KR100317580B1 - 노광시스템 - Google Patents

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KR100317580B1
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임동규
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박종섭
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

본 발명은 노광 시스템에 관한 것으로, 조명으로 슬릿을 투과시켜 형성한 슬릿의 이미지를 집광렌즈를 통하여 레티클 상에 조사하고 상기 슬릿의 이미지를 이용하여 레티클을 스캔하는 노광 시스템에 있어서, 국부적인 뷸균일도를 갖는 조명을 고려하여 스캔방향으로 국부적으로 요철을 갖는 슬릿을 구비하여 노광공정시 조명의 불균일도를 해소함으로써 후속공정으로 형성되는 감광막패턴을 균일하게 형성할 수 있어 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

노광 시스템
본 발명은 노광 시스템에 관한 것으로, 특히 반도체나 액정표시소자의 노광장비의 광학조명 부위에 사용될 수 있는 것으로 어퍼쳐 ( aperture ) 에 관계없이 균일한 조명을 공급해줄 수 있도록 하는 스캐너 ( scanner ) 노광장비에 관한 것이다.
반도체소자는 반도체기판 상부에 피식각층을 형성하고 그 상부에 감광막을도포한 다음, 상기 감광막을 스테퍼 ( stepper ) 라는 노광장비를 이용하여 감광막을 노광하고, 상기 노광된 부분을 현상하여 감광막패턴을 형성하였다.
이때, 상기 스테퍼는 어퍼쳐를 사용하는 오프-어시스 조명 ( off-axis illumination ) 방법으로서, 광학 조명에 의해 국부적으로 불균일한 조명이 이루어진다.
이로인하여, 상기 스테퍼를 이용하여 형성하는 감광막패턴은, 불균일하게 형성될 수 있어 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 저하시킨다.
상기한 바와같이 스테퍼를 사용하는 종래의 노광 시스템은, 국부적으로 불균일한 조명에 의한 노광공정으로 인하여, 후속공정인 현상공정으로 형성되는 감광막패턴이 불균일하게 형성될 수 있어 고집적화된 반도체소자의 제조를 어렵게 하고 그에 따른 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.
본 발명은 국부적으로 불균일한 조명으로 인하여 유발될 수 있는 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 슬릿의 모양을 변화시켜 스릿을 투과하는 조명의 세기를 균일하게 할 수 있는 스캐너를 이용한 노광 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 는 본 발명에 따른 반도체 또는 액정표시소자의 노광 시스템을 도시한 개략도.
도 2 는 도 1 의 노광 시스템에 따른 방사도에 따라 개조된 슬릿 ( slit ) 을 도시한 개략도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
11,19 : 기계적인 슬릿 13 : 집광렌즈 ( condencer lens )
15 : 레티클 사이트 상의 슬릿 이미지
17 : 레티클 사이트
이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 노광 시스템은,
조명으로 슬릿을 투과시켜 형성한 슬릿의 이미지를 집광렌즈를 통하여 레티클 상에 조사하고 상기 슬릿의 이미지를 이용하여 레티클을 스캔하는 노광 시스템에 있어서,
국부적으로 요철을 갖는 슬릿이 스캔 방향으로 구비되는 것을 특징으로 한다.
이상의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 원리는, 스테퍼의 경우 광학조명에 의해 국부적으로 불균일한 조명이 이루어지지만, 스캐너의 경우 스캔방향과 평행한 방향으로 나란하게 불균일한 조명이 만들어지는 현상을 이용하여 상기 스캔방향과 나란하게 조명의 불균일한 정도를 고려하여 슬릿을 형성하고 이를 이용하여 노광할 수 있도록 하는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템을 도시한 개략도이다.
도 1 을 참조하면, 집광렌즈(13)를 이용하여 기계적인 슬릿(11)의 상을 레티클 사이트(17) 상부에 조사하여 슬릿 이미지(15)를 형성한다.
그리고, 상기 슬릿 이미지(15)를 레티클 사이트(17)에 투사하여 스캔해가면서 노광공정을 실시한다. 이때, 광학적으로 해결하기 못한 불균일도가 그대로 이미지에 전사된다.
도 2 를 참조하면, 상기 도 1 의 노광 시스템으로 노광공정을 실시할 때 국부적으로 나타나는 광학적인 불균일도가 각각 100, 97, 100, 101, 103, 98 일 때 이를 고려하여 슬릿을 형성한다.
그리고, 이렇게 형성된 슬릿(19)을 이용하여 상기 노광 시스템에 적용함으로써 국부적인 불균일도를 해소할 수 있도록 한다.
이로 인하여, 상기 도 1 및 도 2 의 노광 시스템을 이용하여 노광공정을 실시하고 후속으로 실시되는 현상공정으로 균일한 크기의 감광막패턴을 형성한다.
여기서, 기계적인 슬릿(11,19)은 플렉시블 ( flexible ) 하게 자유로운 벤딩 ( bending ) 이 가능하게 하고, 센싱하는 부분에 노드 ( node ) 를 배치해 이 노드 부분의 이동값, 즉 벤딩 정도를 센서에 의한 조명 측정치에 대해 상관성을 갖도록 하고, 상기 벤딩 정도는 상관성 정도에 따라 자동으로 요철이 조절될 수 있도록 한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 노광 시스템은, 스캔방향과 나란한 방향으로 뷸균일한 조명을 조절하되, 노광 시스템의 슬릿을 국부적으로 요철을 형성하여 이를 통과한 조명이 뷸균일도를 해소함으로써 후속공정으로 형성되는 감광막패턴을 균일하게 형성하고 그에 따른 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 동시에 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 조명으로 슬릿을 투과시켜 형성한 슬릿의 이미지를 집광렌즈를 통하여 레티클 상에 조사하고 상기 슬릿의 이미지를 이용하여 레티클을 스캔하는 노광 시스템에 있어서,
    국부적으로 요철을 갖는 슬릿이 스캔 방향으로 구비되는 노광 시스템.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613300A (ja) * 1992-06-24 1994-01-21 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置
JPH07153659A (ja) * 1993-11-29 1995-06-16 Sanyo Electric Co Ltd 縮小投影露光装置
KR950030232A (ko) * 1994-04-26 1995-11-24 문정환 자동슬릿 조절장치
KR970012983A (ko) * 1995-08-30 1997-03-29 미타라이 후지오 노광장치 및 얼라인먼트판별방법

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