KR100291940B1 - Probe card for arranging hollow type probe tip to vertical direction - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A probe card for arranging a hollow type probe card to a vertical direction is provided to test the electric characteristic of a testing object such as a semiconductor device by providing elasticity to a probe tip. CONSTITUTION: A guide plate(52) is fixed to a center portion of a lower face of a multi-layer printed circuit substrate(51). A hole(52a) is formed in the guide plate(52). A pogo pin(56) is connected electrically with the multi-layer printed circuit substrate(51) through the hole(52a). A support plate(58) is located in an edge portion of a lower face of the guide plate(52). A relay plate(60) is fixed to the guide plate(52). The relay plate(60) has a contact point(60a) connected with the pogo pin(56). A plurality of hole(60b) is arranged on the relay plate(60). A hollow type auxiliary probe tip(62) is connected with a contact point(60a) formed in the relay plate(60). A fixing plate(66) is fixed by a lower face of the relay plate(60). A plurality of hole(66a) is arranged on the fixing plate(66). An upper portion of a hollow type probe tip(68) is connected with the hollow type auxiliary probe tip(62). A lower portion of the hollow type probe tip(68) is connected with an electrode pad. A reinforcing plate(70) is used for preventing distortion of the guide plate(52), the support plate(58), the fixing plate(66), and the multi-layer printed circuit board(51).

Description

중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드Probe card with vertical hollow probe tip

본 발명은 반도체 디바이스와 같은 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 프로브장치의 프로브카드(probe card)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card of a probe device for inspecting electrical characteristics of an object under test, such as a semiconductor device.

반도체 디바이스의 제조에 있어서는 반도체 웨이퍼 상에 정밀사진전사기술 등을 이용하여 다수의 반도체 디바이스가 형성되고, 이후 각 디바이스마다 절단된다.In the manufacture of semiconductor devices, a plurality of semiconductor devices are formed on a semiconductor wafer by using a precision photograph transfer technique or the like, and are then cut for each device.

이와 같은 반도체 디바이스 제조공정에서는 종래부터 프로브장치를 사용하여 반완성품인 반도체 디바이스의 전기적 특성 검사를 반도체웨이퍼의 상태로 실시하고, 이 테스트 결과 양품이라고 판정된 것만을 패키징 등의 후공정에 보냄으로서 생산성 향상을 꾀하고 있다.In such a semiconductor device manufacturing process, conventionally, the probe device is used to inspect the electrical characteristics of a semi-finished semiconductor device in the state of a semiconductor wafer, and only the product determined as a good result is sent to a post-process such as packaging, for productivity. It is trying to improve.

이러한 테스트는, 반도체 웨이퍼의 전극패드에 프로브팁을 접촉시키고 이 프로브팁을 통한 테스터에 의해 전기적 특성 검사를 실시하는 것이다.In this test, a probe tip is brought into contact with an electrode pad of a semiconductor wafer and an electrical property test is performed by a tester through the probe tip.

근래 반도체 디바이스가 점점 미세화 하여 회로의 집적도가 높아지고 있으며 전극패드의 사이즈가 미세화되고, 그 전극패드의 간격도 매우 좁아져 오고 있다.In recent years, semiconductor devices have become more and more fine, and the degree of integration of circuits is increasing, and the size of electrode pads has been miniaturized, and the spacing of the electrode pads has also become very narrow.

따라서 프로브카드의 한정된 공간에 수백개의 프로브팁을 필요로 하게 되고 동시에 프로브팁이 전극패드의 중심부에 정확하면서도 안정적으로 접촉되도록 하는 기술을 필요로 하고 있다.As a result, hundreds of probe tips are required in a limited space of the probe card, and at the same time, a technique is required to ensure that the probe tips accurately and stably contact the center of the electrode pad.

도 1은 종래 프로브카드의 정면도이고, 도 2는 도1의 저면도이며, 도 3은 종래 프로브팁의 작용상태를 예시한 설명도를 도시한 것이다.1 is a front view of a conventional probe card, FIG. 2 is a bottom view of FIG. 1, and FIG. 3 is an explanatory view illustrating an operation state of a conventional probe tip.

도시된 바와 같이 프로브카드(10)는 회로가 구성된 인쇄회로기판(12)과, 인쇄회로기판(12)의 상면 중앙에 형성되는 보강판(14)과, 인쇄회로기판(12)의 저면 중앙에 프로브팁(16)을지지 고정판(18)으로 구성되어 상기 프로브팁(16)이 절연물(에폭시)(20)에 의해 고정판(18)에 고정된다.As shown in the drawing, the probe card 10 includes a printed circuit board 12 having a circuit, a reinforcement plate 14 formed at the center of the upper surface of the printed circuit board 12, and a center of the bottom surface of the printed circuit board 12. The probe tip 16 is composed of a holding plate 18 so that the probe tip 16 is fixed to the holding plate 18 by an insulator (epoxy) 20.

상기와 같이 고정된 프로브팁(16)의 배열은, 도 2에 도시된 바와 같이 고정판(18)에 절연물(20)로 고정된 다수의 프로브팁(16)이 도면에서 보면 좌측과 우측에 2열로 배열되고 서로 대칭을 이루게 된다.Arrangement of the probe tip 16 fixed as described above, the plurality of probe tips 16 fixed to the fixing plate 18 with the insulator 20 as shown in FIG. Arranged and symmetrical to each other.

상기와 같이 구성된 프로브카드(10)에 있어 프로브팁(16)의 구조 및 배열을 보다 자세히 설명하면 프로브팁(16)의 끝 부위를 구부려 가늘게 가공하고 반도체 웨이퍼의 전극패드(100)와 접촉하는 접촉단부(16a)를 샌딩가공으로 평평하게 연마하여 고정판(18)에 절연물(20)로 고정 유지시킨 구조를 갖고 있다.In the probe card 10 configured as described above, the structure and arrangement of the probe tip 16 will be described in more detail. The tip of the probe tip 16 may be bent and processed to be in contact with the electrode pad 100 of the semiconductor wafer. The end portion 16a is polished flat by sanding, and fixed to the fixed plate 18 with the insulator 20.

상기와 같은 프로브팁(16)은 도체 부분(즉, 접촉단부(16a)부터 절연물(20)로 고정한 부분까지)이 기라게 노출되고, 또 접촉단부(16a)를 형성하기 위한 경사부(16b)의 경사각이 큰 상태에 있다. 이 때문에 프로브카드(10)가 상,하 이동(또는 반도체 웨이퍼가 상,하 이동)하여 접촉단부(16a)가 전극패드(100)와의 접촉 시 전극 패드(100)와 반복되는 접촉에 의해 접촉단부(16a)가 계속해서 반복압력을 받게 됨에 따라 도 3의 가상선과 같이 그 접촉단부(16a)가 전극패드(100)에 눌리어지면서 필요 이상의 슬립이 발생하게 된다. 이에 따라 접촉단부(16a)가 전극패드(100)에 눌려질 때 전극패드(100)에서 이동범위가 커지게 되어 전극패드(100)의 중심부를 벗어나게 된다.The probe tip 16 as described above is exposed to the conductor portion (that is, from the contact end portion 16a to the portion fixed by the insulator 20) in a long manner, and the inclined portion 16b for forming the contact end portion 16a. The inclination angle of is in a large state. For this reason, the probe card 10 moves up and down (or the semiconductor wafer moves up and down) so that the contact end portion 16a contacts the electrode pad 100 when the contact end portion 16a contacts the electrode pad 100. As the 16a continues to be subjected to repeated pressure, the contact end 16a is pressed against the electrode pad 100 as shown in the virtual line of FIG. Accordingly, when the contact end portion 16a is pressed by the electrode pad 100, the moving range of the electrode pad 100 increases, leaving the center of the electrode pad 100.

이 때문에 접촉단부(16a)의 전극이 켜져야만 전극패드(100)와의 접촉상태를 양호하게 할 수 있는데, 접촉단부(16a)가 전극패드(100)로부터 슬립량(이동거리)이 커지게 됨에 따라 전극패드(100)의 중심을 많이 벗어나는 것을 감안하여 접촉단부(16a)의 직경을 작게 할 수밖에 없어 결국 접촉불량을 야기하게 된다.For this reason, the contact state with the electrode pad 100 can be improved only when the electrode of the contact end portion 16a is turned on. As the contact end portion 16a has a large slip amount (moving distance) from the electrode pad 100, Considering that the electrode pad 100 deviates much from the center, the diameter of the contact end portion 16a can only be reduced, resulting in poor contact.

또한 상기 도체부분이 긴 접촉단부(16a)가 반복되는 전극패드(100)와의 접촉으로 그 접촉단부(16a)에는 점차적으로 변형(휨)이 발생하여 전극패드(100)의 중심부에 안정적으로 접촉되지 못하므로 인해 접촉단부(16a)의 보정시간이 빨리 도래되는 문제점과 아울러 사용중 계속되는 접촉단부(16a)의 변형으로 더욱 나빠지게 되어 반도체 웨이퍼의 수율 관리에 상당한 악영향을 주고, 그에 따라 생산성을 크게 저하시키게 되는 문제점을 갖게 된다.In addition, the contact portion 16a is gradually deformed (bending) due to contact with the electrode pad 100 where the conductor end portion 16a has a long contact end portion 16a, so that the center portion of the electrode pad 100 is not stably contacted. As a result, the correction time of the contact end portion 16a can be reached quickly, and it becomes worse due to the deformation of the contact end portion 16a which is continued during use, which significantly affects the yield management of the semiconductor wafer, thereby greatly reducing the productivity. You have a problem.

한편 프로브팁(16)은 상기 도체부분의 노출된 길이가 긴 것을 감안하여 소정하는 강도를 갖기 위해 약 250미크론의 외경을 갖게 되기 때문에 프로브팁(16)의 굵기는 전극패드(100)의 크기보다 더 크게 되어 많은 전극패드(100)가 조밀하게 배치된 반도체 웨이퍼의 경우 전극패드(100)를 한번에 많이 검사할 수 없는 단점을 가지고 있다.On the other hand, since the probe tip 16 has an outer diameter of about 250 microns in order to have a predetermined strength in consideration of the long exposed length of the conductor portion, the thickness of the probe tip 16 is larger than that of the electrode pad 100. In the case of a semiconductor wafer in which many electrode pads 100 are densely arranged to have a larger size, the electrode pads 100 cannot be inspected a lot at a time.

더욱이 좌,우 대칭된 프로브팁(16)에 있어 양 접촉단부(16a)의 경사가 같은 방향을 향해(즉, 양측에 배열된 접촉단부(16a)가 마주보는 방향) 경사각도를 갖고 있어 사용 중 변형 및 마모된 접촉단부(16a)를 재생하기 위해 다시 샌딩가공하게 되면, 샌딩된 높이만큼 접촉단부(16a)의 중심이 양 방향(도 1의 화살표 방향 참조)으로 이동되게 됨으로써, 정형(정형)하게 배치된 전극패드(100)의 중심부와 일치되지 못하여 접촉단부(16a)를 여러번 샌딩하여 재 사용할 수 없는 단점이 있다.Furthermore, in the left and right symmetrical probe tips 16, the inclination of both contact ends 16a has the inclination angle toward the same direction (that is, the direction in which the contact ends 16a arranged on both sides face each other). When sanding is again performed to regenerate the deformed and worn contact end 16a, the center of the contact end 16a is moved in both directions (see the arrow direction in FIG. 1) by the sanded height, thereby forming It does not coincide with the center of the electrode pad 100 disposed so that the contact end portion 16a may be sanded several times and thus may not be reused.

본 발명은 상기와 같은 기술의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 전극패드에 접촉되는 프로브팁이 전극패드에 대해 수직되면서 자체탄성을 갖게 하여 전극패드와 접촉 시에 프로브팁의 슬립을 제거하면서 접촉압력에 의해 반복되는 전극패드와의 접촉성을 향상시켜 검사효율을 크게 향상시키고, 프로브팁이 수직으로 배열되어 소직경화에 의해 고집직화된 반도체웨이퍼에 대응할 수 있도록 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the problems of the above-described technology, the probe tip in contact with the electrode pad is perpendicular to the electrode pad while the self-elasticity to remove the slip of the probe tip when contacting the electrode pad contact Hollow probe tips vertically arranged to improve contact efficiency with electrode pads repeated by pressure, greatly improving inspection efficiency, and to support probe wafers arranged vertically to cope with highly integrated semiconductor wafers by small diameters The purpose is to provide a probe card.

상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명은,The present invention to achieve the above object,

프로브장치와 회로적으로 연결되는 다층인쇄회로기판과;A multi-layer printed circuit board connected to the probe device circuit;

상기 다층인쇄회로기판의 하면 중앙부로 고정된 가이드판과;A guide plate fixed to a central portion of a lower surface of the multilayer printed circuit board;

상기 가이드판에 배열 천공된 홀을 통해 설치되어 상기 다층인쇄회로기판과 전기적으로 연결되는 포고핀(pogopin)과;Pogo pins (pogopin) is installed through the holes arranged in the guide plate and electrically connected to the multilayer printed circuit board;

상기 가이드판의 하면 테두리를 통해 위치한 지지판에 의해 가이드판과 일정 공간을 유지하면서 상기 지지판의 하면을 통해 가이드판과 고정되고 상기 포고핀과 전기적으로 연결되는 접점이 형성되는 릴레이판과;A relay plate which is fixed to the guide plate through a lower surface of the support plate and is electrically connected to the pogo pin while maintaining a predetermined space with the guide plate by a support plate positioned through a lower edge of the guide plate;

상기 릴레이판에 전극패드의 좌표와 부합되게 배열 천공된 복수의 홀을 통해 수직되게 배열되고 상기 릴레이판에 형성된 접점과 전기적으로 연결되는 중공형 보조프로브팁과;A hollow auxiliary probe tip arranged vertically through a plurality of perforated holes arranged in correspondence with the coordinates of the electrode pads on the relay plate, and electrically connected to the contacts formed on the relay plate;

상기 릴레이판의 하면을 통해 고정되는 고정판과;A fixed plate fixed through a lower surface of the relay plate;

상기 고정판에 배열 천공된 복수의 홀을 통해 수직으로 배열 설치되어 그 상부가 상기 중공형 보조프로브팁과 접속되고 그 하부는 상기 고정판으로부터 돌출되어 전극패드와 접촉되는 중공형 프로브팁과;A hollow probe tip disposed vertically through a plurality of holes drilled in the fixing plate, the upper portion of which is connected to the hollow auxiliary probe tip, and the lower portion of which protrudes from the fixing plate to be in contact with the electrode pad;

상기 다층인쇄회로기판 상면 중앙부로 고정되어 상기 가이드판, 지지판, 릴레이판, 고정판 및 다층인쇄회로기판의 변형을 방지하는 보강판으로 구성된 것을 특징으로 한다.The multilayer printed circuit board is fixed to a central portion of the upper surface, characterized in that composed of a reinforcing plate to prevent deformation of the guide plate, support plate, relay plate, fixed plate and the multilayer printed circuit board.

상기 포고핀은,The pogo pin is,

가이드판에 천공된 홀에 삽입되어 고정되는 케이싱과;A casing inserted into and fixed to the hole drilled in the guide plate;

상기 케이싱의 양측에 출몰 가능하게 설치되어 다층인쇄회로기판의 접점과 릴레이판의 접점에 접촉 연결되는 접점핀과;Contact pins installed on both sides of the casing to be in contact with the contacts of the multilayer printed circuit board and the contacts of the relay board;

상기 케이싱 내에 설치되고 양 접점핀 사이에 개재되어 접점핀의 접촉력을 증대시키는 스프링으로 구성된 것을 특징으로 한다.It is installed in the casing and interposed between both contact pins, characterized in that consisting of a spring to increase the contact force of the contact pins.

상기 중공형 프로브팁이 고정판으로부터 돌출되는 길이가 2000㎛이내인 것을 특징으로 한다.The hollow probe tip is characterized in that the length of the protruding from the fixing plate is less than 2000㎛.

상기 가이드판과 릴레이판 사이에 형성된 공간에는 중공형 프로브팁의 접촉압력에 따른 변형을 방지하기 위하여 복수의 서포트를 가이드판 측에 추가로 설치하는 것을 특징으로 한다.In the space formed between the guide plate and the relay plate, a plurality of supports are further installed on the guide plate side to prevent deformation due to the contact pressure of the hollow probe tip.

상기 가이드판, 지지판, 릴레이판 및 고정판은 굽힘변형 강성을 갖고 절연성, 내화학성, 내열성이 양호한 세라믹재 또는 PEEK(Polyethertherketone)재인 것을 특징으로 한다.The guide plate, the support plate, the relay plate and the fixing plate are characterized in that the ceramic material or PEEK (Polyethertherketone) material having a bending deformation rigidity and good insulation, chemical resistance, heat resistance.

상기 보강판은 구조적 강성을 갖는 세라믹재 또는 강재인 것을 특징으로 한다.The reinforcement plate is characterized in that the ceramic material or steel having a structural rigidity.

상기 중공형 보조프로브팁과 중공형과 중공형 프로브팁을 단일체로 형성한 것을 특지으로 한다.It is characterized in that the hollow auxiliary probe tip and the hollow and hollow probe tips formed in a single body.

상기 릴레이판에 형성되어 중공형 보조프로브팁을 포고핀과 전기적으로 연결시키는 접점은 '∞' 이런 연결모양을 하여 동선이 보조접점을 통해 와이어 본딩되어 접점과 전기적으로 연결되게 한 것을 특징으로 한다.The contact formed on the relay plate to electrically connect the hollow auxiliary probe tip with the pogo pin is characterized in that the copper wire is electrically connected to the contact by wire bonding through the auxiliary contact by '∞'.

도 1은 종래 프로브카드의 정면도1 is a front view of a conventional probe card

도 2는 도 1의 저면도.2 is a bottom view of FIG. 1.

도 3은 종래 프로브팁의 작용상태를 예시한 설명도,3 is an explanatory diagram illustrating an operation state of a conventional probe tip;

도 4는 본 발명의 프로브카드의 정면도,4 is a front view of the probe card of the present invention;

도 5는 도 4의 저면도.5 is a bottom view of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 변형 예의 프로브카드의 저면도.Figure 6 is a bottom view of a probe card of a modified example of the present invention.

도 7은 본 발명의 프로브카드에 설치되는 중공형 프로브팁의 사시도.Figure 7 is a perspective view of a hollow probe tip installed on the probe card of the present invention.

도 8은 도 7의 저면도.8 is a bottom view of FIG. 7.

도 9는 도 7에 도시된 중공형 프로브팁의 작용상태도.9 is a state diagram of the hollow probe tip shown in FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

50 : 프로브카드 51 : 다층인쇄회로기판50: probe card 51: multilayer printed circuit board

51a, 60a : 접점 52 : 가이드판51a, 60a: contact 52: guide plate

52a, 60b, 66a : 홀 54 : 볼트52a, 60b, 66a: hole 54: bolt

56 : 포고핀(pogopin) 56a : 케이싱56: pogopin 56a: casing

56b, 56c : 접점핀 56d : 스프링56b, 56c: Contact pin 56d: Spring

58 : 지지판 60 : 릴레이판58: support plate 60: relay plate

62 : 중공형 보조프로브팁 64 : 동선62: hollow auxiliary probe tip 64: copper wire

66 : 고정판 68 : 중공형 프로브팁66: fixed plate 68: hollow probe tip

68a : 중공핀부 68b, 68c : 단부68a: hollow pin portion 68b, 68c: end

68d : 축방향 탄성핀부 68e : 골68d: axial elastic pin portion 68e: bone

68f : 접촉단부 70 : 보강판68f: contact end 70: reinforcement plate

72 : 서포트 100 : 전극패드72: support 100: electrode pad

이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 프로브카드의 정면도이고, 도 5는 도 4의 저면도이며, 도 6은 본 발명의 변형 예의 프로브카드의 저면도이고, 도 7은 본 발명의 프로브카드에 설치되는 중공형 프로브팁의 사시도이며, 도 8은 도 7의 저면도이고, 도 9는 도 7에 도시된 중공형 프로브팁의 작용상태도를 도시한 것이다.Figure 4 is a front view of the probe card of the present invention, Figure 5 is a bottom view of Figure 4, Figure 6 is a bottom view of a probe card of a modified example of the present invention, Figure 7 is a hollow type installed in the probe card of the present invention 8 is a perspective view of the probe tip, and FIG. 8 is a bottom view of FIG. 7, and FIG. 9 is a diagram illustrating an operation state of the hollow probe tip illustrated in FIG. 7.

도시된 바와 같이 미도시된 프로브장치와 회로적으로 연결되는 다층인쇄회로기판(51)의 하면 중앙부로 직사각 형태의 가이드판(52)이 볼트(54)의 고정수단으로 설치된다.As shown in the drawing, a rectangular guide plate 52 is installed as a fixing means of the bolt 54 toward the center of the lower surface of the multilayer printed circuit board 51 which is connected to the probe device not shown.

상기 가이드판(52)에는 복수로 배열 천공된 홀(52a)을 통해 상기 다층인쇄회로기판(51)과 전기적으로 연결되는 포고핀(56)이 설치된다.The guide plate 52 is provided with pogo pins 56 electrically connected to the multilayer printed circuit board 51 through a plurality of arrayed holes 52a.

상기 가이드판(52)의 하면 테두리에는 지지판(58)이 위치되고 이 지지판(58)을 통해 릴레이판(60)이 볼트(54)의 고정수단으로 상기 가이드판(52)에 설치된다.The support plate 58 is positioned on the lower edge of the guide plate 52, and the relay plate 60 is installed on the guide plate 52 as a fixing means of the bolt 54 through the support plate 58.

상기 지지판(58)에 의해 가이드판(52)의 일부가 릴레이판(60) 사이에는 설치공간이 마련되고 이를 통해 상기 포고핀(56)의 일부가 노출되며, 이 포고핀(56)은 릴레이판(60)에 형성된 접점(60a)과 전기적으로 연결된다.A portion of the guide plate 52 is provided between the relay plate 60 by the support plate 58 to provide an installation space, through which a portion of the pogo pin 56 is exposed, and the pogo pin 56 is a relay plate. It is electrically connected with the contact 60a formed in 60.

상기 포고핀(60)은 도 1의 확대도로 도시된 바와 같이 가이드판(52)에 천공된 홀(52a)에 삽입되어 에폭시 또는 절연 본드로 고정되는 케이싱(56a)과 상기 케이싱(56a)의 양측에 출몰 가능하게 설치되어 다층인쇄회로기판(51)의 접점(51a)과 릴레이판(60)의 접점(60a)에 접촉 연결되는 접점핀(56b)(56c)과, 상기 케이싱(56a)내에 설치되고 양 접점핀(56b)(56c) 사이에 개재되어 이 접점핀(56b)(56c)을 상기 접점(51a)(60a)에 탄성적으로 접촉되게 하여 접촉력을 증대시키는 스프링(60d)으로 구성된다.As shown in the enlarged view of FIG. 1, the pogo pin 60 is inserted into a hole 52a drilled in the guide plate 52 and fixed to an epoxy or insulating bond to both the casing 56a and the casing 56a. Contact pins 56b and 56c which are installed on the casing 56a and are connected to the contact 51a of the multilayer printed circuit board 51 and the contact 60a of the relay board 60, and are installed in the casing 56a. And a spring 60d interposed between both contact pins 56b and 56c to elastically contact the contact pins 56b and 56c with the contacts 51a and 60a to increase the contact force. .

상기에서 스프링(56d)은 판형 또는 코일형 스프링을 사용하는 것이 바람직하다.In the above, it is preferable that the spring 56d uses a plate or coil spring.

이에 따라 상기 스프링(56d)의 반발력에 의하여 접점핀(56b),(56c)이 양 접점(51a),(60a)에 긴밀하게 밀착되어 통전성을 향상시키게 된다.Accordingly, the contact pins 56b and 56c are closely contacted with both the contact points 51a and 60a by the repulsive force of the spring 56d, thereby improving the electrical conductivity.

상기 릴레이판(60)에는 전극패드(100)의 좌표와 부합되는 복수의 홀(60b)이 천공 배열되어 이 홀(60b)을 통해 중공형 보조프로브팁(62)이 수직되게 배열 설치 고정된다.A plurality of holes 60b corresponding to the coordinates of the electrode pad 100 are punctured and arranged in the relay plate 60 so that the hollow auxiliary probe tip 62 is vertically installed and fixed through the holes 60b.

상기 중공형 보조프로브팁(62)은 홀(60b)에 삽입되어 에폭시 또는 절연 본드로 고정되고 그 상부가 동선(64)으로 연결되어 와이어 본딩으로 릴레이판(60)의 접점(60a)과 전기적으로 연결된다.The hollow auxiliary probe tip 62 is inserted into the hole 60b and fixed with epoxy or an insulating bond, and the upper part thereof is connected with copper wire 64 to be electrically connected to the contact 60a of the relay plate 60 by wire bonding. Connected.

상기에서 접점(60a)은 도 4의 릴레이판(60)의 요부 확대도로 도시한 바와 같이 접점(60a)의 모양이 '∞' 이런 연결모양을 하여 상기 동선(64)이 보조접점(64a)을 통해 와이어 본딩됨에 따라 상기 접점(60a)에 접촉된 포고핀(56)의 접점핀(56c)이 간섭되지 않게 되어 접촉성을 안정되게 하며 통전성을 좋게 된다.As shown in the enlarged main portion of the relay plate 60 of FIG. 4, the contact point 60a has the shape of the contact point 60a such that the copper wire 64 is connected to the auxiliary contact point 64a. As the wire is bonded through, the contact pins 56c of the pogo pins 56 in contact with the contacts 60a are not interfered, thereby making the contactability stable and the conductance good.

상기 릴레이판(60)의 하부에는 고정판(66)이 볼트(54)의 고정수단으로 설치되고, 이 고정판(66)에는 상기 릴레이판(60)의 홀(60b)과 동일 위치에 대응하여 배열 천공된 복수의홀(66a)을 통해 중공형 프로브팁(68)이 수직되게 배열 설치한다.A fixing plate 66 is installed at a lower portion of the relay plate 60 as a fixing means for the bolt 54, and the fixing plate 66 is drilled in a manner corresponding to the same position as that of the hole 60b of the relay plate 60. The hollow probe tips 68 are arranged vertically through the plurality of holes 66a.

상기 중공형 프로브팁(68)의 상부는 중공형 보조프로브팁(62)의 하부를 통해 삽입되어 전기적으로 연결되고, 그 중공형 프로브팁(68)의 하부는 고정판(66)으로부터 약간 돌출되어 전극패드(100)와 접촉되게 구성된다.The upper portion of the hollow probe tip 68 is inserted and electrically connected through the lower portion of the hollow auxiliary probe tip 62, and the lower portion of the hollow probe tip 68 protrudes slightly from the fixing plate 66 to be electrode. It is configured to be in contact with the pad 100.

상기 다층인쇄회로기판(51) 상면 중앙부에는 상기 가이드판(52), 지지판(58), 릴레이판(60), 고정판(66) 및 다층인쇄회로기판(51)의 변형을 방지하는 보강판(70)이 설치된다.The reinforcement plate 70 which prevents deformation of the guide plate 52, the support plate 58, the relay plate 60, the fixed plate 66, and the multilayer printed circuit board 51 is formed at the center of the upper surface of the multilayer printed circuit board 51. ) Is installed.

상기 중공형 프로브팁(68)은 도 7에 도시된 바와 같이 금속판재를 롤 포밍(roll forming)하여 내부가 빈 중공핀부(68b)(68c)는 서로 떨어진 여유틈새(C)를 두어 상기 중공핀부(68a)가 반지름 방향으로 스프링작용이 발생되며, 상기 중공핀부(68a)의 하부를 안쪽으로 굽힘을 주어 하방향 원뿔대(cone frustum)형태의 축방향 탄성핀부(68d)가 형성되며, 상기 축방향 탄성핀부(68d)의 둘레에는 일정높이와 일정간격으로 복수의 골(68e)이 형성되어 이 골(68e)이 형성되어 이 골(68e)에 의해 삼지창 형태로 전극패드(100)와 접촉되는 접촉단부(68f)가 형성되어 구성된다.The hollow probe tip 68 roll-forms a metal plate as shown in FIG. 7 so that the hollow pin portions 68b and 68c having empty interiors have clearance gaps C spaced apart from each other. A spring action is generated in the radial direction (68a), and the lower portion of the hollow pin portion (68a) is bent inward to form an axial elastic fin portion (68d) in the form of a conical frustum (cone frustum), the axial direction A plurality of bones 68e are formed at a predetermined height and a predetermined interval around the elastic pin portion 68d so that the bones 68e are formed to contact the electrode pad 100 in the form of a trident by the bones 68e. The end 68f is formed and comprised.

상기에는 접촉단부(68f)는 골(68e)에 의해 3개로 형성된 것이 도시되어 있으나, 이 접촉단부(68f)가 2개 또는 4개를 형성하여 전극패드(100)와 접촉압력을 갖고 접촉되더라도 안정된 접촉이 이루어진다.Although three contact ends 68f are formed by the valleys 68e, the two contact ends 68f form two or four, so that the contact ends 68f are stable even when they are in contact with the electrode pad 100. Contact is made.

또한 상기 접촉단부(68f)는 도 8에 도시된 바와 같이 샌딩 가공하여 일정폭(W)의 수평접축부로 이루어지게 되며, 이때 접촉단부(68f)의 접촉두께(T)는, 도 9에 부분확대도로 도시된 바와 같이 안쪽으로 굽힘된 축방향 탄성핀부(68d)의 굽힘각만큼 단면적이 넓어지게 된다. 따라서 접촉단부(68f)는 전극패드(100)와의 접촉면적이 확대되어 접촉저항을 줄이게 됨에 따라 중공형 프로브팁(68)의 수명연장 효과와 함께 접촉력을 좋게 하는 효과를 갖게 된다.In addition, the contact end portion 68f is sanded as shown in FIG. 8 to form a horizontal contact portion having a predetermined width W. In this case, the contact thickness T of the contact end portion 68f is shown in FIG. 9. As shown in the enlarged view, the cross-sectional area becomes wider by the bending angle of the axial elastic pin portion 68d bent inward. Therefore, the contact end portion 68f has an effect of improving the contact force with the life extension effect of the hollow probe tip 68 as the contact area with the electrode pad 100 is reduced to decrease the contact resistance.

상기 중공형 프로브팁(68)의 하부가 고정판(66)으로부터 돌출되는 길이(L)를 2000㎛ 이내로 짧게 하여 중공형 프로브팁(68)의 강성유지와 함께 전극패드(100)와의 접촉시 슬림없이 요구하는 탄성 및 통전성을 갖게 하는 것이 바람직하다.The length of the lower portion of the hollow probe tip 68 protrudes from the fixing plate 66 is shortened to within 2000 μm so that the rigid probe tip 68 remains rigid when contacted with the electrode pad 100. It is desirable to have required elasticity and electrical conductance.

한편 상기 중공형 프로브팁(68)은 전도성과 경고 및 강도가 양호한 베릴륨-동합금(Be-Cu alloy)으로 하여 극미세전류를 사용하는 반도체에 있어 전도성과 접촉저항의 상관관계를 갖게 하는 것이 바람직하다.On the other hand, the hollow probe tip 68 is preferably a beryllium copper alloy (Be-Cu alloy) having good conductivity, warning, and strength to have a correlation between conductivity and contact resistance in a semiconductor using an ultrafine current. .

상기 중공형 보조프로브팁(62)도 상기에서 설명한 중공형프로브팁(68)과 동일한 형상과 구조로 이루어져 있다.The hollow auxiliary probe tip 62 also has the same shape and structure as the hollow probe tip 68 described above.

한편 상기 보강판(70)은 중공형 보조프로브팁(62)반복되는 전그패드(100)와의 접촉시 접촉압력에 따른 다층인쇄회로기판(51)을 포함한 가이드판(52), 지지판(58), 릴레이판(60) 및 고정판(66)의 변형을 방지하여 그 결과 상기 다층인쇄회로기판(51)을 포함한 가이드판(52), 지지판(58), 릴레이판(60) 및 고정판(66)에 설치된 중공형 프로브팁(68)이 평탄도를 유지하게 되어 각각의 전극패드(100)와 균일한 접촉압력을 갖고 접촉되어 중공형 프로브팁(68)의 접촉불량을 방지하게 된다.On the other hand, the reinforcing plate 70 is a guide plate 52, a support plate 58, including a multilayer printed circuit board 51 in accordance with the contact pressure upon contact with the repetitive post pad (62) probe pad 100, The deformation of the relay plate 60 and the fixing plate 66 is prevented. As a result, the guide plate 52 including the multilayer printed circuit board 51, the support plate 58, the relay plate 60, and the fixing plate 66 are installed. The hollow probe tip 68 maintains flatness and is in contact with each electrode pad 100 with a uniform contact pressure to prevent a poor contact of the hollow probe tip 68.

상기와 같은 보강판(70)은 구조적 강성을 갖는 세라믹재 또는 강재를 사용하는 것이 바람직하다.As the reinforcing plate 70 as described above, it is preferable to use a ceramic material or steel material having structural rigidity.

한편 지지판(58)에 의하여 가이드판(52)과 릴레이판(60) 사이에 형성되는 공간에는, 중공형 프로브팁(68)의 접촉압력에 따른 변형을 방지하기 위하여 상기 가이드판(52)과 릴레이판(60) 사이에 복수의 서포트(72)를 가이드판(52) 측에 고정할 수도 있는 것이다.On the other hand, in the space formed between the guide plate 52 and the relay plate 60 by the support plate 58, the guide plate 52 and the relay to prevent deformation due to the contact pressure of the hollow probe tip 68 The plurality of supports 72 may be fixed to the guide plate 52 side between the plates 60.

한편 상기 가이드판(52), 지지판(58),릴레이판(60) 및 고정판 (66)은 굽힘 변형 강성을 갖고 절연성, 내화학성, 내열성이 양호한 세라믹재 또는 PEEK(Polyethertherketone)재를 사용하는 것이 바람직하다.Meanwhile, the guide plate 52, the support plate 58, the relay plate 60, and the fixing plate 66 may be formed of a ceramic material or PEEK (Polyethertherketone) material having bending deformation rigidity and good insulation, chemical resistance, and heat resistance. Do.

또한 상기에서 가이드판(52)과 릴레이판(52) 및 고정판(66)에 천공된 홀(52a)(60b)(66a)은 레이저 가공에 의해 진원으로 형성되어 포고핀(56), 중공형 보조프로브팁(62) 및 중공형 프로브팁(68)의 삽입 및 고정을 안정되게 한다.In addition, the above-described holes 52a, 60b, 66a drilled in the guide plate 52, the relay plate 52, and the fixing plate 66 are formed in a round shape by laser processing to form a pogo pin 56 and a hollow auxiliary support. The insertion and fixing of the probe tip 62 and the hollow probe tip 68 is stabilized.

한편 상기 중공형 프로브팁(68)은 중공형 보조프로브팁(68)을 매개로 전기적으로 접속 연결되어 있는 바, 이는 중공형 프로브팁(68)의 직경이 매우 작기 때문에 접촉압력에 따른 휨변형을 막기 위해 중공형 프로브팁(68)의 길이(높이)를 가능하면 짧게 하기 위하여 중공형 보조프로브팁(68)과 연결한 것이다. 이에 따라 중공형 프로브팁(68)을 중공형 보조프로브팁(68)에 연결하여 사용함으로써 휨변형에 대항할 수 있게 되는 것이다.On the other hand, the hollow probe tip 68 is electrically connected to the medium via the hollow auxiliary probe tip 68. Since the diameter of the hollow probe tip 68 is very small, bending deformation according to the contact pressure is achieved. In order to prevent the length (height) of the hollow probe tip 68 to be as short as possible, it is connected with the hollow auxiliary probe tip 68. Accordingly, by using the hollow probe tip 68 connected to the hollow auxiliary probe tip 68, it is possible to counter the bending deformation.

상기 중공형 프로브팁(68)의 강성이 요구조건(휨변형)에 만족한다면 중공형 보조프로브팁(62)을 삭제하고 중공형 프로브팁(68)을 연장시켜 단일체로 하여 구성할 수도 있음은 물론이다. 따라서 중공형 보조프로브팁(62)이 삭제되는 것에 의하여 조립성 개선 및 제조비용을 절감할 수 있다.If the stiffness of the hollow probe tip 68 satisfies the requirements (bending deformation), the hollow auxiliary probe tip 62 may be deleted and the hollow probe tip 68 may be extended to form a single body. to be. Therefore, by eliminating the hollow auxiliary probe tip 62, it is possible to improve assembly and reduce manufacturing costs.

한편 상기 고정판(66)에 배열된 중공형 프로브팁(68)은 도 5에 도시한 바와 같이 좌,우 2열로 배열 배치되어 있으나, 이에 국한되는 것은 아니고, 도 6에 도시된 바와 같이 검사할 반도체 웨이퍼에 대응하여 중공형 프로브팁(68)을 3열, 4열 또는 그 이상의 열로 배치할 수 있음은 물론이다. 이같은 중공형 프로브팁(68)의 배열 배치는 중공형 프로브팁(68)이 고정판(66)에 수직으로 설치되어 있기 때문에 한정된 공간에 많은 수의 중공형 프로브팁(68)을 설치할 수 있게 되는 것이다. 이와 같은 중공형 프로브팁(68)의 배열을 검사할 반도체 웨이퍼에 대응하여 2열, 3열, 4열 등 다양하게 선택적으로 배치할 수 있게 됨으로써 고접적화 되는 반도체 검사에 대응할 수 있게 된다.Meanwhile, the hollow probe tips 68 arranged on the fixing plate 66 are arranged in two rows, left and right as shown in FIG. 5, but are not limited thereto, and the semiconductor to be inspected as shown in FIG. 6. Of course, the hollow probe tips 68 may be arranged in three, four, or more rows corresponding to the wafer. This arrangement of the hollow probe tip 68 is to install a large number of hollow probe tip 68 in a limited space because the hollow probe tip 68 is installed perpendicular to the fixed plate 66. . The array of hollow probe tips 68 may be selectively arranged in various ways such as two rows, three rows, and four rows corresponding to the semiconductor wafer to be inspected, thereby enabling the semiconductor inspection to be highly integrated.

상기와 같이 구성된 본 발명의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effects of the present invention configured as described above are as follows.

미도시된 프로브장치에 의하여 프로브카드(50)가 상,하 이동(또는 반도체 웨이퍼가 재치대에서 이동)함에 따라 중공형 프로브팁(68)이 반도체 웨이퍼의 전극패드(100)와 접촉되어 중공형 프로브팁(68), 중공형 보조프로브팁(62) 릴레이판(60)으 접점(60a), 포고핀(56), 다층인쇄회로기판(51)을 통해 이와 연결된 프로브장치에 의해 프로빙이 실시되어 전극패드(100)의 출력신호에 따른 전극패드(100)의 좋고 나쁨을 판정하게 된다.As the probe card 50 moves up and down (or the semiconductor wafer moves on the mounting table) by the probe device, not shown, the hollow probe tip 68 contacts the electrode pad 100 of the semiconductor wafer to make it hollow. Probing is carried out by a probe device connected thereto via a probe tip 68, a hollow auxiliary probe tip 62, a relay plate 60, a contact 60a, a pogo pin 56, and a multilayer printed circuit board 51. It is determined whether the electrode pad 100 is good or bad according to the output signal of the electrode pad 100.

상기와 같이 중공형 프로브팁(68)이 전극패드(100)에 접촉할 때 중공형 프로브팁(68)은 고정판(66)에 수직으로 고정되어 수직방향으로 접촉압력을 받게 되는 바, 도 9에 도시된 바와 같이 중공형 프로브팁(68)의 접촉단부(68f)가 접촉압력을 갖고 전극패드(100)에 접촉시 골(68e)이 형성된 축방향 탄성핀부(68d)에 의해 요구하는 탄성 및 통전성을 갖으며 슬립이 없이도 전극패드(100)를 손상시키지 않고 정확히 접촉할 수 있게 되어 에러 발생없이 정확한 검사가 이루어지게 되며, 외관적으로도 여러 층의 판(가이드판(52), 지지판(58), 릴레이판(60), 고정판(66)들이 겹쳐 있고 최하면에 중공형 프로브팁(68)만이 외부로 약간 노출되어 취급 부주의에 의한 손상을 함께 줄일 수 있게 되는 것이다.As described above, when the hollow probe tip 68 contacts the electrode pad 100, the hollow probe tip 68 is vertically fixed to the fixing plate 66 to receive contact pressure in the vertical direction. As shown, the elastic end and the electrical conductivity required by the axial elastic pin portion 68d in which the contact end 68f of the hollow probe tip 68 has a contact pressure and a valley 68e is formed when contacting the electrode pad 100. It can be accurately contacted without damaging the electrode pad 100 without slipping, so that accurate inspection can be made without an error, and in appearance, several layers of plate (guide plate 52, support plate 58) The relay plate 60 and the fixing plate 66 overlap each other, and only the hollow probe tip 68 is slightly exposed to the outside so as to reduce damage due to careless handling.

이와 같이 본 발명이 프로브카드(50)는 중공형 프로브팁(68)이 고정판(66)에서 수직으로 짧게 돌출되어 있으므로 반도체 웨이퍼의 전극패드(100)와 슬립없이 정확히 접촉하게 되며, 중공형 프로브팁(68)의 마모로 인한 좌표 이탈 문제도 없어져 반도체디바이스의 생산수율을 크게 향상시키는 효과를 얻을 수 있게 되는 것이다.As described above, the probe card 50 of the present invention has a hollow probe tip 68 vertically protruding shortly from the fixed plate 66, so that the probe card 50 accurately contacts the electrode pad 100 of the semiconductor wafer without slip. The problem of coordinate deviation due to wear of (68) is also eliminated, and the effect of greatly improving the production yield of semiconductor devices can be obtained.

또한 상기 중공형 프로브팁(68)을 수직으로 배열 설치함으로서 고밀도의 배열 설치가 가능해져 고밀도로 배열된 중공형 프로브팁(68)에 의하여 전극패드(100)의 작은 사이즈에 부합되는 고집적화 되어 가는 반도체 경향(1기가 D램 등과 같은 차세대 반도채)에 대응할 수 있다.In addition, by installing the hollow probe tips 68 vertically, a high density array can be installed, and the semiconductor probes 68 are becoming highly integrated to meet the small size of the electrode pad 100 by the high density of the hollow probe tips 68. It can cope with the trend (next-generation semi-vegetables such as 1G DRAM).

그리고 상기와 같은 고밀도의 반도체를 검사할 수 있도록 조밀하게 형성된 중공형 프로브팁(68)이 수직으로 설치되어 있으므로 사용중 반도체디바이스의 변형 및 마모 등에 의한 샌딩가공이 필요없게 되어 프로브카드(50)의 연속사용시간을 획기적으로 증가시켜 검사수율을 높일 수 있게된다.Since the hollow probe tip 68 is densely installed vertically to inspect the high density semiconductor as described above, there is no need for sanding process due to deformation and abrasion of the semiconductor device during use. The use time can be increased drastically to increase the inspection yield.

한편 본 발명의 중공형 프로브팁(68)의 사용수명이 종료되면 릴레이판(60)과 함께 고정판(66)을 가이드판(52)으로부터 볼트(54)로 분리하여 교체하면 되므로 교체시간 및 교체비용을 대폭 절감할 수 있게 된다.Meanwhile, when the service life of the hollow probe tip 68 of the present invention is terminated, the fixing plate 66 together with the relay plate 60 may be separated and replaced by the bolts 54 from the guide plate 52. This can greatly reduce the cost.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 중공형 프로브팁이 수직으로 고정되고 도체부분이 고정판에서 약간만 돌출되어 프로브팁의 외경이 작더라도 강성을 유지함과 동시에 접촉압력으로부터 프로브팁의 정형적 성형에 의한 탄성이 유지되고 슬립이 없으므로 중공형 프로브팁의 마모로 인한 사용시간의 제약이 없어져 검사수율을 높일 수 있게 되고, 중공형 프로브팁의 소직경화에 의해 고밀도이고, 2열, 3열, 4열 등의 배열 배치로 고집적화된 반도체 웨이퍼에 따라 대응할 수 있고, 앞으로 개발되는 차세대 반도체의 검사에 대처할 수 있으며, 또한 반도체의 검사시 한 번에 많은 전극패드를 검사할 수 있게 됨으로써 시간 당 검사효율을 극대화시키고 더 나아가 대구경의 반도체 웨이퍼 검사에 대응할 수 있는 효과를 갖는다.As described above, according to the present invention, the hollow probe tip is vertically fixed and the conductor portion only protrudes slightly from the fixing plate, so that the elasticity due to the formal forming of the probe tip from the contact pressure is maintained while maintaining the rigidity even when the outer diameter of the probe tip is small. Since there is no slip, there is no restriction on the use time due to wear of the hollow probe tips, and thus the inspection yield can be increased. The small diameter of the hollow probe tips results in high density and arrangement of 2 rows, 3 rows, and 4 rows. It can cope with semiconductor wafers that are highly integrated in batch, can cope with the inspection of next-generation semiconductors that are developed in the future, and can inspect many electrode pads at the time of semiconductor inspection, thereby maximizing the hourly inspection efficiency and furthermore. It has an effect that can cope with inspection of a large diameter semiconductor wafer.

Claims (8)

프로브장치와 회로적으로 연결되는 다층인쇄회로기판과;A multi-layer printed circuit board connected to the probe device circuit; 상기 다층인쇄회로기판(51)의 하면 중앙부로 고정된 가이드판(52)과;A guide plate 52 fixed to a center of a lower surface of the multilayer printed circuit board 51; 상기 가이드판(52)에 배열 천공된 홀(52a)을 통해 설치되어 상기 다층인쇄회로기판(51)과 전기적으로 연결되는 포고핀(56)과;A pogo pin 56 installed through the holes 52a arranged in the guide plate 52 to be electrically connected to the multilayer printed circuit board 51; 상기 가이드판(52)의 하면 테두리를 통해 위치한 지지판(58)에 의해 가이드판(52)과 일정 공간을 유지하면서 상기 지지판(58)의 하면을 통해 가이드판(52)과 고정되고 상기 포고핀(56)과 전기적으로 연결되는 접점(60a)이 형성되는 릴레이판(60)과;The pogo pin is fixed to the guide plate 52 through the bottom surface of the support plate 58 while maintaining a predetermined space with the guide plate 52 by the support plate 58 located through the bottom edge of the guide plate 52. A relay plate 60 formed with a contact 60a electrically connected to 56; 상기 릴레이판(60)에 전극패드(100)의 좌표와 부합되게 배열 천공된 복수의 홀(60b)을 통해 수직되게 배열되고 상기 릴레이판(60)에 형성된 접점(60a)과 전기적으로 연결되는 중공형 보조프로브팁(62)과;The hollow is arranged vertically through a plurality of holes (60b) perforated in accordance with the coordinates of the electrode pad 100 in the relay plate 60 and the hollow is electrically connected to the contact (60a) formed in the relay plate 60 Type auxiliary probe tip 62; 상기 릴레이판(60)의 하면을 통해 고정되는 고정판(66)과;A fixing plate 66 fixed through the lower surface of the relay plate 60; 상기 고정판(66)에 배열 천공된 복수의 홀(66a)을 통해 수직으로 배열 설치되어 그 상부가 상기 중공형 보조프로브팁(62)과 접속되고 그 하부는 상기 고정판(66)으로부터 돌출되어 전극패드(100)와 접촉되는 중공형 프로브팁(68)과;It is installed vertically through a plurality of holes (66a) arranged in the fixing plate 66, the upper portion is connected to the hollow auxiliary probe tip 62, the lower portion protrudes from the fixing plate 66 to the electrode pad A hollow probe tip 68 in contact with 100; 상기 다층인쇄회로기판(51) 상면 중앙부로 고정되어 상기 가이드판(52), 지지판(58), 릴레이판(60), 고정판(66) 및 다층인쇄회로기판(51)의 변형을 방지하는 보강판(70)으로 구성된 것을 특징으로 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.A reinforcement plate is fixed to a central portion of the upper surface of the multilayer printed circuit board 51 to prevent deformation of the guide plate 52, the support plate 58, the relay plate 60, the fixed plate 66, and the multilayer printed circuit board 51. Probe card vertically arranged hollow probe tip, characterized in that consisting of (70). 제 1 항에 있어서, 상기 포고핀은,The method of claim 1, wherein the pogo pin is, 가이드판(52)에 천공된 홀(52a)에 삽입되어 고정되는 케이싱(56a)과;A casing 56a inserted into and fixed to the hole 52a drilled into the guide plate 52; 상기 케이싱(56a)의 양측에 출몰 가능하게 설치되어 다층인쇄회로기판(51)의 접점(51a)과 릴레이판(60)의 접점(60a)에 접촉 연결되는 접점핀(56b)(56c)과;Contact pins 56b and 56c installed on both sides of the casing 56a and connected to the contact 51a of the multilayer printed circuit board 51 and the contact 60a of the relay board 60; 상기 케이싱(56a) 내에 설치되고 양 접점핀(56b)(56c) 사이에 개재되어 접점핀(56b)(56c)의 접촉력을 증대시키는 스프링(56d)으로 구성된 것을 특징으로 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.The hollow probe tip vertically installed in the casing 56a and composed of a spring 56d interposed between both contact pins 56b and 56c to increase the contact force of the contact pins 56b and 56c. Probe card 제 1 항에 있어서, 상기 중공형 프로브팁(68)이 고정판(66) 으로부터 돌출되는 길이가 2000㎛이내인 것을 특징으로 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.The probe card according to claim 1, wherein the hollow probe tip (68) protrudes from the fixed plate (66) within 2000 µm. 제 1 항에 있어서, 상기 가이드판(52)과 릴레이판(60) 사이에 형성되는 공간에는 중공형 프로브팁(68)의 접촉압력에 따른 변형을 방지하기 위하여 복수의 서포트(72)를 가이드판(52) 측에 추가로 설치하는 것을 특징으로 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.According to claim 1, In the space formed between the guide plate 52 and the relay plate 60 a plurality of supports 72 to prevent deformation due to the contact pressure of the hollow probe tip 68 Probe card vertically arranged hollow probe tip, characterized in that the installation further on the (52) side. 제 1 항에 있어서, 상기 가이드판(52), 지지판(58),릴레이판(60) 및 고정판 (66)은 굽힘 변형 강성을 갖고 절연성, 내화학성, 내열성이 양호한 세라믹재 또는 PEEK(Polyethertherketone)재인 것을 특징으로 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.According to claim 1, wherein the guide plate 52, the support plate 58, the relay plate 60 and the fixing plate 66 is a ceramic material or PEEK (Polyethertherketone) material having a bending deformation rigidity and good insulation, chemical resistance, heat resistance Probe card vertically arranged hollow probe tip, characterized in that. 제 1 항에 있어서, 상기 보강판(70)은 구조적 강성을 세라믹재 또는 강재인 것을 특징으로 하는 중고형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.The probe card according to claim 1, wherein the reinforcement plate (70) has a structural rigidity of ceramic or steel. 제 1 항에 있어서, 상기 중공형 보조프로브팁(62)과 중공형 프로브팁(68)을 단일체로 형성한 것을 특징으로 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.The probe card according to claim 1, wherein the hollow auxiliary probe tip (62) and the hollow probe tip (68) are formed in a single body. 상기 릴레이판에 형성되어 중공형 보조프로브팁을 포고핀과 전기적으로 연결시키는 접점은 '∞' 이런 연결모양을 하여 동선이 보조접점을 통해 와이어 본딩되어 접점과 전기적으로 연결되게 한 것을 특징으로 하는 중공형 프로브팁을 수직으로 배치한 프로브카드.The hollow contact formed on the relay plate to electrically connect the hollow auxiliary probe tip with the pogo pin is '∞' hollow connection characterized in that the copper wire is electrically connected to the contact by wire bonding through the auxiliary contact Probe card with vertical probe tips vertically arranged.
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