KR100347674B1 - Heating oven of lead frame and magazine setted therein - Google Patents
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Abstract
반도체 리드프레임 예열용 오븐 및 이에 구비되는 매가진에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor leadframe preheating oven and a magazine provided therein.
본 발명에 따른 반도체 리드프레임 예열용 오븐은, 큐어용 가스가 공급되는 가스유통슬릿이 형성된 가스공급벽, 상기 가스공급벽과 마주보게 설치되며 상기 가스가 방출되는 상기 가스유통슬릿이 형성된 가스방출벽, 폐가스가 방출되는 폐가스배출공이 형성된 배면벽 및 도어로 이루어지는 측벽을 구성하는 육면체 형상의 공정챔버를 포함하는 반도체 리드프레임 오븐에 있어서, 상기 가스유통슬릿의 간격을 조정할 수 있는 가스유통슬릿 간격조절수단이 더 구비된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 예열용 오븐에 구비되는 매가진은, 내부에 리드프레임 적재용 슬릿과 리드프레임 차단판 적재용 슬릿이 교대로 복수개 형성되고, 전면 및 배면은 완전개방되고, 양측면에는 복수의 가스유입홀이 형성된 것을 특징으로 한다.The semiconductor lead frame preheating oven according to the present invention includes a gas supply wall having a gas distribution slit for supplying a gas for cure, and a gas discharge wall provided with the gas distribution slit in which the gas is discharged and facing the gas supply wall. In the semiconductor lead frame oven comprising a hexahedral-shaped process chamber constituting a side wall consisting of a back wall and a door formed with waste gas discharge hole for discharging waste gas, the gas flow slit gap adjusting means for adjusting the interval of the gas flow slit The magazine is provided in the semiconductor leadframe preheating oven according to the present invention, the leadframe stacking slits and leadframe blocking plate stacking slits are alternately formed therein, the front and The rear surface is completely open, and a plurality of gas inlet holes are formed on both side surfaces.
따라서, 공정챔버 내부로 공급되는 큐어가스의 양 및 속도를 조절하고, 매가진 방향으로 충분항 양의 큐어가스를 공급할 수 있으며, 폐가스를 용이하게 방출할 수 있으며, 매거진 내부에 큐어가스가 용이하게 유입될 수 있도록 하는 효과가 있다.Therefore, it is possible to adjust the amount and speed of the cure gas supplied into the process chamber, to supply a sufficient amount of cure gas in the magazine direction, to easily discharge the waste gas, the cure gas inside the magazine easily It has the effect of being introduced.
Description
본 발명은 반도체 리드프레임 예열용 오븐 및 이에 구비되는 매가진에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오븐 내부로 공급되는 큐어가스(Cure gas)의 유량 및 속도를 부위별로 조절할 수 있고, 공정과정에 발생된 폐가스를 용이하게 배출할 수 있고, 리드프레임 모든 부위에 대해서 큐어공정이 원할하게 진행될 수 있도록 하는 반도체 리드프레임 가열용 오븐 및 이에 구비되는 매가진에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor lead frame preheating oven and a magazine provided therein, and more particularly, to control the flow rate and speed of the cure gas supplied into the oven for each part, and generated in the process. The present invention relates to a semiconductor lead frame heating oven and a magazine provided therein, which can easily discharge waste gas and allow the curing process to be smoothly performed to all parts of the lead frame.
통상, 반도체 리드프레임(Lead frame) 소정폭을 가지는 박판 소재를 프레스 금형장치를 이용하여 소정 형상으로 성형하고, 성형된 박판을 식각액을 이용하여 식각함으로써 제조한다.In general, a thin plate material having a predetermined width of a semiconductor lead frame is molded into a predetermined shape by using a press mold apparatus, and the molded thin plate is manufactured by etching with an etching solution.
그리고, 전술한 바와 같은 공정에 의해서 제조된 리드프레임은 완성된 반도체 칩 (Chip)을 패키지(Package)하는 구성요소의 하나로서, 반도체 칩(Chip)의 내부회로와 칩 외부의 외부회로를 연결시키기 위한 도선(Lead)의 역할과 반도체 칩을 지지하는 지지체(Frame) 역할을 수행한다.In addition, the lead frame manufactured by the above-described process is one of the components that package the completed semiconductor chip, and connects an internal circuit of the semiconductor chip with an external circuit outside the chip. It serves as a lead for the lead and a support frame for supporting the semiconductor chip.
또한, 리드프레임에 칩을 패키지하는 것은, 먼저 리드프레임에 양면 테이프를 부착한 후 매가진(Magazine)에 적재하여 소정온도 범위 내의 리드프레임 예열용 오븐 (Oven) 내부에서 수시간동안 예열과정을 거쳐 테이프 내부의 기포나 수포 등을 조기에 제거한 후 반도체 칩을 부착하게 된다.In addition, the package of the chip in the lead frame, first attaching the double-sided tape to the lead frame, and then loaded in a magazine to undergo a preheating process for several hours in the lead frame preheating oven within a predetermined temperature range After removing bubbles or blisters inside the tape at an early stage, the semiconductor chip is attached.
종래의 반도체 리드프레임 예열용 오븐은, 도1에 도시된 바와 같이 히터 등의 가열수단에 의해서 내부온도가 조절됨으로써 150 ℃ 이상의 고온상태를 유지할 수 있으며, 고온상태에서 리드프레임 예열공정이 진행되는 공정챔버(10)와 공정챔버(10) 개폐용 도어(Door : 18)를 구비한다.In the conventional semiconductor leadframe preheating oven, as shown in FIG. 1, the internal temperature is controlled by a heating means such as a heater to maintain a high temperature of 150 ° C. or higher, and the leadframe preheating process is performed at a high temperature. The chamber 10 and the process chamber 10 are provided with a door 18 for opening and closing.
그리고, 공정챔버(10)의 일측벽은 리드프레임 예열과정에 리드프레임에서 생성된흄(Hume)을 큐어링(Curing)하기 위한 큐어용 질소가스를 공급하는 가스공급벽(12)으로 이루어지고, 공정챔버(10)의 타측벽은 공정챔버(10) 내부로 공급된 질소가스가 방출되는 가스방출벽(14)으로 이루어지고, 가스공급벽(12)과 가스방출벽(14) 사이는 폐가스가 방출되는 페가스배출공(17)이 형성된 배면벽(16)으로 이루어진다. 여기서, 질소가스는 가스공급벽(12)에서 공정챔버(10) 내부로 공급된 후 가스방출벽(14)을 통과하고, 공정챔버(10) 하부의 히터(Heater)에 의해서 소정온도로 가열된 후 팬(Fan)의 구동에 의해서 가스공급벽(12)을 통해서 다시 공정챔버(10) 내부로 공급되도록 되어 있다.In addition, one side wall of the process chamber 10 includes a gas supply wall 12 for supplying nitrogen gas for curing to cure the fumes generated in the lead frame during the lead frame preheating process. The other side wall of the process chamber 10 is composed of a gas discharge wall 14 through which nitrogen gas supplied into the process chamber 10 is discharged, and waste gas is disposed between the gas supply wall 12 and the gas discharge wall 14. The exhaust gas discharge hole 17 is formed of a rear wall 16 is formed. Here, the nitrogen gas is supplied from the gas supply wall 12 into the process chamber 10 and then passes through the gas discharge wall 14, and heated to a predetermined temperature by a heater under the process chamber 10. After the fan Fan is driven, the gas is supplied into the process chamber 10 again through the gas supply wall 12.
또한, 가스공급벽(12) 및 가스방출벽(14)은 도2에 도시된 바와 같이 복수의 분할판(20)이 서로 소정간격 이격되어 고정나사(21)에 의해서 고정됨으로써 가스유통슬릿(22)을 형성하고, 상기 가스유통급슬릿(22)을 통해서 큐어용 질소가스가 유통하도록 되어 있다.In addition, the gas supply wall 12 and the gas discharge wall 14, as shown in Figure 2, the plurality of dividers 20 are spaced apart from each other by a fixed screw 21 is fixed by the gas distribution slit 22 ), And the nitrogen gas for cure flows through the gas distribution slit 22.
그리고, 공정챔버(10) 내부에서 예열공정이 진행되는 복수의 리드프레임은 도3에 도시된 바와 같은 매가진(26)에 순차적으로 적재되어 투입된다. 여기서 매가진(26)은 전면 및 배면만이 완전 개방되고 다른 면은 모두 폐쇄된 직육면체 형상으로 이루어지고, 내부에 리드프레임이 순차적으로 적층될 수 있도록 복수의 리드프레임 적재용 슬릿(28)이 형성되어 있다.Then, the plurality of lead frames in which the preheating process is performed in the process chamber 10 are sequentially loaded into the magazine 26 as shown in FIG. 3. Here, the magazine 26 has a rectangular parallelepiped shape in which only the front and rear surfaces are completely open, and the other surfaces are all closed, and a plurality of leadframe stacking slits 28 are formed to sequentially stack leadframes therein. It is.
따라서, 도어(18)를 개방한 후, 리드프레임 적재용 슬릿(28)에 리드프레임이 순차적으로 적재된 복수의 매가진(26)을 공정챔버(10) 내부에 투입한다. 여기서 리드프레임이 적재된 매가진(26)은 공정챔버(10) 저면부에 복수개 투입됨이 공정효율측면에서 효과적일 것이며, 서로 적층되거나 이웃하여 평행하게 설치될 수 있을 것이다.Therefore, after the door 18 is opened, a plurality of magazines 26 in which the lead frame is sequentially loaded into the lead frame loading slit 28 is introduced into the process chamber 10. Here, the magazine 26 on which the lead frame is loaded may be effectively injected into the bottom portion of the process chamber 10 in terms of process efficiency, and may be stacked or adjacent to each other.
다음으로, 도어(18)를 폐쇄한 후 공정챔버(10)의 내부온도를 히터 등의 가열수단에 의해서 150 ℃ 이상으로 상승시켜 리드프레임 예열공정을 1시간 내지 4시간 동안 진행함으로써 리드프레임에 부착된 양면 테이프의 기포 또는 수포를 조기에 제거한다. 이때, 공정챔버(10)의 가스공급벽(12)의 가스유통슬릿(22)을 통해서 큐어용 질소가스가 공정챔버(10) 내부로 공급됨으로써 질소가스는 매가진(26)에 적재된 리드프레임을 퍼지(Purge) 및 큐어(Cure)하게 된다. 상기 질소가스는 리드프레임의 산화와 양면 테이프 내부에서 발생되는 흄이 리드프레임의 은도금면에 접촉되어 델라미네이션(Delamination)을 발생시켜 후속 반도체 조립공정에서의 와이어본딩(Wire bonding) 불량을 야기하는 것을 방지하는 역할을 수행한다.Next, after the door 18 is closed, the internal temperature of the process chamber 10 is increased to 150 ° C. or higher by a heating means such as a heater to attach the lead frame to the lead frame by performing the lead frame preheating process for 1 to 4 hours. Remove air bubbles or blisters on the double-sided tape. At this time, the nitrogen gas for the curing is supplied into the process chamber 10 through the gas distribution slit 22 of the gas supply wall 12 of the process chamber 10, so that the nitrogen gas is loaded in the magazine 26. To purge and cure. The nitrogen gas is responsible for the oxidation of the lead frame and the fume generated inside the double-sided tape contacting the silver plated surface of the lead frame to cause delamination, resulting in poor wire bonding in subsequent semiconductor assembly processes. Serves to prevent.
그리고, 공정챔버(10) 내부로 공급된 질소가스는 공정챔버(10)의 가스방출벽(14)의 가스유통슬릿(22)을 통해서 공정챔버(10) 외부로 방출되어 오븐 내부의 히터에 의해서 가열된 후 팬의 구동에 의해서 다시 공정챔버(10)의 가스공급벽(12)의 가스유통슬릿(22)을 통해서 공정챔버(10) 내부로 공급된다.In addition, the nitrogen gas supplied into the process chamber 10 is discharged to the outside of the process chamber 10 through the gas flow slit 22 of the gas discharge wall 14 of the process chamber 10 and is heated by the heater inside the oven. After the heating, the fan is again supplied into the process chamber 10 through the gas flow slit 22 of the gas supply wall 12 of the process chamber 10.
그리고, 리드프레임 예열과정에 공정챔버(10)의 내부압력이 높아지면, 예열과정에 발생된 흄, 폐가스, 질소가스 등의 각종 가스는 공정챔버(10) 배면벽(16)에 형성된 폐가스배출공(17)을 통해서 외부로 방출된다.In addition, when the internal pressure of the process chamber 10 is increased during the lead frame preheating process, various gases such as fumes, waste gas, and nitrogen gas generated during the preheating process are waste gas exhaust holes formed in the rear wall 16 of the process chamber 10. It is released to the outside through (17).
그런데, 종래의 반도체 리드프레임 예열용 오븐 내부에서 진행되는 예열공정에 있어서 공정챔버(10)의 내부 위치에 따라 리드프레임의 예열 및 큐어 정도에 차이가있으나 공정챔버(10)의 가스공급벽(12) 및 가스방출벽(14)은 복수의 분할판(20)이 서로 소정간격 이격되어 고정나사(21)에 의해서 고정되어 있음으로 인해서 각 분할판(20) 사이의 간격, 즉 가스유통슬릿(22)의 간격을 용이하게 조정할 수가 없었다.However, in the preheating process performed in the conventional semiconductor leadframe preheating oven, there is a difference in the degree of preheating and curing of the leadframe according to the internal position of the process chamber 10, but the gas supply wall 12 of the process chamber 10 ) And the gas discharge wall 14 are spaced between each of the partition plates 20, that is, the gas distribution slits 22, because the plurality of partition plates 20 are fixed by the fixing screw 21 at predetermined intervals from each other. Could not be easily adjusted.
따라서, 공정챔버(10)의 가스공급벽(12)을 통해서 공정챔버(10) 내부로 공급되는 질소가스의 양 및 속도를 용이하게 조절할 수 없었고, 공정챔버(10)의 가스방출벽 (14)을 통해서 공정챔버(10) 외부로 방출되는 질소가스의 양 및 속도를 용이하게 조절할 수 없으므로 인해서 공정챔버(10) 내부의 특정 위치 및 다른 특정 위치의 리드프레임의 예열 및 큐어 정도에 차이가 발생하는 문제점이 있었다.Therefore, the amount and speed of the nitrogen gas supplied into the process chamber 10 through the gas supply wall 12 of the process chamber 10 could not be easily adjusted, and the gas discharge wall 14 of the process chamber 10 could not be easily adjusted. Since the amount and speed of the nitrogen gas emitted to the outside of the process chamber 10 can not be easily adjusted through the process, the difference in preheating and curing of the lead frame at a specific position inside the process chamber 10 and other specific positions occurs. There was a problem.
그리고, 공정챔버(10) 내부에 투입되는 복수의 매가진(26)은 공정챔버(10) 저면부에 서로 이웃하여 수평되게 설치됨으로써 매가진(26)과 매가진(26) 사이의 이격공간으로 많은 양의 질소가스가 공급되어 큐어용 질소가스가 과도하게 소비되고, 정작 큐어 공정이 진행되는 매가진(26) 방향으로는 충분한 양의 질소가스가 공급되지 않아 리드프레임 큐어 공정이 원할히 진행되지 못하는 문제점이 있었다.In addition, the plurality of magazines 26 introduced into the process chamber 10 are horizontally installed adjacent to each other at the bottom of the process chamber 10 to be spaced apart between the magazine 26 and the magazine 26. Nitrogen gas for cure is excessively consumed because a large amount of nitrogen gas is supplied, and a sufficient amount of nitrogen gas is not supplied in the direction of the magazine 26 where the cure process proceeds. There was a problem.
또한, 공정챔버(10)의 내부압력이 특정압력 이상일 경우에, 예열공정 과정의 질소가스, 폐가스 등의 각종가스는 공정챔버(10) 내부로 공급되는 질소가스의 공급압력에 의해서 공정챔버(10)의 배면벽(16)에 형성된 하나의 폐가스배출공(17)을 통해서 용이하게 방출되지 못하는 문제점이 있었다.In addition, when the internal pressure of the process chamber 10 is equal to or higher than a specific pressure, various gases such as nitrogen gas and waste gas in the preheating process are processed by the supply pressure of nitrogen gas supplied into the process chamber 10. There was a problem that can not be easily discharged through one waste gas discharge hole 17 formed in the rear wall 16 of the).
그리고, 종래의 매가진(26)은 전면 및 배면만이 개방되어 있음으로 인해서 질소가스가 용이하게 매가진(26) 내부로 유통하지 못하여 매가진(26)에 적재된 리드프레임에 원할한 큐어가 진행되지 못하는 문제점이 있었으며, 또한 매가진(26)의 리드프레임 적재용 슬릿(28)에 복수의 리드프레임이 순차적으로 적재됨으로 인해서 큐어시 매가진(26) 하부에 적재된 리드프레임에서 발생된 흄이 매가진(26) 상부로 이동하여 상부측 리드프레임을 오염시키는 문제점이 있었으며, 매가진(26)을 고정하기 위한 고정수단이 매가진(26)에 형성되어 있지 않음으로 인해서 매가진(26)을 순차적으로 서로 적층하기가 용이하지 않은 문제점이 있었다.In addition, since the conventional magazine 26 has only the front and rear surfaces open, nitrogen is not easily flowed into the magazine 26, and thus a desired curer is placed on the lead frame loaded in the magazine 26. There was a problem that could not be progressed, and also because a plurality of lead frames are sequentially loaded in the lead frame loading slit 28 of the magazine 26, the fume generated in the lead frame loaded under the magazine 26 when cured There was a problem of moving to the upper part of the magazine 26 to contaminate the upper lead frame, and since the fixing means for fixing the magazine 26 is not formed in the magazine 26, the magazine 26 is used. There was a problem that it is not easy to sequentially stack each other.
본 발명의 목적은, 공정챔버 가스공급벽 및 가스방출벽을 형성하는 분할판 사이의 간격 즉, 가스유통슬릿의 간격을 조절할 수 있도록 함으로써 공정챔버 내부로 공급되는 큐어가스의 양 및 속도를 조절할 수 있도록 하는 반도체 리프프레임 예열용 오븐을 제공하는 데 있다.An object of the present invention, by adjusting the gap between the process chamber gas supply wall and the partition plate forming the gas discharge wall, that is, the spacing of the gas flow slit can be adjusted the amount and speed of the cure gas supplied into the process chamber To provide a semiconductor leaf frame preheating oven.
본 발명의 다른 목적은, 리드프레임을 적재한 매가진 방향으로 충분한 양의 큐어가스가 공급될 수 있도록 하는 반도체 리드프레임 예열용 오븐을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an oven for preheating a semiconductor lead frame in which a sufficient amount of curing gas can be supplied in a magazine direction in which a lead frame is loaded.
본 발명의 또 다른 목적은, 공정챔버의 배면벽에 형성된 가스배출공을 통해서 각종 가스가 원할하게 방출될 수 있도록 하는 반도체 리드프레임 예열용 오븐을 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide a semiconductor lead frame preheating oven which allows various gases to be discharged smoothly through gas discharge holes formed in the rear wall of the process chamber.
본 발명의 또 다른 목적은, 리드프레임을 적재하는 매가진에 큐어가스가 원할히 유통할 수 있도록 하는 반도체 리드프레임 예열용 오븐에 구비되는 매가진을 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide a magazine provided in an oven for preheating a semiconductor lead frame to allow a cure gas to smoothly flow in a magazine for loading a lead frame.
본 발명의 또 다른 목적은, 리드프레임을 적재하는 매가진 하부의 리드프레임에 의해서 발생된 흄이 매가진 상부로 이동하여 상부 리드프레임을 오염시키는 것을 방지하는 반도체 리드프레임 예열용 오븐에 구비되는 매가진을 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide a semiconductor lead frame preheating oven for preventing a fume generated by a lead frame below a magazine carrying a lead frame from moving up the magazine and contaminating the upper lead frame. To provide with.
본 발명의 또 다른 목적은, 리드프레임을 적재한 매가진을 용이하게 순차적으로 적층할 수 있도록 하는 반도체 리드프레임 예열용 오븐에 구비되는 매가진을 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide a magazine provided in an oven for preheating a semiconductor lead frame, which enables stacking of magazines loaded with lead frames easily and sequentially.
도1은 종래의 반도체 리드프레임 예열용 오븐의 사시도이다.1 is a perspective view of a conventional semiconductor leadframe preheating oven.
도2는 도1에 도시된 오븐의 공정챔버 내부의 가스공급벽 및 가스방출벽의 구조를 설명하기 위한 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view for explaining the structures of the gas supply wall and the gas discharge wall in the process chamber of the oven shown in FIG.
도3는 종래의 매가진의 사시도이다.3 is a perspective view of a conventional magazine.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 리드프레임 예열용 오븐의 사시도이다.4 is a perspective view of a semiconductor leadframe preheating oven according to an embodiment of the present invention.
도5는 도4에 도시된 오븐의 공정챔버 내부의 가스공급벽 및 가스방출벽의 구조를 설명하기 위한 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view illustrating the structures of the gas supply wall and the gas discharge wall in the process chamber of the oven shown in FIG. 4.
도6은 도4에 도시된 오븐의 공정챔버 내부의 가스공급벽 상에 설치된 가스분배기의 사시도이다.6 is a perspective view of a gas distributor installed on the gas supply wall inside the process chamber of the oven shown in FIG.
도7은 도4에 도시된 오븐의 공정챔버 내부의 배면벽 상에 설치된 가스배출기의 사시도이다.FIG. 7 is a perspective view of a gas exhauster installed on the rear wall inside the process chamber of the oven shown in FIG.
도8는 본 발명에 따른 매가진의 일 실시예를 나타내는 사시도이다.8 is a perspective view showing an embodiment of a magazine according to the present invention.
도9는 도8에 도시된 리드프레임 차단판의 사시도이다.FIG. 9 is a perspective view of the leadframe blocking plate shown in FIG. 8. FIG.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
10, 30 : 공정챔버 12, 32 : 가스공급벽10, 30: process chamber 12, 32: gas supply wall
14, 34 : 가스방출벽 16, 36 : 배면벽14, 34: gas discharge wall 16, 36: rear wall
17 : 폐가스배출공 18, 38 : 도어17: waste gas discharge hole 18, 38: door
20 : 분할판 21, 41 : 고정나사20: divider 21, 41: set screw
22 : 가스유통슬릿 23 : 프레임22: gas distribution slit 23: frame
24 : 가스배출공 26, 80 : 매가진24: gas discharge hole 26, 80: magazine
28 : 리드프레임 적재용 슬릿 40 : 단위분할판28: Slit for loading lead frame 40: Unit divider
44 : 폐가스집진통 46 : 폐가스유통홀44: waste gas collector 46: waste gas distribution hole
50 : 상판 52 : 제 1 몸체50: top 52: first body
54 : 제 1 날개부 56 : 제 1 관통홀54: first wing portion 56: first through hole
60 : 하판 62 : 제 2 몸체60: lower plate 62: second body
64 : 제 2 날개부 70 : 개방부64: second wing portion 70: opening portion
72 : 폐쇄부 74 : 가스유통홀72: closed portion 74: gas distribution hole
82 : 가스유입홀 84 : 가이드홈82: gas inlet hole 84: guide groove
86 : 가이드돌기 88 : 리드프레임 적재용 슬릿86: guide protrusion 88: slit for loading lead frame
90 : 리드프레임 차단판 적재용 슬릿 92 : 리드프레임 차단판90: slit for loading lead frame blocking plate 92: Lead frame blocking plate
93 : 오목부93: recess
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 예열장치는, 큐어 (Cure)용 가스가 공급되는 가스유통슬릿이 형성된 가스공급벽, 상기 가스공급벽과 마주보게 설치되며 상기 가스가 방출되는 상기 가스유통슬릿이 형성된 가스방출벽, 폐가스가 방출되는 폐가스배출공이 형성된 배면벽 및 도어로 이루어지는 측벽을 구성하는 육면체 형상의 공정챔버를 포함하는 반도체 리드프레임 오븐에 있어서, 상기 가스유통슬릿의 간격을 조정할 수 있는 가스유통슬릿 간격조절수단이 더 구비된 것을 특징으로 한다.The semiconductor lead frame preheating apparatus according to the present invention for achieving the above object, the gas supply wall is formed with a gas distribution slit for supplying the gas for Cure, the gas supply wall facing the gas supply wall is discharged A semiconductor lead frame oven including a gas discharge wall having a gas distribution slit, a rear wall formed with a waste gas discharge hole through which waste gas is discharged, and a process chamber having a hexahedron shape constituting a side wall formed of a door. Characterized in that the gas distribution slit gap adjustment means is further provided.
상기 가스유통슬릿 간결조절수단은, 상기 가스공급벽 및 가스방출벽의 프레임 상에 설치되며, 양측 가장자리 부위에 길쭉한 제 1 관통홀이 형성되어 고정나사에 의해서 고정위치를 조절할 수 있도록 되어 있는 제 1 몸체부와 상기 제 1 몸체부에서 전면으로 연장 절곡된 제 1 날개부를 구비한 상판과 양측 가장자리 부위에 제 2 관통홀이 형성된 판상의 제 2 몸체부와 상기 제 2 몸체부에서 전면으로 연장 절곡된 제 2 날개부를 구비하며, 상기 상판과 중첩되어 위치하는 하판으로 이루어질 수 있다.The gas flow slit short adjusting means is provided on the frame of the gas supply wall and the gas discharge wall, and has a first elongated through hole formed at both edges thereof to adjust the fixed position by a fixing screw. A top plate having a body portion and a first wing portion bent to the front from the first body portion, a plate-shaped second body portion having a second through hole formed at both edges thereof, and a front extension bent from the second body portion. It may have a second wing portion, and may be made of a lower plate overlapping with the upper plate.
상기 공정챔버의 배면벽에 형성된 가스배출공 상에 상면부를 제외한 측면부, 전면부 및 배면부에 복수의 폐가스 유통홀이 형성된 폐가스집진통이 설치될 수 있다.On the gas discharge hole formed in the rear wall of the process chamber, a waste gas collecting cylinder having a plurality of waste gas distribution holes may be installed on the side portion, the front portion, and the rear portion except for the upper surface portion.
그리고, 상기 가스차단판은 상기 가스유통홀이 형성된 사각형 형상의 개방부와 상기 개방부와 연장되어 소정부가 절곡된 폐쇄부가 순차적으로 복수개 연장 형성될 수 있다.The gas barrier plate may include a plurality of rectangular openings in which the gas flow holes are formed, and a plurality of closed portions extending from the openings and bent at predetermined portions.
또한, 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 예열용 오븐에 구비되는 매가진은, 내부에 리드프레임 적재용 슬릿과 리드프레임 차단판 적재용 슬릿이 교대로 복수개형성되고, 전면 및 배면은 완전개방되고, 양측면에는 복수의 가스유입홀이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the magazine provided in the semiconductor leadframe preheating oven according to the present invention, a plurality of slits for loading the leadframe and slits for loading the leadframe blocking plate are alternately formed inside, the front and the back are completely open, both sides It characterized in that a plurality of gas inlet holes are formed.
상기 매가진의 상단면에는 가이드홈이 형성되고, 상기 매가진의 하단면에는 가이드돌기가 형성될 수 있다.A guide groove may be formed on the upper surface of the magazine, and a guide protrusion may be formed on the lower surface of the magazine.
그리고, 상기 매가진의 상기 리드프레임 차단판 적재용 슬릿에 삽입되는 상기 리드프레임 차단판은 판상으로 이루어지고, 양끝 단부의 소정부가 절개되어 오목부가 형성될 수 있다.The lead frame blocking plate inserted into the lead frame blocking plate loading slit of the magazine may have a plate shape, and predetermined portions of both ends may be cut to form recesses.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 리드프레임 예열용 오븐의 사시도이다.4 is a perspective view of a semiconductor leadframe preheating oven according to an embodiment of the present invention.
도본 발명에 따른 반도체 리드프레임 예열용 오븐은 도4에 도시된 바와 같이 히터 등의 가열수단(도시되지 않음)을 구비하여 150 ℃ 이상의 고온상태에서 리드프레임 예열공정이 진행되는 공정챔버(30)를 구비한다.The semiconductor lead frame preheating oven according to the present invention includes a process chamber 30 in which a lead frame preheating process is performed at a high temperature of 150 ° C. or higher with a heating means (not shown) as shown in FIG. 4. Equipped.
그리고, 공정챔버(30)의 외측에 힌지(Hinge)결합 등에 의해서 고정된 도어(32)가 구비되어 공정챔버(30)를 개폐하도록 되어 있다.In addition, a door 32 fixed to the outer side of the process chamber 30 by hinge coupling or the like is provided to open and close the process chamber 30.
여기서, 공정챔버(30)는 직육면체 형상의 내부공간을 형성하고 있으며, 상기 내부공간의 일측벽은 리드프레임 예열과정에 리드프레임에서 생성된 흄을 큐어하기 위한 큐어용 질소가스를 공급하는 가스공급벽(32)으로 이루어지고, 가스공급벽(32)과 마주보는 공정챔버(30)의 타측벽은 공정챔버(30) 내부로 공급된 질소가스가 방출되는 가스방출벽(34)으로 이루어지고, 가스공급벽(32)과 가스방출벽(34) 사이에는 공정과정에 발생된 흄 등의 폐가스가 배출되는 폐가스배출공(넘버링되지 않음)이 형성된 배면벽(36)으로 이루어진다.Here, the process chamber 30 forms an internal space having a rectangular parallelepiped shape, and one side wall of the internal space supplies a gas supply wall for supplying nitrogen gas for curing to cure the fumes generated in the lead frame during the lead frame preheating process. The other side wall of the process chamber 30 facing the gas supply wall 32 is composed of a gas discharge wall 34 through which nitrogen gas supplied into the process chamber 30 is discharged. The back wall 36 is formed between the supply wall 32 and the gas discharge wall 34 in which waste gas discharge holes (not numbered) are formed through which waste gas such as fumes generated in the process is discharged.
그리고, 공정챔버(30) 내부로 공급되는 질소가스는 가스공급벽(32)에서 공정챔버 (30) 내부로 공급된 후 가스방출벽(34)을 통과하고, 공정챔버(30) 하부의 히터(도시되지 않음)에 의해서 소정온도로 가열된 후 팬(도시되지 않음)의 구동에 의해서 가스공급벽(32)을 통해서 다시 공정챔버(30) 내부로 공급되도록 되어 있다.Then, the nitrogen gas supplied into the process chamber 30 is supplied into the process chamber 30 from the gas supply wall 32 and then passes through the gas discharge wall 34, and the heater (below the process chamber 30) After heating to a predetermined temperature (not shown), it is supplied back into the process chamber 30 through the gas supply wall 32 by the driving of a fan (not shown).
또한, 가스공급벽(32) 및 가스방출벽(34)은 도5에 도시된 바와 같이 프레임 상에 양측 가장자리 부위에 제 2 관통홀(66)이 형성된 판상의 제 2 몸체부(62)와 제 2 몸체부(62)에서 전면으로 연장 절곡된 제 2 날개부(64)를 구비하는 하판(60)을 위치시킨 후, 양측 가장자리 부위에 길쭉한 제 1 관통홀(56)이 형성된 판상의 제 1 몸체부(52)와 제 1 몸체부(52)에서 전면으로 연장 절곡된 제 1 날개부(54)를 구비하는 상판(50)을 위치시켜 고정나사(41)로 제 1 관통홀(56) 및 제 2 관통홀(66)을 관통시킨 단위분할판(40)을 구비한다.In addition, the gas supply wall 32 and the gas discharge wall 34 is formed of a plate-shaped second body portion 62 and a second through hole 66 formed at both edges of the frame as shown in FIG. 2 After positioning the lower plate 60 having the second wing portion 64 bent to the front from the body portion 62, the plate-shaped first body formed with the elongated first through hole 56 in both edge portions The first through-hole 56 and the first through-hole 56 are formed by the fixing screw 41 by placing the upper plate 50 having the first blade portion 54 which is bent to the front side from the portion 52 and the first body portion 52. 2 is provided with the unit partition board 40 which penetrated the through-hole 66. As shown in FIG.
그리고, 복수의 단위분할판(40)이 소정간격 이격 설치됨으로써 단위분할판(40) 사이 사이에 가스유통슬릿이 형성된다. 여기서 상기 가스유통슬릿의 간격은 제 1 몸체부(52)의 제 1 관통홀(56)이 길쭉하게 형성됨으로 인해서 고정나사(41)의 고정지점을 조절하여 조정할 수 있다.In addition, the plurality of unit partition plates 40 are provided at predetermined intervals so that gas flow slits are formed between the unit partition plates 40. Here, the interval between the gas flow slits may be adjusted by adjusting the fixing point of the fixing screw 41 because the first through hole 56 of the first body portion 52 is elongated.
또한, 가스공급벽(32) 전면부에는 도6에 도시된 바와 같은 가스차단판(42)이 설치된다. 여기서 가스차단판(42)은 가스유통홀(74)이 형성된 사각형 형상의 개방판 (70)과 개방판(70)과 연장되어 소정부가 절곡된 폐쇄판(72)이 순차적으로 복수개 연장 형성되어 이루어지는 것이며, 가스차단판(42)의 양끝 단부에는 가스공급벽 (32)과 나사 체결하기 위한 나사체결홈(넘버링되지 않음)이 형성되어 있다.In addition, a gas blocking plate 42 as shown in FIG. 6 is provided on the front portion of the gas supply wall 32. In this case, the gas blocking plate 42 extends with the rectangular opening plate 70 and the opening plate 70 in which the gas flow holes 74 are formed, and a plurality of closing plates 72 having a predetermined portion are sequentially formed. At both ends of the gas blocking plate 42, screwing grooves (not numbered) for screwing the gas supply wall 32 are formed.
그리고, 배면벽(36)의 폐가스배출공 상에는 도7에 도시된 바와 같이 상면부를 제외한 측면부, 전면부 및 배면부에 복수의 폐가스 유통홀(46)이 형성된 폐가스집진통 (44)이 설치되어 있다. 여기서 폐가스집진통(44) 양측 가장자리 부위에는 배면벽에 고정하기 위한 나사체결홈(넘버링되지 않음)이 형성되어 있다.On the waste gas discharge hole of the rear wall 36, a waste gas collecting cylinder 44 having a plurality of waste gas distribution holes 46 is formed in the side portion, the front portion and the rear portion except for the upper surface portion as shown in FIG. Here, screw fastening grooves (not numbered) are formed at both edges of the waste gas collecting cylinder 44 to fix them to the rear wall.
그리고, 본 발명에 따른 반도체 리드프레임 예열용 오븐에 구비되는 매가진(80)은 도8에 도시된 바와 같이 직육면체 형상으로 이루어져 내부에 리드프레임 적재용 슬릿(88)과 도9에 도시된 바와 같이 양끝 단부의 소정부가 절개되어 오목부(93)가 형성된 판상의 리드프레임 차단판(92)이 적재되는 리드프레임 적재용 차단판 적재용 슬릿(92)이 순차적으로 복수개 형성되어 있다.In addition, the magazine 80 provided in the semiconductor lead frame preheating oven according to the present invention has a rectangular parallelepiped shape as shown in FIG. 8 and a lead frame loading slit 88 therein as shown in FIG. 9. Predetermined portions at both ends are cut out to sequentially form a plurality of lead frame loading blocking plate loading slits 92 on which a plate-shaped lead frame blocking plate 92 having a recess 93 is mounted.
또한, 매가진(80)의 상단면에는 그 상에 다른 매가진을 적층하기에 용이하도록 가이드홈(84)이 형성되어 있고, 하단면에는 또 다른 매가진의 상단면의 가이드홈에 삽입되는 가이드돌기(86)가 형성되어 있다.In addition, the upper surface of the magazine 80 is formed with a guide groove 84 to facilitate stacking other magazines thereon, the lower surface of the guide is inserted into the guide groove of the upper surface of another magazine The projection 86 is formed.
그리고, 매가진(80)의 전면 및 배면은 리드프레임을 적재 및 하역하도록 완전 개방되어 있고, 상면 및 하면은 폐쇄되고 양측면에는 복수의 가스유입홀(82)이 형성되어 질소가스가 원할하게 매가진(80) 내부로 유입될 수 있도록 되어 있다.In addition, the front and rear of the magazine 80 is completely open to load and unload the lead frame, the upper and lower surfaces are closed, and a plurality of gas inlet holes 82 are formed on both sides so that nitrogen gas is smoothly magazineed. (80) It is supposed to be able to flow inside.
따라서, 도어(38)를 개방한 후, 복수의 리드프레임을 적재한 복수의 매가진(80)을 공정챔버(30) 내부에 투입한다. 이때, 상기 매가진(80)은 소정간격 이격되어 공정챔버(30)의 저면부에 평행하게 설치하고 그 상부에 가이드롤기(86) 및 가이드홈 (84)을 이용하여 다른 매가진을 용이하게 적층할 수 있다.Therefore, after the door 38 is opened, the plurality of magazines 80 in which the plurality of lead frames are loaded is introduced into the process chamber 30. At this time, the magazine 80 is spaced a predetermined interval to be installed parallel to the bottom of the process chamber 30 and easily stacked other magazines using the guide roller 86 and the guide groove 84 thereon can do.
다음으로, 도어(38)를 폐쇄한 후 공정챔버(30)의 내부온도를 히터 등의 가열수단에 의해서 150 ℃ 이상으로 상승시켜 예열공정을 1시간 내지 4시간 동안 진행함으로써 리드프레임에 부착된 양면 테이프의 기포 또는 수포를 조기에 제거한다.Next, after the door 38 is closed, the internal temperature of the process chamber 30 is raised to 150 ° C. or more by a heating means such as a heater, and the preheating process is performed for 1 to 4 hours, thereby attaching both sides to the lead frame. Remove air bubbles or blisters from the tape early.
이때, 공정챔버(30) 내부로 공급되는 큐어용 질소가스는 공정챔버(30)의 가스공급벽(32)과 가스방출벽(34)에 설치된 단위분할판(40)의 고정나사(41)의 고정위치의 조절에 의해서 간격이 조절된 가스유통슬릿을 통해서 공정챔버(30) 내부로 공급되게 되며, 이에 따라 공정챔버(30)의 위치별로 상이한 질소가스가 공급되어 공정챔버(30)위 취약부위에 충분한 양의 질소가스가 공급된다.At this time, the nitrogen gas for curing supplied into the process chamber 30 may be formed by the fixing screw 41 of the unit partition plate 40 installed on the gas supply wall 32 and the gas discharge wall 34 of the process chamber 30. By adjusting the fixed position, the gap is adjusted to be supplied into the process chamber 30 through the gas distribution slit, and accordingly, different nitrogen gas is supplied to each position of the process chamber 30 to provide a weak spot on the process chamber 30. Sufficient nitrogen gas is supplied to the
특히, 본 발명에 따라 가스공급벽(32)과 인접하여 가스차단판(42)이 설치되어 있음으로 인해서 가스공급벽(32)의 가스공급슬릿을 통과한 질소가스는 가스차단판(42)의 가스유입홀(74)을 통해서 매가진(80) 방향으로 집중적으로 공급되고, 특정 매가진(80)과 다른 특정 매가진(80) 사이의 빈공간으로는 질소가스가 공급되지 않아 매가진(80)에 적재된 리드프레임의 퍼지 및 큐어가 원할하게 진행된다.In particular, since the gas blocking plate 42 is installed adjacent to the gas supply wall 32 according to the present invention, the nitrogen gas passing through the gas supply slit of the gas supply wall 32 is formed in the gas blocking plate 42. The gas inlet hole 74 is intensively supplied in the direction of the magazine 80, and nitrogen gas is not supplied to the empty space between the specific magazine 80 and the other particular magazine 80, so that the magazine 80 Purge and cure of the leadframe loaded on the) proceed smoothly.
그리고, 리드프레임 예열과정에 공정챔버(30) 내부로 공급되는 질소가스, 예열과정에 발생된 흄 등의 폐가스는 공정챔버(30)의 내부압력이 특정 압력으로 높아지면, 배면벽(36)의 폐가스배출공 상에 설치된 폐가스집중통(44)의 폐가스유통홀(46)을 통해서 폐가스집중통(44)으로 유입된 후 폐가스배출공을 통해서 외부로 방출된다. 여기서, 폐가스집중통(44)은 폐가스를 포집함으로써 폐가스가 가스공급벽(32)을 통해서 공급되는 질소가스의 공급압력에 의해서 폐가스배출공으로 방출되지 못하는 것을 방지하는 역할을 수행한다.In addition, the waste gas such as nitrogen gas supplied into the process chamber 30 during the lead frame preheating process and fume generated during the preheating process increases when the internal pressure of the process chamber 30 rises to a specific pressure. After entering the waste gas concentration hole 44 through the waste gas distribution hole 46 of the waste gas concentration hole 44 installed on the waste gas discharge hole is discharged to the outside through the waste gas discharge hole. Here, the waste gas concentration tank 44 serves to prevent the waste gas from being discharged to the waste gas discharge hole by the supply pressure of the nitrogen gas supplied through the gas supply wall 32 by collecting the waste gas.
그리고, 큐어공정이 진행된 질소가스는 가스방출벽(34)의 가스유통슬릿을 통해서 공정챔버(30) 외부로 방출되어 히터에 의해서 가열된 후 팬의 구동에 의해서 다시 공정챔버(30)의 가스공급벽(32)의 가스유통슬릿을 통해서 공정챔버(30) 내부로 다시 공급된다. 여기서 가스방출벽(34) 역시 가스공급벽(32)과 동일하게 단위분할판 (40)의 고정나사(41)의 고정위치를 조정하여 가스유통슬릿 간격이 조절됨으로써 질소가스는 공정챔버(30) 외부로 원할하게 방출된다.Then, the nitrogen gas subjected to the curing process is discharged to the outside of the process chamber 30 through the gas flow slit of the gas discharge wall 34 and heated by the heater, and then the gas is supplied to the process chamber 30 again by driving the fan. It is fed back into the process chamber 30 through the gas flow slit of the wall 32. Here, the gas discharge wall 34 also adjusts the fixing position of the fixing screw 41 of the unit partition plate 40 in the same manner as the gas supply wall 32 so that the gas flow slit interval is adjusted so that the nitrogen gas is processed in the process chamber 30. It is released to the outside smoothly.
또한, 큐어과정의 본 발명의 매가진(80)은 양측면부에 가스유입홀(82)이 형성되어 있음으로 인해서 질소가스가 매가진(80) 내부로 원할하게 유통되어 매가진(80)에 적재된 복수의 리드프레임을 용이하게 퍼지 및 큐어하게 되며, 매가진(80)의 리드프레임과 리드프레임 사이에 리드프레임 차단판(92)이 설치됨으로써 하부에 적재된 리드프레임에서 발생된 흄이 매가진(80) 상부로 이동하여 상부측 리드프레임을 오염시킴이 방지된다.In addition, the magazine 80 of the present invention of the curing process, because the gas inlet hole 82 is formed in both side surfaces, the nitrogen gas is smoothly distributed into the magazine 80 and loaded in the magazine 80. The lead frame can be easily purged and cured, and the lead frame blocking plate 92 is installed between the lead frame of the magazine 80 and the lead frame, so that the fumes generated from the lead frame loaded on the lower side are magazineed. (80) It is prevented from moving upward to contaminate the upper side leadframe.
따라서, 본 발명에 의하면 가스공급벽 및 가스방출벽에 가스공급슬릿의 간격을 조절할 수 있음으로 인해서 공정챔버 내부로 공급되는 큐어가스의 양 및 속도를 조절하여 공정챔버의 취약부위에 충분한 양의 큐어가스를 공급하고, 큐어가스가 원할하게 외부로 방출될 수 있도록 하는 효과가 있으며, 가스공급벽과 인접하여 가스차단판을 설치함으로써 매가진과 매가진 사이의 이격공간으로 큐어가스가 공급되는 것을 차단하고 매가진 방향으로 큐어가스가 집중적으로 공급될 수 있도록 하여 큐어공정의 효율을 향상시킬 수 있으며, 폐가스배출공 상에 폐가스집진통을 설치하여 큐어공정 과정에 발생된 폐가스를 폐가스집진통에 집진시켜 폐가스가 큐어가스의 공급압력에 의해서 가스배출공으로 방출되지 못하는 것을 방지할 수 있다.Therefore, according to the present invention, the amount of cure sufficient to the weak part of the process chamber by controlling the amount and speed of the cure gas supplied into the process chamber can be adjusted by adjusting the distance between the gas supply slit on the gas supply wall and the gas discharge wall. It supplies gas, and it is effective to release the cure gas to the outside smoothly. By installing a gas barrier plate adjacent to the gas supply wall, it blocks the supply of the cure gas to the space between the magazine and the magazine. And improve the efficiency of the curing process by allowing the cure gas to be concentrated in the magazine direction.The waste gas collector is installed on the waste gas discharge hole to collect the waste gas generated during the cure process in the waste gas collector. It is possible to prevent the waste gas from being discharged to the gas discharge hole by the supply pressure of the cure gas.
또한, 매가진의 양측면부에 복수의 가스유통홀을 형성함으로써 큐어가스가 용이하게 매가진 내부로 유입되어 리드프레임에 대한 퍼지 및 큐어가 진행될 수 있도록 하고, 매가진에 적재된 리드프레임 사이에 리드프레임 차단판을 설치함으로써 매가진 하부에서 발생된 흄에 의해서 상부의 리드프레임이 오염되는 것을 방지할 수 있고, 매가진 상부면에 가이드홈을 형성하고 하부면에 가이드돌기를 형성함으로써 복수의 매가진을 용이하게 적층시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.In addition, by forming a plurality of gas distribution holes on both sides of the magazine, the cure gas is easily introduced into the magazine to purge and cure the lead frame, and leads between the lead frames loaded in the magazine By installing the frame blocking plate, it is possible to prevent the upper lead frame from being contaminated by the fume generated from the lower part of the magazine, and to form a plurality of magazines by forming guide grooves on the upper surface of the magazine and forming guide protrusions on the lower surface. There is an effect that can be easily laminated.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (7)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060718 Year of fee payment: 5 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |