KR100327094B1 - 비에스티 박막 제조용 바륨, 스트론튬 및 티타늄 전구체의 단일용액 - Google Patents
비에스티 박막 제조용 바륨, 스트론튬 및 티타늄 전구체의 단일용액 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100327094B1 KR100327094B1 KR1019990008306A KR19990008306A KR100327094B1 KR 100327094 B1 KR100327094 B1 KR 100327094B1 KR 1019990008306 A KR1019990008306 A KR 1019990008306A KR 19990008306 A KR19990008306 A KR 19990008306A KR 100327094 B1 KR100327094 B1 KR 100327094B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dpm
- tetraene
- precursors
- thin film
- opr
- Prior art date
Links
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 title claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000005672 tetraenes Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910015846 BaxSr1-xTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 2
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010669 acid-base reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/28—Titanium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 유기금속 화학증착(Organometallic Chemical Vapour Deposition: MOCVD)법에 의한 BST(BaxSr1-xTiO3, 이때, 0<x<1이다) 박막의 제조시 사용되는, 루이스 염기로 작용하는 아민계 또는 에스테르계 용매, 및 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2를 1 : 1 : 2∼3의 몰비(DPM: 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵타디온, 테트라엔: 테트라에틸렌펜트아민)로 포함하는 Ba, Sr 및 Ti 전구체의 단일 용액에 관한 것으로, 이를 화학증착시켜 BST 박막을 제조함으로써 BST 박막 조성의 재현을 가능하게 하고 3가지 전구체를 개별적으로 사용하는 경우에 드는 비용을 절감할 수 있다.
Description
본 발명은 BST 박막 제조용 Ba, Sr, Ti 전구체의 단일 용액에 관한 것으로, 구체적으로는 Ba, Sr 및 Ti의 전구체로서 각각 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2를 포함하고 용매로서 아민 또는 에스테르를 포함하는, Ba, Sr 및 Ti 전구체간의 반응이 억제된 단일 용액에 관한 것이다.
BST 박막을 제조하는 유기금속 화학증착법은 반도체 소자 공정중에서 커패시터(capacitor)를 구성하는 유전체 제조공정으로서, 유전체 제조공정은 스퍼터(sputter)를 이용하는 방법이 있으나 층덮힘 특성이 매우 나쁘기 때문에 새로운 대체 연구가 활발히 이루어지고 있는 실정이며, 유기금속 전구체를 이용하는 상기 유기금속 화학증착법이 현재 가장 유망한 공정이다.
이러한 유기금속 화학증착법에 있어서, 유기금속의 전구체는 대부분 고체상태로 존재하기 때문에 박막 조성의 재현 및 대량생산이 곤란하여, 현재는 이들 전구체를 용액상으로 제조하고 용액을 순간 증발법에 의해 기체로 전환시켜 박막을 제조하고 있다.
BST 박막의 증착과 관련하여, 종래 사용되던 Ti의 전구체 Ti(i-OPr)4는 Ti가 4+ 상태인데 기인하여 Ba의 전구체 및 Sr의 전구체와 혼합시 루이스 산-염기 반응을 일으켜 침전물을 생성하고 다른 화합물로 변하기 때문에, 각각의 전구체를 독립적으로 용액상으로 제조하여 유기금속 화학증착법에 사용하였다. 이와 같이 3가지 용액을 따로 제조하여 개별적으로 증착시키는 방법은 박막 조성의 조절을 어렵게 만들고 공정 비용의 증가를 유발하였다.
이에 본 발명자들은 예의 연구를 계속한 결과, Ba, Sr 및 Ti의 전구체로서 각각 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2를 사용하고 용매로서 아민 또는 에스테르를 사용함으로써 Ba, Sr 및 Ti 전구체간의 반응이 억제된 단일 용액을 제조할 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명의 목적은 Ba, Sr 및 Ti 전구체간의 반응이 억제된 BST 박막 제조용 단일 용액을 제공하는 것이다.
도 1은 Ba(DPM)2-테트라엔의 질량 스펙트럼(Mass Spectrum)이고,
도 2a 내지 2c는 각각 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2의 NMR 데이타이고, 도 2d는 부틸기 부분이 둥근 부분으로 강조된 Ba(DPM)2-테트라엔의 구조를 나타내며,
도 3은 Ba(DPM)2-테트라엔과 Sr(DPM)2-테트라엔의 혼합물의 NMR 데이타이고,
도 4는 본 발명에 따른 실시예 1에서 제조된 Ba(DPM)2-테트라엔과 Sr(DPM)2-테트라엔과 Ti(i-OPr)2(DPM)2의 혼합물의 NMR 데이타이고,
도 5는 실시예 1에서 제조된 용액을 이용하여 실시예 2에 따른 방법에 의해 증착시킨 박막의 각 온도별 조성비 및 증착 속도를 나타낸 그래프이고,
도 6은 실시예 2에 따른 방법에 의해 증착된 박막의 성분 원소 분석(Auger depth profile: 오제 깊이 프로파일) 결과를 나타낸 그래프이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 유기금속 화학증착법에 의한 BST 박막의 제조시 사용되는, 루이스 염기로 작용하는 아민계 또는 에스테르계 용매, 및 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2를 1 : 1 : 2∼3의 몰비로 포함하는 Ba, Sr, Ti 전구체의 단일 용액을 제공한다.
이하 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명에서 사용되는 Ba, Sr, Ti 전구체의 단일 용액에 있어서, Ti 전구체로서 종래 사용되던 Ti(i-OPr)4대신에 리간드의 부피가 큰 DPM을 결합시킨 Ti(i-OPr)2(DPM)2를 사용한다.
또한, Ba 및 Sr의 전구체로서 종래에는 테트라엔, 테트라글림 또는 디글림이 배위결합된 Ba(DPM)2및 Sr(DPM)2가 사용되었으나, 테트라엔은 200℃ 이상의 고온에서도 분리가 발생하지 않는 반면, 테트라글림 및 디글림은 가열시 분리가 발생함에 따라 비어있는 오비탈을 채우기 위해 Ba 및 Sr의 전구체가 서로 뭉쳐 공정상 사용이 어렵기 때문에, 본 발명에서는 Ba 및 Sr 전구체로서 테트라엔이 배위결합된 Ba(DPM)2와 Sr(DPM)2(각각 Ba(DPM)2-테트라엔과 Sr(DPM)2-테트라엔이라 함)를 사용한다. 도 1은 Ba(DPM)2-테트라엔의 질량 스펙트럼으로서, 510의 이온강도에 해당하는 피크는 Ba(DPM)-테트라엔 양이온의 피크이다.
또한, 용매로서 루이스 염기로 작용하는 아민계 또는 에스테르계 용매를 사용하여 Ba, Sr 및 Ti 전구체간의 반응을 억제하는데, 이때 사용되는 용매의 대표적인 예로는 피리딘, 피롤 및 부틸아세테이트를 들 수 있다.
본 발명에 따르면, 상기 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2를 1 : 1 : 2∼3의 몰비로 용매에 용해시킬 수 있으며, 1 : 1 : 2의 몰비가 가장 바람직하다. 특히, 상기 Ti(i-OPr)2(DPM)2는 Ba(DPM)2-테트라엔과 Sr(DPM)2-테트라엔보다 그 분해속도가 느려, 목적하는 조성의 BST 박막을 얻기 위하여는 Ba(DPM)2-테트라엔 및 Sr(DPM)2-테트라엔 각각에 대해 2 내지 3 배의 과량의 Ti(i-OPr)2(DPM)2가 필요하며, 2 배 미만의 양으로 사용될 경우 생성된 박막의 Ti 함량이 부족하여 누설 전류가 증가하고 이로 인해 막질이 떨어지며, 3 배를 초과하는 양으로 사용될 경우 불순물이 증가하고 유전상수가 저하되어 막질이 떨어진다.
본 발명에 따른 Ba, Sr 및 Ti 전구체간의 반응이 억제된 단일 용액을 사용하여 통상적인 화학증착법에 의해 박막 조성의 재현성이 우수한 BST 박막을 간편하게제조할 수 있다.
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의거하여 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 한정하지는 않는다.
실시예 1
Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2각각을 n-부틸아세테이트 용매에 녹여 Ba, Sr 및 Ti이 0.1, 0.1 및 0.2M이 되게 만들어 Ba, Sr 및 Ti 전구체의 혼합 용액을 제조하고, 이 혼합 용액의 NMR 분석을 실시하였다.
먼저, 도 2a 내지 2c는 각각 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2의 NMR 데이타로서, 도시된 화살표는 도 2d에서 둥근 부분, 즉 부틸기의 NMR 피크이며, 이 부분은 전구체끼리 반응하거나 테트라엔이 분리되는 경우 NMR 피크상에서 분산 또는 화학적 변화가 발생하는 부분이다.
따라서, 상기 실시예 1에서 제조된 혼합 용액의 NMR 데이타를 나타내는 도 4에서 화살표 표시부분에 아무런 변화도 관찰되지 않음에 따라, 본 발명에 따른 용액은 Ba, Sr 및 Ti 전구체간의 반응이 억제되어 3개의 전구체를 혼합하여도 각 전구체 간에 아무런 변화가 없음을 알 수 있다.
참고로, Ba(DPM)2-테트라엔과 Sr(DPM)2-테트라엔의 혼합물의 NMR 데이타를 나타내는 도 3으로부터도, 두 전구체끼리 반응하지 않았음을 관찰할 수 있다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 제조된 용액을 플래쉬 기화기(flash vaporizer)에서 기화시킨 후, 캐리어 가스로서 유속 100sccm의 아르곤을 사용하여 기화된 시료가 기판 위에 도달하게 하였다. 이때, 기화된 시료를 반응기 입구 부분에서 800sccm으로 유입되는 산소와 혼입시켰으며, 반응기 전체 압력을 1torr로 유지하였다. 기판으로는 이미 증착된 Si, SiO2, TaOx및 Pt 박막을 순차적으로 갖는 기판을 사용하였으며, 증착온도를 350, 400, 450, 500, 550 및 600℃로 변화시키면서 각각의 온도에서 상기 증착공정을 수행하였다.
도 5는 상기 실시예 2에 따른 방법에 의해 증착된 박막의 각 온도별 조성비 및 증착 속도를 나타낸 그래프이고, 도 6은 증착된 박막의 성분 원소 분석(Auger depth profile: 오제 깊이 프로파일) 결과를 나타낸 그래프로서, 본 발명에 따른 용액을 사용하여 BST 박막을 간편하게 제조할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명에 따른 Ba, Sr, Ti 전구체의 단일 용액을 화학증착시켜 BST 박막을 제조함으로써 BST 박막 조성의 재현을 가능하게 하고 3가지 전구체를 개별적으로 사용하는 경우에 드는 비용을 절감할 수 있다.
Claims (1)
- 유기금속 화학증착(Organometallic Chemical Vapour Deposition)법에 의한 BST(BaxSr1-xTiO3, 이때, 0<x<1이다) 박막의 제조시 사용되는, 피리딘, 피롤, 부틸아세테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매, 및 Ba(DPM)2-테트라엔, Sr(DPM)2-테트라엔 및 Ti(i-OPr)2(DPM)2를 1 : 1 : 2∼3의 몰비(DPM: 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵타디온, 테트라엔: 테트라에틸렌펜트아민)로 포함하는 것을 특징으로 하는, BST 박막 제조용 바륨, 스트로튬 및 티타늄 전구체의 단일용액.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19980008314 | 1998-03-12 | ||
| KR1019980008314 | 1998-03-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990077828A KR19990077828A (ko) | 1999-10-25 |
| KR100327094B1 true KR100327094B1 (ko) | 2002-03-06 |
Family
ID=37478366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990008306A KR100327094B1 (ko) | 1998-03-12 | 1999-03-12 | 비에스티 박막 제조용 바륨, 스트론튬 및 티타늄 전구체의 단일용액 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100327094B1 (ko) |
-
1999
- 1999-03-12 KR KR1019990008306A patent/KR100327094B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990077828A (ko) | 1999-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Vehkamäki et al. | Growth of SrTiO3 and BaTiO3 thin films by atomic layer deposition | |
| JP3723226B2 (ja) | 強誘電性メモリ装置において有用なビスマス含有セラミック薄膜を形成するための低温化学蒸着法 | |
| KR100385952B1 (ko) | 탄탈륨 산화막을 가진 반도체 커패시터 및 그의 제조방법 | |
| US20060246675A1 (en) | Methods of forming capacitor constructions comprising perovskite-type dielectric materials | |
| US20040185177A1 (en) | Chemical vapor deposition methods of forming barium strontium titanate comprising dielectric layers, including such layers having a varied concentration of barium and strontium within the layer | |
| JP2001355070A (ja) | 酸化物薄膜を製造する方法 | |
| KR102616877B1 (ko) | 기판 상에 w 함유 박막을 형성하는 방법 | |
| Wiemer et al. | Atomic layer deposition of rare-earth-based binary and ternary oxides for microelectronic applications | |
| US20150035119A1 (en) | Capacitors and methods with praseodymium oxide insulators | |
| JP2001521940A (ja) | ビスマス含有膜堆積用の無水単核トリス（β−ジケトネート）ビスマス組成物および該組成物の製造方法 | |
| KR100634532B1 (ko) | Ｔｉ 전구체, 이의 제조 방법, 상기 Ｔｉ 전구체를 이용한Ｔｉ-함유 박막의 제조 방법 및 상기 Ｔｉ-함유 박막 | |
| KR100441549B1 (ko) | 혼합 용매를 사용한 ｍｏｃｖｄ 강유전성 및 유전성 박막퇴적방법 | |
| JP5214191B2 (ja) | 薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
| KR100327094B1 (ko) | 비에스티 박막 제조용 바륨, 스트론튬 및 티타늄 전구체의 단일용액 | |
| US5976624A (en) | Process for producing bismuth compounds, and bismuth compounds | |
| EP4180417A1 (en) | Alkoxide compound, thin film-forming material, and method for manufacturing thin film | |
| Bedoya et al. | MOCVD of lanthanum oxides from La (tmhd) 3 and La (tmod) 3 precursors: a thermal and kinetic investigation | |
| KR100480756B1 (ko) | 산화알루미늄 박막 제조 방법 | |
| WO2004076712A1 (en) | Bismuth precursor solution for use in a cvd process and deposition process of a bismuth containing thin film using thereof | |
| KR100399604B1 (ko) | 루테늄/루테늄 산화물 박막 형성 방법 | |
| KR100298129B1 (ko) | (바륨,스트론튬)삼산화티탄박막의제조방법 | |
| EP4134372A1 (en) | Amidinate compound, dimer compound thereof, raw material for thin film formation, and method for producing thin film | |
| KR100613632B1 (ko) | 박막 형성용 용액 및 형성 방법 | |
| KR100480501B1 (ko) | 유기금속 화학증착법에 의한 ｐｚｔ 박막의 제조방법 | |
| KR20180072363A (ko) | Ecr-peald법에 의한 반도체 소자의 절연막 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060220 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |