KR100308155B1 - 액정표시소자및그제조방법 - Google Patents
액정표시소자및그제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100308155B1 KR100308155B1 KR1019970013349A KR19970013349A KR100308155B1 KR 100308155 B1 KR100308155 B1 KR 100308155B1 KR 1019970013349 A KR1019970013349 A KR 1019970013349A KR 19970013349 A KR19970013349 A KR 19970013349A KR 100308155 B1 KR100308155 B1 KR 100308155B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- semiconductor layer
- wiring
- data
- metal layer
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 98
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 158
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 241000270730 Alligator mississippiensis Species 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- -1 or the like Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
Claims (38)
- 기판 위에 제1금속을 적층하고 에칭하여 게이트전극 및 게이트배선을 형성하는 단계와;상기한 게이트전극 위에 절연막을 형성하는 단계와;반도체층을 형성하는 단계와;제2금속을 적층하고 에칭하여 상기한 반도체층 위에 소스/드레인전극과 데이터배선을 형성하고 게이트배선 위에 금속층을 형성하는 단계와;상기한 기판 전체에 걸쳐서 보호막을 형성하는 단계와;상기한 보호막 위에 화소전극을 형성하는 단계로 구성된 액정표시소자.
- 제1항에 있어서, 상기한 게이트전극, 게이트배선, 소스/드레인전극, 데이터배선이 동일한 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 반도체층을 형성하는 단계가,상기한 기판 전체에 비정질실리콘을 적층하는 단계와;상기한 비정질실리콘을 에칭하여 전체 게이트배선 및 데이터배선을 따라 반도체층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 반도체층을 형성하는 단계가,상기한 기판 전체에 비정질실리콘을 적층하는 단계와;상기한 비정질실리콘을 에칭하여 게이트배선의 일부분 및 전체 데이터배선을 따라 반도체층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 반도체층을 형성하는 단계가,상기한 기판 전체에 비정질실리콘을 적층하는 단계와;상기한 비정질실리콘을 에칭하여 게이트배선 및 데이터배선의 교차부분에 반도체층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 금속층의 일부분이 반도체층과 겹치는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기한 게이트배선 위의 반도체층을 에칭하여 금속층과 소스/드레인전극 사이 및 금속층과 데이터배선 사이로 전류가 흐르는 것을 방지하는 단계가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기한 금속층, 반도체층, 보호막이 한꺼번에 에칭되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 화소영역, 게이트패드영역, 데이터패드영역으로 구성된 기판을 제공하는 단계와;제1금속을 적층하고 에칭하여 화소영역에 게이트전극과 게이트배선을 형성하고 게이트패드영역에 게이트패드를 형성하는 단계와;상기한 화소영역의 게이트전극 위에 게이트절연막을 적층하는 단계와;상기한 화소영역에에 반도체층을 형성하는 단계와;제2금속을 적층하고 에칭하여 화소영역에 소스/드레인전극과 데이터배선을 형성하고, 화소영역의 게이트배선 및 게이트 전극 위와 게이트패드영역에 제1금속층을 형성하며, 데이터패드영역에 데이터패드를 형성하는 단계와;상기한 기판 전체에 걸쳐 홀을 가진 보호막을 형성하는 단계와;상기한 보호막 위의 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계와;상기한 게이트패드영역 및 데이터패드영역에 제2금속층 형성하는 단계로 구성된 액정표시소자 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기한 게이트전극, 게이트배선, 데이터전극, 데이터배선, 게이트패드, 데이터패드가 동일 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제9항에 있어서, 상기한 반도체층을 형성하는 단계가,상기한 기판 전체에 비정질실리콘을 적층하는 단계와;상기한 비정질실리콘을 에칭하여 전체 게이트배선 및 데이터배선을 따라 반도체층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기한 반도체층을 형성하는 단계가,상기한 기판 전체에 비정질실리콘을 적층하는 단계와;상기한 비정질실리콘을 에칭하여 게이트배선의 일부분 및 전체 데이터배선을 따라 반도체층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기한 반도체층을 형성하는 단계가,상기한 기판 전체에 비정질실리콘을 적층하는 단계와;상기한 비정질실리콘을 에칭하여 게이트배선 및 데이터배선의 교차부분에 반도체층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기한 제1금속층이 반도체층의 일부분과 겹치는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기한 게이트배선 위의 반도체층을 에칭하여 제1금속층과 소스/드레인전극 사이 및 제1금속층과 데이터배선 사이로 전류가 흐르는 것을 방지하는 단계가 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제15항에 있어서, 상기한 제1금속층, 반도체층, 보호막이 한꺼번에 에칭되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기한 화소전극과 제2금속층이 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제17항에 있어서, 상기한 제2금속층이 ITO(indium tin oxide)인 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 기판과;상기한 기판 위에 형성된 게이트배선 및 게이트전극과;상기한 게이트전극 위에 형성된 절연막과;상기한 절연막과 게이트배선의 일부 영역 및 기판 위에 적층된 반도체층과;상기한 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극 및 데이터배선과;상기한 게이트배선을 따라 형성된 금속층과;상기한 기판 전체에 걸쳐서 적층된 보호막과;상기한 보호막 위에 형성된 화소전극으로 구성된 액정표시소자.
- 제19항에 있어서, 상기한 게이트전극, 게이트배선, 소스/드레인전극, 데이터배선이 동일 금속인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제19항에 있어서, 상기한 금속층이 소스/드레인전극 및 데이터배선과 동일 금속인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제19항에 있어서, 상기한 반도체층이 전체 게이트배선 및 데이터배선을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제19항에 있어서, 상기한 반도체층이 게이트배선의 일부분 및 전체 데이터배선을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제19항에 있어서, 상기한 반도체층이 게이트배선 및 데이터배선의 교차부분에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제19항에 있어서, 상기한 금속층의 일부분이 반도체층과 겹치는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제25항에 있어서, 상기한 반도체층에 형성되어 금속층과 소스/드레인전극 사이 및 금속층과 데이터배선 사이의 누설전류를 방지하는 복수의 홀이 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 화소영역, 게이트패드영역, 데이터패드영역으로 구성된 기판과;상기한 기판의 화소영역에 형성된 게이트배선 및 게이트전극과 게이트패드영역에 형성된 게이트패드와;상기한 게이트전극 위에 형성된 절연막과;상기한 화소영역에 적층된 반도체층과;상기한 화소영역의 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극 및 데이터배선과 데이터패드영역에 형성된 데이터패드와;상기한 게이트배선의 일부분과 게이트패드영역의 게이트패드 위에 형성된 제1금속층과;상기한 기판 전체에 걸쳐서 적층되며, 화소영역, 게이트패드영역, 데이터패드영역에 각각 컨택홀이 형성된 보호막과;상기한 화소영역의 보호막 위에 형성된 화소전극과;상기한 게이트패드영역 및 데이터패드영역에 형성된 제2금속층으로 구성된 액정표시소자.
- 제27항에 있어서, 상기한 게이트전극, 게이트배선, 소스/드레인전극, 데이터배선, 게이트패드, 게이터패드가 동일 금속인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제27항에 있어서, 상기한 제1금속층이 소스/드레인전극 및 데이터배선과 동일 금속인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제27항에 있어서, 상기한 반도체층이 전체 게이트배선 및 데이터배선을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기한 반도체층이 게이트배선의 일부분 및 전체 데이터배선을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기한 반도체층이 게이트배선 및 데이터배선의 교차부분에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제27항에 있어서, 상기한 제1금속층의 일부분이 반도체층과 겹치는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제33항에 있어서, 상기한 반도체층에 형성되어 제1금속층과 소스/드레인 전극 사이 및 제1금속층과 데이터배선 사이의 누설전류를 방지하는 복수의 홀을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 기판과;상기한 기판 위에 종횡으로 배열된 동일 금속의 게이트배선 및 데이터 배선과;상기한 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 배치된 박막트랜지스터와;상기한 게이트배선 및 데이터배선과 동일 금속으로 게이트배선 위에 형성된 금속층으로 구성된 액정표시소자.
- 제35항에 있어서, 상기한 박막트랜지스터가,게이트배선에 접속된 게이트전극과;상기한 게이트전극 위에 적층된 게이트절연막과;상기한 게이트절연막 위에 적층된 반도체층과;상기한 반도체층 위에 형성된 소스/드레인전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제36항에 있어서, 상기한 반도체층이 게이트배선 및 데이터배선을 따라 적층된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
- 제37항에 있어서, 상기한 게이트배선 위의 반도체층에 형성되어 금속층과 소스/드레인전극 사이 및 금속층과 데이터배선 사이의 누설전류를 방지하는 복수의 홀을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970013349A KR100308155B1 (ko) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 액정표시소자및그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970013349A KR100308155B1 (ko) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 액정표시소자및그제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980076580A KR19980076580A (ko) | 1998-11-16 |
KR100308155B1 true KR100308155B1 (ko) | 2002-07-18 |
Family
ID=37530522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970013349A KR100308155B1 (ko) | 1997-04-11 | 1997-04-11 | 액정표시소자및그제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100308155B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100710142B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 저저항 배선 액정표시장치 |
KR100711756B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-04-30 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01185522A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-25 | Toshiba Corp | 表示装置駆動用基板 |
-
1997
- 1997-04-11 KR KR1019970013349A patent/KR100308155B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01185522A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-25 | Toshiba Corp | 表示装置駆動用基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980076580A (ko) | 1998-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100241287B1 (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
US5874326A (en) | Method for fabricating thin film transistor | |
JP2001264804A (ja) | 液晶表示装置およびその作製方法 | |
KR20040024666A (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조방법 | |
JPS6045219A (ja) | アクテイブマトリクス型表示装置 | |
US20200348784A1 (en) | Touch display substrate, method of manufacturing the same and display device | |
JP2006114907A (ja) | 薄膜保護膜及びこれを有する表示基板 | |
JPH0843860A (ja) | 低電圧駆動アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイにおける電気的に分離されたピクセル・エレメント | |
JP2001117115A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP3251401B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100720445B1 (ko) | 액정표시소자의 콘택 배선 및 그 형성방법 | |
US20050001943A1 (en) | Thin film array panel | |
KR20140142064A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
KR100308155B1 (ko) | 액정표시소자및그제조방법 | |
US6757033B2 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
US11221532B2 (en) | Display substrate, method of manufacturing the same, display panel and display device | |
KR20080012448A (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
US6927832B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
KR100202224B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR100499570B1 (ko) | 액정표시장치의 입력배선 형성방법 | |
KR100394027B1 (ko) | 저저항 배선을 갖는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법 | |
KR100203382B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이기판 및 그 제조방법 | |
KR101340992B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100256045B1 (ko) | 단선방지용금속층을가진액정표시소자및금속층을이용한액정표시소자의단선방지방법 | |
KR100205258B1 (ko) | 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이기판 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19991207 Effective date: 20010430 Free format text: TRIAL NUMBER: 1999101004460; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 19991207 Effective date: 20010430 |
|
S901 | Examination by remand of revocation | ||
GRNO | Decision to grant (after opposition) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130619 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150728 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160712 Year of fee payment: 16 |
|
EXPY | Expiration of term |