KR100320798B1 - 레티클및이를이용한포토레지스트평가방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레티클 및 이를 이용한 포토레지스트 평가 방법이 개시된다.
본 발명은 개발 소자와 유사한 단차와 근접 패턴을 형성 할 수 있는 제 1 레티클과 스컴 및 노치를 평가할 수 있는 제 2 레티클을 제작하고, 제 1 레티클을 이용하여 샘플 웨이퍼상에 개발 소자와 유사한 단차와 근접 패턴을 형성한 후 제 2 레티클을 이용하여 스컴 및 노치 평가용 포토레지스트패턴을 형성하여 개발 소자에 적용되는 포토리소그라피 공정조건을 소자 개발 초기에 셋-업한다.
따라서, 본 발명은 실제 소자와 레티클을 이용하지 않고도 소자 개발 초기에 실제 소자의 포토리소그라피 공정조건(분해능, 촛점심도, 스컴 및 노치 발생 정도)을 미리 셋-업할 수 있으므로, 소자의 개발기간 단축 및 생산성 향상을 기할 수 있다.

Description

레티클 및 이를 이용한 포토레지스트 평가방법
본 발명은 레티클(reticle) 및 이를 이용한 포토레지스트(photo-resist) 평가방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼상에 형성된 소정의 패턴에의한 난반사 영향으로 포토레지스트 패턴에 발생되는 노치(notsh)현상과 웨이퍼 표면의 벌크 효과(bulk effect)로 포토레지스트 패턴에 발생되는 스컴(scum)현상을 정량적으로 평가할 수 있는 레티클 및 이를 이용한 포토레지스트 평가방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정중 포토리소그라피(photolithography)공정시 포토레지스트의 주요평가 항목은 분해능(resolution) 및 촛점심도(depth of focus;DOF)이다.
상기한 평가항목은 기본적인 것이고, 소자의 고유단차와 근접 패턴에 의한 포토레지스트 패턴의 변화는 설계 룰(design rule)이 조밀(tight)해지고 노광장치에 사용되는 광원의 파장이 단파장화 될수록 심화된다. 따라서, 소자의 고유단차와 근접 패턴에 의한 포토레지스트 패턴의 변화를 평가하는 것이 기본적인 포토레지스트 평가항목과 더불어 그 중요도가 증대되고 있다.
단차에 의한 양상은 단차 차이가 커질수록 단차가 진 저면부분에서 포토레지스트의 스컴이 남을 가능성이 많아지고, 근접 패턴에 의해 발생되는 노치는 패턴사이즈가 줄어들수록 심각해진다.
종래의 포토레지스트 평가방법은 공정능력을 단순히 분해능 및 촛점심도만을 평가하였다. 이와같은 평가방법은 실제 소자(real device)에서 근접 패턴의 난반사 및 단차에 의한 포토레지스트 특성을 평가할 수가 없는 문제가 있다. 단차 차이에 의한 포토레지스트 패턴의 스컴양상과 근접 패턴에 의한 포토레지스트 패턴의 노치를 평가하기 위해서는 소자가 형성되는 실제 웨이퍼와 레티클을 사용하였다. 이러한 평가작업은 포토리소그라피 공정조건을 셋-업(set-up)시키는데 중요한 요소이다. 그러나 실제 웨이퍼와 레티클을 사용하여 포토레지스트 평가작업을 할 경우 포토리소그라피 공정이 적용될 때마다 평가를 하여야 하므로 공정기간이 길어지고, 이로인하여 생산성을 저하시키는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 실제 소자에서 발생될 수 있는 노치 및 스컴 현상을 레티클을 이용하여 소자 개발초기에 포토리소그라피 공정조건을 셋-업하므로써, 소자 개발기간을 단축시킬 수 있는 레티클 및 이를 이용한 포토레지스트 평가방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 포토레지스트 평가용 레티클은 샘플 웨이퍼상에서 포토레지스트의 스컴을 평가하기 위하여 형성될 홀에 대응되는 부분이 제 1 클리어부가 되고, 상기 제 1 클리어부의 주변 부분이 제 1 다크부가 되는 패턴으로 이루어진 제 1 스컴 평가 영역과: 샘플 웨이퍼상에서 포토레지스트의 노치를 평가하기 위하여 형성될 패턴에 대응되는 부분이 제 2 다크부가 되고, 상기 제 2 다크부의 주변 부분이 제 2 클리어부가 되는 패턴으로 이루어진 제 1 노치 평가 영역과: 상기 제 1 스컴 평가 영역과 상기 제 1 노치 평가 영역이 일체화로 이루어진 제 1 레티클과; 상기 제 1 스컴 평가 영역에 중첩할 경우, 상기 제 1 스컴 평가 영역의 제 1 클리어부에 세로로 중첩되도록 제 3 다크부가 형성되고, 상기 제 3 다크부의 주변부분에 제 3 클리어부가 형성되는 패턴으로 이루어진 제 2 스컴 평가 영역과; 상기 제 1 노치 평가 영역에 중첩할 경우, 상기 제 1 노치 평가 영역의 제 2 다크부와 일정간격 이격되게 세로로 제 4 다크부가 형성되고, 상기 제 4 다크부의 주변부분에 제 4 클리어부가 형성되는 패턴으로 이루어진 제 2 노치 평가 영역과; 상기 제 2 스컴 평가 영역과 상기 제 2 노치 평가 영역이 일체화로 이루어진 제 2 레티클과; 상기 제 1 레티클과 상기 제 2 레티클 각각으로 구성된 것을 특징으로 한다.
상기의 포토레지스트 평가용 레티클을 이용한 본 발명의 포토레지스트 평가 방법은 샘플 웨이퍼상에 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막을 형성하고, 상기 막상에 제 1 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 1 포토레지스트 상부쪽에 제 1 레티클을 위치시 킨 후, 노광공정을 실시하는 단계와; 상기 제 1 레티클을 제거한 후, 상기 제 1 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하여 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 한 식각공정으로 상기 막을 식각하므로, 이로인하여 상기 막에 홀 및 패턴이 형성되는 단계와; 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 홀 및 상기 패턴을 포함한 전체상부에 고반사층 및 난반사층을 형성하는 단계와, 상기 난반사층상에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 2 포토레지스트상부쪽에 제 2 레티클을 위치시킨후, 노광공정을실시하는 단계와: 상기 제 2 레티클을 제거한 후, 상기 제 2 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하므로, 이로인하여 제 2 포토레지스트 패턴이 상기 홀의 중앙부분과 상기 패턴의 근접부분에 형성되는 단계와; CD-SEM 또는 SEM 장비를 이용하여 상기 홀 중앙부분에 형성된 제 2 포토레지스트 패턴으로 스컴 발생정도를 분석 및 평가하고, 상기 패턴의 근접부분에 형성된 제 2 포토레지스트 패턴으로 노치 발생정도를 분석 및 평가하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기한 포토레지스트 평가용 레티클을 이용한 본 발명의 다른 포토레지스트 평가 방법은 샘플 웨이퍼상에 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막을 형성하고, 상기 막상에 제 1 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 1 포토레지스트상부쪽에 제 1 레티클을 위치시킨 후, 노광공정을 실시하는 단계와; 상기 제 1 레티클을 제거한 후, 상기 제 1 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하여 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 한 식각공정으로 상기 막을 식각하므로, 이로인하여 상기 막에 홀 및 패턴이 형성되는 단계와; 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 막에 형성된 상기 패턴의 경사도를 완만하게 하기 위하여 플로우공정을 실시하는 단계와; 상기 홀 및 상기 패턴을 포함한 전체상부에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 2 포토레지스트 상부쪽에 제 2 레티클을 위치시킨 후, 노광공정을 실시하는 단계와: 상기 제 2 레티클을 제거한 후, 상기 제 2 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하므로, 이로인하여 제 2 포토레지스트 패턴이 상기 홀의 중앙부분과 상기 패턴의 근접부분에 형성되는 단계와; CD-SEM 또는 SEM 장비를 이용하여 상기 홀 중앙부분에 형성된 제2 포토레지스트 패턴으로 스컴발생정도를 분석 및 평가하고, 상기 패턴의 근접부분에 형성된 제 2 포토레지스트 패턴으로 노치 발생정도를 분석 및 평가하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
제 1A 및 1B 도는 본 발명에 따른 제 1 및 2 레티클을 각각 도시한 평면도이고, 제 1C 도는 포토레지스트의 스컴 및 노치를 평가하기 위하여 제 1 및 2 레티클을 단계별로 사용했을 때 중첩된 상태를 도시한 평면도이다.
제 1A 도는 제 1 스컴 평가 영역(11)과 제 1 노치 평가 영역(12) 각각에 소정의 패턴이 형성되도록 설계하여 제작된 제 1 레티클(10)이 도시된다.
제 1 스컴 평가 영역(11)은 샘플 웨이퍼상에서 포토레지스트의 스컴을 평가하기 위하여 형성될 홀에 대응되는 부분이 제 1 클리어부(clear part;11A)가 되고, 제 1 클리어부(11A)의 주변 부분이 제 1 다크부(dark part:11B)가 되는 소정의 패턴을 설계하여 이루어진다. 제 1 노치 평가 영역(12)은 샘플 웨이퍼상에서 포토레지스트의 노치를 평가하기 위하여 형성될 패턴에 대응되는 부분이 제 2 다크부(12B)가 되고, 제 2 다크부(12B)의 주변 부분이 제 2 클리어부(12A)가 되는 소정의 패턴을 설계하여 이루어진다.
제 1 레티클(10)은 제 1 스컴 평가 영역(11)과 제 1 노치 평가 영역(12)이 일체화되어 구성된다.
제 1 스컴 평가 영역(11)에 설계된 패턴에서 요부인 제 1 클리어부(11A)는 가로길이"L1"이 3 내지 15㎛이고, 세로길이"L2"가 2 내지 10㎛인 사각모양으로 형성된다. 제 1 노치 평가 영역(12)에 설계된 패턴에서 요부인 제 2 다크부(12B)는 몸체(12BB)의 가로길이"L3"가 5 내지 15㎛이고, 몸체(12BB)의 세로길이"L4"가 25 내지 35㎛이고, 몸체(12BB)로 부터의 돌출부(12BB')의 폭"W"가 1 내지 5㎛인 철(凸)모양을 90° 각도로 우회전시킨 모양으로 형성된다. 그러나, 제 1 스컴 평가 영역(11)과 제 1 노치 평가 영역(12)에 각각 형성되는 패턴은 제 1A 도에 도시된 모양과 크기에 한정되지 않는다.
제 1B 도는 제 2 스컴 평가 영역(21)과 제 2 노치 평가 영역(22) 각각에 소정의 패턴이 형성되도록 설계하여 제작된 제 2 레티클(20)이 도시된다.
본 발명의 목적인 포토레지스트의 스컴 및 노치현상을 평가하기 위해서는 제 2 스커 평가 영역(21)과 제 2 노치 평가 영역(22)의 설계가 중요하다. 제 2 스컴 평가 영역(21)은 제 1 스컴 평가 영역(11)에 관련되도록 설계해야 하고, 제 2 노치 평가 영역(22)은 제 1 노치 평가 영역(12)에 관련되도록 설계해야 한다. 제 1 및 2 레티클(10 및 20)을 중첩시킨 상태를 도시한 제 1C 도를 참조하여, 제 2 스컴 평가 영역(21)의 제 3 다크부(21B)는 제 1 스컴 평가 영역(11)의 제 1 클리어부(11A)에 충분히 중첩되도록 설계되며, 제 2 노치 평가 영역(22)의 제 4 다크부(22B)는 제 1 노치 평가 영역(12)의 제 2다크부(12B)의 돌출부(12BB')로 부터 외측으로 거리"D"만큼 이격되도록 설계된다. 제 2 스컴 평가 영역(21)과 제 2 노치 평가 영역(22) 각각의 다크부(21B 및 22B)의 주변 부분은 클리어부(21A및 22A)이다.
제 2 레티클(20)은 제 2 스컴 평가 영역(21)과 제 2 노치 평가 영역 (22)이 일체화되어 구성된다.
제 1 노치 평가 영역(12)의 제 2 다크부(12B)와 제 2 노치 평가 영역(22)의 제 4 다크부(22B)사이의 이격 거리"D"는 개발 소자에 적용되는 패턴과 이에 가장 근접하여 형성되는 포토레지스트 패턴과의 거리를 고려하여 설정되는데, 예를들어 이격 거리"D"는 0.05 내지 0.25㎛범위 사이가 되도록 한다.
제 2 스컴 평가 영역(21)에 설계된 패턴에서 요부인 제 3 다크부(21B)는 가로길이"L5"가 0.3 내지 0. 55㎛이고, 세로길이"L6"가 40 내지 60㎛인 사각막대모양으로 형성된다. 제 2 노치 평가 영역(22)에 설계된 패턴에서 요부인 제 4 다크부(22B)는 제 2 스컴 평가 영역(21)의 제 3 다크부(21B)의 모양 및 크기와 유사 또는 동일하다.
제 1 및 2 레티클(10 및 20)에서 클리어부(11A, 12A, 21A 및 22A)는 노광공정시 광이 투과될 수 있는 지역이고, 다크부(11B, 12B, 21B 및 22B)는 노광공정시 광이 투과될 수 없는 지역이다.
기본적으로, 제 1 레티클(10)은 제 1 스컴 평가 영역(11)과 제 1 노치 평가 영역(12) 각각에 소정의 패턴을 설계하여 제작되고, 제 2 레티클(20)은 제 2 스컴 평가 영역(21)과 제 2 노치 평가 영역(22)각각에 소정의 패턴을 설계하여 제작된다. 그런데, 이들 설계된 패턴에서 요부를 이루는 각 패턴(11A, 12B, 21B 및 22B)의 크기를 결정하는 길이"L1", "L2", "L3", "L4", "L5", "L6"와 폭"W" 그리고 거리"D"는 개발 소자에 따라 변화된다. 즉, 개발 소자가 결정되면 단차 크기 및 근접 패턴 크기등에 관련된 데이타(data)를 얻을 수 있고, 이 데이타를 고려하여 제 1 및 2 레티클(10 및 20)이 제작된다.
상기한 제 1 레티클(10)과 제 2 레티클(20)을 이용하여 포토레지스트의 스컴 및 노치현상을 평가하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
제 2A 내지 2E 도는 제 1A 및 1B도에 도시된 본 발명의 제 1 및 2 레티클을 이용하여 포토레지스트의 스컴 및 노치 현상을 평가하는 방법을 설명하기 위해 도시된 소자의 단면도이다.
제 2A 도는 샘플 웨이퍼(1)상에 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막(2) 예를들어, 개발 소자의 제조공정에 주로 사용되는 옥사이드, BPSG, 폴리실리콘등을 적어도 하나이상 증착하여 형성하고, 막(2)상에 제 1 포토레지스트(3)를 도포하고, 제 1 포토레지스트(3) 상부쪽에 제 1 레티클(10)을 위치시킨 후, 노광공정을 실시하는 것이 도시된다.
상기에서, 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막(2)의 두께는 개발 소자에 대응되게 그 두께가 조정된다.
제 2B 도는 제 1 레티클(10)을 제거한 후, 제 1 포토레지스트(3)의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하여 제 1 포토레지스트 패턴(3A)을 형성하고, 제 1 포토레지스트 패턴(3A)을 식각 마스크로 한 식각공정으로 막(2)을 식각하므로, 이로인하여 제 1 스컴 평가 영역(11)의 제 1 클리어부(11A)에 대응되는 부분에 홀(4)이 형성되고, 제 1 노치 평가 영역(12)의 제 2 다크부(12B)에 대응되는 부분에 패턴(5)이 형성된 것이 도시된다.
제 2C 도는 제 1 포토레지스트 패턴(3A)을 제거한 후, 홀(4) 및 패턴(5)을 포함한 전체상부에 고반사층(6)을 형성하고, 고반사층(6)상에 난반사층(7)을 형성한 것이 도시된다.
상기에서, 고반사층(6)은 개발 소자의 전극 또는 배선을 형성할 때 주로 사용되는 실리사이드(silicide) 또는 금속등을 중착하여 형성된다. 난반사층(7)은 포토리소그라피 공정을 용이하게 실시하기 위하여 옥사이드, 나이트라이드 또는 티타늄 나이트라이드등을 증착하여 형성된다.
제 2D 도는 난반사층(7)상에 제 2 포토레지스트(8)를 도포하고, 제 2 포토레지스트(8)상부쪽에 제 2 레티클(20)을 위치시킨 후, 노광공정을 실시하는 것이 도시된다.
제 2E 도는 제 2 레티클(20)을 제거한 후, 제 2 포토레지스트(8)의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하여 제 2 포토레지스트 패턴(8A)을 형성한 것이 도시된다. 제 2 포토레지스트 패턴(8A)은 두개가 형성되는데, 하나는 홀(4)의 중앙부분에 형성되고, 나머지 하나는 패턴(5)에 근접되게 형성된다.
설명을 쉽게 하기 위하여, 홀(4)의 중앙부분에 형성되는 제 2 포토레지스트 패턴(8A)을 스컴 평가용 포토레지스트 패턴(8AA)이 라 정의하고, 패턴(5)에 근접되게 형성되는 제 2 포토레지스트 패턴(8A)을 노치 평가용 포토레지스트 패턴(8AB)이라 정의한다.
제 2E 도에 도시된 스컴 평가용 포토레지스트 패턴(8AA)과 노치 평가용 포토레지스트 패턴(8AB)의 형상은 제 2D 도의 노광공정시 촛점심도를 단차가 높은 부분을 기준으로 했을 때의 경우를 도시한 것이다. 이들 패턴(8AA 및 8AB)을 CD-SEM 또는 SEM 장비를 이용하여 분석 및 평가하면, 스컴 평가용 포토레지스트 패턴(8AA)의상부쪽은 양호한 형상이 되나, 하부쪽은 촛점심도에 의해 스컴(S)이 발생되고, 노치 평가용 포토레지스트 패턴(8AB)의 상부쪽은 근접 패턴(5)에 의해 노치(N)가 발생되고, 하부쪽은 촛점심도에 의해 스컴(S)이 발생된 것을 알 수 있다, 스컴(S)은 촛점심도에 직접 관련됨은 물론, 포토레지스트의 두께에 의해서도 영향을 받게된다. 노치(N)는 근접패턴(5)에 직접 관련됨을 물론, 포토레지스트의 두께에 의해서도 영향을 받게된다.
따라서, 개발 소자의 포토리소그라피 공정조건을 최적화로 셋-업하기 위해서는 포토레지스트의 두께와 노광공정시 촛점심도의 기준을 다양하게 변화시키면서 스컴 평가용 포토레지스트 패턴(8AA)과 노치 평가용 포토레지스트 패턴(8AB)을 CD-SEM 또는 SEM 장비를 이용하여 분석 및 평가한다. 이와같이 스컴 평가용 포토레지스트 패턴(8AA)으로 스컴의 발생정도를 분석 및 평가하고, 노치 평가용 포토레지스트 패턴(8AB)으로 노치의 발생정도를 분석 및 평가하여 스컴 및 노치가 최소한으로 발생되는 데이타를 얻는다.
한편, 상술한 제 2A 및 2B 도의 공정을 실시한 후, 제 1 포토레지스트 패턴(3A)을 제거하고, 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막(2)을 플로우(flow)하여 근접패턴(5)의 경사도를 조절한 한 후, 제 2 레티클(20)을 이용하여 스컴 평가용 포토레지스트 패턴(8AA)과 노치 평가용 포토레지스트 패턴(8AB)을 형성하므로써, 스컴 및 노치의 발생정도를 분석 및 평가할 수 있다.
상술한 바와같이 본 발명은 개발 소자와 유사한 단차와 근접 패턴을 형성할 수 있는 제 1 레티클과 스컴 및 노치를 평가할 수 있는 제 2 레티클을 제작하고,제 1 레티클을 이용하여 샘플 웨이퍼상에 개발 소자와 유사한 단차와 근접 패턴을 형성한 후 제 2 레티클을 이용하여 스컴 및 노치 평가용 포토레지스트 패턴을 형성하여 개발 소자에 적용되는 포토리소그라피 공정조건을 소자 개발 초기에 미리 셋-업할 수 있다.
따라서, 실제 소자와 레티클을 이용하지 않고도 소자 개발 초기에 실제 소자의 포토리소그라피 공정조건(분해능, 촛점심도, 스컴 및 노치발생정도)을 미리 셋-업할 수 있으므로, 소자의 개발기간 단축 및 생산성 향상을 기할 수 있다.
제 1A 및 1B 도는 본 발명에 따른 제 1 및 2 레티클을 각각 도시한 평면도.
제 1C 도는 포토레지스트의 스컴 및 노치를 평가하기 위하여 제 1 및 2 레티클을 단계별로 사용했을 때 중첩된 상태를 도시한 평면도.
제 2A 내지 2E 도는 제 1 및 2 레티클을 이용하여 포토레지스트의 스컴 및 노치 현상을 평가하는 방법을 설명하기 위해 도시된 소자의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1: 샘플 웨이퍼 2: 홀 및 패턴 형성용 막
3: 제 1 포토레지스트 3A: 제 1 포토레지스트 패턴
4: 홀 5: 패턴
6: 고반사층 7: 난반사층
8: 제 2 포토레지스트 8A: 제 2 포토레지스트 패턴
8AA: 스컴 평가용 포토레지스트 패턴
8AB: 노치 평가용 포토레지스트 패턴
10: 제 1 레티클 11: 제 1 스컴 평가 영역
12: 제 1 노치 평가 영역 20: 제 2 레티클
21: 제 2 스컴 평가 영역 22: 제 2 노치 평가 영역
11A, 12A, 21A 및 22A: 제 1 내지 4 클리어부
11B, 12B, 21B 및 22B: 제 1 내지 4 다크부

Claims (14)

  1. 샘플 웨이퍼상에서 포토레지스트의 스컴을 평가하기 위하여 형성될 홀에 대응되는 부분이 제 1 클리어부가 되고, 상기 제 1 클리어부의 주변부분이 제 1 다크부가 되는 패턴으로 이루어진 제 1 스컴 평가 영역과,
    샘플 웨이퍼상에서 포토레지스트의 노치를 평가하기 위하여 형성될 패턴에 대응되는 부분이 제 2 다크부가 되고, 상기 제 2 다크부의 주변 부분이 제 2 클리어부가 되는 패턴으로 이루어진 제 1 노치 평가 영역과,
    상기 제 1 스컴 평가 영역과 상기 제 1 노치 평가 영역이 일체화로 이루어진 제 1 레티클과,
    상기 제 1 스컴 평가 영역에 중첩할 경우, 상기 제 1 스컴 평가 영역의 제 1 클리어부에 세로로 중첩되도록 제 3 다크부가 형성되고, 상기 제 3 다크부의 주변부분에 제 3 클리어부가 형성되는 패턴으로 이루어진 제 2 스컴 평가 영역과,
    상기 제 1 노치 평가 영역에 중첩할 경우, 상기 제 1 노치 평가 영역의 제 2 다크부와 일정간격 이격되게 세로로 제 4 다크부가 형성되고, 상기 제 4 다크부의 주변부분에 제 4 클리어부가 형성되는 패턴으로 이루어진 제 2 노치 평가 영역과,
    상기 제 2 스컴 평가 영역과 상기 제 2 노치 평가 영역이 일체화로 이루어진 제 2 레티클과,
    상기 제 1 레티클과 상기 제 2 레티클 각각으로 구성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클리어부는 사각모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 클리어부는 가로길이 가 3 내지 15㎛이고, 세로길이가 2 내지 10㎛인 사각모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 다크부는 철(凸)모양을 90° 각도로 우회전시킨 모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 다크부는 몸체의 가로길이가 5 내지 15㎛이고, 몸체의 세로길이가 25 내지 35㎛이고, 몸체로 부터의 돌출부의 폭이 1 내지 5㎛인 철(凸)모양을 90° 각도로 우회전시킨 모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 다크부와 상기 제 4 다크부사이의 이격거 리는 0.05 내지 0.25㎛인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 및 4 다크부는 사각막대모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 및 4 다크부는 가로길이가 0.3 내지 0.55㎛이고, 세로길이가 40 내지 60㎛인 사각막대모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가용 레티클.
  9. 포토레지스트 평가 방법에 있어서,
    샘플 웨이퍼상에 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막을 형성하고, 상기 막상에 제 1 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 1 포토레지스트상부쪽에 제 1 레티클을 위치시킨 후, 노광공정을 실시하는 단계와,
    상기 제 1 레티클을 제거한 후, 상기 제 1 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하여 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 한 식각공정으로 상기 막을 식각하므로, 이로인하여 상기 막에 홀 및 패턴이 형성되는 단계와,
    상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 홀 및 상기 패턴을 포함한 전체상부에 고반사층 및 난반사층을 형성하는 단계와,
    상기 난반사층상에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 2 포토레지스트상부쪽에 제 2 레티클을 위치시킨 후, 노광공정을 실시하는 단계와,
    상기 제 2 레티클을 제거한 후, 상기 제 2 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하므로, 이로인하여 제 2 포토레지스트 패턴이 상기 홀의 중앙부분과 상기 패턴의 근접부분에 형성되는 단계와,
    CD-SEM 또는 SEM 장비를 이용하여 상기 홀 중앙부분에 형성된 제 2 포토레지스트 패턴으로 스컴 발생정도를 분석 및 평가하고, 상기 패턴의 근접부분에 형성된 제 2 포토레지스트 패턴으로 노치 발생정도를 분석 및 평가하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막은 옥사이드, BPSG, 폴리실리콘중 적어도 하나이상 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트평가 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 고반사층은 실리사이드 및 금속중 어느 하나를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 난반사층은 옥사이드, 나이트라이드 및 티타늄 나이트라이드 중 어느 하나를 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가 방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 레티클은 상기 샘플 웨이퍼상에 형성되는 상기 홀에 대응되는 부분이 제 1 클리어부가 되고, 상기 제 1 클리어부의 주변 부분이 제 1 다크부가 되는 패턴으로 이루어진 제 1 스컴 평가 영역과, 상기 샘플 웨이퍼상에 형성되는 상기 패턴에 대응되는 부분이 제 2 다크부가 되고, 상기 제 2 다크부의 주변 부분이 제 2 클리어부가 되는 패턴으로 이루어진 제 1 노치 평가 영역과, 상기 제 1 스컴 평가 영역과 상기 제 1 노치 평가 영역이 일체화로 되어 구성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 레티클은 상기 홀의 중앙부분에 형성되는 상기 제 2 포토레지스트 패턴에 대응되는 부분이 제 3 다크부가 되고, 상기 제 3 다크부의 주변 부분이 제 3 클리어부가 되는 패턴으로 이루어진 제 2 스컴 평가 영역과, 상기 패턴의 근접부분에 형성되는 상기 제 2 포토레지스트 패턴에 대응되는 부분에 제 4 다크부가 되고, 상기 제 4 다크부의 주변 부분이 제 4 클리어부가 되는 패턴으로 이루어진 제 2 노치 평가 영역과, 상기 제 2 스컴 평가 영역과 상기 제 2 노치 평가 영역이 일체화로 되어 구성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가 방법.
    15. 포토레지스트 평가 방법에 있어서,
    샘플 웨이퍼상에 홀 및 패턴을 형성하기 위한 막을 형성하고, 상기 막상에 제 1 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 1 포토레지스트상부쪽에 제 1 레티클을 위치시 킨 후, 노광공정을 실시하는 단계와,
    상기 제 1 레티클을 제거한 후, 상기 제 1 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하여 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 한 식각공정으로 상기 막을 식각하므로, 이로인하여 상기 막에 홀 및 패턴이 형성되는 단계와,
    상기 제 1 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 막에 형성된 상기 패턴의 경사도를 완만하게 하기 위하여 플로우공정을 실시하는 단계와,
    상기 홀 및 상기 패턴을 포함한 전체상부에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 상기 제 2 포토레지스트상부쪽에 제 2 레티클을 위치시킨 후, 노광공정을 실시하는 단계와,
    상기 제 2 레티클을 제거한 후, 상기 제 2 포토레지스트의 노광된 부분을 현상공정으로 제거하므로, 이로인하여 제 2 포토레지스트 패턴이 상기 홀의 중앙부분과 상기 패턴의 근접부분에 형성되는 단계와,
    CD-SEM 또는 SEM 장비를 이용하여 상기 홀 중앙부분에 형성된 제 2 포토레지스트 패턴으로 스컴 발생정도를 분석 및 평가하고, 상기 패턴의 근접부분에 형성된 제 2 포토레지스트 패턴으로 노치 발생정도를 분석 및 평가하는 단계로 이루어지는것을 특징으로 하는 포토레지스트 평가 방법.
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