KR100293524B1 - 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법 - Google Patents

비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100293524B1
KR100293524B1 KR1019990019524A KR19990019524A KR100293524B1 KR 100293524 B1 KR100293524 B1 KR 100293524B1 KR 1019990019524 A KR1019990019524 A KR 1019990019524A KR 19990019524 A KR19990019524 A KR 19990019524A KR 100293524 B1 KR100293524 B1 KR 100293524B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
laser beam
crystallization
cleaning
glass substrate
Prior art date
Application number
KR1019990019524A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000075121A (ko
Inventor
윤진모
Original Assignee
구본준
엘지.필립스 엘시디주식회사
론 위라하디락사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지.필립스 엘시디주식회사, 론 위라하디락사 filed Critical 구본준
Priority to KR1019990019524A priority Critical patent/KR100293524B1/ko
Priority to US09/578,681 priority patent/US6458199B1/en
Publication of KR20000075121A publication Critical patent/KR20000075121A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100293524B1 publication Critical patent/KR100293524B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

본 발명은 비진공 공정을 이용하여 반도체를 결정화시키기 위한 결정화 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 레이저빔을 조사하여 기판의 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키게 된다.
본 발명에 의하면, 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키는 결정화 방법을 이용하여 대기 상태에서도 그레인 바운더리를 최소화할 수 있으므로 비진공 상태에서 기판을 결정화시켜 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.

Description

비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법{Crystallization Apparatus using Non-vacuum Process and Method thereof}
본 발명은 반도체 소자의 결정화 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히, 비진공 공정을 이용하여 반도체를 결정화시키기 위한 결정화 장치 및 방법에 관한 것이다.
통상, 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절함으로써 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널에 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 이러한 액정 표시장치는 화소셀들을 선택하기 위한 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(Thin film Transistor : 이하 'TFT'라 함)가 이용되고 있다.
TFT는 반도체층으로서 아모퍼스(Amorphous) 실리콘과 폴리(Poly) 실리콘을 사용하는가에 따라 아모퍼스실리콘형과 폴리실리콘형으로 구분된다. 아모퍼스실리콘형 TFT는 비교적 균일성이 좋고 특성이 안정된 장점이 있는 반면, 전하 이동도가 작은 단점이 있다. 또한, 아모퍼스실리콘형 TFT를 이용하게 되면 주변 구동회로들이 별도로 제작된 후 표시패널에 실장되어야 하는 단점이 있다. 반면에, 폴리실리콘형 TFT는 전하이동도가 높기 때문에 화소밀도를 증가시키기가 용이할 뿐 아니라 주변 구동회로들이 표시패널 상에 직접 실장되는 장점이 있다.
폴리실리콘형 TFT를 형성하기 위해서는 아모퍼스실리콘 기판을 결정화시키는 공정이 따르게 된다. 결정화 공정은 주로 그레인 바운더리(Grain Boundary)를 줄이기 위하여 진공챔버 내에서 레이저빔(Laser Beam)을 조사하고 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 글라스기판(9)이 적재된 로드락챔버(2)와, 글라스기판(9)을 결정화시키는 진공챔버(6)와, 로드락챔버(2)와 진공챔버(6) 사이에 설치되어 글라스를 이송시키기 위한 이송챔버(8)를 구비하는 종래의 결정화장치가 도시되어 있다. 로드락챔버(2) 내에는 세정 및 건조된 다수의 글라스기판(9)이 적층되어 있다. 이송챔버(8)는 회전구동되어 글라스기판(9)을 이송시키는 로봇암(4)이 설치된다. 진공챔버(6)는 글라스기판(9)에 레이저빔을 조사하여 결정화시키게 된다. 결정화 과정을 상세히 하면, 로봇암(4)에 의해 진공챔버(6) 내로 이송되어 스테이지(7)에 안착된 글라스기판(9)은 비정질 반도체층이 형성되어 있다. 진공챔버(6) 내에서 조사되는 레이저빔은 도 3과 같이 가우시안(Gaussian) 분포 특성의 빔프로파일(Beam profile)을 가지게 되며, 글라스기판(9)을 고르게 레이저조사하기 위하여 중첩되게 조사된다. 이러한 레이저빔이 글라스기판(9)에 조사되면 글라스기판(9)이 레이저빔에 의해 가열된 후, 냉각되면서 결정방향이 서로 다른 그레인들이 글라스기판(9)의 저면으로부터 성장되어 다결정 구조로 변하게 된다.
그러나 종래의 결정화장치는 글라스기판(9)이 레이저빔에 의해 가열된 후, 냉각되면서 서로 다른 결정방향의 그레인들(Grains)이 팽창되면서 그레인과 그레인 사이에 도 4와 같이 그레인 바운더리(Grain boundary)(9a)가 융기된다. 그레인 바운더리(9a)는 글라스기판(9)의 비정질 반도체층의 두께가 500 Å일 때 ±100Å 정도의 높이로 융기된다. 이러한 그레인 바운더리(9a)는 공정중 또는 TFT가 완성된 상태에서 전극간 단락(short)이 발생되게 할 뿐 아니라 열적 또는 물리적 충격에 의해 글라스기판(9)의 균열이 발생되게 한다. 이에 따라, 그레인 바운더리(9a)의 수 또는 그레인 바운더리가 융기되는 높이를 줄이기 위하여 높은 진공도를 유지하는 진공챔버(6) 내에서 결정화시키게 되지만 만족할 만큼 그레인 바운더리(9a)가 억제되지 않고 있다. 또한, 도 1 및 도 2의 결정화장치는 세정된 글라스기판(9)이 진공챔버(6)까지 이송되는 과정에서 오염될 수 있으며, 로봇암(4)에 의해 글라스기판(9)이 이송될 때마다 각 챔버들의 진공도 관리가 어렵고 시간이 과도하게 소모되는 문제점이 있다. 다시 말하여, 도 1 및 도 2에서 로드락챔버(2) 내의 글라스기판(9)이 이송챔버(8)로 이동될 때 로드락챔버(2)와 이송챔버(8) 사이의 게이트밸브(3)가 개폐되며, 로봇암(4)에 의해 진공챔버(6) 내로 이송될 때 이송챔버(8)와 진공챔버(6) 사이의 게이트 벨브(5)가 개폐된다. 각 게이트밸브들(3,5)이 개방된 후에는 각 챔버들(2,6,8) 특히, 진공챔버(6) 내의 진공도를 유지하기 위하여 챔버들(2,6,8)의 공기를 빼내는 과정이 필요하게 된다. 이와 같이 게이트벨브(3,5)의 개폐동작과 진공도 관리로 인하여 생산성이 떨어지게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 비진공 상태에서 결정화시키도록 한 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 그레인 바운더리를 억제하도록 한 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 결정화장치를 개략적으로 나타내는 측면도.
도 2는 도 1에 도시된 결정화장치의 평면도.
도 3은 도 1에 도시된 진공챔버 내에서 조사되는 레이저빔의 특성을 나타내는 도면.
도 4는 종래의 결정화장치에 의해 기판 상에 형성되는 그레인 바운더리를 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 결정화장치를 나타내는 도면.
도 6은 도 5에 도시된 결정화기에서 조사되는 레이저빔의 특성을 나타내는 도면.
도 7은 기판 상의 비정질 반도체층이 도 6과 같은 특성을 갖는 레이저빔에 의해 결정화되는 것을 나타내는 단면도.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 결정화장치를 나타내는 사시도.
도 9는 도 8에 도시된 결정화장치의 사시도.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 결정화장치를 나타내는 측면도.
〈 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2 : 로드락챔버 3,5 : 게이트밸브
4 : 로봇암 6 : 진공챔버
7,27 : 스테이지 8 : 이송챔버
9 : 글라스기판 9a : 그레인 바운더리
12,20,22A,22B,32A,32B : 기판적층기 14 : 세정기
16 : 건조기 18,26,40 : SLS 결정화기
24A,24B,32A∼32D : 콘베이어벨트 28A,28B,28C : 암
36 : PECVD 장치 38 : 세정/건조기
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 비진공 공정을 이용한 결정화장치는 기판 상에 레이저빔을 조사하여 기판의 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키는 결정화수단을 구비한다.
본 발명에 따른 비진공 공정을 이용한 결정화방법은 기판 상에 레이저빔을 조사하여 기판의 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키는 단계를 포함한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 5 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 제1 기판적층기(12), 세정기(14), 건조기(16), 시퀀셜 래터럴 솔리디피케이션(Sequential Lateral Solidification : 이하 'SLS'라 함) 결정화기(18) 및 제2 기판적층기(20)가 인-라인 형태로 배치된 본 발명의 제1 실시예에 따른 결정화장치가 도시되어 있다. 제1 기판적층기(12)에는 다수의 글라스기판(9)이 적층된다. 세정기(14)는 제1 기판적층기(12)로부터 이송된 글라스기판(9)에 불산(HF)을 포함한 세정액을 분사시켜 세정시키게 된다. 건조기(16)는 세정기(14)로부터 세정된 글라스기판(9)을 질소(N2)로 송풍하여 건조시키게 된다. SLS 결정화기(18)는 대기상태에서 결정화시키는 비진공 결정화장비로서 구형파 형태의 빔프로파일(Beam Profile)을 가지는 레이저빔을 글라스기판(9) 상에 중첩되게 조사하여 결정화시키게 된다. 이를 상세히하면, SLS 결정화기(18)는 건조기(16)로부터 이송되어 공급되는 글라스기판(9) 상에 도 6과 같은 구형파 형태의 레이저빔을 중첩되게 조사하게 된다. 그러면 글라스기판(9)의 비정질 반도체층은 레이저빔에 의해 가열된 후 냉각되면서 도 7과 같이 기판 이동방향의 반대방향으로 결정이 성장된다. 이와 같이 측면에서부터 결정화가 진행되게 되므로 그레인 반경이 커지게 되며, 그레인 바운더리 수가 감소되고 그레인 바운더리가 수직방향으로 융기되지 않게 된다. SLS 결정화기(18)에 의해 결정화된 글라스기판(9)은 제2 기판적층기(20)에 이송되어 적층된다.
이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 결정화장치에 의하면 세정공정과 결정화공정이 인-라인 공정에 의해 이행되므로 글라스기판(9)의 오염이 줄어들게 된다. 또한, 진공공정이 불필요하기 때문에 진공챔버와 로봇암에 대한 코스트가 줄어들게 될 뿐 아니라 세정공정에서 결정화까지 소요되는 시간이 짧아지게 되어 생산성이 증가된다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 기판적층기(22A)와 제2 기판적층기(22B) 사이에 제1 콘베이어벨트(24A), SLS 결정화기(26) 및 제2 콘베이어벨트(24B)가 인-라인형태로 배치된 본 발명의 제2 실시예에 따른 결정화장치가 도시되어 있다. 제1 기판적층기(22A)에는 세정 및 건조된 다수의 글라스기판(9)이 적층된다. 제1 기판적층기(22A)에 수납된 글라스기판들(9)은 제1 암(28A)에 의해 한 장씩 언로드(unload)되어 제1 콘베이어벨트(24A) 상에 안착된다. 제1 콘베이어벨트(24A)는 글라스기판(9)을 SLS 결정화기(26) 쪽으로 이송시키는 역할을 하게 된다. 제1 콘베이어벨트(24A)에 의해 이송된 글라스기판(9)은 제2 암(28B)에 의해 SLS 결정화기(26)의 스테이지(27) 상에 안착된다. SLS 결정화기(26)는 도 5에 도시된 그것과 실질적으로 동일한 비진공 결정화장비로서 스테이지(27)에 안착된 글라스기판(9) 상에 레이저빔을 조사하여 글라스기판(9)의 비정질 반도체층을 결정화시키게 된다. 한편, SLS 결정화기(26)는 글라스기판(9)의 오염을 줄이기 위하여 질소(N2) 분위기 하에서 글라스기판(9)을 결정화시킬 수도 있다. SLS 결정화기(26)에 의해 결정화된 글라스기판(9)은 제3 암(28C)에 의해 제2 콘베이어벨트(24B)에 안착된 후, 제2 콘베이어벨트(24B)에 의해 제2 기판적층기(22B) 쪽으로 이송되어 제2 기판적층기(22B) 내에 차례로 적층된다.
도 10을 참조하면, 제1 기판적층기(32A)와 제2 기판적층기(32B) 사이에 제1 콘베이어벨트(34A), 플라즈마 인핸스드 화학적 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : 이하 'PECVD'라 함) 장치(36), 제2 콘베이어벨트(34B), 세정/건조기(38), 제3 콘베이어벨트(34C), SLS 결정화기(40) 및 제4 콘베이어벨트(34D) 가 인-라인 형태로 배치된 본 발명의 제3 실시예에 따른 결정화장치가 도시되어 있다. 제1 기판적층기(32A)에는 결정층이 형성되지 않은 다수의 글라스기판(9)이 적층된다. 제1 기판적층기(32A) 내에 수납된 글라스기판들(9)은 암(도시하지 않음))에 의해 한 장씩 언로드되어 제1 콘베이어벨트(34A) 상에 안착된 후, 제1 콘베이어 벨트(34A)에 의해 PECVD 장치(36) 쪽으로 이송된다. PECVD 장치(36)는 제1 콘베이어벨트(34A)와 암에 의해 이송된 글라스기판(9) 상에 비정질 반도체층을 증착시키는 역할을 하게 된다. 비정질 반도체층이 증착된 글라스기판(9)은 제2 콘베이어벨트(34B)에 의해 세정/건조기(38)까지 이송되어 세정 및 건조된 후, 제3 콘베이어벨트(34C)에 의해 SLS 결정화기(40) 쪽으로 이송된다. SLS 결정화기(40)는 대기 또는 질소 분위기 하에서 스테이지 상에 안착된 글라스기판(9)에 레이저빔을 조사하여 비정질 반도체층을 결정화시키게 된다. 결정화된 글라스기판(9)은 제4 콘베이어벨트(34D)에 의해 제2 기판적층기(32B) 쪽으로 이송되어 제2 기판적층기(32B) 내에 차례로 적층된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법은 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키는 SLS 결정화 방법을 이용하여 대기 상태에서도 그레인 바운더리를 최소화할 수 있으므로 비진공 상태에서 기판을 결정화시킬 수 있게 된다. 본 발명에 따른 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법은 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키는 SLS 결정화 방법을 이용하여 그레인 바운더리의 수 및 그레인 바운더리의 융기를 최소화할 수 있게 된다. 나아가, 본 발명은 SLS 결정화 장비에 증착장비, 세정/건조장비, 적재장비, 이송장비 등을 인-라인 방식으로 배치하여 기판의 오염을 줄임은 물론 비정질 반도체층의 증착에서부터 결정화까지 소요되는 시간을 대폭 줄이게 되므로 생산성이 향상된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 레이저빔을 조사하여 상기 기판의 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키는 결정화수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정화수단은 대기 상태에서 상기 레이저빔을 기판에 조사하는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정화수단은 질소 분위기 하에서 상기 레이저빔을 기판에 조사하는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저빔은 구형파 형태의 광세기 분포를 가지게 되며 상기 기판 상에 중첩되게 조사되는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 비정질 반도체층을 형성하기 위한 증착수단과,
    상기 기판을 세정 및 건소시키기 위한 세정/건조수단을 추가로 구비하며,
    상기 증착수단 및 세정/건조수단은 상기 결정화수단과 동일 선 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 증착수단에 의해 결정화된 기판을 상기 세정/건조수단 쪽으로 이송하기 위한 제1 이송수단과,
    상기 세정/건조수단에 의해 세정 및 건조된 기판을 상기 결정화수단 쪽으로 이송하기 위한 제2 이송수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화장치.
  7. 기판 상에 레이저빔을 조사하여 상기 기판의 측면에서부터 일방향으로 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 레이저빔은 대기 상태에서 기판에 조사되는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 레이저빔은 질소 분위기 하에서 기판에 조사되는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 레이저빔은 구형파 형태의 광세기 분포를 가지게 되며 상기 기판 상에 중첩되게 조사되는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판 상에 비정질 반도체층을 형성하는 단계와,
    상기 기판을 세정 및 건소시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 비진공 공정을 이용한 결정화장치.
KR1019990019524A 1999-05-28 1999-05-28 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법 KR100293524B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990019524A KR100293524B1 (ko) 1999-05-28 1999-05-28 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법
US09/578,681 US6458199B1 (en) 1999-05-28 2000-05-26 Crystallization apparatus and method using non-vacuum process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990019524A KR100293524B1 (ko) 1999-05-28 1999-05-28 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000075121A KR20000075121A (ko) 2000-12-15
KR100293524B1 true KR100293524B1 (ko) 2001-06-15

Family

ID=19588489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990019524A KR100293524B1 (ko) 1999-05-28 1999-05-28 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6458199B1 (ko)
KR (1) KR100293524B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100424593B1 (ko) * 2001-06-07 2004-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6476715A (en) * 1987-09-17 1989-03-22 Nec Corp Manufacture of polycrystalline semiconductor thin film
JPH04196411A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Nec Corp 多結晶シリコン膜の形成方法
JPH10189949A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Sony Corp Ｍｏｓ型半導体装置およびその製造方法
KR19980042503A (ko) * 1996-11-20 1998-08-17 나까무라규조 다결정 실리콘의 형성방법 및 형성장치
JPH1197354A (ja) * 1994-02-03 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
KR20000001170A (ko) * 1998-06-09 2000-01-15 구본준, 론 위라하디락사 실리콘 박막을 결정화하는 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터제조방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6008078A (en) * 1990-07-24 1999-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US5612250A (en) * 1993-12-01 1997-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a catalyst
US6124154A (en) * 1996-10-22 2000-09-26 Seiko Epson Corporation Fabrication process for thin film transistors in a display or electronic device
TW457553B (en) * 1999-01-08 2001-10-01 Sony Corp Process for producing thin film semiconductor device and laser irradiation apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6476715A (en) * 1987-09-17 1989-03-22 Nec Corp Manufacture of polycrystalline semiconductor thin film
JPH04196411A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Nec Corp 多結晶シリコン膜の形成方法
JPH1197354A (ja) * 1994-02-03 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法
KR19980042503A (ko) * 1996-11-20 1998-08-17 나까무라규조 다결정 실리콘의 형성방법 및 형성장치
JPH10189949A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Sony Corp Ｍｏｓ型半導体装置およびその製造方法
KR20000001170A (ko) * 1998-06-09 2000-01-15 구본준, 론 위라하디락사 실리콘 박막을 결정화하는 방법과 이를 이용한 박막트랜지스터제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6458199B1 (en) 2002-10-01
KR20000075121A (ko) 2000-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6432758B1 (en) Recrystallization method of polysilicon film in thin film transistor
KR100324915B1 (ko) 처리장치 및 제조장치
US6460369B2 (en) Consecutive deposition system
KR100381807B1 (ko) 액정 표시 장치의 제조 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법
JP3927634B2 (ja) レーザーアニール方法及び薄膜トランジスタの作製方法
JPH02239615A (ja) シリコン膜形成装置
KR100293524B1 (ko) 비진공 공정을 이용한 결정화장치 및 방법
US7862334B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method using the same
KR100719330B1 (ko) 유기물 발광 다이오드 및 액정표시 장치 제조용 플라즈마화학 증착 장비
TW201931442A (zh) 雷射處理裝置、雷射處理方法以及半導體裝置的製造方法
JP3154983B2 (ja) 処理装置、および平面表示装置の基板製造装置
JP3400396B2 (ja) レーザアニール装置およびレーザアニール方法
JP2004153185A (ja) 基板処理方法
KR100634541B1 (ko) 다결정 실리콘 제조방법
JP3763908B2 (ja) レーザー照射システム
KR101028409B1 (ko) 세미 배치 타입 프로세스 모듈 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
JP2007188953A (ja) 多結晶シリコン層の製造方法
JPH09181060A (ja) 薄膜成膜装置
KR100221352B1 (ko) 다결정 실리콘의 형성방법 및 형성장치
JPH1098085A (ja) プラズマ処理装置および薄膜トランジスタ製造方法
KR101107686B1 (ko) 스퍼터링 증착장비 및 이를 이용한 액정표시장치의투명전극 형성방법
JP2000243802A (ja) 半導体装置の製造方法及び装置
JP2761579B2 (ja) 基板処理装置
JP2001156154A (ja) 処理方法、これを用いた製造方法、基板製造方法、および製造装置
JP2001110742A (ja) レーザアニール方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120330

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160329

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170320

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190318

Year of fee payment: 19

EXPY Expiration of term