KR100313107B1 - 전자빔 장치의 음극 물질 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자빔 장치의 음극 물질을 제공한다. 상기 음극 물질은 세륨그룹의 희토류 금속 0.5 내지 9.0중량, 텅스텐 및/또는 레늄 0.5 내지 15.0중량, 하프늄 0.5 내지 10중량및 나머지량의 이리듐을 포함하는 합금인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 음극 물질은 가소성이 우수하여 작은 크기의 에미터를 제조하기 용이할 뿐만 아니라 전자방출능력이 크며, 작동온도가 낮아 장수명을 가지므로 전자빔 장치의 음극 물질로 유용하다.
Description
본 발명은 전자빔 장치의 음극 물질 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 음극선관과 같은 진공 전자빔 장치의 전자방출원으로 사용되는 음극 물질 및 그 제조방법에 관한 것이다.
현재 사용되고 있는 음극선 시스템은 필라멘트에 의해 간접적으로 가열되는 산화물 음극에 의한 전자방출 시스템에 주로 기초하고 있다. 그러나, 이들은 전자방출능력에 한계가 있어 1A/㎠ 이상의 전류밀도를 방출하기 어렵다.
또한, 산화물 음극은 깨지기 쉽고 장착되는 금속기재에 대한 접착력이 낮으므로 이러한 타입의 음극을 구비한 음극선 장치의 수명은 짧아지게 된다. 예를 들어, 칼라 수상관의 3개 산화물 음극중 하나만 손상되어도 비싼 전체 장치가 고장나게 되는 것이다.
이러한 이유 때문에 전술한 산화물 음극의 단점이 없는 고성능 금속 음극을 음극선 장치에 적용하려는 시도가 활기를 띄게 되었다.
예를 들어, 란타늄 헥사보라이드(LaB6)에 기초한 금속 음극은 산화물 음극에 비하여 강도가 크고 더 높은 전자방출 능력을 갖는 것으로 알려져 있는데, 헥사보라이드의 단결정 음극은 10A/㎠ 정도의 높은 전류밀도를 방출할 수 있다. 그러나, 란타늄 헥사보라이드 음극은 수명이 짧기 때문에 음극 유니트의 대체가 가능한 일부 진공전자장치에만 사용되어 왔다. 란타늄 헥사보라이드 음극의 수명이 짧은 이유는 히이터의 구성물질과의 높은 반응성에 기인한 것으로서, 란타늄 헥사보라이드가 히이터의 구성물질, 예를 들어 텅스텐과 접촉하여 많은 깨지기 쉬운 화합물을 형성하기 때문이다.
미국 특허 제4137476호에는 이러한 반응 가능성을 제거하기 위하여 란타늄 헥사보라이드와 히이터의 바디(body) 사이에 다른 배리어(barrier)층을 형성시킨 음극이 개시되어 있다. 그러나, 이 방법에 의하면 음극 생산비용이 상당히 증가하며 음극의 수명을 크게 개선하기도 어렵다.
또한, 고전자방출 비밀도(specific density)를 갖는 물질로서, 이리듐과 소량의 세륨그룹(란타늄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨)의 희토류 금속으로 이루어진 합금(S.E. Rozhkov et.al 'Work function of the alloy of Iridium with Lanthanium, Cerium, Praseodymium, Neodymium, Samarium', Journ. Radiotechnika I electronica, 1969, v.14, No5, p.936-analogue)이 알려져 있다.
그러나, 이 합금은 음극작동 과정에서 활성성분이 음극 표면으로 이동되는 속도가 감소하는 특성을 가지므로 시간이 지남에 따라 일함수가 빠르게 증가하며 음극의 전자방출 성질 및 이온 충격에 대한 음극의 저항성이 감소한다. 또한, 이 2원합금은 깨지기 쉬우므로 이 물질로 음극 유니트를 제조하기가 쉽지 않으며, 융점이 낮아서 고온작동이 곤란하다. 따라서, 이 합금은 장수명 및 작동 안정성이 요구되는 전자장치에 적용하기에는 적당치 않다.
소비에트 연방 공화국 특허 제616662호에는 이리듐, 세륨 및 하프늄의 3원합금으로 이루어진 음극물질이 개시되어 있다. 이 음극 물질은 우수한 방출 안정성및 가소성을 가지나 융점이 낮아서 고온 작동이 요구되는 전자장치에는 적용될 수 없다.
또한, 러시아 연방 특허 제2052855호에는 음극 물질로서 이리듐, 란타늄 또는 세륨, 텅스텐 및/또는 레늄으로 이루어진 합금을 개시하고 있다. 이 특허에서는 텅스텐 또는 레늄을 합금에 포함시키므로써 음극의 수명을 개선하였으나, 텅스텐 또는 레늄은 깨지기 쉬운 성질을 갖고 있으므로 이를 포함하는 합금 음극 또한 깨지기 쉽고 전자방출 능력도 감소된다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 문제점을 해결하여, 전자방출능력이 우수할 뿐만 아니라 수명 및 기계적 성질이 향상된 전자빔 장치의 음극 물질을 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 화학적 및 미세구조적 균일성이 우수하고 잔류가스가 존재하지 않는 상기 음극 물질의 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1a는 본 발명의 일태양에 따른 4원합금의 주사전자현미경 사진 및 엑스선 분석에 의한 합금중의 세륨의 농도 프로파일을 나타낸 도면이고,
도 1b는 본 발명의 일태양에 따른 4원합금의 주사전자현미경 사진 및 엑스선 분석에 의한 합금중의 텅스텐의 농도 프로파일을 나타낸 도면이고,
도 1c는 본 발명의 일태양에 따른 4원합금의 주사전자현미경 사진 및 엑스선 분석에 의한 합금중의 하프늄의 농도 프로파일을 나타낸 도면이고,
도 1d는 본 발명의 일태양에 따른 4원합금의 주사전자현미경 사진 및 엑스선 분석에 의한 합금중의 이리듐의 농도 프로파일을 나타낸 도면이고,
도 2는 세륨, 텅스텐, 하프늄 및 이리듐으로 이루어진 4원합금을 이용하여 제조된 에미터에 있어서, 하프늄의 함량 변화에 따른 에미터의 작동온도를 도시한 그래프이고,
도 3은 세륨, 텅스텐, 하프늄 및 이리듐으로 이루어진 4원합금을 이용하여 제조된 에미터에 있어서, 하프늄의 함량 변화에 따른 에미터의 수명을 도시한 그래프이다.
상기 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 세륨그룹의 희토류 금속 0.5 내지 9.0중량, 텅스텐 및/또는 레늄 0.5 내지 15.0중량, 하프늄 0.5 내지 10중량및 나머지량의 이리듐을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치의 음극 물질을 제공한다.
상기 다른 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 a) 이리듐과 세륨을 융해시켜 Ir5Ce을 형성하는 단계; b) 하프늄과 텅스텐을 융해시켜 Hf3W을 형성하는 단계; 및 c) 상기 제조된 Ir5Ce와 Hf3W의 합금을 함께 융해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 음극 물질의 제조방법을 제공한다.
이하에서는 본 발명에 따른 전자빔 장치의 음극 물질 및 그 제조방법에 대하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명의 음극 물질은 이리듐, 세륨그룹의 희토류 금속으로 이루어진 음극물질에 소정량의 텅스텐 및/또는 레늄과 하프늄을 도입하므로써 전자방출 특성 및 기계적 성질이 동시에 증대된다. 즉, 본 발명의 음극물질인 4원합금에 있어서, 하프늄은 낮은 전자방출온도에서 높은 전자방출능력을 유지하면서 합금의 일함수를 낮출 뿐만 아니라 합금의 가소성을 증대시키는 역할을 한다. 따라서 하프늄을 포함하는 본 발명의 합금으로부터 에미터가 작은 크기로 용이하게 제조될 수 있으며 히이터에도 쉽게 결합될 수 있다. 한편 텅스텐 또는 레늄을 합금에 도입하므로써 합금의 융점을 높일 수 있다.
하프늄을 포함하는 본 발명의 4원합금은 실질적으로 세륨 및 이리듐만으로 이루어진 '그레이 페이스'와 텅스텐, 하프늄 및 이리듐으로 이루어진 '화이트 페이스'의 더블 페이스(double phase)를 갖는다. 상기 '화이트 페이스'는 하프늄을 포함하므로써 치밀한 결정구조를 가지며 합금의 가소성이 증가할 뿐만 아니라 상의 경계에서 합금 표면으로의 세륨의 확산속도를 증가시켜서 에미터의 작동온도를 감소시키는 효과를 가져오므로 에미터의 수명을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 음극 합금은 세륨그룹의 희토류 금속 0.5 내지 9.0중량를 포함한다. 세륨그룹의 희토류 금속 함량이 0.5중량미만이면 활성성분인 세륨그룹의 희토류 금속의 결핍으로 인해 음극의 수명이 단축되며 9.0중량를 초과하면 전자방출특성이 낮은 Ir2Ce 또는 Ir2La과 같은 화합물을 음극표면에 형성하는 문제점이 있다. 여기에서 상기 세륨그룹의 희토류 금속은 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴 및 사마륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 음극 합금은 텅스텐 및/또는 레늄 0.5 내지 15.0중량를 포함한다. 텅스텐 및/또는 레늄의 함량은 합금의 가소성 및 전자방출능력이 저하되지 않는 한도내에서 선택되는데, 그 함량이 0.5중량미만이면 합금의 융점이 저하되어 음극의 고온작동이 곤란하고 함량이 15.0중량를 초과하면 음극의 전자방출능력 및 가소성이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 본 발명의 음극 합금은 하프늄 0.5 내지 10중량를 포함한다.
러시아 연방 특허 제2052855호의 발명자는 하프늄을 합금에 포함시키면 합금의 전자방출성질이 저하한다고 생각하여 이를 합금에 포함시키지 않았다. 그러나, 전자방출성질의 저하는 하프늄을 과량으로 포함시키므로써 전자방출성분이 감소하여 발생하는 것이다. 따라서, 합금에 함유되는 하프늄을 본 발명에 따른 함량으로 포함시키면 전자방출성질 및 기계적 성질을 모두 향상시킬 수 있다. 하프늄의 함량이 0.5중량미만이면 일함수 및 작동온도가 증가하여 음극의 수명 개선 효과가 미미하고 합금의 깨짐성(brittleness)도 증가하며, 함량이 10중량를 초과하면 상대적으로 이리듐의 함량이 감소하므로써 합금의 전자방출특성이 저하되며 합금의 융점 또한 낮아진다. 하프늄의 함량은 2 내지 5중량인 것이 바람직하다.
이하에서는, 본 발명에 따른 4원합금의 제조방법을 예를 들어 상세히 설명한다.
먼저, 챔버내의 불순한 가스를 제거하기 위해 잉고트(ingot)의 융해전 게터링(gettering)을 실시한다. 이어서, 이리듐과 세륨을 아르곤 아크로(argon-arc furnace)에서 융해시켜 Ir5Ce을 형성한다. 이 때, 이리듐과 세륨의 비중차이가 상당히 커서 금속간 화합물을 형성하기 어려우므로 가열도중 용융체를 몇번씩 뒤집어서 양 금속이 잘 반응하도록 한다. 그런 다음, 하프늄과 텅스텐을 융해시켜 Hf3W을 형성한다. 이어서, 상기 제조된 Ir5Ce와 Hf3W의 합금을 함께 융해시킨다. 이 때 금속의 융해과정 도중 2 ~ 3회 게터링(gettering)을 더 실시할 수 있다. 이와 같이 4원합금의 각 구성요소를 함께 융해시키지 않고 상기와 같이 각각의 이원합금을 제조한 후 이들을 다시 혼합융해시키는 이유는 본 발명에 따른 4원합금의 화학적 및 미세구조적 균일성을 향상시키기 위해서이다.
상기 4원합금의 혼합융해 과정을 마친 잉고트는 그 내부에 잔류가스나 CeO가 존재할 가능성이 많으므로, 둥근 보트모양의 바닥면을 갖는 아크로 벽면에 잉고트를 비스듬이 세운 다음, 아크방전을 잉고트의 모서리에 실시한다. 이 과정에서 잉고트는 부분적으로 융해되면서 그 융해액이 아크로 중앙으로 흘러내리게 되는데, 이 때, 잉고트 내부의 가스와 CeO가 제거된다.
이어서, 가스 등이 제거된 잉고트를 재융해시킨 후, 크랙(crack)이 발생하지 않도록 천천히 냉각하여 잉고트 내부의 그레인 크기를 조절하므로써 전자방출능력을 향상시킨 잉고트를 제조한다.
본 발명은 하기의 실시예를 참고로 더욱 상세히 설명되며, 이 실시예가 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.
합금의 상분석
슈퍼프로브 733(Superprobe 733) 장치를 사용하여 세륨 6중량, 텅스텐 2중량, 하프늄 6중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금의 주사전자현미경 사진을 얻었고, 엑스선 스펙트럼의 라인분석을 위하여 상기 사진의 합금 중앙부(도 1a-도1d의 흰선)를 직경 2㎛의 전자빔으로 주사하여 각 금속의 농도 프로파일을 얻은 후, 상기 합금 표면의 라인위치에 따른 각 금속의 농도를 비교하기 쉽도록 사진 위에 도시하였다.
도 1a-1d를 참조하면, 상기 주사전자현미경 사진으로부터 본 발명의 4원합금이 '그레이 페이스'와 '화이트 페이스'로 이루어진 것을 알 수 있다. 도 1b 및 도1c의 농도 프로파일을 참조하면, 합금의 '그레이 페이스'에는 텅스텐 및 하프늄이 거의 존재하지 않는다는 것을 알 수 있으며, 도1a의 세륨 농도 프로파일을 참조하면, 합금의 '화이트 페이스'에는 세륨이 거의 존재하지 않는다는 것을 알 수 있다. 실제로, 합금의 각각의 상에 존재하는 금속의 함량을 정량분석한 결과, '그레이 페이스'는 세륨 16.155중량, 이리듐 83.280중량, 텅스텐 0.000중량및 하프늄 0.259중량로 구성되어 있는 것으로 나타났는데, 이 결과로부터 '그레이 페이스'는세륨 및 이리듐의 2가지 주된 금속에 의해 형성된 상이라는 것을 알 수 있다. 또한, '화이트 페이스'는 세륨 0.118중량, 텅스텐 6.851중량, 하프늄 15.534중량및 이리듐 77.497중량로 구성되어 있는 것으로 나타났는데, 이 결과로부터 '화이트 페이스'는 세륨이 거의 존재하지 않으며 텅스텐, 하프늄 및 이리듐의 3가지 금속에 의해 형성된 상이라는 것을 알 수 있다.
실시예 1
먼저, 잉고트(ingot)의 융해전에 챔버에 대해 게터링(gettering)을 실시하였다. 이어서, 아르곤 아크로(argon-arc furnace)에서 세륨 9g을 텅스텐 전극을 통하여 120A의 전류로 융해시킨 후, 이리듐 80.5g을 180A의 전류로 융해시켜 Ir3Ce을 형성하였다. 이 때, 가열 도중 용융체를 몇번씩 뒤집어서 양 금속이 잘 반응하도록 하였다. 그런 다음, 하프늄 10g과 텅스텐 0.5g을 아크로에서 융해시켜 Hf5W의 합금을 형성하였다. 이어서, 상기 제조된 Ir5Ce와 Hf3W의 합금을 함께 융해시켰다. 이 때, 가열 도중 용융체를 몇번씩 뒤집어서 4가지 금속이 서로 잘 반응하도록 하였다.
이렇게 얻은 상기 4원합금 잉고트를 둥근 보트 모양의 바닥면을 갖는 아크로 벽면에 비스듬이 세운 다음, 아크방전을 잉고트의 모서리부터 실시하여 융해시켜 가스 등을 제거하였다. 이어서, 가스 등이 제거된 상기 잉고트를 재융해시킨 다음, 크랙(crack)이 발생하지 않도록 천천히 냉각하여 세륨 9.0중량, 텅스텐 0.5중량, 하프늄 10중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조하였다.
이어서, 상기 4원합금을 이용하여 에미터를 제조하였다.
실시예 2
세륨 6.0g, 텅스텐 2.0g, 하프늄 6.0g 및 86g의 이리듐을 사용하여 세륨 6.0중량, 텅스텐 2.0중량, 하프늄 6.0중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
실시예 3
세륨 5.0g, 텅스텐 5.0g, 하프늄 5.0g 및 85g의 이리듐을 사용하여 세륨 5.0중량, 텅스텐 5.0중량, 하프늄 5.0중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
실시예 4
세륨 5.0g, 텅스텐 10.0g, 하프늄 5.0g 및 80g의 이리듐을 사용하여 세륨 5.0중량, 텅스텐 10.0중량, 하프늄 5.0중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
실시예 5
세륨 6g, 텅스텐 5g, 하프늄 3g 및 86g의 이리듐을 사용하여 세륨 6중량, 텅스텐 5중량, 하프늄 3중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
실시예 6
세륨 0.5g, 텅스텐 15.0g, 하프늄 0.5g 및 84g의 이리듐을 사용하여 세륨 0.5중량, 텅스텐 15.0중량, 하프늄 0.5중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
비교예 1
세륨 5.0중량, 텅스텐 5.0중량및 나머지량의 이리듐을 아르곤 아크로(argon-arc furnace)내에서 융해시킨 후 냉각하여 3원합금을 제조하였다.
이어서, 상기 3원합금을 이용하여 에미터를 제조하였다.
비교예 2
세륨 10.0g, 텅스텐 0.4g, 하프늄 11g 및 78.6g의 이리듐을 사용하여 세륨 10.0중량, 텅스텐 0.4중량, 하프늄 11중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
비교예 3
세륨 5.0g, 텅스텐 20.0g, 하프늄 5.0g 및 70.0g의 이리듐을 사용하여 세륨 5.0중량, 텅스텐 20.0중량, 하프늄 5.0중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
비교예 4
세륨 0.4g, 텅스텐 10.0g, 하프늄 5.0g 및 84.6g의 이리듐을 사용하여 세륨 0.4중량, 텅스텐 10.0중량, 하프늄 5.0중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
비교예 5
세륨 5.0g, 텅스텐 10.0g, 하프늄 0.4g 및 84.6g의 이리듐을 사용하여 세륨 5.0중량, 텅스텐 10.0중량, 하프늄 0.4중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
비교예 6
세륨 5.0g, 텅스텐 10.0g, 하프늄 11.0g 및 74.0g의 이리듐을 사용하여 세륨 5.0중량, 텅스텐 10.0중량, 하프늄 11.0중량및 나머지량의 이리듐으로 이루어진 4원합금을 제조한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 에미터를 제조하였다.
상기 실시예 1-6 및 비교예 1-6에 따라 제조된 에미터를 전자방출전류 수신용 양극을 구비한 진공 유리 실린더인 실험용 진공관에 넣어 에미터에서 방출되는 전류밀도 및 일함수를 측정하여 다음의 표 1에 나타내었다. 여기서, 에미터의 온도는 OPPIR-17형 광학 고온계로 실린더의 유리를 통해 광학적으로 측정하였다. 방출전류밀도가 5A/㎠일 때의 온도를 작동온도로 간주하였으며, 합금의 일함수는 온도에 대한 전류밀도 기울기로부터 측정하였다.
| 구분 | 합금의 조성 | 일함수(eV) | 작동온도(℃) | |||
| 세륨(중량) | 텅스텐(중량) | 하프늄(중량) | 이리듐(중량) | |||
| 실시예 1 | 9.0 | 0.5 | 10 | 나머지량 | 2.57 | 1440 |
| 실시예 2 | 6.0 | 2.0 | 6.0 | 나머지량 | 2.52 | 1410 |
| 실시예 3 | 5.0 | 5.0 | 5.0 | 나머지량 | 2.51 | 1400 |
| 실시예 4 | 5.0 | 10.0 | 5.0 | 나머지량 | 2.53 | 1420 |
| 실시예 5 | 6.0 | 5.0 | 3.0 | 나머지량 | 2.50 | 1400 |
| 실시예 6 | 0.5 | 15.0 | 0.5 | 나머지량 | 2.58 | 1450 |
| 비교예 1 | 5.0 | 5.0 | 0 | 나머지량 | 2.60 | 1500 |
| 비교예 2 | 10.0 | 0.4 | 11 | 나머지량 | 2.59 | 1450 |
| 비교예 3 | 5.0 | 20.0 | 5.0 | 나머지량 | 2.61 | 1500 |
| 비교예 4 | 0.4 | 10.0 | 5.0 | 나머지량 | 2.61 | 1500 |
| 비교예 5 | 5.0 | 10.0 | 0.4 | 나머지량 | 2.61 | 1480 |
| 비교예 6 | 5.0 | 10.0 | 11.0 | 나머지량 | 2.63 | 1560 |
상기 표 1로부터, 본 발명의 함량을 갖는 합금을 음극물질로서 구비한 실시예 1 내지 실시예 6의 에미터는 높은 전자방출특성을 유지하면서도 작동온도가 1450℃ 이하로서 비교예 1 내지 비교예 6의 경우에 비하여 상당히 낮다는 것을 알 수 있었다. 특히, 실시예 1 내지 실시예 6의 작동온도는 세륨, 텅스텐 및 이리듐으로 구성된 비교예 1의 3원합금보다 50 ~ 100℃가 낮게 나타났다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 4원합금 중의 하프늄의 함량이 0중량(비교예 1)일 때 에미터의 작동온도는 1500℃에 이르나, 하프늄의 함량이 증가함에 따라(실시예 6 및 실시예 5)에미터의 작동온도가 급격히 감소하는 것을 알 수 있다. 이것은 하프늄의 함량이 증가함에 따라 합금 표면으로의 세륨의 확산속도가 증가하기 때문인 것으로 생각된다. 한편, 하프늄의 함량이 3를 넘어서면 에미터의 작동온도는 서서히 증가하기 시작하고(실시예 4), 하프늄의 함량이 10중량를 초과하면 작동온도가 1450℃ 이상이 되어 에미터의 수명이 점점 짧아지게 된다.
특정 온도에서 에미터의 수명은 에미터에 구비된 전자방출물질 표면으로부터세륨그룹 희토류 금속의 증발속도에 의해 결정되는데, 에미터의 동작온도가 낮으면 세륨그룹 희토류 금속의 증발속도가 낮아지므로 에미터의 수명은 길어진다(도 3 참조). 따라서, 동일한 전류밀도가 방출될 때 본 발명의 4원합금을 구비한 에미터의 수명이 3원합금의 수명보다 길다는 것을 알 수 있다.
세륨그룹 희토류 금속의 증발속도는 하기 수학식 1에 따라 계산될 수 있고, 에미터의 수명은 수학식 2에 따라 계산될 수 있는데, 이에 따라 계산된 본 발명의 함량을 갖는 0.6mm ×0.6mm ×0.2mm 크기로 제작한 4원합금을 구비한 에미터의 수명은 15000 ~ 20000시간으로 나타났다. 이러한 수치는 전자빔 장치, 특히 음극선관에서 요구되고 있는 에미터의 수명수치를 만족시키고 있다.
<수학식 1>
= 0exp(-Ug/kT)
상기 수학식 1에서,은 세륨원자의 증발속도이고, 0는 증발계수이고, Ug는 합금 표면으로부터의 세륨그룹 희토류 금속원자의 탈착에너지이고, k는 볼쯔만 상수이고, T는 절대온도임.
<수학식 2>
t = m/( s)
상기 수학식 2에서, t는 에미터의 수명을 나타내고, m은 에미터 내의 세륨그룹 희토류 금속의 질량을 나타내고 s는 에미터의 면적을 나타냄.
이상에서 살펴 본 바와 같이, 본 발명에 따른 4원합금은 가소성이 우수하여 작은 크기의 에미터를 제조하기 용이할 뿐만 아니라 전자방출능력이 크며, 작동온도가 낮아 장수명을 가지므로 전자빔 장치의 음극 물질로 유용하다.
Claims (6)
- 세륨그룹의 희토류 금속 0.5 내지 9.0중량, 텅스텐 및/또는 레늄 0.5 내지 15.0중량, 하프늄 0.5 내지 10중량및 나머지량의 이리듐을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 장치의 음극용 물질.
- 제1항에 있어서, 상기 세륨그룹의 희토류 금속은 란타늄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴 및 사마륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느하나 이상임을 특징으로 하는 전자빔 장치의 음극용 물질.
- 제1항에 있어서, 상기 하프늄의 함량이 2 내지 5중량인 것을 특징으로 하는 전자빔 장치의 음극용 물질.
- 제1항에 있어서, 상기 음극용 물질은 실질적으로 세륨 및 이리듐으로 이루어진 그레이 페이스와 실질적으로 텅스텐, 하프늄 및 이리듐으로 이루어진 화이트 페이스의 더블 페이스로 구성된 것을 특징으로 하는 전자빔 장치의 음극용 물질.
- a) 이리듐과 세륨을 융해시켜 Ir5Ce을 형성하는 단계;b) 하프늄과 텅스텐을 융해시켜 Hf3W을 형성하는 단계; 및c) 상기 제조된 Ir5Ce와 Hf3W의 합금을 함께 융해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항의 음극용 물질의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제조방법은 d) 상기 c)단계로부터 제조된 잉고트를 재융해시킨 다음 크랙(crack)이 발생하지 않도록 천천히 냉각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항의 음극용 물질의 제조방법.
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
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Payment date: 20060927 Year of fee payment: 6 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |