KR100297648B1 - 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템 - Google Patents

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    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

Abstract

본 발명은 반도체장치 제조설비의 각 부품에 증착되는 폴리머 또는 오염된 애노다이징 코팅막을 불산에테르를 이용하여 용이하게 제거하도록 하는 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템(30)은, 대상물품(P)이 투입되는 세정챔버(32)의 일측에 연통 연결된 연결관(H)을 통해 기화된 불산에테르를 공급하도록 설치되는 증류조(40)와; 상기 증류조(40)와 상기 세정챔버(32) 각각에 대하여 냉각된 불산에테르를 각각 제 1 공급관(L1)과 제 2 공급관(L2)을 통해 공급하는 냉각조(44)와; 상기 세정챔버(32)의 하부에 배관으로 연결되어 배출되는 불산에테르를 수용하고, 이것을 다시 제 3 공급관(L3)을 통해 상기 냉각조(44)로 유도 유동시키는 배수조(48); 및 상기 냉각조(44)에 수용되는 불산에테르를 소정 온도 상태로 냉각시키는 냉동기(52);를 포함하는 구성으로 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면, 세정이 요구되는 대상물품의 오염 정도에 대응하여 불산에테르를 기화시켜 공급함으로써 세정토록 하거나 대상물품을 불산에테르에 투입하여 버블시키는 과정에서 세정토록 하는 방법 중 효과적인 방법을 선택하여 수행할 수 있고, 사용되는 불산에테르의 순도를 유지하며, 계속적으로 순환시킴으로써 불산에테르의 손실이 절감되는 효과가 있다.

Description

반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템 { part cleaning system of semiconductor device manufacturing equipment }
본 발명은 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체장치 제조설비의 각 부품에 증착되는 폴리머 또는 오염된 애노다이징 코팅막을 불산에테르를 이용하여 용이하게 제거하도록 하는 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속증착 등의 공정을 반복 수행함으로써 반도체장치로 제작되고, 이들 반도체장치 제조공정 중 확산, 식각, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 공정챔버 내부에 요구되는 공정가스를 공급하여 이들 공정가스로 하여금 웨이퍼 상에서 반응토록 하는 것이다.
상술한 공정에 있어서, 공급되는 가스는 일반적으로 웨이퍼를 포함하여 공정이 수행되는 제조설비의 각 파트 즉, 식각챔버를 비롯하여 각종 구성부품의 측벽에 선택성 없이 반응하여 폴리머 또는 각종 부산물 형태로 증착된다.
이들 폴리머 또는 각종 부산물은 다음의 공정 과정에서 웨이퍼의 손상을 초래하는 파티클로 작용하게 되며, 제작되는 반도체장치의 불량 초래 및 그에 따른 제조수율을 저하시키는 문제가 있었다.
따라서, 상술한 제조설비의 각 구성부품은 일정 주기를 정하여 화학적 또는물리적인 방법으로 각종 부산물을 제거하는 세정작업 후 재사용하게 된다.
이때 각종 구성부품의 표면에 증착되어 있는 폴리머 등의 부산물을 제거하기 위한 종래 파트 세정시스템(10a)의 구성 및 그 사용 관계를 살펴보면, 도1에 도시된 바와 같이, 순도 99.9％ 이상의 아세톤이 수용된 세정챔버(12a) 내부의 받침대(16a) 상에 요구되는 구성부품을 소정 시간 동안 투입하여 구성부품의 표면에 증착되는 부산물이 아세톤과 반응토록 함으로써 부산물 덩어리를 대상의 구성부품 표면으로부터 떼어지도록 하고, 이때 소요되는 시간은 약 12 시간 이상이 소요되었다.
한편, 상술한 과정을 통해 제거되지 않은 부산물은, 작업자가 쇠붙이 등의 긁기 도구를 이용하여 그 표면에 잔존하는 부산물을 긁어내었고, 이것에 더하여 수세미 등을 이용하여 그 표면을 닦아내는 작업을 수행하였다.
그리고, 작업자는 상술한 구성부품을 다시 순수로 깨끗이 헹군 후 초음파 세정기를 이용하여 재차 세정하고, 이것을 베이크오븐 등에서 소정 시간 건조시킴으로써 세정 작업의 한 싸이클을 이루었다.
그러나, 종래의 파트 세정시스템(10a)에 의하면, 순도 99.9％의 공업용 아세톤이 사용됨에 따라 작업 시간이 연장되고, 기화된 아세톤이 클린룸 상에 분포되어 작업자 및 클린룸 내의 환경 오염을 초래하게 되며, 또한 세정챔버에서 건져낸 구성부품은 부분적으로 폴리머가 그 표면에 붙어 있으므로 이를 제거하기 위해 사용되는 쇠붙이 등의 긁기 도구를 사용하는 과정에서 작업자의 호흡기 장해 등 안전사고의 위험이 있는 문제가 있었다.
또한, 각종 긁기 도구의 사용은, 구성부품의 표면에 애노다이징 코팅 처리된 표면을 손상시키게 되어 고가의 제조설비의 수명을 단축시키게 되고, 작업자의 노동력 증대와 작업 시간이 많이 소요되는 문제가 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적으로 하는 바는, 인체에 무해한 불산에테르를 사용토록 하여 작업자의 안전 및 클린룸의 환경 오염을 방지하고, 구성부품의 애노다이징 코팅막의 손상 없이 깨끗하고, 신속하게 세정하도록 하는 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템을 제공함에 있다.
또한, 세정이 요구되는 대상물품의 오염 정도에 대응하여 불산에테르를 기화시켜 공급하여 세정토록 하거나 대상물품을 불산에테르에 투입하여 버블시키는 과정에서 세정토록 하는 방법 중 효과적인 방법을 선택하여 수행할 수 있고, 사용되는 불산에테르의 순도를 유지하며, 계속적으로 순환시킴으로써 불산에테르의 손실을 절감할 수 있도록 하는 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템을 제공함에 있다.
도1은, 종래의 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템의 구성 및 세정 과정을 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템의 구성 및 세정 과정을 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도3은, 도2에 도시된 수분리기의 구성 및 수분의 분리 과정을 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10a, 30: 세정시스템 12a, 32: 세정챔버
14a, 36: 뚜껑 16a, 36: 받침대
18, 42: 히팅부 20: 초음파 발생부
22, 38: 냉각수라인 40: 증류조
44: 냉각조 46: 냉각코일
48: 배수조 50: 슬러지 제거부
52: 냉각기 54: 분쇄기
56: 수분리기 58: 분리조
60: 유입구 62: 배출구
64a, 64b, 64c, 64d: 칸막이 66: 인출관
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템은, 대상물품이 투입되는 세정챔버의 일측에 연통 연결된 연결관을 통해 기화된 불산에테르를 공급하도록 설치되는 증류조와; 상기 증류조와 상기 세정챔버에 냉각된 불산에테르를 각각 제 1 공급관과 제 2 공급관을 통해 공급하는 냉각조와; 상기 세정챔버의 하부에 배관으로 연결되어 배출되는 불산에테르를 수용하여 다시 제 3공급관을 통해 상기 냉각조로 유도 유동시키는 배수조; 및 상기 냉각조에 수용되는 불산에테르를 소정 온도 상태로 냉각시키는 냉동기;를 포함하여 구성된다.
또한, 상기 세정챔버의 하부에는, 내부가 구획되어 외측으로 다수개의 구멍이 형성된 소정 두께의 원통 형상으로 상기 대상물품을 받쳐 지지하도록 설치되며, 상기 세정챔버의 하측벽을 통해 연통 설치되는 에어공급관과 연결되어 수용되는 불산에테르를 버블시키도록 하는 받침대가 구비된다.
한편, 개방된 상기 세정챔버 상부의 내측 주연에는, 상기 증류조로부터 유도되는 기화 상태의 불산에테르를 상기 받침대 상에 위치되는 대상물품에 대응하여 하향 공급되도록 함과 동시에 개방된 부위를 통해 불산에테르가 방출되는 것을 방지하도록 저온의 공기층을 형성시키기 위하여 상기 냉동기로부터 연결된 냉각수라인이 설치된다.
또한, 상기 냉각수라인은, 상기 세정챔버로부터 연장되어 상기 배수조로부터 상기 냉각조로 유도되는 불산에테르를 열교환 방식으로 냉각시키도록 하여 냉각 효율을 높이도록 상기 제 3 공급관의 외측 소정 부위에 감착되도록 설치된다.
그리고, 개방된 상기 세정챔버 상부 내측벽에는, 상기 냉각수라인의 표면에 매치는 수분이 상기 세정챔버에 수용되는 불산에테르에 희석되지 않도록 유도 배출토록 하는 집수판과 배수관이 연통 연결된다.
한편, 상기 제 3 공급관과 상기 배수관 상에는, 희석되어 유도되는 불산에테르와 수분을 분리시키기 위한 수분리기가 각각 설치된다.
상기 수분리기의 구성은, 상기 제 3 공급관 또는 상기 배수관 상에 유입구와배출구로 분리조가 연통 설치되고, 상기 분리조의 하측에서 상측에 근접하도록 제 1 칸막이와 제 4 칸막이가 연장 형성되어 상기 유입구측에서부터 순차적으로 제 1 실과 제 2 실 및 제 3 실로 분리 구획되며, 상기 제 1 칸막이에 인접 이웃하는 상기 제 2 실의 상측에서 하측 방향으로 소정 길이 연장 형성된 제 2 칸막이가 구비되어 상기 제 1 칸막이를 넘쳐 유입되는 불산에테르와 수분이 비중에 의해 구분되는 영역을 형성하게 되고, 상기 제 4 칸막이에 인접 이웃하는 상기 제 2 실의 상측에서 하측에 근접하도록 제 3 칸막이가 연장 형성되어 상기 제 3 칸막이의 하측 단부와 상기 제 2 실의 바닥 부위 사이로 비중에 의해 구분된 불산에테르만이 상기 제 4 칸막이를 거쳐 상기 배출구와 연통하는 상기 제 3 실로 유도 유동하도록 구성함이 바람직하다.
또한, 상기 세정챔버의 하부에 연통 설치되는 배관 상에 유동하는 불산에테르와 함께 유도되는 슬러리에 의해 밸브가 막히는 것을 방지하도록 슬러리를 분쇄하기 위한 분쇄기를 설치함이 바람직하다.
그리고, 상기 세정챔버의 측부 소정 위치에는, 상기 냉각조로부터 연통 연결되는 상기 제 2 공급관의 단부는 상기 받침대 상에 위치되는 대상물품에 대응하여 불산에테르를 분사 공급하도록 설치함이 효과적이다.
한편, 상기 증류조의 내부에는 수용되는 불산에테르를 기화시키도록 가열시키는 히터부가 설치되고, 상기 배수조의 하부에는 상기 세정챔버로부터 불산에테르와 함께 유입되는 슬러리를 압축하여 제거하도록 하는 슬러리 제거부가 부가 설치되어 이루어진다.
이하, 상기 구성에 따른 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템의 구성과 설치 관계 및 그 운영 관계를 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도3은 도2에 도시된 수분리기의 구성 및 이 구성에 의한 수분과 불산에테르를 상호 분리시키는 과정을 설명하기 위해 개략적으로 나타낸 단면도로서, 종래와 동일한 부분에 대하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템(30)의 구성은, 도2에 도시된 바와 같이, 개방된 상부를 통해 대상물품(P)이 투입 가능한 소정 크기의 세정챔버(32)가 있고, 이 세정챔버(32)의 일측에는 연결관(H)을 통해 불산에테르를 기화시켜 공급하도록 하는 증류조(40)가 연통하도록 설치된다.
이렇게 설치되는 증류조(40)는, 외측의 냉각조(44)로부터 제 1 공급라인(L1)으로 연결되어 구비된 레벨센서(S)를 통해 항시 일정량의 불산에테르를 수용하게 되며, 수용되는 불산에테르는 증류조(40)에 설치되는 히팅부(42)의 가열에 의해 기화되어 상술한 연결관(H)을 통해 세정챔버(32)로 유도 유동하게 된다.
한편, 세정챔버(32)의 개방된 상부 내측 주연 부위에는, 도2에 도시된 바와 같이, 측벽을 따라 냉각수라인(38)이 설치되고, 이러한 냉각수라인(38)은 세정챔버(32)의 개방된 부위에 저온의 공기층을 형성하게 된다.
이러한 저온의 공기층은 증류조(40)로부터 기화된 상태로 공급되는 불산에테르를 세정챔버(32)의 개방된 부위를 통해 이탈하는 것을 방지함과 동시에 기화 상태의 불산에테르가 위치되는 각종 형상의 대상물품에 대향하여 하방 공급되도록 유도하는 역할을 수행하게 된다.
그리고, 상술한 세정챔버(32)의 하부에는, 상술한 각종 형상의 대상물품을 위치시키기 위한 받침대(36)가 설치된다.
상술한 받침대(36)의 구성은 내부가 구획된 소정 두께의 판 형상으로 그 상부에 다수개의 구멍이 형성된 것으로서, 세정챔버(32)의 일측으로부터 관통하여 설치되는 에어 공급라인과 연결되어 세정챔버(32) 내부에 선택적으로 질소 등의 공기를 공급하게 된다.
또한, 세정챔버(32)의 측부 소정 위치에는, 도2에 도시된 바와 같이, 상술한 냉각조(44)로부터 제 2 공급라인(L2)이 관통 설치되고, 이 제 2 공급라인(L2)의 단부 구성은 위치되는 대상물품(P)에 대응하여 불산에테르를 선택적으로 분사 공급하도록 구성된다.
그리고, 개방된 상기 세정챔버(32) 상부 내측벽에는, 상술한 냉각수라인(38)의 표면에 매치는 수분이 떨어져 세정챔버(32)에 수용되는 불산에테르와 희석되는 것을 방지하도록 유도 배출시키기 위한 집수판과 배수관이 연통 연결된다.
한편, 세정챔버(32)의 하부에는, 수용되는 불산에테르를 배수시키기 위한 배관의 일단부가 연결되고, 이 배관의 상대측 단부는 배수되는 불산에테르를 소??량 수용하도록 형성된 배수조(48)와 연통하여 연결된다.
그리고, 상술한 배관 상에는, 도2에 도시된 바와 같이, 세정 과정에 의해 대상물품으로부터 떼어져 배출되는 불산에테르에 함유된 상태로 유동하는 폴리머 등의 부산물에 의해 배관 및 배관상에 설치되는 각종 밸브의 막힘을 방지하기 위한 분쇄기(54)가 설치된다.
한편, 상술한 바와 같이, 배관을 통해 배수조(48)로 유도 수용되는 불산에테르는 제 3 공급관(L3)을 통해 통상의 방법으로 냉각조(44)로 유도되며, 제 3 공급관(L3)의 소정 부위에는 냉각조(44)로 유동하는 불산에테르의 냉각 효율을 높이도록 상술한 냉각수라인(38)이 연장된 부위가 감착된다.
또한, 상술한 배수조(48)의 하부에는, 배관을 통해 불산에테르와 함께 유도 유입되는 볼리머 등의 부산물을 제거하기 위한 슬러리 제거부(50)가 구비된다.
그리고, 냉각조(44)에는, 도2에 도시된 바와 같이, 제 3 공급관(L3)을 통해 유입되는 불산에테르를 외부의 냉각기(52)로부터 연장 설치되는 냉각코일(46)의 열교환 방식으로 냉각시키게 된다.
여기서, 상술한 바와 같이, 냉각조(44)에 수용되어 냉각되는 불산에테르는 다시 제 1 공급관(L1)과 제 2 공급관(L2)에 의해 순환하게 되고, 상술한 제 3 공급관(L3)과 배수관 상에는 순환하는 불산에테르에 함유되어 유동하는 수분을 제거하기 위한 수분리기(56)가 설치된다.
이러한 수분리기(56)의 구성은, 도3에 도시된 바와 같이, 제 3 공급관(L3) 또는 배수관 상에 유입구(60)와 배출구(62)로 연통 설치되는 분리조(58)가 있고, 이 분리조(58) 내부의 하측 바닥 부위에는 제 1 칸막이(64a)와 제 4 칸막이(64d)가 상측 천장 부위에 근접하도록 연장 형성되어 유입구측에서부터 순차적으로 제 1 실(C1)과 제 2 실(C2) 및 제 3 실(C3)로 분리 구획하게 된다.
또한, 상술한 제 1 칸막이(64a)에 인접 이웃하는 제 2 실(C2)의 상측 천장 부위에는 하측 방향으로 소정 길이 연장 형성된 제 2 칸막이(64b)가 구비되며, 이 제 2 칸막이(64b)는, 도3에 도시된 바와 같이, 제 1 칸막이(64a)를 넘쳐 유입되는 불산에테르와 혼합된 상태의 수분이 비중에 의해 구분되는 영역을 형성하게 된다.
그리고, 상술한 제 4 칸막이(64d)에 인접 이웃하는 제 2 실(C2)의 상측 천장 부위에서 하측 바닥에 근접하도록 제 3 칸막이(64c)가 연장 형성되고, 이러한 제 3 칸막이(64c)의 하측 단부와 제 2 실(C2)의 바닥 부위의 이격된 틈새를 통해 물보다 비중이 높은 불산에테르만이 제 4 칸막이(64d) 사이를 통해 배출구(62)와 연통하는 제 3 실(C3)로 유도 유동하도록 구성된다.
또한, 상술한 제 2 실(C2)의 상측 부위에는 제 2 칸막이(64b)에 의해 분리된 영역의 상측 즉, 비중에 의해 상부에 위치되는 수분을 선택적으로 배출하기 위한 밴트관(66)이 설치된다.
따라서, 불산에테르와 혼합된 상태로 유동하는 수분은 수분리기(56)를 통과하는 과정에서 인출관(66)에 의해 불산에테르와 분리됨으로써 순수한 불산에트르만이 파트 세정시스템(30)을 순환하게 된다.
미 설명부호인 (34)는 세정챔버(32)의 상부를 선택적으로 커버하기 위한 뚜껑을 나타낸 것이고, (S)는 수용되는 불산에테르의 양을 감지하기 위한 레벨센서를 나타낸 것이다.
이러한 구성의 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템(30)의 사용 관계를 살펴보면, 도2에 도시된 바와 같이, 세정챔버(32) 내부에 대상물품(P)을 위치시키고, 증류조(40)에 구비된 히팅부(42)를 구동시킴으로써 증류조(40)에 수용되는 불산에테르는 기화되어 연결관(H)을 통해 세정챔버(32)로 유동하게 된다.
이때 세정챔버(32)의 상부에 구비되는 냉각수라인(38)은 저온의 공기층을 형성하게 되고, 이 공기층에 영향을 받은 불산에테르는 받침대(36) 상에 위치되는 대상물품(P)에 대응하여 하방 공급된다.
이렇게 공급되는 불산에테르는 통상 기화 온도인 약 61。C의 온도 상태를 이루게 되고, 이들 기화 상태의 불산에테르는 대상물품(P)의 표면과 이 표면에 증착되는 폴리머 등의 부산물 사이로 침투하여 반응하게 됨으로써 부산물을 대상물품(P)의 표면으로부터 떼어내는 역할을 수행하게 된다.
한편, 상술한 과정을 계속적으로 수행하게 되면, 대상물품(P)은 불산에테르의 온도 상태에 영향을 받아 약 61。C 온도에 근접하는 온도로 변환되고, 이 경우 불산에테르의 근접을 저해하는 요소로 작용하게 된다.
따라서, 대상물품(P)의 온도가 정도 이상으로 상승하는 것을 방지하기 위하여 세정챔버(32)의 일측에 연통 설치되는 제 2 공급관(L2)을 통해 냉각된 불산에테르를 대상물품(P)에 대응하여 분사 공급하여 대상물품(P)의 온도를 낮추게 됨으로써 이후 다시 공급되는 기화 상태의 불산에테르의 부산물 제거 작업이 용이하게 이루어지도록 한다.
한편, 상술한 폴리머 등의 각종 부산물은 대상물품(P)의 표면에 대응하여 그 정도가 심하게 증착된 경우 상술한 과정을 통해 제거되기 어려우며, 이 경우에는 상술한 과정 이후에 제 2 공급관(L2)을 통해 세정챔버(32) 내부에 대상물품(P)이충분히 담겨진 상태를 이루도록 소정량의 불산에테르를 분사 공급하게 된다.
이러한 과정을 통해 대상물품(P)이 불산에테르에 담겨진 상태로 있게 되면, 에어 공급라인과 연결된 받침판(36)을 통해 공기를 공급함으로써 버블을 형성하여 대상물품(P)을 세정하게 된다.
따라서, 본 발명에 의하면, 인체에 무해한 불산에테르가 사용되어 작업자의 안전 및 클린룸의 환경 오염이 방지되고, 구성부품의 애노다이징 코팅막의 손상 없이 깨끗하고, 신속하게 세정이 이루어짐에 따라 작업 시간이 단축되는 효과가 있다.
또한, 세정이 요구되는 대상물품의 오염 정도에 대응하여 불산에테르를 기화시켜 공급함으로써 세정토록 하거나 대상물품을 불산에테르에 투입하여 버블시키는 과정에서 세정토록 하는 방법 중 효과적인 방법을 선택하여 수행할 수 있고, 사용되는 불산에테르의 순도를 유지하며, 계속적으로 순환시킴으로써 불산에테르의 손실을 절감할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대하여 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (11)

  1. 대상물품이 투입되는 세정챔버의 일측에 연통 연결된 연결관을 통해 기화된 불산에테르를 공급하도록 설치되는 증류조와;
    상기 증류조와 상기 세정챔버에 냉각된 불산에테르를 각각 제 1 공급관과 제 2 공급관을 통해 공급하는 냉각조와;
    상기 세정챔버의 하부에 배관으로 연결되어 배출되는 불산에테르를 수용하여 다시 제 3 공급관을 통해 상기 냉각조로 유도 유동시키는 배수조; 및
    상기 냉각조에 수용되는 불산에테르를 소정 온도 상태로 냉각시키는 냉동기;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정챔버의 하부에는, 내부가 구획되어 외측으로 다수개의 구멍이 형성된 소정 두께의 원통 형상으로 상기 대상물품을 받쳐 지지하도록 설치되며, 상기 세정챔버의 하측벽을 통해 연통 설치되는 에어공급관과 연결되어 수용되는 불산에테르를 버블시키도록 하는 받침대가 구비됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    개방된 상기 세정챔버 상부의 내측 주연에는, 상기 증류조로부터 유도되는기화 상태의 불산에테르를 상기 받침대 상에 위치되는 대상물품에 대응하여 하향 공급되도록 함과 동시에 개방된 부위를 통해 불산에테르가 방출되는 것을 방지하도록 저온의 공기층을 형성시키기 위하여 상기 냉동기로부터 연결된 냉각수라인이 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각수라인은, 상기 세정챔버로부터 연장되어 상기 배수조로부터 상기 냉각조로 유도되는 불산에테르를 열교환 방식으로 냉각시키도록 하여 냉각 효율을 높이도록 상기 제 3 공급관의 외측 소정 부위에 감착되도록 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  5. 제 2 항에 있어서,
    개방된 상기 세정챔버 상부 내측벽에는, 상기 냉각수라인의 표면에 매치는 수분이 상기 세정챔버에 수용되는 불산에테르에 희석되지 않도록 유도 배출토록 하는 집수판과 배수관이 연통 연결됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 공급관과 상기 배수관 상에는, 희석되어 유도되는 불산에테르와 수분을 분리시키기 위한 수분리기가 각각 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치제조설비의 파트 세정시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 수분리기의 구성은, 상기 제 3 공급관 또는 상기 배수관 상에 유입구와 배출구로 분리조가 연통 설치되고, 상기 분리조의 하측에서 상측에 근접하도록 제 1 칸막이와 제 4 칸막이가 연장 형성되어 상기 유입구측에서부터 순차적으로 제 1 실과 제 2 실 및 제 3 실로 분리 구획되며, 상기 제 1 칸막이에 인접 이웃하는 상기 제 2 실의 상측에서 하측 방향으로 소정 길이 연장 형성된 제 2 칸막이가 구비되어 상기 제 1 칸막이를 넘쳐 유입되는 불산에테르와 수분이 비중에 의해 구분되는 영역을 형성하게 되고, 상기 제 4 칸막이에 인접 이웃하는 상기 제 2 실의 상측에서 하측에 근접하도록 제 3 칸막이가 연장 형성되어 상기 제 3 칸막이의 하측 단부와 상기 제 2 실의 바닥 부위 사이로 비중에 의해 구분된 불산에테르만이 상기 제 4 칸막이를 거쳐 상기 배출구와 연통하는 상기 제 3 실로 유도 유동하도록 구성되고, 상기 제 2 실의 상부에는 비중에 의해 구분되는 상층 수분을 제거하기 위한 인출관이 관통 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정챔버의 하부에 연통 설치되는 배관 상에 유동하는 불산에테르와 함께 유도되는 슬러리에 의해 밸브가 막히는 것을 방지하도록 슬러리를 분쇄하기 위한 분쇄기가 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정챔버의 측부 소정 위치에는, 상기 냉각조로부터 연통 연결되는 상기 제 2 공급관의 단부는 상기 받침대 상에 위치되는 대상물품에 대응하여 불산에테르를 분사 공급하도록 형성됨을 특징으로 하는 상기 반도제장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 증류조의 내부에는 수용되는 불산에테르를 기화시키도록 가열시키는 히터부가 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 배수조의 하부에는, 상기 세정챔버로부터 불산에테르와 함께 유입되는 슬러리를 압축하여 제거하도록 하는 슬러리 제거부가 부가 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조설비의 파트 세정시스템.
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