KR100348151B1 - 자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이배향막을 채용하고 있는 액정표시소자 - Google Patents

자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이배향막을 채용하고 있는 액정표시소자 Download PDF

Info

Publication number
KR100348151B1
KR100348151B1 KR1020000001188A KR20000001188A KR100348151B1 KR 100348151 B1 KR100348151 B1 KR 100348151B1 KR 1020000001188 A KR1020000001188 A KR 1020000001188A KR 20000001188 A KR20000001188 A KR 20000001188A KR 100348151 B1 KR100348151 B1 KR 100348151B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
formula
alkyl
haloalkyl
Prior art date
Application number
KR1020000001188A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010068994A (ko
Inventor
이문호
이승우
김지형
Original Assignee
학교법인 포항공과대학교
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 학교법인 포항공과대학교 filed Critical 학교법인 포항공과대학교
Priority to KR1020000001188A priority Critical patent/KR100348151B1/ko
Publication of KR20010068994A publication Critical patent/KR20010068994A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100348151B1 publication Critical patent/KR100348151B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02C—SPECTACLES; SUNGLASSES OR GOGGLES INSOFAR AS THEY HAVE THE SAME FEATURES AS SPECTACLES; CONTACT LENSES
    • G02C5/00—Constructions of non-optical parts
    • G02C5/14—Side-members
    • G02C5/20—Side-members adjustable, e.g. telescopic
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02C—SPECTACLES; SUNGLASSES OR GOGGLES INSOFAR AS THEY HAVE THE SAME FEATURES AS SPECTACLES; CONTACT LENSES
    • G02C5/00—Constructions of non-optical parts
    • G02C5/14—Side-members
    • G02C5/143—Side-members having special ear pieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 화학식 1로 표시되는 광배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이 배향막을 구비하고 있는 액정표시소자를 제공한다.
상기식중,
이며, Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,이고, Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고, R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고, X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고, x는 몰분율로서이고, m은 1 내지 2 이며, n은 고분자 중합도로서

Description

자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이 배향막을 채용하고 있는 액정표시소자{Ultraviolet light alignment polymer, alignment layer formed therefrom and liquid crystal display employing the alignment layer}
본 발명은 프리틸트각 특성이 향상된 액정표시소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 가용성 폴리이미드의 측쇄에, 유연성 세그먼트를 갖고 있는 시나믹산 성분을 도입함으로써 프리틸트각 특성이 개선된 광배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이 배향막을 채용하고 있는 액정표시소자에 관한 것이다.
액정표시소자는 액정 분자의 배열 특성에 따라 광투과성, 응답시간, 시야각, 콘트라스트 등과 같은 표시소자로서의 기능이 결정된다. 따라서 액정 분자의 배향을 균일하게 제어하는 기술이 매우 중요하다.
액정의 균일한 배향 상태는 단순히 액정을 상, 하기판사이에 개재시키는 것만으로는 얻기 힘들다. 따라서 투명전극층 상부에 액정의 배향을 위한 배향막을 형성하는 것이 일반적이다.
상기 배향막으로는 기판상에 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide) 등과 같은 유기 고분자 물질로 된 박막을 형성하고 경화한 후, 상기 결과물을 특수형태의 천으로 러빙하여 형성된 배향막이 주로 이용되었다.
상기 러빙법은 실시하기가 용이하고 공정이 단순하기는 하지만, 러빙시 사용된 특수형태의 천으로부터 미세입자, 섬유소 등의 물질이 이탈되어 배향막을 오염시킬 수 있고, 배향막 재료에 따라서 배향이 잘 안되는 경우도 있다. 또한, 러빙시 발생하는 정전기에 의하여 박막 트랜지스터가 손상된다는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여 먼지, 정전기, 기타 오염입자 등이 발생되지 않고 공정의 청결성을 유지할 수 있는 광배향기술이 개발되었다. 이 방법은 비파과적인 배향방법으로서, 편광된 빛이 광배향막에 조사되면 비등방성 광중합이 일어나 광배향막이 배향성을 갖게 됨에 따라 액정이 균일하게 배항된다.
한편, 액정표시소자를 대형화시키기 위해서는 광시야각 특성을 개선해야 하는데, 이를 위해서는 액정의 프리틸트각 특성을 향상시키는 것이 급선무이다.
그런데, 현재까지 알려진 광배향성 고분자를 이용하는 경우, 액정의 프리틸트 각 특성이 향상되기는 하지만 아직도 만족할 만한 수준에 이르지 못하였다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여 액정의 프리틸트각 특성이 매우 개선된 광배향성 고분자를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 광배향성 고분자로부터형성된 배향막을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상기 배향막을 채용하고 있어서 액정의 프리틸트각 특성을 매우 향상시킴으로써 광시야각 특성이 개선된 액정표시소자를 제공하는 것이다.
도 1은 합성예 11에 따라 제조된 폴리이미드의 광반응성을 나타낸 도면들이고,
도 2는 합성예 2에 따라 제조된 폴리이미드의 광반응성을 나타낸 도면들이다.
상기 첫번째 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 광배향성 고분자를 제공한다.<화학식 1>상기식 중,이고,이며,Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,이고,Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고,R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고,X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고,x는 몰분율로서이고,m은 1 내지 2 이며,n은 고분자 중합도로서이다.본 발명의 두번째 기술적 과제는 화학식 1로 표시되는 광배향성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 배향막에 의하여 이루어진다.<화학식 1>상기식 중,이고,이며,Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,이고,Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고,R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고,X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고,x는 몰분율로서이고,m은 1 내지 2 이며,n은 고분자 중합도로서이다.본 발명의 세 번째 기술적 과제는 서로 대향하고 있는 상, 하 기판; 상기 기판상에 각각 형성되어 있는 투명전극; 상기 투명전극상에 각각 형성되어 있는 배향막; 및 상기 배향막들 사이에 형성되어 있는 액정층을 포함하고 있는 액정표시소자에 있어서,상기 배향막이 화학식 1로 표시되는 광배향성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자에 의하여 이루어진다.<화학식 1>상기식 중,이고,이며,Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,이고,Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고,R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고,X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고,x는 몰분율로서이고,m은 1 내지 2 이며,n은 고분자 중합도로서이다.본 발명의 광배향성 고분자는, 가용성 방향족 폴리이미드의 측쇄에 광반응성의 시나믹산 성분을 도입하고, 이 시나믹산에 유연성 세그멘트를 도입하여 합성된 것으로서, 화학식 1로 표시된다. 이러한 화학식 1의 폴리이미드를 사용하여 배향막을 형성하면 액정과 폴리이미드의 유연성 세그먼트간의 상호작용을 조절하여 액정의 프리틸트각 특성을 매우 개선할 수 있게 된다.<화학식 1>상기식 중,이고,이며,Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,이고,Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고,R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고,X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고,x는 몰분율로서이고,m은 1 내지 2 이며,n은 고분자 중합도로서이다.특히, 상기 화학식 1의 Y에서, X1, X2, X3및 X4는 수소, 메틸기, 에틸기, 메톡시기 또는 에톡시기이고, Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고, R은 탄수소 12 내지 30의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 및 할로알킬아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,인 것이 바람직하다.그리고, 상기 화학식 1의 폴리이미드의 중량평균분자량은 3,000 내지 1,000,000인 것이 바람직하다. 만약 폴리이미드의 중량평균분자량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 액정의 프리틸트각 특성 향상 효과가 미미하여 바람직하지 못하다.이하, 본 발명에 따른 화학식 1의 폴리이미드중 대표적인 예의 폴리이미드를 합성하는 방법을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 산 무수물인 2,2-비스-(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로비페닐과 디아민 화합물인 3,3-하이드록시-4,4-디아민을 용매에 용해한다. 이 때 용매로는 산 무수물과 디아민 화합물을 용해시킬 수 있는 것이라면 모두 다 사용가능하며, 구체적인 예로는 N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드. 메틸셀로솔브 등이 있다.
상기 혼합물에 촉매를 부가하여 -4℃ 내지 100℃에서 반응시켜서 중간체인 폴리아믹산을 얻는다. 여기에서 촉매를 사용하지 않거나, 촉매를 사용할 경우에는 이소퀴놀린, 트리에틸아민 등을 이용한다. 이어서, 상기 폴리아믹산을 50℃ 내지400℃에서 열처리하여 이미드화시키면 가용성 폴리이미드 (A)를 얻을 수 있게 된다. 여기에서 폴리아믹산을 이미드화시키는 방법은 이와 같은 열처리방법 이외에 톨루엔을 부가한 상태에서 톨루엔의 비점 온도 영역에서 가열시키는 방법, 아세트산 무수물과 피리딘을 부가하여 25℃ 내지 250℃에서 가열시키는 방법 등을 적용할 수 있다.
이와 별도로, 상기 가용성 폴리이미드 (A)와의 반응물질인 광반응성 시나믹산 유도체 (B)를 제조한다.
시나믹산 유도체 (B)를 얻기 위해서는, 먼저 4-하이드록시 시나믹산 (C)를 알킬 할라이드(RX)와 반응시켜 시나믹산 유도체 (D)를 얻은 다음, 이를 산처리하여 시나믹산 유도체 (E)를 얻는다. 그리고 나서, 질소 분위기하에서 이 시나믹산 유도체 (E)를 과량의 티오닐 클로라이드(SOCl2)에 용해한 다음, 0℃ 내지 100℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시킨다.
그 후, 반응 혼합물로부터 미반응 티오닐 클로라이드를 제거하면 시나믹산 유도체 (B)를 얻을 수 있다. 여기에서 미반응 티오닐 클로라이드의 제거과정은, 진공조건하에서 반응혼합물을 감압증발시켜 과잉의 티오닐 클로라이드를 일차적으로 제거한 다음, 이 결과물을 헥산으로 수차례 세척하는 과정을 수차례 반복함으로써이루어진다.
상기 폴리이미드 (A)와 시나믹산 유도체 (B)를 용매에 용해한 다음, 여기에 과량의 염기를 부가하여 0℃ 내지 50℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시킨다. 이 때 상기 염기는 반응중 생성된 산을 중화시키는 역할을 하며, 피리딘, 트리에틸아민 등을 사용한다. 그리고, 용매로는 화학식 (A)의 폴리이미드와 화학식 (B)의 시나믹산 유도체를 용해시킬 수 있는 것이라면 모두 다 사용가능하며, 테트라하이드로퓨란, N-메틸피롤리돈 등을 사용한다.
상기 반응이 완결되면, 워크-업(work-up) 과정을 거쳐 목적하는 화학식 (G)의 폴리이미드를 얻을 수 있게 된다. 여기에서 워크-업 과정은 X1, X2, X3, X4및 R에 따라 약간씩 달라지는데, 워크-업 과정의 구체적인 예로서 메탄올 등과 같은 유기용매에 반응 혼합물을 적가하여 재결정하는 방법이 있다.
이하, 화학식 (G)의 고분자를 포함하는 화학식 1의 자외선 광 배향성 고분자로 된 배향막과 이를 구비한 액정표시소자를 제조하는 방법을 살펴보기로 한다.
먼저, 본 발명에 따른 화학식 1의 자외선 광 배향성 고분자를 용매와 혼합하여 광배향성 조성물을 제조한다. 여기에서 용매로는 N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드, 부틸셀로솔브 등을 사용한다.
상기 광배향성 조성물을 유리기판 2장에 각각 코팅한 다음, 용매를 건조하여 배향막을 형성한다. 이어서 비편광 자외선과 선편광 자외선을 선차적으로 조사하는 이중 조사법을 사용하여 광반응을 실시한 다음, 스페이서를 이용하여 일정한 갭이 유지된 상태에서 2장의 기판을 접합하여 공셀을 완성한다. 그 후, 상기 공셀에 액정을 주입함으로써 액정표시소자를 완성한다.
이하, 본 발명을 하기 합성예, 비교예 및 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 하기 합성예, 비교예 및 실시예로만 한정되는 것은 아니다.
<합성예 1>
4당량의 시나믹산을 과량의 티오닐 클로라이드에 녹인 다음, 이를 0℃ 내지 100℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시킨다. 이어서, 진공조건하에서 반응 혼합물을 감압증발하여 과잉의 티오닐 클로라이드를 일차적으로 제거하였다. 그 후, 이 결과물을 헥산을 이용하여 2-3회 세척하고 이를 진공조건하에서 감압증발하여 미반응 티오닐 클로라이드를 제거하였다. 이러한 과정을 수차례 반복하여 반응 혼합물로부터 잔류하는 티오닐 클로라이드를 완전히 제거하였다.
그 후, 상기 반응 혼합물에 가용성 폴리이미드 (A)와 테트라하이드로퓨란과 과량의 피리딘을 부가하여 혼합한 다음, 0℃ 내지 50℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시킨다.
상기 반응이 완결되면, 반응 혼합물을 격렬하게 교반되는 메탄올에 적가하여 침전물을 형성시켰다. 이어서, 이 침전물을 여과 및 건조하여 하기 구조식 (H)의 폴리이미드 (여기에서, k는임)를 얻었다.
여기에서 가용성 폴리이미드 (A)는 하기 방법에 따라 제조하였다.
동일한 당량의 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로비페닐과 3,3-하이드록시-4,4'-디아미노비페닐을 N-메틸피롤리돈에 용해하여 10% 용액으로 만든 다음, 여기에 2 당량 이소퀴놀린 촉매를 부가하여 20℃ 내지 100℃에서 30분 내지 2 시간 동안 가열하였다. 그 후, 이 반응 혼합물을 100℃ 내지 230℃에서 30분 내지 5시간 동안 교반하여 가용성 폴리이미드 (A)를 얻었다.
<합성예 2>
4-하이드록시-3-메톡시시나믹산 1.0당량에 1-브로모부탄 2.5당량과 수산화나트륨 8당량을 부가하여 혼합한 다음에 이를 실온에서 1시간 내지 10시간 동안 교반하였다.
그 후, 상기 반응 혼합물에 물 500 ㎖을 첨가한 후, 0.1M 내지 1M의 염산 수용액을 이용하여 침전물을 형성시켰다. 얻어진 침전물을 여과하고, 이를 진공건조한 다음, 얻어진 결과물에 디클로로메탄을 부가하여 20℃ 내지 50℃로 가열하여 용해시키고, 10당량 수산화나트륨을 첨가한 후에 에탄올을 적가한 다음, 1시간 내지 10시간 동안 환류시켰다. 이후, 이 반응 혼합물을 다시 0.1M 내지 1M의 염산 수용액을 이용하여 처리하여 침전물을 형성시키고, 이를 진공건조하여 4-부톡시 시나믹산을 얻었다.
4당량의 4-부톡시 시나믹산을 과량의 티오닐 클로라이드에 녹인 다음, 이를 0℃ 내지 100℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시킨다. 이어서, 진공조건하에서 반응 혼합물을 감압증발하여 과잉의 티오닐 클로라이드를 일차적으로 제거하였다. 그 후, 이 결과물을 헥산을 이용하여 2-3회 세척하고 이를 진공조건하에서 감압증발하여 미반응 티오닐 클로라이드를 제거하였다. 이러한 과정을 수차례 반복하여 반응 혼합물로부터 잔류하는 티오닐 클로라이드를 완전히 제거하였다.
그 후, 상기 반응 혼합물에 가용성 폴리이미드 (A)와 테트라하이드로퓨란과 과량의 피리딘을 부가하여 혼합한 다음, 0℃ 내지 50℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시킨다.
반응이 완결되면, 상기 반응 혼합물을 격렬하게 교반되는 메탄올에 적가하여 침전물을 형성시켰다. 이어서, 이 침전물을 여과 및 건조하여 목적생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1이 메톡시기이고 X2, X3및 X4는 수소이며, R은 (CH2)3CH3임)를 얻었다.
여기에서 가용성 폴리이미드 (A)는 하기 방법에 따라 제조하였다.
동일한 당량의 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로비페닐과 3,3-하이드록시-4,4'-디아미노비페닐을 N-메틸피롤리돈에 용해하여 10% 용액으로 만든 다음, 여기에 2 당량 이소퀴놀린 촉매를 부가하여 20℃ 내지 100℃에서 30분 내지 2 시간 동안 가열하였다. 그 후, 이 반응 혼합물을 100℃ 내지 230℃에서 30분 내지 5시간 동안 교반하여 가용성 폴리이미드 (A)를 얻었다.
<합성예 3>
4-하이드록시-3,5-디메톡시시나믹산 1.0당량에 1-브로모부탄 2.5당량과 8당량 수산화나트륨을 부가하여 혼합한 다음, 이를 실온에서 9시간동안 교반하였다.
그 후, 상기 반응 혼합물에 물 500 ㎖을 첨가한 후, 0.1M 내지 1M의 염산 수용액을 이용하여 침전물을 형성시켰다. 얻어진 침전물을 여과하고, 이를 진공건조한 다음, 얻어진 결과물에 디클로로메탄을 부가하여 20℃ 내지 50℃로 가열하여 용해시키고, 10당량 수산화나트륨을 첨가한 후에 에탄올을 적가한 다음, 9시간동안 환류시켰다. 이후, 이 반응 혼합물을 다시 0.1M 내지 1M의 염산 수용액을 이용하여 처리하여 침전물을 형성시키고, 이를 진공건조하여 4-부톡시 시나믹산을 얻었다.
4당량의 4-부톡시 시나믹산을 과량의 티오닐 클로라이드에 녹인 다음, 이를 0℃ 내지 100℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시킨다. 이어서, 진공조건하에서 반응 혼합물을 감압증발하여 과잉의 티오닐 클로라이드를 일차적으로 제거하였다. 그 후, 이 결과물을 헥산을 이용하여 2-3회 세척하고 이를 진공조건하에서 감압증발하여 미반응 티오닐 클로라이드를 제거하였다. 이러한 과정을 수차례 반복하여 반응 혼합물로부터 잔류하는 티오닐 클로라이드를 완전히 제거하였다.
그 후, 상기 반응 혼합물에 가용성 폴리이미드 (A)와 테트라하이드로퓨란과 과량의 피리딘을 부가하여 혼합한 다음, 0℃ 내지 50℃에서 1 시간 내지 10 시간 동안 반응시켰다.
반응이 완결되면, 상기 반응 혼합물을 격렬하게 교반되는 메탄올에 적가하여 침전물을 형성시켰다. 이어서, 이 침전물을 여과 및 건조하여 목적생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1와 X3은 메톡시기이고 X2와 X4는 수소이며, R은 (CH2)3CH3임)를 얻었다.
여기에서 가용성 폴리이미드 (A)는 하기 방법에 따라 제조하였다.
동일한 당량의 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로비페닐과 3,3-하이드록시-4,4'-디아미노비페닐을 N-메틸피롤리돈에 용해하여 10% 용액으로 만든 다음, 여기에 2 당량 이소퀴놀린 촉매를 부가하여 20℃ 내지 100℃에서 30분 내지 2 시간 동안 가열하였다. 그 후, 이 반응 혼합물을 100℃ 내지 230℃에서 30분 내지 5시간 동안 교반하여 가용성 폴리이미드 (A)를 얻었다.
<합성예 4>
4-하이드록시-3-메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모옥탄을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1이 메톡시기이고 X2, X3및 X4는 수소이며, R은 (CH2)7CH3임)를 얻었다.
<합성예 5>
4-하이드록시-3,5-디메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄대신 1-브로모옥탄을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1와 X3은 메톡시기이고 X2와 X4는 수소이며, R은 (CH2)7CH3임)를 얻었다.
<합성예 6>
4-하이드록시-3-메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모노난을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1이 메톡시기이고 X2, X3및 X4는 수소이며, R은 (CH2)8CH3임)를 얻었다.
<합성예 7>
4-하이드록시-3,5-디메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모노난을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1와 X3은 메톡시기이고 X2와 X4는 수소이며, R은 (CH2)8CH3임)를 얻었다.
<합성예 8>
4-하이드록시-3-메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1이 메톡시기이고 X2, X3및 X4는 수소이며, R은 (CH2)9CH3임)를 얻었다.
<합성예 9>
4-하이드록시-3,5-디메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1와 X3은 메톡시기이고 X2와 X4는 수소이며, R은 (CH2)9CH3임)를 얻었다.
<합성예 10>
4-하이드록시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모언데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드(X1, X2, X3및 X4는 수소이고, R은 (CH2)10CH3임)를 얻었다.
<합성예 11>
4-하이드록시 시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모도데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드(X1, X2, X3및 X4는 수소이고, R은 (CH2)11CH3임)를 얻었다.
<합성예 12>
4-하이드록시-3-메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모도데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1이 메톡시기이고 X2, X3및 X4는수소이며, R은 (CH2)11CH3임)를 얻었다.
<합성예 13>
4-하이드록시-3,5-디메톡시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모도데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 3과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1와 X3은 메톡시기이고 X2와 X4는 수소이며, R은 (CH2)11CH3임)를 얻었다.
<합성예 14>
4-하이드록시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모펜타데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드(X1, X2, X3및 X4는 수소이고, R은 (CH2)14CH3임)를 얻었다.
<합성예 15>
4-하이드록시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모헥사데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드(X1, X2, X3및 X4는 수소이고, R은 (CH2)15CH3임)를 얻었다.
<합성예 16>
4-하이드록시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모옥타데칸을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드(X1, X2, X3및 X4는 수소이고, R은 (CH2)17CH3임)를 얻었다.
<합성예 17>
4-하이드록시시나믹산과 1-브로모부탄의 반응시, 1-브로모부탄 대신 1-브로모도코산을 사용한 것을 제외하고는, 합성예 2과 동일한 방법에 따라 실시하여 목적 생성물인 화학식 (G)의 폴리이미드 (X1, X2, X3및 X4는 수소이고, R은 (CH2)21CH3임)를 얻었다.
한편, 상기 합성예 1 내지 17에 따라 제조된 자외선 광 배향성 폴리이미드의 광 반응성을 평가하였다. 여기에서 광반응성 평가방법은 다음과 같다.
먼저, 폴리이미드 0.2g을 사이클로헥사논 15g에 용해한 다음, 이를 석영기판 상부에 회전, 도포하였다. 이어서, 이를 80℃의 가열판 위에서 30분간 건조한 다음에, 진공 조건 하에서 또는 질소 분위기 하에서 100℃ 내지 200℃로 1시간 내지 5시간가열하여 폴리이미드 박막을 형성하였다.
그 후, 비편광 자외선을 노광량을 변화시키면서 상기 폴리이미드 박막에 조사하여 광파장에 따른 흡수율을 측정하였다.
합성예 1에 따른 폴리이미드, 즉 수소가 다른 치환기로 치환되지 않은 신나모일기를 측쇄에 가지는 폴리이미드의 자외선 최대 흡수 파장은 각각 221nm와 278nm이었으며, 자외선 노광량이 많아질수록 221nm 근처의 흡수가 증가하는 한편, 278nm 근처의 흡수는 줄어들며, 약 9.0J/㎠의 노광량에서는 광반응이 거의 완료되는 것을 확인하였다 (도 2 참조). 즉, 이 폴리이미드의 경우, 자외선 노광에 따른 광반응에는 278nm 파장의 높은 에너지가 필요하다.
이에 반하여, 합성예 2 내지 17에 따른 폴리이미드들은 다른 자외선 흡수 특성 및 광방응성을 나타내었다. 도 1는 합성예 11의 폴리이미드에 대한 자외선 노광에 따른 자외선 흡수 스펙트럼으로서 자외선 최대 흡수 파장은 각각 221nm와 317nm이었으며, 자외선 노광량이 많아질수록 221nm 근처의 흡수는 증가하는 반면에 317nm 근처의 흡수가 줄어들고, 약 10.0J/㎠의 노광량에서 광반응이 거의 완료되는 것을 확인하였다. 합성예 2 내지 17의 폴리이미드들도 합성예 11의 폴리이미드와 같은 자외선 흡수 특성을 나타내었다. 이들 폴리이미드의 221nm 근처에서의 흡수 특성은 합성예 1의 폴리이미드와 비슷하지만 278nm 보다는 파장인 317nm 근처에서 자외선을 흡수하였다. 이 사실은 합성예 2 내지 17에서 제조한 폴리이미드들의 광반응성은 합성예 1의 폴리이미드 보다 낮은 에너지의 자외선으로 가능함을 알려주고 있다. 즉, 합성예 2 내지 17에서 얻어진 폴리이미드는 합성예 1에서 제조한 폴리이미드, 즉 치환기를 갖지 않는 신나모일기만을 측쇄로 하는 폴리이미드 보다 우수한 광반응성을 가진다.
또한, 상기 합성예 1 내지 17에 따른 폴리이미드의 열적 특성을 조사하여 하기 표 1에 나타내었다. 이 때 폴리이미드의 열적 특성은 열중량분석기를 이용한 1% 중량 감소 온도와, 시차주사열량계를 이용한 유리전이온도 항목으로 평가하였다.
구 분 1% 중량 감소 온도 (oC) 유리전이온도 (oC)
합성예 1 340 181
합성예 2 290 178
합성예 3 290 178
합성예 4 285 177
합성예 5 285 177
합성예 6 280 176
합성예 7 280 176
합성예 8 280 176
합성예 9 280 176
합성예 10 280 176
합성예 11 270 174
합성예 12 270 174
합성예 13 270 174
합성예 14 270 174
합성예 15 270 174
합성예 16 270 174
합성예 17 270 174
표 1에 나타낸 바와 같이, 합성예 1의 폴리이미드는 340oC 열분해온도와 181oC 유리전이온도를 나타내었다. 이에 비교하여 합성예 2 내지 17의 폴리이미드들은 270oC 내지 290oC의 열분해온도와 174oC 내지 178oC의 유리전이온도를 갖는다. 일반적으로, 액정 디스플레이 제조에 사용되는 배향막 소재는 200oC까지는 열적 안정성을 가져야 한다. 이러한 요구조건을 고려하여 볼 때, 합성예 2 내지 17의 폴리이미드는 모두 200oC 보다 훨씬 높은 온도인 270oC 내지 290oC까지 열적으로 안정하다.
<비교예 1>
상기 합성예 1에 따라 얻어진 폴리이미드를 N-메틸피롤리돈에 1중량%로 녹인 혼합물을 ITO(인디움-틴 옥사이드) 전극층이 형성되어 있는 유리기판 2장에 각각스핀코팅하였다. 이어서, 이를 80℃의 가열판 위에서 30분간 건조한 다음에, 진공 조건 하에서 또는 질소 분위기 하에서 100℃ 내지 200℃로 1시간 내지 5시간 동안 가열하여 배향막을 형성하였다.
이어서 상기 배향막에 0.25 J/㎠의 비편광과 1.5 J/㎠의 선편광을 자외선의 진행면과 박막면이 이루는 각을 45o정도로 조절하여 순차적으로 조사하였다.
스페이서를 사용하여 배향막이 형성된 두 유리기판을 소정의 두께로 유지시킨 다음에 두 유리기판을 접합하여 공셀을 형성하였다. 이 공셀에 액정을 주입하여 액정표시소자를 완성하였다. 여기에서 액정은 스메틱 액정 구조를 갖는 4'-펜틸-4-비스페닐카보니트릴와, 이 물질를 기준으로 하여 1중량%의 안트라퀴논계 염료인 디스퍼스블루(Disperse Blue 1, λmax=607nm) 혼합물을 사용하였다.
<실시예 1>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 2의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 2>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 4의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 3>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 6의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 4>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 8의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 5>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 10의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 6>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 11의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 7>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 14의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 8>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 15의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 9>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 16의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
<실시예 10>
합성예 1의 화합물 대신 합성예 17의 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법에 따라 실시하여 액정표시소자를 완성하였다.
상기 비교예 1과 실시예 1 내지 10에 따른 액정표시소자에 있어서, 액정 배향의 프리틸트각을 결정회전법으로 측정하였다. 측정한 프리틸트각을 표 2에 나타내었다.
구 분 액정표시소자내 액정의 프리틸트각 (o)
합성예 1 0.02
합성예 2 0.93
합성예 4 1.57
합성예 6 1.58
합성예 8 17.0
합성예 10 3.18
합성예 11 35-65
합성예 14 89.1
합성예 15 89.8
합성예 16 89.8
합성예 17 89.8
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 비교예 1의 액정표시소자의 경우는, 액정 배향의 프리틸트각은 0.02o이었다.
반면, 실시예 1 내지 10의 액정표시소자에 있어서, 액정의 프리틸트각은 0.93o내지 89.8o로서 비교예 1의 경우와 비교하여 프리틸트각 특성이 전반적으로 크게 향상되었뿐만 아니라 합성예의 폴리이미드의 종류에 따라 넓은 범위의 프리틸트각을 얻었다.
이상에서 살펴본 바와 같이 실시예 1 내지 10의 액정표시소자에서는 액정의 프리틸트각 특성이 비교예 1의 경우에 비하여 전반적으로 개선되므로 광시야각 특성을 향상시킬 수 있게 된다는 사실을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따른 광배향성 고분자는 측쇄에 유연성 세그먼트를 갖고 있는 광반응성 시나믹산 성분을 도입함으로써 광배향성이 우수하며 액정 배향의 프레틸트각 특성을 크게 향상시킬 수 있게 된다. 따라서, 본 발명에 따른 화학식 1의 광배향성 고분자로 된 배향막을 채용하면 광시야각 특성을 향상시킬 수 있게 되어 액정표시소자의 대형화가 용이해진다.

Claims (15)

  1. 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 광배향성 고분자.
    <화학식 1>
    상기식중,
    이고,
    이며,
    Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    이고,
    Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고,
    X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    x는 몰분율로서이고,
    m은 1 내지 2 이며,
    n은 고분자 중합도로서이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서, Z은 -OR인 경우, R은 탄수소 12 내지 50의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 탄소수 6 내지 50의 할로아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고, X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알콕시기, 할로알킬기 또는 할로알콕시기인 것을 특징으로 하는 광배향성 고분자.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서 Z은 -OR인 경우, R은 탄수소 12 내지 50의 알킬기이고, X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알콕시기, 할로알킬기 또는 할로알콕시기인 것을 특징으로 하는 광배향성 고분자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 고분자의 중량 평균 분자량이 3,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 광배향성 고분자.
  6. 화학식 1로 표시되는 광배향성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 배향막.
    <화학식 1>
    상기식 중,
    이고,
    이며,
    Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    이고,
    Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고,
    X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    x는 몰분율로서이고,
    m은 1 내지 2 이며,
    n은 고분자 중합도로서이다.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화학식 1에서 Z는 -OR인 경우, R은 탄수소 12 내지 50의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 탄소수 6 내지 50의 할로아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고, X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알콕시기, 할로알킬기 또는 할로알콕시기인 것을 특징으로 하는 배향막.
  8. 삭제
  9. 제6항에 있어서, 상기 화학식 1에서 Z는 -OR인 경우, R은 탄수소 12 내지 50의 알킬기이고, X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알콕시기, 할로알킬기 또는 할로알콕시기인 것을 특징으로 하는 배향막.
  10. 제6항에 있어서, 상기 화학식 1의 광배향성 고분자의 중량 평균 분자량이 3,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 배향막.
  11. 서로 대향하고 있는 상, 하 기판; 상기 기판상에 각각 형성되어 있는 투명전극; 상기 투명전극상에 각각 형성되어 있는 배향막; 및 상기 배향막들 사이에 형성되어 있는 액정층을 포함하고 있는 액정표시소자에 있어서,
    상기 배향막이 화학식 1로 표시되는 광배향성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
    <화학식 1>
    상기식 중,
    이고,
    이며,
    Q1, Q2및 Q3는 서로에 관계없이 하이드록실기, 카르복실기, 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    이고,
    Z는 -OR 및 -OOCR로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    R은 탄소수 12 내지 100의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 니트로할로알킬기, 시아노할로알킬기, 탄소수 6 내지 100의 아릴기, 할로아릴기, 니트로아릴기, 시아노아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고,
    X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 알킬카르복실기, 아릴카르복실기, 알킬에스터기, 아릴에스터기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 할로아릴기, 니트로알킬기, 니트로아릴기, 시아노알킬기, 시아노아릴기, 하이드록시기, 할로겐 원자 및 할라이드로 이루어진 군으로부터 선택되고,
    x는 몰분율로서이고,
    m은 1 내지 2 이며,
    n은 고분자 중합도로서이다.
  12. 제11항에 있어서, 상기 화학식 1에서 Z는 -OR인 경우, R은 탄수소 12 내지 50의 알킬기, 니트로알킬기, 시아노알킬기, 할로알킬기, 탄소수 6 내지 50의 할로아릴기, 할로알킬아릴기, 니트로할로알킬아릴기 또는 시아노할로알킬아릴기이고, X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알콕시기, 할로알킬기 또는 할로알콕시기인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  13. 삭제
  14. 제11항에 있어서, 상기 화학식 1에서 Z는 -OR인 경우, R은 탄수소 12 내지 50의 알킬기이고, X1, X2, X3및 X4는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 알콕시기, 할로알킬기 또는 할로알콕시기인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  15. 제11항에 있어서, 상기 화학식 1의 광배향성 고분자의 중량 평균 분자량이 3,000 내지 1,000,000인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
KR1020000001188A 2000-01-11 2000-01-11 자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이배향막을 채용하고 있는 액정표시소자 KR100348151B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000001188A KR100348151B1 (ko) 2000-01-11 2000-01-11 자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이배향막을 채용하고 있는 액정표시소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000001188A KR100348151B1 (ko) 2000-01-11 2000-01-11 자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이배향막을 채용하고 있는 액정표시소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010068994A KR20010068994A (ko) 2001-07-23
KR100348151B1 true KR100348151B1 (ko) 2002-08-09

Family

ID=19637821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000001188A KR100348151B1 (ko) 2000-01-11 2000-01-11 자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이배향막을 채용하고 있는 액정표시소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100348151B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9709852B2 (en) 2015-03-05 2017-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Curved liquid crystal display and method of manufacturing the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050094011A (ko) 2004-03-17 2005-09-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 고분자 네크워크 액정 배열 방법
KR100784460B1 (ko) * 2006-06-27 2007-12-12 (주)엔디스 액정배향용 감광성 고분자, 이를 포함하는 액정배향막, 및이를 포함하는 액정디스플레이

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980047074A (ko) * 1996-12-13 1998-09-15 손욱 광배향성 조성물, 이로부터 형성된 배향막 및 이 배향막을 구비한 액정표시소자
KR19980057660A (ko) * 1996-12-30 1998-09-25 손욱 광배향성 조성물, 이로부터 형성된 배향막과 이배향막을 구비한 액정표시소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980047074A (ko) * 1996-12-13 1998-09-15 손욱 광배향성 조성물, 이로부터 형성된 배향막 및 이 배향막을 구비한 액정표시소자
KR19980057660A (ko) * 1996-12-30 1998-09-25 손욱 광배향성 조성물, 이로부터 형성된 배향막과 이배향막을 구비한 액정표시소자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9709852B2 (en) 2015-03-05 2017-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Curved liquid crystal display and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010068994A (ko) 2001-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100279043B1 (ko) 액정디스플레이용폴리말레이미드및폴리이미드광배향재
TWI609853B (zh) 感光性二胺、聚醯胺酸或其衍生物、液晶配向劑、液晶配向膜及液晶顯示元件
CN107615145B (zh) 液晶取向剂、液晶取向膜及液晶表示元件
CN101671250B (zh) 降冰片烯单体、聚降冰片烯衍生物、含该衍生物的液晶取向膜和含该膜的液晶显示器
JP2011501208A (ja) 液晶光配向剤、これを含む液晶光配向膜、およびこれを含む液晶表示装置
KR100565739B1 (ko) 광배향성 물질 및 이를 이용한 액정표시소자
CN113168052A (zh) 液晶取向剂、液晶取向膜、及液晶表示元件
WO2020080477A1 (ja) 液晶配向剤、液晶配向膜及びそれを用いた液晶表示素子
CN110036337B (zh) 液晶取向剂、液晶取向膜及使用其的液晶表示元件
KR20140024805A (ko) 광학 필름 및 이를 포함하는 표시 소자
KR100348151B1 (ko) 자외선 광 배향성 고분자, 이로부터 형성된 배향막 및 이배향막을 채용하고 있는 액정표시소자
KR101474794B1 (ko) 액정 배향제, 이를 이용하여 제조한 액정 배향막 및 상기 액정 배향막을 포함하는 액정표시소자
KR100969329B1 (ko) 신규한 디아민, 및 이를 포함하는 액정 광배향제, 액정 광배향막 및 액정 표시 장치
KR20090101634A (ko) 광배향재, 이를 이용해 제조된 배향막을 갖는 표시 기판 및그 표시 기판의 제조 방법
JP7279823B2 (ja) 液晶配向剤、液晶配向膜及び液晶表示素子
KR101971210B1 (ko) 액정배향용 중합체, 이를 포함하는 액정배향막 및 액정배향막의 제조 방법
WO2019221402A1 (ko) 액정 배향제 조성물, 이를 이용한 액정 배향막의 제조 방법, 및 이를 이용한 액정 배향막 및 액정표시소자
Woo Lee et al. Synthesis and properties of photoalignable aromatic polyesters containing phenylenediacrylate units in their backbones and n‐alkyl moieties in their side groups
KR101333709B1 (ko) 액정 배향제, 이를 이용하여 제조한 액정 배향막 및 상기 액정 배향막을 포함하는 액정표시소자
WO2019065646A1 (ja) 液晶配向剤、液晶配向膜及びそれを用いた液晶表示素子
KR20090058994A (ko) 트리아진 고리를 이용한 1개 이상의 광활성 그룹을 갖는폴리이미드계 감광성 고분자 액정배향제 조성물, 이를이용한 감광성 고분자 액정배향막의 제조방법 및 상기액정배향막을 포함하는 액정표시소자
KR19980059346A (ko) 신규 액정 배향제용 광배향성 고분자 유도체 및 이의 제조방법
CN114502693A (zh) 液晶取向剂、液晶取向膜、以及液晶显示元件
KR100340729B1 (ko) 페닐비닐피리딘 및 페닐비닐피리미딘 화합물, 그 유도체들및 이들로부터 형성된 배향막을 구비하고 있는 액정표시소자
KR20110007995A (ko) 액정 배향막 제조용 화합물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080624

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee