표면적/중량비(비표면적)는 0.5 내지 3.5 m2/g이고 밀도는 2.5 내지 6 g/cm3범위인 것이 바람직하다. 비표면적이 0.5 m2/g 미만이면 입자가 너무 커져 소성 후의 도포막의 평활성이 저하되어 바람직하지 않으며, 3.5 m2/g 보다 크면 입자가 너무 미세해져 입자가 응집하기 쉽고 인쇄 특성이 저하된다. 상기 밀도가 상기 범위를 벗어나면 인쇄 특성이 불량해지므로 바람직하지 않다. 또한, 감광성 도전 페이스트의 경우, 도전성 분말의 비표면적이 상기한범위에 들게 되면 노광시의 광투과가 하부까지 원활하게 행해져 전극 패턴 에지의 절단이 좋게 되고 직사각형(矩形)의 전극 단면 형상이 얻어진다.The surface area / weight ratio (specific surface area) of the conductive powder used in the present invention is preferably 0.5 to 3.5 m 2 / g and the density is in the range of 2.5 to 6 g / cm 3 . If the specific surface area is less than 0.5 m 2 / g, the particles become too large and the smoothness of the coated film after firing decreases, which is not preferable. If the specific surface area is larger than 3.5 m 2 / g, the particles become too fine, the particles tend to aggregate and the printing characteristics are degraded. If the density is out of the above range, the printing characteristics are poor, which is not preferable. In the case of the photosensitive conductive paste, when the specific surface area of the conductive powder falls within the above-mentioned range, light transmission at the time of exposure is performed smoothly to the lower side, whereby cutting of the electrode pattern edge is good and a rectangular electrode cross-sectional shape is obtained. .

(2) 도전성 미립자(2) conductive fine particles

본 발명의 도전 페이스트에 사용되는 도전성 미립자는 상기 도전성 분말과 마찬가지로 Ag, Cu, Au, Pd, Ni 및 Pt로 이루어진 군중에서 선택된 1종 이상의 미립자일 수 있다.The conductive fine particles used in the conductive paste of the present invention may be one or more fine particles selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Pd, Ni, and Pt similarly to the conductive powder.

상기 도전성 미립자의 평균입경은 0.02 내지 0.1 ㎛ 범위인 것이 바람직한데, 입경이 0.02 ㎛ 미만이면 입경이 너무 미세하여 도전성 미립자의 활성이 커져 응집이 일어나게 되고 페이스트 중에 불균일하게 분산되며, 이 때문에 페이스트 중에서 1차 입자들이 2차 입자로 성장하게 되기도 하여 소결 후의 막이 얼룩지게 되어 바람직하지 않다. 또한, 도전성 미립자의 입경이 0.1 ㎛를 초과하면 저온소결하는 효과가 감소하고 치밀한 도체막이 얻어지지 않아 바람직하지 않다. 또한, 감광성 도전 페이스트의 경우, 도전성 미립자의 입경이 0.02 ㎛ 보다 작으면 노광시에 광이 산란되어 소정의 해상도가 얻어지지 않으며, 0.1 ㎛를 초과하면 조광시에 산란의 영향을 받게 되어 극미세 패턴이 얻어지기 어렵다.The average particle size of the conductive fine particles is preferably in the range of 0.02 to 0.1 μm, but if the particle size is less than 0.02 μm, the particle size is too fine, the activity of the conductive fine particles becomes large, causing aggregation and uneven dispersion in the paste. It is not preferable because the secondary particles may grow into secondary particles and the film after sintering may be stained. Moreover, when the particle diameter of electroconductive fine particles exceeds 0.1 micrometer, the effect of low temperature sintering decreases and a dense conductor film is not obtained, which is not preferable. In the case of the photosensitive conductive paste, when the particle diameter of the conductive fine particles is smaller than 0.02 μm, light is scattered at the time of exposure, and a predetermined resolution is not obtained. When the photosensitive conductive paste exceeds 0.1 μm, scattering is affected when dimming, resulting in an extremely fine pattern. This is difficult to obtain.

도전성 미립자의 평균입경은 레이저 회절법에 의한 입도분석측정장치 또는 TEM(투과형전자현미경)에 의해 촬영한 금속 미립자의 사진으로부터 측정할 수 있다. TEM의 경우는 무작위로 선택된 100개의 금속 미립자의 1차 입경을 측정하여, 큰 쪽으로부터 5개의 입자와 작은 쪽으로부터 5개의 입자를 제외한 나머지 미립자의 1차 입경을 평균 입경의 측정치로 한다.The average particle diameter of electroconductive fine particles can be measured from the particle size analysis measuring apparatus by a laser diffraction method, or the photograph of the metal fine particle image | photographed by TEM (transmission electron microscope). In the case of TEM, the primary particle diameter of 100 metal fine particles selected at random is measured, and let the primary particle diameter of the other microparticles | fine-particles except five particle from a large side and five particle from a small side be used as a measurement of an average particle diameter.

또한, 상기 도전성 미립자의 비표면적은 2 내지 50 m2/g 범위, 바람직하게는 3 내지 40 m2/g 범위이며, 이 범위에 드는 비표면적을 가진 도전성 미립자를 사용하면, 도포막 소성시에 소결 촉진 효과가 있고 치밀한 막이 얻어지며 전기저항치가 낮아지게 되고 정도(精度)가 좋은 도포막이 얻어진다. 상기 도전성 미립자의 입자 형상은 구상인 것이 응집성이 적기 때문에 바람직하다.The specific surface area of the conductive fine particles is in the range of 2 to 50 m 2 / g, preferably in the range of 3 to 40 m 2 / g, and when the conductive fine particles having a specific surface area in this range are used, A sintering promoting effect, a dense film is obtained, the electrical resistance value is lowered, and a coated film with good precision is obtained. Since the particle shape of the said electroconductive fine particle is spherical, there is little cohesiveness, and it is preferable.

상기 도전성 미립자는 상기 도전성 분말 100 중량부를 기준으로 3 내지 30 중량부, 바람직하게는 5 내지 20 중량부의 양으로 사용되는데, 상기 도전성 미립자의 양이 3 중량부 미만이면 저온 소성 효과 및 도체막의 치밀화 효과가 감소되며, 30 중량부를 초과하면 도전 미립자가 너무 많아져서 응집하게 되고 인쇄 특성이 저하하여 막의 표면 평활성이나 막 얼룩이 생기기 쉽고, 또한 소성수축이 커져 고밀도 패턴이 얻어지기 어렵다. 또한, 감광성 도전 페이스트의 경우, 상기 도전성 미립자를 3 중량부 미만으로 사용하면 저온 소성이 충분히 되지 않고 30 중량부를 초과하면 노광시에 도전성 미립자에 의해 광이 산란하게 되어 극미세 패턴의 형성이 어렵기 때문에 바람직하지 않다.The conductive fine particles are used in an amount of 3 to 30 parts by weight, preferably 5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the conductive powder. If the amount of the conductive particles is less than 3 parts by weight, the low-temperature baking effect and the densification effect of the conductor film are used. When the amount is more than 30 parts by weight, the conductive fine particles are excessively agglomerated and the printing characteristics are deteriorated, so that the surface smoothness and film staining of the film are likely to occur, and the plastic shrinkage is large, making it difficult to obtain a high density pattern. In the case of the photosensitive conductive paste, when the conductive fine particles are used at less than 3 parts by weight, low-temperature baking is not sufficient, and when the conductive particles are more than 30 parts by weight, light is scattered by the conductive fine particles during exposure, making it difficult to form an extremely fine pattern. Because it is not desirable.

(3) 유리 프릿(3) glass frit

본 발명의 도전 페이스트 조성물은 경우에 따라 유리 프릿을 함유할 수 있다. 유리 프릿은 도전성 분말과 도전성 미립자를 서로 결합시키는 접착제 역할을 하며, 도전 페이스트의 세라믹 또는 유리 기판에 대한 접착성을 향상시킴과 동시에 소결시에 연화하여 유리 프릿을 기판 측에 응집시키는 작용 효과가 있다.The conductive paste composition of the present invention may optionally contain a glass frit. The glass frit serves as an adhesive that bonds the conductive powder and the conductive fine particles to each other. The glass frit improves the adhesion of the conductive paste to the ceramic or the glass substrate and softens during sintering to aggregate the glass frit to the substrate side. .

상기 유리 프릿은, 페이스트 조성물을 세라믹 다층 기판의 내부 전극에 사용하는 경우는 사용되지 않는 것이 바람직하고, 페이스트 조성물을 디스플레이 기판 또는 세라믹 기판의 표면 전극 형성에 사용하는 경우는 상기 도전성 분말 100 중량부를 기준으로 10 중량부 이하의 양으로 사용한다.It is preferable that the glass frit is not used when the paste composition is used for the internal electrode of the ceramic multilayer substrate, and when the paste composition is used to form the surface electrode of the display substrate or the ceramic substrate, 100 parts by weight of the conductive powder is used. It is used in an amount of 10 parts by weight or less.

유리 프릿으로서는 유리 프릿 A 및 유리 프릿 B가 바람직하게 이용될 수 있다. 상기 유리 프릿 A로서는 산화비스무스(Bi2O3)를 함유하는 것이 이용가능하며, 산화물 환산 표기로 나타낸 조성 성분 및 함량이 하기 표 1과 같은 조성을 90 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 유리 프릿 B는 산화납(PbO)을 함유하는 것이 이용되며, 산화물 환산 표기로 나타낸 조성 성분 및 함량이 하기 표 2와 같은 조성을 90 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.As the glass frit, glass frit A and glass frit B can be preferably used. As the glass frit A, it is possible to use bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), and it is preferable that the composition component and content indicated in the oxide conversion notation contain 90 wt% or more of the composition as shown in Table 1 below, and the glass frit B The containing containing lead oxide (PbO) is used, It is preferable that the composition component and content which are represented by the oxide conversion notation contain 90 weight% or more of a composition as Table 2 below.

구성 성분Component 함량(중량%)Content (% by weight) Bi2O3 Bi 2 O 3 40 내지 9040 to 90 SiO2 SiO 2 5 내지 305 to 30 B2O3 B 2 O 3 5 내지 305 to 30 BaOBaO 2 내지 402 to 40

구성 성분Component 함량(중량%)Content (% by weight) PbOPbO 40 내지 9040 to 90 SiO2 SiO 2 10 내지 4010 to 40 B2O3 B 2 O 3 5 내지 305 to 30 ZnOZnO 0 내지 100 to 10 Al2O3 Al 2 O 3 0 내지 200 to 20

상기 유리 프릿의 사용에 의해, 유리 기판이 응력을 받지 않는 온도에서 폐이스트를 소부(燒付)하는 것이 가능하게 된다.By use of the said glass frit, it becomes possible to bake waste yeast at the temperature from which a glass substrate is not stressed.

상기 유리 프릿 A 조성에서, 산화 비스무스(Bi2O3)가 40 중량% 미만으로 사용되면 도전 페이스트를 유리 기판에 소부할 때 접착강도를 증대시키는 효과가 적으며, 90 중량%를 초과하면 유리 프릿의 연화점이 너무 낮아 도전 페이스트의 탈 비히클성이 나쁘게 되고 기판과의 접착강도가 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 산화비스무스의 바람직한 양은 50 내지 80 중량% 범위이다.In the glass frit A composition, when bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) is used in less than 40% by weight, there is little effect of increasing the adhesive strength when the conductive paste is baked on the glass substrate, and when it exceeds 90% by weight, glass frit It is not preferable because the softening point of is so low that the de-vehicle property of the conductive paste is deteriorated and the adhesive strength with the substrate is lowered. The preferred amount of bismuth oxide is in the range of 50 to 80% by weight.

상기 유리 프릿 A 조성에서 산화규소(SiO2)가 5 중량% 미만인 경우는 유리 프릿의 안정성이 저하되며, 30 중량% 보다 많은 경우는 내열 온도가 상승하여 570 ℃ 이하에서 유리 기판 상에 소부하기가 곤란해진다. 바람직하게는, 산화규소는 5 내지 15 중량% 범위의 양으로 사용한다.When the silicon oxide (SiO 2 ) is less than 5% by weight in the glass frit A composition, the stability of the glass frit is lowered, and when it is more than 30% by weight, the heat resistance temperature rises and it is difficult to be baked on the glass substrate at 570 ° C. or lower. It becomes difficult. Preferably, silicon oxide is used in amounts ranging from 5 to 15% by weight.

상기 유리 프릿 A 조성에서 산화붕소(B2O3)는 접착강도, 열팽창계수 등의 특성을 손상하지 않도록 유리 기판상에서의 소부온도를 제어하기 위해 첨가되는데, 5 중량% 미만에서는 접착강도가 저하되고, 30 중량%를 초과하면 유리 프릿의 안정성이 저하된다. 산화붕소는 7 내지 20 중량% 범위의 양으로 사용하는 것이 바람직하다.In the glass frit A composition, boron oxide (B 2 O 3 ) is added to control the baking temperature on the glass substrate so as not to impair the properties of adhesive strength, thermal expansion coefficient and the like. When it exceeds 30 weight%, the stability of a glass frit will fall. Boron oxide is preferably used in an amount in the range of 7 to 20% by weight.

상기 유리 프릿 A 조성에서 산화바륨(BaO)은, 2 중량% 미만으로 사용되면 유리 소부 온도를 제어하는 것이 곤란해지고, 40 중량%를 초과하면 유리층의 안정성이 저하된다. 바람직하게는 2 내지 30 중량% 범위의 양으로 사용한다.In the glass frit A composition, when the barium oxide (BaO) is used at less than 2% by weight, it is difficult to control the glass baking temperature, and when it exceeds 40% by weight, the stability of the glass layer is lowered. Preferably in an amount in the range from 2 to 30% by weight.

또한, 상기 유리 프릿 B 조성에서 산화납(PbO)이 40 중량% 미만인 경우는 도전 페이스트를 유리 기판 위에 소부할 때 접착강도를 높이는 효과가 적고, 90 중량%를 초과하면 유리 프릿의 연화점이 너무 낮아 도전 페이스트의 탈 비히클성이 나빠지고, 기판과의 접착강도가 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 산화납의 바람직한 양의 범위는 50 내지 80 중량% 범위이다.In addition, if the lead oxide (PbO) is less than 40% by weight in the glass frit B composition, the effect of increasing the adhesive strength when baking the conductive paste on the glass substrate is small, and when it exceeds 90% by weight, the softening point of the glass frit is too low. It is not preferable because the vehicle performance of the conductive paste is deteriorated and the adhesive strength with the substrate is lowered. The preferred amount of lead oxide is in the range of 50 to 80% by weight.

상기 유리 프릿 B 조성에서 산화규소(SiO2)가 10 중량% 미만인 경우는 유리 프릿의 안정성이 저하되며, 40 중량% 보다 많은 경우는 내열 온도가 상승하여 570 ℃ 이하에서 유리 기판 상에 소부하기가 곤란해진다. 바람직하게는, 산화규소는 10 내지 30 중량% 범위의 양으로 사용한다.When the silicon oxide (SiO 2 ) is less than 10% by weight in the glass frit B composition, the stability of the glass frit is lowered, and when it is more than 40% by weight, the heat resistance temperature rises and it is difficult to be baked on the glass substrate at 570 ° C. or less. It becomes difficult. Preferably, silicon oxide is used in amounts ranging from 10 to 30% by weight.

상기 유리 프릿 B 조성에서 산화붕소(B2O3)가 5 중량% 미만으로 사용되면 접착강도가 저하되고, 30 중량%를 초과하여 사용되면 유리 프릿의 안정성이 저하된다. 산화붕소는 5 내지 20 중량% 범위의 양으로 사용하는 것이 바람직하다.When boron oxide (B 2 O 3 ) is used in less than 5% by weight in the glass frit B composition, the adhesive strength is lowered, and when used in excess of 30% by weight, the stability of the glass frit is lowered. Boron oxide is preferably used in amounts ranging from 5 to 20% by weight.

상기 유리 프릿 B 조성에서 산화아연(ZnO)이 10 중량%를 초과하여 사용되면 유리 층의 안정성이 저하되며, 바람직한 사용량은 2 내지 5 중량% 범위이다.When zinc oxide (ZnO) is used in excess of 10% by weight in the glass frit B composition, the stability of the glass layer is lowered, and the preferred amount of use is in the range of 2 to 5% by weight.

상기 유리 프릿 B 조성에서, 산화알루미늄(Al2O3)은 조성물의 변형 온도를 높이고 유리 조성이나 도전 페이스트의 안정화를 위해 첨가되며, 20 중량%를 초과하면 유리의 내열 온도가 너무 높아져 유리 기판 상에 소부하기가 곤란해진다. 바람직한 사용량은 2 내지 15 중량% 범위이다.In the glass frit B composition, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is added to increase the deformation temperature of the composition and to stabilize the glass composition or the conductive paste, and if it exceeds 20% by weight, the heat-resistant temperature of the glass becomes too high to form a glass substrate. It becomes difficult to call Preferred amounts of use range from 2 to 15% by weight.

또한, 본 발명에 따르면, 유리 프릿으로서 상기 유리 프릿 A와 유리 프릿 B 둘다를 함유하는 복합 유리 프릿을 사용할 수도 있으며, 산화물 환산 표기로 나타낸 구성 성분 및 함량이 하기 표 3과 같은 복합 유리 프릿을 90 중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, a composite glass frit containing both the glass frit A and the glass frit B may be used as the glass frit, and the components and contents expressed in the oxide conversion notation may be 90 It is preferable to contain by weight or more.

구성 성분Component 함량(중량%)Content (% by weight) Bi2O3 Bi 2 O 3 40 내지 9040 to 90 PbOPbO 40 내지 9040 to 90 SiO2 SiO 2 5 내지 305 to 30 B2O3 B 2 O 3 5 내지 305 to 30 BaOBaO 2 내지 402 to 40 ZnOZnO 0 내지 100 to 10 Al2O3 Al 2 O 3 0 내지 200 to 20

상기 유리 프릿 A, 유리 프릿 B 및 복합 유리 프릿은 평균입경 0.3 내지 2 ㎛ 및 최고 크기 4 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 평균입경이 0.3 내지 1 ㎛ 범위이고, 최대 크기가 3 ㎛ 이하이다. 상기 유리 프릿의 입경을 상기 범위로 하면, 저온에서의 유리 기판과의 접착강도가 높아지게 되고 저 저항성의 치밀한 막이 얻어질 수 있으며, 또한 박막으로 하는 경우에도 박막의 박리가 일어나기 어렵다는 장점이 있다.It is preferable that the said glass frit A, the glass frit B, and the composite glass frit are 0.3-2 micrometers of average particle diameters, and 4 micrometers or less of the largest sizes. More preferably, the average particle diameter is in the range of 0.3 to 1 m, and the maximum size is 3 m or less. When the particle diameter of the glass frit is in the above range, the adhesion strength with the glass substrate at low temperature can be increased, and a dense film of low resistance can be obtained, and even when the thin film is formed, there is an advantage that the peeling of the thin film is unlikely to occur.

상기 유리 프릿 A 및 유리 프릿 B의 연화점은 시차열(DSP)법에 의해 측정되는데, 연화점이 360 내지 520 ℃ 범위인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 370 내지 460 ℃ 범위이다. 연화점이 360 ℃ 보다 낮으면, 유기 성분이 포함되기 쉽고 폴리머 등의 유기 성분이 분해됨에 따라 페이스트의 도포막 중에 블리스터 (blister)가 생기기 쉽게 된다. 한편, 연화점이 520 ℃ 보다 높으면 소성 후의 막의 기판에 대한 접착강도가 저하된다.The softening point of the glass frit A and the glass frit B is measured by a differential thermal (DSP) method, and the softening point is preferably in the range of 360 to 520 ° C, more preferably in the range of 370 to 460 ° C. If the softening point is lower than 360 ° C., organic components are likely to be contained, and blisters are likely to occur in the coating film of the paste as organic components such as polymers are decomposed. On the other hand, when the softening point is higher than 520 ° C., the adhesive strength to the substrate of the film after firing is lowered.

유리 프릿이 표면전극 형성에 이용되는 경우, 감광성 도전 페이스트에는, 1 내지 8 중량부의 양으로 사용되는 것이 바람직하다. 유리 프릿의 사용량이 1 중량부 보다 적으면 도체막이 기판 상에 충분히 견고하게 밀착되지 않고, 8 중량부를 초과하면 노광시에 산란되어 편차가 발생하여 전극 패턴의 에지 형상이 바람직하지 않게 된다.When glass frit is used for surface electrode formation, it is preferable to be used for the photosensitive electrically conductive paste in the quantity of 1-8 weight part. If the amount of the glass frit is less than 1 part by weight, the conductor film is not sufficiently tightly adhered to the substrate. If the amount of the glass frit is more than 8 parts by weight, the conductive film is scattered during exposure to cause deviation, resulting in an undesirable edge shape of the electrode pattern.

(4) 유기 비히클(4) organic vehicle

본 발명의 일반 도전 페이스트에 사용가능한 유기 비히클 성분으로는 에틸셀룰로즈, 메틸셀룰로즈, 니트로셀룰로즈, 카복시메틸셀룰로즈 등의 셀룰로즈 유도체와 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르, 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 등의 수지 성분이 이용될 수 있다. 이들 중에서, 도전성 분말 및 도전성 미립자의 분산성, 페이스트의 도포 특성, 소성시의 탈 비히클성(분해성) 등의 점에서 아크릴 수지, 에틸셀룰로즈가 바람직하게 이용될 수 있다. 이들 수지 성분은 유기 용제에 용해되어 사용된다.Organic vehicle components usable in the general conductive paste of the present invention include cellulose derivatives such as ethyl cellulose, methyl cellulose, nitro cellulose and carboxymethyl cellulose, and resins such as acrylic acid esters, methacrylic acid esters, polyvinyl alcohols, and polyvinyl butyral. Ingredients may be used. Among them, acrylic resins and ethyl cellulose can be preferably used in view of the dispersibility of the conductive powder and the conductive fine particles, the coating properties of the paste, and the de-vehicle (degradability) during firing. These resin components are dissolved and used in an organic solvent.

상기 유기 비히클 성분은, 본 발명의 페이스트 조성물에 있어서, 도전성분말 100 중량부를 기준으로 3 내지 30 중량부의 양으로 사용되는데, 이 범위내에 있지 않으면 소성단계에서 완전히 증발(소결, 탈비히클)될 수 없게 되므로 바람직하지 않다.The organic vehicle component, in the paste composition of the present invention, is used in an amount of 3 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the conductive powder, and if it is not in this range, it cannot be completely evaporated (sintered, de-vehicle) in the firing step. This is undesirable.

(5) 감광성 유기 성분(5) photosensitive organic components

본 발명의 감광성 도전 페이스트에 사용되는 감광성 유기 성분은 도전성 분말 100 중량부에 대해 8 내지 30 중량부의 양으로 사용되는데, 감광성 유기 성분의사용량이 8 중량부 미만이면 노광시의 광경화가 도체층의 하부까지 충분히 행해지지 않아 소정의 극미세 패턴이 형성되기 어렵고 도체막의 단면 형상이 불량해지고, 또한 현상성이 나빠지는 등의 문제가 생긴다. 또한 상기 감광성 유기 성분이 30 중량부를 초과하면, 소성에 의해 제거되는 유기 성분이 많아져 전극의 치밀성이 나쁘게 되고 저항치가 높아지게 되며 전극 단선이 생기므로 바람직하지 않다.The photosensitive organic component used in the photosensitive conductive paste of the present invention is used in an amount of 8 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the conductive powder. When the amount of the photosensitive organic component used is less than 8 parts by weight, photocuring at the time of exposure is performed at the bottom of the conductor layer. There is a problem that it is difficult to form a predetermined ultrafine pattern until the cross section of the conductor film is poor, and developability is deteriorated. In addition, when the photosensitive organic component exceeds 30 parts by weight, the organic component removed by firing increases, resulting in poor electrode density, high resistance, and electrode disconnection, which is not preferable.

상기 감광성 유기 성분은 감광성 수지 및 광중합 개시제로 이루어지는데, 상기 감광성 수지로는 네가(nega)형 또는 포지(posi)형 어느 것이나 사용가능하며, 네가형이 취급이 용이하고 설계가 용이하므로 바람직하게 사용될 수 있다. 감광성 수지로는 직쇄상 또는 분지상의 반응성 폴리머와, 분자 구조 중에 아크릴로일기 등의 감광성 기를 갖고 노광에 의해 불용성 폴리머를 형성하는 모노머, 올리고머 등이 있다.The photosensitive organic component is composed of a photosensitive resin and a photopolymerization initiator. The photosensitive resin may be either a negative type or a posi type, and the negative type is preferably used because it is easy to handle and easy to design. Can be. Examples of the photosensitive resin include linear or branched reactive polymers, monomers and oligomers having photosensitive groups such as acryloyl groups in the molecular structure and forming insoluble polymers by exposure.

직쇄상 또는 분지상의 반응성 폴리머로는, (메타)아크릴산 및/또는 그의 에스테르의 중합체 또는 공중합체, 또는 이들의 모노머와 스티렌계 화합물 및/또는 아크릴로니트릴과의 공중합체의 측쇄에 (메타)아크릴산기를 갖도록 변성된 폴리머와 같은 아크릴계; 불포화 폴리에스테르, 폴리에스테르, 폴리에스테리폴리올의 (메타)아크릴레이트와 같은 폴리에스테르계; 폴리에틸렌 글리콜 (메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 (메타)아크릴레이트와 같은 폴리에테르 (메타)아크릴레이트계; 비스페놀형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 또는 지환식 에폭시 수지와 아크릴산과의 반응에서 얻어지는 에폭시 디아크릴레이트계; 폴리에테르 폴리올 또는 폴리에스테르 폴리올과 디이소시아네이트 및 히드록실기 함유 (메타)아크릴레이트의 반응에서 얻어지는 우레탄 (메타)아크릴레이트계; 비페닐테트라카르복실산 무수물과 2-(메타)아크릴아미드-디아미노디페닐에테르의 공중합체와 같은 폴리이미드계 등의 폴리머가 있다.Examples of the linear or branched reactive polymer include (meth) in the side chain of the polymer or copolymer of (meth) acrylic acid and / or its ester, or the copolymer of these monomers with a styrene-based compound and / or acrylonitrile. Acrylics such as polymers modified to have acrylic acid groups; Polyesters such as (meth) acrylates of unsaturated polyesters, polyesters and polyester polyols; Polyether (meth) acrylates such as polyethylene glycol (meth) acrylate and polypropylene glycol (meth) acrylate; Epoxy diacrylate type | system | group obtained by reaction of bisphenol-type epoxy resin, novolak-type epoxy resin, or alicyclic epoxy resin and acrylic acid; Urethane (meth) acrylate type | system | group obtained by reaction of a polyether polyol or polyester polyol, diisocyanate, and a hydroxyl-group containing (meth) acrylate; And polymers such as polyimide-based compounds such as a copolymer of biphenyltetracarboxylic anhydride and 2- (meth) acrylamide-diaminodiphenyl ether.

상기 폴리머는 분자량 50,000 미만, 바람직하게는 30,000 미만이 바람직하며, 이 범위로 조정하는 것에 의해 인쇄 특성 또는 패턴 형성성이 향상될 수 있다.The polymer has a molecular weight of less than 50,000, preferably less than 30,000, and by adjusting in this range, printing properties or pattern formability can be improved.

또한, 모노머, 올리고머로서는 상기 폴리머의 중합도가 낮은 올리고머외에 디에틸렌글리콜 아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨의 트리- 또는 테트라-아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 헥사아크릴레이트와 같은 아크릴 에스테르계; 비스페놀 A-디(메타)아크릴레이트와 같은 에폭시 수지 등의 모노머가 있다.As the monomer or oligomer, in addition to the oligomer having a low polymerization degree of the polymer, triethylene glycol acrylate, neopentyl glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, and pentaerythritol Or acrylic esters such as tetra-acrylate, dipentaerythritol hexaacrylate; Monomers such as epoxy resins such as bisphenol A-di (meth) acrylate.

본 발명의 감광성 유기 성분에 사용되는 광중합개시제로는 자외선과 같은 활성 광선에 노광될 때 자유 라디칼을 발생하는 라디칼계 광중합개시제, 예를 들면 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온 등의 아세토페논계; 벤조페논, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계; 티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤계 등을 사용할 수 있다. 이들 광중합개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여, 또는 아민류 등의 광중합 촉진제와 병용하여 사용할 수 있다.Photoinitiators used in the photosensitive organic component of the present invention include radical photoinitiators that generate free radicals when exposed to active light such as ultraviolet light, for example 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy-2. Acetophenones such as -methyl-1-phenylpropan-1-one; Benzophenones such as benzophenone and 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone; Thioxanthones, such as thioxanthone and diethyl thioxanthone, can be used. These photoinitiators can be used individually or in mixture of 2 or more types, or in combination with photoinitiators, such as amines.

(6) 유기 용매(6) organic solvent

또한, 본 발명의 도전 페이스트 조성물에는, 유기 성분들을 용해시키고 도전성 분말, 도전성 미립자 및 유리 프릿을 분산시켜 점도를 조정하기 위해, 유기 용매가 첨가될 수 있다. 유기 용매로는 텍사놀(texanol)(2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부티레이트), 에틸렌글리콜(테르펜), 부틸카비톨, 에틸셀로솔브, 에틸벤젠, 이소프로필벤젠, 메틸에틸케톤, 디옥산, 아세톤, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 이소부틸알콜, 디메틸술폭사이드, α- 또는 β-테레피네올, 파인 오일, 폴리비닐부티랄, 3-메톡시부틸 아세테이트, γ-부티로락톤, 디에틸프탈레이트 등이 있다. 이들 유기 용매는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.In addition, an organic solvent may be added to the conductive paste composition of the present invention to adjust the viscosity by dissolving the organic components and dispersing the conductive powder, the conductive fine particles and the glass frit. Organic solvents include texanol (2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate), ethylene glycol (terpene), butyl carbitol, ethyl cellosolve, ethylbenzene, isopropylbenzene Methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, dimethyl sulfoxide, α- or β-terepineol, fine oil, polyvinyl butyral, 3-methoxybutyl acetate, γ-butyrolactone, diethylphthalate and the like. These organic solvents can be used individually or in mixture of 2 or more types.

(7) 기타 첨가제(7) other additives

또한, 본 발명의 도전 페이스트 조성물에는, 상술한 성분들 이외에도, 보존 중의 안정성을 부여하기 위해, 히드로퀴논 모노메틸 에테르와 같은 중합금지제; 폴리아크릴산염, 셀룰로즈 유도체와 같은 분산제; 기재에 대한 접착성을 개선하기 위한 실란 커플링제 등의 접착성 부여제; 도포성능을 개선하기 위한 소포제; 작업성을 개선하기 위한 가소제; 틱소트로피성 부여제 등의 첨가제가 포함될 수 있다.In addition, the conductive paste composition of the present invention, in addition to the components described above, in order to impart stability during storage, a polymerization inhibitor such as hydroquinone monomethyl ether; Dispersants such as polyacrylates, cellulose derivatives; Adhesion imparting agents such as a silane coupling agent for improving the adhesion to a substrate; Antifoaming agent to improve coating performance; Plasticizers for improving workability; Additives such as thixotropic imparting agents may be included.

(8) 혼련 및 전극의 형성(8) kneading and forming electrodes

본 발명의 도전 페이스트 조성물은 상기 구성 성분들을 예를 들면 3개의 롤을 가진 롤밀, 믹서, 균질화기 등의 혼련기를 이용하여 혼련한다. 또한, 도포에 적합한 유동성을 부여하기 위해 도전 페이스트 조성물의 점도는 통상 10,000 내지 150,000 센티포이즈 범위, 바람직하게는 30,000 내지 100,000 센티포이즈 범위이다. 인쇄시의 도포액의 점도는 통상 10,000 내지 70,000 센티포이즈 범위, 바람직하게는 20,000 내지 50,000 센티포이즈 범위로 조정될 수 있다.The conductive paste composition of the present invention is kneaded with the above components using a kneader such as a roll mill having three rolls, a mixer, a homogenizer and the like. In addition, in order to impart fluidity suitable for application, the viscosity of the conductive paste composition is usually in the range of 10,000 to 150,000 centipoise, preferably in the range of 30,000 to 100,000 centipoise. The viscosity of the coating liquid at the time of printing can be adjusted normally in the range of 10,000-70,000 centipoise, preferably in the range of 20,000-50,000 centipoise.

본 발명의 일반 도전 페이스트는 스크린 인쇄법에 의해 유리 기판 또는 세라믹 기판 등의 기재 상에 원하는 전극 패턴을 형성하고, 건조 후에 430 내지 550 ℃ 범위의 저온으로 15 내지 30 분간 소성하여 전극을 형성할 수 있다.The general conductive paste of the present invention may form a desired electrode pattern on a substrate such as a glass substrate or a ceramic substrate by a screen printing method, and after drying, bake at a low temperature in the range of 430 to 550 ° C. for 15 to 30 minutes to form an electrode. have.

감광성 유기 성분을 포함한 감광성 도전 페이스트는 다음과 같이 소위 포토리소그라피법에 의해 큰 면적의 극미세 도체 회로 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. 구체적으로, 감광성 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법, 바 코터(bar coater), 롤 코터법 등의 공지의 방법을 이용하여 도포 또는 전사에 의해 유리 또는 세라믹 기판 상에 감광성 도전층을 형성하고, 통상 오븐 중에서 건조하여 유기용매를 제거한 후, 이를 소정의 포토마스크(photomask)로 가린 후 자외선, 적외선, 이온 빔과 같은 활성 광원에 패턴 부분을 노광하고 광경화시킨다. 이때, 활성 광원으로는, 비교적 간단한 장치에서 간편하게 조사할 수 있기 때문에 자외선이 바람직하다. 미경화부분을 현상액으로 현상하여 제거하고 이어서 세정하여 패턴을 형성시킨다. 현상 공정은 스프레이법, 침지법 등에 의해 통상 0.1 내지 1.0 중량% 범위의 농도를 가진 알칼리 수용액을 현상액으로 사용하여 20 내지 50 ℃ 범위의 온도에서 수행할 수 있다. 상기 알칼리 수용액으로는 탄산 나트륨 수용액과 같은 무기 알칼리 수용액, 모노 에탄올아민, 디에탄올아민 등과 같은 유기 알칼리 수용액 등을 사용할 수 있으며, 유기 알칼리 수용액을 이용하는 편이 소성시에 알칼리 성분을 제거하기 쉬우므로 바람직하다. 이와 같이하여 패턴을 형성한 막을 유리 기판 상에서는 430 내지 550 ℃ 범위의 온도에서 15 내지 30 분간 소성하여 전극을 형성할 수 있다.The photosensitive conductive paste containing the photosensitive organic component can easily form a large area ultra fine conductor circuit pattern by a so-called photolithography method as follows. Specifically, a photosensitive conductive layer is formed on a glass or ceramic substrate by coating or transferring the photosensitive paste composition by a known method such as a screen printing method, a bar coater, a roll coater method, or the like, and usually in an oven. After drying to remove the organic solvent, it is covered with a predetermined photomask, and then patterned portions are exposed to active light sources such as ultraviolet rays, infrared rays, and ion beams and photocured. At this time, the active light source is preferably ultraviolet light because it can be easily irradiated with a relatively simple device. The uncured portion is developed and removed with a developer, and then washed to form a pattern. The developing process may be carried out at a temperature in the range of 20 to 50 ° C. by using an aqueous alkali solution having a concentration in the range of 0.1 to 1.0% by weight as a developer by spraying, dipping, or the like. As the aqueous alkali solution, an inorganic alkali aqueous solution such as an aqueous sodium carbonate solution, an organic alkali aqueous solution such as mono ethanolamine, diethanolamine, or the like can be used, and it is preferable to use an aqueous organic alkali solution because it is easy to remove the alkaline component during firing. . In this manner, the film on which the pattern is formed may be baked on a glass substrate at a temperature in the range of 430 to 550 ° C. for 15 to 30 minutes to form an electrode.

본 발명의 감광성 도전 페이스트는 노광시에 자외선이 하부까지 충분히 도달하고 현상 후에 말단의 에지 컬(edge curl) 없이 양호한 패턴을 형성할 수 있으며, 소성 후에 기판과의 접착력이 높은 막이 얻어진다.In the photosensitive conductive paste of the present invention, the ultraviolet rays sufficiently reach the lower part at the time of exposure and can form a good pattern without edge curl after the development, and a film having high adhesion to the substrate after firing is obtained.

이하 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 이들 실시예가 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 농도(%)는 특히 언급하지 않으면 중량%이다.The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, which are not intended to limit the present invention. In addition, the concentration% is% by weight unless otherwise noted.

실시예 1Example 1

평균입경 2.3 ㎛, 비표면적 0.74 m2/g 및 밀도 3.9 g/cm3의 Ag 분말 86 중량부, 평균입경 0.06 ㎛ 및 비표면적 9.5 m2/g의 Ag 미립자 10 중량부 및 유리 프릿 A 4 중량부를 함유하는 분말 고형분 92 중량부와 에틸 셀룰로즈 8 중량부를 유기 용매로서의 테레비네올에 가하여 점도를 조정한 후, 3축 롤로 혼련하여 본 발명에 따른 도전 페이스트 조성물을 제조하였다. 이때, 상기 유리 프릿 A는 Bi2O368.9 중량%, SiO210.0 중량%, B2O311.8 중량%, BaO 6.5 중량% 및 Al2O32.8 중량%로 구성되었으며, 평균 입경이 1.0 ㎛이고, 최대 크기가 3.6 ㎛이며 연화점이 460 ℃이고 열팽창계수가 90 ×10-7/K였다.86 parts by weight of Ag powder with an average particle diameter of 2.3 μm, specific surface area of 0.74 m 2 / g and density of 3.9 g / cm 3 , 10 parts by weight of Ag fine particles with an average particle diameter of 0.06 μm and a specific surface area of 9.5 m 2 / g, and glass frit A 4 weight 92 parts by weight of the powdered solid content and 8 parts by weight of ethyl cellulose were added to terebinol as an organic solvent to adjust the viscosity, followed by kneading with a triaxial roll to prepare a conductive paste composition according to the present invention. In this case, the glass frit A was composed of 68.9 wt% Bi 2 O 3 , 10.0 wt% SiO 2 , 11.8 wt% B 2 O 3 , 6.5 wt% BaO and 2.8 wt% Al 2 O 3 , with an average particle diameter of 1.0 μm. It had a maximum size of 3.6 μm, a softening point of 460 ° C., and a thermal expansion coefficient of 90 × 10 −7 / K.

상기와 같이 얻어진 도전 페이스트를 25 cm × 25 cm 크기의 소다 유리 기판에 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성하였다. 도막을 80 ℃에서 30분간 건조한 후의 두께는 6㎛ 였다. 250 ℃/시간의 속도로 승온하고 최고온도 480 ℃에서 15분간 유지하여 소성을 행하였다.The electrically conductive paste obtained as mentioned above was apply | coated to the soda glass substrate of 25 cm x 25 cm size by the screen printing method, and the coating film was formed. The thickness after drying a coating film at 80 degreeC for 30 minutes was 6 micrometers. It baked at the speed | rate of 250 degreeC / hour, hold | maintained at the maximum temperature of 480 degreeC for 15 minutes, and baked.

얻어진 도전막은 두께가 3.1㎛이고, 비저항치가 2.2 μΩ·cm인 결함없는 균일한 막으로, 저온 소성으로 저 저항성을 가진 도전막이 얻어졌다. 또한, 상기 도전막은 박리 현상이 없이 기판에 견고하게 접착되어 있었다.The obtained electrically conductive film was a defect-free uniform film whose thickness is 3.1 micrometers and whose specific resistance is 2.2 microPa * cm, and the electrically conductive film which has low resistance by low temperature baking was obtained. In addition, the conductive film was firmly adhered to the substrate without the peeling phenomenon.

실시예 2Example 2

상기 실시예 1에서 Ag 미립자를 평균입경 0.03 ㎛ 및 비표면적 3.0 m2/g의 것을 사용함을 제외하고는 동일하게 실시하여 본 발명의 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.Except for using the Ag particles in Example 1 having an average particle diameter of 0.03 ㎛ and a specific surface area of 3.0 m 2 / g in the same manner to prepare a conductive paste composition of the present invention.

상기 도전 페이스트를 이용하여 두께 3.3㎛, 비저항치 2.5 μΩ·cm인 견고하고 균일한 도전막을 수득하였다.By using the above conductive paste, a solid and uniform conductive film having a thickness of 3.3 mu m and a specific resistance of 2.5 mu Pa · cm was obtained.

실시예 3Example 3

상기 실시예 1에서 Ag 미립자를 평균입경 0.05 ㎛ 및 비표면적 3.7 m2/g의 것을 사용하고, 유리 프릿으로서 PbO 73 중량%, SiO214 중량%, B2O37 중량%, ZnO 3 중량% 및 Al2O33 중량%로 구성되고 평균 입경이 1.1 ㎛이고, 최대 크기가 3.8 ㎛이며 연화점이 435 ℃이고 열팽창계수가 80 ×10-7/K인 유리 프릿 B를 사용하고, 유기 용매로서 폴리비닐부티랄을 사용함을 제외하고는 동일하게 실시하여 본 발명의 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.In Example 1, Ag particles were used having an average particle diameter of 0.05 μm and a specific surface area of 3.7 m 2 / g, and as a glass frit, 73 wt% PbO, 14 wt% SiO 2 , 7 wt% B 2 O 3 , and ZnO 3 wt% Organic solvent using glass frit B composed of% and Al 2 O 3 3% by weight, average particle diameter of 1.1 μm, maximum size of 3.8 μm, softening point of 435 ° C., and coefficient of thermal expansion of 80 × 10 −7 / K The conductive paste composition of the present invention was prepared in the same manner except that polyvinyl butyral was used.

상기 도전 페이스트를 이용하여 두께 3.5㎛, 비저항치 2.6 μΩ·cm인 견고하고 균일한 도전막을 수득하였다.Using the said electrically conductive paste, the firm and uniform electrically conductive film of thickness 3.5micrometer and specific resistance 2.6 microPa * cm was obtained.

실시예 4Example 4

상기 실시예 1에서 Ag 분말로서 평균입경 1.6 ㎛, 비표면적 0.78m2/g 및 밀도 3.9 g/cm3의 구상 분말을 사용하고, 전도성 미립자로서 Ag/Pd(평균입경 0.03 ㎛, 비표면적 15 m2/g) 95/5 중량비의 혼합 분말을 사용하고, 유리 프릿으로서 Bi2O378 중량%, PbO 11 중량%, SiO23.5 중량%, B2O33.5 중량%, BaO 2.5 중량% 및 Al2O31.5 중량%로 구성되고 평균 입경이 1.0 ㎛이고, 최대 크기가 3.6 ㎛이며 연화점이 380 ℃이고 열팽창계수가 82 ×10-7/K인 복합 유리 프릿을 사용하는 것을 제외하고는 동일하게 실시하여 본 발명의 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.In Example 1, as the Ag powder, a spherical powder having an average particle diameter of 1.6 μm, a specific surface area of 0.78 m 2 / g, and a density of 3.9 g / cm 3 was used, and Ag / Pd (average particle diameter of 0.03 μm, specific surface area of 15 m) was used as conductive fine particles. 2 / g) using a mixed powder in a 95/5 weight ratio, 78% by weight Bi 2 O 3 , 11% by weight PbO, 3.5% by weight SiO 2, 3.5% by weight B 2 O 3 , 2.5% by weight BaO and The same except for using a composite glass frit composed of 1.5 wt% Al 2 O 3 , having an average particle diameter of 1.0 μm, a maximum size of 3.6 μm, a softening point of 380 ° C., and a thermal expansion coefficient of 82 × 10 −7 / K. The conductive paste composition of the present invention was prepared.

도포 후 530 ℃에서 15분간 유지하여 소성하여 두께 3.7㎛, 비저항치 6.0 μΩ·cm인 견고하고 균일한 막을 수득하였다.After coating, the mixture was kept at 530 ° C for 15 minutes and fired to obtain a firm and uniform film having a thickness of 3.7 µm and a resistivity of 6.0 µPa · cm.

실시예 5Example 5

상기 실시예 3에서 도전성 분말로서 Ag/Pd (평균입경 1.9 ㎛, 비표면적 4.3 m2/g 및 밀도 3.9 g/cm3) 99.5/0.5 중량비의 혼합 분말을 사용함을 제외하고는 동일하게 실시하여 본 발명의 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.Except for using the mixed powder of Ag / Pd (average particle diameter 1.9 ㎛, specific surface area 4.3 m 2 / g and density 3.9 g / cm 3 ) 99.5 / 0.5 weight ratio as the conductive powder in Example 3 The electrically conductive paste composition of this invention was produced.

도포 후 520 ℃에서 15분간 유지하여 소성하여 두께 3.7㎛, 비저항치 3.5 μΩ·cm인 견고하고 균일한 막을 수득하였다.After coating, the mixture was kept at 520 ° C for 15 minutes and fired to obtain a firm and uniform film having a thickness of 3.7 µm and a resistivity of 3.5 µΩ · cm.

실시예 6Example 6

상기 실시예 3에서 도전성 분말로서 Ag/Pd (평균입경 3.3 ㎛, 비표면적 1.9 m2/g 및 밀도 4.3 g/cm3) 95/5 중량비의 혼합 분말을 사용함을 제외하고는 동일하게 실시하여 본 발명의 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.Except for using a mixed powder of Ag / Pd (average particle size 3.3 ㎛, specific surface area 1.9 m 2 / g and density 4.3 g / cm 3 ) 95/5 weight ratio as the conductive powder in Example 3 The electrically conductive paste composition of this invention was produced.

도포 후 530 ℃에서 15분간 유지하여 소성하여 두께 3.7㎛, 비저항치 4.5 μΩ·cm인 견고하고 균일한 막을 수득하였다.After coating, the mixture was kept at 530 ° C. for 15 minutes and fired to obtain a firm and uniform film having a thickness of 3.7 μm and a resistivity of 4.5 μm · cm.

실시예 7Example 7

상기 실시예 1에서 도전성 분말로서 평균입경 3.2 ㎛, 비표면적 0.52 m2/g 및 밀도 4.6 g/cm3의 Ni 분말을 사용하고, 평균입경 0.03 ㎛ 및 비표면적 12 m2/g의 Ni 미립자를 사용하고, 유리 프릿 B (실시예 3에 기재된 바와 같음)를 사용함을 제외하고는 동일하게 실시하여 본 발명의 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.In Example 1, Ni powder having an average particle diameter of 3.2 μm, a specific surface area of 0.52 m 2 / g, and a density of 4.6 g / cm 3 was used as the conductive powder, and Ni particles having an average particle diameter of 0.03 μm and a specific surface area of 12 m 2 / g were used. The conductive paste composition of the present invention was prepared in the same manner except that glass frit B (as described in Example 3) was used.

도포 후 520 ℃에서 15분간 유지하여 소성하여 두께 3.7㎛, 비저항치 8.0 μΩ·cm인 견고하고 균일한 막을 수득하였다.After coating, the mixture was kept at 520 ° C for 15 minutes and fired to obtain a firm and uniform film having a thickness of 3.7 µm and a specific resistance of 8.0 µPa · cm.

실시예 8Example 8

상기 실시예 1에서 도전성 분말로서 평균입경 1.5 ㎛, 비표면적 2.8 m2/g 및 밀도 3.4 g/cm3의 Au 분말을 사용하고, 평균입경 0.09 ㎛ 및 비표면적 8.5 m2/g의 Au 미립자를 사용하고, 유리 프릿 B (실시예 3에 기재된 바와 같음)를 사용함을 제외하고는 동일하게 실시하여 본 발명의 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.In Example 1, Au powder having an average particle size of 1.5 μm, a specific surface area of 2.8 m 2 / g, and a density of 3.4 g / cm 3 was used as the conductive powder, and Au fine particles having an average particle diameter of 0.09 μm and a specific surface area of 8.5 m 2 / g were used. The conductive paste composition of the present invention was prepared in the same manner except that glass frit B (as described in Example 3) was used.

도포 후 500 ℃에서 15분간 유지하여 소성하여 두께 3.4㎛, 비저항치 4.2 μΩ·cm인 견고하고 균일한 막을 수득하였다.After coating, the mixture was kept at 500 ° C. for 15 minutes and baked to obtain a firm and uniform film having a thickness of 3.4 μm and a resistivity of 4.2 μm · cm.

실시예 9Example 9

상기 실시예 1에서와 같은 분말 고형분 60 중량부와 하기 표 4에 기재된 조성의 감광성 유기 성분 40 중량부를 유기 용매로서의 텍사놀(2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올모노이소부티레이트)에 가하여 용해함을 제외하고는 실시예 1과 유사하게 실시하여 본 발명의 감광성 도전 페이스트 조성물을 제조하였다.Texanol (2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate) as an organic solvent: 60 parts by weight of the powder solid as in Example 1 and 40 parts by weight of the photosensitive organic component having the composition shown in Table 4 below The photosensitive conductive paste composition of the present invention was prepared in the same manner as in Example 1 except for dissolution.

구성 성분Component 사용량(중량부)Usage (part by weight) 폴리머:n-부틸메타크릴레이트 60몰%, 2-히드록시프로필메타크릴레이트 10몰% 및 메타크릴산 30 몰%로 이루어진 공중합체에 글리시딜 메타크릴레이트를 10몰% 부가한 폴리머(분자량 50,000, Tg50℃, 산가 100)Polymer: A polymer obtained by adding 10 mol% of glycidyl methacrylate to a copolymer composed of 60 mol% of n-butyl methacrylate, 10 mol% of 2-hydroxypropyl methacrylate and 30 mol% of methacrylic acid (molecular weight 50,000, T g 50 ° C, acid value 100) 88 모노머:펜타에리스리톨 트리/테트라아크릴레이트Monomer: Pentaerythritol tri / tetraacrylate 44 광중합 개시제:티바·스페셜리티·케미칼즈(주)의 Irgacure 369Photopolymerization initiator: Irgacure 369 of Tiba specialty chemicals 1.61.6

상기와 같이 얻어진 감광성 도전 페이스트를 100 mm × 100 mm 크기의 소다 유리 기판에 스크린 인쇄법으로 도포하여 도막을 형성하였다. 도막을 90 ℃에서 30분간 건조한 후의 두께는 8 ㎛ 였다.The photosensitive conductive paste obtained as described above was applied to a soda glass substrate having a size of 100 mm × 100 mm by screen printing to form a coating film. The thickness after drying a coating film at 90 degreeC for 30 minutes was 8 micrometers.

상기 도막에 밀착되게 네가 패턴 마스크(스트라이프 형태의 패턴, 선폭 80 ㎛, 피취 230 ㎛)를 붙이고 자외선(광원:초고압 수은 램프)을 조사(400 mJ/cm2)하여 노광시켰다. 이어서, 30 ℃의 0.5% 탄산 나트륨 수용액을 분무하여 현상하여 노광된 부분을 제거하였다. 그 후 순수한 물을 분무하여 현상액을 세정한 후 80 ℃에서 20분간 건조하였다. 이어서, 200 ℃/시간의 속도로 승온하고 최고온도 480 ℃에서 30분간 유지하여 소성을 행하였다.A negative pattern mask (stripe-shaped pattern, a line width of 80 μm, a pitch of 230 μm) was attached to the coating film and exposed to ultraviolet rays (a light source: an ultrahigh pressure mercury lamp) by irradiation (400 mJ / cm 2 ). Subsequently, an aqueous solution of 0.5% sodium carbonate at 30 ° C. was sprayed and developed to remove the exposed portion. Thereafter, pure water was sprayed to wash the developer, and then dried at 80 ° C. for 20 minutes. Subsequently, the temperature was raised at a rate of 200 ° C / hour and held at a maximum temperature of 480 ° C for 30 minutes to carry out firing.

얻어진 도전막은 두께가 3.3㎛이고, 비저항치가 2.4 μΩ·cm인 직사각형 형상의 막으로, 단부 박리나 에지 컬 없이 기판에 견고하게 접착되어 있었다.The obtained conductive film was a rectangular film having a thickness of 3.3 µm and a resistivity of 2.4 µPa · cm, and was firmly adhered to the substrate without end peeling or edge curl.

본 발명에 따르는 도전 페이스트는, 도전성 분말과 함께 도전성 미립자를 함유하여 비교적 저온에서도 소성될 수 있고 기판에 대한 접착강도가 높고 저 저항성인 박막 전극 패턴을 제공할 수 있다.The conductive paste according to the present invention can provide a thin film electrode pattern containing conductive fine particles together with conductive powder, which can be fired even at a relatively low temperature, and has high adhesive strength to the substrate and low resistance.

Claims (9)

평균 입경 0.8 내지 4 ㎛의 도전성 분말 100 중량부, 평균 입경 0.02 내지 0.1 ㎛의 도전성 미립자 3 내지 30 중량부, 유리 프릿(glass frit) 0 내지 10 중량부 및 유기 비히클 3 내지 30 중량부를 포함하는, 전극용 도전 페이스트 조성물.100 parts by weight of conductive powder having an average particle diameter of 0.8 to 4 μm, 3 to 30 parts by weight of conductive fine particles having an average particle diameter of 0.02 to 0.1 μm, 0 to 10 parts by weight of glass frit, and an organic vehicle. Conductive paste composition for electrodes, comprising 3 to 30 parts by weight. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 도전성 분말 또는 도전성 미립자가 Ag, Cu, Au, Pd, Ni 및 Pt로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 조성물.A conductive powder or conductive fine particles is a composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Pd, Ni and Pt. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 도전성 분말이 0.5 내지 3.5 m2/g 범위의 비표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition characterized in that the conductive powder has a specific surface area in the range of 0.5 to 3.5 m 2 / g. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 도전성 미립자가 2 내지 50 m2/g 범위의 비표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition characterized in that the conductive fine particles have a specific surface area in the range of 2 to 50 m 2 / g. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 유리 프릿이, 평균입경이 0.3 내지 2 ㎛ 범위이고 최대크기가 4 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 조성물.The glass frit is characterized in that the average particle diameter ranges from 0.3 to 2 μm and the maximum size is 4 μm or less. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 유리 프릿이, 산화물 환산 표기로 나타낼 때, Bi2O340 내지 90 중량%, SiO25 내지 30 중량%, B2O35 내지 30 중량% 및 BaO 2 내지 40 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.The glass frit, when expressed in terms of oxide, comprises 40 to 90 wt% of Bi 2 O 3 , 5 to 30 wt% of SiO 2, 5 to 30 wt% of B 2 O 3, and BaO 2 to 40 wt% Composition. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 유리 프릿이, 산화물 환산 표기로 나타낼 때, PbO 40 내지 90 중량%, SiO210 내지 40 중량%, B2O35 내지 30 중량%, ZnO 0 내지 10 중량% 및 Al2O30 내지 20 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.When the glass frit is expressed in oxide conversion, 40 to 90 wt% of PbO, 10 to 40 wt% of SiO 2 , 5 to 30 wt% of B 2 O 3 , 0 to 10 wt% of ZnO and 0 to 20 of Al 2 O 3. A composition comprising a weight percent. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 유리 프릿이, 산화물 환산 표기로 나타낼 때, Bi2O340 내지 90 중량%, PbO 40 내지 90 중량%, SiO25 내지 30 중량%, B2O35 내지 30 중량%, ZnO 0 내지 10 중량% 및 Al2O30 내지 20 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.When the glass frit is expressed in terms of oxide, 40 to 90 wt% of Bi 2 O 3, 40 to 90 wt% of PbO, 5 to 30 wt% of SiO 2, 5 to 30 wt% of B 2 O 3 , and ZnO 0 to 10 A composition comprising from 0% to 20% by weight and Al 2 O 3 . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 유기 비히클이, 감광성 수지 및 광중합 개시제를 포함하는 감광성 유기 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.An organic vehicle comprises a photosensitive organic component comprising a photosensitive resin and a photopolymerization initiator.
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