KR100312287B1 - 메탄설폰산을함유하는주석-납합금도금박리조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 동 또는 동 도금 합금 소재 및 철-니켈 합금 소재 상의 주석-납 합금 도금된 부분을 박리하는 박리 조성물에 관한 것으로, 메탄설폰산 10 내지 400g/ℓ, 전도성염 10 내지 200g/ℓ, 안정제 0.01 내지 30g/ℓ 및 계면활성제 0.01 내지 3g/ℓ를 함유하는 본 발명의 전해 주석-납 합금 도금 박리 조성물은 기존의 박리제 보다 수명이 훨씬 길고, 상기 조성물을 이용하여 주석-납 도금을 박리하면 소재 침식이 거의 없이 안정적이고 지속적으로 박리시킬 수 있으며, 깨끗한 표면을 얻을 수 있다.

Description

메탄설폰산을 함유하는 주석-납 합금 도금 박리 조성물{PEELING COMPOSITION CONTAINING METHANESULFONIC ACID FOR TIN-LEAD ALLOY PLATING}
본 발명은 동 또는 동 도금 합금 소재 및 철-니켈 합금 소재 상의 주석-납 도금된 부분을 박리하는 전해 박리 조성물에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 리드프레임, 인쇄회로기판 및 커넥터와 같은 전자 장치의 재료로 사용되는 동 또는 동 도금 합금 소재 및 철-니켈 합금 소재 상에는 내식성 및 납땜성을 얻기 위해 은도금 후, 주석-납 합금 도금을 많이 한다.
주석-납 합금 도금하는 과정에서 불량이 발생한 경우, 박리제를 이용하여 주석-납 합금 도금 부분을 박리하여 재활용할 수 있다. 따라서, 박리시 소재 손상이 없어야 하며, 박리시킨 후 수세한 다음 다시 주석-납 합금 도금할 때 박리제의 잔여물이 여기에 영향을 미쳐서는 안된다.
지금까지는 주석-납 합금 도금 층을 침적(dipping)으로 박리하는 박리제가 많이 사용되고 있다. 그러나, 박리되는데 소요되는 시간이 길고, 용액의 수명이 짧아 생산 효율이 저하되고, 특정 유해성분인 납성분이 많이 배출되어 환경오염을야기시키는 등의 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 문제를 극복하여 소재의 침식이 거의 없고, 추후의 주석-납 도금에 영향을 주지 않으며, 용액의 수명이 길고 안정적이며, 짧은 시간 동안 효율적으로 동 또는 동 합금 소재 및 철-니켈 합금 소재상의 주석-납 합금 도금을 박리시킬 수 있는 산성 전해 주석-납 도금 박리 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 메탄설폰산 10 내지 400g/ℓ, 전도성염 10 내지 200g/ℓ, 안정제 0.01 내지 30g/ℓ 및 계면활성제 0.01 내지 3g/ℓ를 함유하는 전해 주석-납 합금 도금 박리 조성물을 제공한다.
이하 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 주석-납 도금 박리 조성물은 동 또는 동합금 소재 및 철-니켈 합금 소재로 된, 반도체 리드프레임, 인쇄회로 기판, 커넥터 등의 전자장치에 사용할 수 있다. 또한, 릴투릴(reel to reel) 장비에 사용하기 적합하다.
본 발명의 주석-납 도금 박리 조성물에 사용되는 메탄설폰산은 10 내지 400g/ℓ, 바람직하게는 20 내지 200g/ℓ의 농도로 사용된다.
본 발명의 주석-납 도금 박리 조성물에 사용할 수 있는 전도성염의 공급원으로는 주로 황산 계열, 설폰산 계열, 아세트산 계열, 옥살산 계열 등의 염 또는 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 아세트산나트륨, 황산나트륨, 티오황산나트륨, 옥살산나트륨 또는 이들의 혼합물이 바람직하다. 상기 전도성염은 10 내지 200g/ℓ, 바람직하게는 20 내지 150g/ℓ의 농도로 사용된다.
본 발명의 주석-납 도금 박리 조성물에 사용할 수 있는 안정제로는 주로 카르복실산 계열, 아민 계열, 이민 계열, 아미드 계열, 알콜 계열 등의 염 또는 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 글리세린, 글리신, 트리에탄올아민, 폴리이민, 티오아세트아미드, 이소프로필알콜 또는 이들의 혼합물이 바람직하다. 상기 안정제는 0.01 내지 30g/ℓ, 바람직하게는 0.05 내지 25g/ℓ의 농도로 사용된다.
본 발명의 주석-납 도금 박리 조성물에 사용할 수 있는 계면활성제로는 설폰산 계열, 에톡실 계열, 에테르 계열 또는 이들의 혼합물을 들 수 있으며, 트리에탄올아민라우릴설페이트, 베타-나프톨에톡실레이트, 폴리에틸렌모노세틸에테르, 폴리에틸렌글리콜모노라우릴에테르 또는 이들의 혼합물이 바람직하다. 상기 계면활성제는 0.01 내지 3g/ℓ, 바람직하게는 0.05 내지 2g/ℓ의 농도로 사용된다.
상기 메탄설폰산, 전도성염, 안정제 및 계면활성제를 증류수에 순차적으로 용해시켜 본 발명의 주석-납 합금 도금 박리 조성물을 제조한다.
본 발명에 사용되는 산성 전해 주석-납 도금 박리 조성물에, 양극(+)으로서의 주석-납 합금 도금된 소재, 및 음극(-)으로서의 스텐레스 스틸 망 또는 판을 담그고, 전류를 통해주어 주석-납 합금 도금이 박리되도록 한다. 이때, 온도는 18내지 40℃, 음극전류밀도는 5 내지 10A/dm2가 바람직하다.
본 발명의 산성 전해 주석-납 합금 도금 박리 조성물은 다음과 같은 특징을 지닌다:
(1) 소재에 침식을 전혀 주지 않으면서 동 또는 동 합금 소재 및 철-니켈 합금 소재 상의 주석-납 합금 도금된 부위를 전해에 의해 박리시킬 수 있다;
(2) 용액이 매우 안정적이고, 주석-납 용해량이 높으며, 박리 슬러지(sludge)가 거의 생성되지 않는다;
(3) 균일한 액성 및 박리속도가 유지되고, 용액 수명이 길며 전도성 염의 소모량이 균일하다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단 본 발명의 범위가 하기 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
하기 성분들을 순차적으로 증류수에 용해시켜, 산성 전해 주석-납 합금 도금 박리 조성물을 제조하였다.
메탄설폰산 150 g/ℓ
황산나트륨 50 g/ℓ
질산나트륨 15 g/ℓ
글리세린 5 g/ℓ
에탄올아민 1 g/ℓ
폴리에틸렌글리콜모노라우릴에테르 0.05 g/ℓ
상기 제조한 산성 전해 주석-납 도금 박리 조성물을 이용하여 온도 25℃ 및 음극전류밀도 7 A/dm2의 조건에서 소재를 박리시켰다. 그 결과, 소재 표면이 균일하고 깨끗한 박리효과를 나타내었다.
실시예 2
하기 성분들을 순차적으로 증류수에 용해시켜, 산성 전해 주석-납 합금 도금 박리 조성물을 제조하였다.
메탄설폰산 120 g/ℓ
아세트산나트륨 25 g/ℓ
설파민산 45 g/ℓ
글리신 3 g/ℓ
티오아세트아미드 0.02 g/ℓ
트리에탄올아민라우릴살페이트 0.1 g/ℓ
상기 제조한 산성 전해 주석-납 도금 박리 조성물을 이용하여 온도 25℃ 및 음극전류밀도 7 A/dm2의 조건에서 소재를 박리시켰다. 그 결과, 소재 표면이 균일하고 깨끗한 박리효과를 나타내었다.
실시예 3
하기 성분들을 순차적으로 증류수에 용해시켜, 산성 전해 주석-납 합금 도금 박리 조성물을 제조하였다.
메탄설폰산 180 g/ℓ
옥살산나트륨 25 g/ℓ
질산칼륨 25 g/ℓ
폴리이민 0.5 g/ℓ
에탄올아민 1 g/ℓ
베타-나프톨에톡실레이트 0.03 g/ℓ
상기 제조한 산성 전해 주석-납 도금 박리 조성물을 이용하여 온도 25℃ 및 음극전류밀도 7 A/dm2의 조건에서 소재를 박리시켰다. 그 결과, 소재 표면이 균일하고 깨끗한 박리효과를 나타내었다.
본 발명에서와 같이 메탄설폰산, 전도성염, 안정제 및 계면활성제를 함유하는 본 발명의 주석-납 합금 도금 박리 조성물을 이용하여 주석-납 합금 도금을 박리하면 소재 침식이 거의 없이 안정적이고 지속적으로 박리시킬 수 있으며, 깨끗한 표면을 얻을 수 있다.

Claims (6)

  1. 메탄설폰산 10 내지 400g/ℓ, 아세트산나트륨, 황산나트륨, 티오황산나트륨, 옥살산나트륨 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 전도성염 10 내지 200g/ℓ, 안정제 0.01 내지 30g/ℓ, 및 계면활성제 0.01 내지 3g/ℓ를 함유하며, 온도 18 내지 40℃, 음극전류밀도 5 내지 10 A/dm2에서 주석-납 합금 도금을 박리하기 위한 도금 박리 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 안정제가 글리세린, 글리신, 트리에탄올아민, 폴리이민, 티오아세트아미드, 이소프로필알콜 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 계면활성제가 트리에탄올아민라우릴설페이트, 베타-나프톨에톡실레이트, 폴리에틸렌모노세틸에테르, 폴리에틸렌글리콜모노라우릴에테르 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제 1 항의 조성물에, 양극(+)으로서의 주석-납 합금 도금된 소재 및 음극(-)으로서의 스텐레스 스틸 망 또는 판을 담그고, 온도 18 내지 40℃, 음극전류밀도 5 내지10 A/cm2로 전류를 통해주어 주석-납 합금 도금이 박리되도록 하는 단계를 포함하는, 동 또는 동 도금합금 소재 또는 철-니켈 합금 소재상의 주석-납 합금 도금의 박리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 동 또는 동 도금합금 소재 또는 철-니켈 합금 소재가 반도체 리드프레임, 커넥터 또는 인쇄회로기판인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    릴투릴(reel to reel) 장비를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101956220A (zh) * 2010-11-02 2011-01-26 济南德锡科技有限公司 一种电镀前处理除油剂组合物及其制备和使用方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990033791A (ko) * 1997-10-27 1999-05-15 문성수 유기산을 함유하는 약산성 전해 은도금 박리 조성물 및 이를 이용한 박리 공정

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990033791A (ko) * 1997-10-27 1999-05-15 문성수 유기산을 함유하는 약산성 전해 은도금 박리 조성물 및 이를 이용한 박리 공정

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101956220A (zh) * 2010-11-02 2011-01-26 济南德锡科技有限公司 一种电镀前处理除油剂组合物及其制备和使用方法

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