KR100345008B1 - 페라이트 소결체의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 페라이트 소결체의 제조 방법은, 페라이트 원료에 B4C를 첨가하는 단계와, 상기 페라이트 원료를 소성하는 단계를 포함한다.
상기 페라이트 소결체는 높은 μi 및 높은 Q를 가지며, 특성 편차가 적고, 체적 저항율이 높으며, 또한 절연 저항의 저하를 방지할 수 있다.

Description

페라이트 소결체의 제조 방법{Method of Manufacturing Ferrite Sintered Body}
본 발명은 페라이트 소결체의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 적층 칩 인덕터 등의 인덕터용으로 적합한 페라이트 소결체의 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 여러가지 종류의 페라이트가 마그네틱 코어 재료 및 적층 칩 인덕터 등의 인덕터를 제조하는 재료로서 사용되어 왔다.
적층 칩 인덕터의 경우, 일반적으로 페라이트층과 전기전도성 재료 패턴을 순차로 적층하고, 적층되어 서로 연결된 전기전도성 재료 패턴으로 이루어지는 코일을 페라이트층 사이에 형성하여 적층체를 형성하였다. 그리고 적층체를 소결하여 소결체를 형성하였다. 또한, 외부 전극이 전기전도성 재료 패턴에 접속되도록 하여, 소결체상에 외부 전극을 형성함으로써, 소망의 제품을 제조하였다. 일반적으로, 적층 칩 인덕터를 형성하는 페라이트 재료로서, Ni-Cu-Zn계 페라이트 재료 및 Ni-Zn계 페라이트 재료가 사용되고 있다. 전기전도성 재료로서는 은이 실제로 사용되고 있는데, 이는 은이 큰 전기전도성을 갖기 때문이다.
전자 기기는 소형화, 고기능화 및 다기능화가 진행되고 있으며, 이 전자 기기를 형성하는데 사용하는 페라이트 부품은 소형화 및 더욱 고기능화가 요구되고 있다.
이러한 요구에 대응하기 위하여, 적층 칩 인덕터를 형성하는데 사용하는 인덕터 재료의 경우, 일반적으로 사용되는 방법은, 예를 들면 페라이트 원료에 유리를 첨가하는 것이며, 여러가지 기능을 향상시키기 위하여 다양한 시도가 행해지고 있다. 그러나, 현재로서는, μi(초기 투자율(initial magnetic permeability)) 및 Q(유전 손실 탄젠트 δ의 역) 등의 페라이트 특성을 충분히 향상시키기 어려운 실정이다.
따라서, 본 발명의 목적은 높은 μi 및 높은 Q를 가지며, 적층 칩 인덕터 등의 인덕터용으로 적합한 페라이트 소결체의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 페라이트 소결체의 제조 방법은, 페라이트 원료에 B4C를 첨가하고, 소성 처리하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 방법은 상기 페라이트 원료에 상기 B4C를 첨가하고, 상기 페라이트 원료에 Mn 또는 Mn화합물을 더 첨가하여, 소성 처리하는 것을 특징으로 한다.
게다가, 상기 방법은 상기 페라이트 원료에 상기 B4C를 약 10∼3000중량ppm의 양으로 첨가하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 방법은 상기 페라이트 원료에 첨가되는 Mn 또는 Mn화합물의 양이 Mn2O3로 환산하여 약 100∼5000중량ppm인 것을 특징으로 한다.
게다가, 상기 방법은 상기 페라이트 원료가 Ni, Cu 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2개의 원소를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 방법은 상기 페라이트 원료가 Fe2O3약 45.0∼50.0몰%, ZnO 0∼약 50.0몰%, CuO 0∼약 20.0몰% 및 나머지 NiO를 포함하는 조성을 갖는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 방법은 상기 페라이트 소결체가 인턱터용인 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 한 실시 형태에 의하여 제작된 그린 시트를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 그린 시트를 사용하여 제조된 인턱터 어레이의 외관을 나타낸 사시도이다.
(도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명)
1: 그린 시트
2∼5: 내부 도체
6: 소결체
7∼14: 외부 도체
15: 인덕터 어레이
본 발명을 도시하기 위하여, 도면에 있어서 몇가지 바람직한 형태를 나타내었으나, 본 발명은 도시된 구체적인 배열 및 수단에 한정되는 것은 아니라는 것을 알 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 상세히 설명하겠다.
본 발명은 페라이트 원료에 B4C를 첨가하고, 그리고 선택적으로, B4C에 더하여, 페라이트 원료에 Mn 또는 Mn화합물을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법이다.
페라이트 원료에 B4C를 첨가함으로써, 저온 소결성을 향상시킬 수가 있으며, 페라이트 소결체의 μi 및 Q를 증가시킬 수가 있다. B4C의 첨가량으로서는, 약 10∼3000중량ppm의 범위인 것이 바람직하다. B4C의 양이 약 10중량ppm미만인 경우에는, 저온에서 충분한 소결성을 얻는 것이 어렵다. 한편, 약 3000중량ppm을 넘으면, μi 및 Q를 증가시키기 어렵다.
또한, 페라이트 원료에 상기 B4C에 더하여 Mn 또는 Mn화합물을 첨가함으로써, 높은 μi 및 Q를 가지며, 체적 저항율이 높고, 또한 내부 전극의 마이그레이션에 기인하는 절연 저항의 저하를 방지할 수 있는, 적층 칩 인덕터 등의 인덕터용으로 적합한 페라이트 소결체가 얻어진다. 또한, Mn 또는 Mn화합물의 양은 Mn2O3로 환산하여 약 100∼5000중량ppm의 범위인 것이 바람직하다. Mn2O3로 환산한 양이 약100중량ppm미만 또는 약 5000ppm을 넘으면, 페라이트 소결체가 향상된 체적 저항율 및 내마이그레이션 특성을 갖기 어렵다.
B4C를 첨가하는 타이밍은 본 소성 처리 전의 어떠한 시점이어도 된다. 그렇지만, 첨가 성분의 증발에 기인한 조성 편차를 억제하기 위하여, 상기 첨가 조작은 페라이트의 소성 처리 후에 행하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 페라이트 원료의 조성은 한정되지 않는다. 실제 목적 및 소망의 용도에 따라서 여러가지 조성을 선택할 수가 있다. Fe2O3가 약 45.0∼50.0몰%(더욱 바람직하게는 약 48.0∼49.8몰%), ZnO가 0∼약 50.0몰%(더욱 바람직하게는 약 10.0∼34.0몰%), CuO가 0∼약 20.0몰%(더욱 바람직하게는 약 6.0∼15.0몰%), NiO가 나머지인 것이 바람직하다. 게다가, 페라이트 소결체가 적층 칩 인덕터용으로 의도된 경우, 상기 조성내에서 페라이트 원료로서 Ni-Cu-Zn계 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 범위내의 조성으로 함으로써, 내부 도체로서 은(Ag)을 사용하고, 850∼920℃에서 소성 처리를 행하는 경우, 양호한 소결성이 얻어지며, 따라서 높은 μi 및 높은 Q를 갖는 적층 칩 인덕터를 얻을 수가 있다.
(실시예)
이하에 몇가지 실시예를 나타내며 더욱 상세히 설명하겠다.
(실시예 1)
먼저, 페라이트 원료로서 Fe2O3, ZnO, CuO 및 NiO의 분말을 준비하였다. 그 후, Fe2O3가 48.7몰%, ZnO가 26.9몰%, CuO가 10.5몰%, 나머지가 NiO가 되도록, 각원료를 칭량하였다. 그리고, 다음의 표 1에 나타낸 바와 같이, B4C분말을 0∼5000중량ppm의 양으로 첨가하고, 볼 밀에서 습식 혼합 처리를 행하고, 건조 처리한 후, 700℃에서 하소 처리를 하였다. 그 후, 하소 처리된 원료를 볼 밀에서 습식 분쇄하였다. 그리고, 바인더를 첨가하여 슬러리를 형성하고, 독터 블레이드법을 사용한 처리를 행함으로써, 그린 시트를 제조하였다.
얻어진 그린 시트를 서로 적층하여 압착하고, 외부 직경 20㎜, 내부 직경 10㎜ 및 두께 2㎜을 갖는 토로이달(toroidal) 링으로 절단하였다. 그 후, 870℃에서 2시간 소성 처리를 행하여, 페라이트 소결체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 페라이트 소결체의 μi 및 Q를 측정하기 위하여, 임피던스 애널라이저를 사용하여 주파수 100kHz하에서 측정을 행하였다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1 및 모든 다른 표에 있어서, *를 붙인 시료 번호는 본 발명의 범위에 포함되지 않는 것이다.
시료 번호 B4C의 첨가량
(중량ppm)		 μi Q
*1 0 390 72
2 5 402 76
3 10 450 80
4 100 491 90
5 200 624 95
6 500 826 90
7 1000 882 83
8 3000 450 80
9 5000 170 72
표 1로부터 확실하게 알 수 있는 바와 같이, 페라이트 원료에 B4C를 첨가함으로써, 특히 시료 번호 3 내지 8에 나타낸 바와 같이 B4C의 첨가량을10∼3000중량ppm의 범위내로 조정함으로써, μi가 450이상이고, Q가 80이상인 양호한 페라이트 특성을 얻을 수가 있다.
(실시예 2)
먼저, 페라이트 원료로서 Fe2O3, ZnO, CuO 및 NiO의 분말을 준비하였다. 그 후, Fe2O3가 48.7몰%, ZnO가 26.9몰%, CuO가 10.5몰%, 나머지가 NiO가 되도록, 각 원료를 칭량하였다. 그리고, 볼 밀에서 습식 혼합 처리를 행하고, 건조 처리한 후, 700℃에서 하소 처리를 하였다. 그 후, 다음의 표 2에 나타낸 바와 같이, 하소 처리된 원료에 B4C분말을 0∼5000중량ppm의 양으로 첨가하고, 얻어진 혼합물을 볼 밀에서 습식 분쇄하였다. 그 후, 바인더를 첨가하여 슬러리를 형성하고, 독터 블레이드법을 사용한 처리를 행함으로써, 그린 시트를 제조하였다.
얻어진 그린 시트를 서로 적층하여 압착하고, 외부 직경 20㎜, 내부 직경 10㎜ 및 두께 2㎜을 갖는 토로이달 링으로 절단하였다. 그 후, 870℃에서 2시간 소성 처리를 행하여, 페라이트 소결체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 페라이트 소결체의 μi 및 Q를 측정하기 위하여, 임피던스 애널라이저를 사용하여 주파수 100kHz하에서 측정을 행하였다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
시료 번호 B4C의 첨가량
(중량ppm)		 μi Q
*11 0 390 72
12 5 407 79
13 10 455 82
14 100 563 93
15 200 698 101
16 500 894 95
17 1000 933 87
18 3000 455 82
19 5000 250 74
표 2로부터 확실하게 알 수 있는 바와 같이, 시료 번호 13 내지 18에 나타낸 바와 같이 B4C의 첨가량을 10∼3000중량ppm의 범위내로 조정함으로써, μi가 455이상이고, Q가 82이상인 양호한 페라이트 특성을 얻을 수가 있다.
(실시예 3)
먼저, 페라이트 원료로서 Fe2O3, ZnO, CuO 및 NiO의 분말을 준비하였다. 그 후, Fe2O3가 48.7몰%, ZnO가 26.9몰%, CuO가 10.5몰%, 나머지가 NiO가 되도록, 각 원료를 칭량하였다. 그리고, 볼 밀에서 습식 혼합 처리를 행하고, 건조 처리한 후, 700℃에서 하소 처리를 하였다. 하소 처리된 원료를 볼 밀에서 습식 분쇄하였다. 그 후, 다음의 표 3에 나타낸 바와 같이, B4C분말을 0∼5000ppm의 양으로 첨가하고, 볼 밀에서 다시 습식 혼합하였다. 그리고, 바인더를 첨가하여, 슬러리를 형성하고, 독터 블레이드법을 사용한 처리를 행하여, 그린 시트를 제조하였다.
얻어진 그린 시트를 서로 적층하여 압착하고, 외부 직경 20㎜, 내부 직경 10㎜ 및 두께 2㎜을 갖는 토로이달 링으로 절단하였다. 그 후, 870℃에서 2시간 소성처리를 행하여, 페라이트 소결체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 페라이트 소결체의 μi 및 Q를 측정하기 위하여, 임피던스 애널라이저를 사용하여 주파수 100kHz하에서 측정을 행하였다. 측정 결과를 표 3에 나타낸다.
시료 번호 B4C의 첨가량
(중량ppm)		 μi Q
*21 0 380 72
22 5 410 79
23 10 452 82
24 100 540 92
25 200 680 98
26 500 885 94
27 1000 920 84
28 3000 453 81
29 5000 240 73
표 3으로부터 확실하게 알 수 있는 바와 같이, 시료 번호 23 내지 28에 나타낸 바와 같이 B4C의 첨가량을 10∼3000중량ppm의 범위내로 조정함으로써, μi가 452이상이고, Q가 81이상인 양호한 페라이트 특성을 얻을 수가 있다.
상기 실시예 1 내지 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, Ni-Cu-Zn계 페라이트에 B4C를 10∼3000중량ppm의 양으로 첨가하고, 또한 870℃에서 소성 처리를 행함으로써, μi가 450이상이고, Q가 80이상이며, 인덕터용으로서 적합한 페라이트 소결체가 얻어진다.
(실시예 4)
먼저, 페라이트 원료로서 Fe2O3, ZnO, CuO 및 NiO의 분말을 준비하였다. 그후, Fe2O3가 48.7몰%, ZnO가 26.9몰%, CuO가 10.5몰%, 나머지가 NiO가 되도록, 각 원료를 칭량하였다. 그리고, 다음의 표 4에 나타낸 바와 같이, B4C분말을 200∼1000중량ppm의 양으로 첨가하고, Mn2O3, Mn금속 또는 Mn(CH3COO)2를 Mn2O3로 환산하여 0∼7000중량ppm의 범위로 더 첨가하였다. 그리고, 볼 밀에서 습식 혼합 처리를 행하고, 건조 처리를 한 후, 700℃에서 하소 처리를 행하였다. 그 후, 하소 처리된 원료를 볼 밀에서 습식 분쇄하였다. 그 후, 바인더를 첨가하여, 슬러리를 형성하고, 독터 블레이드법을 사용한 처리를 행하여, 그린 시트를 제조하였다.
얻어진 그린 시트를 서로 적층하여 압착하고, 외부 직경 20㎜, 내부 직경 10㎜ 및 두께 2㎜을 갖는 토로이달 링으로 절단하였다. 그 후, 870℃에서 2시간 소성 처리를 행하여, 페라이트 소결체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 페라이트 소결체의 μi 및 Q를 측정하기 위하여, 임피던스 애널라이저를 사용하여 주파수 100kHz하에서 측정을 행하였다. 측정 결과를 표 4에 나타낸다.
시료
번호		 B4C의 첨가량
(중량ppm)		 첨가제 Mn2O3으로 환산한 경우의 양
(중량ppm)		 μi Q
31 200 Mn2O3 0 624 95
32 200 Mn2O3 100 705 92
33 200 Mn2O3 2000 710 106
34 500 Mn(CH3COO)2 2000 916 98
35 500 Mn2O3 7000 490 68
36 1000 Mn2O3 0 882 83
37 1000 Mn 500 935 93
38 1000 Mn2O3 2000 972 98
39 1000 Mn2O3 5000 920 92
40 1000 Mn(CH3COO)2 7000 510 79
표 4로부터 확실하게 알 수 있는 바와 같이, B4C에 더하여 Mn 또는 Mn화합물을 첨가함으로써, 또한 시료 번호 32 내지 34 및 시료 번호 37 내지 39에 나타낸 바와 같이, 첨가량을 Mn2O3로 환산하여 100∼5000중량ppm의 범위내로 조정함으로써, μi가 705이상이고, Q가 92이상인 양호한 페라이트 특성을 얻을 수가 있다.
(실시예 5)
먼저, 페라이트 원료로서 Fe2O3, ZnO, CuO 및 NiO의 분말을 준비하였다. 그 후, Fe2O3가 48.7몰%, ZnO가 26.9몰%, CuO가 10.5몰%, 나머지가 NiO가 되도록, 각 원료를 칭량하였다. 그리고, 다음의 표 5에 나타낸 바와 같이, B4C분말을 1000중량ppm의 양으로 첨가하고, Mn2O3를 0∼7000중량ppm의 양으로 더 첨가하였다. 그리고, 볼 밀에서 습식 혼합 처리를 행하고, 건조 처리를 한 후, 700℃에서 하소 처리를 행하였다. 그 후, 하소 처리된 원료를 볼 밀에서 습식 분쇄하였다. 그 후, 바인더를 첨가하여, 슬러리를 형성하고, 독터 블레이드법을 사용한 처리를 행하여,그린 시트를 제조하였다.
얻어진 그린 시트를 서로 적층하여 압착하고, 외부 직경 20㎜, 내부 직경 10㎜ 및 두께 2㎜을 갖는 토로이달 링으로 절단하였다. 그 후, 870℃에서 2시간 소성 처리를 행하여, 페라이트 소결체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 페라이트 소결체의 체적 저항율 log ρ(Ω·㎝)를 측정하기 위하여 측정을 행하고, 측정 결과를 표 5에 나타낸다.
시료 번호 B4C의 첨가량
(중량ppm)		 Mn2O3의 첨가량
(중량ppm)		 체적 저항율 log ρ
(Ω·㎝)
41 1000 0 7.8
42 1000 50 7.8
43 1000 100 8.3
44 1000 200 9.8
45 1000 500 10.8
46 1000 1000 11.3
47 1000 2000 11.4
48 1000 5000 8.6
49 1000 7000 7.4
표 5로부터 확실하게 알 수 있는 바와 같이, B4C에 더하여 Mn2O3를 첨가함으로써, 또한 시료 번호 43 내지 48에 나타낸 바와 같이, Mn2O3의 첨가량을 100∼5000중량ppm의 범위내로 조정함으로써, 페라이트 소결체의 체적 저항율을 향상시킬 수가 있다.
(실시예 6)
먼저, 페라이트 원료로서 Fe2O3, ZnO, CuO 및 NiO의 분말을 준비하였다. 그 후, Fe2O3가 48.7몰%, ZnO가 26.9몰%, CuO가 10.5몰%, 나머지가 NiO가 되도록, 각원료를 칭량하였다. 그리고, 다음의 표 6에 나타낸 바와 같이, B4C분말을 1000중량ppm의 양으로 첨가하고, Mn2O3를 0∼7000중량ppm의 양으로 더 첨가하였다. 그리고, 볼 밀에서 습식 혼합 처리를 행하고, 건조 처리를 한 후, 700℃에서 하소 처리를 행하였다. 그 후, 하소 처리된 원료를 볼 밀에서 습식 분쇄하였다. 그 후, 바인더를 첨가하여, 슬러리를 형성하고, 독터 블레이드법을 사용한 처리를 행하여, 그린 시트를 제조하였다.
이어서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 얻어진 그린 시트(1)중의 하나에 Ag페이스트를 도포하고, 인덕터 어레이 패턴을 구성하는 내부 도체(2, 3, 4, 5)를 인쇄에 의하여 형성하였다. 그 후, 내부 도체를 형성한 그린 시트의 상면 및 하면에, 내부 도체가 인쇄되지 않은 복수의 그린 시트를 적층하고, 압착 처리하여, 적층체를 얻었다. 그리고, 870℃에서 2시간동안 소성 처리를 행하였다.
다음으로, 도 2에 나타낸 바와 같이, 소결체(6)의 외면에 있어서, 내부 도체(2∼5)(도 1 참조)가 노출되어 있는 부분에 Ag페이스트를 도포하고, 대기중에서 800℃에서 30분간 소성 처리를 행함으로써, 외부 도체(7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14)를 형성하였다.
상기의 방법으로 얻어진 인덕터 어레이(15)(칩 사이즈:3.2L×1.6W×1.0T㎜)에 대하여 내습 부하 시험을 행하였다. 그 결과를 표 6에 나타낸다.
내습 부하 시험은 온도 85℃, 상대 습도 85%의 조건하에서, 외부 도체(7) 및 (8), 외부 도체(9) 및 (10), 외부 도체(11) 및 (12), 외부 도체(13) 및 (14) 사이에, 50V의 DC전압을 2000시간 연속하여 인가함으로써 행하였다. 그리고, 시험의 도중에, 외부 도체(7) 및 (8), 외부 도체(9) 및 (10), 외부 도체(11) 및 (12), 외부 도체(13) 및 (14) 사이에 50V의 전압을 인가하여, 절연 저항을 측정함으로써, 페라이트 소결체의 저항치의 변화를 구하였다.
시료
번호		 B4C의 첨가량
(중량ppm)		 Mn2O3의
첨가량
(중량ppm)		 절연 저항치(×109Ω)
초기
(0시간)		 100
시간		 500
시간		 1000
시간		 2000
시간
51 1000 0 66 60 4.2 0.21 0.01
52 1000 100 40 38 39 35 38
53 1000 1000 42000 39000 45000 44000 40000
54 1000 5000 83 83 83 83 83
55 1000 7000 33 29 35 0.13 0.0033
표 6으로부터 확실하게 알 수 있는 바와 같이, 상기 B4C에 더하여 Mn2O3를 첨가함으로써, 또한 시료 번호 52 내지 54에 나타낸 바와 같이, Mn2O3의 첨가량을 100∼5000중량ppm의 범위내로 조정함으로써, 내습 부하 시험에서 페라이트 소결체의 절연 저항의 저하를 방지할 수 있으며, 페라이트 소결체로의 Ag도체의 마이그레이션을 억제할 수 있어서 우수한 신뢰성을 확보할 수 있는 인덕터를 얻을 수가 있다.
상기 각 실시예에 있어서는, 페라이트 원료가, Fe2O3가 48.7몰%, ZnO가 26.9몰%, CuO가 10.5몰%, 나머지가 NiO인 조성을 갖는 것에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상기 조성에 한정되는 것은 아니다. 실제로, Ni-Cu-Zn계 페라이트가 다른 조성을 갖는 것도 가능하다. 예를 들면, 상기 페라이트는 Ni-Zn등의 Ni, Cu, Zn중의 적어도 2종의 원소를 포함할 수가 있으며, 이렇게 하더라도, 상기와 동일한 효과, 즉 높은 μi 및 높은 Q를 얻을 수가 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 개시하였으나, 특허청구의 범위내에서 여러가지 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 설정된 것 이외에는 한정되지 않는다는 것을 알 것이다.
이상의 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 페라이트 원료에 B4C를 첨가하여 소성 처리를 함으로써, 높은 μi 및 높은 Q를 갖는 페라이트 소결체를 얻을 수가 있다.
특히, Ni-Cu-Zn계 페라이트를 사용하고, 870℃의 온도에서 소성하면, μi가 450이상, Q가 80이상인 인덕터로서 사용하기에 바람직한 페라이트 소결체를 얻을 수가 있다.
또한, 페라이트 원료에 B4C에 더하여 Mn 또는 Mn화합물을 첨가함으로써, 더욱 높은 μi 및 Q를 가지며, 체적 저항율이 높고, 또한 내부 전극의 마이그레이션에 기인한 절연 저항의 저하를 방지할 수 있는, 적층 칩 인덕터 등의 인덕터용으로 바람직한 페라이트 소결체가 얻어진다.

Claims (20)

  1. 페리자성(ferrimagnetism)을 나타내는 페라이트 소결체의 제조방법에 있어서,
    페라이트 원료와 B4C를 화합하는 단계; 및
    상기B 4 C와 화합된페라이트 원료를 소성하는 단계;
    를 포함하되, 상기 B 4 C의 양은 상기 페라이트 원료에 대하여 약 10∼3000 중량ppm인것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 소성 단계전에 상기 페라이트 원료와 Mn 또는 Mn화합물을 화합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제 3항에 있어서, 상기 Mn 또는 Mn화합물은 상기 페라이트 원료에 대하여 Mn2O3로 환산하여 약 100∼5000중량ppm인 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 페라이트 원료는 Ni, Cu 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2개의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 페라이트 원료는 Fe2O3약 45.0∼50.0몰%, ZnO 0∼약 50.0몰%, CuO 0∼약 20.0몰% 및 나머지 NiO를 포함하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 페라이트 원료는 Fe2O3약 48∼49.8몰%, ZnO 약 10∼34몰%, CuO 약 6∼15몰% 및 나머지 NiO를 포함하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  8. 제 1항에 있어서, B4C는 상기 페라이트 원료에 대하여 약 10∼3000중량ppm인 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 페라이트 원료는 Fe2O3약 45.0∼50.0몰%, ZnO 0∼약 50.0몰%, CuO 0∼약 20.0몰% 및 나머지 NiO를 포함하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 페라이트 원료는 Fe2O3약 48∼49.8몰%, ZnO 약10∼34몰%, CuO 약 6∼15몰% 및 나머지 NiO를 포함하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 페라이트 원료는 Ni, Cu 및 Zn으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2개의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  12. 제 1항에 있어서, 페라이트 원료와 B4C를 화합하는 단계는 상기 페라이트 원료를 소성하는 단계전에 행해지는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 페라이트 원료를 소성하는 단계는, 페라이트 원료와 B4C를 화합하는 단계 전에 행해지는 것을 특징으로 하는 페라이트 소결체의 제조 방법.
  14. 페라이트 소결체를 준비하는 단계와, 상기 페라이트 소결체와 전기전도성 성분을 화합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조 방법으로서,
    청구항 13에 따른 페라이트 소결체를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조 방법.
  15. 페라이트 소결체를 준비하는 단계와, 상기 페라이트 소결체와 전기전도성 성분을 화합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조 방법으로서,
    청구항 12에 따른 페라이트 소결체를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조 방법.
  16. 페라이트 소결체를 준비하는 단계와, 상기 페라이트 소결체와 전기전도성 성분을 화합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조 방법으로서,
    청구항 11에 따른 페라이트 소결체를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조 방법.
  17. 페라이트 소결체를 준비하는 단계와, 상기 페라이트 소결체와 전기전도성 성분을 화합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조 방법으로서,
    청구항 9에 따른 페라이트 소결체를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조 방법.
  18. 페라이트 소결체를 준비하는 단계와, 상기 페라이트 소결체와 전기전도성 성분을 화합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조 방법으로서,
    청구항 8에 따른 페라이트 소결체를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조 방법.
  19. 페라이트 소결체를 준비하는 단계와, 상기 페라이트 소결체와 전기전도성 성분을 화합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조 방법으로서,
    청구항 2에 따른 페라이트 소결체를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조 방법.
  20. 페라이트 소결체를 준비하는 단계와, 상기 페라이트 소결체와 전기전도성 성분을 화합하는 단계를 포함하는 인덕터의 제조 방법으로서,
    청구항 1에 따른 페라이트 소결체를 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조 방법.
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