KR100336575B1 - 반도체 패키지의 솔더 볼과 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 솔더 볼과 그의 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 구형의 솔더 내부에 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머-코어가 균일하게 분포된다. 각 폴리머-코어에는 구리 또는 니켈 재질의 금속막이 도금되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 구형의 솔더에 다른 솔더가 도금되는 것이 더욱 바람직한데, 다만 구형의 솔더 볼이 원래 크기로 유지되도록 하기 위해서, 외부 솔더의 녹는점이 내부 솔더 볼의 녹는점보다는 낮아야 하는 전제 조건이 따른다.

Description

반도체 패키지의 솔더 볼과 그의 제조 방법{SOLDER BALL OF SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 반도체 패키지의 솔더 볼 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 반도체 패키지의 외부 접속 단자인 솔더 볼과 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지는 경박단소화 요구에 부응하여 계속해서 발전되어서, 현재는 칩 스캐일 패키지와 웨이퍼 레벨 패키지가 주류를 이루고 있다. 칩 스캐일 패키지는 그의 전체 크기에 대해 반도체 칩이 점유하는 크기 비율이 80% 이상으로 구현되는 패키지이다. 웨이퍼 레벨 패키지는 각종 패키징 공정을 웨이퍼 레벨에서 일괄적으로 실시한 후 개개의 반도체 칩으로 절단하여 완성되는 패키지이다.
그리고, 상기된 유형의 패키지들 뿐만 아니라 최근의 대부분 패키지들은 외부 접속 단자, 즉 패키지가 실장되는 보드와의 전기적 접속 단자로서 솔더 볼을 갖고 있다. 런데, 도 1에 도시된 칩 스캐일 패키지는 전술된 잇점 외에도 여러 가지 잇점을 갖고 있다. 그러나, 솔더 볼을 외부 접속 단자로 사용하는 모든 패키지가 안고 있는 근본적인 문제는 여전히 해결하고 있지 못하고 있는 상태이다.
근본적인 문제란 솔더 볼의 접합 강도이다. 보다 구체적으로 설명하면, 솔더 볼은 보드에 실장되어서, 패키지와 보드 사이에서 신호 전달 역할을 하게 된다. 따라서, 솔더 볼은 패키지와 보드간에 2개의 계면을 갖게 되는데, 이 계면들에서 크랙이 발생되므로써, 솔더 볼의 접합 강도가 취약해지는 것이 바로 근본적인 문제이다. 이러한 문제는 패키지 개발사들이 공통적으로 안고 있으면서 근본적으로는 해결하지 못하고 있는 상태이다.
솔더 볼의 계면들에서 크랙이 발생되는 원인을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 솔더 볼이 보드에 실장되어서, 반도체 칩과 보드는 전기적으로 접속된다. 따라서, 반도체 칩이 구동되면, 그의 전기 신호가 리드 프레임과 솔더 볼을 통해서 보드로 전달되거나 또는 그 반대로 전달되므로써, 신호 전달이 이루어지게 된다. 이러한 반도체 칩 구동중에는 고온의 열이 자연적으로 발생하게 되므로, 이 열에 의해서 보드와 봉지제가 팽창하게 되고, 열이 제거되면 다시 수축하게 된다. 즉, 보드와 봉지제는 팽창과 수축 작용을 반복하게 되는데, 이러한 신축 동작시에 솔더 볼의 계면에 크랙이 발생된다.
봉지제의 열팽창계수보다 보드의 열팽창계수가 크다는 것은 주지된 사실이다. 그러므로, 수직선을 중심으로 솔더 볼의 하단이 좌측과 우측 각각으로 치우치게 되는 결과가 초래된다. 솔더 볼이 상기와 같이 좌우로 치우치게 되는 현상이 반복되면, 당연히 솔더 볼의 계면에서 크랙이 발생되어, 이러한 상태로 일정 시간이 경과하게 되면 전기 신호 경로가 오픈되는 사태가 초래된다.
솔더 볼은 상기된 문제가 있기 때문에, 이러한 문제를 극복하기 위해 최근에 다른 형태의 솔더 볼이 제시되었고, 도 1에 최근 솔더 볼이 단면도로 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 구형의 폴리머-코어(polymer-core) 주위에 솔더막이 형성되어서, 하나의 구형을 이루고 있다. 내부에 배치된 폴리머-코어가 솔더 볼에 가해지는 응력을 완화시키는 역할을 하고, 전기 신호 전달은 솔더막에 의해서 이루어지도록 되어 있다.
이러한 구조의 솔더 볼은 단순히 솔더로만 되어 있는 기존의 솔더 볼보다는 폴리머-코어에 의해서 응력 완충이라는 효과가 발휘되어, 솔더 볼의 접합 강도를 기존보다 대략 3배 정도 향상되는 잇점이 있다.
그러나, 폴리머-코어를 갖는 종래의 솔더 볼은 상기된 바와 같은 큰 잇점이 있지만, 그의 제조 방법에서는 상당한 문제점이 있는데, 그 문제점이란 바로 폴리머-코어를 형성하는데 소요되는 시간이다. 구체적으로 설명하면, 매우 작은 크기의 폴리머를 원하는 솔더 볼 크기로 성장시키는데 거의 2달이라는 긴 시간이 소요된다는 것이다. 이러한 시간상의 제약으로 인해, 우수한 잇점이 발휘되는 폴러미-코어를 갖는 솔더 볼을 실제의 패키지 양산에 적용할 수가 없었다.
또한, 폴리머-코어를 원하는 크기로 성장한 후에, 솔더를 그의 주위 전체에 형성해야 하는데, 이 형성 방법은 오직 전해 도금법만이 가능하다는 제한이 따랐다.
따라서, 본 발명은 종래의 솔더 볼이 안고 있는 제반 문제점들을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 제조 시간을 기존보다 대폭 단축시킬 수가 있으면서 전해 도금법 뿐만이 아니라 다른 방법으로도 솔더 형성이 가능한 반도체 패키지의 솔더 볼 및 그의 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
도 1은 종래의 솔더 볼 내부 구조를 나타낸 단면도.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 실시예 1에 따른 솔더 볼 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예 2에 따른 솔더 볼 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면.
도 11 및 도 12는 본 발명의 실시예 3에 따른 솔더 볼 형성 방법을 순차적으로 나타낸 도면.
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
10 ; 폴리머 20 ; 금속막
30 ; 내부 솔더 31,32 ; 솔더막
33 ; 솔더 미립자 50 ; 플럭스
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 솔더 볼은 다음과 같은 구성으로 이루어진다.
구형의 솔더 내부에 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머-코어가 균일하게 분포된다. 각 폴리머-코어에는 구리 또는 니켈 재질의 금속막이 도금되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 구형의 솔더에 다른 솔더가 도금되는 것이 더욱 바람직한데,다만 구형의 솔더 볼이 원래 크기로 유지되도록 하기 위해서, 외부 솔더의 녹는점이 내부 솔더 볼의 녹는점보다는 낮아야 하는 전제 조건이 따른다.
이러한 구조를 갖는 솔더 볼을 제조하는 방법에는 다음의 3가지가 있다.
먼저, 첫 번째로, 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머에 구리 또는 니켈 재질의 금속막을 도금한다. 이어서, 각 폴리머를 솔더가 저장된 용탕에 혼합한 후, 이를 경화시켜 강체로 만든다. 그런 다음, 강체를 소정 크기로 절단한 후, 개개에 대해서 리플로우 공정을 실시하여 구형으로 형성한다. 강체 절단에는 롤링과 펀칭, 와이어-커팅 또는 압전소자를 이용한 방법 등이 이용될 수 있다. 한편, 폴리머를 솔더가 저장된 용탕에 혼합한 후, 폴리머를 솔더내에 균일하게 분포시키기 위해서, 용탕의 양측으로부터 자기장을 형성시켜서, 이 자기장의 방향을 따라 폴리머를 솔더내에 균일하게 분포시킬 수도 있다.
또는, 완성된 솔더 볼에 내부 솔더보다 녹는점이 낮은 다른 솔더막을 도금할 수도 있다. 이는, 외부 솔더막만이 리플로우 공정시의 온도에서 용융되고 반면에 내부 솔더는 원래 크기로 유지시켜서, 최종적인 솔더 볼 각각을 균일한 크기로 유지시키기 위함이다.
두 번째로, 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머 각각에 금속막을 도금한다. 각 금속막에 솔더막을 형성한 후, 이를 레진 계열의 플럭스에 혼합하여 페이스트로 형성한다. 이때, 레진 계열의 플럭스가 휘발되는 것을 억제하고 또한 반응 촉진을 위해 첨가제를 페이스트에 첨가시킬 수도 있다. 페이스트의 일정 부분을 반도체 패키지의 볼 랜드에 올려놓고 리플로우 공정을 실시하면, 플럭스는 휘발되어 제거되고, 각각의 솔더들이 용융되면서 서로 접합되면서 하나의 구형으로 형성된다. 이러한 구형의 솔더 내부에는 금속막이 도금된 폴리머가 균일하게 분포된 상태이다.
세 번째로, 금속막이 도금된 폴리머를 바로 솔더 미립자와 플럭스 및 첨가제와 혼합하여 페이스트를 형성한다. 페이스트 내부에는 폴리머와 솔더 미립자가 분산된 상태이다. 이러한 페이스트 일부에 대해 전술된 바와 같은 리플로우 공정을 실시하면, 플럭스는 휘발되어 제거되고, 솔더 미립자와 금속막이 용융되면서 서로 접합을 이루게 된다.
상기된 본 발명의 구성에 의하면, 솔더 내부에 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머가 균일하게 분포되므로써, 폴리머를 원하는 크기로 성장시킬 필요가 없어지게 된다. 그러므로, 솔더 볼 형성 시간이 대폭 단축되는 크나큰 잇점이 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 설명한다.
[실시예 1]
도 2 내지 도 8은 본 발명의 실시예 1에 따른 솔더 볼 제조 방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 도 2에 도시된 미소 크기의 폴리머(10) 복수개를 준비한다. 폴리머(10)는 대략 1 내지 5㎛ 정도의 직경을 갖는다. 종래에는 이러한 크기의 폴리머(10)를 20 내지 70㎛ 정도의 직경까지 성장시켰기 때문에, 2달 정도의 기간이나 소요되었다. 그러나, 본 발명에서는 상기된 성장 공정이 완전 배제된다.
이어서, 각 폴리머(10)에 대해서 무전해 도금 처리를 실시하여, 도 3과 같이 폴리머(10) 외면 전체를 금속막(20)으로 도금한다. 금속막(20)의 재질로는 구리나니켈 등을 사용할 수 있다.
그런 다음, 도 4와 같이 복수개의 폴리머(10)를 액상의 솔더(30)가 저장된 용탕(50)에 반입시켜서, 폴리머(10)와 솔더(30)를 혼합한다. 이때, 중요한 사항은 폴리머(10)가 솔더(30)내에 균일하게 분포되어야 한다는 것이다. 이를 위해서, 용탕(50)의 양측에 양전극(40)과 음전극(41)을 배치하여, 용탕(50) 내부에 자기장을 형성시킨다. 그러면, 점선으로 도시된 바와 같은 자력선이 용탕(50) 내부에 형성되므로, 이 자력선 방향을 따라 복수개의 폴리머(10)들이 솔더(30) 내부에 균일하게 분포되어진다. 물론, 자기장을 이용하는 이러한 방법은 폴리머(10)들을 솔더(30) 내부에 보다 균일하게 분포시키기 위한 보조적 수단이므로, 반드시 이러한 방법을 실시할 필요는 없고 선택적인 사항이다.
계속해서, 폴리머(10)들이 내장된 솔더(30)를 롤링 공정을 통해서 얇은 판재 형상으로 성형한 다음, 펀치 공정을 통해서 원하는 크기 정도로 절단한다. 롤링 공정과 펀치 공정 대신에, 와이어-커팅 공정이나 또는 압전소자를 이용한 방법 등이 사용될 수도 있다.
그런 다음, 개개의 솔더(30)를 반도체 패키지의 볼 랜드상에 올려놓고 리플로우 공정, 즉 적외선을 이용한 가열 공정을 실시하면, 솔더(30)가 구형으로 형성된다. 도 5는 이러한 공정을 통해서 구형으로 형성된 솔더 볼을 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 솔더(30) 내부에 금속막(20)이 도금된 복수개의 폴리머(10)들이 균일하게 분포된 구조를 나타내고 있다. 이러한 구조를 갖는 본 발명에 따른 솔더 볼은, 솔더(30) 내부에 균일하게 분포된 폴리머(10)들이 응력을 완화시키는기능을 충분히 발휘하게 되므로, 기존의 폴리머-코어형 솔더 볼이 갖는 잇점을 그대로 갖게 된다.
한편, 종래 기술에서 언급된 폴리머-코어를 갖는 종래의 솔더 볼이 갖는 또 하나의 장점은 그 내부의 폴리머-코어 덕분에 균일한 크기로 유지시킬 수 있다는 것이다. 그러나, 본 실시예 1에 따른 방법으로는 미소 크기의 폴리머(10)들이 솔더(30) 내부에 분포된 구조이므로, 상기된 잇점을 갖기가 곤란하다.
본 발명에서는 종래 기술에 따른 솔더 볼이 갖는 장점도 본 발명에 따른 솔더 볼도 갖도록 하기 위해서, 다음과 같은 공정을 추가로 실시한다. 먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 도 5에 도시된 솔더 볼에 다른 솔더막(31)을 도금한다. 특히, 외부의 솔더막(31)으로 내부 솔더(30)보다는 낮은 온도, 보다 구체적으로는 리플로우 공정 온도에서 용융되는 물성을 갖는 재질을 사용한다. 그 이유는, 상기된 리플로우 공정에서, 외부 솔더막(31)만이 용융되고 내부 솔더(30)는 원래의 구형 형상 그대로 유지되도록 하여, 솔더 볼을 리플로우 공정후에도 원래 크기대로 유지시키기 위함이다.
즉, 도 7과 같이, 외부 솔더막(31)을 갖는 솔더 볼을 패키지(P)에 올려놓고 리플로우 공정을 실시하면, 외부 솔더막(31)이 먼저 용융되고 반면에 내부 솔더(30)는 일부분만이 용융되면서, 내부 솔더(30)는 원래의 형상 그대로 유지된다. 마찬가지로, 도 8과 같이, 솔더 볼을 보드(B)에 실장하여 리플로우 공정을 진행하여도 상기된 결과와 동일하게 되므로써, 전체적으로 솔더 볼이 균일한 높이로 유지될 수가 있게 된다.
여기서, 내부 솔더(30)로는 습윤성이 낮은 재질을 사용하고, 반면에 외부 솔더막(31)으로는 낮은 습윤성 보완을 위해서 습윤성이 우수한 재질을 사용하는 것이 바람직하다. 한 예로, 내부 솔더(30)로는 Sn-Bi 계열을 사용하고, 외부 솔더막(31)으로는 Sn-Zn 계열을 사용할 수 있다. 특히, Sn-Bi 계열의 내부 솔더(30)의 녹는점은 기존 리플로우 공정 온도보다 낮으므로, 기존보다 낮은 온도, 대략 1,400℃ 정도에서 실시할 수 있다는 잇점이 있다.
[실시예 2]
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예 2에 따른 솔더 볼 제조 방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
먼저, 도 3까지는 실시예 1과 동일한 공정이 실시된다. 이어서, 금속막(20)이 도금된 폴리머(10)들을 솔더에 디핑(dipping)하거나 또는 도금법을 이용해서, 폴리머(10)에 솔더막(32)을 형성한다.
그런 다음, 이러한 복수개의 폴리머(10)들을 레진 계열의 플럭스(60)에 혼합하면, 도 10과 같이 플럭스(60)내에 폴리머(10)들이 균일하게 분포된 페이스트가 형성된다. 한편, 혼합시, 휘발성이 강한 플럭스(60)가 휘발되는 것을 억제함과 아울러 상기된 리플로우 공정시의 화학적 반응 촉진을 위해서, 첨가제를 첨가시키는 것이 바람직하다.
이와 같이 완성된 페이스트를 일정 크기씩 볼 랜드상에 올려놓고 전술된 리플로우 공정을 실시하면, 공정 온도에 의해서 레진 계열의 플럭스(60) 대부분은 휘발되어 제거된다. 그리고, 각 솔더막(32)이 용융되면서 서로 접합되어 전기적으로연결되면서 전체가 하나의 구형으로 형성된다. 즉, 최종적으로 완성된 본 실시예 2에 따른 솔더 볼의 구조도 실시예 1에 따른 방법으로 완성된 솔더 볼의 구조와 외부 솔더막(31)을 제외하고는 대동소이하다.
[실시예 3]
도 11 내지 도 12는 본 발명의 실시예 3에 따른 솔더 볼 제조 방법을 순차적으로 나타낸 도면이다.
실시예 2와 마찬가지로, 실시예 1의 도 3까지의 동일 공정이 실시된다. 이어서, 금속막(20)이 도금된 각 폴리머(10)를 솔더 미립자(33)와 함께 플럭스(60)에 혼합시킨다. 이때, 전술된 첨가제를 첨가하는 것이 바람직하다. 혼합되어 형성된 페이스트는 도 12에 도시된 바와 같이, 복수개의 폴리머(10)와 솔더 미립자(33)들이 플럭스(60) 내부에 균일하게 분포된 구조로 이루어진다.
이러한 페이스트 일부분을 볼 랜드상에 올려놓고 리플로우 공정을 실시한다. 그러면, 실시예 2와 마찬가지로 레진 계열의 플럭스(60) 대부분은 제거되고, 솔더 미립자(33)들이 용융되면서 각 폴리머(10) 사이로 진입하게 되어, 용융된 솔더가 각 폴리머(10)의 금속막(20)과 접합된다. 본 실시예 3에 따른 방법을 통해 결과적으로 완성된 솔더 볼도 실시예 2에 따른 방법으로 완성된 솔더 볼 구조와 대동소이하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머를 성장 공정을 거치지 않고 그대로 솔더 내부에 균일하게 분포시켜 솔더 볼을 형성하므로써, 폴리머 성장을 위한 장시간의 공정을 배제할 수 있다는 잇점이 있다.
또한, 종래에는 솔더를 폴리머-코어에 오직 도금법만을 이용해서 형성할 수 있었으나, 본 발명에서는 디핑 방식 등과 같은 다양한 방법등이 채용될 수 있다는 잇점도 있다.
이상에서는 본 발명에 의한 솔더 볼을 실시하기 위한 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (20)

  1. 솔더; 및
    상기 솔더 내부에 균일하게 분포된 미소 크기의 복수개 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼;
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 각 폴리머에 금속막이 도금된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 금속막의 재질은 구리 또는 니켈인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 솔더에 다른 솔더막이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 외부의 솔더막은 내부 솔더보다 녹는점이 낮은 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 외부의 솔더막이 갖는 습윤성은 내부 솔더의 습윤성보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 외부의 솔더막은 Sn-Zn 계열이고, 상기 내부 솔더는 Sn-Bi 계열인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 폴리머의 직경은 1 내지 5 ㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼.
  9. 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머를 액상의 솔더와 혼합하는 단계;
    상기 폴리머들이 혼합된 액상의 솔더를 응고시킨 후, 응고된 고상 솔더를 소정 크기로 절단하는 단계; 및
    상기 개개의 고상 솔더를 반도체 패키지의 볼 랜드상에 올려놓고 리플로우 공정을 실시하여 구형으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 혼합 단계전에
    상기 각 폴리머에 금속막을 도금하는 단계를 우선 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 금속막은 니켈 또는 구리인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 혼합 단계후,
    상기 솔더 내부에 자기장을 형성시켜서, 상기 자기장 방향을 따라 상기 금속막이 도금된 각 폴리머들이 솔더 내부에서 균일하게 분포되도록 하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  13. 제 10 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 고상 솔더 절단후,
    상기 고상 솔더에 다른 솔더막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 외부의 솔더막은 내부 솔더보다 녹는점이 낮은 재질인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 외부의 솔더막이 갖는 습윤성은 내부 솔더의 습윤성보다 높은 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 외부의 솔더막은 Sn-Zn 계열이고, 상기 내부 솔더는 Sn-Bi 계열인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  17. 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머에 금속막을 도금하는 단계;
    상기 금속막에 솔더막을 형성하는 단계;
    상기 각 폴리머를 레진 계열의 플럭스와 혼합하여 페이스트를 형성하는 단계; 및
    상기 페이스트의 일부분을 반도체 패키지의 볼 랜드상에 올려놓고 리플로우 공정을 실시하여, 상기 플럭스를 제거함과 아울러 각 솔더막과 금속막이 용융되어 접합되도록 하면서 전체를 구형으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 혼합 단계시, 상기 레진 계열의 플럭스의 휘발을 억제하고 또한 상기 리플로우 공정에서의 접합 반응을 촉진하는 첨가제를 첨가하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  19. 미소 크기를 갖는 복수개의 폴리머에 금속막을 도금하는 단계;
    상기 각 폴리머를 복수개의 솔더 미립자와 함께 레진 계열의 플럭스와 혼합하여 페이스트를 형성하는 단계; 및
    상기 페이스트의 일부분을 반도체 패키지의 볼 랜드상에 올려놓고 리플로우 공정을 실시하여, 상기 플럭스를 제거함과 아울러 각 솔더 미립자와 금속막이 용융되어 접합되도록 하면서 전체를 구형으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 혼합 단계시, 상기 레진 계열의 플럭스의 휘발을 억제하고 또한 상기 리플로우 공정에서의 접합 반응을 촉진하는 첨가제를 첨가하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 솔더 볼 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100695116B1 (ko) * 2004-12-27 2007-03-14 삼성전기주식회사 디바이스 패키지용 솔더
KR100800166B1 (ko) * 2007-02-14 2008-02-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지
KR100821097B1 (ko) * 2007-04-06 2008-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지용 입출력단자 및 이를 이용한 반도체 패키지제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100899778B1 (ko) 2007-11-27 2009-05-28 삼성전기주식회사 패키지 기판 및 그 제조방법
KR101211724B1 (ko) * 2009-04-30 2012-12-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법

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