KR100292593B1 - 스패터링용티타늄타게트및그의제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 콘택트 홀에 있어서 막 형성 효율이 높은 스패터링용 티타늄 타게트에 관한 것이다. 최밀 충전면에 대해서 수직인및/또는

Description

스패터링용 티타늄 타게트 및 그의 제조 방법

근래 LSI의 급속한 집적도의 증대에 의해 LSI나 ULSI에 사용되는 전극재료는 전극배선의 좁은 라인 작업에 의한 신호 지연을 해결하기 위해 종래 많이 쓰여지고 있던 폴리실리콘 대신 보다 저저항인 고순도·고융점 금속재료를 선호하는 추세에 있다. LSI나 ULSI에 사용되는 고순도·고융점 재료로서는 몰리브덴, 텅스텐, 티타늄 혹은 그들의 실리사이드가 있고, 그 중에서도 양호한 비강도(specific strength), 가공성 및 내식성을 갖는 티나늄이 특히 유망하다.

티타늄에 의해 반도체용 전극을 형성하는 경우는 통상적으로 스패터링이 사용된다. 그리고 상기 스패터링에 사용되는 고순도의 티타늄 타게트는 통상 다음과 같이 제조된다.

요드화물 열분해법 또는 전해법 등에 의해 정제된 고순도 티타늄재를 EB(엘렉트론 빔) 용해하고, 주조, 단조, 압연, 열처리 등의 방법을 거쳐서 판형상의 타게트를 형성한다. 최근에는 요드화물 열분해법에 의해 직접 티타늄 타게트를 제조하는 석출법도 연구되고 있기는 하나, 상술한 용제법이 실용화 되고 있다.

그런데, 그와 같은 티타늄 타게트를 사용한 스패터링에 있어서는 타게트의 결정립의 결정 방위(crystal bearing)에 의해 스패터 효율이 다르게 되므로 스패터링막 두께의 불균일이 발생한다. 그 때문에 일반적으로는 티타늄 타게트의 결정립을 미세화함으로써 결정 방위를 평균화하고 있다. 용제법으로 압연, 열처리를 하는 것도 이 때문이다.

그러나 최근의 새로운 고집적화에 수반하여 배선폭이 매우 좁아져 왔기 때문에, 결정 방위를 평균화한 티타늄 타게트에서는 도 1a에 도시된 바와 같이 타게트로부터의 스패터 입자에 방향성이 없기 때문에 콘택트홀이라 칭하는 홈으로의 스패터링에 의한 막 형성이 매우 어려웠다.

그에 대한 대책의 하나로서 도 1b에 도시된 바와 같이 기판과 타게트 사이에 시준기(collimate)를 설치하는 방법이 있다. 그러나 이 방법에서는 타게트로부터 다량의 스패터 입자가 상기 시준기에 부착하여 기판에 도달하는 스패터 입자의 수가 대폭적으로 감소하기 때문에 스패터 효율이 현저히 저하한다는 문제점이 발생되었다. 따라서, 최근에는 있는 것이 도 1c에 도시된 바와 같이 타게트로부터의 스패터 입자의 방향을 배열하는 기술이 고려되고 있으며, 일본 특개평 5-214521호 공보에는 스패터 입자가 결정의 최밀 충전 방향으로 비산하기 쉽다는 관점에서 그것의 최밀 충전면에 평행한 (0002)를 중심으로 우선 방위를 고려하는 결정 구조의 티타늄 타게트가 개시되어 있다.

도 2에서는 티타늄의 실온에서의 결정 구조를 도시한다. 최밀 충전면에 평행한 면으로서 (0002), 최밀 충전면에 수직인 면으로서이나등이 있다. 일본 특개평 5-214521호 공보에 도시된 티타늄 타게트는 결정이 (002)상에서 크게 배향되는 것으로 생각되나, 일반의 용제법으로 제조된 티타늄 타게트도 비교적 저온으로 가공하고 있으므로 동일한 배향성(orientation property)을 갖고 있다.

그러나 종래 일반적으로 결정립 지름을 미세화한 용제 타게트는 결정립 지름을 제어하고 있지 않은 것보다 스패터 입자가 비산 방향이 배열되는 것은 사실이나 콘택트홀이라 불리는 홈으로의 스패터링에 있어서는 막 형성 효율이 압연을 받지 않은 것보다도 오히려 저하한다는 사실이 본 발명자들에 의한 조사에서 확인된 바 있다. 그것은 스패터 입자의 비산 방향이 타게트 표면에 대해서 수직인 방향으로 제어되어 있지 않기 때문이다.

즉, 콘택트홀이라 불리는 홈으로의 스패터링에 있어서는 막 형성 기체에 대해서 수직으로 스패터 입자의 비산 방향을 제어할 필요가 있게 되고, 그 때문에 타게트에 있어서는 스패터 입자의 비산 방향을 타게트 표면에 대해서 수직인 방향으로 제어할 것이 요구되나, 종래 일반 압연을 받은 용제 타게트에서는 스패터 입자의 비산 방향이 요구되는 방향으로 제어되지 않고, 요구되는 것과는 다른 방향으로 제어되기 때문에 콘택트홀의 저면에 도달하는 스패터 입자의 수가 현저히 감소하는 것이다.

본 발명은 LSI나 ULSI 등의 반도체 소자의 제조에 있어서 배선재료 등으로서 박막을 형성하기 위해 사용되는 스패터링용 티타늄 타게트 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.

제1도는 콘택트홀로의 막 형성을 도시하는 모식도.

제2도는 티타늄의 결정 구조를 도시하는 모식도.

제3도는 스패터 입자의 비산 방향을 도시하는 모식도.

제4도는 가공 조건과 배향성의 관계를 도시하는 모식도.

본 발명의 목적은 타게트 표면에서 비산하는 스패터 입자의 방향이 그 타게트 표면에 대해서 수직인 방향으로 제어되는 스패터링용 티타늄 타게트 및 그의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.

[발명의 개시]

상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명자들은 타게트 표면에 있어서 결정 방위와 그것의 표면에서 비산되는 스패터 입자의 방향과의 관계를 조사하였다. 그 결과, 스패터 입자가 최밀 충전면에 대해서 평행하게 비산하는 것과, 타게트 표면의 결정 구조가 최밀 충전면에 수직인이나에 대해 크게 배향되는 경우 스패터 입자의 비산 효율이 높아지고 또한 타게트 표면에 대해서 수직인 방향으로 비산 방향이 제어되는 것이 확인되었다.

본 발명의 티타늄 타게트는 스패터링에 의해 막 형성시키는 기판에 대한 타게트면의 결정 구조로서 최밀 충전면에 대해서 수직인및/또는의 X선 회절 강도가 임의 배향(random orientation)되는 경우의 1.1배 이상으로 되며, 바람직하게는 다시 최밀 충전면에 대해서 평행한 (0002)의 X선 회절 강도가 임의 배향되는 경우의 1배 미만으로 된다.

본 발명의 티타늄 타게트에 있어서는, 그의 결정 배향성(orientation property)이,및 (0002)의 각 X선 회절 강도에 의해 규정된다. 여기에서 각 X선 회절 강도는 임의 배향되는 경우를 1로 한 비율(이하 회절 강도비라 함)로 나타내어진다. 임의 배향되는 경우란, X선 회절계에서 사용하는 시료 홀더 내에 미세 결정 분말을 충전하여 측정하는 경우를 말한다.

스패터 입자는 도 3에 도시된 바와 같이 최밀 충전면에 수직인이나이 타게트 표면으로 되는 경우에 타게트 표면에 대해서 수직인 방향으로 비산하기 쉽다. 스패터 입자의 비산 방향을 타게트면에 수직인 방향으로 제어하기 위해서는,및중 최소한 한편의 회절 강도비를 1.1 이상으로 하고, 바람직하게는 다시 (0002)의 회절 강도비를 1 미만으로 하여 최밀 충전면에 수직인 면을 크게 배향시킬 필요가 있다.

양자의 바람직한 회절 강도비는 2.0 이상이다. 후자의 바람직한 회절 강도비는 0.5 미만이다. 양편의 회절 강도비는 1.1 또는및중 하나 이상으로 되는 것이 바람직하고, 양자가 모두 2.0 이상으로 되는 것이 특히 바람직하다.

종래 일반적인 압연을 수용하는 용제 타게트는 상기 조건을 만족하지 아니한다. 상기 조건을 만족시키려면 예를 들면 재료의 절삭 방향을 바꾸는 압연 온도를 종래보다 높게 하는 압연 압하율을 크게 하는 등의 대책을 강구할 필요가 있다.

본 발명의 티타늄 타게트는 최밀 충전면에 대해서 수직인및의 방위에 크게 배향하는 표면 결정 구조를 갖기 때문에 타게트에서 비산되는 스패터 입자의 방향이 타게트면에 수직인 방향으로 제어되고, 좁고 깊은 콘택트홀에 대해서도 스텝 커버리지(step coverage)가 양호한 막 형성을 할 수가 있다. 따라서 반도체 디바이스의 고집적화에 기여한다.

또한 본 발명의 제조 방법에 의하여 상기 스패터링용 티타늄 타게트를 간단히 제조할 수가 있다.

다음에 본 발명의 실시 형태로서 그것의 제조 방법을 설명한다.

본 발명에 따른 제 1 티타늄 타게트 제조 방법은 최종 가공으로서 변태점 이하의 온도로 가공도가 50% 이상의 고강도의 가공을 행하고 가공 방향에 따른 면이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집하는 것으로서, 주로 수집에 중점을 둔다.

종래의 용제 티타늄 타게트의 제조에서는 최종 가공으로서 변태점 이하의 온도에서 가공이 행해진다. 예를 들면 단조의 경우에서는 단조 방향으로 직각인 면, 즉 단조재 표면이 타게트면으로 되도록 타게트가 수집된다. 그러나 변태점 이하의 온도에서의 가공에서는, 상기 (0002)가 가공 방향으로 배향된다. 따라서, 종래의 용제 타게트에 있어서, 상기 (0002)는 타게트면상에서 배향되도록 적응된다.

이에 대해서, 본 발명에 따른 제 1 티타늄 타게트 제조 방법에 있어서는 먼저 변태점 이하의 온도에서 고강도의 가공을 행한다. 그에 따라, 도 4a에 도시된 바와 같이 가공 방향으로 직각인 면에 (0002)이 크게 배향된다. 따라서, 가공 방향에 따른 면(바람직하게는, 가공 방향과 평행한 면)이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집한다. 그에 따라, 타게트면상의및/또는이 향상된 티타늄 타게트가 얻어진다. 변태점 이하의 온도에서 가공을 한 경우에 가공 방향으로 (0002)이 배향되는 이유는 다음과 같다.

티타늄은 변태점 이하의 α 영역에서는 최밀 6방 결정 구조(close-packed hexzgonal structure) (h, c, p)이고, 그의 소성 변형 기구는 2회의 변형, 즉 미끄럼 변형 및 쌍결정 변형(twin crystal deformation) 된다. 일반적으로 금속 재료의 소성 변형에 대한 미끄럼 변형의 기여는 쌍결정 변형의 그것에 비해서 압도적으로 크고 순티타늄의 경우도 소성 변형의 대부분은 미끄럼 변형에 의해 부담된다. 티타늄의 변형은 주로의 미끄럼 기둥면에서 발생하며, 상기 미끄럼 방향은에서 저면 내에 있기 때문에, C축 방향의 변형은 상기 미끄럼계의 활동에 의해 얻어지지 않는다. 따라서 C축에 수직인 (0002)면의 배향은 가공 방향(힘을 가하는 방향)으로 강해진다.

본 발명에 따른 제 1 티타늄 타게트 제조 방법에 있어서, 가공 온도는 낮을 수록 바람직하고 구체적으로는 600℃ 이하가 바람직하고 실온에서 가장 큰 효과가 얻어진다. 가공도에 대해서는 배향도를 높이기 위해 클수록 바람직하고 70% 이상이 특히 바람직하다. 가공법으로서는, 가공 후에도 가공 방향으로 비교적 큰 두께가 확보되는 단조 혹은 슬라브 압연이 타게트 수집의 관점에서 바람직하다.

본 발명에 따른 제 2 티타늄 타게트 제조 방법은 최종 가공으로서 변태점 이상의 β 영역에서 가공도가 50% 이상의 고강도의 가공을 행하고 가공 방향으로 교차하는 면이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집하는 것이다.

이 방법은 고온에서 최종 가공을 수행하도록 적응된다. 이 경우는 도 4b에 도시된 바와 같이 (0002)가 임의로 배향되고, 그 결과및/또는의 일부가 가공 방향으로 배향된다. 따라서 가공 방향으로 교차하는 면(바람직하게는 가공 방향으로 직각인 면)을 타게트면으로 함으로써 타게트면에 있어서및/또는의 배향도가 높아진다. 변태점 이상의 고온에서 가공을 행한 경우에 (0002)가 임의 배향되는 이유는 다음과 같다.

티타늄은 변태점 이상의 β 영역에서는 체심 입방 결정 구조(body-centered cubic crystal structure)(b.c.c)이기 때문에, β 영역에서 가공하면 체심 입방 결정 구조의 1 방향으로 결정이 배향된다. 그러나 이 재료가 어떠한 형태로든 냉각됨에 따라, β→α 의 변태점에서 체심 입방 결정 구조(b.c.c)로부터 최밀 6방 결정구조(h.c.p)로 Burgers의 관계에 따라서 변태한다. 이 경우, 6개의 (101)b가 (0001)h로 변태하기 때문에 (0002)는 임의 배향된다.

본 발명에 따른 제 2 티타늄 타게트 제조 방법에 있어서의 가공은 너무 고온에서 행하면 산화가 심하기 때문에 1000℃ 이하의 온도가 바람직하다. 가공도는 임의화로 인해 클수록 좋고, 70% 이상이 특히 바람직하다.

본 발명에 따른 제 3 티타늄 타게트 제조 방법은 최종 가공으로서 β→α 변태점을 통과시키면서 가공도가 50% 이상인 고강도의 가공을 행하고 가공 방향으로 교차하는 면이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집하는 것이다.

이 방법은 β→α 변태점의 통과시에 가공을 하는 점에 특징이 있다. 이 경우는 도 4c에 도시된 바와 같이,및/또는은 가공 방향으로 강하게 배향된다. 따라서 가공 방향으로 교차하는 면(바람직하게는, 가공 방향과 직각인 면)이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집함으로써 타게트면에및/또는이 강하게 배향되는 티타늄 타게트가 얻어진다. 이 가공을 한 경우에 가공 방향으로및/또는이 강하게 배향되는 이유는 다음과 같다.

상기 제 2 방법의 경우와 같이, 변태점 이상의 β 영역에서 가공을 하면 체심 입방 결정 구조의 1 방향으로 결정이 배향되거나, 가공 중에 β→α 변태가 생기는 경우에는 6개의 (101)b 중의 1 개의 (101)b 만이 (0001)h 로 변태된다. 이때, (0002)가 우선 방위(priority bearing)의 가공 방향과 수직으로 배향되기 때문에, 상기 (0002)에 수직인및은 가공 방향으로 변위된다.

본 발명에 따른 제 3 티타늄 타게트 제조 방법에 있어서의 가공은 배향성을 높이기 위해 가공 종료 온도가 낮을수록 바람직하고, 구체적으로는 700℃ 이하에서 가공을 종료하는 것이 바람직하다. 가공 개시 온도는 산화를 방지하기 위해 1000℃ 이하가 바람직하다. 가공도에 대해서는 배향성을 높이기 위해서 클수록 좋고 70% 이하가 특히 바람직하다.

본 발명에 따른 어떠한 티타늄 타게트 제조 방법에 있어서도 가공으로서 크로스 압연을 사용함으로써 스패터링시의 막 두께 분포가 균일화 된다. 그 결과, 콘택트홀의 저면에 도달하는 입자의 수도 증대한다.

크로스 압연이란 압연 방향이 교차하는 방향(바람직하게는 45°씩 어긋나도록 한 8 방향)으로 재료를 이동시켜서 압연을 행하는 기술이다. 한 방향에서 압연된 재료의 X선 회절 강도와 크로스 압연한 재료의 X선 회절 강도는 다른 압연 조건이 같으면 거의 같게 된다. 그러나 개개의 결정에 있어서, 한 방향에서 압연된 재료의 개개의 결정은 압연 방향에 의존해서 일정한 방향을 향하고 있다. 그 결과, 스패터링용 타게트로서 사용한 경우, 입자의 비산 방향이 지나치게 정렬되어 막 두께가 불균일하게 된다. 크로스 압연에 의해 개개의 결정 방향을 임의로 함으로써, 압연 방향의 영향이 완화되고 막 두께의 균일화가 도모해진다.

본 발명에 따른 어떠한 티타늄 타게트 제조 방법에 있어서도, 최종 가공 후에 결정립 미세화를 위한 열처리를 함으로써 스패터 입자의 방향 제어성은 더욱 향상된다. 구체적으로는, 입자 지름은 500㎛ 이하가 바람직하고, 100㎛ 이하가 더욱 바람직하고, 50㎛ 이하가 특히 바람직하다.

다음에 본 발명의 실시예를 표시하고 비교예와 대비함으로써 본 발명의 효과를 명백히 한다.

시판되는 고순도 타타늄 주조재를 사용해서 스패터링 타게트를 제작함에 있어서, 타게트의 결정 배향성을 제어하기 위해 표 1의 가공 조건을 채용하였다. 제작된 티타늄 타게트의 표면에 있어서의 결정 배향성은 표 2에 표시하였다. 표시된 배향성은 X선 회절법에 의해 각 방위의 X선 회절 강도를 측정하고 그것을 티타늄 분말의 각 방위의 X선 회절 강도를 1로 한 비율로 나타낸 것이다.

또한 제작된 티타늄 타게트를 사용하여 스패터링을 하였다. 기판의 표면에는 폭 1.0㎛ x 깊이 2.0㎛의 콘택트홀을 설치하였다. 스패터링에 의해 얻어진 박막의 평균 막두께는 약 500 옹스트롬이다.

콘택트홀 이외의 부분에 있어서 막 형성 속도와 막 두께 분포, 및 콘택트홀 에 있어서 스텝 카버렛지를 측정한 결과를 표 3에 표시하였다. 막 형성 속도는 (평균 막 두께/스패터 시간)으로 나타내고 막 두께 분포는 (최대막 두께-최소막 두께)/(평균막 두께 x2) x 100(%)로 나타내었다. 또한 콘택트홀에 있어서 스텝 카버렛지는 (홀 저면의 평균막 두께/홀 이외의 평균막 두께) x 100(%)로 나타내었다.

절삭(A) :가공 방향에 직각인 면이 타게트면으로 되는 절삭

절삭(B) :가공 방향에 평행인 면이 타게트면으로 되는 절삭

절삭(C) :가공 방향에 대해서 45°의 면이 타게트면으로 되는 절삭

(*) (100) = (10-10), (002) = (00-02)

(101) = (10-11), (102) = (10-12)

(110) = (11-20), (103) = (10-13)

(112) = (11-22), (201) = (20-21)

No. 1은 용제 타게트로서 통상의 방법에 의해 제조한 것이다. 즉, 변태점 이하의 500℃에서 압연을 행하고 가공 방향에 직각인 면(압연면)이 타게트면으로 되는 통상의 절삭을 행하였다. 타게트면에 있어서 결정이 (0002)에 크게 배향되기 때문에 막 형성 속도, 막 두께 균일성 및 콘택트홀에 있어서 스텝 카버렛지는 낮아진다.

No. 2~4는 최종 가공으로서 변태점 이하의 500℃에서 단조를 한 것이다. 가공 방향에 직각인 면이 타게트면으로 되는 통상의 절삭을 한 No. 2는 No. 1과 같이 타게트면에 (0002)가 크게 배향되기 때문에 막 형성 속도, 막 두께 균일성 및 스텝 커버리지는 낮아진다.

이에 대해, No.3은 가공 방향에 평행한 면이 타게트면으로 되도록 절삭하였기 때문에 타게트면에이 비교적 크게 배향되고,에 대해서도 배향되는 경향을 가지므로 막 형성 속도, 막두께 균일성 및 스텝 카버렛지가 함께 향상하였다. 가공 방향에 대해서 45°의 경사로 절삭한 No. 4도 No. 2에 비하면 막 형성 속도, 막 두께 균일성 및 스텝 카버리지가 향상하였다.

No.5는 변태점 이상의 β 영역에서 고강도의 압연(strong rolling operation)을 행하고 통상의 절삭을 행한 것이다. 통상의 절삭으로 타게트면에이 크게 배향되고, 막 형성 속도, 막 두께 균일성 및 스텝 카버렛지가 현저하게 향상하였다.

No. 6은 변태점 이상의 β 영역에서 900℃로부터 변태점 이하인 800℃에 걸쳐 고강도의 압연을 행한 것이다. 통상의 절삭에 의해 타게트면에및이 크게 배향되어, 막 형성 속도, 막 두께 균일성 및 스텝 카버렛지가 더욱 향상하였다.

No. 7은 변태점 이상의 β 영역에서 고강도의 압연을 행한 No. 5에 있어서 압연으로서 크로스 압연을 사용한 것이다. 타게트면에 있어서의 배향성은 오히려 저하하였으나, 막 두께 균일성 및 스텝 카버렛지는 향상하였다.

No. 8~10은 No. 5에 있어서 최종 가공 후에 결정립 미세화를 위한 열처리를 행한 것이다. 결정립 지름은 No. 8에서 500㎛, No. 9에서 100㎛, No. 10에서 50㎛이다. 결정립 지름이 적어짐에 따라, 막 두께 균일성 및 스텝 카버렛지가 향상하였다.

또한, No. 3, 5, 6 중에서는, No. 6의 특성이및의 양편 모두의 회절 강도비가 2.0 이상으로 되고 또한 (0002)의 회절 강도비가 0.5 이하로 되어 특히 양호했다.

또한 실시예는 용제 타게트나 상술한 석출 타게트에도 적용이 가능하다.

이상과 같이 본 발명의 스패터링용 티타늄 타게트는 타게트에서 비산되는 스패터 입자의 방향이 타게트면에 수직인 방향으로 제어되므로 반도체 소자의 제조에 있어서 배선 재료 등으로서의 박막을 형성하는 데에 유용하다.

Claims (12)

1. 기판 표면에 박막을 형성하는 스패터링에 사용되는 티타늄 타게트에 있어서, 기판 표면에 마주하는 타게트면의 결정 구조체는 최밀 충전면(close-packed filling face)에 대해 수직인또는의 X선 회절 강도가 임의 배향인 경우의 1.1배 이상인 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트.
2. 제1항에 있어서, 상기 최밀 충전면에 대해 평행한 (0002)의 X선 회절 강도가 임의 배향인 경우의 1배 미만인 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트.
3. 제1항 또는 제2항에 기재된 스패터링용 티타늄 타게트를 제조하는 방법에 있어서, 최종 가공으로서 변태점 이하의 온도로 가공도가 50% 이상인 고강도의 가공(strong working operation)을 행하고, 가공 방향에 따른 면이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집하는 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
4. 제1항 또는 제2항에 기재된 스패터링용 티타늄 타게트를 제조하는 방법에 있어서, 최종 가공으로서 변태점 이상의 온도로 가공도가 50% 이상인 고강도의 가공을 행하고, 가공 방향과 교차하는 면이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집하는 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
5. 제1항 또는 제2항에 기재된 스패터링용 티타늄 타게트를 제조하는 방법에 있어서, 최종 가공으로서 β→α 변태점을 통과시키면서 가공도가 50% 이상인 고강도의 가공을 행하고, 가공 방향과 교차하는 면이 타게트면으로 되도록 타게트를 수집하는 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
6. 제3항에 있어서, 상기 고강도의 가공은 크로스 압연인 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
7. 제4항에 있어서, 상기 고강도의 가공은 크로스 압연인 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
8. 제5항에 있어서, 상기 고강도의 가공은 크로스 압연인 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
9. 제3항에 있어서, 최종 가공 후에 결정 입자 미세화를 위한 열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
10. 제4항에 있어서, 최종 가공 후에 결정 입자 미세화를 위한 열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
11. 제5항에 있어서, 최종 가공 후에 결정 입자 미세화를 위한 열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.
12. 제6항에 있어서, 최종 가공 후에 결정 입자 미세화를 위한 열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 스패터링용 티타늄 타게트의 제조 방법.